[go: up one dir, main page]

KR102618842B1 - 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법 - Google Patents

고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102618842B1
KR102618842B1 KR1020197015825A KR20197015825A KR102618842B1 KR 102618842 B1 KR102618842 B1 KR 102618842B1 KR 1020197015825 A KR1020197015825 A KR 1020197015825A KR 20197015825 A KR20197015825 A KR 20197015825A KR 102618842 B1 KR102618842 B1 KR 102618842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
resin
insulating material
material containing
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020197015825A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190082839A (ko
Inventor
타케노리 와타베
요코 마츠오
히로시 하시가미
히로유키 오츠카
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20190082839A publication Critical patent/KR20190082839A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102618842B1 publication Critical patent/KR102618842B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H01L31/0481—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/804—Materials of encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing atoms other than carbon or hydrogen
    • C08L23/0853—Ethene vinyl acetate copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01L31/022441—
    • H01L31/18—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

본 발명은, 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 갖는 태양전지셀로서, 적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복되어 있으며, 상기 절연재료를 포함하는 재료는, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지셀이다. 이에 따라, EVA를 이용해도, 시간경과에 따른 광전변환효율 저하를 억제하는 태양전지셀 및 이것을 이용한 태양전지모듈이 제공된다.

Description

고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법
본 발명은, 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법에 관한 것이다.
단결정 N형 실리콘기판을 이용한 고광전변환효율 태양전지의 개관을 도 2에, 단면구조의 모식도를 도 3에 나타낸다. 태양전지셀(이하, 간단히 태양전지라고도 칭한다)(200)은, N형 기판(110)의 수광면의 집전전극으로서, 핑거전극(이하, 간단히 핑거라고도 칭한다)(121, 322)이라 불리는 백~수십μm폭의 전극을 다수 갖는다. 인접핑거전극의 간격은 1~3mm 정도가 일반적이다. 또한, 태양전지셀을 연결하기 위한 집전전극으로서 버스바전극(이하, 간단히 버스바라고도 칭한다)(231)을 2~4개 갖는다. 이들 전극의 형성방법으로는, 증착법, 스퍼터법 등을 들 수 있으나, 비용면에서, Ag 등의 금속미립자를 유기바인더에 혼합한 금속페이스트를, 스크린판 등을 이용하여 인쇄하고, 수백도에서 열처리를 행하여 기판과 접착하는 방법이 널리 이용되고 있다. 전극 이외의 부분은 질화실리콘막 등의 반사방지막(345)으로 덮여 있다. 기판의 표면은 기판의 도전형과 반대인 P형층(312)이 형성된다. 이면측에도 핑거전극(323)이 형성되고, 전극 이외의 부분은 질화실리콘 등의 막(344)으로 덮여 있다. 이면의 최표층에는 기판과 동일한 도전형의 고농도 N형층(313)이 형성되어 있다.
또한, 추가로 고광전변환효율의 태양전지구조로는 이면전극형 태양전지가 있다. 이면전극형 태양전지(400)의 이면의 개관을 도 4에 나타낸다. 기판(110)의 이면에는, 에미터층(312) 및 베이스층(313)이 교호로 배열되고, 각각의 층 상을 따라 핑거전극(에미터전극(322), 베이스전극(323))이 마련되어 있다. 또한, 이들 전극으로부터 얻어지는 전류를 더욱 집전하기 위한 버스바전극(에미터용 버스바전극(432), 베이스용 버스바전극(433))이 마련되어 있다. 기능 상, 버스바전극은 핑거전극과 직교하고 있는 경우가 많다. 에미터층(312)의 폭은 수mm~수백μm, 베이스층(313)의 폭은 수백μm~수십μm이다. 또한, 전극폭은 수백~수십μm 정도가 일반적이다. 이면전극형 태양전지(400)의 단면구조의 모식도를 도 5에 나타낸다. 기판(110)의 이면의 최표층 근방에 에미터층(312) 및 베이스층(313)이 형성되어 있다. 에미터층(312) 및 베이스층(313)의 각 층두께는 겨우 1μm 정도이다. 각 층 상에는 핑거전극(322, 323)이 마련되고, 비전극영역(전극이 형성되지 않은 영역)의 표면은 질화실리콘막이나 산화실리콘막 등의 유전체막(이면보호막(344))으로 덮여 있다. 태양전지(400)의 수광면측에는 반사손실을 저감하는 목적으로, 반사방지막(345)이 마련된다. 수광면에 전극이 존재하지 않기 때문에, 입사광이 차단되는 일 없이 기판내에 들어가므로, 도 3의 구조에 비해 광전변환효율은 높아진다.
상기와 같은 태양전지는, 태양전지모듈로 가공된다. 도 10에 태양전지모듈의 일례의 개관을 나타낸다. 상기에 따라 제작된 태양전지(1000)는, 태양전지모듈(1060)내에서는 타일상으로 깔린 구조를 이룬다. 태양전지모듈(1060)내에서는, 인접하는 태양전지(1000)끼리가 수매~수10매 전기적으로 직렬로 접속되고, 스트링이라 불리는 직렬회로를 구성하고 있다. 스트링의 개관을 도 11에 나타낸다. 도 11은, 통상 눈에 띌 일이 없는 모듈내부 이면측의 모식도에 상당한다. 또한, 핑거나 버스바는 도시되어 있지 않다. 직렬접속으로 하기 때문에, 도 11에 나타낸 바와 같이, 인접하는 태양전지(1000)의 P버스바(기판의 P형층에 접합한 핑거전극에 접속되어 있는 버스바전극)와 N버스바(기판의 N형 층에 접합한 핑거전극에 접속되어 있는 버스바전극)끼리가 탭리드선(1161) 등으로 접속되어 있다. 태양전지모듈의 단면모식도를 도 12에 나타낸다. 상기 서술한 바와 같이 스트링은, 복수의 태양전지(1000)를, 버스바전극(231)에 탭리드선(1161)을 접속함으로써 구성된다. 이 스트링은, 통상 EVA(에틸렌비닐아세테이트) 등의 투광성의 충전제(1272)로 봉지되고, 비수광면측은 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 등의 내후성 수지필름(1273), 수광면은 소다라임유리 등의 투광성이고 기계적 강도가 강한 수광면보호재료(1271)로 덮여 있다.
일본특허공개 2013-58808호 공보
모듈의 충전제로서 EVA를 이용하면, 시간경과에 따른 모듈의 광전변환효율의 저하량이 큰 것이 알려져 있다. 모듈내에 적잖이 수분이 투과하여, EVA가 가수분해해서 아세트산을 발생시키고, 이 아세트산이 전극을 침범하기 때문으로 생각되고 있다.
특허문헌 1은, 전극과 도선을 접속하는 접착제로 전극표면을 덮고, 전극내부에도 접착제를 투입하여, 전극과 기판의 접착강도를 높이기 때문이다. 충전제와 전극의 직접 접촉을 회피시킨다는 의미에서는 유효한 방법이라고 할 수 있다. 그러나 이 방법에 따르면, 도선을 준비한다는 쓸데없는 공정이 필요해질 뿐만 아니라, 나아가, 도선과 전극의 위치맞춤이 용이하지 않다는 등의 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, EVA를 이용해도, 시간경과에 따른 광전변환효율 저하를 억제하는 태양전지셀 및 그 간이한 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 갖는 태양전지셀로서,
적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복되어 있으며,
상기 절연재료를 포함하는 재료는, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지셀을 제공한다.
