KR102521810B1 - Semiconductor Package - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 209
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 81
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L33/50—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H01L33/54—
-
- H01L33/60—
-
- H01L33/62—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
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Abstract
본 발명에 의한 반도체 소자 패키지는 제1도전형 반도체층, 제2도전형반도체층, 및 상기 제1도전형반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1본딩부, 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2본딩부 및 상기 반도체구조물 상에 배치되는 제1투광부재를 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자를 네 측면 및 상면을 둘러싸며 배치되는 파장변환층 및 상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 반사부재를 포함하고, 상기 반사부재는 상기 제1 및 제2본딩부(반도체소자)와 제1방향으로 중첩되는 제1영역 및 상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제2영역을 포함하고, 상기 제1방향은 상기 반도체소자에서 상기 파장변환층을 향하는 수평방향이고, 상기 파장변환층은 상기 제1투광부재의 상면 상에 배치되는 상부 및 상기 제1투광부재와 상기 반사 부재의 제2영역 사이에 배치되는 측부를 더 포함하고, 상기 파장변환층의 측부는 반사부재의 제1영역과 접하고, 상기 반사부재의 제2영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2영역의 내 측면과 상기 파장변환층의 측부 사이의 최단거리는 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 향할수록 점진적으로 증가할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 광속 및 색 균일도가 개선될 수 있다.A semiconductor device package according to the present invention includes a semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. A semiconductor device including a first bonding portion electrically connected to the first conductive semiconductor layer, a second bonding portion electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and a first light transmitting member disposed on the semiconductor structure; A wavelength conversion layer disposed to surround four side surfaces and a top surface of the semiconductor element and a reflective member disposed to surround the semiconductor element, wherein the reflective member comprises the first and second bonding parts (semiconductor elements) and a first A first region overlapping in a direction and a second region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction, wherein the first direction is a horizontal direction from the semiconductor device toward the wavelength conversion layer, and the wavelength conversion layer further includes an upper portion disposed on the upper surface of the first light-transmitting member and a side portion disposed between the first light-transmitting member and the second region of the reflective member, and the side portion of the wavelength conversion layer is the first region of the reflective member. and the second region of the reflective member further includes an inner side surface adjacent to the semiconductor element and an outer side surface exposed to the outside, and a shortest distance between the inner side surface of the second region of the reflective member and the side of the wavelength conversion layer. The distance may gradually increase toward a second direction perpendicular to the first direction.
According to the present invention, reliability of a semiconductor device package can be improved.
According to the present invention, luminous flux and color uniformity of a semiconductor device package can be improved.
Description
본 발명은 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지의 제공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device package and a method of providing a semiconductor device package.
GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다.Semiconductor devices containing compounds such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, and InP have many advantages, such as having wide and easily adjustable band gap energy, and various diodes.
특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using compound semiconductor materials such as group 3-5 or group 2-6 of semiconductors have developed thin film growth technology and device materials to produce red and green colors. It can implement various colors such as blue and ultraviolet rays, and it is possible to implement white light with high efficiency by using fluorescent materials or adjusting the color. It has the advantages of response speed, stability, and environmental friendliness.
뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when light-receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to absorb light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelength ranges and use light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, since it has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness, and easy control of element materials, it can be easily used in power control or ultra-harmonic circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications such as white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, sensors that detect gas or fire, and medical devices are expanding. In addition, the application of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
최근에는 반도체 소자의 신뢰성을 개선하기 위한 반도체 소자 패키지의 구조에 대한 다양한 개발이 이루어지고 있다.Recently, various developments have been made on the structure of a semiconductor device package to improve the reliability of a semiconductor device.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 신뢰성이 향상된 반도체 소자 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor device package with improved reliability.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 광속 및 색 균일도가 개선된 반도체 소자 패키지를 제공하는 것이다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor device package with improved luminous flux and color uniformity.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 제1도전형 반도체층, 제2도전형반도체층, 및 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물, 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1본딩부, 상기 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2본딩부 및 상기 반도체구조물 상에 배치되는 제1투광부재를 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자의 네 측면 및 상면을 둘러싸며 배치되는 파장변환층, 및 상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 반사부재를 포함하고, 상기 반사부재는 상기 제1 및 제2본딩부와 제1방향으로 중첩되는 제1영역 및 상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제2영역을 포함하고, 상기 제1방향은 상기 반도체소자에서 상기 파장변환층을 향하는 수평방향이고, 상기 파장변환층은 상기 제1투광부재의 상면 상에 배치되는 상부 및 상기 제1투광부재와 상기 반사 부재의 제2영역 사이에 배치되는 측부를 더 포함하고, 상기 파장변환층의 측부는 반사부재의 제1영역과 접하고, 상기 반사부재의 제2영역은 상기 반도체 소자에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 더 포함하고, 상기 반사부재의 제2영역의 내 측면과 상기 파장변환층의 측부 사이의 최단거리는 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 향할수록 점진적으로 증가할 수 있다.A semiconductor device package according to an embodiment of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. A semiconductor structure, a first bonding portion electrically connected to the first conductive semiconductor layer, a second bonding portion electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and a first light transmitting member disposed on the semiconductor structure. a semiconductor element, a wavelength conversion layer disposed to surround four side surfaces and an upper surface of the semiconductor element, and a reflective member disposed to surround the semiconductor element, wherein the reflective member is connected to the first and second bonding parts; A first region overlapping in one direction and a second region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction, wherein the first direction is a horizontal direction from the semiconductor device toward the wavelength conversion layer, The layer further includes an upper portion disposed on the upper surface of the first light-transmitting member and a side portion disposed between the first light-transmitting member and the second region of the reflective member, and the side portion of the wavelength conversion layer is the first portion of the reflective member. region, the second region of the reflective member further includes an inner side surface adjacent to the semiconductor element and an outer side surface exposed to the outside, and between the inner side surface of the second region of the reflective member and the side of the wavelength conversion layer. The shortest distance may gradually increase toward a second direction perpendicular to the first direction.
