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KR102768697B1 - 플라즈마 프로세싱을 위한 이온 바이어스 전압의 공간 및 시간 제어 - Google Patents

플라즈마 프로세싱을 위한 이온 바이어스 전압의 공간 및 시간 제어 Download PDF

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KR102768697B1
KR102768697B1 KR1020207017360A KR20207017360A KR102768697B1 KR 102768697 B1 KR102768697 B1 KR 102768697B1 KR 1020207017360 A KR1020207017360 A KR 1020207017360A KR 20207017360 A KR20207017360 A KR 20207017360A KR 102768697 B1 KR102768697 B1 KR 102768697B1
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plasma
plasma processing
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bias
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데니스 쇼
케빈 페어베어른
다니엘 카터
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에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드
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Abstract

플라즈마 프로세싱을 위한 시스템들 및 방법들이 개시된다. 예시적인 시스템은 플라즈마 프로세싱 챔버를 포함할 수도 있고, 그 플라즈마 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위한 소스 및 적어도 2 개의 바이어스 전극들로서, 그 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배열된, 상기 적어도 2 개의 바이어스 전극들을 포함한다. 척이 기판을 지지하도록 배치되고, 소스 생성기가 플라즈마 전극에 커플링된다. 적어도 하나의 바이어스 공급기가 적어도 2 개의 바이어스 전극들에 커플링되고, 제어기가 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 적어도 하나의 바이어스 공급기를 제어하도록 포함된다.

Description

플라즈마 프로세싱을 위한 이온 바이어스 전압의 공간 및 시간 제어
35 U.S.C. §119 하의 우선권 주장
본 특허출원은 "SPATIAL AND TEMPORAL CONTROL OF ION BIAS VOLTAGE FOR PLASMA PROCESSING" 을 발명의 명칭으로 하여 2017년 11월 17일자로 출원된 가출원 제62/588,224호에 대한 우선권을 주장하고, 이 출원은 본원의 양수인에게 양도되고 이로써 본 명세서에 참조로 명백히 통합된다.
분야
본 개시는 일반적으로 플라즈마 프로세싱에 관한 것이다. 특히, 그러나 제한 없이, 본 개시는 전력 공급기들로 플라즈마 프로세스 환경을 수정하기 위한 시스템들, 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
플라즈마 프로세싱 챔버들에 대한 도전과제는 기판 위의, 특히 기판의 에지 주위의 플라즈마 시스 (plasma sheath) 의 균일성을 제어하는 것이다. 기판 에지, 매립된 전기 평면의 에지, 격리 링 (isolating ring) 및 다른 챔버 관련 아티팩트들에 의해 야기된 불연속성들은 시스 균일성에 영향을 줄 수 있고, 이는 기판에 대한 이온들의 궤적을 변화시키고, 결과적으로, 기판의 프로세싱은 악영향을 받을 수도 있다.
이전의 시도들은 이들 도전과제들을 완화시키려고 노력하기 위해 기판 홀더, 챔버 형상, 및 다른 물리적 지오메트리들에서의 물리적 변화들을 이용하였다. 그러나 이들 접근법들은 정적이고, 유연성이 없으며, 그렇지 않으면 결함이 있다.
일 양태는 플라즈마 프로세싱을 위한 시스템으로 특징지어질 수도 있다. 시스템은 플라즈마 프로세싱 챔버를 포함하고, 그 플라즈마 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에 플라즈마를 제공하기 위한 소스; 적어도 2 개의 바이어스 전극들로서, 그 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배열된, 상기 적어도 2 개의 바이어스 전극들; 및 기판을 지지하도록 배치된 척을 포함한다. 시스템은 또한, 적어도 2 개의 바이어스 전극들에 커플링된 적어도 하나의 바이어스 공급기 및 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 적어도 2 개의 바이어스 전극들의 각각에 비대칭 주기적 전압 파형 (asymmetric periodic voltage waveform) 을 인가하도록 적어도 하나의 바이어스 공급기를 제어하기 위한 제어기를 포함한다.
다른 양태는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로 특징지어질 수도 있다. 방법은, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 복수의 구역 (zone) 들의 각각에 대응하는 복수의 바이어스 공급기들로 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하는 단계; 및 플라즈마 시스의 대응하는 부분들을 변경하기 위해 비대칭 주기적 전압 파형들의 하나 이상의 특성들을 조정하는 단계를 포함한다.
도 1 은 복수의 바이어스 구역들을 가진 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시하는 다이어그램이다;
도 2 는 복수의 바이어스 구역들을 가진 다른 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다;
도 3 은 복수의 바이어스 구역들을 가진 또 다른 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다;
도 4 는 복수의 바이어스 구역들을 가진 다른 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다;
도 5 는 본 명세서에서 개시된 실시형태들과 관련하여 트래버싱될 수도 있는 방법을 도시하는 플로우차트이다;
도 6 은 예시적인 제어 시스템의 양태들을 도시하는 다이어그램이다;
도 7 은 예시적인 바이어스 공급기의 양태들을 도시하는 다이어그램이다;
도 8 은 바이어스 공급기로부터 출력된 전압 파형의 그래프; 대응하는 시스 전압의 그래프; 및 대응하는 스위치-타이밍 다이어그램을 포함한다;
도 9 는 예시적인 바이어스 공급 파형 및 예시적인 전압 값들을 도시하는 그래프이다; 그리고
도 10a 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 2 개의 전압 소스들을 사용하는 구현을 도시한다;
도 10b 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 2 개의 전압 소스들을 사용하는 다른 구현을 도시한다;
도 10c 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 2 개의 전압 소스들을 사용하는 또 다른 구현을 도시한다;
도 11a 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 3 개의 전압 소스들을 사용하는 구현을 도시한다;
도 11b 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 3 개의 전압 소스들을 사용하는 다른 구현을 도시한다;
도 11c 는 도 7 에 도시된 바이어스 공급기에 전압들을 제공하기 위해 3 개의 전압 소스들을 사용하는 또 다른 구현을 도시한다;
도 12 는 제어 시스템과 관련된 예시적인 바이어스 공급기의 양태들을 도시하는 다이어그램이다; 그리고
도 13 은 예시적인 컴퓨팅 디바이스를 도시하는 블록 다이어그램이다.
본 개시는 일반적으로, 공간적으로 및 시간적으로 양자 모두로 용량성 (또는 유도성) 커플링된 플라즈마들의 균일성 및 강도를 제어하기 위한 시스템들, 방법들, 및 장치를 설명한다.
단어 "예시적인" 은 본 명세서에서 "예, 인스턴스, 또는 예시로서 기능하는 것" 을 의미하는데 사용된다. 본 명세서에서 "예시적인" 으로서 설명된 임의의 실시형태가 반드시 다른 실시형태들에 비해 유리하거나 또는 바람직한 것으로 해석될 필요는 없다. 그리고 본 명세서에서의 임의의 이전 간행물 (또는 그로부터 도출된 정보), 또는 공지된 임의의 사안에 대한 임의의 언급은, 이전 간행물 (또는 그로부터 도출된 정보) 또는 공지된 사안이 인습적이거나, 일상적이거나, 또는 본 명세서가 관련하는 활동 분야에서의 공통의 일반 지식의 일부를 형성한다는 인정 또는 승인 또는 임의의 형태의 제안이 아니다.
우선, 다음의 도면들에서의 플로우차트들 및 블록 다이어그램들은 본 개시의 다양한 실시형태들에 따른 시스템들, 방법들 및 컴퓨터 프로그램 제품들의 가능한 구현들의 동작, 아키텍처, 및 기능을 예시함에 주목한다. 이와 관련하여, 이들 플로우차트들 또는 블록 다이어그램들에서의 일부 블록들은, 특정 논리 기능(들)을 구현하기 위한 하나 이상의 실행가능 명령들을 포함하는 모듈, 세그먼트, 또는 코드 부분을 나타낼 수도 있다. 일부 대안적인 구현들에 있어서, 블록에서 언급된 기능들은 도면들에서 언급된 순서에서 벗어나 발생할 수도 있음을 또한 주목해야 한다. 예를 들어, 관련된 기능에 의존하여, 연속적으로 도시된 2 개의 블록들은, 사실, 실질적으로 동시에 실행될 수도 있거나, 또는 블록들은 때때로 역순으로 실행될 수도 있다. 블록 다이어그램들 및/또는 플로우차트 예시들의 각각의 블록, 및 그 블록 다이어그램들 및/또는 플로우차트 예시들에서의 블록들의 조합들은 특정 기능들 또는 액트들을 수행하는 특수 목적 하드웨어 기반 시스템들, 또는 특수 목적 하드웨어 및 컴퓨터 명령들의 조합들에 의해 구현될 수 있음을 또한 주목할 것이다.
다음의 개시에서의 사용 사례들은 웨이퍼 플라즈마 프로세싱을 포함하지만, 구현들은 플라즈마 챔버 내에서의 임의의 기판 프로세싱을 포함할 수 있다. 일부 인스턴스들에서는, 기판 이외의 오브젝트들이 본 명세서에서 개시된 시스템들, 방법들, 및 장치를 사용하여 프로세싱될 수 있다. 다시 말해서, 본 개시는 물리적 또는 화학적 수단에 의한 표면 변화, 서브표면 (subsurface) 변화, 성막 (deposition) 또는 제거를 달성하기 위한 부압 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 임의의 오브젝트의 플라즈마 프로세싱에 적용된다.
본 개시는 US9287092, US9287086, US9435029, US9309594, US9767988, US9362089, US9105447, US9685297, US9210790 에 개시된 바와 같은 플라즈마 프로세싱 및 기판 바이어싱 기법들을 활용할 수도 있지만, 활용하지 않아도 된다. 이들 특허들 전체가 본 명세서에 참조로 통합된다.
본 개시의 목적들을 위해, "여기 소스들", "소스 생성기들", "RF 소스들", 또는 "RF 전력 공급기들" 은 에너지가 주로 플라즈마를 생성 및 유지하는 것과 관련되는 것들인 한편, "바이어스 공급기들" 은 에너지가 주로 플라즈마로부터의 이온들 및 전자들을 끌어당기기 위한 표면 전위를 생성하는 것과 관련되는 것들이다. 소스 생성기들 및 바이어스 공급기들의 주파수들은 다양한 팩터들 (예를 들어, 애플리케이션 특정 팩터들) 에 의존하여 변하지만, 많은 실시형태들에서, 소스 생성기는 13.56 MHz 이상의 주파수들에서 동작하고 바이어스 공급기들은 2 MHz 미만 (예를 들어, 제한 없이, 2 MHz 와 400 kHz 사이) 의 주파수들에서 동작한다. 다른 실시형태들에서, 소스 공급기의 주파수는 13.56 MHz 미만이고, 바이어스 공급기는 2 MHz 를 초과하는 주파수들에서 동작할 수도 있는 것으로 고려된다. 많은 애플리케이션들에서, 소스 공급기의 주파수는 바이어스 공급기의 주파수보다 크다.
도 1 내지 도 4 의 각각은 유사한 면적의 상부 전극 (285) (예를 들어, 캐소드) 및 하부 (기판) 전극 (275) (예를 들어, 애노드) 을 가진 일반적인 원통형 대칭 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 를 포함하는 예시적인 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 지오메트리의 이 단순화는 설명을 용이하게 하지만 본 개시의 다양한 구현들에 대한 제한이 되어서는 안된다. 예를 들어, 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 는 원통형 이외의 형상을 가질 수도 있고 (예를 들어, 프로세싱 챔버 (100) 는 직사각형 형상을 가질 수도 있다) 대칭이 아닐 수도 있다. 다른 실시형태들에서, 상부 및 하부 전극들 (285, 275) 은 동일한 형상 및/또는 사이즈를 갖지 않을 수도 있다.
