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KR102715198B1 - Method for manufacturing semiconductor devices - Google Patents

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KR102715198B1
KR102715198B1 KR1020217015888A KR20217015888A KR102715198B1 KR 102715198 B1 KR102715198 B1 KR 102715198B1 KR 1020217015888 A KR1020217015888 A KR 1020217015888A KR 20217015888 A KR20217015888 A KR 20217015888A KR 102715198 B1 KR102715198 B1 KR 102715198B1
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resin layer
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semiconductor device
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게이스케 시노미야
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 부착 부재 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성하는 공정과,수지층 (13) 에 레이저 (LB) 를 조사하여, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a process of forming a resin layer (13) on a bump formation surface (2A) of a bump attachment member (2) on which a plurality of bumps (22) are formed; and a process of removing the resin layer (13) covering the surface of the bumps (22) by irradiating the resin layer (13) with a laser (LB).

Description

반도체 장치의 제조 방법Method for manufacturing semiconductor devices

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

최근, 전자 기기의 소형화, 및 박형화에 수반하여, 반도체 패키지의 박형화, 및 소형화에 대한 요구도 높아지고 있다. 그 때문에, 반도체 소자의 실장 방식으로서, 금속 와이어를 이용하여 접속하는 종래의 와이어 본딩 방식 대신에, 칩의 전극 상에 범프라고 불리는 돌기 전극을 형성하고, 기판의 전극과 칩의 전극을 범프를 개재하여 직접 접속하는 플립 칩 접속 방식의 실장 방법이 제안되어 있다.Recently, along with the miniaturization and thinning of electronic devices, the demand for thinner and smaller semiconductor packages has also increased. Therefore, as a method for mounting semiconductor elements, instead of the conventional wire bonding method that uses metal wires to connect, a flip chip connection method has been proposed in which a protruding electrode called a bump is formed on the electrode of the chip, and the electrode of the substrate and the electrode of the chip are directly connected via the bump.

이러한 플립 칩 접속 방식의 실장 방법에서는, 다양한 목적에 따라, 범프 부착 웨이퍼 및 범프 부착 칩 등의 범프를 덮도록 수지층이 형성된다. 이러한 수지층으로서는, 예를 들면, 범프 부착 칩과 기판을 접착하기 위한 접착제층, 범프 부착 칩과 기판의 접속을 보강하기 위한 언더필층, 범프 부착 웨이퍼 또는 범프 부착 칩을 보호하기 위한 보호층 등을 들 수 있다.In this type of mounting method of flip chip connection, a resin layer is formed to cover bumps such as a bump-attached wafer and a bump-attached chip, depending on various purposes. Examples of this resin layer include an adhesive layer for bonding a bump-attached chip and a substrate, an underfill layer for reinforcing the connection between the bump-attached chip and the substrate, a protective layer for protecting a bump-attached wafer or a bump-attached chip, and the like.

그러나, 수지층이 범프를 덮고 있는 경우에는, 범프 상의 수지층을 기계적으로 밀어내, 범프와 기판의 전극의 전기적인 접속을 확보해야 한다. 그 때문에, 범프 부착 칩과 기판의 접속 신뢰성의 점에서 문제가 있었다. 또한, 리플로우 처리에 의해, 범프 부착 칩과 기판을 접속하는 경우에는, 범프에서 유래되는 용융 땜납이 수지층에 덮여 있기 때문에, 셀프 얼라인먼트 효과 (칩 및 기판의 전극끼리의 위치 맞춤 정밀도가 나빠, 어긋남을 발생시키고 있어도 리플로우 시에 정상적인 위치로 자동적으로 보정되는 현상) 가 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.However, when the resin layer covers the bump, the resin layer on the bump must be mechanically pushed out to secure electrical connection between the bump and the electrode of the substrate. Therefore, there was a problem in terms of the reliability of the connection between the bump-attached chip and the substrate. In addition, when the bump-attached chip and the substrate are connected by reflow processing, there was a problem in that the self-alignment effect (a phenomenon in which the positional accuracy between the electrodes of the chip and the substrate is poor and misalignment occurs, but is automatically corrected to the normal position during reflow) was not obtained because the molten solder derived from the bump was covered by the resin layer.

상기와 같은 문제를 해결하기 위해서, 예를 들면, 복수의 범프가 형성되어 있는 범프 부착 부재의 범프 형성면에 수지층을 형성하는 공정과, 상기 수지층에 플라즈마 처리를 실시하여, 상기 범프의 표면을 덮고 있는 상기 수지층을 제거하는 공정을 구비한 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1 참조).In order to solve the above problem, a method has been proposed, which comprises, for example, a process of forming a resin layer on a bump formation surface of a bump attachment member on which a plurality of bumps are formed, and a process of performing plasma treatment on the resin layer to remove the resin layer covering the surface of the bump (see Patent Document 1).

또한, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 예를 들면, 복수의 범프가 형성되어 있는 범프 부착 부재의 범프 형성면에 수지층을 형성하는 공정과, 상기 범프의 표면을 덮고 있는 상기 수지층을 연삭에 의해 제거하는 공정을 구비한 방법도 제안되어 있다 (특허문헌 2 참조).In addition, in order to solve the above problem, a method has been proposed which includes, for example, a process of forming a resin layer on a bump formation surface of a bump attachment member on which a plurality of bumps are formed, and a process of removing the resin layer covering the surface of the bump by grinding (see Patent Document 2).

국제 공개특허 제 2016/194431호International Patent Publication No. 2016/194431 일본 공개특허공보 2017-84903호Japanese Patent Publication No. 2017-84903

특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 제거하고자 하는 수지층의 지점뿐만 아니라, 조사면 내 전역에 대하여 플라즈마가 조사된다. 즉, 범프 두정부를 덮는 수지층뿐만 아니라, 본래 보호하고자 하는 부분을 덮는 수지층에도 플라즈마가 조사된다. 그 때문에, 본래 보호하고자 하는 부분에도 플라즈마 조사의 영향이 미쳐, 열화 및 손상이 생길 우려가 있다.In the method described in Patent Document 1, plasma is irradiated not only to the point of the resin layer to be removed, but also to the entire area within the irradiation surface. In other words, plasma is irradiated not only to the resin layer covering the bump crown, but also to the resin layer covering the part originally intended to be protected. Therefore, there is a concern that the part originally intended to be protected may be affected by the plasma irradiation, resulting in deterioration and damage.

또한, 특허문헌 2 에 기재된 방법은, 수지층을 연삭에 의해 제거하는 방법이기 때문에, 다이서, 그라인더, 또는 서피스 플레이너가 범프를 덮는 수지층에 접촉하여, 범프에 대하여 기계적 부하가 가해진다. 그 때문에, 범프의 위치가 어긋나거나, 범프가 탈락하거나 하여, 접속 신뢰성이 저하될 우려가 있다.In addition, since the method described in Patent Document 2 is a method of removing the resin layer by grinding, a dicer, grinder, or surface planer comes into contact with the resin layer covering the bump, and a mechanical load is applied to the bump. Therefore, there is a concern that the position of the bump may be misaligned or the bump may fall off, thereby lowering the connection reliability.

그래서, 본 발명의 목적은, 범프 부착 부재의 본래 보호하고자 하는 부분의 열화, 및 손상을 방지하고, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing deterioration and damage to the originally protected portion of a bump attachment member and efficiently manufacturing a semiconductor device having excellent connection reliability.

본 발명의 일 양태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 복수의 범프가 형성되어 있는 범프 부착 부재의 범프 형성면에 수지층을 형성하는 공정과, 상기 수지층에 레이저를 조사하여, 상기 범프의 표면을 덮고 있는 상기 수지층을 제거하는 공정을 구비한다.A method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention comprises a step of forming a resin layer on a bump formation surface of a bump attachment member on which a plurality of bumps are formed, and a step of irradiating a laser onto the resin layer to remove the resin layer covering the surface of the bump.

이 구성에 의하면, 범프 부착 부재의 범프 형성면에 다양한 목적에 따라 수지층을 형성할 수 있다. 이 수지층으로서는, 예를 들면, 범프 부착 칩과 기판을 접착하기 위한 접착제층, 범프 부착 칩과 기판의 접속을 보강하기 위한 언더필층, 범프 부착 웨이퍼 또는 범프 부착 칩을 보호하기 위한 보호층 등을 들 수 있다.According to this configuration, a resin layer can be formed on the bump formation surface of the bump attachment member according to various purposes. Examples of the resin layer include an adhesive layer for bonding a bump attachment chip and a substrate, an underfill layer for reinforcing the connection between the bump attachment chip and the substrate, a protective layer for protecting a bump attachment wafer or a bump attachment chip, etc.

그리고, 레이저 조사에 의해, 범프의 표면을 덮고 있는 수지층을 간편하고 효율적으로 제거할 수 있다. 레이저 조사법은, 조사 위치를 제어하기 쉽고, 수지층 중, 제거가 필요한 지점에 레이저를 선택적으로 조사할 수 있기 때문에, 범프 부착 부재의 본래 보호하고자 하는 부분의 열화, 및 손상을 방지할 수 있다.And, by laser irradiation, the resin layer covering the surface of the bump can be easily and efficiently removed. Since the laser irradiation method can easily control the irradiation position and selectively irradiate the laser to the point in the resin layer that needs to be removed, it can prevent deterioration and damage of the part of the bump attachment member that is originally intended to be protected.

또, 레이저 조사법에 의하면, 연삭법과 같이 다이서, 그라인더, 또는 서피스 플레이너가 범프를 덮는 수지층에 접촉하지 않기 때문에, 범프의 위치 어긋남, 및 탈락을 방지할 수 있다.In addition, since the laser irradiation method does not contact the resin layer covering the bump with the dicer, grinder, or surface planer as in the grinding method, misalignment and drop-off of the bump can be prevented.