일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 상에 배치되는 제2투광부재를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a second light transmitting member disposed on the wavelength conversion layer may be further included.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1투광부재는 상기 제2투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the first light-transmitting member may include a refractive index different from that of the second light-transmitting member.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2투광부재의 일 측면은 상기 반사부재의 외 측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.According to an embodiment, one side surface of the second light transmitting member may be disposed on the same plane as an outer side surface of the reflective member.
일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층의 상부의 제1방향으로의 거리는 상기 반도체 소자의 제1방향으로의 거리보다 클 수 있다.According to an embodiment, a distance of an upper portion of the wavelength conversion layer in the first direction may be greater than a distance of the semiconductor element in the first direction.
일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 상부의 제1방향으로의 거리는 상기 반도체 소자의 제1방향으로의 거리와 대비하여 1.01 이상 내지 1.10 이하일 수 있다.According to an embodiment, a distance in the first direction of the upper portion of the wavelength conversion layer may be 1.01 or more to 1.10 or less compared to a distance of the semiconductor element in the first direction.
일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 상부의 제2방향으로의 거리는 상기 파장변환층 측부의 제1방향으로의 거리와 동일할 수 있다.According to an embodiment, the distance in the second direction of the upper part of the wavelength conversion layer may be the same as the distance in the first direction of the side part of the wavelength conversion layer.
일 실시 예에 따르면, 상기 파장변환층 및 반사부재 사이에 배치되는 수지부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a resin part disposed between the wavelength conversion layer and the reflective member may be further included.
일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는 파장변환층 측부 및 반사부재의 내 측면 사이와 파장변환층 상부에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the resin part may be disposed between the side of the wavelength conversion layer and the inner side of the reflective member and on the upper portion of the wavelength conversion layer.
일 실시 예에 따르면, 상기 수지부는 상기 파장변환층 상부와 제2방향으로 중첩되는 a영역 및 상기 반사부재와 제2방향으로 중첩되는 b영역을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the resin part may include an area a overlapping the upper portion of the wavelength conversion layer in a second direction and an area b overlapping the reflective member in a second direction.
일 실시 예에 따르면, 상기 a영역의 제1방향으로의 거리는 상기 반도체 소자의 제1방향으로의 거리와 동일할 수 있다.According to an embodiment, a distance of the region a in the first direction may be the same as a distance of the semiconductor device in the first direction.
일 실시 예에 따르면, 상기 b영역의 제1방향으로의 최대 거리는 1um 이상 내지 300um 이하일 수 있다.According to an embodiment, the maximum distance of the region b in the first direction may be 1 um or more and 300 um or less.
일 실시 예에 따르면, 상기 a영역의 제2방향으로의 거리는 1um 이상 내지 50um 이하일 수 있다.According to an embodiment, the distance of the region a in the second direction may be 1 μm or more and 50 μm or less.
일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 소자는 플립칩 타입의 발광소자일 수 있다.According to an embodiment, the semiconductor device may be a flip chip type light emitting device.
본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the present invention, reliability of a semiconductor device package can be improved.
본 발명에 의하면, 반도체 소자 패키지의 광속 및 색 균일도가 개선될 수 있다.According to the present invention, luminous flux and color uniformity of a semiconductor device package can be improved.
본 발명에 의하면, 기판이 필수 구성이 아니므로, 반도체 소자 패키지의 높이를 감소시켜, 소형화된 반도체 소자 패키지를 제공할 수 있다.According to the present invention, since the substrate is not an essential component, it is possible to provide a miniaturized semiconductor device package by reducing the height of the semiconductor device package.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1을 A-A'방향으로 절단한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1을 A-A'방향으로 절단한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면을 나타낸 다른 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 하면을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 공정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view of a semiconductor device package according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention taken in the A-A' direction of FIG. 1 .