도 1 내지 도 4 는 또한, 전극들 (275, 285) 을, 내부에 전기 평면들 (245, 249, 255) 이 매립되어 있는 절연체로서 도시한다. 그러나, 다른 실시형태들에서, 전극들 (275, 285) 은 절연 코팅을 가진 금속 또는 전도성 재료를 포함할 수도 있다. 보다 일반적으로, 전극들 (275, 285) 은 에너지를 플라즈마에 용량성 커플링 (상부 전극 (285)) 하거나 또는 기판 (200) 표면 상에 바이어스 전압을 용량성 생성 (하부 전극 (275)) 할 수 있는 임의의 구조로서 구현될 수 있다. 도 1 내지 도 4 는 소스 생성기로부터의 RF 전력이 플라즈마 챔버 (100) 내에서 플라즈마에 용량성 커플링되는 것을 도시하지만, RF 에너지가 또한 (또는 대안적으로) 소스 생성기 (300) 로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 에 유도성 커플링될 수도 있음을 인식해야 한다. 따라서, 에너지 커플링 컴포넌트는 전기 평면 (255) 대신에 유도성 엘리먼트 (예를 들어, 코일) 일 수도 있다. 일부 실시형태들에서, 소스 생성기를 활용하는 (예를 들어, 소스 생성기) 대신에, 또는 소스 생성기를 사용하는 것에 더하여, 플라즈마는 원격 플라즈마 소스에 의해 플라즈마 챔버에 제공된다.
기판 (200) 은 물리적 또는 화학적 수단에 의한 표면 변화, 서브표면 변화, 성막 또는 제거를 달성하기 위해 플라즈마에 의해 프로세싱되는 임의의 오브젝트 또는 아이템 및 일부 인스턴스들에서는, 표면들일 수 있다.
도 1 은 매치 (350) 를 통해 케이블 (475) 또는 다른 전도체에 의해 에너지 커플링 컴포넌트 (예를 들어, 매립된 전기 평면 (255)) 에 연결된 소스 생성기 (300) (또한 "RF 소스" 로도 지칭됨) 에 의해 전력공급된 상부 전극 (285) 을 가진 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 를 예시한다. 상부 전극 (285) 은 격리 링 (105) 에 의해 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 바디로부터 격리된다. 진공 벽의 내부 벽들은 이 예에서 격리 실린더 (107) 에 의해 플라즈마 전위로부터 격리된다. 상부 전극 (285) 으로부터의 RF 여기는 플라즈마를 생성 및 유지하고 플라즈마 밀도를 제어하는데 사용된다. 기판 (200) 은 하부 전극 (275) 위에 있는 것으로 도시된다. 이 전극 (275) 은 격리 링 (110) 에 의해 플라즈마 챔버로부터 격리된다. 본 실시형태는 2 개의 바이어스 공급기들 (402) 을 포함하고, 이들 각각은 DC 전력 공급 유닛 (PSU) (450) 및 eV 스위치 (400) 를 포함할 수도 있다.
플라즈마 프로세싱 챔버들에 대한 도전과제는 기판 (200) 위의, 특히 기판의 에지 주위의 플라즈마 시스의 균일성을 제어하는 것이다. 기판 에지, 매립된 전기 평면의 에지, 격리 링 (110) 및 다른 챔버 관련 아티팩트들에 의해 야기된 불연속성들은 시스 균일성, 및 따라서, 기판의 프로세싱 균일성에 영향을 줄 수 있다. 이전의 시도들은 이들 도전과제들을 완화시키려고 노력하기 위해 기판 홀더, 챔버 형상, 및 다른 물리적 지오메트리들에서의 물리적 변화들을 이용하였다. 추가로, 많은 이전의 접근법들은 대칭 (예를 들어, 정현파) 출력 (예를 들어, 파형의 처음 반주기 (half-cycle) 는 파형의 마지막 반주기에서 대응하는 대칭 성분을 갖는다) 으로 동작한다. 그러나, 정현파 파형을 기판에 인가하는 것은 이온 에너지들의 광범위한 분포를 유도하며, 이는 플라즈마 프로세스가 원하는 에칭 프로파일을 수행하는 능력을 제한한다. 본 개시는 보다 동적이고 유연한 접근법으로 이들 불균일성들 및 결함들을 해결한다.
일반적으로, 도 1 은 다수의 바이어스 공급기들 (402) 을 도시하고, 각각의 바이어스 공급기 (402) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내에 다수의 구역들 (또한 본 명세서에서 바이어스 구역들로도 지칭됨) 을 형성하기 위해 대응하는 전기 평면에 커플링된다. 도 1 은 2 개의 구역들을 도시하지만, 실시형태들은 2 개보다 많은 구역들을 포함할 수도 있음을 인식해야 한다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 바이어스 공급기들 (402) 중 하나는 중앙의 전기 평면 (249) 에 커플링되고 다른 바이어스 공급기 (402) 는 외측의 매립된 전기 평면 (245) 에 연결된다. 바이어스 공급기들 (402) 의 각각은 다른 바이어스 공급기와 독립적으로 제어될 수 있다. 2 개의 매립된 평면들 (245, 249) 및 2 개의 바이어스 공급기들 (402) 을 사용하는 것은 전극 (275) 에 걸쳐 불균일한 바이어싱을 허용한다. 예를 들어, 외측의 매립된 평면 (245) 에는 중앙의 매립된 평면 (294) 보다 높은 바이어스가 인가될 수도 있거나, 또는 그 역도 마찬가지이다. 대안적으로, 상이한 펄싱 레짐 (pulsing regime) 들이 각각의 매립된 평면 (245, 249) 에 인가될 수 있다. 불균일한 바이어싱이 인가될 수 있지만, 결과는 기판 (200) 상의 균일한 표면 전위일 수도 있다. 다시 말해서, 이 멀티 매립된 평면 (multi-buried-plane) 방법은 플라즈마, 기판 등에서의 불균일성들을 완화시켜 기판 위의 균일한 플라즈마 시스를 달성하는데 사용될 수 있다.
2 개의 바이어스 공급기들의 듀티 사이클은 또한 플라즈마 시스템에서의 불균일성 효과들로 인한 프로세싱 레이트의 상이한 레이트들을 보상하기 위해 (바이어스 공급기들 (402) 을 동일한 전압들로 구동하는 동안) 변화될 수도 있다. 또는 바이어스 공급기들 (402) 은 원하는 프로세싱 균일성을 달성하기 위해 (바이어스 공급기들 간에) 상이한 전압들 또는 상이한 듀티 사이클들 및 상이한 전압들 양자 모두의 조합으로 구동될 수도 있다. 매립된 전기 평면들 및 대응하는 바이어스 공급기들의 추가적인 서브 분할들이 또한 활용될 수도 있다 (예를 들어, 2 개 이상의 매립된 평면들 및 대응하는 바이어스 공급기들 (402) 이 구현될 수 있다). 별도의 바이어스 공급기들 (402) 이 도시되지만, 실제로, 이들은 공통 DC 전압 소스를 갖지만 상이한 출력들을 갖는 하나의 유닛 (예를 들어, 2 개 이상의 eV 스위치들을 피딩하는 단일 DC 전력 공급 유닛) 에 통합될 수 있다. 더욱이, eV 소스의 출력은 상이한 매립된 전기 평면들 사이에 분압기 (potential divider) 로 분할될 수 있다.
도 2 는 도 1 에 도시된 실시형태의 추가의 변형을 예시한다. 이 인스턴스에서, 기판 (200) 의 외측 에지 아래에 배열되기 보다는, 외측의 매립된 전극 (245) 은 격리기 (isolator) 링 (110) 바로 아래에 적어도 부분적으로 배열된다. 이는 격리기 링 (110) 위의 바이어스 및 플라즈마 시스 균일성의 제어를 가능하게 한다. 일부 경우들에서, 바이어스 공급기 (402) 부과 바이어스 (imposed-bias) 는 격리기 링 (110) 위의 RF 플라즈마 유도 바이어스를 제거하고 프로세스의 소모품으로서의 격리기 링 (110) 의 프로세싱을 회피하거나, 또는 반대로, 격리기 링 (110) 의 플라즈마 프로세싱을 향상시키거나 하도록 제어될 수 있다.
도 3 은 도 2 에 도시된 실시형태의 또 다른 추가의 변형을 예시한다. 이 인스턴스에서, 외측의 매립된 전극 (245) 은 격리기 링 (110) 내부에 있어, 이 격리기 링 (110) 위의 바이어스 및 시스 균일성을 제어한다. 일부 경우들에서, 바이어스 공급 부과 바이어스는 RF 플라즈마 유도 바이어스를 제거하고 프로세스의 소모품으로서의 격리기 링 (110) 의 프로세싱을 회피하거나, 또는 반대로, 격리기 링 (110) 의 플라즈마 프로세싱을 향상시키거나 하도록 제어될 수 있다.
도 4 는 하나 이상의 바이어스 공급기들 (402) 이 하나 이상의 상부 전극들에 커플링되고 하나 이상의 RF 소스들이 다른 하나 이상의 바이어스 공급기들 (402) 과 함께 (매치 네트워크 (350) 를 통해) 하부 전극에 커플링되는 실시형태를 예시한다. 바이어스 공급기 (402) 및 소스 생성기 (300) 를 격리시키기 위해 요구될 수도 있는 필터들이 도시되지는 않지만, 당업자들에 의해 구현될 수 있다. eV 소스들의 전압 레벨들 및/또는 듀티 사이클들을 변화시킴으로써, 플라즈마 균일성이 변경되고 기판의 프로세싱 균일성에 영향을 줄 수 있다. 상부 전극 (285) 의 재료는 기판의 프로세싱에 사용될 수도 있으므로, 진폭, 시간, 균일성, 또는 이들의 조합에 있어서, 바이어스 공급기들 (402) 의 바이어스 레벨(들)을 제어함으로써, 기판 (200) 프로세싱의 균일성 및 레이트가 제어될 수도 있다. 상부 전극 (285) 의 표면 위의 RF 유도 이온 바이어스 전압을 억제하는 것이 바람직할 수도 있으며, 이 경우에 상부 전극 (285) 내의 전기 평면들 (257, 259) 에 커플링된 바이어스 공급기들 (402) 은 이 바이어스 전압을 상쇄시키는데 사용될 수 있다. RF 유도 전압이 불균일하면, 다수의 바이어스 공급기들 (402) (예를 들어, 2 개 이상의 바이어스 공급기들 (402)) 이 이들 불균일성들에 대응하는데 사용될 수 있다.
다른 실시형태에서, 바이어스 공급기들 (402) 중 하나 이상은 소스 생성기 (300) 의 펄싱 및/또는 전압 변화들과 동기하여, 펄싱되고 및/또는 그 전압을 변조시킬 수 있다. 예를 들어, 바이어스 공급기들 (402) 중 하나 이상이 제 1 바이어스 전압으로부터 제 2 바이어스 전압으로 바이어스 전압을 낮추는 주기들 동안, 소스 생성기 (300) 는 그 출력을 펄싱하거나, 그 전압을 낮추거나, 또는 그 전압 출력을 펄싱하고 또한 낮출 수도 있다.
이들 개념들은 바이어스 공급기들 (402) 및 소스 생성기들 (300) 의 예시된 수들로 한정되지 않아야 한다. 오히려, 많은 소스들 (예를 들어, 많은 바이어스 공급기들 (402) 및 많은 소스 생성기들 (300)) 이, 예를 들어, (예를 들어, 플라즈마 밀도 균일성을 달성하기 위한) 플라즈마 밀도의 복잡한, 영역 특정적, 제어가 요망되는 경우에 사용될 수 있다. 또한, 소스들의 수는 전극들의 수에 매칭할 필요가 없음을 이해해야 한다. 예를 들어, 2 개의 비제한적 예들을 들면, 4 개의 소스 생성기들 (300) 은 3 개의 전극들을 구동할 수 있거나, 또는 2 개의 소스 생성기들은 5 개의 전극들을 구동할 수 있다. 또한, 각각의 소스는 대응하는 매치 네트워크를 가질 수도 있거나, 또는 단일 매치 네트워크가 2 개 이상의 소스들에 커플링되어 2 개 이상의 소스들을 임피던스 매칭할 수도 있다. 2 개 이상의 전극들이 하나 이상의 바이어스 공급기들 (402) 에 커플링되는 경우, 이들 전극들은 대칭 (예를 들어, 동심 링들) 또는 (예를 들어, 기판 및/또는 챔버에서의 비대칭들을 설명하기 위해) 비대칭일 수 있다.
