[go: up one dir, main page]

KR102758804B1 - 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102758804B1
KR102758804B1 KR1020160143897A KR20160143897A KR102758804B1 KR 102758804 B1 KR102758804 B1 KR 102758804B1 KR 1020160143897 A KR1020160143897 A KR 1020160143897A KR 20160143897 A KR20160143897 A KR 20160143897A KR 102758804 B1 KR102758804 B1 KR 102758804B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
emitting
display device
insulating film
overcoat layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160143897A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180047585A (ko
Inventor
심성빈
최호원
도의두
지문배
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160143897A priority Critical patent/KR102758804B1/ko
Priority to US15/791,273 priority patent/US10367039B2/en
Priority to JP2017205950A priority patent/JP6837410B2/ja
Priority to CN201711007226.4A priority patent/CN108010936B/zh
Priority to EP17199471.8A priority patent/EP3316312B1/en
Publication of KR20180047585A publication Critical patent/KR20180047585A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102758804B1 publication Critical patent/KR102758804B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • H10K50/156Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • H10K50/166Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것으로, 서로 다른 색을 구현하고, 인접하게 위치하는 발광 영역들 상에 위치하는 발광 구조물들이 하부 기판을 기준으로 다른 높이를 갖도록 하여, 인접한 발광 영역들 사이에 위치하는 비발광 영역의 크기를 감소한다.