그리고, 범프의 표면을 덮고 있는 수지층이 제거되고, 표면이 노출된 범프와, 기판의 전극을 전기적으로 접속함으로써, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.And, by removing the resin layer covering the surface of the bump and electrically connecting the bump with the exposed surface and the electrode of the substrate, a semiconductor device with excellent connection reliability can be efficiently manufactured.

본 발명의 일 양태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 범프 형성면의 반대측의 면에 다이싱 테이프를 첩합하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다.In a method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, it is preferable to further include a step of bonding a dicing tape to a surface opposite to the bump formation surface.

이 구성에 의하면, 범프 부착 부재가 다이싱 테이프에 접착되어 있기 때문에, 레이저 조사 시에 범프의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 그 때문에, 범프를 덮는 수지층에 대한 레이저의 초점의 위치 어긋남이 억제되어, 보다 확실하게 수지층을 제거할 수 있다.According to this configuration, since the bump attachment member is adhered to the dicing tape, misalignment of the bump during laser irradiation can be suppressed. Therefore, misalignment of the laser focus with respect to the resin layer covering the bump is suppressed, and the resin layer can be removed more reliably.

본 발명의 일 양태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 수지층이 제거되고, 표면이 노출된 상기 범프와, 기판의 전극을 전기적으로 접속하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다.In a method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, it is preferable to further include a step of electrically connecting the bump, the surface of which is exposed after the resin layer is removed, and the electrode of the substrate.

이 구성에 의하면, 범프의 표면을 덮고 있는 수지층이 제거되고, 표면이 노출된 범프와, 기판의 전극을 전기적으로 접속함으로써, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 얻어진다.According to this configuration, the resin layer covering the surface of the bump is removed, and by electrically connecting the bump with the exposed surface and the electrode of the substrate, a semiconductor device with excellent connection reliability is obtained.

본 발명의 일 양태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 수지층을 제거하는 공정은, 상기 레이저에 의해 상기 범프의 두정부를 덮는 상기 수지층을 제거하는 공정인 것이 바람직하다.In a method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, it is preferable that the step of removing the resin layer is a step of removing the resin layer covering the top portion of the bump by the laser.

이 구성에 의하면, 범프의 두정부의 수지층을 제거하므로, 범프 두정부가 노출되어, 기판의 전극과 범프의 두정부의 전기적 접속의 접속 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.According to this configuration, since the resin layer on the top of the bump is removed, the top of the bump is exposed, and the reliability of the electrical connection between the electrode of the substrate and the top of the bump can be further improved.

본 발명의 일 양태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 레이저는 Yb 레이저, YVO 레이저, YAG 레이저 또는 CO2 레이저인 것이 바람직하다.In a method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, it is preferable that the laser is a Yb laser, a YVO laser, a YAG laser or a CO 2 laser.

이 구성에 의하면, Yb 레이저, YVO 레이저, YAG 레이저, 또는 CO2 레이저를 수지층에 조사하므로, 수지층을 효율적으로 제거할 수 있다.According to this configuration, the resin layer can be efficiently removed by irradiating the resin layer with a Yb laser, a YVO laser, a YAG laser, or a CO2 laser.

본 발명의 일 양태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상기 레이저의 조사 조건으로서, 출력이 1W 이상 2W 이하이고, 주파수가 10kHz 이상 100kHz 이하이고, 주사 속도가 50mm/s 이상 4000mm/s 이하인 것이 바람직하다.In a method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention, it is preferable that the irradiation conditions of the laser be such that the output is 1 W or more and 2 W or less, the frequency is 10 kHz or more and 100 kHz or less, and the scanning speed is 50 mm/s or more and 4000 mm/s or less.

이 구성에 의하면, 레이저의 조사 조건으로서의 출력, 주파수 및 주사 속도가 소정의 범위 내이기 때문에, 수지층을 효율적으로 제거할 수 있다.According to this configuration, since the output, frequency, and scanning speed as irradiation conditions of the laser are within a predetermined range, the resin layer can be efficiently removed.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 수지층을 형성하기 위한 접착 시트를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 범프 부착 부재 (범프 부착 웨이퍼) 를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 3b는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 3c는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4b는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4c는 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 5a는 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 5b는 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 5c는 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 5d는 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet for forming a resin layer according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a bump attachment member (bump attachment wafer) according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3a is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3b is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3c is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4a is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4b is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4c is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5a is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 5b is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 5c is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 5d is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

[제 1 실시형태][Embodiment 1]

이하, 본 발명에 대해 실시형태를 예로 들어, 도면에 기초하여 설명한다. 본 발명은 실시 형태의 내용에 한정되지 않는다. 또한, 도면에 있어서는, 설명을 용이하게 하기 위해 확대 또는 축소를 하여 도시한 부분이 있다.Hereinafter, the present invention will be described based on the drawings, taking as examples embodiments. The present invention is not limited to the contents of the embodiments. In addition, in the drawings, there are parts that are shown enlarged or reduced in order to facilitate explanation.

우선, 본 실시형태에 이용하는 접착 시트, 및 범프 부착 웨이퍼에 대해서 설명한다.First, the adhesive sheet and the bump-attached wafer used in this embodiment are described.

(접착 시트)(Adhesive sheet)

도 1 에는, 본 실시형태에 사용하는 접착 시트 (1) 가 기재되어 있다.In Fig. 1, an adhesive sheet (1) used in the present embodiment is described.

본 실시형태에 사용하는 접착 시트 (1) 는, 지지체층 (11) 과, 점착제층 (12) 과, 접착제를 함유하는 수지층 (13) 을 구비하고 있다. 또한, 수지층 (13) 의 표면은, 웨이퍼에 첩착될 때까지의 동안, 박리 필름 등에 의해 보호되어 있어도 된다.The adhesive sheet (1) used in this embodiment comprises a support layer (11), an adhesive layer (12), and a resin layer (13) containing an adhesive. In addition, the surface of the resin layer (13) may be protected by a release film or the like until it is adhered to the wafer.

지지체층 (11) 으로서는, 접착 시트의 지지체로서 공지된 지지체를 사용할 수 있고, 예를 들어 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다. 이러한 지지체층 (11) 은 피착체를 가공하고 있는 동안에 피착체를 지지한다.As the support layer (11), a known support can be used as a support for an adhesive sheet, and for example, a plastic film or the like can be used. This support layer (11) supports the adherend while the adherend is being processed.

플라스틱 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름 및 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름은, 단층 필름이어도 되고, 적층 필름이어도 된다. 또한, 적층 필름의 경우에는, 1 종의 필름을 적층해도 되고, 2 종 이상의 필름을 적층해도 된다.Examples of the plastic film include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, and fluororesin film. These films may be single-layer films or laminated films. In addition, in the case of a laminated film, one type of film may be laminated, or two or more types of films may be laminated.

점착제층 (12) 은, 접착 시트의 점착제로서 공지된 점착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이와 같은 점착제층 (12) 에 의해, 피착체를 가공하고 있는 동안에는 지지체층 (11) 과 수지층 (13) 사이를 강고하게 고정시키고, 그 후, 수지층 (13) 을 피착체에 고착 잔존시켜 지지체층 (11) 으로부터 박리하는 것이 용이해진다. 또한, 점착제층 (12) 에, 자외선 등의 에너지선을 조사함으로써 경화시켜, 수지층 (13) 과의 박리가 용이해지도록 해도 된다.The adhesive layer (12) can be formed using a known adhesive as an adhesive for an adhesive sheet. By using such an adhesive layer (12), the support layer (11) and the resin layer (13) are firmly fixed while the adherend is being processed, and thereafter, the resin layer (13) remains adhered to the adherend, making it easy to peel off from the support layer (11). In addition, the adhesive layer (12) may be hardened by irradiating it with energy rays such as ultraviolet rays, thereby making it easy to peel off from the resin layer (13).

점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 및 우레탄계 점착제 등을 들 수 있다.Examples of adhesives include acrylic adhesives, rubber adhesives, silicone adhesives, and urethane adhesives.

수지층 (13) 은, 접착 시트의 접착제로서 공지된 접착제를 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 접착제를 함유하는 수지층 (13) 에 의해, 후술하는 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 을 접착할 수 있다.The resin layer (13) can be formed using an adhesive known as an adhesive for an adhesive sheet. By means of the resin layer (13) containing such an adhesive, the bump attachment chip (2a) described later and the substrate (4) can be bonded.

접착제로서는, 예를 들어 에폭시 수지 등의 열경화성 수지와, 열경화제를 함유하는 접착제를 들 수 있다. 또한, 접착제는 경화물의 열팽창 계수를 조정한다는 관점에서, 무기 충전재를 더 함유하고 있어도 된다. 무기 충전재로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 티타늄 화이트, 벵갈라, 탄화규소 및 질화붕소 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전재는, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the adhesive, examples thereof include thermosetting resins such as epoxy resins and adhesives containing thermosetting agents. In addition, the adhesive may further contain inorganic fillers from the viewpoint of adjusting the coefficient of thermal expansion of the cured product. Examples of the inorganic fillers include silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more.

(범프 부착 웨이퍼)(Bump attached wafer)

도 2 에는, 본 실시형태에 이용하는 범프 부착 웨이퍼 (2) (범프 부착 부재) 가 기재되어 있다.In Fig. 2, a bump-attached wafer (2) (bump-attached member) used in the present embodiment is described.

본 실시형태에 이용하는 범프 부착 웨이퍼 (2) 는, 반도체 웨이퍼 (21) 와, 범프 (22) 를 구비하고 있다. 또한, 범프 (22) 는 반도체 웨이퍼 (21) 의 회로가 있는 측에 형성된다. 본 실시형태의 범프 부착 웨이퍼 (2) 는, 복수의 범프 (22) 를 구비한다.The bump-attached wafer (2) used in the present embodiment comprises a semiconductor wafer (21) and a bump (22). In addition, the bump (22) is formed on the side of the semiconductor wafer (21) where the circuit is present. The bump-attached wafer (2) of the present embodiment comprises a plurality of bumps (22).