이 태양전지셀을 이용하여 태양전지모듈을 제작하면, 절연재료를 포함하는 재료가 EVA와 전극의 직접 접촉을 방해하기 때문에, 시간경과에 따른 전극과 기판의 접착강도저하를 방지할 수 있다. 또한, 모듈제조공정 등에 있어서의 기판파손시에는, 절연재료를 포함하는 재료가 파손된 기판끼리를 붙들어 매는 역할을 하여, 파편제거를 위한 시간은 단축되고, 모듈제조시의 다운타임을 줄일 수 있다.
또한, 상기 절연재료를 포함하는 재료는 열경화성의 재료일 수 있다.
절연재료를 포함하는 재료는 열경화성인 것이 가공이 쉬우므로 바람직하다.
또한, 상기 절연재료를 포함하는 재료는, 적어도 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아(ユリア)수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발(ポバ-ル, PVA)수지로부터 하나 이상 선택된 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것일 수 있다.
이들 수지는, 화학적으로 안정되고 사용가능온도가 높고, 패턴형성이 용이하므로, 본 발명의 태양전지셀에서는, 절연재료를 포함하는 재료는 이들 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 주표면은, 상기 태양전지셀의 비수광면인 것이 바람직하다.
절연재료를 포함하는 재료가 광을 흡수하는 재료여도, 비수광면이면 광전변환특성은 저하되지 않는다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지셀이 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈을 제공한다.
이와 같이, 본 발명의 태양전지셀은 태양전지모듈에 내장할 수 있다.
이 경우, 상기 태양전지모듈이 충전제를 포함하는 것이며,
상기 충전제가 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료여도 된다.
본 발명의 태양전지모듈은, 충전제를 에틸렌비닐아세테이트로 해도, 시간경과에 따른 열화가 어렵다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 태양광발전시스템을 제공한다.
이와 같이, 본 발명의 태양전지셀을 내장한 태양전지모듈은 태양광발전시스템에 이용할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 형성하는 공정과,
적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복하는 공정을 포함하고,
상기 절연재료를 포함하는 재료로서, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지셀의 제조방법을 제공한다.
이 제조방법으로 제조된 태양전지셀을 이용하여 태양전지모듈을 제작하면, 절연재료를 포함하는 재료가 EVA와 전극의 직접 접촉을 방해하기 때문에, 시간경과에 따른 전극과 기판의 접착강도저하를 방지할 수 있다. 또한, 모듈제조공정 등에 있어서의 기판파손시에는, 절연재료를 포함하는 재료가 파손된 기판끼리를 붙들어 매는 역할을 하여, 파편제거의 시간은 완화되고, 모듈제조시의 다운타임을 줄일 수 있다.
또한, 상기 절연재료를 포함하는 재료로서 열경화성의 재료를 이용할 수 있다.
절연재료를 포함하는 재료는 열경화성인 것이 가공이 쉬우므로 바람직하다.
또한, 상기 절연재료를 포함하는 재료로서, 적어도 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지로부터 하나 이상 선택된 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것을 이용할 수 있다.
이들 수지는, 화학적으로 안정되고 사용가능온도가 높고, 패턴형성이 용이하므로, 본 발명의 태양전지셀의 제조방법에서는, 절연재료를 포함하는 재료는 이들 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 주표면을, 상기 태양전지셀의 비수광면으로 하는 것이 바람직하다.
절연재료를 포함하는 재료가 광을 흡수하는 재료여도, 비수광면이면 광전변환특성이 저하되지 않는다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지셀을 이용하고, 이 태양전지셀이 내장된 태양전지모듈을 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법을 제공한다.
이와 같이, 본 발명의 태양전지셀을 이용하여 태양전지모듈을 제조할 수 있다.
이 경우, 상기 태양전지모듈을 충전제를 포함하는 것으로 하고,
상기 충전제로서 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료를 이용해도 된다.
본 발명의 태양전지모듈의 제조방법이면, 충전제로서 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료를 이용해도, 시간경과에 따른 열화가 어려운 태양전지모듈을 제조할 수 있다.
본 발명의 태양전지셀은 높은 광전변환효율을 갖는 것이다. 특히, 본 발명의 태양전지셀은, 핑거전극을 EVA 이외의 절연재료를 포함하는 재료(가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것)로 피복한 것이므로, 장기간 사용해도 높은 광전변환효율을 유지할 수 있다. 본 발명의 태양전지셀의 제조방법이면, 비교적 간이한 방법으로 모듈화 후의 경시열화를 대폭 개선할 수 있다. 나아가, 재료로서 도전재료를 혼합한 것을 이용하면, 초기특성도 개선할 수 있다. 이면전극형 태양전지에 적용하는 경우에 있어서는, 공수(工數)의 증가도 없다. 또한, 태양전지셀의 기계적 강도를 개선할 수도 있다.
도 1은 본 발명에 따른, 핑거전극근방의 일례를 나타내는 단면모식도이다.
도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 양면전극형 태양전지의 개관도이다.
도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 양면전극형 태양전지의 단면모식도이다.
도 4는 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 이면전극형 태양전지의 이면개관도이다.
도 5는 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 이면전극형 태양전지의 단면모식도이다.
도 6은 본 발명에 따른, 이면전극형 태양전지의 일례를 나타내는 이면개관도이다.
도 7은 실시예 1에 있어서 절연재료를 핑거 상 및 상이한 도전형용의 버스바와 핑거가 교차하는 영역에 패턴상으로 인쇄한 후의 기판의 이면을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 2에 있어서 절연재료를 상이한 도전형용의 버스바와 핑거가 교차하는 영역에만 도포한 후의 기판의 이면을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시예 1, 2, 3에 있어서의 이면전극형 태양전지의 이면개관도이다.
도 10은 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 태양전지모듈의 개관도이다.
도 11은 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 태양전지모듈의 이면내부모식도이다.
도 12는 본 발명을 적용할 수 있는 일반적인 태양전지모듈의 단면모식도이다.
도 13은 본 발명에 따른, 태양광발전시스템의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 14는 본 발명에 따른, 실시예 1, 2, 3 및 비교예의 시간경과에 따른 광전변환효율의 변화를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
EVA(에틸렌비닐아세테이트)를 이용한 태양전지모듈은, 내습성이 불충분하고 경시변화에 따라 광전변환효율이 저하되는 것이 알려져 있다. 따라서, EVA를 이용해도, 시간경과에 따른 광전변환효율 저하를 억제하는 태양전지셀이 요구되고 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의검토를 행하였다. 그 결과,
반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 갖는 태양전지셀로서,
적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복되어 있으며,
상기 절연재료를 포함하는 재료는, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지셀이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
나아가, 상기와 같이, EVA를 이용해도, 시간경과에 따른 광전변환효율 저하를 억제하는 태양전지셀의 간이한 제조방법이 요구되고 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의검토를 행하였다. 그 결과,
반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 형성하는 공정과,
적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복하는 공정을 포함하고,
상기 절연재료를 포함하는 재료로서, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지셀의 제조방법이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
이하의 상세한 설명에서는, 본 발명의 전체의 이해, 및 특정의 구체예에서 어떻게 실시할지를 제공하기 위해, 많은 특정의 세부가 설명된다. 그러나, 본 발명은, 이들 특정의 세부 없이 실시할 수 있는 것이 이해될 것이다. 이하에서는, 공지의 방법, 순서, 및 기술은, 본 발명을 불명료하지 않도록 하기 위해, 상세하게는 나타내지 않는다. 본 발명은, 특정의 구체예에 대하여 특정의 도면을 참조하면서 설명되나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 여기에 포함되고 기재된 도면은 모식적이며, 본 발명의 범위를 한정하지 않는다. 또한 도면에 있어서, 도시 목적으로 몇 개의 요소의 크기는 과장되었으며, 이 때문에 축적대로는 아니다.