FIG. 3 is another cross-sectional view of a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention taken in the A-A′ direction of FIG. 1 .
4 is a diagram illustrating a lower surface of a semiconductor device package according to an exemplary embodiment.
5 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a diagram for explaining a process of a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 전술한 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 이하의 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.The foregoing objects and technical configurations of the present invention and the details of the operation and effect thereof will be more clearly understood by the following detailed description.
본 발명의 설명에 있어서, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성요소들이 제1, 제2등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the description of the present invention, terms such as first and second used below are only identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are referred to as first, second, etc. is not limited by
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. “포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Terms such as “include” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, and one or more other features, numbers, or steps , operations, components, parts, or combinations thereof may be interpreted as being capable of being added.
이하 사용되는 “포함한다(Comprises)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.As used herein, “comprises” and/or “comprising” means that a stated component, step, operation, and/or element refers to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and/or elements; do not rule out additions.
본 발명의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(On)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the present invention, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under/under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. The description of "formed on" includes all formed directly or through another layer. The criteria for upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
상기 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 설명한다.A semiconductor device package according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5 .
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이다..1 is a perspective view of a semiconductor device package according to the present invention.
도 2 및 도 3은 도 1을 A-A'방향으로 절단한 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 하면을 나타낸 도면이다.2 and 3 are cross-sectional views of a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention taken in the A-A′ direction of FIG. 1, and FIG. 4 is a view of a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention. It is a drawing showing the underside.
본 발명에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 반도체 소자(110), 파장변환층(130), 제2투광부재(140), 수지부(120) 및 반사 부재(150)를 포함할 수 있다.The semiconductor device package 100 according to the present invention may include a
본 발명에 따른 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 CSP(Chip Scale Package) 일 수 있다. 반도체 소자 패키지(100)는 발광소자, 수광소자 등 각종 전자소자를 포함할 수 있으며, 상기 발광소자는 UV 발광소자 또는 청색발광소자일 수 있다. 상기 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해 결정되고, 자외선 대역부터 가시광 대역의 파장 범위 내에서 발광할 수 있다.The semiconductor device package 100 according to an embodiment of the present invention may be a chip scale package (CSP). The semiconductor device package 100 may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device, and the light emitting device may be a UV light emitting device or a blue light emitting device. The light emitting device emits light by recombination of electrons and holes, and the wavelength of this light is determined by the energy band gap inherent in the material, and may emit light within a wavelength range from an ultraviolet band to a visible light band.
도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체 소자(110)에 대해 설명한다.Referring to FIG. 5 , a
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자(110)의 단면을 나타낸 도면이다. 5 is a cross-sectional view of the
본 발명에 따른 반도체 소자(110)는 플립칩(flip chip) 타입의 발광 소자일 수 있다. 상기 플립칩(flip chip) 타입의 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자일 수 있다.The
반도체 소자(110)는 제1투광부재(114), 반도체구조물(113), 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다.The
상기 반도체구조물(113) 상에 제1투광부재(114)이 배치될 수 있다.A first
상기 제1투광부재(114)는 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. The first
상기 반도체구조물(113)은 제1도전형반도체층(113a), 제2도전형 반도체층(113c), 제1도전형반도체층(113a)과 제2도전형반도체층(113c) 사이에 배치된 활성층(113b)을 포함할 수 있다.The
상기 반도체구조물(113)은 화합물반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광구조물은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반도체구조물(113)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The
상기 반도체구조물(113)은 제1도전형반도체층(113a), 활성층(113b), 제2 도전형반도체층(113c)을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2도전형반도체층(113a, 113c)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. The first and second conductivity-
예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(113a, 113c)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first and second conductivity-
상기 제1 도전형 반도체층(113a)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. The first conductivity-
상기 제2 도전형 반도체층(113c)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The second conductivity-
상기 활성층(113b)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The
상기 활성층(113b)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. For example, the
상기 활성층(113b)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(113b)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. When the
예컨대, 상기 활성층(113b)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the
본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자(110)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 포함할 수 있다.The
상기 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)는 상기 반도체구조물(113)의 일면에 배치될 수 있다.The
상기 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)는 서로 이격된 거리에 배치될 수 있다.The
상기 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)을 통해 반도체 소자(110)로 전류가 흐를 수 있다.Current may flow to the
상기 제1 본딩부(117)는 제1 패드본딩부(115)과 제1 가지본딩부(111)을 포함할 수 있다. The
상기 제1 본딩부(117)는 상기 제1도전형반도체층(113a)에 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 제2 본딩부(118)는 제2 패드본딩부(116)과 제2 가지본딩부(112)을 포함할 수 있다. The
상기 제2 본딩부(118)는 상기 제2도전형 반도체층(113c)에 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 제1 가지본딩부(111)과 상기 제2 가지본딩부(112)에 의하여 상기 제1 패드본딩부(115)과 상기 제2 패드본딩부(116)을 통하여 공급되는 전원이 상기 반도체구조물(113) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The semiconductor structure ( 113) can be spread throughout and provided.