범프 부착 웨이퍼 (2) 는, 복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 형성면 (2A) 과, 범프 (22) 가 형성되어 있지 않은 이면 (2B) 을 갖는다.A bump-attached wafer (2) has a bump formation surface (2A) on which a plurality of bumps (22) are formed, and a back surface (2B) on which no bumps (22) are formed.

반도체 웨이퍼 (21) 로서는, 공지된 반도체 웨이퍼를 이용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등을 이용할 수 있다.As the semiconductor wafer (21), a known semiconductor wafer can be used, and for example, a silicon wafer can be used.

반도체 웨이퍼 (21) 의 두께는 통상 10μm 이상 1000μm 이하이고, 바람직하게는 50μm 이상 750μm 이하이다.The thickness of the semiconductor wafer (21) is usually 10 μm or more and 1000 μm or less, and preferably 50 μm or more and 750 μm or less.

범프 (22) 의 재료로서는, 공지된 도전성 재료를 이용할 수 있다. 범프 (22) 의 재료로서는, 예를 들어 구리, 은, 금, 알루미늄 및 땜납 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료를 들 수 있다. 땜납 합금으로서는, 공지된 땜납 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어 주석, 은 및 구리를 함유하는 납 프리 땜납을 사용할 수 있다.As a material for the bump (22), a known conductive material can be used. As a material for the bump (22), for example, any one material selected from the group consisting of copper, silver, gold, aluminum, and a solder alloy can be used. As a solder alloy, a known solder material can be used, and for example, a lead-free solder containing tin, silver, and copper can be used.

범프 (22) 의 높이는 통상 5μm 이상 1000μm 이하이고, 바람직하게는 50μm 이상 500μm 이하이다.The height of the bump (22) is usually 5 μm or more and 1000 μm or less, and preferably 50 μm or more and 500 μm or less.

범프 (22) 의 측방으로부터 본 단면 형상은 특별히 한정되지 않지만, 반원형, 반타원형, 원형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이어도 된다.The cross-sectional shape as viewed from the side of the bump (22) is not particularly limited, but may be a semicircle, a semi-ellipse, a circle, a rectangle, or a trapezoid.

범프 (22) 의 종류로서는, 특별히 한정되지 않지만, 볼 범프, 머쉬룸 범프, 스터드 범프, 콘 범프, 실린더 범프, 도트 범프, 큐브 범프, 및 필러 범프 등을 들 수 있다. 이것들은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The types of bumps (22) are not particularly limited, but include ball bumps, mushroom bumps, stud bumps, cone bumps, cylinder bumps, dot bumps, cube bumps, and filler bumps. One type of these may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(반도체 장치의 제조 방법)(Method for manufacturing semiconductor devices)

다음으로, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described.

도 3a ~ 도 3c, 및 도 4a ~ 도 4c는, 제 1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 설명도이다.FIGS. 3A to 3C and FIGS. 4A to 4C are explanatory drawings showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment.

본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 우선, 복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성한다. 구체적으로는, 도 3a, 도 3b, 및 도 3c에 나타내는 바와 같이, 접착 시트 (1) 의 수지층 (13) 을 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 첩합하는 공정 (접착 시트 첩착 공정) 과, 다이싱 테이프 (3) 를 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 이면 (2B) 에 첩합하는 공정 (다이싱 테이프 첩착 공정) 과, 접착 시트 (1) 의 지지체층 (11), 및 점착제층 (12) 을, 수지층 (13) 으로부터 박리하는 공정 (지지체 박리 공정) 을 구비하는 방법에 의해, 복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성한다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, a resin layer (13) is formed on a bump formation surface (2A) of a bump-attached wafer (2) on which a plurality of bumps (22) are formed. Specifically, as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C, a resin layer (13) is formed on a bump formation surface (2A) of a bump-attached wafer (2) by a method including a step of attaching a resin layer (13) of an adhesive sheet (1) to a bump formation surface (2A) of a bump-attached wafer (2) (adhesive sheet attachment step), a step of attaching a dicing tape (3) to a back surface (2B) of the bump-attached wafer (2) (dicing tape attachment step), and a step of peeling off a support layer (11) and an adhesive layer (12) of the adhesive sheet (1) from the resin layer (13) (support detachment step).

본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다음으로, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 에 레이저를 조사하여, 수지층 (13) 을 제거한다 (수지 제거 공정). 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 수지층 (13) 과 함께 범프 (22) 의 일부를 제거하고 있지만, 수지층 (13) 만을 제거해도 된다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, next, as shown in Fig. 4a, a laser is irradiated on the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) to remove the resin layer (13) (resin removal process). In addition, in the present embodiment, a part of the bump (22) is removed together with the resin layer (13), but only the resin layer (13) may be removed.

그리고, 도 4b 및 도 4c에 나타내는 바와 같이, 다이싱 블레이드에 의해 범프 부착 웨이퍼 (2) 를 다이싱하는 공정 (다이싱 공정) 과, 다이싱에 의해 개편화한 범프 부착 칩 (2a) 을 픽업하여, 피착체로서의 기판 (4) 에 접착 고정하는 공정 (본딩 공정) 을 구비하는 방법에 의해, 수지층 (13) 이 제거되어, 표면이 노출된 범프 (22) 와, 기판 (4) 의 전극 (42) 을 전기적으로 접속한다.And, as shown in FIG. 4b and FIG. 4c, by a method including a process of dicing a bump-attached wafer (2) by a dicing blade (dicing process) and a process of picking up a bump-attached chip (2a) broken up by dicing and bonding and fixing it to a substrate (4) as an adherend (bonding process), the resin layer (13) is removed, and the bump (22) with the exposed surface is electrically connected to the electrode (42) of the substrate (4).

이하, 접착 시트 첩착 공정, 다이싱 테이프 첩착 공정, 지지체 박리 공정, 수지 제거 공정, 다이싱 공정 및 본딩 공정에 대해서, 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the adhesive sheet bonding process, dicing tape bonding process, support peeling process, resin removal process, dicing process, and bonding process are described in more detail.

(접착 시트 첩착 공정)(Adhesive sheet bonding process)

접착 시트 첩착 공정에 있어서는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 접착 시트 (1) 의 수지층 (13) 을 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 범프 (22) 가 형성되어 있는 면 (범프 형성면 (2A)) 에 첩합한다. 접착 시트 (1) 의 접착 후, 범프 (22) 는 수지층 (13) 에 의해 덮인다.In the adhesive sheet bonding process, as shown in Fig. 3A, the resin layer (13) of the adhesive sheet (1) is bonded to the surface (bump formation surface (2A)) on which the bumps (22) of the bump-attached wafer (2) are formed. After bonding the adhesive sheet (1), the bumps (22) are covered by the resin layer (13).

여기서, 접착 방법으로서는 공지된 방법을 채용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착은, 통상, 압착 롤 등에 의해 접착 시트 (1) 를 가압하면서 행해진다. 압착의 조건은 특별히 한정되지 않지만, 압착 온도는 40℃ 이상 120℃ 이하가 바람직하다. 롤 압력은 0.1MPa 이상 20MPa 이하가 바람직하다. 압착 속도는 1mm/sec 이상 20mm/sec 이하가 바람직하다.Here, a known method can be adopted as the bonding method, and is not particularly limited, but a method by pressing is preferable. Pressing is usually performed while pressing the adhesive sheet (1) with a pressing roll or the like. The conditions for pressing are not particularly limited, but the pressing temperature is preferably 40°C or more and 120°C or less. The roll pressure is preferably 0.1 MPa or more and 20 MPa or less. The pressing speed is preferably 1 mm/sec or more and 20 mm/sec or less.

또, 접착 시트 (1) 의 수지층 (13) 의 두께는, 범프 (22) 의 높이 치수보다 작게 하는 것이 바람직하고, 범프 (22) 의 높이 치수의 0.8 배 이하인 것이 보다 바람직하고, 범프 (22) 의 높이 치수의 0.1 배 이상 0.7 배 이하인 것이 특히 바람직하다. 수지층 (13) 의 두께가 상기 상한 이하이면, 범프 (22) 의 표면을 덮는 수지층 (13) 을 보다 얇게 할 수 있고, 후술하는 수지 제거 공정에서 용이하게 제거할 수 있다.In addition, the thickness of the resin layer (13) of the adhesive sheet (1) is preferably smaller than the height dimension of the bump (22), more preferably 0.8 times or less the height dimension of the bump (22), and particularly preferably 0.1 times or more and 0.7 times or less the height dimension of the bump (22). When the thickness of the resin layer (13) is equal to or less than the upper limit described above, the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) can be made thinner and can be easily removed in the resin removal process described later.

(다이싱 테이프 첩착 공정)(Dicing tape adhesion process)

다이싱 테이프 첩착 공정에 있어서는, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프 (3) 를 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 범프 (22) 가 형성되어 있지 않은 면 (이면 (2B)) 에 첩합한다.In the dicing tape bonding process, as shown in Fig. 3B, the dicing tape (3) is bonded to the surface (back surface (2B)) of the bump-attached wafer (2) on which no bump (22) is formed.

여기서, 접착 방법으로서는 공지된 방법을 채용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착은, 통상, 압착 롤 등에 의해 다이싱 테이프 (3) 를 가압하면서 행해진다. 압착의 조건은, 특별히 한정되지 않고, 적절히 설정할 수 있다. 또한, 다이싱 테이프 (3) 에 대해서도, 공지된 다이싱 테이프를 사용할 수 있다.Here, a known method can be adopted as the bonding method, and is not particularly limited, but a method by compression is preferable. Compression is usually performed while pressurizing the dicing tape (3) with a compression roll or the like. The conditions for compression are not particularly limited, and can be appropriately set. In addition, a known dicing tape can also be used for the dicing tape (3).