더욱이, 2 개 이상의 바이어스 공급기들 (402) 이 구현되는 경우, 각각의 바이어스 공급기는 로컬화된 이온 전류 (및 따라서 이온 에너지 및 이온 밀도) 및 로컬화된 시스 커패시턴스를 결정하는데 사용될 수 있다.
이온 전류 (I1) 는 다음으로서 주어질 수도 있다:
(식 1)
여기서 C1 은 절연체 (insulation), 기판, 기판 지지체, 및 척을 포함할 수도 있는, 챔버와 연관된 컴포넌트들의 고유 커패시턴스를 나타낸다.
시스 커패시턴스 (Csheath) 는 다음으로서 주어질 수도 있다:
(식 2)
다수의 바이어스 공급기들 (402) 및 챔버 내의 상이한 위치들에서의 이온 전류, 및 따라서 이온 밀도를 측정하는 그들의 대응하는 능력이 바이어스 공급기들 (402) 및/또는 소스 생성기들 (300) 에 대한 피드백으로서 활용될 수 있다. 그리고 시스 커패시턴스가 시스 커패시턴스를 제어하고 플라즈마 시스에 영향을 미치는 파라미터 값으로서 계산 및 활용될 수도 있다. 대안적으로, 또는 추가로, 이 피드백은 프로세싱 챔버 (100) 또는 소스들 (300, 402) 의 임의의 전기적 및/또는 기계적 피처를 제어하는데 사용될 수 있다. 대안적으로, 또는 추가로, 이 피드백은 다음: 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 자석들 (예를 들어, 플라즈마를 한정 또는 성형하는데 사용된 자석들, 또는 마이크로파 플라즈마 소스를 통해 생성된 이온들을 지향시키는데 사용된 자석들); 압력 제어 (예를 들어, 압력 밸브들); 매스 플로우 제어; 가스 플로우 제어; 가스 화학 제어; 및 챔버 또는 그 내의 컴포넌트들의 물리적 지오메트리 (예를 들어, 접지된 실리콘 캡 또는 리드의 수직 이동) 중 임의의 하나 이상을 제어하는데 사용될 수 있다. 다양한 공지된 RF 소스들 (예를 들어, 용량성, 유도성, 마이크로파 등) 의 상세한 설명들은 이들이 당업계에 잘 알려져 있기 때문에 여기에서 적절하지 않음을 또한 알 것이다. 그러나, 본 명세서에서 설명된 피드백 및 동기화는 임의의 공지된 RF 소스에 적용가능하다.
다음에 도 5 를 참조하면, 본 명세서에서 개시된 여러 실시형태들과 관련하여 트래버싱될 수도 있는 방법을 도시하는 플로우차트가 도시된다. 방법은 플라즈마 프로세싱 챔버에 복수의 구역들을 제공하는 단계를 포함한다 (블록 (500)). 도 1 내지 도 4 를 참조하여 설명된 바와 같이, 구역들의 각각은 대응하는 전기 평면과 관련하여 실현될 수도 있다. 예를 들어, 전기 평면들 (245, 249, 250, 257, 259) 의 각각은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 에서 확립된 플라즈마의 시스의 부분에 영향을 미치기 위해 (바이어스 공급기 (402) 로부터 주기적 전압 파형이 부여될 때) 대응하는 구역을 확립할 수도 있다. 추가로, 기판 (200) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내에 배치되고 (블록 (502)) 플라즈마가 소스 생성기로 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 에서 생성된다 (블록 (504)). 도시된 바와 같이, 바이어스 파형 (예를 들어, 비대칭 주기적 전압 파형) 이 복수의 구역들의 각각에 인가되고 (블록 (506)), 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 환경의 하나 이상의 특성들이 모니터링된다 (블록 (508)). 하나 이상의 특성들의 모니터링은 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 센서들 또는 프로브들에 의해, 및/또는 바이어스 공급기들 (402) 또는 소스 생성기들 (300) 에 의해 인가된 전력의 하나 이상의 양태들을 (플라즈마 프로세싱 챔버 외부에서) 모니터링하는 것에 의해 구현될 수도 있다. 모니터링 (블록 (508)) 에 응답하여, 복수의 구역들 중 하나 이상에 의해 인가된 바이어스 파형 (예를 들어, 비대칭 주기적 전압 파형) 이 조정된다 (블록 (510)).
도 6 을 참조하면, 본 명세서에서의 실시형태들과 관련하여 사용될 수도 있는 예시적인 제어 시스템의 양태들이 도시된다. 또한, 절연체, 기판, 기판 지지체, 및 척을 포함할 수도 있는 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 와 연관된 컴포넌트들의 고유 커패시턴스를 나타내는 커패시턴스 (C1) 및 시스 커패시턴스 (Csheath) 의 표현들이 도시된다.
도시된 바와 같이, 전류 및/또는 전압은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 환경의 하나 이상의 특성들을 간접적으로 모니터링 (블록 (508)) 하기 위해 제어기 (660) 에 의해 측정될 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 환경의 예시적인 특성은 측정된 출력 전압 (Vout) 을 사용하여 식 2 로 계산될 수도 있는 시스 커패시턴스 (Csheath) 일 수도 있다.
모니터링 (블록 (508)) 은 저장되는 (예를 들어, 시스 커패시턴스 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버의 환경의 다른 특성들에 관한) 데이터를 획득하기 위해 기판을 프로세싱하는 것보다 앞서 수행될 수도 있고, 그 후 데이터는 (예를 들어, 피드-포워드 방식으로) 바이어스 파형(들)을 조정 (블록 (510)) 하는데 활용된다. 블록 (508) 에서의 모니터링은 또한, 플라즈마 프로세싱 동안 수행될 수도 있고, (예를 들어, 바이어스 공급기 (602) 의 전압 및/또는 듀티 사이클을 조정하는 것에 의한) 블록 (510) 에서의 조정은 예를 들어, 도 6 에 도시된 바와 같은 전압 및/또는 전류 측정치를 사용한 실시간 피드백을 사용하여 행해질 수도 있다.
다음에 도 7 을 참조하면, 바이어스 공급기들 (402, 602) 을 실현하는데 사용될 수도 있는 예시적인 바이어스 공급기 (702) 의 일반적인 표현이 도시된다. 도시된 바와 같이, 바이어스 공급기 (702) 는 3 개의 전압들 (V1, V2, 및 V3) 을 활용한다. 출력 (Vout) 은 Cchuck 을 통해 용량성 커플링되기 때문에, 일반적으로는 Vout 의 DC 레벨을 제어할 필요가 없고 3 개의 전압들은 V1, V2 또는 V3 중 하나를 접지 (0 V) 로 선택함으로써 2 개로 감소될 수 있다. 별도의 척킹 공급기가 사용될 수도 있어, Vout 의 DC 레벨을 제어할 필요가 없다. 별도의 척킹 공급기가 사용되지 않으면, 모든 3 개의 전압들은 Vout 의 DC 레벨을 제어하도록 제어될 수 있다. 명료성을 위해 도시되지 않았지만, 2 개의 스위치들 (S1, 및 S2) 은 이하에 개시된 바와 같이, 스위치 제어기가 스위치들 (S1, S2) 을 개방 및 폐쇄할 수 있도록 전기적 또는 광학적 연결을 통해 스위치 제어기에 의해 제어될 수도 있다. 도시된 스위치들 (S1, S2) 은 단극, 단역 스위치들에 의해 실현될 수도 있고, 비제한적 예로서, 스위치들 (S1, S2) 은 실리콘 카바이드 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들 (SiC MOSFET들) 에 의해 실현될 수도 있다.
이 구현에서, 전압들 (V1, V2, 및 V3) 은 DC 소싱 전압들일 수도 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치 (S1) 는 제 1 전압 (V1) 을 유도성 엘리먼트를 통해 출력 (Vout) 에 스위칭가능하게 연결하도록 배치되고 제 2 스위치 (S2) 는 제 2 전압 (V2) 을 유도성 엘리먼트를 통해 출력 (Vout) 에 스위칭가능하게 커플링하도록 배치된다. 이 구현에서, 2 개의 스위치들은 공통 노드 (770) 에 연결되고, 공통 유도성 엘리먼트 (L1) 는 공통 노드와 출력 노드 (Vout) 사이에 배치된다. 유도성 엘리먼트들의 다른 배열들이 가능하다. 예를 들어, 하나의 유도성 엘리먼트가 S1 을 Vout 에 연결하고 다른 것이 S2 를 Vout 에 연결하고 있는 2 개의 별도의 유도성 엘리먼트들이 있을 수도 있다. 다른 예에서, 하나의 유도성 엘리먼트는 S1 을 S2 에 연결할 수도 있고 다른 유도성 엘리먼트는 S1 또는 S2 중 어느 하나를 Vout 에 연결할 수도 있다.
도 7 을 참조하면서, 1) Vout 에서 출력되는 바이어스 공급기 (702) 의 비대칭 주기적 전압 파형의 사이클; 2) 대응하는 시스 전압; 및 3) 스위치들 (S1 및 S2) 의 대응하는 스위치 위치들을 도시하는 도 8 을 동시에 참조한다. 도시된 바와 같이, 바이어스 공급기 (702) 에 의해 출력되는 주기적 전압 파형은 비대칭이어서, 전압 파형의 처음 반주기는 전압 파형의 마지막 반주기 동안 대응하는 대칭 성분을 갖지 않는다. 동작 시, 제 1 스위치 (S1) 는 순간적으로 폐쇄되어 (전압 V0 과 Va 사이의) 전압 파형의 제 1 부분 (860) 을 따라, 출력 노드 (Vout) 에서의 전압의 레벨을 제 1 전압 레벨 (Va) 로 증가시킨다. 레벨 (Va) 은 파형의 제 2 부분 (862) 을 따라 유지된다. 그 후 제 2 스위치 (S2) 가 순간적으로 폐쇄되어, 파형의 제 3 부분 (864) 을 따라, 출력 노드 (Vout) 의 전압 파형의 레벨을 제 2 전압 레벨 (Vb) 로 감소시킨다. S1 및 S2 는 짧은 시간 주기들을 제외하고는 개방됨에 주목한다. 도시된 바와 같이, 제 3 부분 (864) 을 따른 네거티브 전압 스윙은 시스 전압 (Vsheath) 에 영향을 미친다; 따라서, Va-Vb 의 크기가 시스 전압에 영향을 미치기 위해 제어될 수도 있다.
이 실시형태에서, 제 1 및 제 2 스위치들 (S1, S2) 이 개방되는 동안, 제 3 전압 (V3) 이 제 2 유도성 엘리먼트 (L2) 를 통해 출력 노드 (Vout) 에 인가되어 전압 파형의 제 4 부분 (866) 을 따라 출력 노드에서의 전압의 레벨을 더욱 감소시킨다. 도 8 에 도시된 바와 같이, 제 4 부분 (866) 을 따른 네거티브 전압 램프는 기판에 영향을 주는 이온들을 보상하는 것에 의해 시스 전압을 유지하도록 확립될 수도 있다.