[태양전지셀]
본 발명의 태양전지셀의 특징을 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 태양전지셀의 핑거전극근방의 단면모식도이다. 본 발명의 태양전지셀은, 반도체기판(110)의 제1 주표면 상에 핑거전극(121)을 갖는다. 본 발명의 태양전지셀은, 핑거전극(121)의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료(절연재료를 포함하는 층)(151)로 피복되어 있다. 이 구조를 가짐으로써, 모듈화되었을 때, 전극은 충전제와 직접 접촉하지 않게 되므로, 충전제에 기인한 경시열화는 발생하지 않는다. 충전제에 기인한 경시열화란, 예를 들어, EVA가 흡습, 가수분해하여 아세트산을 발생하고, 이것이 전극을 침범하는 경우가 고려된다. 또한, 원인은 불명하나, PID(Potential Induced Degradation: 모듈에 고전압이 인가되는 것에 따른 모듈출력의 저하) 현상이 억제된다.
또한, 이 구조를 가짐으로써, 태양전지의 기계적 강도가 높아진다. 구체적으로는, 절연재료를 포함하는 재료(151)가 기판을 붙들어 매는 역할을 하므로, 기판을 파손시킨 경우의 파편의 수를 줄일 수 있다. 이는, 예를 들어 모듈제조시 등에 있어서의 기판파손시의 복구시간을 짧게 할 수 있고, 장치의 다운타임을 감소시킬 수 있다.
이러한 이유로부터, 절연재료를 포함하는 재료(151)는 적어도 전극을 덮을 정도의 폭이 있으면 되고, 예를 들어 최대폭이 전극폭보다 10~200μm 크고, 전극으로부터 측정한 두께는 1~20μm 있으면 된다. 또한, 전극이 피복되어 있기만 하면, 기판 전체면을 덮어도 상관없다.
또한, 절연재료를 포함하는 재료(151)는, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것이다. 이 재료를 이용하면, 절연재료를 포함하는 재료 자체에 의해 전극을 침범한다는 문제가 발생하지 않는다. 절연재료를 포함하는 재료는, 상기 성질을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 열경화성의 재료일 수 있다. 절연재료를 포함하는 재료는 열경화성인 것이 가공이 쉬우므로 바람직하다. 보다 구체적으로는, 절연재료를 포함하는 재료는, 적어도 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지로부터 하나 이상 선택된 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것으로 할 수 있다. 이들 재료의 혼합물이어도 상관없고, 금속분 등을 혼합하여, 타기능을 부여시켜도 된다. 이들 수지는, 화학적으로 안정되고 사용가능온도가 높고, 패턴형성이 용이하므로, 본 발명의 태양전지셀에서는, 절연재료를 포함하는 재료는 이들 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 한편, 상기의 수지 중, 가수분해하지 않은 것은 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지이다. 또한, 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것은 실리콘수지이다. 모듈화했을 때 열화되기 쉬우므로, EVA(즉, 가수분해했을 때에 아세트산을 발생시키는 것)는 사용할 수 없다.
상기 절연재료를 포함하는 재료가 광을 흡수하는 재료의 경우는, 비수광면측에 사용할 수 있다. 즉, 제1 주표면은, 태양전지셀의 비수광면인 것이 바람직하다. 비수광면측에 사용하면, 절연재료를 포함하는 재료에 의한 광전변환효율의 저하는 발생하지 않는다. 광(예를 들어 파장 300~1200nm 정도의 범위)을 흡수하지 않는 재료이면, 물론 수광면에 이용해도 전혀 문제없다. 또한, 수광면 및 비수광면의 양면에 있어서 절연재료를 포함하는 재료로 핑거전극을 피복해도 된다.
한편, 도시되어 있지 않으나, 전극 직하에는 고농도의 도펀트층이 형성되어 있어도 되고, 또한, 기판 표면에는 질화실리콘막과 같은 유전체막이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 태양전지셀에 있어서, 핑거전극의 배치는 특별히 한정되지 않는다. 본 발명은, 종래의 태양전지셀(도 2~5에 나타낸 구조)의 어느 것에나 적용할 수 있다. 즉, 도 2~5에 있어서 외부에 노출된 핑거전극을, 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복하고, 본 발명의 태양전지셀로 할 수 있다.
또한, 본 발명은, 도 6에 나타낸 버스바를 기판내에 복수개 배치한 구조에도 적용가능하다. 도 6은 본 발명에 따른, 이면전극형 태양전지의 일례를 나타내는 이면개관도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 태양전지(600)는, 반도체기판(110)을 구비한다. 여기서, 반도체기판(110)은 제1 도전형을 갖고 있다. 또한, 반도체기판(110)의 제1 주표면에, 제1 도전형과 반대의 도전형인 제2 도전형을 갖는 에미터층(312)과, 에미터층(312)에 접하는 에미터전극(322)과, 제1 도전형을 갖는 베이스층(313)과, 베이스층(313)에 접하는 베이스전극(323)과, 에미터층(312)과 베이스층(313)의 전기적 단락을 방지하는 절연막(605)을 구비한다. 또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 태양전지(600)는, 베이스전극(323)으로부터 얻어지는 전류를 추가로 집전하기 위한 베이스용 버스바전극(433)을 구비한다. 또한, 에미터전극(322)으로부터 얻어지는 전류를 추가로 집전하기 위한 에미터용 버스바전극(432)을 구비한다.
본 발명에서는, 도 6에 있어서 외부에 노출된 핑거전극을, 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복한다. 이 구조, 즉, 도 6의 핑거부가 절연재료를 포함하는 재료로 덮인 것을 나타낸 것이, 도 9이다. 도 9는 본 발명의 이면전극형 태양전지의 이면개관도이며, 후술하는 실시예에서는 이 구조의 이면전극형 태양전지를 제조하고 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 태양전지(900)는, 도 6에 있어서 외부에 노출된 핑거전극(베이스전극(323), 에미터전극(322))의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료(151)로 피복되어 있다. 도 9에 있어서의 절연재료를 포함하는 재료(151) 이외의 구성은 도 6과 동일하므로 설명을 생략한다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 절연재료를 포함하는 재료가 핑거전극을 따른 형상이어도 된다. 이 경우, 절연재료를 포함하는 재료를 전체면에 형성하는 경우에 비해, 절연재료를 포함하는 재료의 면적을 줄일 수 있다. 그 결과, 절연재료를 포함하는 재료의 사용량을 줄일 수 있어, 경제적이다. 한편, 절연재료를 포함하는 재료를 전체면에 형성할 수도 있다. 이 경우는, 절연재료를 포함하는 재료를 패턴형성할 필요가 없으므로, 간편하게 형성할 수 있고, 핑거전극과 절연재료를 포함하는 재료와의 위치맞춤을 할 필요가 없다.