(지지체 박리 공정)(Support peeling process)

지지체 박리 공정에 있어서는, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 접착 시트 (1) 의 지지체층 (11), 및 점착제층 (12) 을, 수지층 (13) 으로부터 박리한다. 이 지지체 박리 공정에 의해, 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 이 형성된 범프 부착 웨이퍼 (2) 를 얻을 수 있다. 또한, 수지층 (13) 은 범프 (22) 의 형상에 추종하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 후술하는 수지 제거 공정에서 제거하는 수지층 (13) 을 적게 할 수 있어, 작업 효율을 향상시킬 수 있다.In the support peeling process, as shown in Fig. 3c, the support layer (11) and the adhesive layer (12) of the adhesive sheet (1) are peeled from the resin layer (13). By this support peeling process, a bump-attached wafer (2) in which the resin layer (13) is formed on the bump formation surface (2A) can be obtained. In addition, it is preferable that the resin layer (13) is formed so as to follow the shape of the bump (22). By doing so, the resin layer (13) to be removed in the resin removal process described later can be reduced, thereby improving work efficiency.

점착제층 (12) 이 자외선 경화성을 갖는 경우에는, 필요에 따라서, 지지체층 (11) 측으로부터 자외선을 조사한다. 이에 의해, 점착제층 (12) 이 경화되고, 점착제층 (12) 과 수지층 (13) 의 계면의 접착력이 저하되어, 점착제층 (12) 을 수지층 (13) 으로부터 박리하기 쉬워진다.When the adhesive layer (12) has ultraviolet curing properties, ultraviolet rays are irradiated from the support layer (11) side as needed. As a result, the adhesive layer (12) is cured, the adhesive strength of the interface between the adhesive layer (12) and the resin layer (13) is reduced, and the adhesive layer (12) becomes easy to peel from the resin layer (13).

(수지 제거 공정)(Resin removal process)

수지 제거 공정에 있어서는, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 향하여 레이저 (LB) 를 조사하여, 수지층 (13) 을 제거한다.In the resin removal process, as shown in Fig. 4a, a laser (LB) is irradiated toward the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) to remove the resin layer (13).

수지층 (13) 은 그 목적에 따라 제거할 수 있다. 예를 들면, 표면이 노출된 범프 (22) 와, 기판 (4) 의 전극 (42) 과의 전기적인 접속이 목적이면, 전기적인 접속을 할 수 있을 정도로 수지층 (13) 을 제거하면 된다. 구체적으로는, 접속 신뢰성과 수지층 (13) 기능의 확보의 밸런스 관점에서, 수지층 (13) 의 제거량을 조정할 수 있다.The resin layer (13) can be removed depending on the purpose. For example, if the purpose is to make an electrical connection between the bump (22) with the exposed surface and the electrode (42) of the substrate (4), the resin layer (13) can be removed to an extent that allows for an electrical connection. Specifically, the amount of the resin layer (13) removed can be adjusted from the viewpoint of a balance between connection reliability and securing the function of the resin layer (13).

따라서, 레이저 (LB) 는, 수지층 (13) 의 전체에 조사하지 않아도 된다. 전술한 바와 같이, 범프 (22) 와 기판 (4) 의 전극 (42) 과의 전기적인 접속이 목적이면, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 의 일부 (예를 들어, 범프 (22) 의 선단 부분 (두정부)) 에 레이저 (LB) 를 선택적으로 조사하여, 두정부를 덮는 수지층 (13) 을 제거하면 된다. 이와 같이, 범프 (22) 의 두정부를 덮는 수지층 (13) 이 레이저 조사에 의해 제거되면, 범프 (22) 의 표면이 노출된다.Therefore, the laser (LB) does not have to be irradiated to the entire resin layer (13). As described above, if the purpose is electrical connection between the bump (22) and the electrode (42) of the substrate (4), the laser (LB) is selectively irradiated to a part of the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) (for example, the tip portion (crown portion) of the bump (22)) so as to remove the resin layer (13) covering the crown portion. In this way, when the resin layer (13) covering the crown portion of the bump (22) is removed by the laser irradiation, the surface of the bump (22) is exposed.

또한, 수지 제거 공정에서는, 제거하고자 하는 수지층 (13) 의 영역에 레이저 (LB) 를 선택적으로 조사할 수 있어, 범프 부착 부재의 본래 보호하고자 하는 부분에 레이저 (LB) 를 조사하지 않아도 되기 때문에, 범프 부착 부재의 본래 보호하고자 하는 부분의 열화 및 손상을 방지할 수 있다. 범프 부착 부재의 본래 보호하고자 하는 부분으로서는, 예를 들면, 범프 (22) 의 근본 부분, 범프 형성면 (2A), 및 반도체 웨이퍼 (21) 의 이면 (2B) 을 들 수 있다.In addition, in the resin removal process, the laser (LB) can be selectively irradiated to the area of the resin layer (13) to be removed, so that the laser (LB) does not need to be irradiated to the original protected portion of the bump attachment member, thereby preventing deterioration and damage to the original protected portion of the bump attachment member. As the original protected portion of the bump attachment member, for example, the root portion of the bump (22), the bump formation surface (2A), and the back surface (2B) of the semiconductor wafer (21) can be mentioned.

또, 연삭법에 의해 수지층 (13) 을 제거하는 경우에는, 다이서, 그라인더, 또는 서피스 플래너 등이 범프 (22) 를 덮는 수지층 (13) 에 접촉하기 때문에, 범프 (22) 에 기계적 부하가 가해지지만, 본 실시형태의 수지 제거 공정에서는, 그러한 기계적 부하를 범프 (22) 에 가하지 않고, 수지층 (13) 을 제거할 수 있다.In addition, when removing the resin layer (13) by a grinding method, a mechanical load is applied to the bump (22) because a dicer, grinder, surface planer, or the like comes into contact with the resin layer (13) covering the bump (22), but in the resin removal process of the present embodiment, the resin layer (13) can be removed without applying such a mechanical load to the bump (22).

수지 제거 공정에 있어서는, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 레이저 조사 장치 (50) 를 범프 (22) 와 대향하도록 배치한다. 범프 (22) 를 덮는 수지층 (13) 의 제거하고자 하는 부분에 레이저 (LB) 를 주사시키면서 조사한다. 하나의 범프 (22) 에 대해서 수지층 (13) 의 제거가 종료되면, 레이저 조사 장치 (50) 를 이동시켜 다른 범프 (22) 에 대해서도 동일하게 수지층 (13) 을 제거한다. 이와 같이 하여, 범프 (22) 마다 수지층 (13) 의 제거를 반복함으로써, 범프 부착 웨이퍼 (2) 가 구비하는 복수의 범프 (22) 를 덮는 수지층 (13) 의 일부 (예를 들면, 범프 (22) 의 두정부를 덮는 수지층 (13)) 를 선택적으로 제거할 수 있다.In the resin removal process, as shown in Fig. 4a, the laser irradiation device (50) is placed so as to face the bump (22). The laser (LB) is scanned and irradiated to the part of the resin layer (13) covering the bump (22) to be removed. When the removal of the resin layer (13) for one bump (22) is completed, the laser irradiation device (50) is moved to remove the resin layer (13) for the other bumps (22) in the same manner. In this way, by repeating the removal of the resin layer (13) for each bump (22), a part of the resin layer (13) covering the plurality of bumps (22) provided on the bump-attached wafer (2) (for example, the resin layer (13) covering the crown of the bump (22)) can be selectively removed.

본 실시 형태에서는, 수지 제거 공정에 있어서, 범프 (22) 의 두정부를 덮는 수지층 (13) 뿐만 아니라, 노출시킨 두정부에도 레이저 (LB) 를 조사하여, 도 4a에 나타낸 바와 같이 범프 (22) 의 선단 부분을 제거한다. 이와 같이, 범프 (22) 의 일부분 (예를 들면, 선단 부분) 을 레이저 (LB) 에 의해 제거함으로써, 복수의 범프 (22) 의 높이를 임의의 높이로 조정할 수 있다. 또한, 복수의 범프 (22) 의 높이를 균일한 높이로 맞출 수 있다. 또한, 범프 (22) 의 일부가 연삭되기 때문에, 범프 (22) 의 표면을 확실하게 노출시킬 수 있고, 또한, 수지층 (13) 으로부터 노출되는 범프 (22) 의 표면적을 크게 할 수 있다.In this embodiment, in the resin removal process, not only the resin layer (13) covering the top of the bump (22) but also the exposed top is irradiated with the laser (LB) to remove the tip portion of the bump (22) as shown in Fig. 4a. In this way, by removing a part (for example, the tip portion) of the bump (22) by the laser (LB), the height of the plurality of bumps (22) can be adjusted to any height. In addition, the heights of the plurality of bumps (22) can be adjusted to a uniform height. In addition, since a part of the bump (22) is ground, the surface of the bump (22) can be reliably exposed, and further, the surface area of the bump (22) exposed from the resin layer (13) can be increased.

수지 제거 공정에 있어서는, 레이저 조사 장치 (50) 를 사용하여 레이저 (LB) 를 조사한다.In the resin removal process, a laser (LB) is irradiated using a laser irradiation device (50).