따라서, S1 이 제 1 전압 (V1) 을 제 1 유도성 엘리먼트 (L1) 를 통해 출력 (Vout) 에 순간적으로 연결한 후 연결해제하고, 소정 시간 주기 후, S2 가 제 2 전압 (예를 들어, 접지) 을 제 1 유도성 엘리먼트 (L1) 를 통해 출력 (Vout) 에 연결한 후 연결해제한다. 제 3 전압 (V3) 은 제 2 유도성 엘리먼트 (L2) 를 통해 출력 (Vout) 에 커플링된다. 이 구현에서, 제 1 전압 (V1) 은 제 3 전압 (V3) 보다 높을 수도 있고, 출력 (Vout) 에 대한 제 1 전압 (V1) 의 순간적 연결 및 연결해제는 출력 (Vout) 의 전압이 전압 파형의 제 1 부분 (860) 을 따라 제 1 전압 레벨 (Va) 로 증가하게 하고, 제 1 전압 레벨 (Va) 은 파형 (862) 의 제 2 부분을 따라 유지된다. 제 1 전압 레벨 (Va) 은 제 1 전압 (V1) 보다 높을 수도 있고, 제 2 전압 (V2) (예를 들어, 접지) 은 제 1 전압 레벨 (Va) 미만일 수도 있다. 제 2 전압 (V2) 의 순간적 연결 및 그 후 연결해제는 출력의 전압이 제 3 부분 (864) 에서, 제 2 전압 (V2) (예를 들어, 접지) 보다 낮은 제 2 전압 레벨 (Vb) 로 감소하게 한다.
일 예로서, 도 9 에 도시된 바와 같이, V1 은 -2000 VDC 일 수도 있고; V2 는 접지일 수도 있고; V3 은 -5000 VDC 일 수도 있고; V0 은 -7000 VDC 일 수도 있고; Vb 는 -3000 VDC 일 수도 있으며; Va 는 3000 VDC 일 수도 있다. 그러나 이들 전압들은 도 7 및 도 8 을 참조하여 설명된 전압들의 상대적 크기 및 극성들에 대한 컨텍스트를 제공하기 위한 예시일 뿐이다.
다음에 도 10a 내지 도 10c 를 참조하면, 도 7 및 도 9 에 도시된 전압들 (V1, V2, 및 V3) 을 제공하기 위한 2 개의 DC 전압 소스들의 가능한 배열들이 도시된다. 도 10a 에서, V2 는 접지되고 2 개의 DC 전압 소스들 사이의 공통 노드를 형성한다. 도 10b 에서, V1 은 접지되고 V2 는 DC 전압 소스들 사이의 공통 노드를 형성한다. 그리고 도 10c 에서, V1 은 접지되고 2 개의 DC 전압 소스들의 각각 사이의 공통 노드를 형성한다.
일부 실시형태들에서, 도 11a, 도 11b, 및 도 11c 에 도시된 바와 같이, 3 개의 DC 전압 소스들이 3 개의 전압들 (V1, V2, 및 V3) 을 인가하기 위해 활용될 수도 있다. 도 11a 에 도시된 바와 같이, 3 개의 DC 전압 소스들의 각각은 접지에 커플링될 수도 있고, 3 개의 DC 전압 소스들의 각각은 V1, V2, V3 중 대응하는 하나를 제공한다. 도 11b 에서, DC 전압 소스들 중 하나는 접지되고 3 개의 DC 전압 소스들은 직렬로 배열된다. 도 11c 에서, DC 전압 소스들 중 하나는 접지와 V2 사이에 배치되고, DC 전압 소스들의 각각은 V2 에 커플링된다.
다음에 도 12 를 참조하면, 바이어스 공급기들 (402, 602) 을 실현하는데 사용될 수도 있는 예시적인 바이어스 공급기 (1202) 가 도시된다. 도시된 바와 같이, 바이어스 공급기 (1202) 는 스위치 제어기 (1204) 및 제 1 전압 (V1), 제 2 전압 (V2), 및 제 3 전압 (V3) 을 제공하기 위한 2 개의 전압 소스들을 포함한다. 명료성을 위해 도시되지 않았지만, 2 개의 스위치들 (S1, 및 S2) 은 이하에 개시된 바와 같이, 스위치 제어기 (1204) 가 스위치들 (S1, S2) 을 개방 및 폐쇄할 수 있도록 (예를 들어, 전기적 또는 광학적 연결을 통해) 스위치 제어기 (1204) 에 커플링된다. 도시된 스위치들 (S1, S2) 은 전기적 또는 광학적 신호에 의해 제어가능한 단극, 단역, 보통은 개방된 스위치들에 의해 실현될 수도 있다. 비제한적 예로서, 스위치들 (S1, S2) 은 실리콘 카바이드 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들 (SiC MOSFET들) 에 의해 실현될 수도 있다.
또한, 각각의 바이어스 공급기의 하우징 내에서 실현될 수도 있거나 또는 중앙집중된 툴 제어기의 일부로서 실현될 수도 있는 예시적인 제어기 (1260) 가 도시된다. 도시된 바와 같이, 제어기 (1260) 는 바이어스 공급기의 출력 (Vout) 에서 바이어스 공급기 (1202) 에 의해 인가된 전력을 나타내는 정보 (예를 들어, 전압 및/또는 전류 정보) 를 수신하도록 커플링된다. 도시된 바와 같이, 제어기 (1260) 는 또한, 제어기 (1260) 가 (예를 들어, 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해) 바이어스 공급기 (1202) 를 제어할 수 있도록 스위치 제어기 (1204) 및 2 개의 DC 전압 소스들에 커플링된다.
추가로, 제어기 (1260) 는 바이어스 공급기 (1202) 에 의해 인가되는 전력의 적어도 하나의 특성을 측정하기 위한 모니터링 회로부 (1270), 및 모니터링 회로부 (1270) 로부터 획득된 전력의 측정된 특성에 기초하여 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내의 환경의 특성을 계산하도록 구성된 챔버 분석 컴포넌트 (1272) 를 포함한다. 또한, 제어기 (1260) 에는 바이어스 전극들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 바이어스 공급기 (1202) 에 의해 인가된 전력을 조정하기 위한 제어 회로부 (1274) 가 도시된다. 도 12 에서, 제어기 (1260) 및 스위치 제어기 (1204) 는 별도의 구성들로서 도시되지만, 제어기 (1260) 및 스위치 제어기 (1204) 는 통합되고 및/또는 공통 기본 컴포넌트들을 공유할 수도 있음을 인식해야 한다. 예를 들어, 제어기 (1260) 및 스위치 제어기 (1204) 는 동일한 인쇄 회로 보드 상에 병치될 수도 있다. 다른 예로서, 제어기 (1260) 및 스위치 제어기는 도 13 에 도시된 컴퓨팅 디바이스와 유사하거나, 또는 동일한 아키텍처를 포함하는 시스템에 의해 실현될 수도 있다.
모니터링 회로부 (1270) 는 방향성 커플러, V-I 센서, 위상 및 이득 센서, 전압 센서, 및 전류 센서와 같은 하나 이상의 센서들을 포함할 수도 있다. 당업자가 알 바와 같이, 전력의 측정된 특성은 전압, 전류, 위상, 및 전력을 포함할 수도 있다. 추가로, 모니터링 회로부 (1270) 는 센서(들)로부터의 아날로그 신호들을 전력의 측정된 특성의 디지털 표현들로 컨버팅하기 위한 아날로그-디지털 컨버전 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 다른 구현들에서, 센서(들)는 제어기 (1260) 로부터 분리되고, 모니터링 회로부 (1270) 는 센서(들)로부터의 아날로그 신호들을 전력의 측정된 특성의 디지털 표현들로 컨버팅하기 위한 아날로그-디지털 컨버전 컴포넌트들을 포함한다. 또 다른 구현들에서, 센서(들)는 센싱 엘리먼트들 및 아날로그-디지털 컨버전 컴포넌트들을 포함하고, 모니터링 회로부 (1270) 는 전력의 특성의 디지털 표현을 수신할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버의 환경의 하나 이상의 특성들의 모니터링은 적어도 하나의 바이어스 공급기에 의해 인가되는 전력의 적어도 하나의 특성을 (모니터링 회로부 (1270) 로) 측정하는 것을 포함할 수도 있다.
챔버 분석 컴포넌트 (1272) 는 일반적으로, 모니터링 회로부 (1270) 로부터 획득된 전력의 측정된 특성에 기초하여 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 환경의 특성을 결정하도록 구성된다. 전력은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 와는 관계없는 위치에서 (모니터링 회로부 (1270) 에 의해) 측정될 수도 있지만, 측정된 전력 특성은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내의 환경의 특성을 계산하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 식 1 을 사용하여, 바이어스 구역에 근접한 영역에서의 이온 전류가 C1 과 관련된 Vout 에서의 전압의 측정치를 사용하여 계산될 수도 있다. 다른 예로서, 식 2 를 사용하여, 바이어스 구역에 근접한 영역에서의 시스 커패시턴스가 계산될 수도 있다.
제어 회로부 (1274) 는 일반적으로, 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내의 환경의 양태를 조정하기 위해 바이어스 공급기에 의해 인가된 전력을 조정하도록 동작한다. 예를 들어, (바이어스 공급기 (1202) 에 의해 확립된) 구역에 근접한 플라즈마 시스는 조정될 수도 있고, 및/또는 이온 전류가 또한 조정될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 제어기 (1260) 는 DC 전압 소스들 및 스위치 제어기 (1204) 에 커플링될 수도 있고; 따라서 도 8 을 참조하면, 제어기 (1260) 는 전압 (Va), 전압 (Vb), t1, T, 및 제 4 부분 (866) 의 기울기를 조정하는데 사용될 수도 있다. 도 8 을 참조하여 논의된 바와 같이, 바이어스 공급기 (1202) 와 연관된 바이어스 구역에 근접한 플라즈마 시스의 전압이 조정될 수도 있다.
다시 도 12 를 참조하면, (도 10a 에 도시된 실시형태를 통합하는) 이 구현에서, 제 2 전압 (V2) 은 2 개의 DC 전압 소스들에 커플링되고 접지에 커플링되는 노드에서 제공되지만, (도 10b 및 도 10c 를 참조하여 상기 설명된) 다른 구현들에서는, 제 2 전압 (V2) 은 접지될 필요가 없다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치 (S1) 는 제 1 전압 (V1) 을 (S1 및 S2 에 공통인) 공통 노드 (770) 에 스위칭가능하게 연결하도록 배치되고, 제 2 스위치 (S2) 는 제 2 전압 (V2) 을 공통 노드 (770) 에 스위칭가능하게 커플링하도록 배치된다. 추가로, 제 1 유도성 엘리먼트 (L1) 는 공통 노드와 출력 노드 (Vout) 사이에 배치된다.
동작 시, 스위치 제어기 (1204) 는 제 1 스위치 (S1) 를 폐쇄하여 (전압 V0, 과 Va 사이의) 전압 파형의 제 1 부분 (860) 을 따라, 출력 노드 (Vout) 에서의 전압의 레벨을 파형의 제 2 부분 (862) 을 따라 유지되는 제 1 전압 레벨 (Va) 로 증가시키도록 구성되고, 그 후 제 1 스위치 (S1) 가 개방된다. 스위치 제어기 (1204) 는 그 후, 제 2 스위치 (S2) 를 폐쇄하여 파형의 제 3 부분 (864) 을 따라, 출력 노드 (Vout) 에서의 전압 파형의 레벨을 제 2 전압 레벨 (Vb) 로 감소시키고, 그 후 스위치 제어기 (1204) 는 제 2 스위치 (S2) 를 개방하여, S1 및 S2 가 개방된다. 도시된 바와 같이, 제 3 부분 (864) 을 따른 네거티브 전압 스윙은 시스 전압 (Vsheath) 에 영향을 미치고; 따라서 Vb 의 크기가 Vout 에 커플링된 전극 평면에 아주 근접한 시스 전압에 영향을 미치기 위해 제어될 수도 있다. 당업자들은 Vb 가 V1 을 제어하는 것에 의해 제어가능하지만, Vb 는 이 구현에서, 인덕터 (L1) 의 영향으로 인해 V1 과 같지 않음을 알 것이다.