상기 제1 본딩부(117)와 상기 제2 본딩부(118)는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 본딩부(117)와 상기 제2 본딩부(118)는 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 본딩부(117)와 상기 제2 본딩부(118)는 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 반도체구조물(113)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 반도체구조물(113)의 상면에 제공될 수 있다. Meanwhile, a protective layer may be further provided on the
또한, 상기 보호층은 상기 반도체구조물(113)의 측면에 제공될 수도 있다. Also, the protective layer may be provided on a side surface of the
상기 보호층은 상기 제1 패드본딩부(131)와 상기 제2 패드본딩부(132)이 노출되도록 제공될 수 있다. The protective layer may be provided to expose the first pad bonding portion 131 and the second pad bonding portion 132 .
또한, 상기 보호층은 상기 제1투광부재(114)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and lower surface of the first
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer may be formed of at least one material selected from a group including SixOy, SiOxNy, SixNy, and AlxOy.
본 발명에 따른 반도체 소자(110)는, 상기 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 6면 방향으로 발광될 수 있다. In the
상기 활성층(113b)에서 생성된 빛이 반도체 소자(110)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.Light generated in the
본 발명에 따른 반도체 소자 패키지(100)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)이 배치되는 기판(미도시)을 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package 100 according to the present invention may further include a substrate (not shown) on which the
그러나, 기판(미도시)이 필수 구성이 아니므로, 반도체 소자 패키지(100)의 수직방향 길이가 감소하여 소형화될 수 있다.However, since the substrate (not shown) is not an essential component, the length of the semiconductor device package 100 in the vertical direction may be reduced and miniaturized.
또한, 기판(미도시) 상에 반도체 소자 패키지(100)가 배치되지 않아, 반도체 소자(110)로부터 발생되는 열이 빠르게 방출되어, 열저항이 감소될 수 있으며, 제조 원가가 절감되어 공정 수율이 개선될 수 있다.In addition, since the semiconductor device package 100 is not disposed on a substrate (not shown), heat generated from the
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 반사 부재(150)는 반도체 소자(110)를 둘러싸며 배치될 수 있다. 즉, 반사 부재 (150)는 반도체 소자(110)의 네 측면을 둘러싸며 배치될 수 있다.Referring back to FIGS. 1 to 3 , the
반사 부재(150)는 파장변환층(130) 네 측면 및 수지부(120)을 둘러싸며 배치될 수 있다.The
반사 부재(150)는 반도체 소자(110)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 반도체 소자(110)로 유입되거나, 제2투광부재(140)의 일면으로 출사될 수 있다.The
또한, 도 4를 참조하면, 반사 부재(150)가 반도체 소자(110)의 네 측면을 둘러싸며 배치되는 것을 다시 한 번 확인할 수 있다.Also, referring to FIG. 4 , it can be confirmed once again that the
도시하지 않았으나, 반사 부재(150)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118) 사이에도 배치되어, 반도체 소자(110)의 하면에서 방출되는 광을 반사하여, 반도체 소자 패키지의 광속 특성을 향상시킬 수 있다.Although not shown, the
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 반사 부재(150)의 일면은 반도체 소자(110)가 포함하는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , one surface of the
반사 부재(150)는 제1본딩부(117) 및 제2본딩부(118)와 제1방향으로 중첩되는 제1영역 및 파장변환층(130)과 제1방향으로 중첩되는 제2영역을 포함할 수 있다. The
제1방향은 반도체 소자(110)에서 파장변환층(130)을 향하는 수평방향일 수 있다.The first direction may be a horizontal direction from the
반사 부재(150)는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The
반사 부재(150)는 반사물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 상기 반사물질은 TiO2 또는 SiO2일 수 있다.The
반사 부재(150)는 캐비티(cavity)를 포함할 수 있고, 상기 캐비티(cavity) 내에 상기 반도체 소자(110)가 배치될 수 있다.The
반사 부재(150)는 수지부(120)과 접하는 면에 대해 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면을 통해 반도체 소자(110)의 측면에서 방출된 광이 반사되어 광 추출 효율이 증가할 수 있다.The
파장변환층(130)은 반도체 소자(110)를 둘러싸며 배치될 수 있다.The
상기 파장변환층(130)은 반도체 소자(110)의 네 측면 및 상면을 둘러싸며 배치될 수 있다.The
파장변환층(130)은 반도체 소자(110)로부터 입사된 광이 외부로 방출되는 경우, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.When light incident from the
파장변환층(130)은 파장변환물질이 함유된 고분자 수지로 이루어질 수 있다.The
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있으며, 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The wavelength conversion material may be a phosphor, and may include one or more of a sulfide-based, oxide-based, or nitride-based compound, but is not limited thereto.