레이저 조사 장치 (50) 는, 수지층 (13) 을 제거할 수 있는 레이저를 조사할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 수지층 (13) 뿐만 아니라, 범프 (22) 의 일부분도 제거하는 경우에는, 양자를 제거 가능한 레이저를 조사하는 레이저 조사 장치이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 레이저 조사 장치 (50) 로서, 레이저 마킹용의 레이저 조사 장치를 이용할 수도 있다. 레이저 (LB) 는, 예를 들어 Yb 레이저, YVO 레이저, YAG 레이저 또는 CO2 레이저인 것이 바람직하다. 레이저의 발진 형식은, 본 명세서에 기재된 형식에 한정되지 않는다.The laser irradiation device (50) is not particularly limited as long as it can irradiate a laser capable of removing the resin layer (13). In addition, in the case where not only the resin layer (13) but also a part of the bump (22) is removed, the laser irradiation device is not particularly limited as long as it irradiates a laser capable of removing both. For example, a laser irradiation device for laser marking can also be used as the laser irradiation device (50). The laser (LB) is preferably a Yb laser, a YVO laser, a YAG laser, or a CO 2 laser, for example. The oscillation format of the laser is not limited to the format described in this specification.

레이저 (LB) 의 조사 조건으로서는, 수지층 (13) (또한 필요에 따라서 범프 (22)) 을 제거할 수 있는 조건이면 특별히 한정되지 않는다. 레이저의 출력은, 예를 들면, 1W 이상 2W 이하인 것이 바람직하다. 레이저의 주파수는, 예를 들면, 10kHz 이상 100kHz 이하인 것이 바람직하다. 레이저의 주사 속도는, 예를 들면 50mm/s 이상 4000mm/s 이하인 것이 바람직하다.The irradiation conditions of the laser (LB) are not particularly limited as long as the resin layer (13) (and bump (22) as necessary) can be removed. The output of the laser is preferably, for example, 1 W or more and 2 W or less. The frequency of the laser is preferably, for example, 10 kHz or more and 100 kHz or less. The scanning speed of the laser is preferably, for example, 50 mm/s or more and 4000 mm/s or less.

또한, 수지 제거 공정에서는, 레이저 조사면이 평활해지도록 수지층 (13) 을 제거하는 것이 아니라, 레이저 조사면이 요철을 갖도록 수지층 (13) 을 제거하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지 제거 공정에서는, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 범프 (22) 및 수지층 (13) 으로 이루어지는 평면에 요철이 남는 것이 바람직하다. 이와 같이 요철이 남아 있으면, 후술하는 본딩 공정에 있어서, 범프 부착 칩 (2a) 을 기판 (4) 의 전극 (42) 상에 접속할 때에는, 그 요철의 오목부에 의해 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 의 전극 (42) 사이에 간극이 형성된다. 이 간극에 범프 (22) 나 수지층 (13) 이 이동할 여유가 있기 때문에, 범프 (22) 를 압궤하면서 접속할 수 있다. 그 때문에, 본 실시 형태에 있어서는, 범프 (22) 및 수지층 (13) 으로 이루어지는 평면이 평활한 범프 부착 칩 (2a) 을 본딩하는 경우와 비교하여, 접속 신뢰성을 높일 수 있다.In addition, in the resin removal process, it is preferable to remove the resin layer (13) so that the laser irradiation surface has unevenness, rather than removing the resin layer (13) so that the laser irradiation surface becomes smooth. For example, in the resin removal process, it is preferable that unevenness remains on the plane formed by the bump (22) and the resin layer (13), as shown in Fig. 4a. If the unevenness remains in this way, when the bump-attached chip (2a) is connected to the electrode (42) of the substrate (4) in the bonding process described later, a gap is formed between the bump-attached chip (2a) and the electrode (42) of the substrate (4) by the concave portion of the unevenness. Since the bump (22) or the resin layer (13) has room to move in this gap, the bump (22) can be connected while being crushed. Therefore, in this embodiment, the connection reliability can be improved compared to the case of bonding a bump attachment chip (2a) having a smooth plane made of a bump (22) and a resin layer (13).

(다이싱 공정)(Dicing process)

다이싱 공정에서는, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 다이싱 블레이드에 의해 범프 부착 웨이퍼 (2) 를 다이싱한다. 이와 같이 하여, 범프 부착 웨이퍼 (2) 를 범프 부착 칩 (2a) 으로 개편화할 수 있다.In the dicing process, as shown in Fig. 4b, the bump-attached wafer (2) is diced by a dicing blade. In this way, the bump-attached wafer (2) can be divided into bump-attached chips (2a).

다이싱 장치는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 다이싱 장치를 사용할 수 있다. 또한, 다이싱의 조건에 대해서도, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 다이싱 블레이드를 사용한 다이싱법 대신에, 레이저 다이싱법 및 스텔스 다이싱법 등을 사용해도 된다.The dicing device is not particularly limited, and a known dicing device can be used. Also, the conditions for dicing are not particularly limited. In addition, instead of the dicing method using a dicing blade, a laser dicing method, a stealth dicing method, etc. can be used.

(본딩 공정)(bonding process)

본딩 공정에서는, 도 4c에 나타내는 바와 같이, 다이싱에 의해 개편화한 범프 부착 칩 (2a) 을 픽업하고, 기재 (41) 와 전극 (42) 을 구비하는 기판 (4) 에 접착 고정한다. 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 (22) 는, 수지층 (13) 이 제거되고, 표면이 노출되어 있기 때문에, 범프 (22) 와, 기판 (4) 의 전극 (42) 을 전기적으로 접속할 수 있다.In the bonding process, as shown in Fig. 4c, a bump-attached chip (2a) that has been cut into pieces by dicing is picked up and bonded and fixed to a substrate (4) having a base (41) and an electrode (42). Since the bump (22) of the bump-attached chip (2a) has its surface exposed by removing the resin layer (13), the bump (22) and the electrode (42) of the substrate (4) can be electrically connected.

기판 (4) 으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 리드 프레임, 배선 기판, 및, 표면에 회로가 형성된 실리콘 웨이퍼, 및 실리콘 칩 등을 이용할 수 있다. 기재 (41) 의 재질로서는, 특별히 한정되지 않지만, 세라믹 및 플라스틱 등을 들 수 있다. 또한, 플라스틱으로서는, 에폭시, 비스말레이미드트리아진, 및 폴리이미드 등을 들 수 있다.As the substrate (4), there are no particular limitations, but lead frames, wiring boards, silicon wafers having circuits formed on the surface, silicon chips, etc. can be used. As the material of the substrate (41), there are no particular limitations, but ceramics, plastics, etc. can be used. In addition, as the plastic, epoxy, bismaleimidetriazine, polyimide, etc. can be used.

본딩 공정에 있어서는, 필요에 따라, 가열 처리를 실시하여, 수지층 (13) 의 접착제를 경화시켜도 된다.In the bonding process, if necessary, heat treatment may be performed to harden the adhesive of the resin layer (13).

가열 처리의 조건은, 접착제의 종류 등에 따라, 적절히 설정할 수 있다.The conditions for heat treatment can be set appropriately depending on the type of adhesive, etc.

본딩 공정에서는, 필요에 따라서, 리플로우 처리를 실시하여, 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 (22) 를 용융시켜, 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 을 땜납 접합시켜도 된다.In the bonding process, if necessary, reflow treatment may be performed to melt the bump (22) of the bump-attached chip (2a), thereby solder-bonding the bump-attached chip (2a) and the substrate (4).

리플로우 처리의 조건은, 땜납의 종류 등에 따라, 적절히 설정할 수 있다.The conditions for reflow processing can be set appropriately depending on the type of solder, etc.

이상과 같이 하여, 반도체 장치 (100) 를 제조할 수 있다.In this manner, a semiconductor device (100) can be manufactured.

(제 1 실시형태의 작용 효과)(Effect of the first embodiment)

본 실시 형태에 따르면, 다음과 같은 작용 효과를 발휘할 수 있다.According to this embodiment, the following effects can be achieved.

(1) 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 레이저 조사에 의해, 간편하고 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 범프 (22) 의 측방으로부터 본 단면 형상이 반원형, 반타원형, 원형, 직사각형 또는 사다리꼴인 경우에도, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거할 수 있다.(1) The resin layer (13) covering the surface of the bump (22) can be easily and efficiently removed by laser irradiation. In addition, even when the cross-sectional shape of the bump (22) as viewed from the side is a semicircle, a semi-ellipse, a circle, a rectangle, or a trapezoid, the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) can be removed.

(2) 레이저 조사법에 의하면, 레이저 (LB) 의 조사 위치를 제어하기 쉽고, 수지층 (13) 중, 제거가 필요한 지점에 레이저 (LB) 를 선택적으로 조사할 수 있기 때문에, 범프 부착 웨이퍼 (2) 의 본래 보호하고자 하는 부분의 열화 및 손상을 방지할 수 있다.(2) According to the laser irradiation method, it is easy to control the irradiation position of the laser (LB), and the laser (LB) can be selectively irradiated to a point among the resin layer (13) that needs to be removed, so that deterioration and damage to the part of the bump-attached wafer (2) that was originally intended to be protected can be prevented.

(3) 레이저 조사법에 의하면, 연삭법과 같이 다이서, 그라인더, 또는 서피스 플레이너가 범프 (22) 를 덮는 수지층 (13) 에 접촉하지 않기 때문에, 범프 (22) 의 위치 어긋남, 및 범프 (22) 의 탈락을 방지할 수 있다.(3) According to the laser irradiation method, unlike the grinding method, since the dicer, grinder, or surface planer does not come into contact with the resin layer (13) covering the bump (22), misalignment of the bump (22) and detachment of the bump (22) can be prevented.

(4) 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 이 제거되고, 표면이 노출된 범프 (22) 와, 기판 (4) 의 전극 (42) 을 전기적으로 접속함으로써, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치 (100) 가 얻어진다.(4) The resin layer (13) covering the surface of the bump (22) is removed, and by electrically connecting the bump (22) with the exposed surface and the electrode (42) of the substrate (4), a semiconductor device (100) with excellent connection reliability is obtained.