이 실시형태에서, 제 2 전압 소스는, 적어도 제 1 및 제 2 스위치들 (S1, S2) 이 개방되는 동안, 제 3 전압 (V3) 을 제 2 유도성 엘리먼트 (L2) 를 통해 출력 노드 (Vout) 에 인가하여 주기적 비대칭 전압 파형의 제 4 부분 (866) 을 따라 출력 노드에서의 전압 파형의 레벨을 더욱 감소시키기 위한 이온 보상 컴포넌트로서 기능하다. 도 8 에 도시된 바와 같이, 제 4 부분 (866) 을 따른 네거티브 전압 랩프는 기판에 영향을 주는 이온들을 보상하는 것에 의해 시스 전압을 유지하도록 확립될 수도 있다.
따라서, S1 이 제 1 전압 (V1) 을 제 1 유도성 엘리먼트 (L1) 를 통해 출력 (Vout) 에 순간적으로 연결한 후 연결해제하고, 일정 시간 주기 후에, S2 가 제 2 전압 (예를 들어, 접지) 을 제 1 유도성 엘리먼트 (L1) 를 통해 출력 (Vout) 에 연결한 후 연결해제한다. 제 3 전압 (V3) 은 제 2 유도성 엘리먼트 (L2) 를 통해 출력 (Vout) 에 커플링된다. 이 구현에서, 제 1 전압 (V1) 은 제 3 전압 (V3) 보다 높을 수도 있고, 출력 (Vout) 에 대한 제 1 전압 (V1) 의 순간적 연결 및 연결해제는 출력 (Vout) 의 전압이 전압 파형의 제 1 부분 (860) 을 따라 제 1 전압 레벨 (Va) 로 증가하게 하고, 제 1 전압 레벨 (Va) 은 파형 (862) 의 제 2 부분을 따라 유지된다. 제 1 전압 레벨 (Va) 은 제 1 전압 (V1) 보다 높을 수도 있고, 제 2 전압 (V2) (예를 들어, 접지) 은 제 1 전압 레벨 (Va) 미만일 수도 있다. 제 2 전압 (V2) 의 순간적 연결 및 그 후 연결해제는 출력의 전압이 제 3 부분 (864) 에서, 제 2 전압 (V2) (예를 들어, 접지) 보다 낮은 제 2 전압 레벨 (Vb) 로 감소하게 한다.
일 실시형태에서, 하나 이상의 바이어스 공급기들은 이온 밀도, 시스 커패시턴스, 또는 챔버 내에 레퍼런스 기판이 있거나 또는 기판이 없는 다른 챔버 파라미터들을 측정하는데 사용될 수도 있다. 하나 이상의 프로세싱 실행들이 수행될 수 있고, 그 후 측정들이 반복될 수 있다. 이렇게 하여, 챔버에 대한 변화들이 모니터링될 수 있다.
실리콘 상부 리드가 사용되면, 하나 이상의 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 은 영역적 이온 밀도 및/또는 다른 챔버 파라미터들을 모니터링하는데 사용될 수 있다. 실리콘 상부 리드 (또한 실리콘 진공 시일로도 지칭됨) 는 통상적으로 소모품이지만 균일한 방식으로 소모되지 않을 수도 있다. 영역적 플라즈마 특성들을 측정하기 위해 다수의 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 을 사용하는 것은 실리콘 진공 시일에서 불균일한 변화들을 추론하기 위한 수단을 제공할 수도 있다. 시간에 따른 이 피드백은 실리콘 진공 시일에서의 시간 변화 불균일들을 설명하기 위해 RF 소스(들) (300) 및/또는 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 을 조정하는데 사용될 수 있다. 추가적으로, 이 피드백은 실리콘 진공 시일이 교체 예정일 수도 있을 때를 결정하는데 사용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 은 (예를 들어, 챔버 위의) 이 실리콘 진공 시일에 인접한 전극에 커플링될 수 있다. 바이어스 공급기 (402, 702, 1202) 는 플라즈마 시스를 수정 또는 심지어 제거하는데 사용될 수 있기 때문에, 이 상부 장착 바이어스 공급기 (402, 602, 702, 1202) 는 실리콘 진공 시일과 플라즈마 사이의 플라즈마 시스를 감소 또는 심지어 제거하는데 사용될 수 있다. 이렇게 하여, 실리콘 진공 시일의 이로전 (erosion) 또는 소모는 현재 프로세스들에 비해 감소될 수 있다.
이들 라인들에 따라, 각각의 바이어스 공급기 (402, 602, 702, 1202) 및 대응하는 전극은 플라즈마 시스들을 로컬로 제어하고 이로써 챔버의 소정의 영역들 또는 컴포넌트들에 대한 이온 충돌을 감소 또는 제거하기 위하여 프로세싱 챔버의 다양한 위치들에 배열될 수 있다. 이온 밀도 및 시스 커패시턴스, 및 이들의 로컬 변화들이 챔버 청결도를 모니터링하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 시간에 따른 로컬 이온 밀도의 변화들은 로컬 챔버 표면이 하나 이상의 필름들을 축적했음을 표시할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 공간에 분포된 다수의 정전 척 전압들이 영역적 이온 밀도에 영향을 주는데 사용될 수 있다.
본 명세서에서 개시된 실시형태들과 관련하여 설명된 방법들은 직접 하드웨어에서, 비일시적 유형의 프로세서 판독가능 저장 매체에서 인코딩된 프로세서 실행가능 코드에서, 또는 이 둘의 조합에서 구현될 수도 있다. 예를 들어, 도 13 을 참조하면, 예시적인 실시형태에 따른 소스 생성기 (300), 및 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 의 제어 양태들을 실현하는데 활용될 수도 있는 물리적 컴포넌트들을 도시하는 블록 다이어그램이 도시된다. 도시된 바와 같이, 이 실시형태에서, 디스플레이부 (1312) 및 비휘발성 메모리 (1320) 는 버스 (1322) 에 커플링되고, 버스 (1322) 는 또한, 랜덤 액세스 메모리 ("RAM") (1324), 프로세싱부 (N 개의 프로세싱 컴포넌트들을 포함함) (1326), 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이 (FPGA) (1327), 및 N 개의 트랜시버들을 포함하는 트랜시버 컴포넌트 (1328) 에 커플링된다. 도 13 에 도시된 컴포넌트들은 물리적 컴포넌트들을 나타내지만, 도 13 은 상세화된 하드웨어 다이어그램인 것으로 의도되지 않는다; 따라서, 도 13 에 도시된 컴포넌트들 대부분은 공통 구성들에 의해 실현되거나 또는 추가적인 물리적 컴포넌트들 간에 분포될 수도 있다. 더욱이, 다른 기존의 및 아직 개발되지 않은 물리적 컴포넌트들 및 아키텍처들은 도 13 을 참조하여 설명된 기능적 컴포넌트들을 구현하는데 활용될 수도 있음이 고려된다.
이 디스플레이부 (1312) 는 일반적으로 사용자에게 사용자 인터페이스를 제공하도록 동작하고, 여러 구현들에서, 디스플레이는 터치스크린 디스플레이에 의해 실현된다. 일반적으로, 비휘발성 메모리 (1320) 는 데이터 및 프로세서 실행가능 코드 (본 명세서에서 설명된 방법들을 실시하는 것과 연관되는 실행가능 코드를 포함함) 를 저장 (예를 들어, 지속적으로 저장) 하도록 기능하는 비일시적 메모리이다. 예를 들어 일부 실시형태들에서, 비휘발성 메모리 (1320) 는 도 1 내지 도 12 에 대해 참조하여 설명된 바와 같이, 기판 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 상이한 로컬화된 영역들을 바이어싱하는 방법의 실행을 용이하게 하기 위해 부트로더 코드, 오퍼레이팅 시스템 코드, 파일 시스템 코드, 및 비일시적 프로세서 실행가능 코드를 포함한다. 모니터링 회로부 (1270), 챔버 분석 컴포넌트 (1272) 및 제어 회로부 (1274) 중 하나 이상은 비일시적 프로세서 실행가능 코드에 의해 적어도 부분적으로 실현될 수도 있다.
다수의 구현들에서, 비휘발성 메모리 (1320) 는 플래시 메모리 (예를 들어, NAND 및 ONENAND 메모리) 에 의해 실현되지만, 다른 메모리 타입들도 물론 활용될 수도 있음이 고려된다. 비휘발성 메모리 (1320) 로부터 코드를 실행하는 것이 가능할 수도 있지만, 비휘발성 메모리 내의 실행가능 코드는 통상적으로 RAM (1324) 으로 로딩되고 프로세싱부 (1326) 내의 N 개의 프로세싱 컴포넌트들 중 하나 이상에 의해 실행된다.
RAM (1324) 과 관련된 N 개의 프로세싱 컴포넌트들은 일반적으로, 비휘발성 메모리 (1320) 에 저장된 명령들을 실행하여 본 명세서에서 개시된 알고리즘들 및 기능들의 실행을 가능하게 하도록 동작한다. 여러 알고리즘들이 본 명세서에서 개시되지만, 이들 알고리즘들 중 일부는 플로우차트들에서 표현되지 않음을 인식해야 한다. 도 1 내지 도 12 에 도시되고 이에 대해 설명된 바와 같이 기판 또는 챔버의 상이한 로컬화된 영역들을 바이어싱하는 방법들을 실시하기 위한 프로세서 실행가능 코드는 비휘발성 메모리 (1320) 에 지속적으로 저장되고 RAM (1324) 과 관련된 N 개의 프로세싱 컴포넌트들에 의해 실행될 수도 있다. 당업자가 알 바와 같이, 프로세싱부 (1326) 는 비디오 프로세서, 디지털 신호 프로세서 (DSP), 마이크로 제어기, 그래픽 프로세싱 유닛 (GPU), 또는 다른 하드웨어 프로세싱 컴포넌트들 또는 하드웨어와 소프트웨어 프로세싱 컴포넌트들의 조합들 (예를 들어, FPGA 또는 디지털 로직 프로세싱부들을 포함한 FPGA) 을 포함할 수도 있다.
추가로, 또는 대안으로, 비일시적 FPGA 구성 명령들은 비휘발성 메모리 (1320) 에 지속적으로 저장되고 본 명세서에서 개시된 알고리즘들을 구현하고 제어기 (1260) 또는 RF 소스들 (300) 및 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 의 다른 양태들의 기능들 중 하나 이상을 실시하기 위해 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이 (FPGA) 를 구성하도록 (부트 업 동안) 액세스될 수도 있다.
입력 컴포넌트 (1330) 는 소스 생성기 (300) 와 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 사이의 동기화된 제어 및/또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내의 환경의 하나 이상의 양태들을 나타내는 신호들 (예를 들어, 바이어스 공급기들과 소스 생성기 사이의 전류, 전압, 및 위상 정보 및/또는 동기화 신호) 을 수신하도록 동작한다. 입력 컴포넌트에서 수신된 신호들은 예를 들어, 동기화 신호들, 다양한 생성기들 및 전력 공급 유닛들에 대한 전력 제어 신호들, 또는 사용자 인터페이스로부터의 제어 신호들을 포함할 수도 있다. 출력 컴포넌트는 일반적으로 본 명세서에서 개시된 바와 같이 바이어스 공급기들을 제어하는 동작 양태 (예를 들어, 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 내의 기판 및/또는 다른 컴포넌트들의 로컬화된 바이어싱) 를 실시하기 위한 하나 이상의 아날로그 또는 디지털 신호들 및/또는 RF 소스와 바이어스 공급기들 간의 동기화를 달성하기 위한 신호(들)를 제공하도록 동작한다. 예를 들어, 출력부 (1332) 는 바이어스 공급기들 (402, 602, 702, 1202) 과 소스 생성기 (300) 사이에 동기화 신호를 제공할 수도 있다.
도시된 트랜시버 컴포넌트 (1328) 는 무선 또는 유선 네트워크들을 통해 외부 디바이스들과 통신하기 위해 사용될 수도 있는 N 개의 트랜시버 체인들을 포함한다. N 개의 트랜시버 체인들의 각각은 특정 통신 스킴 (예를 들어, WiFi, 이더넷, Profibus 등) 과 연관된 트랜시버를 나타낼 수도 있다.