이와 같이 본 발명의 태양전지셀은, 모듈화했을 때에, 충전제와 핑거전극의 사이에 절연재료를 포함하는 재료가 개재되므로, 충전제와 핑거전극이 접촉하지 않은 것이다. 따라서, 충전제에 기인한 경시열화는 발생하지 않는다.
[태양전지모듈]
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지셀이 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈을 제공한다. 이와 같이, 본 발명의 태양전지셀은 태양전지모듈에 내장할 수 있다. 태양전지모듈의 구조는 특별히 한정되지 않으나, 상기 서술한 도 10~12에 나타낸 구조로 할 수 있다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서는, 태양전지모듈(1060)에 있어서의 태양전지셀(1000)이, 탭리드선(1161)을 접속하는 개소 이외는 충전제(1272)로 피복되어 있어도 된다. 상기와 같이 본 발명의 태양전지셀은, 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복되어 있다. 따라서, 본 발명의 태양전지셀은, 모듈화되었을 때, 탭리드선(1161)을 접속하는 개소 이외가 충전제(1272)로 피복되어 있었다고 해도, 핑거전극과 충전제의 직접 접촉을 방지할 수 있다. 따라서, 충전제에 기인한 경시열화는 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명은 도 12에 나타낸 구조의 태양전지모듈에 적용할 수 있다.
이 경우, 태양전지모듈이 충전제를 포함하는 것이며, 충전제가 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료일 수도 있다. 상기와 같이, 본 발명의 태양전지모듈은, 충전제를 에틸렌비닐아세테이트로 해도, 시간경과에 따른 열화가 어렵다.
[태양전지셀의 제조방법]
이하에, 구체적인 태양전지제조방법을 N형 기판의 경우를 예로 설명한다. 한편, 이하에서는, 제1 주표면이 이면(비수광면)인 경우를 예로 설명한다.
우선, 고순도 실리콘에 인, 비소, 또는 안티몬과 같은 5가 원소를 도프하고, 비저항 0.1~5Ω·cm로 한 애즈컷(アズカット) 단결정{100} N형 실리콘기판을 준비한다. 단결정 실리콘기판은, CZ(Czochralski)법, FZ(Floating zone)법 어느 방법에 의해 제작되어도 된다. 기판은 반드시 단결정 실리콘일 필요는 없고, 다결정 실리콘이어도 상관없다.
다음에, 슬라이스 및 연삭시에 형성되는 기판표면의 기계적 데미지를, 농도 5~60%의 수산화나트륨이나 수산화칼륨과 같은 고농도의 알칼리, 혹은, 불산과 질산의 혼산 등을 이용하여 에칭한다. 다음 공정의 텍스처 형성조건에 따라서는, 이 공정은 반드시 필요한 것은 아니며, 생략하는 것도 가능하다.
계속해서, 기판 표면에 텍스처라고 불리는 미소한 요철형성을 행한다. 텍스처는 태양전지의 반사율을 저하시키기 위한 유효한 방법이다. 텍스처는, 가열한 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산칼륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 알칼리용액(농도 1~10%, 온도 60~90℃) 중에 10분에서 30분 정도 침지함으로써 제작된다. 상기 용액 중에, 소정량의 2-프로판올을 용해시켜, 반응을 촉진시키는 경우가 많다.
텍스처형성 후, 상기와 같이 텍스처를 형성한 기판을, 염산, 황산, 질산, 불산 등, 혹은 이들의 혼합액의 산성수용액 중에서 세정한다. 과산화수소를 혼합하여 청정도를 높일 수도 있다.
계속해서, P형층을 형성한다. P형층의 형성에는, 기상확산법이나 도포확산법을 이용할 수 있고, 어느 것을 이용해도 된다. 기상확산법의 예로는, 기판을 2매 1조로 하여 겹친 상태로 열처리로에 재치하고, BBr3과 산소의 혼합가스를 도입하여 950~1050℃에서 열처리하는 방법이 가능하다. 캐리어가스로는 질소나 아르곤이 호적하다. 또한, 도포확산법의 예로는, 붕소원을 함유시킨 도포제를 제1 주표면 전체면에 도포하고, 950~1050℃에서 열처리하는 방법이 가능하다. 도포제로는, 예를 들어 붕소원으로서 붕산 1~4%, 증점제로서 폴리비닐알코올 0.1~4%를 함유시킨 수용액을 이용할 수 있다.
다음에 N형층을 형성한다. N형층의 형성에는, 기상확산법, 도포확산법을 이용할 수 있고, 어느 것을 이용해도 된다. 기상확산법의 예로는, 기판을 2매 1조로 하여 겹친 상태로 열처리로에 재치하고, 830~950℃, 옥시염화인과 질소 및 산소혼합가스분위기하에서 기판을 열처리하는 방법이 가능하다. 도포확산법은, 인을 함유하는 재료를 스핀도포하거나, 인쇄하고 나서 열처리하는 방법이며, 어느 방법을 이용해도 상관없다.
다음에, 표면의 유리를 불산 등으로 제거한다.
다음에, 수광면의 반사방지막 형성을 행한다. 반사방지막으로는, 질화실리콘막이나 산화실리콘막을 이용할 수 있다. 질화실리콘막의 경우는 플라즈마CVD장치를 이용하여 약 100nm 제막한다. 반응가스로서, 모노실란(SiH4) 및 암모니아(NH3)를 혼합하여 이용하는 경우가 많으나, NH3를 대신하여 질소를 이용하는 것도 가능하며, 또한, 프로세스압력의 조정, 반응가스의 희석을 위해, 반응가스에 수소를 혼합하는 경우도 있다. 산화실리콘막의 경우는, CVD법이어도 되나, 열산화법에 의해 얻어지는 막이 높은 특성이 얻어진다.
이면에도 수광면과 마찬가지로 질화실리콘막이나 산화실리콘막에서 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 표면의 보호효과를 높이기 위해, 미리 기판 표면에 1~20nm 정도의 얇은 산화알루미늄막이나 열산화막을 형성하고 나서, 상기의 질화실리콘막이나 산화실리콘막을 형성해도 된다.
다음에, 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극을 형성한다. 우선, 이면전극으로서, 예를 들어 Ag분말을 함유하는 페이스트를 스크린인쇄법으로 형성한다. 인쇄패턴은 빗살형상으로서, 핑거와 버스바를 동시에 형성하는 것이 가장 간편하다. 핑거폭은 40~200μm 정도, 버스바폭은 0.5~2mm 정도가 호적하다.
수광면전극형성에도 스크린인쇄법을 이용하여, Ag분말과 유리플릿(ガラスフリツ卜)을 유기물바인더와 혼합한 Ag페이스트를 인쇄한다. 인쇄패턴은 이면과 마찬가지로 빗살형상으로 하여, 핑거와 버스바를 동시에 형성하는 것이 가장 간편하다. 핑거폭은 40~100μm 정도, 버스바폭은 0.5~2mm 정도가 호적하다.