상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.The phosphor may be variously selected to realize a color desired by a user.
상기 형광체는 반도체 소자(110)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 정해질 수 있다.The type of the phosphor may be determined according to the wavelength of light emitted from the
예를 들어, 반도체 소자(110)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다. 반도체 소자(110)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.For example, when the
상기 고분자 수지는 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The polymer resin may include, but is not limited to, one or more of a transparent epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin.
상기 반도체 소자(110) 상면에 배치되는 파장변환층(130)의 제2방향으로의 거리(d1)는 10um 이상 내지 200um 이하일 수 있다.A distance d1 of the
상기 파장변환층(130)의 제2방향으로의 거리(d1)가 10um 이상인 경우, 반도체 소자 패키지의 광속특성을 확보할 수 있다.When the distance d1 of the
상기 파장변환층(130)의 제2방향으로의 거리(d1)가 200um 이하인 경우, 반도체 소자 패키지의 공정 단가 및 공정 수율을 확보할 수 있다.When the distance d1 of the
반도체 소자(110) 측면에 배치되는 파장변환층(130)의 제1방향으로의 거리(d2) 및 반도체 소자(110) 상면에 배치되는 파장변환층(130)의 제2방향으로의 거리(d1)는 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.A distance d2 in the first direction of the
예를 들어, 상기 반도체 소자(110) 측면에 배치되는 파장변환층(130)의 제1방향으로의 거리(d2)가 반도체 소자(110) 상면에 배치되는 파장변환층(130)의 제2방향으로의 거리(d1)보다 큰 경우, 반도체 소자(110) 측면의 광속효율이 향상될 수 있다.For example, the distance d2 in the first direction of the
한편, 파장변환층(130)은 상기 제1투광부재(114)의 상면 상에 배치되는 상부 및 상기 제1투광부재(114)와 반사 부재(150)의 제2영역 사이에 배치되는 측부를 포함할 수 있다.Meanwhile, the
반사 부재(150)의 제2영역은 반도체 소자에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 포함하고, 반사 부재(150)가 포함하는 제2영역의 내 측면과 파장변환층(130)의 측부 사이의 최단 거리는 제1방향에 수직한 제2방향으로 향할수록 점진적으로 증가할 수 있다.The second region of the
본 발명에 따른 반도체소자패키지는 파장변환층(130) 상에 배치되는 제2투광부재(140)를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device package according to the present invention may further include a second
제2투광부재(140)를 배치함으로써, 반도체 소자(110) 및 파장변환층(130)을 열과 외부충격에서 보호할 수 있다.By disposing the second
상기 제2투광부재(140)는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The second
상기 제2투광부재(140)는 수지물 내에 열 확산제가 첨가될 수 있다.In the second
상기 열 확산제는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 과 같은 물질을 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The heat spreader may include at least one of oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having materials such as Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr, but is not limited thereto.
상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 정의될 수 있다.The heat spreader may be defined as powder particles, grains, fillers, and additives of a predetermined size.
상기 제2투광부재(140)는 반도체 소자(110)의 굴절률과 다른 굴절률을 가질 수 있고, 상기 제2투광부재(140)의 굴절률은 상기 반도체 소자(110)의 굴절률 이하일 수 있다.The second light-transmitting
상기 제2투광부재(140)이 상기 반도체 소자(110)의 굴절률 이하인 경우, 반도체 소자 패키지에서 외부로 방출되는 광의 추출효율을 향상시킬 수 있다.When the refractive index of the second light-transmitting
한편, 제2투광부재(140)는 제1투광부재(114)와 서로 다른 굴절률을 포함할 수 있다.Meanwhile, the second
제2투광부재(140)와 제1투광부재(114)가 서로 다른 굴절률을 포함함으로써, 반도체 소자 패키지의 색 균일도가 개선될 수 있다.When the second light-transmitting
또한, 제2투광부재(140)는 제1투광부재(114)와 같은 굴절률을 포함할 수 있다.Also, the second
사용자의 설계에 따라 제2투광부재(140) 및 제1투광부재(114)의 굴절률을 선택될 수 있다.The refractive indices of the second
제2투광부재(140)의 제2방향으로의 거리(h)는 30um 이상 내지 300um 이하일 수 있다.A distance (h) of the second
상기 제2투광부재(140)의 제2방향으로의 거리(h)가 30um 이상인 경우, 파장이 변환된 광이 외부로 충분히 발현되므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 광속특성을 확보할 수 있다.When the distance (h) of the second
상기 제2투광부재(140)의 제2방향으로의 거리(h)가 300um 이하인 경우, 반도체 소자 패키지는 보다 작게 제작할 수 있으므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 공정 단가 및 공정 수율을 확보할 수 있다.When the distance (h) of the second light-transmitting