당업자가 알 바와 같이, 본 개시의 양태들은 시스템, 방법 또는 컴퓨터 프로그램 제품으로서 구현될 수도 있다. 이에 따라, 본 개시의 양태들은 완전히 하드웨어 실시형태, 완전히 소프트웨어 실시형태 (펌웨어, 상주 소프트웨어, 마이크로 코드 등을 포함함) 또는 소프트웨어 및 하드웨어 양태들을 조합한 실시형태의 형태를 취할 수 있으며, 이들 모두는 일반적으로 본 명세서에서 "회로", "모듈" 또는 "시스템" 으로 지칭될 수도 있다. 더욱이, 본 개시의 양태들은 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드를 수록하고 있는 하나 이상의 컴퓨터 판독가능 매체(들)에 수록된 컴퓨터 프로그램 제품의 형태를 취할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, "A, B 또는 C 중 적어도 하나" 의 기재는 "A, B, C 또는 A, B 및 C 의 임의의 조합 중 어느 하나" 를 의미하도록 의도된다. 개시된 실시형태들의 이전의 설명은 임의의 당업자가 본 개시를 실시 또는 이용할 수 있도록 제공된다. 이들 실시형태들에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 용이하게 명백할 것이며, 본 명세서에서 정의된 일반적인 원리들은 본 개시의 사상 또는 범위로부터 일탈함 없이 다른 실시형태들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 개시는 본 명세서에서 도시된 실시형태들에 한정되도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 개시된 원리들 및 신규한 피처들에 부합하는 최광의 범위를 부여받아야 한다.

Claims (17)

  1. 플라즈마 프로세싱을 위한 시스템으로서,
    플라즈마 프로세싱 챔버로서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버에 플라즈마를 제공하기 위한 소스;
    제 1 전기 평면 및 제 2 전기 평면으로서, 상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배열된, 상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면; 및
    기판을 지지하도록 배치된 척을 포함하는, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버;
    상기 제 1 전기 평면에 커플링된 제 1 바이어스 공급기;
    상기 제 2 전기 평면에 커플링된 제 2 바이어스 공급기; 및
    상기 기판의 에지에 대응하는 상기 제 1 전기 평면 또는 상기 제 2 전기 평면 중 적어도 하나의 전기 평면에 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하도록 상기 제 1 바이어스 공급기 또는 상기 제 2 바이어스 공급기 중 적어도 하나의 바이어스 공급기를 제어하기 위한 제어기를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스는 원격 플라즈마 소스 또는 소스 생성기 중 적어도 하나를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 척은 상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면이 상기 기판에 대한 이온들의 궤적 또는 이온들의 에너지들의 공간 분포 중 적어도 하나에 영향을 주는 상기 플라즈마의 시스의 부분을 변경할 수 있도록 상기 시스와 상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면 사이에 배치되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면 중 하나의 전기 평면의 부분은 상기 기판의 에지에 대한 이온들의 궤적 또는 이온들의 에너지들의 공간 분포 중 적어도 하나에 영향을 주는 상기 시스의 부분을 변경하도록 상기 척의 에지를 따라 배치되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제 1 바이어스 공급기 및 상기 제 2 바이어스 공급기에 의해 인가되는 상기 비대칭 주기적 전압 파형의 적어도 하나의 특성을 측정하기 위한 모니터링 회로부;
    상기 모니터링 회로부로부터 획득된 상기 비대칭 주기적 전압 파형의 측정된 상기 특성에 기초하여 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 환경의 특성을 결정하도록 구성된 챔버 분석 컴포넌트; 및
    상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면에 근접한 상기 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 상기 제 1 바이어스 공급기 및 상기 제 2 바이어스 공급기에 의해 인가된 상기 비대칭 주기적 전압 파형을 조정하기 위한 제어 회로부를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 챔버 분석 컴포넌트는 상기 제 1 전기 평면 및 상기 제 2 전기 평면에 근접한 상기 플라즈마 시스들의 시스 커패시턴스를 계산하도록 구성되고, 상기 제어 회로부는 상기 시스 커패시턴를 조정하기 위해 인가된 상기 비대칭 주기적 전압 파형의 상기 적어도 하나의 특성을 조정하도록 구성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 제 1 바이어스 공급기 또는 상기 제 2 바이어스 공급기 내에 통합되는 통합 제어기 또는 상기 플라즈마 프로세싱 시스템의 다수의 컴포넌트들을 제어하는 시스템 제어기 중 적어도 하나를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 배열된 플라즈마 전극을 포함하고, 상기 플라즈마 전극에 커플링된 소스 생성기를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 소스 생성기는 RF 생성기인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  10. 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하는 단계;
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 복수의 구역들의 각각에 대응하는 복수의 바이어스 공급기들로 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하는 단계;
    상기 기판의 에지에 대응하는 구역에 상기 비대칭 주기적 전압 파형들 중 적어도 하나의 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하는 단계; 및
    플라즈마 시스의 대응하는 부분들을 변경하기 위해 비대칭 주기적 전압 파형들의 하나 이상의 특성들을 조정하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 기판에 근접하여 위치된 복수의 구역들의 각각에 상기 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 에지에 근접한 상기 플라즈마의 밀도를 억제하기 위해 상기 기판의 상기 에지에 대응하는 상기 구역에 상기 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    적어도 하나의 소스 생성기 및 상기 바이어스 공급기들 중 하나의 바이어스 공급기를 공통 전극에 커플링하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 상부 플레이트에 근접한 플라즈마 시스의 대응하는 하나 이상의 부분들을 변경하기 위해 하나 이상의 상부 구역들에 대한 비대칭 주기적 전압 파형들을 조정하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    하나 이상의 상기 구역들에 하나 이상의 상기 바이어스 공급기들에 의해 인가되는 상기 비대칭 주기적 전압 파형의 특성을 측정하는 단계;
    상기 비대칭 주기적 전압 파형의 측정된 상기 특성에 기초하여 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 환경의 특성을 계산하는 단계; 및
    상기 하나 이상의 구역들에 근접한 플라즈마 시스들을 제어하기 위해 적어도 하나의 바이어스 공급기에 의해 인가된 상기 비대칭 주기적 전압 파형을 조정하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  17. 플라즈마 프로세싱을 수행하도록, 프로세서에 의한 실행을 위해, 또는 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이를 구성하기 위해, 저장된 명령들을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 명령들은,
    플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위해 원격 플라즈마 소스 또는 소스 생성기 중 적어도 하나를 제어하고;
    기판의 에지에 대응하는 구역에 비대칭 주기적 전압 파형들 중 적어도 하나의 비대칭 주기적 전압 파형을 인가하도록 복수의 바이어스 공급기들을 제어하고; 그리고
    플라즈마 시스의 대응하는 부분들을 변경하기 위해 비대칭 주기적 전압 파형들의 하나 이상의 특성들을 조정하도록 상기 복수의 바이어스 공급기들 중 하나 이상을 제어하기 위한 명령들을 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US20240079213A9 (en) 2017-11-17 2024-03-07 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization of plasma processing components
KR102803961B1 (ko) 2017-11-17 2025-05-07 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 소스 및 기판 바이어스의 동기화된 펄싱
US12230476B2 (en) 2017-11-17 2025-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Integrated control of a plasma processing system
US11437221B2 (en) 2017-11-17 2022-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial monitoring and control of plasma processing environments
TWI792598B (zh) * 2017-11-17 2023-02-11 新加坡商Aes 全球公司 用於在空間域和時間域上控制基板上的電漿處理之系統和方法，及相關的電腦可讀取媒體
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
KR20250100790A (ko) 2019-01-22 2025-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
JP7603649B2 (ja) 2019-07-12 2024-12-20 エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置
US11158516B2 (en) * 2020-02-07 2021-10-26 Tokyo Electron Limited Plasma processing methods using low frequency bias pulses
US12211907B2 (en) 2020-04-06 2025-01-28 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing platform with in-situ electrical bias and methods thereof
US11335792B2 (en) 2020-04-06 2022-05-17 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system with in-situ electrical bias and methods thereof
US11894240B2 (en) 2020-04-06 2024-02-06 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing systems with in-situ electrical bias
WO2021206684A1 (en) * 2020-04-06 2021-10-14 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system with in-situ electrical bias and methods thereof
US12125674B2 (en) * 2020-05-11 2024-10-22 Advanced Energy Industries, Inc. Surface charge and power feedback and control using a switch mode bias system
NL2026072B1 (en) * 2020-07-15 2022-03-18 Prodrive Tech Bv Voltage waveform generator for plasma assisted processing apparatuses
US11462388B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) * 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
WO2022173626A1 (en) * 2021-02-09 2022-08-18 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial monitoring and control of plasma processing environments
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399183A1 (en) * 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber
US11984306B2 (en) 2021-06-09 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US11942309B2 (en) * 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus
US20240120181A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Tokyo Electron Limited System and Method for Plasma Process Uniformity Control
US20240145215A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage plasma processing apparatus and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017055100A (ja) * 2015-07-13 2017-03-16 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整

Family Cites Families (271)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2548017B1 (fr) 1983-06-16 1986-08-29 Tissot Jean Perfectionnements aux appareils de massage pneumatique
JPS60126832A (ja) 1983-12-14 1985-07-06 Hitachi Ltd ドライエツチング方法および装置
JPS62125626A (ja) 1985-11-27 1987-06-06 Hitachi Ltd ドライエツチング装置
US4693805A (en) 1986-02-14 1987-09-15 Boe Limited Method and apparatus for sputtering a dielectric target or for reactive sputtering
DE3708717A1 (de) 1987-03-18 1988-09-29 Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festkoerperoberflaechen durch teilchenbeschuss
GB2212974B (en) 1987-11-25 1992-02-12 Fuji Electric Co Ltd Plasma processing apparatus
US4963239A (en) 1988-01-29 1990-10-16 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
JPH02141572A (ja) 1988-11-24 1990-05-30 Hitachi Ltd バイアススパツタリング法および装置
KR900013595A (ko) 1989-02-15 1990-09-06 미다 가쓰시게 플라즈마 에칭방법 및 장치
DE69017744T2 (de) 1989-04-27 1995-09-14 Fuji Electric Co Ltd Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas.