이상의 표리면 전극인쇄의 후, 열처리(소성)에 의해 질화실리콘막에 Ag분말을 관통시키고(파이어스루), 전극과 실리콘을 도통시킨다. 이면전극 및 수광면전극의 소성은 한번에 행하는 것도 가능하고, 각각 행해도 상관없다. 소성은, 700~850℃의 온도에서 수초~수분간 처리함으로써 행해진다.
마지막으로, 핑거전극 상에 절연재료를 포함하는 층을 형성한다. 즉, 적어도 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복한다. 본 발명의 태양전지셀의 제조방법에서는, 절연재료를 포함하는 재료로서, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 이용한다. 절연재료를 포함하는 재료의 상세는 상기 서술한 태양전지셀의 항에서 설명한 바와 같다. 페이스트상의 절연재료를 준비했을 때, 스크린인쇄나 디스펜서 등으로 도포한다. 핑거전극을 따라 도포해도 되고, 기판 전체면에 도포해도 된다. 또한, 절연재료가 투명하면, 수광면측에 이용해도 변환효율의 저하는 발생하지 않는다. 또한, 재료는 절연재료로 한정되지 않는다. 즉, Ag나 Cu 등의 입자를 분산시킨 수지 등을 사용해도 상관없다. 이 경우, 실질적으로 핑거전극의 단면적이 증가한 것이 되고, 핑거전극으로서의 전기저항을 저감할 수 있다. 이면에 이용하면 변환효율이 향상된다.
상기와 같이, 절연재료를 포함하는 재료는 은 등의 도전성 입자를 포함할 수 있다. 여기서, EVA가 가수분해하여 발생하는 아세트산이 변환효율에 영향을 미치는 이유는, 태양전지셀의 반도체기판과 직접 접합하는 핑거전극(컨택트전극)에 포함되는 은 등의 도전성 입자 그 자체보다도 핑거전극(컨택트전극)과 기판의 접촉저항을 악화시키기 때문으로 생각된다. 따라서, 절연재료를 포함하는 재료가 도전성 입자를 포함하는 경우, 가령 해당 절연재료를 포함하는 재료가 아세트산에 의해 침범되었다고 해도, 해당 재료의 아래에 있는 핑거전극이 무사하므로 변환효율이 저하되지 않는다. 즉, 핑거전극을 해당 재료로 덮음으로써, 핑거전극의 접촉저항악화를 막을 수 있다고 생각된다. 한편, 본 발명에서는 버스바전극이 절연재료를 포함하는 재료로 피복되지 않아도 된다. 이는, 상기와 마찬가지로, 기본적으로 핑거전극(컨택트전극)만 보호되어 있으면 변환효율이 나빠지지 않는, 즉, 버스바전극이 산에 의해 다소 침범되었다고 해도 특별히 문제는 없기 때문이다. 즉, 본 발명의 취지는 기본적으로는 핑거전극과 기판의 컨택트저항 유지이므로, 기판과 직접 컨택트를 취할 필요가 없는 버스바전극은 피복하지 않아도 특별히 문제는 없다.
이상, N형 기판의 경우를 예로 서술하였으나, P형 기판의 경우는 N형층 형성에 인, 비소, 안티몬 등을 확산시키고, P형층 형성에는 붕소, Al 등을 확산시키면 되고, 본 발명의 태양전지셀의 제조방법이 이용가능하다.
나아가, 이면전극형 태양전지에 응용한 일례도 이하에 설명한다.
N형 기판의 경우를 예로 설명한다. N형 실리콘기판을 준비하고, 표면의 슬라이스데미지를 고농도의 알칼리, 혹은, 불산과 질산의 혼산 등을 이용하여 에칭한다. 단결정 실리콘기판은, CZ법, FZ법 어느 방법에 의해 제작되어도 된다. 기판은 반드시 단결정 실리콘일 필요는 없고, 다결정 실리콘이어도 상관없다.
계속해서, 상기 서술한 방법으로 기판 표면에 텍스처형성을 행한다.
텍스처형성 후, 상기와 같이 텍스처를 형성한 기판을, 염산, 황산, 질산, 불산 등, 혹은 이들의 혼합액의 산성수용액 중에서 세정한다. 과산화수소를 혼합하여 청정도를 향상시켜도 된다.
이 기판의 제1 주표면에, 에미터층을 형성한다. 에미터층은 기판과 반대의 도전형(이 경우 P형)에서 두께가 0.05~1μm 정도이다. 에미터층은 BBr3 등을 이용한 기상확산에 의해 형성할 수 있다. 또한, 붕소원을 함유시킨 도포제를 제1 주표면에 도포하고, 열처리하는 방법으로 형성이 가능하다.
에미터층을 형성하면, 다음 공정인 베이스층 형성을 위한 마스크를 양 주표면 상에 형성한다. 마스크로는 유전체막인 산화실리콘막 혹은 질화실리콘막 등을 이용할 수 있다. CVD법을 이용하면, 도입하는 가스종을 적당히 선택함으로써, 어느 막이나 형성가능하다. 산화실리콘막의 경우는, 기판을 열산화해도 형성할 수 있다. 기판을 산소분위기중 950~1100℃, 30분~4시간 열처리함으로써 100nm 정도의 실리콘열산화막이 형성된다. 온도, 시간, 가스 등을 적당히 선택함으로써 막두께는 임의로 변경가능하나, 마스크기능 및 다음 공정의 부분개구의 용이성을 겸하기 위해서는 30~300nm의 막두께로 하는 것이 바람직하다. 이 열처리는 상기 에미터형성을 위한 열처리에 이어서 동일 배치내에서 실시해도 상관없다.
다음에, 베이스영역이 되는 부분의 마스크를 부분적으로 제거(개구)한다. 구체적으로는, 개구폭이 50~250μm, 0.6~2.0mm 정도의 간격으로 평행선상으로 개구한다. 개구에는 포토리소그래피법이나 에칭페이스트를 사용할 수 있으나, 레이저로의 개구가 간편하여 바람직하다. 레이저원으로는, YAG계, YVO4계, GdVO4계 등의 제2차 고조파를 사용할 수 있으나, 파장이 500~700nm 정도이면 어떠한 레이저원을 이용해도 상관없다. 레이저조건은 적당히 결정가능하나, 예를 들어 출력이 4~20W, 주파수가 10000~100000Hz, 플루엔스가 1~5J/cm2, 카르보헤드(ガルポヘッド)를 구비하고, 스캔속도가 100~5000mm/초, 등으로 할 수 있다.
마스크를 개구하면, 50~90℃로 가열한 KOH, NaOH 등의 알칼리수용액 중에 기판을 침지하고, 개구부의 불필요한 에미터층을 제거(에칭)한다.
베이스층 형성에는 옥시염화인을 이용한 기상확산법을 사용할 수 있다. 기상확산법 외에, 인을 함유하는 재료를 스핀도포하거나, 인쇄하거나 하고 나서 열처리하는 방법으로도 형성가능하다.
확산층 형성의 후, 마스크 및 표면에 형성되는 유리를 불산 등으로 제거한다.