(5) 또한, 범프 (22) 의 두정부를 덮는 수지층 (13) 뿐만 아니라, 노출시킨 두정부에도 레이저 (LB) 를 조사하여 범프 (22) 의 선단 부분을 제거함으로써, 범프 (22) 의 높이를 임의의 균일한 높이로 맞출 수도 있다. 범프 (22) 의 높이를 임의의 균일한 높이로 맞추면, 범프 (22) 의 높이나 그 편차에 의해 발생할 수 있는 접속 불량도 방지할 수 있다. 이와 같이 하여, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 얻어진다.(5) In addition, by irradiating the exposed top portion with a laser (LB) as well as the resin layer (13) covering the top portion of the bump (22) to remove the tip portion of the bump (22), the height of the bump (22) can be adjusted to any uniform height. By adjusting the height of the bump (22) to any uniform height, connection failure that may occur due to the height of the bump (22) or its deviation can also be prevented. In this way, a semiconductor device with excellent connection reliability is obtained.

(6) 수지 제거 공정에 있어서는, 범프 부착 웨이퍼 (2) 가 다이싱 테이프 (3) 에 접착된 상태에서 레이저 (LB) 가 범프 (22) 에 조사되기 때문에, 레이저 (LB) 의 조사 시에 범프 (22) 의 위치가 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 범프 (22) 를 덮는 수지층 (13) 에 대한 레이저 (LB) 의 초점의 위치 어긋남이 억제되어, 보다 확실하게 수지층 (13) 을 제거할 수 있다.(6) In the resin removal process, since the laser (LB) is irradiated to the bump (22) while the bump-attached wafer (2) is adhered to the dicing tape (3), the position of the bump (22) can be suppressed from being misaligned when the laser (LB) is irradiated. As a result, the positional misalignment of the focus of the laser (LB) with respect to the resin layer (13) covering the bump (22) is suppressed, and the resin layer (13) can be removed more reliably.

(7) 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 형성면 (2A) 에, 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 을 접착하기 위한 접착제층 (수지층 (13)) 을 형성할 수 있다.(7) An adhesive layer (resin layer (13)) for bonding the bump attachment chip (2a) and the substrate (4) can be formed on the bump formation surface (2A) of the bump attachment chip (2a).

(8) 범프 부착 웨이퍼 (2) 에 수지층 (13) 을 형성하고, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거한 후에, 범프 부착 칩 (2a) 으로 개편화하고 있기 때문에, 복수의 범프 부착 칩 (2a) 에 통합하여 수지층 (13) 을 형성할 수 있다.(8) Since a resin layer (13) is formed on a bump-attached wafer (2), and the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) is removed and then broken down into bump-attached chips (2a), it is possible to form a resin layer (13) by integrating a plurality of bump-attached chips (2a).

[제 2 실시형태][Second embodiment]

다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described based on the drawings.

또한, 본 실시형태의 접착 시트 (1), 및 기판 (4) 은, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 접착 시트 (1), 및 기판 (4) 과 각각 실질적으로 동일하기 때문에, 그 상세한 설명은 생략 또는 간략화한다.In addition, since the adhesive sheet (1) and the substrate (4) of the present embodiment are substantially the same as the adhesive sheet (1) and the substrate (4) of the first embodiment, their detailed descriptions are omitted or simplified.

도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d는, 제 2 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 설명도이다.FIG. 5a, FIG. 5b, FIG. 5c, and FIG. 5d are explanatory drawings showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment.

상기 제 1 실시 형태에서는, 범프 부착 웨이퍼 (2) 에 수지층 (13) 을 형성한 후에, 레이저 조사하여 수지층 (13) 을 제거하고, 그 후, 다이싱에 의해 범프 부착 칩 (2a) 으로 개편화하였다. 이에 비해, 제 2 실시 형태에서는, 미리 개편화된 범프 부착 칩 (2a) 에 수지층 (13) 을 형성한 후에, 레이저 (LB) 를 수지층 (13) 에 조사한다.In the first embodiment described above, after forming a resin layer (13) on a bump-attached wafer (2), a laser is irradiated to remove the resin layer (13), and then the bump-attached chip (2a) is divided into pieces by dicing. In contrast, in the second embodiment, after forming a resin layer (13) on a pre-divided bump-attached chip (2a), a laser (LB) is irradiated to the resin layer (13).

본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 우선, 복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성한다. 구체적으로는, 도 5a, 및 도 5b에 나타내는 바와 같이, 접착 시트 (1) 의 수지층 (13) 을 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 형성면 (2A) 에 첩합하는 공정 (접착 시트 첩착 공정) 과, 접착 시트 (1) 의 지지체층 (11), 및 점착제층 (12) 을, 수지층 (13) 으로부터 박리하는 공정 (지지체 박리 공정) 을 구비하는 방법에 의해, 복수의 범프 (22) 가 형성되어 있는 범프 부착 칩 (2a) 의 범프 형성면 (2A) 에 수지층 (13) 을 형성한다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, a resin layer (13) is formed on a bump formation surface (2A) of a bump attachment chip (2a) on which a plurality of bumps (22) are formed. Specifically, as shown in FIG. 5A and FIG. 5B, a resin layer (13) is formed on a bump formation surface (2A) of a bump attachment chip (2a) on which a plurality of bumps (22) are formed by a method including a step of bonding a resin layer (13) of an adhesive sheet (1) to a bump formation surface (2A) of a bump attachment chip (2a) (adhesive sheet bonding step), and a step of peeling a support layer (11) and an adhesive layer (12) of the adhesive sheet (1) from the resin layer (13) (support peeling step).

본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다음으로, 도 5c에 나타낸 바와 같이, 수지층 (13) 에 레이저 (LB) 를 조사하여, 범프 (22) 의 표면을 덮고 있는 수지층 (13) 을 제거한다 (수지 제거 공정). 그리고, 도 5d에 나타내는 바와 같이, 범프 부착 칩 (2a) 을 픽업하여 피착체인 기판 (4) 에 접착 고정한다 (본딩 공정). 수지 제거 공정과 본딩 공정을 구비하는 방법에 의해, 수지층 (13) 이 제거되고, 표면이 노출된 범프 (22) 와, 기판 (4) 의 전극 (42) 을 전기적으로 접속한다.In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, next, as shown in Fig. 5c, a laser (LB) is irradiated to the resin layer (13) to remove the resin layer (13) covering the surface of the bump (22) (resin removal process). Then, as shown in Fig. 5d, the bump-attached chip (2a) is picked up and bonded and fixed to the substrate (4) as an adherend (bonding process). By a method including the resin removal process and the bonding process, the resin layer (13) is removed, and the bump (22) whose surface is exposed and the electrode (42) of the substrate (4) are electrically connected.

본 실시형태에 있어서의 접착 시트 첩착 공정, 지지체 박리 공정, 수지 제거 공정, 및 본딩 공정에 대해서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 접착 시트 첩착 공정, 지지체 박리 공정, 플라즈마 처리 공정, 및 본딩 공정과 동일한 방법을 채용할 수 있다.For the adhesive sheet bonding process, the support peeling process, the resin removal process, and the bonding process in the present embodiment, the same methods as the adhesive sheet bonding process, the support peeling process, the plasma treatment process, and the bonding process in the first embodiment can be adopted.

본 실시형태에 의하면, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 작용 효과 (1) ∼ (7) 과 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.According to this embodiment, the same operational effects as those (1) to (7) in the first embodiment can be achieved.

[실시 형태의 변형][Variation of the implementation form]

본 발명은 전술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, etc. within the scope that can achieve the purpose of the present invention are included in the present invention.

예를 들어, 전술한 실시형태에서는, 수지 제거 공정에 있어서, 수지층 (13) 과 함께 범프 (22) 의 일부를 레이저 조사에 의해 제거하는 양태를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이와 같은 양태에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 다른 양태에 있어서는, 수지 제거 공정에 있어서, 수지층 (13) 만을 레이저 조사에 의해 제거해도 된다.For example, in the above-described embodiment, in the resin removal process, an aspect in which a part of the bump (22) is removed together with the resin layer (13) by laser irradiation has been described as an example, but the present invention is not limited to this aspect. That is, in another aspect of the present invention, in the resin removal process, only the resin layer (13) may be removed by laser irradiation.

전술한 실시형태에서는, 수지층 (13) 은, 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 을 접착하기 위한 접착제층으로서 형성되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명에 있어서는, 수지층을, 다양한 목적에 따라 형성할 수 있다. 예를 들어, 수지층 (13) 은 범프 부착 칩 (2a) 과 기판 (4) 의 접속을 보강하기 위한 언더필층으로서 형성되어도 된다. 또한, 수지층 (13) 은 범프 부착 웨이퍼 (2) 또는 범프 부착 칩 (2a) 을 보호하기 위한 보호층으로서 형성되어도 된다. 또한, 이러한 경우, 수지층 (13) 의 재료로서는, 언더필 또는 보호층의 재료로서 공지된 재료를 사용할 수 있다.In the above-described embodiment, the resin layer (13) is formed as an adhesive layer for bonding the bump-attached chip (2a) and the substrate (4), but is not limited to this. That is, in the present invention, the resin layer can be formed according to various purposes. For example, the resin layer (13) may be formed as an underfill layer for reinforcing the connection between the bump-attached chip (2a) and the substrate (4). In addition, the resin layer (13) may be formed as a protective layer for protecting the bump-attached wafer (2) or the bump-attached chip (2a). In addition, in such a case, a known material as a material of an underfill or a protective layer can be used as the material of the resin layer (13).

전술한 실시 형태에서는, 수지층 (13) 은 범프 부착 칩 (2a) 및 기판 (4) 의 양방에 접하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지층 (13) 이 범프 부착 칩 (2a) 을 보호하기 위한 보호층으로서 형성되는 경우에는, 수지층 (13) 은 범프 부착 칩 (2a) 에 접하고 있으면 되고, 기판 (4) 에 접하고 있지 않아도 된다.In the above-described embodiment, the resin layer (13) is in contact with both the bump-attached chip (2a) and the substrate (4), but this is not limited thereto. For example, when the resin layer (13) is formed as a protective layer for protecting the bump-attached chip (2a), the resin layer (13) only needs to be in contact with the bump-attached chip (2a), and does not need to be in contact with the substrate (4).