US5556501A (en) 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
JPH0833862B2 (ja) 1989-10-23 1996-03-29 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン オブジエクト指向コンピユータ・システム
US5179264A (en) 1989-12-13 1993-01-12 International Business Machines Corporation Solid state microwave powered material and plasma processing systems
JP2775345B2 (ja) 1989-12-15 1998-07-16 キヤノン株式会社 プラズマ処理法及びプラズマ処理装置
US5410691A (en) 1990-05-07 1995-04-25 Next Computer, Inc. Method and apparatus for providing a network configuration database
JP2830978B2 (ja) 1990-09-21 1998-12-02 忠弘 大見 リアクティブイオンエッチング装置及びプラズマプロセス装置
US5057185A (en) 1990-09-27 1991-10-15 Consortium For Surface Processing, Inc. Triode plasma reactor with phase modulated plasma control
JPH04193329A (ja) 1990-11-28 1992-07-13 Hitachi Ltd イオン回収装置
US5604463A (en) 1992-03-16 1997-02-18 Zero Impedance Systems Coupling circuit
KR970005035B1 (ko) 1992-03-31 1997-04-11 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 플라즈마발생방법 및 그 장치
US5427669A (en) 1992-12-30 1995-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Thin film DC plasma processing system
JP3251087B2 (ja) 1993-02-16 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5487785A (en) 1993-03-26 1996-01-30 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
KR100324792B1 (ko) 1993-03-31 2002-06-20 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치
JPH06338476A (ja) * 1993-03-31 1994-12-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
US5517084A (en) 1994-07-26 1996-05-14 The Regents, University Of California Selective ion source
US5891350A (en) 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
US5535906A (en) 1995-01-30 1996-07-16 Advanced Energy Industries, Inc. Multi-phase DC plasma processing system
US5907221A (en) 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
US6794301B2 (en) 1995-10-13 2004-09-21 Mattson Technology, Inc. Pulsed plasma processing of semiconductor substrates
US5983828A (en) 1995-10-13 1999-11-16 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US5767628A (en) 1995-12-20 1998-06-16 International Business Machines Corporation Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel
JP3208079B2 (ja) 1996-02-27 2001-09-10 松下電器産業株式会社 高周波電力印加装置及びプラズマ処理装置
KR970064327A (ko) 1996-02-27 1997-09-12 모리시다 요이치 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
JP4388455B2 (ja) * 1996-03-01 2009-12-24 株式会社日立製作所 プラズマエッチング処理装置
TW335517B (en) 1996-03-01 1998-07-01 Hitachi Ltd Apparatus and method for processing plasma
IL118638A (en) 1996-06-12 2002-02-10 Fruchtman Amnon Beam source
TW403959B (en) 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US6924455B1 (en) 1997-06-26 2005-08-02 Applied Science & Technology, Inc. Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source
JP2929284B2 (ja) 1997-09-10 1999-08-03 株式会社アドテック 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム
US6041734A (en) 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6273022B1 (en) 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
US6164241A (en) 1998-06-30 2000-12-26 Lam Research Corporation Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
US6361645B1 (en) 1998-10-08 2002-03-26 Lam Research Corporation Method and device for compensating wafer bias in a plasma processing chamber
JP2000173982A (ja) 1998-12-01 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6388382B1 (en) 1999-03-09 2002-05-14 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and method
JP4351755B2 (ja) 1999-03-12 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作成方法および薄膜作成装置
US6566272B2 (en) 1999-07-23 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process
DE19937859C2 (de) 1999-08-13 2003-06-18 Huettinger Elektronik Gmbh Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen
KR100338057B1 (ko) 1999-08-26 2002-05-24 황 철 주 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
US6392210B1 (en) 1999-12-31 2002-05-21 Russell F. Jewett Methods and apparatus for RF power process operations with automatic input power control
US6156667A (en) 1999-12-31 2000-12-05 Litmas, Inc. Methods and apparatus for plasma processing
US6326584B1 (en) 1999-12-31 2001-12-04 Litmas, Inc. Methods and apparatus for RF power delivery
US6291938B1 (en) 1999-12-31 2001-09-18 Litmas, Inc. Methods and apparatus for igniting and sustaining inductively coupled plasma
JP4633881B2 (ja) 2000-02-21 2011-02-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
AU2001239906A1 (en) 2000-03-01 2001-09-12 Tokyo Electron Limited Electrically controlled plasma uniformity in a high density plasma source
US6478924B1 (en) 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6894245B2 (en) 2000-03-17 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
JP4334723B2 (ja) 2000-03-21 2009-09-30 新明和工業株式会社 イオンプレーティング成膜装置、及びイオンプレーティング成膜方法。
US6441555B1 (en) 2000-03-31 2002-08-27 Lam Research Corporation Plasma excitation coil
US6507155B1 (en) 2000-04-06 2003-01-14 Applied Materials Inc. Inductively coupled plasma source with controllable power deposition
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US6694915B1 (en) 2000-07-06 2004-02-24 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
US7037813B2 (en) 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6544895B1 (en) 2000-08-17 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Methods for use of pulsed voltage in a plasma reactor
US6485572B1 (en) 2000-08-28 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Use of pulsed grounding source in a plasma reactor
US6875700B2 (en) 2000-08-29 2005-04-05 Board Of Regents, The University Of Texas System Ion-Ion plasma processing with bias modulation synchronized to time-modulated discharges
US6806201B2 (en) 2000-09-29 2004-10-19 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and method using active matching
US6777037B2 (en) 2001-02-21 2004-08-17 Hitachi, Ltd. Plasma processing method and apparatus
US7096819B2 (en) 2001-03-30 2006-08-29 Lam Research Corporation Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density
US6583572B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Lam Research Corporation Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
WO2002097855A1 (en) 2001-05-29 2002-12-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US6920312B1 (en) 2001-05-31 2005-07-19 Lam Research Corporation RF generating system with fast loop control
US6577113B2 (en) * 2001-06-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for measuring substrate biasing during plasma processing of a substrate
US7201936B2 (en) 2001-06-19 2007-04-10 Applied Materials, Inc. Method of feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes
US6913938B2 (en) 2001-06-19 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Feedback control of plasma-enhanced chemical vapor deposition processes
US7698012B2 (en) 2001-06-19 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing
US6714033B1 (en) 2001-07-11 2004-03-30 Lam Research Corporation Probe for direct wafer potential measurements
US6853953B2 (en) 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
US6984198B2 (en) 2001-08-14 2006-01-10 Applied Materials, Inc. Experiment management system, method and medium
US6885453B2 (en) 2001-11-13 2005-04-26 Sick Ag Gas permeable probe for use in an optical analyzer for an exhaust gas stream flowing through a duct or chimney
JP4088499B2 (ja) 2002-08-28 2008-05-21 株式会社ダイヘン インピーダンス整合器の出力端特性解析方法、およびインピーダンス整合器、ならびにインピーダンス整合器の出力端特性解析システム
US7931787B2 (en) * 2002-02-26 2011-04-26 Donald Bennett Hilliard Electron-assisted deposition process and apparatus
JP4175456B2 (ja) 2002-03-26 2008-11-05 株式会社 東北テクノアーチ オンウエハ・モニタリング・システム
DE10214190B4 (de) 2002-03-28 2011-06-30 Minebea Co., Ltd. Stromversorgung mit mehreren parallel geschalteten Schaltnetzteilen
US6703080B2 (en) 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
US6707051B2 (en) 2002-07-10 2004-03-16 Wintek Corporation RF loaded line type capacitive plasma source for broad range of operating gas pressure
US6830650B2 (en) 2002-07-12 2004-12-14 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US20040016402A1 (en) 2002-07-26 2004-01-29 Walther Steven R. Methods and apparatus for monitoring plasma parameters in plasma doping systems
US7504006B2 (en) 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6802366B1 (en) 2002-10-31 2004-10-12 Advanced Energy Industries, Inc. Swage method for cooling pipes
JP4319514B2 (ja) 2002-11-29 2009-08-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ サグ補償機能付き高周波電源を有するプラズマ処理装置
US6822396B2 (en) 2003-01-31 2004-11-23 Advanced Energy Industries, Inc. Transformer ignition circuit for a transformer coupled plasma source
US7468494B2 (en) 2003-01-31 2008-12-23 Advanced Energy Industries Reaction enhancing gas feed for injecting gas into a plasma chamber
US6819096B2 (en) 2003-01-31 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Power measurement mechanism for a transformer coupled plasma source
US6927358B2 (en) 2003-01-31 2005-08-09 Advanced Energy Industries, Inc. Vacuum seal protection in a dielectric break
US6724148B1 (en) 2003-01-31 2004-04-20 Advanced Energy Industries, Inc. Mechanism for minimizing ion bombardment energy in a plasma chamber
CN100418187C (zh) * 2003-02-07 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
US6781317B1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Applied Science And Technology, Inc. Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system
DE10317208A1 (de) 2003-04-15 2004-11-04 Robert Bosch Gmbh Plasmadepositionsverfahren
US7976673B2 (en) * 2003-05-06 2011-07-12 Lam Research Corporation RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor
US7247218B2 (en) * 2003-05-16 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power
WO2004114461A2 (en) 2003-06-19 2004-12-29 Plasma Control Systems Llc Plasma production device and method and rf driver circuit with adjustable duty cycle
US6967305B2 (en) 2003-08-18 2005-11-22 Mks Instruments, Inc. Control of plasma transitions in sputter processing systems
US7615132B2 (en) 2003-10-17 2009-11-10 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus having high frequency power source with sag compensation function and plasma processing method
US7838430B2 (en) 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
JP4411282B2 (ja) 2003-11-27 2010-02-10 株式会社ダイヘン 高周波電力供給システム
US7464662B2 (en) 2004-01-28 2008-12-16 Tokyo Electron Limited Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources
US20050260354A1 (en) 2004-05-20 2005-11-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems
US7169256B2 (en) 2004-05-28 2007-01-30 Lam Research Corporation Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies
EP2477207A3 (en) 2004-09-24 2014-09-03 Zond, Inc. Apparatus for generating high-current electrical discharges
US7666464B2 (en) 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
JP4111186B2 (ja) 2004-11-18 2008-07-02 日新電機株式会社 イオン照射装置
US20060130971A1 (en) 2004-12-21 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for generating plasma by RF power
JP4468194B2 (ja) * 2005-01-28 2010-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP4739793B2 (ja) 2005-03-31 2011-08-03 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
TWI298909B (en) 2005-04-12 2008-07-11 Nat Univ Tsing Hua An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof
US7528386B2 (en) 2005-04-21 2009-05-05 Board Of Trustees Of University Of Illinois Submicron particle removal
CN100362619C (zh) 2005-08-05 2008-01-16 中微半导体设备(上海)有限公司 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法
KR20080072642A (ko) 2005-10-31 2008-08-06 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 고주파 전력 전달 시스템
US7764140B2 (en) 2005-10-31 2010-07-27 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US20080179948A1 (en) 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
JP2007336148A (ja) 2006-06-14 2007-12-27 Daihen Corp 電気特性調整装置
US8012306B2 (en) 2006-02-15 2011-09-06 Lam Research Corporation Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources
US7713430B2 (en) 2006-02-23 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Using positive DC offset of bias RF to neutralize charge build-up of etch features
US7811939B2 (en) 2006-03-27 2010-10-12 Tokyo Electron Limited Plasma etching method
EP1845755A3 (en) 2006-04-10 2014-04-02 EMD Technologies, Inc. Illumination systems
US20070246163A1 (en) 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources
US7645357B2 (en) 2006-04-24 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency
JP2007311182A (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7829468B2 (en) 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
DE102006034755A1 (de) 2006-07-24 2008-01-31 Carl Zeiss Smt Ag Optische Vorrichtung sowie Verfahren zur Korrektur bzw. Verbesserung des Abbildungsverhaltens einer optischen Vorrichtung
TWI464282B (zh) 2006-12-12 2014-12-11 Oerlikon Advanced Technologies Ag 具有高能脈衝磁管噴濺之射頻基板偏壓
JP2008157906A (ja) 2006-12-25 2008-07-10 Adtec Plasma Technology Co Ltd 出力インピーダンス検出方法およびこの方法を用いたインピーダンスのセンサー、高周波電源につながる負荷側の電力モニターならびに高周波電源の制御装置
US7884025B2 (en) * 2007-01-30 2011-02-08 Applied Materials, Inc. Plasma process uniformity across a wafer by apportioning ground return path impedances among plural VHF sources
DE502007006093D1 (de) 2007-03-08 2011-02-10 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses
US7867409B2 (en) 2007-03-29 2011-01-11 Tokyo Electron Limited Control of ion angular distribution function at wafer surface
US8181490B2 (en) 2007-04-25 2012-05-22 Seamless Technologies. LLC Vacuum sealed paint roller cover package and method of making the same
US9123509B2 (en) 2007-06-29 2015-09-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for plasma processing a substrate
US7737702B2 (en) 2007-08-15 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer level arc detection at an electrostatic chuck electrode
WO2009023135A1 (en) 2007-08-15 2009-02-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer level arc detection at an rf bias impedance match to the pedestal electrode
JP5165968B2 (ja) 2007-08-27 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ粒子シミュレーション方法、記憶媒体、プラズマ粒子シミュレータ、及びプラズマ処理装置
JP4607930B2 (ja) 2007-09-14 2011-01-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8140292B2 (en) 2007-09-18 2012-03-20 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and system for controlling a voltage waveform
ES2688300T3 (es) 2007-11-06 2018-10-31 Creo Medical Limited Aplicador para esterilización por plasma mediante microondas
US20090200494A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for cold implantation of carbon-containing species
JP5231038B2 (ja) 2008-02-18 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびに記憶媒体
DE602008005858D1 (de) 2008-03-20 2011-05-12 Univ Ruhr Bochum Verfahren zur Steuerung der Ionenenergie in Radiofrequenzplasmen
JP5319150B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US7777179B2 (en) 2008-03-31 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Two-grid ion energy analyzer and methods of manufacturing and operating
WO2009140371A2 (en) 2008-05-14 2009-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for pulsed plasma processing using a time resolved tuning scheme for rf power delivery
JP5124344B2 (ja) 2008-05-26 2013-01-23 株式会社アルバック バイポーラパルス電源及び複数のバイポーラパルス電源からなる電源装置並びに出力方法
US8002945B2 (en) 2008-05-29 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Method of plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator
US8357264B2 (en) 2008-05-29 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of a source power or bias power RF generator
JP2011521735A (ja) 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマを発生させるためのシステム、方法、および装置
JP5372419B2 (ja) 2008-06-25 2013-12-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5274918B2 (ja) * 2008-07-07 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のチャンバー内部材の温度制御方法、チャンバー内部材及び基板載置台、並びにそれを備えたプラズマ処理装置
US20100018648A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
KR101216790B1 (ko) 2008-07-31 2012-12-28 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법
US8103492B2 (en) 2008-09-05 2012-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma fluid modeling with transient to stochastic transformation
JP5295833B2 (ja) 2008-09-24 2013-09-18 株式会社東芝 基板処理装置および基板処理方法
US9887069B2 (en) 2008-12-19 2018-02-06 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems
JP5221403B2 (ja) 2009-01-26 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
US8319436B2 (en) 2009-02-02 2012-11-27 Advanced Energy Industries, Inc. Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source
US8040068B2 (en) 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
JP5371466B2 (ja) * 2009-02-12 2013-12-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
US8363378B2 (en) 2009-02-17 2013-01-29 Intevac, Inc. Method for optimized removal of wafer from electrostatic chuck
JP5395491B2 (ja) 2009-03-31 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20120004502A (ko) 2009-04-03 2012-01-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 ｒｆ-ｄｃ 스퍼터링과 이 프로세스의 단차 도포성 및 막 균일성을 개선하기 위한 방법
US8475673B2 (en) 2009-04-24 2013-07-02 Lam Research Company Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch
US8674606B2 (en) 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
US9435029B2 (en) 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US8271121B2 (en) * 2009-06-30 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods and arrangements for in-situ process monitoring and control for plasma processing tools
CN201465987U (zh) 2009-07-03 2010-05-12 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
JP5496568B2 (ja) * 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8404598B2 (en) 2009-08-07 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching
US20110065161A1 (en) 2009-09-14 2011-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Bipolar solid state marx generator
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
CN101835334B (zh) 2010-01-19 2013-01-30 大连理工大学 一种交叉场放电共振耦合的控制方法
JP2011211168A (ja) 2010-03-09 2011-10-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US20110226617A1 (en) 2010-03-22 2011-09-22 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition using a remote plasma source
US8795488B2 (en) 2010-03-31 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for physical vapor deposition having centrally fed RF energy
EP2552876A1 (en) * 2010-04-02 2013-02-06 Solvay Sa Process for dehydrofluorinating hydrochlorofluoroalkanes and products obtained thereby
JP5623115B2 (ja) 2010-04-09 2014-11-12 キヤノン株式会社 プラズマ放電用電源装置、およびプラズマ放電処理方法
JP2011228436A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
EP2407998B1 (en) * 2010-07-15 2019-02-13 Ecole Polytechnique Plasma processing in a capacitively-coupled reactor with trapezoidal-waveform excitation
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
KR20120022251A (ko) 2010-09-01 2012-03-12 삼성전자주식회사 플라즈마 식각방법 및 그의 장치
JP2012104382A (ja) 2010-11-10 2012-05-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法
US20120164834A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 Kevin Jennings Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates
WO2012094416A1 (en) 2011-01-04 2012-07-12 Advanced Energy Industries, Inc. System level power delivery to a plasma processing load
US8698107B2 (en) 2011-01-10 2014-04-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique and apparatus for monitoring ion mass, energy, and angle in processing systems
US8723423B2 (en) 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
US8801950B2 (en) 2011-03-07 2014-08-12 Novellus Systems, Inc. Reduction of a process volume of a processing chamber using a nested dynamic inert volume
JP6203476B2 (ja) * 2011-03-08 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置
JP5718124B2 (ja) 2011-03-30 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8900402B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
US9177756B2 (en) 2011-04-11 2015-11-03 Lam Research Corporation E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing
US20130006555A1 (en) 2011-06-30 2013-01-03 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for measuring the power of a power generator while operating in variable frequency mode and/or while operating in pulsing mode
US10225919B2 (en) 2011-06-30 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Projected plasma source
US8735291B2 (en) 2011-08-25 2014-05-27 Tokyo Electron Limited Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power
US9604877B2 (en) 2011-09-02 2017-03-28 Guardian Industries Corp. Method of strengthening glass using plasma torches and/or arc jets, and articles made according to the same
US20130098871A1 (en) 2011-10-19 2013-04-25 Fei Company Internal Split Faraday Shield for an Inductively Coupled Plasma Source
US20130122711A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Alexei Marakhtanov System, method and apparatus for plasma sheath voltage control
US9396908B2 (en) * 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
JP5977509B2 (ja) 2011-12-09 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9390893B2 (en) 2012-02-22 2016-07-12 Lam Research Corporation Sub-pulsing during a state
US9114666B2 (en) 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US9283635B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Lincoln Global, Inc. Synchronized hybrid gas metal arc welding with TIG/plasma welding
US9230779B2 (en) * 2012-03-19 2016-01-05 Lam Research Corporation Methods and apparatus for correcting for non-uniformity in a plasma processing system
KR101860182B1 (ko) 2012-08-28 2018-05-21 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 스위칭 모드 이온 에너지 분포 시스템을 제어하기 위한 방법
KR102085496B1 (ko) 2012-08-28 2020-03-05 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널
US9685297B2 (en) * 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9210790B2 (en) 2012-08-28 2015-12-08 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system
CN104782233B (zh) * 2012-08-28 2018-12-25 先进能源工业公司 控制开关模式离子能量分布系统的方法
US9129776B2 (en) 2012-11-01 2015-09-08 Advanced Energy Industries, Inc. Differing boost voltages applied to two or more anodeless electrodes for plasma processing
JP6002556B2 (ja) 2012-11-27 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9043525B2 (en) 2012-12-14 2015-05-26 Lam Research Corporation Optimizing a rate of transfer of data between an RF generator and a host system within a plasma tool
US9312106B2 (en) 2013-03-13 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Digital phase controller for two-phase operation of a plasma reactor
US9790282B2 (en) 2013-03-25 2017-10-17 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Anti-CD276 polypeptides, proteins, and chimeric antigen receptors
JP6035606B2 (ja) 2013-04-09 2016-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US9053908B2 (en) 2013-09-19 2015-06-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching
US9697993B2 (en) * 2013-11-06 2017-07-04 Tokyo Electron Limited Non-ambipolar plasma ehncanced DC/VHF phasor
KR102133895B1 (ko) 2013-11-06 2020-07-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｄｃ 바이어스 변조에 의한 입자 발생 억제기
JP2015115564A (ja) 2013-12-16 2015-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2015095147A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-25 Tokyo Electron Limited System and method for controlling plasma density
JP6231399B2 (ja) 2014-02-17 2017-11-15 キヤノンアネルバ株式会社 処理装置
KR102222902B1 (ko) 2014-05-12 2021-03-05 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10047438B2 (en) 2014-06-10 2018-08-14 Lam Research Corporation Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
US9520267B2 (en) 2014-06-20 2016-12-13 Applied Mateirals, Inc. Bias voltage frequency controlled angular ion distribution in plasma processing
US9659751B2 (en) 2014-07-25 2017-05-23 Applied Materials, Inc. System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors
KR20160022458A (ko) 2014-08-19 2016-03-02 삼성전자주식회사 플라즈마 장비 및 이의 동작 방법
JP6315809B2 (ja) 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6512962B2 (ja) 2014-09-17 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10115567B2 (en) 2014-09-17 2018-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR101677748B1 (ko) 2014-10-29 2016-11-29 삼성전자 주식회사 펄스 플라즈마 장치 및 펄스 플라즈마 장치 구동 방법
KR101700391B1 (ko) 2014-11-04 2017-02-13 삼성전자주식회사 펄스 플라즈마의 고속 광학적 진단 시스템
US9536749B2 (en) 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
JP6396822B2 (ja) 2015-02-16 2018-09-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法
US9595424B2 (en) 2015-03-02 2017-03-14 Lam Research Corporation Impedance matching circuit for operation with a kilohertz RF generator and a megahertz RF generator to control plasma processes
JP6539113B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10854492B2 (en) 2015-08-18 2020-12-01 Lam Research Corporation Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer
US9788405B2 (en) 2015-10-03 2017-10-10 Applied Materials, Inc. RF power delivery with approximated saw tooth wave pulsing
JP6541540B2 (ja) 2015-10-06 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法
US9761414B2 (en) 2015-10-08 2017-09-12 Lam Research Corporation Uniformity control circuit for use within an impedance matching circuit
US9754767B2 (en) 2015-10-13 2017-09-05 Applied Materials, Inc. RF pulse reflection reduction for processing substrates
CN106920729B (zh) 2015-12-28 2019-05-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法
KR102124407B1 (ko) 2016-01-18 2020-06-18 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치
US10665433B2 (en) 2016-09-19 2020-05-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Extreme edge uniformity control
US9872373B1 (en) 2016-10-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Smart multi-level RF pulsing methods
US10373804B2 (en) 2017-02-03 2019-08-06 Applied Materials, Inc. System for tunable workpiece biasing in a plasma reactor
US10396601B2 (en) 2017-05-25 2019-08-27 Mks Instruments, Inc. Piecewise RF power systems and methods for supplying pre-distorted RF bias voltage signals to an electrode in a processing chamber
US10395894B2 (en) 2017-08-31 2019-08-27 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving peak ion energy enhancement with a low angular spread
US12230476B2 (en) 2017-11-17 2025-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Integrated control of a plasma processing system
US20240079213A9 (en) 2017-11-17 2024-03-07 Advanced Energy Industries, Inc. Synchronization of plasma processing components
TWI792598B (zh) * 2017-11-17 2023-02-11 新加坡商Aes 全球公司 用於在空間域和時間域上控制基板上的電漿處理之系統和方法，及相關的電腦可讀取媒體
KR102803961B1 (ko) 2017-11-17 2025-05-07 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 소스 및 기판 바이어스의 동기화된 펄싱
JP2021503702A (ja) 2017-11-17 2021-02-12 エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド プラズマ処理システムにおける変調供給源の改良された印加
US11437221B2 (en) 2017-11-17 2022-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial monitoring and control of plasma processing environments
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP7603649B2 (ja) 2019-07-12 2024-12-20 エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置
US12125674B2 (en) 2020-05-11 2024-10-22 Advanced Energy Industries, Inc. Surface charge and power feedback and control using a switch mode bias system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017055100A (ja) * 2015-07-13 2017-03-16 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ エッジに限局されたイオン軌道制御及びプラズマ動作を通じた、最端エッジにおけるシース及びウエハのプロフィール調整

Also Published As

Publication number Publication date
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CN111788655A (zh) 2020-10-16
TW202329762A (zh) 2023-07-16
EP4376061A3 (en) 2024-08-21
US20250166970A1 (en) 2025-05-22
TWI744566B (zh) 2021-11-01
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EP3711081B1 (en) 2024-06-19
US20220285131A1 (en) 2022-09-08
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