다음에, 제2 주표면의 반사방지막의 형성을 행한다. 반사방지막으로서 질화실리콘막이나 산화실리콘막을 이용할 수 있다.
제1 주표면에도, 표면보호막을 형성한다. 표면보호막으로서 질화실리콘막이나 산화실리콘막을 이용할 수 있다.
다음에, 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극(베이스전극 및 에미터전극)을 형성한다. 구체적으로는 베이스전극을, 예를 들어 스크린인쇄법으로 형성한다. 예를 들어, 개구폭 30~200μm, 0.6~2.0mm 간격의 평행선패턴을 갖는 제판을 준비해두고, Ag분말과 유리플릿을 유기물 바인더와 혼합한 Ag페이스트를 베이스층을 따라 인쇄한다. 마찬가지로 하여, 에미터전극으로서 Ag페이스트를 인쇄한다. 베이스전극용 Ag페이스트와 에미터전극용 Ag페이스트는 동일해도 되고 다른 것을 사용해도 된다. 이상의 전극인쇄의 후, 열처리에 의해 질화실리콘막에 Ag분말을 관통시키고(파이어스루), 전극과 실리콘을 도통시킨다. 한편, 베이스층용 전극 및 에미터층용 전극의 소성은 각각 행하는 것도 가능하다. 소성은, 통상 700~850℃의 온도에서 5~30분간 처리함으로써 행해진다.
버스바는 도 4와 같이 기판 양단에 배치시켜도 되나, 도 6과 같이 기판내에 복수개 배치하는 것도 가능하다. 이하, 도 6~9를 참조하여 이면전극형 태양전지에 본 발명의 태양전지셀의 제조방법을 적용한 경우에 대하여 설명한다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 태양전지셀의 제조방법에서는, 핑거전극(322, 323)의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료(151)로 피복한다. 또한, 절연재료를 포함하는 재료로서, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것을 이용한다. 절연재료를 포함하는 재료의 상세는 상기 서술한 태양전지셀의 항에서 설명한 바와 같다.
우선, 절연재료를 패턴상으로 도포한다. N버스바(이 경우 베이스전극과 접속하는 베이스용 버스바전극)가 에미터전극과 도통하지 않도록, 그리고, P버스바(이 경우 에미터전극과 접속하는 에미터용 버스바전극)가 베이스전극과 도통하지 않도록, 패턴상으로 도포한다. 또한, 본 발명에 있어서는, 동시에 핑거 상에도 절연재료를 도포할 수 있다. 기판 전체면이어도 상관없으나, 버스바와 핑거의 도통부는 확보해 둘 필요가 있다(도 7 참조). 도포에는 스크린인쇄법 등을 이용할 수 있다. 도포한 후, 100~400℃에서 1~60분 정도 경화시킨다. 도 7은 절연재료를 핑거 상, 및, 상이한 도전형용의 버스바와 핑거가 교차하는 영역(이하, 버스바부라고도 칭한다)에 패턴상으로 인쇄한 후의 기판의 이면을 나타내는 도면이며, 후술하는 실시예 1에서는 이와 같이 절연재료를 인쇄하고 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 버스바와 핑거의 도통부에 있어서는 에미터전극(322), 베이스전극(323)을 노출시킨다. 도통부 이외의 영역에 형성된 에미터전극(322), 베이스전극(323)은 절연재료를 포함하는 재료(151)로 피복한다. 한편, 해당 노출부 상에는 다음 공정에서 버스바가 형성되므로, 모듈화했을 때, 해당 노출부가 충전제와 직접 접촉하는 일은 없다.
마지막으로, 버스바를 형성한다. N버스바(베이스용 버스바전극)가 베이스전극과, P버스바(에미터용 버스바전극)가 에미터전극과 접속되고, N버스바와 에미터전극 그리고 P버스바와 베이스전극은 절연층을 개재한 구성이 된다. 버스바재료로는, 저온경화형의 도전성 페이스트를 사용할 수 있다. 구체적으로는, Ag, Cu, Au, Al, Zn, In, Sn, Bi, Pb로부터 선택되는 1종류 이상의 도전성 물질과, 추가로 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지로부터 선택되는 1종류 이상의 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것을 사용할 수 있다. 이상과 같은 재료를 예를 들어 스크린인쇄법이나 디스펜서 등을 이용하여 패턴상으로 도포한 후, 100~400℃에서 1~60분 정도 경화시킨다. 한편, 상기 절연재도포를 버스바부에만 실시하고, 상기 저온경화형의 도전성 페이스트를 절연재료를 포함하는 재료로서 핑거 상에 도포할 수도 있다(도 8 참조). 도 8은 절연재료를 버스바부에만 도포한 후의 기판의 이면을 나타내는 도면이며, 후술하는 실시예 2에서는 이와 같이 절연재료를 도포하고 있다. 도 8에 나타낸 태양에서는, 버스바부만 절연재료를 포함하는 재료를 인쇄하는 것은 도 6에 나타낸 멀티버스바와 동일하다. 단, 이 후, 저온경화형의 도전성 페이스트를, 버스바와 동시에 핑거 상에도 인쇄한다. 이 경우, 실질적으로 핑거전극의 단면적이 증가하는 것이 되고, 핑거전극으로서의 전기저항을 저감할 수 있고, 변환효율이 향상된다. 한편, 본 발명의 태양전지셀의 제조방법에서는, 최종적으로 핑거전극이 노출되지 않도록 피복되면 되고, 상기와 같이 절연재 도포를 2회로 나누어 행할 수도 있다.
이상, N형 기판의 경우를 예로 서술하였으나, P형 기판의 경우는 에미터층 형성에 인, 비소, 안티몬 등을 확산시키고, 베이스층 형성에는 붕소, Al 등을 확산시키면 되고, 본 발명의 태양전지셀의 제조방법이 이용가능하다.
[태양전지모듈의 제조방법]
상기에 의해 제작된 태양전지는, 태양전지모듈에 사용할 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지셀을 이용하고, 이 태양전지셀이 내장된 태양전지모듈을 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법을 제공한다. 이와 같이, 본 발명의 태양전지셀을 이용하여 태양전지모듈을 제조할 수 있다.
이 경우, 태양전지모듈을 충전제를 포함하는 것으로 하고, 충전제로서 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료를 이용해도 된다. 본 발명의 태양전지모듈의 제조방법이면, 충전제로서 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료를 이용해도, 시간경과에 따른 열화가 어려운 태양전지모듈을 제조할 수 있다.
예를 들어, 상기 서술한 도 10~12에 나타낸 구조의 태양전지모듈을 제조할 수 있다. 직렬접속으로 하기 위해, 도 11에 나타낸 바와 같이, 인접하는 태양전지(1000)의 P버스바(기판의 P형층에 접합한 핑거전극에 접속되어 있는 버스바전극)와 N버스바(기판의 N형층에 접합한 핑거전극에 접속되어 있는 버스바전극) 끼리를 탭리드선(1161) 등으로 접속한다. 접속에는 땜납 등을 이용할 수 있다. 복수매를 접속하여 스트링이 얻어진다.