Description

발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치{Display device having emitting areas}
본 발명은 서로 다른 색을 구현하는 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라 등과 같은 전자 기기는 영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치를 포함한다.
상기 디스플레이 장치는 서로 다른 색을 구현하는 발광 영역들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 청색을 구현하는 청색 발광 영역, 적색을 구현하는 적색 발광 영역, 녹색을 구현하는 녹색 발광 영역 및 백색을 구현하는 백색 발광 영역을 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 장치의 각 발광 영역 상에는 특정 색을 구현하는 빛을 생성하는 발광 구조물이 위치할 수 있다. 예를 들어, 각각의 발광 구조물은 순서대로 적층된 하부 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함할 수 있다. 인접하게 위치하는 발광 구조물들은 독립적으로 구동될 수 있다. 예를 들어, 각각의 발광 구조물의 하부 전극은 인접하게 위치하는 발광 구조물들의 하부 전극과 이격 및 절연될 수 있다.
상기 디스플레이 장치에서 인접한 발광 영역들 사이의 거리는 해상도와 반비례할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 인접한 발광 영역들 사이에 위치하는 비발광 영역의 크기 및 면적을 감소하여 고해상도를 구현할 수 있다. 그러나, 인접한 발광 구조물들의 하부 전극들 사이를 충분히 절연하기 위해서는 인접한 발광 영역들 사이가 일정 이상의 수평 거리를 유지하여야 한다. 따라서 상기 디스플레이 장치는 해상도를 높이기 위하여, 비발광 영역의 크기 및 면적을 감소하는 데 한계가 있다는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 인접한 발광 구조물들의 최소 절연 거리보다 비발광 영역의 크기 및 면적을 감소할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 인접한 발광 구조물들이 짧은 수평 거리에도 충분히 절연될 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판의 제 1 발광 영역 상에 위치하는 제 1 발광 구조물 및 하부 기판의 제 1 발광 영역과 다른 색을 구현하는 제 2 발광 영역 상에 위치하는 제 2 발광 구조물을 포함한다. 하부 기판과 제 2 발광 구조물 사이의 수직 거리는 하부 기판과 제 1 발광 구조물 사이의 수직 거리보다 크다.
제 2 발광 구조물의 수직 길이는 제 1 발광 구조물의 수직 길이와 동일할 수 있다.
상기 하부 기판의 상기 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 발광 영역과 다른 색을 구현하는 제 3 발광 영역 상에는 제 3 발광 구조물이 위치할 수 있다. 하부 기판과 제 3 발광 구조물 사이의 수직 거리는 하부 기판과 제 1 발광 구조물 사이의 수직 거리와 동일할 수 있다.
제 2 발광 영역은 제 1 발광 영역과 제 3 발광 영역 사이에 위치할 수 있다.
상기 하부 기판과 상기 제 1 발광 구조물 사이에는 하부 절연막이 위치할 수 있다. 하부 절연막은 하부 기판과 제 2 발광 구조물 사이로 연장할 수 있다. 하부 절연막과 제 2 발광 구조물 사이에는 상부 절연막이 위치할 수 있다.
상부 절연막은 하부 절연막과 다른 물질을 포함할 수 있다.
하부 절연막은 제 1 발광 구조물의 하부 전극이 연장하는 제 1 하부 컨택홀 및 제 2 발광 구조물의 하부 전극이 연장하는 제 2 하부 컨택홀을 포함할 수 있다. 제 2 하부 컨택홀의 크기는 제 1 하부 컨택홀의 크기보다 클 수 있다.
상부 절연막은 제 1 발광 구조물의 하부 전극의 가장 자리를 덮을 수 있다.
상부 절연막은 제 2 하부 컨택홀의 내측으로 연장할 수 있다.
상부 절연막은 제 2 발광 구조물의 하부 전극으로 채워지는 상부 컨택홀을 포함할 수 있다. 상부 컨택홀은 제 2 하부 컨택홀의 내측으로 연장할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판 상에 위치하는 하부 오버 코트층을 포함한다. 하부 오버 코트층 상에는 제 1 발광 구조물들이 위치한다. 제 1 발광 구조물들은 서로 이격된다. 제 1 발광 구조물들 사이에는 상부 오버 코트층이 위치한다. 상부 오버 코트층 상에는 제 2 발광 구조물들이 위치한다.
상부 오버 코트층은 하부 오버 코트층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상부 오버 코트층의 측면은 역 테이퍼를 가질 수 있다.
각각의 제 1 발광 구조물은 제 1 하부 전극, 제 1 발광층 및 제 1 상부 전극을 포함할 수 있다. 각각의 제 2 발광 구조물은 제 2 하부 전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부 전극을 포함할 수 있다. 제 2 하부 전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부 전극은 각각 제 1 하부 전극, 제 1 발광층 및 제 1 상부 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제 2 하부 전극 및 제 2 발광층은 각각 제 1 하부 전극 및 제 1 발광층과 이격될 수 있다.
제 1 발광 구조물과 중첩하는 제 1 관통홀이 하부 오버 코트층을 관통할 수 있다. 제 2 발광 구조물과 중첩하는 제 2 관통홀이 하부 오버 코트층 및 상부 오버 코트층을 관통할 수 있다. 제 1 관통홀의 측면 및 제 2 관통홀의 측면은 역 테이퍼를 가질 수 있다.
제 1 관통홀 내에는 제 1 중간 절연막이 위치할 수 있다. 제 1 중간 절연막은 제 1 컨택홀을 포함할 수 있다. 제 2 관통홀 내에는 제 2 중간 절연막이 위치할 수 있다. 제 2 중간 절연막은 제 2 컨택홀을 포함할 수 있다. 제 1 컨택홀의 측면 및 제 2 컨택홀의 측면은 정 테이퍼를 가질 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 인접한 발광 구조물들이 최소 절연 거리보다 짧은 수평 거리에서도 충분히 절연될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 비발광 영역의 크기 및 면적이 발광 구조물들 사이의 최소 절연 거리보다 작게 감소될 수 있다. 따라서 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 해상도가 크게 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 내지 4는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다
도 5a 내지 5c는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(110), 오버 코트층(130), 박막 트랜지스터들(200), 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W) 및 뱅크 절연막(350)을 포함할 수 있다.
상기 하부 기판(110)은 상기 박막 트랜지스터들(200) 및 상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)을 지지할 수 있다. 상기 하부 기판(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(110)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 하부 기판(110)은 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 및 비발광 영역들(NEA)을 포함할 수 있다. 상기 비발광 영역들(NEA)은 상기 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 사이에 위치할 수 있다. 상기 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)은 상기 비발광 영역들(NEA)에 의해 분리될 수 있다.
상기 하부 기판(1100은 서로 다른 색을 구현하는 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(110)은 청색을 구현하는 청색 발광 영역(BEA), 적색을 구현하는 적색 발광 영역(REA), 녹색을 구현하는 녹색 발광 영역(GEA) 및 백색을 구현하는 백색 발광 영역(WEA)을 포함할 수 있다. 상기 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)은 동일한 수평 길이를 가질 수 있다.
상기 박막 트랜지스터들(200)은 상기 하부 기판(110) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 각각의 박막 트랜지스터들(200)은 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 상기 하부 기판(110)에 가까이 위치할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO와 같은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 채널 영역의 전도율(conductivity)은 상기 소스 영역의 전도율 및 상기 드레인 영역의 전도율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 도전형 불순물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 박막 트랜지스터(200)의 반도체 패턴(210)이 하부 기판(110)과 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 하부 기판(110)과 박막 트랜지스터들(200) 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 각 박막 트랜지스터(200)의 게이트 절연막(220)은 서로 연결될 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물 또는 티타늄 산화물을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(240)은 상기 게이트 절연막(220) 및 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 층간 절연막(240)에 의해 완전히 덮일 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 각 박막 트랜지스터(200)의 층간 절연막(240)은 서로 연결될 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220) 및 상기 층간 절연막(240)은 각 박막 트랜지스터(200)의 반도체 패턴(210)의 소스 영역을 노출하는 컨택홀들 및 드레인 영역을 노출하는 컨택홀들을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다.
상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 소스 전극(250) 및 상기 드레인 전극(260)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 박막 트랜지스터(200)의 반도체 패턴(210)이 하부 기판(110)과 게이트 전극(230) 사이에 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 각 박막 트랜지스터(200)가 하부 기판(110)과 반도체 패턴(210) 사이에 위치하는 게이트 전극(230)을 포함할 수 있다.
상기 오버 코트층(130)은 상기 박막 트랜지스터들(200) 상에 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 박막 트랜지스터들(200)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터들(200)이 오버 코트층(130)과 직접 접촉하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 박막 트랜지스터들(200)과 오버 코트층(130) 사이에 위치하는 하부 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막은 상기 오버 코트층(130)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막은 다중층 구조일 수 있다.
상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)은 각각 특정 색을 구현하는 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)은 순서대로 적층된 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W), 발광층(320) 및 상부 전극(330)을 포함할 수 있다.
각 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)은 상기 하부 기판(110)의 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 중 하나와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)은 상기 청색 발광 영역(BEA)과 중첩하는 청색 발광 구조물(300B), 상기 적색 발광 영역(REA)과 중첩하는 적색 발광 구조물(300R), 상기 녹색 발광 영역(GEA)과 중첩하는 녹색 발광 구조물(300G) 및 상기 백색 발광 영역(WEA)과 중첩하는 백색 발광 영역(300W)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)은 상기 박막 트랜지스터들(200)에 의해 선택적으로 구동될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)은 상기 박막 트랜지스터들(200) 중 하나의 드레인 전극(260)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)은 상기 오버 코트층(130) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 각 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)이 연장하는 컨택홀들(131h, 132h)을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)은 ITO 및 IZO 등과 같은 투명 도전성 물질을 포함하는 투명 전극들 사이에 반사율이 높은 물질을 포함하는 반사 전극이 위치하는 구조일 수 있다.
상기 발광층(320)은 해당 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)과 상부 전극(330) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emitting Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 물질, 무기 물질 또는 하이브리드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 유기 물질의 발광층(320)을 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
상기 발광층(320)은 발광 효율을 높이기 위하여 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 동일한 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 발광층(320)은 인접한 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상으로 연장할 수 있다. 인접한 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 발광층들(320)은 서로 연결될 수 있다.
상기 상부 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 전극(330)은 상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)과 다른 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 전극(330)은 ITO 및 IZO 등과 같은 투명한 물질을 포함하는 투명 전극일 수 있다. 상기 발광층(320)에 의해 생성된 빛은 상기 상부 전극(330) 방향으로 방출될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광층(320)에 의한 빛이 상부 전극(330)을 통과하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광층(320)에 의한 빛이 하부 기판(110)의 외측 방향으로 진행할 수 있다. 또는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광층(320)에 의해 생성된 빛이 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W) 및 상부 전극(330)을 모두 통과할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 배면 발광 방식 또는 양면 발광 방식일 수 있다.
상기 상부 전극(330)은 상기 발광층(320)을 따라 연장할 수 있다. 예를 들어, 각 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 상부 전극(330)은 인접한 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상으로 연장할 수 있다. 상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)은 연결된 상부 전극(330)을 포함할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350)은 상기 오버 코트층(130) 상에 위치할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 하부 기판(110)의 상기 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 중 일부 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 하부 기판(110)의 인접한 두 개의 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 중 하나의 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 하부 기판(110)의 나란히 위치하는 청색 발광 영역(BEA), 적색 발광 영역(REA), 녹색 발광 영역(GEA) 및 백색 발광 영역(WEA) 중 상기 적색 발광 영역(REA) 및 상기 백색 발광 영역(WEA) 상에 위치할 수 있다
상기 뱅크 절연막(350)은 상기 오버 코트층(130)과 해당 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 발광 구조물(300R) 및 상기 백색 발광 구조물(300W)은 상기 뱅크 절연막(350) 상에 위치할 수 있다. 상기 하부 기판(110)과 상기 적색 발광 구조물(300R) 또는 상기 백색 발광 구조물(300W) 사이의 수직 거리는 상기 하부 기판(110)과 상기 청색 발광 구조물(300B) 또는 상기 녹색 발광 구조물(300G) 사이의 수직 거리보다 클 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W) 중 하나가 뱅크 절연막(350) 상에 위치할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 다른 높이를 가질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W) 사이가 짧은 수평 거리에서도 충분히 절연될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 사이에 위치하는 비발광 영역(NEA)의 수평 길이를 감소할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(350)은 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(poly-imide) 및 포토 아크릴(photo acryl) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 오버 코트층(130)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350)은 해당 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA)에 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 위치하는 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 청색 발광 구조물(300B)의 하부 전극(310B) 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 하부 전극(310G)의 가장 자리를 덮을 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350) 상에 위치하는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)은 상기 뱅크 절연막(350) 사이에 위치하는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)과 다른 공정으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 발광 구조물(300R)의 하부 전극 및 상기 백색 발광 구조물(300W)의 하부 전극을 형성하는 공정은 상기 청색 발광 구조물(300B)의 하부 전극 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 하부 전극을 형성하는 공정과 독립적으로 수행될 수 있다. 상기 적색 발광 구조물(300R)의 하부 전극 및 상기 백색 발광 구조물(300W)의 하부 전극은 상기 청색 발광 구조물(300B)의 하부 전극 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 하부 전극과 다른 형태를 가질 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350) 상에 위치하는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성하는 공정은 상기 뱅크 절연막(350) 사이에 위치하는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성하는 공정과 동일한 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 발광 구조물(300R)의 하부 전극 및 상기 백색 발광 구조물(300W)의 하부 전극은 상기 청색 발광 구조물(300B)의 하부 전극 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 하부 전극과 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 적색 발광 구조물(300R)의 수직 길이 및 상기 백색 발광 구조물(300W)의 수직 길이는 상기 청색 발광 구조물(300B)의 수직 길이 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 수직 길이와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 발광 구조물(300R)의 하부 전극 및 상기 백색 발광 구조물(300W)의 하부 전극은 상기 청색 발광 구조물(300B)의 하부 전극 및 상기 녹색 발광 구조물(300G)의 하부 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 뱅크 절연막(350)은 해당 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)이 연장하는 뱅크 컨택홀(350h)을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 컨택홀(350h)은 상기 오버 코트층(130)을 관통할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 상기 뱅크 절연막(350)이 형성되지 않은 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 위치하는 제 1 오버 컨택홀(131h) 및 상기 뱅크 절연막(350)이 형성된 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 위치하는 제 2 오버 컨택홀(132h)을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 컨택홀(350h)은 상기 제 2 오버 컨택홀(132h)와 정렬될 수 있다.
상기 뱅크 컨택홀(350h)은 상기 제 2 오버 컨택홀(132h) 내로 연장할 수 있다. 상기 뱅크 컨택홀(350h)의 하단부는 상기 제 2 오버 컨택홀(132h) 내에 위치할 수 있다. 상기 뱅크 컨택홀(350h)의 크기는 상기 제 1 오버 컨택홀(131h)의 크기와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 오버 컨택홀(132h)의 크기는 상기 제 1 오버 컨택홀(131h)의 크기보다 클 수 있다. 상기 뱅크 절연막(350)은 상기 오버 코트층(130)의 상기 제 2 오버 컨택홀(132h)의 측면 상으로 연장할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W) 상에 위치하는 소자 보호막(400)을 더 포함할 수 있다. 상기 소자 보호막(400)은 외부 충격 및 수분으로부터 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)을 보호할 수 있다. 상기 소자 보호막(400)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 보호막(400)은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 소자 보호막(400)은 다중층 구조일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 소자 보호막(400) 상에 위치하는 상부 기판(500)을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 상기 하부 기판(110)과 대향할 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 기판(500)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 상부 기판(500) 상에는 블랙 매트릭스(610) 및 컬러 필터들(620B, 620R, 620G)이 위치할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(610)는 상기 하부 기판(110)의 상기 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620B, 620R, 620G)은 상기 블랙 매트릭스(610) 사이에 위치할 수 있다. 상기 컬러 필터들(620B, 620R, 620G)은 상기 하부 기판(110)의 상기 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터들(620B, 620R, 620G)은 상기 청색 발광 영역(BEA)과 중첩하는 청색 컬러 필터(620B), 상기 적색 발광 영역(REA)과 중첩하는 적색 컬러 필터(620R) 및 상기 녹색 발광 영역(GEA)과 중첩하는 녹색 컬러 필터(620G)를 포함할 수 있다. 상기 하부 기판(110)의 상기 백색 발광 영역(WEA)과 중첩하는 상기 상부 기판(500)의 표면 상에는 컬러 필터(620B, 620R, 620G)가 위치하지 않을 수 있다. 상기 상부 기판(500)은 접착층(700)에 의해 상기 하부 기판(110)과 합착될 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 하부 기판(110)으로부터 다른 수직 길이를 가져, 상기 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 짧은 수평 거리에서도 충분히 절연될 수 있으므로, 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 사이에 위치하는 비발광 영역(NEA)의 수평 길이가 감소될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130) 상에 위치하는 뱅크 절연막(350)에 의해 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 위치가 달라지는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)을 이용하여 인접한 두 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 다른 위치를 갖도록 할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)이 하부 오버 코트층(131) 및 상기 하부 오버 코트층(131)으로부터 돌출되는 상부 오버 코트층들(132)을 포함할 수 있다. 상기 상부 오버 코트층들(132)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서 상기 하부 오버 코트층(131) 및 상기 상부 오버 코트층들(132)을 포함하는 오버 코트층(130)은 박막 트랜지스터들(120)을 덮는 유기 절연막을 부분적으로 식각하여 형성될 수 있다. 상기 상부 오버 코트층(132)은 상기 하부 오버 코트층(131)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서 상기 상부 오버 코트층들(132)의 측면(132s)은 역 테이퍼를 가질 수 있다. 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)의 발광층(320)은 증발(evaporation)을 이용한 증착 공정으로 형성되므로, 상기 발광층(320)은 상기 상부 오버 코트층(132)의 역 테이퍼를 갖는 측면(132s) 상에 증착되지 않을 수 있다. 이에 따라 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 인접한 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 서로 분리된 발광층(320)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)을 증발을 이용한 증착 공정으로 형성하여, 패터닝 공정 없이 각 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA) 상에 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)과 절연되는 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)의 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W), 발광층(320) 및 상부 전극(330)을 하나의 공정 챔버에서 진공 상태를 유지하며 형성할 수 있으므로, 공정 시간이 크게 감소될 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 패터닝 공정 없이, 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성할 수 있게 되어, 상기 하부 전극(310B, 310R, 310G, 310W)으로 사용할 수 있는 물질을 폭 넓게 선택할 수 있으므로, 후속 공정, 예를 들어 리페어 공정을 쉽게 진행할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)의 상부 오버 코트층(132)이 하부 오버 코트층(131)과 동일한 물질을 포함하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)이 하부 오버 코트층(131)과 다른 물질 또는 물리적 특성을 갖는 상부 오버 코트층(133)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 컨택홀들(131h, 134h)이 형성된 하부 오버 코트층(131) 상에 유기 절연막을 형성하고, 상기 유기 절연막을 패터닝하여 역 테이퍼의 측면(133s)을 갖는 상부 오버 코트층(133)을 형성하여 완성된 오버 코트층(130)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서 하부 오버 코트층(131)의 컨택홀들(131h, 134h)과 상부 오버 코트층(133)의 컨택홀(135h) 사이의 관계는 도 1에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치와 동일할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상부 오버 코트층(132, 133)의 측면이 역 테이퍼를 가지지만, 컨택홀들의 측면은 정 테이퍼인 것으로 설명된다. 그러나, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)이 역 테이퍼의 측면을 갖는 관통홀들(136h, 137h)을 포함할 수 있다. 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 오버 코트층(130)의 상기 관통홀들(136h, 137h) 내에 위치하는 중간 절연층들(810, 820)을 더 포함할 수 있다. 상기 중간 절연층들(810, 820)은 정 테이퍼의 측면을 갖는 컨택홀들(180h, 820h)을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상부 오버 코트층(132)의 측면에 역 테이퍼를 형성하는 공정에 의해 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)의 전기적 연결이 불안정해지는 것이 방지될 수 있다.
도 5a 내지 5c는 도 3에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 3 및 5a 내지 5c를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법을 설명한다. 먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 하부 기판(110) 상에 박막 트랜지스터들(200)을 형성하는 공정, 상기 박막 트랜지스터들(200)을 덮는 하부 오버 코트층(131)을 형성하는 공정 및 상기 하부 오버 코트층(131)에 하부 컨택홀들(131h, 134h)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 하부 오버 코트층(131)의 상기 하부 컨택홀들(131h, 134h)은 각각 해당 발광 영역(BEA, REA, GEA, WEA)과 중첩하도록 형성될 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 컨택홀들이 형성된 하부 오버 코트층(131) 상에 유기 절연막(133a)을 형성하여 오버 코트층(130)을 구성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 유기 절연막(133a)은 상기 하부 오버 코트층(131)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(131)에 상기 하부 컨택홀들(131h, 134h)을 형성하는 공정은 경화 공정을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서 상기 유기 절연막(133a)은 상기 하부 오버 코트층(131)과 물리적 특성이 다를 수 있다. 상기 유기 절연막(133a)은 상기 하부 오버 코트층(131)의 상기 하부 컨택홀들의 내측으로 연장할 수 있다. 상기 하부 오버 코트층(131)의 상기 하부 컨택홀들은 상기 유기 절연막(133a)에 의해 채워질 수 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 상기 유기 절연막(133a)을 패터닝하여 역 테이퍼의 측면(133s)을 갖는 상부 오버 코트층(133)을 형성하여 오버 코트층(130)을 완성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 상부 오버 코트층(133)을 형성하는 공정은 상기 상부 오버 코트층(133)에 상기 하부 오버 코트층(131)의 상기 하부 컨택홀(134h)과 정렬되는 상부 컨택홀(135h)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 형성 방법은 상기 오버 코트층(130) 상에 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)을 형성하는 공정, 상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)이 형성된 하부 기판(110) 상에 컬러 필터들(620B, 620R, 620G)이 형성된 상부 기판(500)을 정렬하는 공정 및 접착층(700)을 이용하여 상기 하부 기판(110)과 상기 상부 기판(500)을 합착하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물들(300B, 300R, 300G, 300W)을 형성하는 공정은 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성하는 공정, 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA)에서 분리된 발광층(320)을 형성하는 공정 및 상부 전극(330)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성하는 공정, 상기 발광층(320)을 형성하는 공정 및 상기 상부 전극(330)을 형성하는 공정은 동일한 방식의 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W), 상기 발광층(320) 및 상기 상부 전극(330)은 증발을 이용한 증착 공정으로 형성될 수 있다. 상기 하부 전극들(310B, 310R, 310G, 310W)을 형성하는 공정, 상기 발광층(320)을 형성하는 공정 및 상기 상부 전극(330)을 형성하는 공정은 하나의 공정 챔버 내에서 진공 상태를 유지하며 순차적으로 수행될 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 인접한 발광 영역들(BEA, REA, GEA, WEA) 사이에 위치하는 비발광 영역(NEA)을 크게 감소하여 해상도를 향상함과 동시에 발광 구조물(300B, 300R, 300G, 300W)을 형성하는 데 소요되는 시간을 크게 감소하여 전체적인 생산 효율을 향상할 수 있다.
110 : 하부 기판 130 : 오버 코트층
131 : 하부 오버 코트층 132 : 상부 오버 코트층
200 : 박막 트랜지스터
300B, 300R, 300G, 300W : 발광 구조물
350 : 뱅크 절연막

Claims (17)

  1. 하부 기판의 제 1 발광 영역 상에 위치하고, 제 1 하부 전극, 제 1 발광층 및 제 1 상부 전극의 적층 구조를 갖는 제 1 발광 구조물;
    상기 하부 기판의 상기 제 1 발광 영역과 다른 색을 구현하는 제 2 발광 영역 상에 위치하고, 제 2 하부 전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부 전극의 적층 구조를 갖는 제 2 발광 구조물; 및
    상기 하부 기판과 상기 제 2 발광 구조물의 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치하는 상부 절연막을 포함하되,
    상기 제 2 하부 전극의 가장 자리는 상기 제 1 하부 전극의 가장 자리를 덮는 상기 상부 절연막 및 상기 제 2 발광층에 의해 둘러싸이고,
    상기 제 1 발광층 및 상기 제 2 발광층은 해당 하부 전극 상에서 일정한 두께를 가지며,
    상기 하부 기판과 상기 제 2 발광 구조물 사이의 수직 거리는 상기 하부 기판과 상기 제 1 발광 구조물 사이의 수직 거리보다 큰 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 발광 구조물의 수직 길이는 상기 제 1 발광 구조물의 수직 길이와 동일한 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판의 상기 제 1 발광 영역 및 상기 제 2 발광 영역과 다른 색을 구현하는 제 3 발광 영역 상에 위치하는 제 3 발광 구조물을 더 포함하되,
    상기 하부 기판과 상기 제 3 발광 구조물 사이의 수직 거리는 상기 하부 기판과 상기 제 1 발광 구조물 사이의 수직 거리와 동일한 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 발광 영역은 상기 제 1 발광 영역과 상기 제 3 발광 영역 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판과 상기 제 1 발광 구조물 사이에 위치하고, 상기 하부 기판과 상기 제 2 발광 구조물 사이로 연장하는 하부 절연막을 더 포함하되,
    상기 상부 절연막은 상기 하부 절연막과 상기 제 2 발광 구조물 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 상기 하부 절연막과 다른 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
  7. 하부 기판의 제 1 발광 영역 상에 위치하는 제 1 발광 구조물;
    상기 하부 기판의 상기 제 1 발광 영역과 다른 색을 구현하는 제 2 발광 영역 상에 위치하는 제 2 발광 구조물;
    상기 하부 기판과 상기 제 1 발광 구조물 사이에 위치하고, 상기 하부 기판과 상기 제 2 발광 구조물 사이로 연장하는 하부 절연막; 및
    상기 하부 절연막과 상기 제 2 발광 구조물 사이에 위치하는 상부 절연막을 포함하되,
    상기 하부 절연막은 상기 제 1 발광 구조물의 하부 전극이 연장하는 제 1 하부 컨택홀 및 상기 제 2 발광 구조물의 하부 전극이 연장하는 제 2 하부 컨택홀을 포함하고,
    상기 하부 기판의 표면과 수직한 방향으로 상기 제 2 하부 컨택홀의 길이는 상기 하부 기판의 표면과 수직한 방향으로 상기 제 1 하부 컨택홀의 길이와 동일하며,
    상기 하부 기판의 표면과 평행한 방향으로 상기 제 2 하부 컨택홀의 크기는 상기 하부 기판의 표면과 평행한 방향으로 상기 제 1 하부 컨택홀의 크기보다 큰 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 상기 제 1 발광 구조물의 하부 전극의 가장 자리를 덮는 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 상기 제 2 하부 컨택홀의 내측으로 연장하는 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 절연막은 상기 제 2 발광 구조물의 하부 전극으로 채워지는 상부 컨택홀을 포함하되,
    상기 상부 컨택홀은 상기 제 2 하부 컨택홀의 내측으로 연장하는 디스플레이 장치.
  11. 하부 기판 상에 위치하는 하부 오버 코트층;
    상기 하부 오버 코트층 상에 서로 이격되도록 위치하고, 제 1 하부 전극, 제 1 발광층 및 제 1 상부 전극의 적층 구조를 갖는 제 1 발광 구조물들;
    상기 제 1 발광 구조물들 사이에 위치하는 상부 오버 코트층; 및
    상기 상부 오버 코트층 상에 위치하고, 제 2 하부 전극, 제 2 발광층 및 제 2 상부 전극의 적층 구조를 갖는 제 2 발광 구조물들을 포함하되,
    각 제 1 하부 전극의 가장 자리는 상기 상부 오버 코트층에 의해 덮이고,
    각 제 2 하부 전극의 가장 자리는 상기 상부 오버 코트층 및 해당 제 2 발광층과 접촉하며,
    각 제 1 발광층 및 각 제 2 발광층은 전체적으로 일정한 두께를 갖는 디스플레이 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 오버 코트층은 상기 하부 오버 코트층과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 오버 코트층의 측면은 역 테이퍼를 갖는 디스플레이 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 하부 전극, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 2 상부 전극은 각각 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 발광층 및 상기 제 1 상부 전극과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 하부 전극 및 상기 제 2 발광층은 각각 상기 제 1 하부 전극 및 상기 제 1 발광층과 이격되는 디스플레이 장치.
  16. 하부 기판 상에 위치하는 하부 오버 코트층;
    상기 하부 오버 코트층 상에 위치하고, 서로 이격되는 제 1 발광 구조물들;
    상기 제 1 발광 구조물들 사이에 위치하는 상부 오버 코트층;
    상기 상부 오버 코트층 상에 위치하는 제 2 발광 구조물들;
    상기 제 1 발광 구조물과 중첩하고, 상기 하부 오버 코트층을 관통하는 제 1 관통홀; 및
    상기 제 2 발광 구조물과 중첩하고, 상기 하부 오버 코트층 및 상기 상부 오버 코트층을 관통하는 제 2 관통홀을 포함하되,
    상기 상부 오버 코트층의 측면, 상기 제 1 관통홀의 측면 및 상기 제 2 관통홀의 측면은 역 테이퍼를 갖는 디스플레이 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 관통홀 내에 위치하고, 제 1 컨택홀을 포함하는 제 1 중간 절연막; 및
    상기 제 2 관통홀 내에 위치하고, 제 2 컨택홀을 포함하는 제 2 중간 절연막을 더 포함하되,
    상기 제 1 컨택홀의 측면 및 상기 제 2 컨택홀의 측면은 정 테이퍼를 갖는 디스플레이 장치.
KR1020160143897A 2016-10-31 2016-10-31 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치 Active KR102758804B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143897A KR102758804B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치
US15/791,273 US10367039B2 (en) 2016-10-31 2017-10-23 Display device having areas
JP2017205950A JP6837410B2 (ja) 2016-10-31 2017-10-25 発光領域を含むディスプレイ装置
CN201711007226.4A CN108010936B (zh) 2016-10-31 2017-10-25 具有发光区的显示装置
EP17199471.8A EP3316312B1 (en) 2016-10-31 2017-10-31 Display device having emitting areas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143897A KR102758804B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180047585A KR20180047585A (ko) 2018-05-10
KR102758804B1 true KR102758804B1 (ko) 2025-01-23

Family

ID=60262737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160143897A Active KR102758804B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10367039B2 (ko)
EP (1) EP3316312B1 (ko)
JP (1) JP6837410B2 (ko)
KR (1) KR102758804B1 (ko)
CN (1) CN108010936B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102412455B1 (ko) 2017-11-02 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102795816B1 (ko) * 2018-03-06 2025-04-16 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 발광 소자 유닛
WO2020179026A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2020256248A1 (ko) * 2019-06-17 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110783385B (zh) * 2019-10-21 2020-11-03 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071019A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Seiko Epson Corp 表示装置および当該表示装置を備えた電子機器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000137242A (ja) 1998-10-30 2000-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3949945B2 (ja) 2001-11-30 2007-07-25 株式会社東芝 液晶表示装置
JP2007005173A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
KR100874458B1 (ko) * 2007-11-22 2008-12-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법
EA029759B1 (ru) 2009-02-13 2018-05-31 Бёрингер Ингельхайм Интернациональ Гмбх Антидиабетические лекарственные средства, содержащие ингибитор dpp-4 (линаглиптин) необязательно в комбинации с другими антидиабетическими средствами
DE102009047789A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mischlichtquelle
US20120032206A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Cho Byoung Gu Variable height light emitting diode and method of manufacture
US8502211B2 (en) 2010-06-30 2013-08-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR101879796B1 (ko) * 2010-06-30 2018-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5644677B2 (ja) 2011-05-31 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 有機el装置
KR20120134043A (ko) * 2011-05-31 2012-12-11 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 el 장치
JP5981100B2 (ja) 2011-06-07 2016-08-31 大日本印刷株式会社 スイッチング素子基板
KR101464270B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
JP2014134659A (ja) 2013-01-10 2014-07-24 Japan Display Inc 配線基板及びその製造方法
KR20140108024A (ko) 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWM458672U (zh) * 2013-04-10 2013-08-01 Genesis Photonics Inc 光源模組
KR20150038982A (ko) * 2013-10-01 2015-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
JP6318004B2 (ja) * 2014-05-27 2018-04-25 ローム株式会社 Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
US9698134B2 (en) * 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
KR102331566B1 (ko) 2014-12-31 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR102369674B1 (ko) * 2015-02-17 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치, 및 이를 포함하는 전자 기기

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071019A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Seiko Epson Corp 表示装置および当該表示装置を備えた電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN108010936B (zh) 2022-03-08
EP3316312A1 (en) 2018-05-02
EP3316312B1 (en) 2021-09-15
JP6837410B2 (ja) 2021-03-03
US10367039B2 (en) 2019-07-30
KR20180047585A (ko) 2018-05-10
JP2018073829A (ja) 2018-05-10
CN108010936A (zh) 2018-05-08
US20180122861A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102410523B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
US8994015B2 (en) Organic light-emitting display device
KR102516054B1 (ko) 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
JP6084781B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US9570706B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display having a plurality of spacers covering one or more via holes
CN110137374B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR101927334B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
TWI582980B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR102649202B1 (ko) 비표시 영역 상으로 연장하는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9941341B2 (en) Transparent display apparatus
KR101223727B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102758804B1 (ko) 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치
KR102062912B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR100651936B1 (ko) 탑 에미션 방식의 유기 el 소자 및 그 제조 방법
KR102512713B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9245905B2 (en) Back plane for flat panel display device and method of manufacturing the same
KR102016070B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
KR102752844B1 (ko) 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20170065069A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US20150270323A1 (en) Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof
KR20190048391A (ko) 블랙 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
US9196833B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using mask scanning deposition technique
KR102691278B1 (ko) 다른 색을 나타내는 발광 구조물들이 적층된 유기 발광 표시 장치
US9805975B2 (en) Thin-film transistor array substrate including gate-underlying stepped layer and etch-stopper, and organic light emitting display including the same
KR102355605B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20161031

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20211005

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20161031

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230930

Patent event code: PE09021S01D

PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20240627

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20240923

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20241030

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

X701 Decision to grant (after re-examination)
PG1601 Publication of registration