[go: up one dir, main page]

KR102530758B1 - 반도체 발광소자 패키지 - Google Patents

반도체 발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR102530758B1
KR102530758B1 KR1020160077293A KR20160077293A KR102530758B1 KR 102530758 B1 KR102530758 B1 KR 102530758B1 KR 1020160077293 A KR1020160077293 A KR 1020160077293A KR 20160077293 A KR20160077293 A KR 20160077293A KR 102530758 B1 KR102530758 B1 KR 102530758B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
insulating layer
disposed
pads
emitting structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160077293A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180000032A (ko
Inventor
박기원
권용민
김형근
이동국
한대엽
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020160077293A priority Critical patent/KR102530758B1/ko
Priority to US15/410,033 priority patent/US9997670B2/en
Publication of KR20180000032A publication Critical patent/KR20180000032A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102530758B1 publication Critical patent/KR102530758B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H01L33/48—
    • H01L33/02—
    • H01L33/22—
    • H01L33/40—
    • H01L33/52—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H10H20/8252—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 의해 제공되는 제1 면과 상기 제1 면과 반대 방향에 위치하는 제2 면을 갖는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 제2 면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 접속된 제1 및 제2 전극; 상기 발광 구조물의 제2 면과 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 제1 표면 거칠기를 갖도록 제1 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 금속 패드; 상기 제1 및 제2 금속 패드 상에 각각 배치되며, 제2 표면 거칠기를 갖도록 제2 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 본딩 패드; 및 상기 제1 및 제2 본딩패드의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 및 제2 본딩 패드와 상기 제1 및 제2 금속 패드를 덮 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지를 포함한다.

Description

반도체 발광소자 패키지{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명은 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전류가 가해지면 전자와 정공의 재결합 원리를 이용하여 광을 방출하며, 낮은 소비전력, 고휘도, 소형화 등의 여러 장점 때문에 광원으로서 널리 사용되고 있다. 특히, 질화물계 발광소자가 개발된 후에는 활용범위가 더욱 확대되어 광원모듈, 가정용 조명장치, 자동차 조명 등으로 채용되고 있다.
반도체 발광소자의 활용범위가 넓어짐에 따라 고전류/고출력 분야의 광원 분야로 그 활용범위가 확대되고 있다. 이와 같이 반도체 발광소자가 고전류/고출력 분야에서 요구됨에 따라 당 기술 분야에서는 반도체 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시키기 위한 연구가 계속되어 왔다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 신뢰성이 향상된 반도체 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 의해 제공되는 제1 면과 상기 제1 면과 반대 방향에 위치하는 제2 면을 갖는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 제2 면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 접속된 제1 및 제2 전극; 상기 발광 구조물의 제2 면과 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 제1 표면 거칠기를 갖도록 제1 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 금속 패드; 상기 제1 및 제2 금속 패드 상에 각각 배치되며, 제2 표면 거칠기를 갖도록 제2 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 본딩 패드; 및 상기 제1 및 제2 본딩패드의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 및 제2 본딩 패드와 상기 제1 및 제2 금속 패드를 덮 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 의해 제공되는 제1 면과 상기 제1 면과 반대 방향에 위치하는 제2 면을 갖는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 제2 면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 접속된 제1 및 제2 전극; 상기 발광 구조물의 제2 면과 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 산술 평균 거칠기(Ra)로 0.05㎛ 이상 또는 10점 평균 거칠기(Rz)로 0.5㎛ 이상인 표면 거칠기를 갖도록 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 본딩 구조물; 및 상기 제1 및 제2 본딩 구조물의 표면과 접하도록 배치된 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지를 제공한다.
반도체 발광소자 패키지의 본딩 구조물에 소정의 표면 거칠기를 갖는 미세 요철을 배치함으로써, 봉지부의 밀착성이 향상된 반도체 발광소자 패키지가 제공될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지의 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 반도체 발광소자 패키지를 I방향에서 바라본 평면도이다.
도 3은 도 2의 II-II'선을 따라서, 절개하여 본 측 단면도이다.
도 4는 도 3의 변형예이다.
도 5 내지 도 15는 도 1의 반도체 발광소자 패키지의 주요 제조공정을 개략적으로 나타낸 측 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지(10)에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지의 개략 사시도이고, 도 2는 도 1의 반도체 발광소자 패키지를 I방향에서 바라본 평면도이며, 도 3은 도 2의 II-II'선을 따라서, 절개하여 본 측 단면도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 발광소자 패키지(10)는 발광 구조물(120), 발광 구조물(120)에 접속되는 제1 및 제2 전극 (141, 142), 절연층(160), 본딩 구조물인 금속 패드(170)와 본딩 패드(180) 및 봉지부(190)를 포함할 수 있다. 일 실시예의 반도체 발광소자 패키지(10)는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package, CSP)일 수 있으며, 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package, WLP)일 수 있다.
도 3을 참조하면, 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(121)에 의해 제공되는 제1 면, 제1 면에 대향하는 위치하는 제2 면을 가질 수 있다. 제2 면에는 후술할 제1 및 제2 전극(141, 142)이 배치될 수 있다. 발광 구조물(120)의 일부 영역에는 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)이 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 메사 영역 및 식각 영역이 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)의 상기 제1 면에는 광 추출 효율을 향상시키기 위해 요철(P3)이 구비될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(121)은 n형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si, Ge, Se, Te 등일 수 있다. 활성층(122)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 가지는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 특정 예에서, 상기 양자우물층은 InxGa1 - xN (0<x≤1)이며, 상기 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니므로 활성층(122)은 단일 양자우물 구조(Single Quantum Well, SQW)가 사용될 수도 있다.
제2 도전형 반도체층(123)은 p형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg, Zn, Be 등일 수 있다. 발광 구조물(120)은 복수개가 배치될 수도 있다. 본 실시예는 제1 및 제2 발광 구조물(LED1, LED2)이 배치된 경우를 예로 들어 설명하나, 이에 한정하는 것은 아니며, 하나의 발광 구조물로 구성될 수도 있으며, 3개 이상의 발광 구조물이 배치될 수도 있다.
제1 및 제2 전극 (141, 142)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)과 각각 접하도록 구비될 수 있다.
제1 및 제2 전극(141, 142)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)과 오믹 특성을 갖는 도전성 물질이 1층 또는 다층 구조로 적층되어 이루어질 수 있으며, 예컨대, Au, Ag, Cu, Zn, Al, In, Ti, Si, Ge, Sn, Mg, Ta, Cr, W, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, 투명 도전성 산화물(TCO) 등의 물질 중 하나 이상을 스퍼터링 등을 이용하여 증착시킴으로써 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극(141, 142)은 상기 발광 구조물(120)을 기준으로, 제1 도전형 반도체층이 배치된 제1 면의 반대 측인 제2 면에 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자 패키지(10)가 실장되는 면에 플립칩(flip-chip) 형태로 실장될 수 있다. 이 경우, 활성층(122)에서 방출된 광은 상기 제1 도전형 반도체층(121)을 경유하여 외부로 방출될 수 있다.
제1 절연층(130)은 식각 영역 및 메사 영역으로 노출되는 활성층(122)을 덮도록 발광 구조물(120)의 표면에 배치될 수 있다. 제1 절연층(130)은 기본적으로 절연 특성을 지닌 재료로 이루어질 수 있으며, 무기질 또는 유기질 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 절연층(130)은 에폭시계 절연 수지로 형성될 수 있으며, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하여 이루어질 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN, TiSiN 등으로 이루어질 수 있다.
제1 절연층(130)은 상기 제1 전극(141)과 제2 전극(142) 상에 각각 배치되는 복수의 개구부(131. 132)를 구비할 수 있다. 복수의 개구부(131, 132)는 각각 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 배치되는 위치를 정의할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)은 식각 영역에서 제1 도전형 반도체층(121)에 접하여 배치될 수 있으며, 제2 전극(142)은 메사 영역에서 제2 도전형 반도체층(123)에 접하여 배치될 수 있다. 또한, 제1 전극(141)은 복수의 패드부 및 패드부 보다 좁은 폭을 갖는 핑거부를 가질 수 있다. 복수의 패드부는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제2 전극(142)은 제2 도전형 반도체층(123)의 상면을 덮는 형태로 구비될 수 있다. 제2 전극(142)은 상대적으로 큰 전기 저항을 갖는 제2 도전형 반도체층(123)의 특성을 고려하여, 제1 전극(141) 보다 큰 표면적을 가질 수 있다. 제1 및 제2 전극(141, 142)은 발광 구조물(120) 상에 형성된 제1 절연층(130)을 선택적으로 제거하여 마련된 복수의 개구부(131, 132)에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 금속층(151, 152)은 각각 제1 및 제2 전극(141, 142)을 덮도록 배치되어 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)과 각각 전기적으로 접속할 수 있다. 이러한, 제1 및 제2 금속층(151, 152)은 선택적으로 구비될 수 있으며, 실시예에 따라서는 생략될 수도 있다.
제2 절연층(160)은 제1 절연층(130), 제1 및 제2 금속층(151, 152)을 전체적으로 덮는 구조로 상기 발광 구조물(120) 상에 구비될 수 있다. 제2 절연층(160)은 제1 절연층(130)과 유사하게 기본적으로 절연 특성을 지닌, 에폭시계 절연 수지로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서는, 제2 절연층(160)은 제1 절연층(130)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2 절연층(160) 상에는 금속 패드(170)와 본딩 패드(180)을 포함하는 본딩 구조물이 배치될 수 있다.
금속 패드(170)는 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)를 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)는 제2 절연층(160) 상에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)에 각각 전기적으로 접속되도록 배치될 수 있다. 금속 패드(170)는 제1 및 제2 전극(141, 142)를 후술할 본딩 패드(180)에 접속시키기 위한 배선구조로서, 다층 또는 단층의 금속층으로 구성될 수 있다. 금속 패드(170)는 구리(Cu) 또는 구리/주석(Cu/Sn) 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 식각액에 의해 표면에 미세 요철이 형성될 수 있는 다양한 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 제1 금속 패드(171)와 제2 금속 패드(172)는 각각 서로 분리된 복수의 영역에서 제2 절연층(160)의 복수의 개구부(161)를 통하여 제1 금속층(151)과 제2 금속층(152)에 각각 접속할 수 있다.
제1 및 제2 금속 패드(171, 172)의 표면에는 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 미세 요철(P1)이 형성되어, 후술할 봉지부와 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)가 접하는 계면의 면적이 증가할 수 있다. 이에 따라, 금속 패드(170)와 봉지부(190) 사이에 앵커 효과(anchor effect)가 증가되어, 금속 패드(170)와 봉지부(190)의 밀착력이 향상될 수 있으며, 봉지부(190)의 박리강도(peel strength)가 증가될 수 있다. 제1 미세 요철(P1)은 금속 패드(170)의 표면을 화학적 처리하여 형성할 수 있으며, 화학적 처리에 의해 형성되는 불규칙한 패턴을 가질 수 있다. 금속 패드(170)가 구리로 이루어진 경우, 제1 미세 요철(P1)은 다양한 종류의 구리 에천트(etchant)에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 개미산(Formic Acid) 또는 페릭클로라이드(Ferric Chloride, FeCl3ㆍ6H2O)를 금속 패드(170)의 표면에 분사하여 형성될 수 있다.
제1 표면 거칠기는 0.05㎛ 이상의 산술 평균 거칠기(Ra), 또는 0.5㎛ 이상의 10점 평균 거칠기(Rz) 이상일 수 있다. 이와 같은 범위의 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 미세 요철(P1)이 형성된 금속 패드(170)에 봉지부(190)를 형성하면, 0.3 Kgf/cm2 이상의 박리강도(peel strength)가 확보될 수 있다. 따라서, 제조과정에서 가해진 충격에 의해 봉지부(190)가 박리되거나, 금속 패드(170)와 봉지부(190)의 열 팽창 계수 차이에 의해 봉지부(190)가 들뜨게 되는 문제가 완화되어, 반도체 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 미세 요철(P1)이 금속 패드(170)의 측면뿐만 아니라 하면에도 형성되며, 이러한 하면의 면적은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 구조물(LED1, LED2)과 실질적으로 같은 정도의 면적을 차지하므로, 봉지부(190)의 박리 강도가 비약적으로 향상될 수 있다.
일 실시예와 같이 발광 구조물(120)이 복수개의 발광 구조물(LED1, LED2)로 이루어진 경우에는, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)의 사이에는 연결 금속 패드(173)가 이격하여 배치될 수 있다. 연결 금속 패드(173)는 제2 절연층(160)을 관통하여 복수의 발광 구조물 중 어느 하나의 발광 구조물(LED2)의 제1 전극(141)과 인접한 다른 발광 구조물(LED1)의 제2 전극(142)을 연결하여, 복수의 발광 구조물(LED1, LED2)이 서로 전기적으로 접속시킬 수 있다.
본딩 패드(180)는 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)를 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)는 제1 및 제2 금속 패드(171, 172) 상에 각각 배치될 수 있다. 본딩 패드(180)는 반도체 발광소자 패키지(10)를 회로 기판에 실장할 때에 납땜이 되어 부착되는 부분으로, 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)과 접속되어, 본딩 패드(180)를 통해 공급되는 전류를 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)에 인가할 수 있다. 본딩 패드(180)는 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 표면 거칠기를 갖도록 제2 미세 요철(P2)이 제공된 표면을 가질 수 있다. 제2 미세 요철(P2)은 앞서 설명한 제1 미세 요철(P1)과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있으며, 제2 미세 요철(P2)은 제1 미세 요철(P1)과 실질적으로 동일한 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 상이한 표면 거칠기를 갖도록 형성될 수도 있다. 실시예에 따라서는, 제1 및 제2 본딩 패드(191, 182)의 노출된 하면에 형성된 제2 미세 요철(P2)은, 그라인딩 등과 같은 선택적인 공정에 의해, 봉지부(190)의 일 영역과 함께 제거될 수 있다. 제2 미세 요철(P2)의 효과는 앞서 설명한 제1 미세 요철(P1)의 효과가 같으므로, 자세한 설명은 생략한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 금속 패드(170')와 본딩 패드(180')에 형성된 제2 미세 요철(P5)의 제2 표면 거칠기와 제1 미세 요철(P4)의 제1 표면 거칠기는 서로 상이할 수 있다. 즉, 제1 및 제2 금속 패드(171', 172')와 연결 금속 패드(173')의 표면에 제1 미세 요철(P4)을 형성한 후, 제1 및 제2 본딩 패드(181', 182')를 형성하고, 제1 및 제2 본딩 패드(181', 182')의 표면만 선택적으로 식각함으로써, 서로 상이한 표면 거칠기를 갖는 제1 미세 요철(P4)과 제2 미세 요철(P5)이 형성될 수 있다. 또한, 금속 패드(170)와 본딩 패드(180)가 접하는 면(IP)에 미세 요철이 형성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 발광 구조물(120)의 상면에는 파장변환부(200)가 배치될 수 있다. 상기 파장변환부(200)는 실질적으로 일정한 두께를 가지는 시트(sheet) 형상으로 형성될 수 있으며, 상온에서 반경화 상태이고, 가열시 유동 가능한 수준으로 상 변화하는 반경화성(B-stage) 물질에 형광체와 같은 물질이 분산된 필름일 수 있다. 형광체로는 가넷(garnet) 계열 형광체(YAG, TAG, LuAG), 실리케이트 계열 형광체, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 산화물계 형광체 등이 사용될 수 있으며, 단일종으로 구성되거나 또는 소정 비율로 혼합된 복수종으로 구성될 수 있다. 또한, 파장변환부(200)에는 형광체를 대체하거나 형광체와 혼합하여 양자점이 사용될 수 있다. 상기 파장변환부(200)에 사용되는 수지는 고 접착성, 고 광투과성, 고 내열성, 고 광굴절율, 내습성 등을 만족할 수 있는, 에폭시(epoxy) 수지나 실리콘(silicone) 수지가 사용될 수 있다. 고 접착성 확보를 위해서는 접착력 향상을 도모하는 첨가제로서, 예를 들어, 실란(silane)계 물질이 채용될 수 있다.
봉지부(190)는 본딩 구조물인 금속 패드(170)와 본딩 패드(180)를 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 봉지부(190)는 발광 구조물(120)을 덮도록 배치될 수 있다. 상기 봉지부(190)는 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)의 일면을 노출시키는 평탄면(C2)을 갖도록 구성될 수 있다. 봉지부(190)는 제1 및 제2 발광 구조물(LED1, LED2)을 견고하게 지지하기 위해서 높은 영률(Young's Modulus)을 가질 수 있다. 또한, 봉지부(190)는 제1 및 제2 발광 구조물(LED1, LED2)에서 발생한 열을 효과적으로 방출하기 위하여 높은 열 전도도를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지부(190)는 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone) 수지를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 봉지부(190)는 빛을 반사시키기 위한 광반사성 입자를 포함할 수 있다. 상기 광반사성 입자로는 이산화 티타늄(TiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 1의 반도체 발광소자 패키지(10)의 제조공정에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 15는 반도체 발광소자 패키지의 주요 제조공정을 개략적으로 나타낸 측 단면도이다. 도 5 내지 도 15에서, 도 1 내지 도 3과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타내며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)을 순차적으로 에피택셜 성장시켜 발광 구조물(120)을 형성하고, 제1 도전형 반도체층(121)의 적어도 일부가 노출되도록 제2 도전형 반도체층(123), 활성층(122) 및 제1 도전형 반도체층(121)의 일부를 식각할 수 있다. 이에 의해 식각 영역(E)과 상기 식각 영역(E)에 의해 부분적으로 구획된 복수의 메사 영역(M)을 형성할 수 있다. 본 실시예는 두개의 발광 구조물이 형성될 영역(A1, A2)을 포함하는 경우를 예로 들어 설명한다.
기판(110)은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. 기판(110)과 제1 도전형 반도체층(121) 사이에 버퍼층이 구비될 수 있다. 상기 버퍼층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)일수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 500℃ 내지 600℃의 저온에서 형성되며, 의도적으로 도핑되지 않은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN일 수 있다. 필요에 따라, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
다음으로, 도 6을 참조하면, 발광 구조물(120) 상에 절연성 물질을 증착하여 제1 절연층(130)을 형성하고, 제1 절연층(130)의 일부 영역을 식각함으로써, 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)을 노출시키는 개구부(131, 132)를 형성한 후, 각각에 전도성 금속을 증착하여 제1 및 제2 전극(141, 142)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하면, 제1 및 제2 전극(141,142) 상에 각각 전도성 금속을 증착하여 제1 및 제2 금속층(151, 152)을 형성함으로써, 제1 및 제2 발광 구조물(LED1, LED2)를 준비할 수 있다.
다음으로, 도 8을 참조하면, 발광 구조물(120)의 일부 영역을 식각하여 제1 도전형 반도체층(121)이 노출되는 발광 구조물 분리 영역(ISO1) 및 소자 분리 영역(ISO2)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하면, 제1 및 제2 금속층(151, 152)를 덮도록 절연성 물질을 증착하여 제2 절연층(160)을 형성하고, 제2 절연층(160)의 일부 영역을 식각함으로써, 제1 금속층(151)과 제2 금속층(152)을 노출시키는 개구부(161, 162)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 10을 참조하면, 제2 절연층(160) 상에 제1 및 제2 금속 패드(171, 172) 및 연결 금속 패드(173)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 금속 패드(171, 173)와 연결 금속 패드(173)는 시드층을 이용하여 도금공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 금속 패드(171) 및 제2 금속 패드(172)는 전기적으로 단락되지 않도록 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 제1 및 제2 금속 패드(171, 172) 및 연결 금속 패드(173)는 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 구리 이외의 전도성 물질로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 11을 참조하면, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172) 상에 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)는 도금공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)는 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 도금공정을 수행하기 위해 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)가 형성될 영역을 정의하거나, 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)가 형성될 영역을 정의하는 포토레지스트 패턴이 형성될 수 있고, 상기 포토레지스트 패턴은 도금공정이 완료된 후에 스트립(strip) 공정에 의해 제거될 수 있다.
다음으로 도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 연결 금속 패드(173)에 에천트(E)를 스프레이 하여 제1 미세 요철(P1)과 제2 미세 요철(P2)을 형성할 수 있다. 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 연결 금속 패드(173)가 구리로 형성된 경우, 다양한 종류의 구리 에천트가 사용될 수 있다.
예를 들어, 20 ~ 40 ℃ 의 온도에서 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 제1 및 제2 본딩패드의 표면에 개미산(Formic Acid)과 같은 에천트를 0.15 ~ 0.2Mpa의 압력으로 스프레이하여 제1 미세 요철(P1)과 제2 미세 요철(P2)을 형성할 수 있다.
도 13을 참조하면, 제1 및 제2 금속 패드(171, 172)와 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)를 매립하는 봉지부(190)를 형성할 수 있다.
봉지부(190)는 제1 및 제2 본딩 패드(181, 182)의 상부까지 덮도록 봉지 재료를 도포하는 공정을 포함하며, 선택적으로 그라인딩 등과 같은 평탄화 공정을 이용하여 상기 제1 및 제2 금속 포스트(143,144)의 단부를 노출시키는 공정이 포함될 수 있다.
다음으로, 도 14를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(121)이 드러나도록 기판(110)을 제거하는 공정을 진행할 수 있다. 봉지부(190) 상에 지지 기판이 부착될 수 있다. 기판(110)이 사파이어와 같이 투명 기판일 경우, 기판(110)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off, LLO)를 통하여 발광 구조물(120)로부터 분리될 수 있다. 상기 레이저 리프트 오프 공정에 사용되는 레이저는 193㎚ 엑시머 레이저, 248㎚ 엑시머 레이저 및 308㎚ 엑시머 레이저, Nd:YAG 레이저, He-Ne 레이저 및 Ar 이온 레이저 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 또한, 기판(110)이 Si과 같은 불투명한 기판일 경우, 기판(110)은 그라인딩(Grinding), 폴리싱(Polishing)과 같은 방법에 의해 제거될 수 있다.
다음으로, 도 15를 참조하면, 기판(110)이 제거된 후에, 광방출 효율을 증대시키기 위하여 제1 도전형 반도체층(121)의 상면에 요철(P3)이 형성될 수 있다.
상기 요철(P)은 예를 들어, KOH나 NaOH를 포함하는 용액을 이용한 습식 식각 공정 또는 BCl3 가스를 포함하는 식각 가스를 이용한 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 다음으로, 발광 구조물(120) 상에 파장변환부(200)를 형성하고, 최종적으로 블레이드(B)를 이용하여 개별 패키지별로 절단하는 공정을 수행함으로써, 도 1에 도시된 반도체 발광소자 패키지를 형성할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 반도체 발광소자 패키지
110: 기판
120: 발광 구조물
121: 제1 도전형 반도체층
122: 활성층
123: 제2 도전형 반도체층
130: 제1 절연층
141: 제1 전극
142: 제2 전극
151: 제1 금속층
152: 제2 금속층
160: 제2 절연층
161: 개구부
170: 금속 패드
171, 172: 제1 및 제2 금속 패드
173: 연결 전극 패드
180: 본딩 패드
181: 제1 본딩 패드
182: 제2 본딩 패드
190: 봉지부
200: 파장변환부
300: 렌즈부
ISO1: 발광 구조물 분리 영역
ISO2: 소자 분리 영역

Claims (10)

  1. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 의해 제공되는 제1 면과 상기 제1 면과 반대 방향에 위치하는 제2 면을 갖는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물의 제2 면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 접속된 제1 및 제2 전극;
    상기 발광 구조물의 제2 면과 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 제1 표면 거칠기를 갖도록 제1 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 금속 패드;
    상기 제1 및 제2 금속 패드 상에 각각 배치되며, 제2 표면 거칠기를 갖도록 제2 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 본딩 패드; 및
    상기 제1 및 제2 본딩패드의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 및 제2 본딩 패드와 상기 제1 및 제2 금속 패드를 덮는 봉지부;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속 패드와 상기 제1 및 제2 본딩 패드는 동일한 조성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속 패드와 상기 제1 및 제2 본딩 패드는 Cu 및 Cu/Sn 중 하나를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면 거칠기와 상기 제2 표면 거칠기는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 표면 거칠기 중 적어도 하나는 산술 평균 거칠기(Ra)로 0.05㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 표면 거칠기 중 적어도 하나는 10점 평균 거칠기(Rz)로 0.5㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 본딩 패드의 노출된 영역은 미세 요철이 형성된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속 패드와 상기 제1 및 제2 본딩 패드가 접하는 면은 미세 요철이 형성된 계면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지.
  9. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제1 도전형 반도체층에 의해 제공되는 제1 면과 상기 제1 면과 반대 방향에 위치하는 제2 면을 갖는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물의 제2 면 상에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 접속된 제1 및 제2 전극;
    상기 발광 구조물의 제2 면과 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 산술 평균 거칠기(Ra)로 0.05㎛ 이상 또는 10점 평균 거칠기(Rz)로 0.5㎛ 이상인 표면 거칠기를 갖도록 미세 요철이 제공된 표면을 갖는 제1 및 제2 본딩 구조물; 및
    상기 제1 및 제2 본딩 구조물의 표면과 접하도록 배치된 봉지부;를 포함하되,
    상기 제1 및 제2 본딩 구조물은, 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 및 제2 전극과 각각 접속되고, 상기 미세 요철이 제공된 상기 표면을 갖는 제1 및 제2 금속 패드를 포함하는 반도체 발광소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 복수의 발광 구조물을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 본딩 구조물은,
    상기 제1 및 제2 금속 패드의 사이에 상기 제1 및 제2 금속 패드와 이격하여 배치되고, 상기 절연층을 관통하여 상기 복수의 발광 구조물 중 어느 하나의 발광 구조물의 상기 제1 전극과 인접한 다른 발광 구조물의 상기 제2 전극을 연결하는 연결 금속 패드; 및
    상기 제1 및 제2 금속 패드 상에 각각 배치되는 제1 및 제2 본딩 패드;를 포함하는 반도체 발광소자 패키지.
KR1020160077293A 2016-06-21 2016-06-21 반도체 발광소자 패키지 Active KR102530758B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160077293A KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2016-06-21 반도체 발광소자 패키지
US15/410,033 US9997670B2 (en) 2016-06-21 2017-01-19 Semiconductor light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160077293A KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2016-06-21 반도체 발광소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180000032A KR20180000032A (ko) 2018-01-02
KR102530758B1 true KR102530758B1 (ko) 2023-05-11

Family

ID=60659795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160077293A Active KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2016-06-21 반도체 발광소자 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9997670B2 (ko)
KR (1) KR102530758B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR102471670B1 (ko) * 2016-02-11 2022-11-29 서울바이오시스 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈
CN205944139U (zh) * 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
TWI631726B (zh) * 2017-03-10 2018-08-01 錼創科技股份有限公司 發光元件與顯示裝置
CN114464713B (zh) 2017-07-13 2025-03-25 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN110571318B (zh) * 2019-08-29 2021-04-16 天津三安光电有限公司 倒装发光元件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249426A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
TW437030B (en) * 2000-02-03 2001-05-28 Taiwan Semiconductor Mfg Bonding pad structure and method for making the same
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100568269B1 (ko) 2003-06-23 2006-04-05 삼성전기주식회사 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100896576B1 (ko) 2006-02-24 2009-05-07 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
US8368114B2 (en) 2007-05-18 2013-02-05 Chiuchung Yang Flip chip LED die and array thereof
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI473246B (zh) 2008-12-30 2015-02-11 Epistar Corp 發光二極體晶粒等級封裝
JP5353809B2 (ja) 2010-05-10 2013-11-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子及び発光装置
KR101795053B1 (ko) 2010-08-26 2017-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛
KR20120044739A (ko) 2010-10-28 2012-05-08 엘지이노텍 주식회사 플립칩형 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR101325735B1 (ko) 2011-07-18 2013-11-08 한국광기술원 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체 및 그의 제조 방법
JP2014175362A (ja) 2013-03-06 2014-09-22 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
KR20150012729A (ko) 2013-07-26 2015-02-04 조선대학교산학협력단 엘이디 발광소자 및 그 제조방법
KR20150033478A (ko) 2013-09-24 2015-04-01 서울바이오시스 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지 및 발광 소자의 제조방법
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US9502614B2 (en) 2014-06-04 2016-11-22 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode chip, light emitting device, and wafer-level structure of light emitting diode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249426A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9997670B2 (en) 2018-06-12
KR20180000032A (ko) 2018-01-02
US20170365739A1 (en) 2017-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102530758B1 (ko) 반도체 발광소자 패키지
JP6386015B2 (ja) 発光素子
TWI637537B (zh) 發光裝置及其製造方法
JP6199948B2 (ja) 発光素子、発光素子パッケージ
CN102044609B (zh) 半导体发光器件及其制造方法
TWI300277B (en) Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices
CN101939860B (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN101132040A (zh) 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
KR20130120615A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20130097815A (ko) 반도체 발광 장치
JP2006313884A (ja) フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法
KR102598043B1 (ko) 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
JP2012169332A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
CN101807638A (zh) 半导体发光器件
EP2219235A2 (en) Light emitting device package
JP4474892B2 (ja) フリップチップ型ｌｅｄ
JP2006073618A (ja) 光学素子およびその製造方法
KR101734550B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
CN101656283B (zh) 发光二极管组件及其制造方法
KR101646261B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
CN101834252B (zh) 发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置
CN108140707B (zh) 发光模块
KR20150052513A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101063997B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US11482653B2 (en) Light emitting diode apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160621

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210514

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20160621

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220929

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230323

PG1601 Publication of registration