이 스트링을, EVA 등의 투광성의 충전제(1272)로 끼우고, 비수광면측에는 PET 등의 내후성 수지필름(1273), 수광면측에는 소다라임유리 등의 투광성이고 기계적 강도가 강한 수광면보호재료(1271)를 재치하여, 가열하면서 가압한다. 충전제(1272)로는, 상기 EVA 외에, 폴리올레핀, 실리콘, 아이오노머 등을 사용해도 상관없다.
[태양광 발전시스템]
나아가 이 모듈을 이용하여 태양광 발전시스템을 구성할 수도 있다. 즉, 본 발명에서는, 상기 본 발명의 태양전지모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 태양광 발전시스템을 제공한다. 도 13은 본 발명의 모듈을 연결한 태양광 발전시스템의 기본구성을 나타낸 것이다. 복수의 태양전지모듈(1316)이 배선(1315)으로 직렬로 연결되고, 인버터(1317)를 경유하여 외부부하회로(1318)에 발전전력을 공급한다. 이 도면에 도시하지 않았지만, 해당 시스템은 발전한 전력을 축전하는 2차 전지를 추가로 구비해도 된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 태양전지셀의 제조방법을 이용하여 이면전극형 태양전지의 제작을 행하였다. 또한, 이 이면전극형 태양전지를 포함하는 태양전지모듈의 제작을 행하였다. 한편, 실시예 1~3에서는 이면전극형 태양전지로서 도 9에 나타낸 것을 제작하였다. 비교예에서는 이면전극형 태양전지로서 도 6에 나타낸 것을 제작하였다.
(실시예 1)
두께 200μm, 비저항 1Ω·cm의, 인도프{100} N형 애즈컷실리콘기판에 대하여, 열농수산화칼륨수용액에 의해 데미지층을 제거 후, 72℃의 수산화칼륨/2-프로판올수용액 중에 침지하여 텍스처형성을 행하고, 계속해서 75℃로 가열한 염산/과산화수소혼합용액 중에서 세정을 행하였다.
다음에, 기판을 2매 1조로 하여 겹친 상태로 열처리로에 재치하고, BBr3과 산소와 아르곤의 혼합가스를 도입하여 1000℃에서 10분 열처리를 행하였다. 이에 따라, 에미터층을 형성하였다. 사탐침법으로 측정한 결과, 에미터층의 시트저항은 50Ω가 되었다.
이것을 1000℃ 3시간 산소분위기 중에서 열산화하여 마스크형성하였다.
이면을 마스크를 레이저로 개구하였다. 레이저원은 Nd:YVO4의 제2차 고조파를 이용하였다. 개구패턴은, 간격 1.2mm 평행선상으로 하였다. 출력은 18W, 스캔속도는 600mm/초로 하였다.
이것을 80℃ KOH수용액에 침지하여 개구부의 에미터층을 제거하였다.
다음에, 옥시염화인 분위기하, 870℃에서 수광면끼리를 겹친 상태로 40분간 열처리하고, 개구부에 인확산층(베이스층) 형성하였다.
이 후, 농도 12%의 불산에 침지함으로써 표면유리를 제거하였다.
이상의 처리의 후, 플라즈마CVD장치를 이용하여 질화실리콘막을 양면에 형성하였다. 막두께는 표리 모두 100nm로 하였다.
다음에, Ag페이스트를 베이스층 상 및 에미터층 상에 각각 인쇄하여 건조하였다. 이것을 780℃의 공기분위기하에서 소성하였다.
이 기판에, 도 7에 나타낸 바와 같이, 절연재료를 핑거 상, 및, 상이한 도전형용의 버스바와 핑거가 교차하는 영역인 버스바부에 패턴상으로 인쇄하였다. 인쇄에는 스크린인쇄기를 이용하고, 절연재료로는, 신에쯔화학공업주식회사제의 실리콘수지를 이용하였다. 이것을 200℃의 벨트로에서 5분간 경화시켰다. 절연재료를 포함하는 재료의 최대폭은 핑거전극의 폭보다 100μm 크게 하고, 핑거전극으로부터 측정한 두께는 4μm로 하였다.
저온경화형의 Ag페이스트를 직선상으로 6개 스크린인쇄기로 인쇄하고, 300℃의 벨트로에서 30분간 경화시켜, 버스바로 하였다. 여기서 이용한 저온경화형의 Ag페이스트는 Ag분말을 에폭시수지에 혼합시킨 것이다.
완성한 태양전지에 탭리드선을 납땜하고, EVA 및 PET, 소다라임유리로 끼우고, 140℃에서 30분간 1기압으로 가압하여 태양전지 1매의 모듈을 제작하였다.
(실시예 2)
780℃의 소성공정까지 실시예 1과 마찬가지로 실시한 후, 절연재료를 도 8에 나타낸 바와 같이 버스바부에만 도포하고 경화시켰다.
다음에, 실시예 1과 동일한 저온경화형의 Ag페이스트를 스크린인쇄기로 인쇄하였다. 인쇄패턴은 빗살형상이며, 버스바 6개 그리고 기설한 핑거전극을 따른 것으로 하였다(도 9 참조). 이것을 300℃의 벨트로에서 30분간 경화시켰다.
이것을 실시예 1과 동일하게 처리하여 모듈화하였다.
(실시예 3)
실시예 1과 동일한 공정에서 제작한 태양전지에, 탭리드선을 납땜하고, 아이오노머 및 PET, 소다라임유리로 끼우고, 120℃에서 30분간 1기압으로 가압하여 태양전지 1매의 모듈을 제작하였다.
(비교예)
780℃의 소성공정까지 실시예 1과 마찬가지로 실시한 후, 절연재료를 버스바부에만 도포하고 경화시켰다. 나아가, 저온경화형의 Ag페이스트를 직선상으로 6개 스크린인쇄기로 인쇄하고, 300℃의 벨트로에서 30분간 경화시켜, 버스바로 하였다. 이것을 실시예 1과 마찬가지로 처리하여 모듈화하였다.
(평가방법)
이상과 같이 하여 얻어진 태양전지의 샘플에 대하여, 야마시타덴소사제 솔라시뮬레이터를 이용하여 AM1.5스펙트럼, 조사강도 100mW/cm2, 25℃의 조건하에서, 전류전압특성을 측정하고 광전변환효율을 구하였다.
또한 이것을 85℃ 습도 85%의 항온항습조에 넣고, 1000시간마다 취출하여 광전변환효율을 측정하였다.
얻어진 결과를 도 14에 나타낸다. 도 14는, 본 발명에 따른, 실시예 1, 2, 3 및 비교예의 시간경과에 따른 광전변환효율의 변화를 나타내는 도면이다.
초기(시간 0)특성은 실시예 2가 높다. 실질의 핑거단면적이 증가했기 때문으로 생각된다. 시간경과에 따른 열화는, 비교예에 비해 실시예 1, 2, 3 모두 크게 개선되어 있다. 핑거전극 상에 절연재료를 피복함으로써, 충전제 기인의 열화가 억제되었기 때문으로 생각된다.
실시예 1~3의 태양전지모듈은, 충전제(EVA 등) 이외에, 절연재료를 포함하는 재료(실리콘수지 등)를 갖는다. 즉, 실시예 1~3의 태양전지모듈은, 태양전지모듈에 내장된 태양전지셀의 반도체기판과 직접 접합하는 핑거전극(컨택트전극)이, 태양전지모듈의 충전제와 접촉하지 않도록, 충전제와는 상이한 재료로 피복되어 있다. 이 때문에, 실시예 1~3의 태양전지모듈은, 장기간 사용해도 광전변환효율을 유지할 수 있었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (13)

  1. 반도체기판의 제1 주표면 상에 핑거전극과, 복수의 버스바전극을 갖는 이면전극형　태양전지셀로서,
    상기 핑거전극은, 은과 유리를 포함하고,
    상기 제1 주표면은, 상기 이면전극형 태양전지셀의 비수광면이고,
    적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복되어 있으며,
    상기 절연재료를 포함하는 재료는, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것이고,
    상기 절연재료를 포함하는 재료는 추가로 도전성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연재료를 포함하는 재료는 열경화성의 재료인 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연재료를 포함하는 재료는, 적어도 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지로부터 하나 이상 선택된 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀.
  4. 삭제
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 이면전극형 태양전지셀이 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 태양전지모듈이 충전제를 포함하는 것이며,
    상기 충전제가 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료인 것을 특징으로 하는 태양전지모듈.
  7. 제5항에 기재된 태양전지모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 태양광발전시스템.
  8. 반도체기판의 제1 주표면 상에 은과 유리를 포함하는 핑거전극을 형성하는 공정과,
    상기 반도체기판의 제1 주표면 상에 복수의 버스바전극을 형성하는 공정과,
    적어도 상기 핑거전극의 표면이 노출되지 않도록 절연재료를 포함하는 재료로 피복하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 주표면을, 태양전지셀의 비수광면으로 하고,
    상기 절연재료를 포함하는 재료로서, 가수분해하지 않는 것 또는 가수분해했을 때에 카르본산을 발생하지 않는 것이고, 도전성 입자를 포함하는 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 절연재료를 포함하는 재료로서 열경화성의 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 절연재료를 포함하는 재료로서, 적어도 실리콘수지, 폴리이미드수지, 폴리아미드이미드수지, 폴리아미드수지, 불소수지, 페놀수지, 멜라민수지, 우레아수지, 에폭시수지, 아크릴수지, 폴리에스테르수지 및 포발수지로부터 하나 이상 선택된 수지를 함유하는 재료로 이루어진 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 이면전극형 태양전지셀의 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 이면전극형 태양전지셀의 제조방법으로 제조된 이면전극형 태양전지셀을 이용하고, 상기 이면전극형 태양전지셀이 내장된 태양전지모듈을 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 태양전지모듈을 충전제를 포함하는 것으로 하고,
    상기 충전제로서 에틸렌비닐아세테이트를 함유하는 재료를 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
KR1020197015825A 2016-12-01 2016-12-01 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법 Active KR102618842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/005045 WO2018100596A1 (ja) 2016-12-01 2016-12-01 高光電変換効率太陽電池セル及び高光電変換効率太陽電池セルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190082839A KR20190082839A (ko) 2019-07-10
KR102618842B1 true KR102618842B1 (ko) 2023-12-28

Family

ID=60570397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197015825A Active KR102618842B1 (ko) 2016-12-01 2016-12-01 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10700223B2 (ko)
EP (1) EP3355361B1 (ko)
JP (1) JP6243581B1 (ko)
KR (1) KR102618842B1 (ko)
CN (1) CN110024136B (ko)
TW (1) TWI656650B (ko)
WO (1) WO2018100596A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113948599B (zh) * 2021-08-27 2023-11-21 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN114093970A (zh) * 2021-09-07 2022-02-25 天合光能股份有限公司 一种光伏组件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207957A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換素子
JP2009290105A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール
US20140366928A1 (en) 2013-06-14 2014-12-18 Mitsubishi Electric Corporation Light receiving element module and manufacturing method therefor

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2938634B2 (ja) * 1991-10-08 1999-08-23 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JP3006783B2 (ja) * 1992-12-24 2000-02-07 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
TWI487124B (zh) 2006-08-25 2015-06-01 Sanyo Electric Co 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法
JP5230089B2 (ja) 2006-09-28 2013-07-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US20080230119A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Hideki Akimoto Paste for back contact-type solar cell
CN102365755A (zh) * 2009-04-08 2012-02-29 夏普株式会社 布线板、带布线板的太阳能电池单元、太阳能电池模块以及带布线板的太阳能电池单元的制造方法
JP2012069594A (ja) 2010-09-21 2012-04-05 Pi R & D Co Ltd 太陽電池内の絶縁膜形成用ポリイミド樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池内の絶縁膜形成方法
JP4778120B1 (ja) * 2011-03-08 2011-09-21 有限会社ナプラ 電子機器
JP5798772B2 (ja) 2011-03-25 2015-10-21 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、タブ線
JP6039905B2 (ja) 2012-02-14 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
WO2013140622A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2014045124A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法、並びに太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP5756453B2 (ja) 2012-12-25 2015-07-29 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
TWI517430B (zh) 2013-12-31 2016-01-11 東旭能興業有限公司 太陽能電池單元及其製造方法
MY181161A (en) * 2014-06-11 2020-12-20 Shinetsu Chemical Co Solar cell and method for producing solar cell
JP2016051767A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 京セラ株式会社 太陽電池素子の製造方法
JP6199839B2 (ja) * 2014-09-30 2017-09-20 信越化学工業株式会社 太陽電池及びその製造方法
WO2016153007A1 (ja) 2015-03-26 2016-09-29 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
EP3340317B1 (en) 2016-10-25 2020-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd High photoelectric conversion efficiency solar-cell and manufacturing method for high photoelectric conversion efficiency solar-cell
JPWO2018078669A1 (ja) 2016-10-25 2018-10-25 信越化学工業株式会社 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207957A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換素子
JP2009290105A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール
US20140366928A1 (en) 2013-06-14 2014-12-18 Mitsubishi Electric Corporation Light receiving element module and manufacturing method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
TW201822362A (zh) 2018-06-16
TWI656650B (zh) 2019-04-11
WO2018100596A1 (ja) 2018-06-07
CN110024136A (zh) 2019-07-16
KR20190082839A (ko) 2019-07-10
CN110024136B (zh) 2022-10-04
JP6243581B1 (ja) 2017-12-06
US10700223B2 (en) 2020-06-30
EP3355361A1 (en) 2018-08-01
US20190252561A1 (en) 2019-08-15
EP3355361B1 (en) 2023-05-31
JPWO2018100596A1 (ja) 2018-12-06
EP3355361A4 (en) 2019-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8912431B2 (en) Solar cell element and solar cell module
EP2184787A1 (en) Rear surface bonding type solar cell, rear surface bonding type solar cell having wiring board, solar cell string and soar cell module
JP5121365B2 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN110073504B (zh) 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统
KR102626554B1 (ko) 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조방법
EP3101696A1 (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
KR102646477B1 (ko) 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조 방법
KR102618842B1 (ko) 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법
KR102581702B1 (ko) 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조방법
JP6792465B2 (ja) 高光電変換効率太陽電池の製造方法
CN109844960B (zh) 高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池
JP6564081B2 (ja) 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20190531

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20211111

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20230816

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20231025

PG1601 Publication of registration