또한, 제2투광부재(140)의 일 측면은 반사 부재(150)의 외 측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.In addition, one side surface of the second
한편, 본 발명에 따른 반도체소자패키지는 파장변환층(130) 및 반사 부재 사이에 배치되는 수지부(120)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the semiconductor device package according to the present invention may further include a
수지부(120)는 파장변환층(130) 상부 및 파장변환층(130) 측부와 반사 부재 내 측면 사이에 배치될 수 있다. The
수지부(120)는 상기 파장변환층(130) 및 제2투광부재(140) 사이에 배치될 수 있다.The
수지부(120)는 상기 파장변환층(130)의 네 측면 및 상면에 배치되며, 제2투광부재(140)의 일면과 접할 수 있다.The
수지부(120)를 배치함으로써, 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110) 및 제2투광부재(140)가 견고하게 부착될 수 있다,By disposing the
또한, 수지부(120)는 반도체 소자(110)에서 방출하는 빛의 손실을 줄이기 위해 투명한 실리콘 수지, 에폭시 등으로 구성될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.In addition, the
도 3을 참조하면, 수지부(120)는 파장변환층(130) 상부와 제2방향으로 중첩되는 a영역 및 반사 부재(150)와 제2방향으로 중첩되는 b영역을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the
a영역의 제1방향으로의 거리(T1)는 상기 반도체 소자(110)의 제1방향으로의 거리와 동일할 수 있다.A distance T1 of region a in the first direction may be the same as a distance of the
b영역의 제1방향으로의 최대 거리(T2)는 1um 이상 내지 300um 이하일 수 있다.The maximum distance T2 of region b in the first direction may be greater than or equal to 1 μm and less than or equal to 300 μm.
b영역의 제1방향으로의 최대 거리(T2)가 1um 이상인 경우, 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110) 및 제2투광부재(140) 측면의 부착력이 증가하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.When the maximum distance T2 of the region b in the first direction is 1 μm or more, the adhesive strength of the side surfaces of the
b영역의 제1방향으로의 최대 거리(T2)가 300um 이하인 경우, 복수의 반도체 소자 패키지 제조 시 수지부(120)이 형성되는 공정 시간을 감소시킬 수 있어, 반도체 소자 패키지의 공정 수율을 확보할 수 있다.When the maximum distance T2 of the region b in the first direction is 300 μm or less, it is possible to reduce the process time for forming the
a영역의 제2방향으로의 거리(ℓ)는 1um 이상 내지 50um 이하일 수 있다.A distance ℓ of region a in the second direction may be 1 μm or more and 50 μm or less.
a영역의 제2방향으로의 거리(ℓ)가 1um 이상인 경우, 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110) 및 제2투광부재(140) 부착 시 파장변환층(130)과 제2투광부재(140)의 손상을 방지하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 확보할 수 있다.When the distance (ℓ) of region a in the second direction is 1 μm or more, when the
a영역의 제2방향으로의 거리(ℓ)가 50um 이하인 경우, 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110) 및 제2투광부재(140) 사이의 부착력이 증가하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.When the distance (ℓ) of the region a in the second direction is 50 μm or less, the adhesive force between the
도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조 공정에 대해 설명한다.Referring to FIG. 6 , a manufacturing process of a semiconductor device package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.6 is a diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시 예에 다른 반도체 소자 패키지의 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.In describing a method of manufacturing a semiconductor device package according to an embodiment of the present invention, descriptions of components identical to those described with reference to FIGS. 1 to 5 will be omitted.
도 6(a)를 참조하면, 반도체 소자(110) 네 측면 및 상면에 파장변환층(130)을 배치할 수 있다.Referring to FIG. 6( a ) , the
상기 파장변환층(130)은 파장변환물질이 포함된 필름 또는 글라스로 구성되어 반도체 소자(110) 네 측면 및 상면에 부착될 수 있다.The
또는, 파장변환층(130)은 파장변환물질이 포함된 수지를 스프레이로 도포하여 반도체 소자(110) 네 측면 및 상면에 배치될 수 있다.Alternatively, the
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다. 상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.The wavelength conversion material may be a phosphor. The wavelength conversion material may include at least one of a sulfide-based, oxide-based, or nitride-based compound, but is not limited thereto. The phosphor may be variously selected to realize a color desired by a user.