전술한 실시형태에서는, 범프 부착 부재로서 범프 부착 웨이퍼 (2) 를 이용하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 범프 부착 부재는 범프를 갖는 패키지 (예를 들면, BGA (Ball grid array), CSP (Chip size package) 등) 여도 된다.In the above-described embodiment, a bump attachment wafer (2) is used as a bump attachment member, but it is not limited to this. For example, the bump attachment member may be a package having bumps (e.g., BGA (Ball grid array), CSP (Chip size package), etc.).

전술한 실시형태에서는, 접착 시트 (1) 를 사용하여 수지층 (13) 을 범프 형성면 (2A) 에 형성하고, 범프 (22) 를 덮고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물을 범프 형성면 (2A) 에 도포하고 경화시킴으로써 수지층 (13) 을 형성하고, 범프 (22) 를 덮어도 된다.In the above-described embodiment, the resin layer (13) is formed on the bump forming surface (2A) using the adhesive sheet (1) and covers the bump (22), but this is not limited to this. For example, the resin layer (13) may be formed by applying a resin composition to the bump forming surface (2A) and curing it, and the bump (22) may be covered.

전술한 실시형태에서는, 지지체층 (11), 점착제층 (12), 및 수지층 (13) 을 구비하는 접착 시트 (1) 를 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 접착 시트 (1) 는 지지체층 (11) 및 수지층 (13) 을 구비하고, 점착제층 (12) 을 구비하지 않는 접착 시트여도 된다. 이 경우, 지지체 박리 공정에 있어서, 수지층 (13) 으로부터 지지체층 (11) 을 박리하면 된다.In the above-described embodiment, an adhesive sheet (1) having a support layer (11), an adhesive layer (12), and a resin layer (13) is used, but the present invention is not limited thereto. For example, the adhesive sheet (1) may be an adhesive sheet having a support layer (11) and a resin layer (13), but not having an adhesive layer (12). In this case, in the support peeling step, the support layer (11) may be peeled from the resin layer (13).

전술한 제 2 실시 형태의 수지 제거 공정에 있어서는, 범프 부착 칩 (2a) 을 고정하기 위한 고정 부재 (예를 들어, 흡착 테이블, 점착 시트 등) 에 고정한 상태에서 레이저 (LB) 를 수지층 (13) 에 조사해도 된다. 수지층 (13) 을 제거한 후, 고정 부재로부터 범프 부착 칩 (2a) 을 픽업하여, 본딩 공정을 실시해도 된다.In the resin removal process of the second embodiment described above, the laser (LB) may be irradiated onto the resin layer (13) while the bump-attached chip (2a) is fixed to a fixing member (e.g., a suction table, an adhesive sheet, etc.) for fixing the bump-attached chip. After the resin layer (13) is removed, the bump-attached chip (2a) may be picked up from the fixing member and a bonding process may be performed.

실시예Example

이하에, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 전혀 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The present invention is not limited to these examples at all.

[보호막 형성용 시트][Sheet for forming a protective film]

수지층으로서의 보호막 형성용 시트를 이하와 같이 제작하였다.A sheet for forming a protective film as a resin layer was produced as follows.

우선, 하기 (a), (b), (c), (d) 및 (e) 성분을 하기 배합비 (고형분 환산) 로 혼합하여 혼합물을 얻었다. 이 혼합물을 메틸에틸케톤에 의하여 희석하여, 고형분 농도가 55질량%인 보호막 형성 필름용 도포제를 조제하였다. 이 보호막 형성 필름용 도포제를 도포하고, 건조시켜, 두께가 30μm인 보호막 형성용 시트를 얻었다.First, the following components (a), (b), (c), (d), and (e) were mixed in the following mixing ratio (converted to solid content) to obtain a mixture. This mixture was diluted with methyl ethyl ketone to prepare a coating agent for a protective film-forming film having a solid content concentration of 55 mass%. This coating agent for a protective film-forming film was applied and dried to obtain a protective film-forming sheet having a thickness of 30 μm.

(a) 바인더 폴리머 (폴리비닐부티랄 수지)(a) Binder polymer (polyvinyl butyral resin)

배합비: 9.9질량%Mixing ratio: 9.9 mass%

(b) 에폭시 수지(b) epoxy resin

배합비: 62.8질량%Mixing ratio: 62.8 mass%

(c) 페놀 수지(c) phenol resin

배합비: 18.1질량%Mixing ratio: 18.1 mass%

(d) 경화촉진제 (이미다졸계 화합물)(d) Curing accelerator (imidazole compound)

배합비: 0.2질량%Mixing ratio: 0.2 mass%

(e) 실리카 필러(e) Silica filler

배합비: 9질량%Mixing ratio: 9 mass%

[보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 제작][Fabrication of a bump-attached chip with a protective film attached]

보호막이 첩부된 범프 부착 칩 (보호막이 첩부된 범프 부착 칩) 은 다음과 같이 제작하였다.The bump-attached chip with a protective film attached (bump-attached chip with a protective film attached) was manufactured as follows.

점착제층을 구비한 지지체층으로서의 첩부 테이프와, 수지층으로서의 보호막 형성용 시트 (두께 : 30 μm) 를 적층시켜, 접착 시트를 제조하였다. 첩부 테이프로서, 린텍 주식회사 제조의 E-8510HR (제품명) 을 사용하였다.An adhesive sheet was manufactured by laminating an adhesive tape as a support layer having an adhesive layer and a protective film-forming sheet (thickness: 30 μm) as a resin layer. As the adhesive tape, E-8510HR (product name) manufactured by Lintec Co., Ltd. was used.

이 접착 시트를 하기의 첩부 조건으로, 범프 부착 부재로서의 하기 범프 부착 칩에 첩부했다.This adhesive sheet was attached to the following bump attachment chip as a bump attachment member under the following attachment conditions.

·첩부 조건·Conditions of attachment

 장치: 롤러식 라미네이터 (린텍 주식회사 제조, 제품명: RAD-3510F/12)Device: Roller-type laminator (manufactured by Lintec Co., Ltd., product name: RAD-3510F/12)

온도 : 90 ℃Temperature: 90℃

압력: 0.5MPaPressure: 0.5MPa

속도: 2mm/secSpeed: 2mm/sec

·범프 부착 칩·Bump attachment chip

범프 종류: 볼 범프Bump Type: Ball Bump

범프 높이: 200μmBump height: 200μm

범프 직경: 250μmBump diameter: 250μm

범프 피치: 600μmBump pitch: 600μm

범프 부착 칩에 접착 시트를 첩부한 후, 린텍 주식회사 제조의 RAD-2700 (제품명) 을 이용하여, 접착 시트측으로부터 UV를 조사하고, 첩부 테이프만을 박리하여, 보호막 형성용 시트가 첩부된 범프 부착 칩을 얻었다. 그 후, 보호막 형성용 시트가 첩부된 범프 부착 칩을 130℃, 0.5MPa, 2시간의 조건으로 처리하여 보호막이 첩부된 범프 부착 칩을 얻었다.After attaching an adhesive sheet to a bump-attached chip, UV was irradiated from the adhesive sheet side using RAD-2700 (product name) manufactured by Lintec Co., Ltd., and only the adhesive tape was peeled off to obtain a bump-attached chip to which a protective film-forming sheet was attached. Thereafter, the bump-attached chip to which the protective film-forming sheet was attached was treated under the conditions of 130°C, 0.5 MPa, and 2 hours to obtain a bump-attached chip to which a protective film was attached.

[실시예 1][Example 1]

보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프 두정부에, 하기의 장치를 사용하여 하기 조건으로 레이저를 조사하여, 범프 두정부의 보호막 (수지층에 상당) 을 제거하였다.The protective film (equivalent to a resin layer) on the bump head of a bump-attached chip with a protective film attached was removed by irradiating a laser on the bump head using the following device under the following conditions.

·레이저 조사의 조건·Conditions of laser irradiation

장치: 레이저 마커 (주식회사 EO 테크닉스 제조, 제품명: EO-CSM CSM 3002 FC)Device: Laser Marker (manufactured by EO Technics Co., Ltd., product name: EO-CSM CSM 3002 FC)

레이저 종류: YVO4 Laser Type: YVO 4

출력: 1.27WOutput: 1.27W

주파수: 20000HzFrequency: 20000Hz

주사속도: 200mm/sInjection speed: 200mm/s

레이저 조사 후의 보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프의 표면을, 주사형 전자현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 하기 기준에 따라, 보호막의 제거성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.The bump surface of the bump-attached chip with the protective film attached after laser irradiation was observed using a scanning electron microscope (SEM), and the removability of the protective film was evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 1.

A: 범프 두정부를 덮는 보호막이 제거되어, 두정부의 노출을 확인할 수 있었다.A: The protective film covering the top of the bump was removed, revealing the top of the bump exposed.

B: 범프 두정부를 덮는 보호막이 제거되지 않고 남아 있다.B: The protective film covering the bump crown remains unremoved.

C: 범프 두정부를 덮는 보호막뿐만 아니라, 본래 보호하고자 하는 부분의 보호막도 제거되었다.C: Not only the protective film covering the bump crown, but also the protective film of the part originally intended to be protected was removed.

D: 칩 상의 범프의 위치가 어긋나거나, 탈락하거나 했다.D: The position of the bump on the chip is misaligned or has fallen off.

[실시예 2 및 3][Examples 2 and 3]

표 1 에 나타내는 조건에 따라, 레이저 조사의 조건을 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 범프 두정부의 보호막을 제거하였다.According to the conditions shown in Table 1, the protective film on the top of the bump was removed in the same manner as in Example 1, except that the conditions of laser irradiation were changed.

레이저 조사 후의 보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프의 표면을, 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 실시예 1 과 동일한 기준에 따라 보호막의 제거성을 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.The surface of the bump of the bump-attached chip with the protective film attached after laser irradiation was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the removability of the protective film was evaluated according to the same criteria as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

[비교예 1][Comparative Example 1]

레이저 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 보호막이 첩부된 범프 부착 칩을 얻었다.A bump-attached chip with a protective film attached was obtained in the same manner as Example 1, except that laser irradiation was not performed.

보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프의 표면을, 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 실시예 1 과 동일한 기준에 따라 보호막의 제거성을 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.The surface of the bump of the bump-attached chip to which the protective film was attached was observed using a scanning electron microscope (SEM), and the removability of the protective film was evaluated according to the same criteria as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

[비교예 2][Comparative Example 2]

레이저 조사를 행하지 않고, 하기 조건으로 플라즈마 조사한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 보호막이 첩부된 범프 부착 칩을 얻었다.A bump-attached chip with a protective film attached was obtained in the same manner as Example 1, except that laser irradiation was not performed and plasma irradiation was performed under the following conditions.

플라즈마 조사 후의 보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프의 표면을, 주사형 전자현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 실시예 1 과 동일한 기준에 따라, 보호막의 제거성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.The surface of the bump of the bump-attached chip to which the protective film was attached after plasma irradiation was observed using a scanning electron microscope (SEM), and the removability of the protective film was evaluated according to the same criteria as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

·플라즈마 조사의 조건·Conditions for plasma investigation

 처리 가스: SF6 Processing gas: SF 6

 처리 가스의 유량: 40㎤/minFlow rate of processing gas: 40㎤/min

 처리 압력: 100PaProcessing pressure: 100Pa

 출력: 250WOutput: 250W

 처리 시간: 15분간Processing time: 15 minutes

 퍼지: 1회Purge: 1 time

[비교예 3][Comparative Example 3]

레이저 조사를 행하지 않고, 보호막이 첩부된 범프 부착 칩을 양면 테이프로 지그에 고정하여 하기 조건으로 그라인더 연삭에 의해 범프를 덮는 보호막을 제거한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 보호막이 첩부된 범프 부착 칩을 얻었다.A bump-attached chip with a protective film attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that the bump-attached chip with a protective film attached was fixed to a jig with double-sided tape without performing laser irradiation and the protective film covering the bump was removed by grinding under the following conditions.

그라인더 연삭 후의 보호막이 첩부된 범프 부착 칩의 범프의 표면을, 주사형 전자현미경 (SEM) 으로 관찰하고, 실시예 1 과 동일한 기준에 따라, 보호막의 제거성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.The bump surface of the bump-attached chip with the protective film attached after grinding with a grinder was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the removability of the protective film was evaluated according to the same criteria as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.

·그라인더 연삭의 조건·Conditions for grinder grinding

 장치: 리파인테크 주식회사 제조 리파인폴리셔 HVDevice: Refine Tech Co., Ltd., Refine Polisher HV

 연마지: #120 (리파인테크 주식회사 제조 내수 연마지)Abrasive paper: #120 (domestic abrasive paper manufactured by Refintech Co., Ltd.)

 회전수: 200rpmRotation speed: 200rpm

 가중: 2NWeight: 2N

Figure 112021060268098-pct00001
Figure 112021060268098-pct00001

실시예 1~3 에 의하면, 범프 부착 부재로서의 범프 부착 칩의 본래 보호하고자 하는 부분의 열화, 및 손상을 방지하고, 범프 두정부의 보호막을 선택적으로 제거할 수 있었다. 또한, 실시예 1 ∼ 3 에 의하면, 칩 상의 범프의 위치 어긋남, 및 탈락이 발생하지 않았다. 그 때문에, 실시예 1 ∼ 3 의 방법에 의해, 수지층이 제거되고, 표면이 노출된 범프와 기판의 전극을 전기적으로 접속함으로써, 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to Examples 1 to 3, deterioration and damage of the original protected portion of the bump attachment chip as the bump attachment member were prevented, and the protective film on the bump crown was selectively removed. Furthermore, according to Examples 1 to 3, misalignment and detachment of the bump on the chip did not occur. Therefore, by the method of Examples 1 to 3, by removing the resin layer and electrically connecting the bump with the exposed surface and the electrode of the substrate, it is possible to manufacture a semiconductor device having excellent connection reliability.

비교예 1 에 관해서는, 보호막을 제거할 수 없었다.As for Comparative Example 1, the protective film could not be removed.

비교예 2 에 관해서는, 범프 두정부를 덮는 보호막뿐만 아니라, 본래 보호하고자 하는 부분의 보호막도 제거되었다.As for Comparative Example 2, not only the protective film covering the bump crown, but also the protective film of the part originally intended to be protected was removed.

비교예 3 에 관해서는, 그라인더에 의한 기계적 부하가 범프에 가해졌기 때문에, 범프가 칩으로부터 탈락하였다.As for Comparative Example 3, the bump was detached from the chip because a mechanical load by the grinder was applied to the bump.

산업상 이용가능성Industrial applicability

본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 이용할 수 있다.The present invention can be used in a method for manufacturing a semiconductor device.

13 : 수지층
2 : 범프 부착 웨이퍼 (범프 부착 부재)
22 : 범프
2a : 범프 부착 칩 (범프 부착 부재)
4 : 기판
42 : 전극
100 : 반도체 장치
13: Resin layer
2: Bump attached wafer (bump attached member)
22 : Bump
2a: Bump Attachment Chip (Bump Attachment Component)
4: Substrate
42 : Electrode
100 : Semiconductor Device

Claims (6)

복수의 범프가 형성되어 있는 범프 부착 부재의 범프 형성면에 수지층을 형성하는 공정과,
상기 수지층에 레이저를 조사하여, 상기 범프의 표면을 덮고 있는 상기 수지층을 제거하는 공정을 구비하고,
상기 수지층을 제거하는 공정은, 상기 레이저에 의해 상기 범프의 두정부를 덮는 상기 수지층뿐만 아니라, 노출시킨 상기 두정부에도 상기 레이저를 조사하여 상기 범프의 선단 부분을 제거하는 공정인 반도체 장치의 제조 방법.
A process for forming a resin layer on a bump forming surface of a bump attachment member in which multiple bumps are formed,
A process of removing the resin layer covering the surface of the bump by irradiating the resin layer with a laser is provided.
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the process for removing the resin layer is a process for removing a tip portion of the bump by irradiating the laser not only to the resin layer covering the top portion of the bump but also to the exposed top portion.
제 1 항에 있어서,
상기 범프 형성면의 반대측의 면에 다이싱 테이프를 첩합하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
In the first paragraph,
A method for manufacturing a semiconductor device further comprising a process of bonding a dicing tape to a surface opposite to the bump formation surface.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수지층이 제거되고, 표면이 노출된 상기 범프와, 기판의 전극을 전기적으로 접속하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
In claim 1 or 2,
A method for manufacturing a semiconductor device further comprising a process of electrically connecting the bump, the surface of which is exposed after the resin layer is removed, and the electrode of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 수지층을 제거하는 공정에서는, 복수의 상기 범프의 높이를 조정하는 반도체 장치의 제조 방법.
In claim 1 or 2,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the heights of a plurality of bumps are adjusted in a process of removing the resin layer.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 레이저는 Yb 레이저, YVO 레이저, YAG 레이저 또는 CO2 레이저인 반도체 장치의 제조 방법.
In claim 1 or 2,
A method for manufacturing a semiconductor device wherein the laser is a Yb laser, a YVO laser, a YAG laser or a CO2 laser.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 레이저의 조사 조건으로서,
출력이 1W 이상 2W 이하이고,
주파수가 10kHz 이상 100kHz 이하이고,
주사 속도가 50mm/s 이상 4000mm/s 이하인 반도체 장치의 제조 방법.
In claim 1 or 2,
As the irradiation conditions of the above laser,
The output is 1W or more and 2W or less,
The frequency is 10 kHz or more and 100 kHz or less,
A method for manufacturing a semiconductor device having an injection speed of 50 mm/s or more and 4000 mm/s or less.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194431A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-08 リンテック株式会社 Method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137322B2 (en) * 1996-07-12 2001-02-19 富士通株式会社 Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing mold, and semiconductor device
US6260264B1 (en) 1997-12-08 2001-07-17 3M Innovative Properties Company Methods for making z-axis electrical connections
JP3767398B2 (en) * 2001-03-19 2006-04-19 カシオ計算機株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006156794A (en) 2004-11-30 2006-06-15 Sony Corp Method and structure of joining semiconductor device
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN101829850A (en) * 2010-04-01 2010-09-15 深圳市大族激光科技股份有限公司 Method for processing blind hole
JP2012069734A (en) * 2010-09-24 2012-04-05 Toshiba Corp Manufacturing method of semiconductor device
JP2015516672A (en) * 2012-02-26 2015-06-11 ソレクセル、インコーポレイテッド System and method for laser splitting and equipment layer relocation
CN103407155B (en) * 2013-08-28 2016-08-17 浙江伟星实业发展股份有限公司 Frosted resin and preparation method thereof
JP2017084903A (en) 2015-10-26 2017-05-18 リンテック株式会社 Method of manufacturing semiconductor device
JP2017103362A (en) 2015-12-02 2017-06-08 リンテック株式会社 Semiconductor device manufacturing method
CN108373694B (en) * 2016-11-10 2021-08-17 株式会社迪思科 Resin agent for forming protective film and laser processing method
JP6821261B2 (en) * 2017-04-21 2021-01-27 株式会社ディスコ Processing method of work piece

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194431A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-08 リンテック株式会社 Method for manufacturing semiconductor device

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