도 6(b)를 참조하면, 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110)가 부착될 제2투광부재(140)을 배치한다.Referring to FIG. 6( b ), a second
제2투광부재(140)은 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다The second
도 6(C)를 참조하면, 제2투광부재(140) 상에 수지부(120)을 형성하는 본딩물질을 주입할 수 있다.Referring to FIG. 6(C) , a bonding material forming the
제2투광부재(140) 상에 파장변환층(130)이 배치된 반도체 소자(110)가 부착될 영역에 본딩 물질을 주입할 수 있다.A bonding material may be injected into a region where the
도 6(d)를 참조하면, 본딩 물질이 주입된 제2투광부재(140) 상에 파장변환층(130)이 형성된 반도체 소자(110)를 부착한다.Referring to FIG. 6(d), the
이에 따라, 수지부(120)는 파장변환층(130)의 상면 및 네 측면을 둘러싸며 배치되고, 수직 단면은 필렛(fillet)구조를 포함할 수 있다.Accordingly, the
도 6(e)를 참조하면, 파장변환층(130) 및 수지부(120)을 포함하는 반도체 소자(110) 사이에 디스펜서(dispenser)를 통해 반사 부재(150)를 주입할 수 있다.Referring to FIG. 6(e) , a
도 6(f)를 참조하면, 반사 부재(150)가 주입된 복수개의 반도체 소자(110)를 다이싱 하여 반도체 소자 패키지를 완성할 수 있다.Referring to FIG. 6(f) , a semiconductor device package may be completed by dicing the plurality of
이와 같은 제조공정으로 완성된 반도체 소자 패키지는 파장변환층(130)이 외부로 노출되지 않아 광속 특성과 색 균일도는 물론, 신뢰성이 향상될 수 있다.In the semiconductor device package completed through such a manufacturing process, since the
한편, 이상에서 설명된 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 반도체 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. Meanwhile, a plurality of semiconductor device packages according to the present invention described above may be arrayed on a substrate, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on a light path of the semiconductor device package.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지를 포함하는 광원 장치로 구현될 수 있다.In addition, it may be implemented as a light source device including the semiconductor device package according to the present invention.
또한, 광원 장치는 기판과 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 출력되는 광이 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.In addition, the light source device includes a light source module including a substrate and a semiconductor device package according to the present invention, a radiator for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal received from the outside and providing it to the light source module. can include For example, the light source device may include a lamp, a head lamp, or a street light. In addition, the light source device according to the embodiment may be variously applied to products requiring output light.
또한, 광원 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.In addition, the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module including a semiconductor element emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward, An optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying image signals to the display panel, disposed in front of the display panel A color filter may be included. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the headlamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module. It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector and directed to the lens to achieve a light distribution pattern desired by a designer.
이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다Although the present invention has been described as above, those skilled in the art to which the present invention pertains will recognize that it can be implemented in other forms while maintaining the technical spirit and essential characteristics of the present invention.
본 발명의 범위는 특허청구범위에 의하여 규정되어질 것이지만, 특허청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그와 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention will be defined by the claims, but all changes or modifications derived from configurations directly derived from the claims, as well as configurations equivalent thereto, are also included in the scope of the present invention. should be interpreted as
110: 반도체 소자
117: 제1본딩부
118: 제2본딩부
120: 수지부
130: 파장변환층
140: 제2투광부재
150: 반사 부재 110: semiconductor element
117: first bonding unit
118: second bonding unit
120: resin part
130: wavelength conversion layer
140: second light transmitting member
150: reflective member
Claims (14)
상기 반도체소자를 네 측면 및 상면을 둘러싸며 배치되는 파장변환층;
상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 반사부재; 및
상기 파장변환층 및 상기 반사부재 사이에 배치되는 수지부를 포함하고,
상기 반사부재는,
상기 제1 및 제2본딩부와 제1방향으로 중첩되는 제1영역 및 상기 파장변환층과 상기 제1방향으로 중첩되는 제2영역을 포함하고,
상기 제1방향은 상기 반도체소자에서 상기 파장변환층을 향하는 수평방향이고,
상기 파장변환층은,
상기 제1투광부재의 상면 상에 배치되는 상부 및
상기 제1투광부재와 상기 반사부재의 제2영역 사이에 배치되는 측부를 포함하고,
상기 파장변환층의 측부는 상기 반사부재의 제1영역과 접하고,
상기 반사부재의 제2영역은 상기 반도체소자에 인접한 내 측면 및 외부로 노출되는 외 측면을 포함하고,
상기 반사부재의 제2영역의 내 측면과 상기 파장변환층의 측부 사이의 최단거리는 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 향할수록 점진적으로 증가하는 반도체 소자 패키지.A semiconductor structure including a first conductivity-type semiconductor layer, a second conductivity-type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer, electrically electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer a semiconductor device including a first bonding portion connected to a first bonding portion, a second bonding portion electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and a first light-transmitting member disposed on the semiconductor structure;
a wavelength conversion layer disposed to surround four side surfaces and a top surface of the semiconductor device;
a reflective member disposed surrounding the semiconductor device; and
A resin portion disposed between the wavelength conversion layer and the reflective member,
The reflective member,
A first region overlapping the first and second bonding parts in a first direction and a second region overlapping the wavelength conversion layer in the first direction,
The first direction is a horizontal direction from the semiconductor device toward the wavelength conversion layer,
The wavelength conversion layer,
An upper portion disposed on the upper surface of the first light transmitting member and
A side portion disposed between the first light-transmitting member and the second region of the reflective member;
The side of the wavelength conversion layer is in contact with the first region of the reflective member,
The second region of the reflective member includes an inner side surface adjacent to the semiconductor element and an outer side surface exposed to the outside,
A shortest distance between an inner side surface of the second region of the reflective member and a side surface of the wavelength conversion layer gradually increases toward a second direction perpendicular to the first direction.
상기 파장변환층 상에 배치되는 제2투광부재를 더 포함하는,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
Further comprising a second light-transmitting member disposed on the wavelength conversion layer,
Semiconductor device package.
상기 제1투광부재는,
상기 제2투광부재와 서로 다른 굴절률을 포함하는,
반도체 소자 패키지.According to claim 2,
The first light transmitting member,
Including a refractive index different from that of the second light transmitting member,
Semiconductor device package.
상기 제2투광부재의 일 측면은,
상기 반사부재의 외 측면과 동일 평면 상에 배치되는,
반도체 소자 패키지.According to claim 2,
One side of the second light transmitting member,
Disposed on the same plane as the outer side of the reflective member,
Semiconductor device package.
상기 파장변환층의 상부의 제1방향으로의 거리는,
상기 반도체소자의 제1방향으로의 거리보다 큰,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The distance in the first direction of the top of the wavelength conversion layer,
greater than the distance in the first direction of the semiconductor device,
Semiconductor device package.
상기 파장변환층 상부의 제1방향으로의 거리는,
상기 반도체소자의 제1방향으로의 거리와 대비하여 1.01 이상 내지 1.10 이하인,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The distance in the first direction of the upper portion of the wavelength conversion layer,
1.01 or more to 1.10 or less compared to the distance in the first direction of the semiconductor device,
Semiconductor device package.
상기 파장변환층 상부의 제2방향으로의 거리는,
상기 파장변환층 측부의 제1방향으로의 거리와 동일한,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The distance in the second direction of the upper portion of the wavelength conversion layer,
The same as the distance in the first direction of the side of the wavelength conversion layer,
Semiconductor device package.
상기 수지부는 상기 파장변환층 측부 및 상기 반사부재의 내 측면 사이와 상기 파장변환층 상부에 배치되는,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The resin part is disposed between the side of the wavelength conversion layer and the inner side of the reflective member and above the wavelength conversion layer.
Semiconductor device package.
상기 수지부는,
상기 파장변환층 상부와 상기 제2방향으로 중첩되는 a영역 및 상기 반사부재와 상기 제2방향으로 중첩되는 b영역을 포함하는,
반도체 소자 패키지.According to claim 1,
The resin part,
Including an area a overlapping the wavelength conversion layer in the second direction and an area b overlapping the reflective member in the second direction,
Semiconductor device package.
상기 a영역의 제1방향으로의 거리는,
상기 반도체소자의 제1방향으로의 거리와 동일한,
반도체 소자 패키지According to claim 10,
The distance of the area a in the first direction,
equal to the distance in the first direction of the semiconductor device,
semiconductor device package
상기 b영역의 제1방향으로의 최대 거리는,
1um 이상 내지 300um 이하인,
반도체 소자 패키지.According to claim 10,
The maximum distance in the first direction of the b region,
1um or more to 300um or less,
Semiconductor device package.
상기 a영역의 제2방향으로의 거리는,
1um 이상 내지 50um 이하인,
반도체 소자 패키지.According to claim 10,
The distance of the area a in the second direction,
1um or more to 50um or less,
Semiconductor device package.
상기 반도체소자는,
플립칩 타입의 발광소자인,
반도체 소자 패키지.
According to claim 1,
The semiconductor device,
A flip chip type light emitting device,
Semiconductor device package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180031254A KR102521810B1 (en) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Semiconductor Package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180031254A KR102521810B1 (en) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Semiconductor Package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190109789A KR20190109789A (en) | 2019-09-27 |
| KR102521810B1 true KR102521810B1 (en) | 2023-04-17 |
Family
ID=68096904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180031254A Active KR102521810B1 (en) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Semiconductor Package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102521810B1 (en) |
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| KR20220112908A (en) | 2021-02-04 | 2022-08-12 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor light emitting device |
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| KR20190109789A (en) | 2019-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180319 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210216 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20180319 Comment text: Patent Application |
|
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20210702 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20221014 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230223 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230411 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230412 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |