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KR102476137B1 - 발광소자 패키지의 제조 방법 - Google Patents

발광소자 패키지의 제조 방법 Download PDF

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KR102476137B1
KR102476137B1 KR1020160022495A KR20160022495A KR102476137B1 KR 102476137 B1 KR102476137 B1 KR 102476137B1 KR 1020160022495 A KR1020160022495 A KR 1020160022495A KR 20160022495 A KR20160022495 A KR 20160022495A KR 102476137 B1 KR102476137 B1 KR 102476137B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은, 적어도 하나의 광차단 영역 및 적어도 하나의 파장 변환 영역을 포함하는 필름 스트랩(strap)을 마련하는 단계, 적어도 하나의 발광 영역을 갖는 발광 소자들을 마련하는 단계, 상기 적어도 하나의 발광 영역 상에 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역이 배치되도록 상기 발광 소자 상에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계, 및 상기 필름 스트랩 및 상기 발광 소자들을 개별 소자 단위로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명의 기술적 사상은 발광소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 긴 수명, 낮은 소비전력, 빠른 응답 속도, 환경 친화성 등의 장점을 갖는 차세대 광원으로 알려져 있으며, 조명 장치, 디스플레이 장치의 백라이트 등 다양한 제품에서 중요한 광원으로 주목 받고 있다. 특히, GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등의 3족 질화물 기반의 질화물계 발광소자는 청색광 또는 자외선광을 출력하는 반도체 발광소자로서 중요한 역할을 하고 있다.
이에 따라, 다양한 방면으로 조명용으로서 LED의 용도가 확대됨에 따라 각 용도에 맞는 디자인의 자유도를 확보하기 위해서 소형화된 패키지가 요구되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 다양한 색을 구현할 수 있는 소형화된 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은, 적어도 하나의 광차단 영역 및 적어도 하나의 파장 변환 영역을 포함하는 필름 스트랩(strap)을 마련하는 단계, 적어도 하나의 발광 영역을 갖는 발광 소자들을 마련하는 단계, 상기 적어도 하나의 발광 영역 상에 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역이 배치되도록 상기 발광 소자 상에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계, 및 상기 필름 스트랩 및 상기 발광 소자들을 개별 소자 단위로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 필름 스트랩을 마련하는 단계는, 베이스 필름 상에 적어도 하나의 광차단층 및 적어도 하나의 파장 변환층을 형성하는 단계, 및 상기 적어도 하나의 광차단층 및 상기 적어도 하나의 파장 변환층을 특정의 폭으로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 적어도 하나의 발광 영역은 복수의 발광 영역들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역은 복수의 파장 변환 영역들을 포함하고, 복수의 발광 영역들과 복수의 파장 변환 영역들이 서로 일대일 대응되도록 정렬될 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 파장 변환 영역들의 폭은 상기 복수의 발광 영역들의 폭과 동일하게 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 적어도 하나의 광차단 영역은 복수의 광차단 영역들을 포함하고, 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역은 복수의 파장 변환 영역들을 포함하며, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 상기 복수의 광차단 영역들 사이에 배치될 수 있다.
일 예로, 상기 적어도 하나의 광차단 영역은 카본 블랙(carbon black)이나 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하도록 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 필름 스트랩은 상기 적어도 하나의 광차단 영역과 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역 사이에 반사부를 더 포함하도록 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 파장변환물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 발광 영역들은 독립적으로 동작하는 3개의 발광 영역들을 포함하고, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 각각 적색, 녹색 및 청색을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 발광 영역들은 독립적으로 동작하는 4개의 발광 영역들을 포함하고, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 각각 적색, 녹색, 청색, 백색을 방출하는 파장변환물질들을 포함하도록 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 적어도 하나의 발광 영역은 복수의 발광 영역들을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 복수의 발광 영역들에 공통으로 연결되는 하나의 제1 패드 및 상기 복수의 발광 영역들 각각에 연결되도록 상기 복수의 발광 영역들의 개수와 동일한 개수로 형성된 제2 패드들을 구비할 수 있다.
일 예로, 상기 필름 스트랩을 마련하는 단계는, 상기 베이스 필름 상에 적어도 하나의 제1 광차단층을 형성하는 단계, 상기 적어도 하나의 제1 광차단층 상에 적어도 하나의 파장 변환층과 적어도 하나의 제2 광차단층으로 이루어지고, 일 방향으로 연장되는 스트라이프 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 일 방향에 수직한 타 방향으로 상기 스트라이프 패턴 및 상기 적어도 제1 광차단층을 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은, 베이스 필름 상에 복수의 광차단층들 및 복수의 파장 변환층들을 교대로 형성하는 단계, 복수의 광차단 영역 및 복수의 파장 변환 영역을 포함하는 필름 스트랩(strap)을 마련하기 위해 복수의 광차단층들 및 복수의 파장 변환층들을 절단하는 단계, 적어도 하나의 발광 영역들을 가지는 발광 소자들을 마련하는 단계, 상기 필름 스트랩의 절단면이 상기 발광 소자들의 광방출면을 마주보도록 상기 발광 소자들에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계, 및 상기 필름 스트랩 및 상기 발광 소자들을 개별 소자 단위로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 적어도 하나의 발광 영역은 복수의 발광 영역들을 포함하고, 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계는, 상기 복수의 발광 영역들과 상기 복수의 파장 변환 영역들이 서로 일대일 대응되도록 정렬하는 단계를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 서로 다른 파장의 광을 방출하는 파장변환물질들을 포함하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 다양한 색을 구현할 수 있는 소형화된 발광소자 패키지의 제조 시에 격벽 구조 및 파장 변환 영역을 형성하는 방법을 단순화할 수 있고, 이를 통해 제조 시간을 단축하고 생산 단가를 절감할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 16a 내지 도 16n은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 주요 공정별 단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에 채용 가능한 파장 변환 물질을 설명하기 위한 CIE 좌표계이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 디스플레이 패널을 나타내는 개략도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛의 사시도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛의 단면도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 평판 조명 장치의 사시도이다.
도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 벌브형 램프의 분해 사시도이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 바(bar) 타입의 램프의 분해 사시도이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 실내용 조명 제어 네트워크 시스템의 개략도이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 개방형 네트워크 시스템이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 가시광 무선 통신에 의한 조명 기구의 스마트 엔진과 모바일 기기의 통신 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 웨이퍼(기판) 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상술한 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제1, 제2등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상술한 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 구성 요소가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 이하 실시예들은 하나 또는 복수 개를 조합하여 구성할 수도 있다.
이하에서 설명하는 발광소자 패키지는 다양한 구성을 가질 수 있고 여기서는 필요한 구성만을 예시적으로 제시하며, 본 발명 내용이 이에 한정되는 것은 아님을 밝혀둔다.
도 1 내지도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 베이스 필름(11) 상에 광차단층(12)을 형성한 다음, 제1 파장 변환층(13a)을 형성할 수 있다. 이어서, 광차단층(12)을 추가로 형성한 다음, 제2 파장 변환층(13b)을 형성할 수 있다. 이어서, 광차단층(12)을 추가로 형성한 다음, 제3 파장 변환층(13c)을 형성할 수 있다. 다음으로, 제3 파장 변환층(13c) 상에 광차단층(12)을 형성할 수 있다. 최상부의 광차단층(12) 상에는 보호 필름(19)을 형성할 수 있다. 이로써, 다층 필름(10)이 제조될 수 있다. 다층 필름(10)을 이루는 광차단층(12)과 제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)은 각 층을 이루는 수지 혼합물을 도포하는 과정, 상기 수지 혼합물을 블레이드(B)에 의해 일정한 두께로 조절하여 후막 필름으로 형성하는 과정, 및 경화 과정을 거침으로써 형성될 수 있다. 광차단층(12) 및 파장 변환층들(13a, 13b, 13c)을 형성하는 방법은 상기 설명에 한정되지 않으며, 당 기술분야에서 알려진 고분자 수지를 포함하는 후막 필름의 제조 방법이 이용될 수 있다.
광차단층(12)은 카본 블랙(carbon black)이나 TiO2 분말이 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 광차단층(12)은 파장 변환층들(13a, 13b, 13c) 사이에 배치되어 파장 변환층들(13a, 13b, 13c)로부터 방출되는 광이 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 광차단층(12)은 파장 변환층들(13a, 13b, 13c) 사이의 광 간섭을 감소시킬 수 있다.
제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)는 서로 다른 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 변환층(13a)은 적색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 제2 파장 변환층(13b)은 녹색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 제3 파장 변환층(13c)은 청색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 상기 실리콘 수지는 예시적인 것이며, 이에 한정되지 않는다.
제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)의 두께(Wa, Wb, Wc)는 동일하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)의 두께(Wa, Wb, Wc)는 필요에 따라 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.
다층 필름(10)은 특정한 폭으로 절단되어 1열로 배열된 3개의 발광 영역들을 포함하는 발광 소자 상에 적용될 수 있는 데, 이 경우 제1 파장 변환층(13a)의 두께(Wa), 제2 파장 변환층(13b)의 두께(Wb) 및 제3 파장 변환층(13c)의 두께(Wc)는 각 발광 영역의 폭에 대응될 수 있다(도 15 참조). 제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)의 두께(Wa, Wb, Wc)는 예를 들어, 대략 50㎛ ~ 200㎛ 정도로 형성될 수 있다. 이와 달리, 하나의 발광 영역을 가지는 발광 소자 상에 적용되는 경우에는 제1 파장 변환층(13a)의 두께(Wa), 제2 파장 변환층(13b)의 두께(Wb) 및 제3 파장 변환층(13c)의 두께(Wc)는 상기 발광 영역의 폭 대비 약 1/3 정도의 값일 수 있다(도 17 참조). 광차단층(12)의 두께는 발광 영역들 사이의 분리영역의 폭에 대응될 수 있다. 광차단층(12)의 두께는 예를 들어, 약 10㎛ ~ 30㎛ 정도로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 다층 필름(10)을 특정의 폭(T)으로 절단하여 제1 방향으로, 예를 들어 y축 방향으로 연장되는 복수 개의 필름 스트랩들(10s)을 제작할 수 있다. 필름 스트랩들(10s)은 4개의 광차단 영역들(12s)과 3개의 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)을 포함할 수 있다. 각각의 파장 변환 영역(13as, 13bs, 또는 13cs)은 광차단 영역들(12s) 사이에 배치될 수 있다.
필름 스트랩(10s)의 절단면은 발광소자 패키지의 제조 공정에서 발광 소자의 광방출면에 접합되는 부분일 수 있다. 필름 스트랩(10s)이 발광 소자에 접합되는 공정에서 베이스 필름(11)과 보호 필름(19)은 제거될 수 있다.
상기 방법으로 미리 제조된 필름 스트랩(10s)을 발광 소자의 광방출면 상에 부착시킴으로써, 짧은 시간 동안에 간단한 방법으로 격벽 구조 및 파장 변환층들을 발광 소자 상에 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시예와 달리, 상기 다층 필름은 별도의 공정을 통해 후막 필름 형태로 제조된 광차단층(12), 제1 내지 제3 파장 변환층(13a, 13b, 13c)을 도 4에 도시된 순서대로 적층하여 접합하는 공정을 통해 제조될 수 있다.
접합 공정을 통해 제조된 상기 다층 필름은 도 3에서와 같이 특정한 폭으로 절단함으로써, 4개의 광차단 영역들(12s) 및 상기 광차단 영역들(12s) 사이에 배치된 3개의 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)을 포함하는 필름 스트랩(10s)을 제조할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름(10A)을 개략적으로 나타내는 도면들이다. 편의상 도 2의 확대도에 대응하는 부분만을 도 5에 도시하였다.
도 5에 도시된 다층 필름(10A)은 도 2에 도시된 다층 필름(10)의 변형 예로서, 광차단층(12)과 파장 변환층들(13a, 13b, 13c) 사이에 반사부들(14)이 더 형성될 수 있다. 반사부들(14)은 파장 변환층들(13a, 13b, 13c)로부터 방출되는 광을 반사시킴으로써, 파장 변환층들(13a, 13b, 13c) 사이의 광 간섭을 방지할 수 있다. 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한 다층 필름(10)의 제조 공정에서 각각의 광차단층(12) 및 파장 변환층들(13a, 13b, 13c) 상에 알루미늄(Al)이나 은(Ag)과 같은 반사성 금속 물질을 증착함으로써, 반사부들(14)이 형성될 수 있다.
다층 필름(10A)을 특정한 폭으로 절단하여 4개의 광차단 영역들, 상기 광차단 영역들 사이에 배치된 3개의 파장 변환 영역들, 및 광차단 영역들과 파장 변환 영역들 사이에 배치되는 6개의 반사부들을 포함하는 필름 스트랩을 제작할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름(10B)을 개략적으로 나타내는 도면들이다. 편의상 도 2의 확대도에 대응하는 부분만을 도 6에 도시하였다.
도 6에 도시된 다층 필름(10B)은 도 2에 도시된 다층 필름(10)의 변형 예로서, 4개의 파장 변환층을 포함하는 다층 필름(10B)이다. 도 4를 참조하면, 베이스 필름(11) 상에 광차단층(12)을 형성한 다음, 제1 파장 변환층(13a)을 형성할 수 있다. 이어서, 광차단층(12)을 추가로 형성한 다음, 제2 파장 변환층(13b)을 형성할 수 있다. 이어서, 광차단층(12)을 추가로 형성한 다음, 제3 파장 변환층(13c)을 형성할 수 있다. 이어서, 광차단층(12)을 추가로 형성한 다음, 제4 파장 변환층(13d)을 형성할 수 있다. 다음으로, 제4 파장 변환층(13d) 상에 광차단층(12)을 형성할 수 있다. 최상부의 광차단층(12) 상에는 보호 필름(19)를 형성할 수 있다. 다층 필름(10B)을 이루는 각 층을 형성하는 방법은 도 1 및 도2, 또는 도 4를 참조하여 상술한 방법과 동일하다.
이와 같이 제작된 다층 필름(10B)을 특정한 폭으로 절단하여 5개의 광차단 영역들 및 상기 광차단 영역들 사이에 배치된 4개의 파장 변환 영역들을 포함하는 필름 스트랩을 제작할 수 있다.
본 실시예는 1열로 배열된 4개의 발광 영역들을 가지는 발광 소자 상에 적용되는 필름 스트랩을 제조하기 위한 것이다. 제1 내지 제4 파장 변환층(13a, 13b, 13c, 13d)는 서로 다른 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 변환층(13a)은 적색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 제2 파장 변환층(13b)은 녹색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 제3 파장 변환층(13c)은 청색 형광체 입자가 혼합된 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 제4 파장 변환층(13d)은 백색을 방출하도록 혼합된 형광체 입자들을 포함하는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 상기 실리콘 수지는 예시적인 것이며, 이에 한정되지 않는다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름(10C)을 개략적으로 나타내는 도면들이다. 편의상 도 2의 확대도에 대응하는 부분만을 도 7에 도시하였다.
도 6에 도시된 다층 필름(10C)은 도 2에 도시된 다층 필름(10)의 변형 예로서, 3개의 파장 변환층들(13a, 13b, 13c)이 여러 회 반복적으로 적층된 구조를 갖는다. 다층 필름(10C)을 이루는 각 층을 형성하는 방법은 도 1 및 도2, 또는 도 4를 참조하여 상술한 방법과 동일하다.
다층 필름(10C)을 특정한 폭으로 절단하여 3개의 파장 변환 영역들이 반복적으로 적층된 필름 스트랩을 제작할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 한꺼번에 더 많은 발광 소자들 상에 격벽구조 및 파장 변환층들을 형성할 수 있으므로, 도 3의 필름 스트랩(10s)을 이용한 경우에 비해, 발광 소자들 상에 격벽구조 및 파장 변환층들을 형성하는 작업 시간이 단축되어 생산성 측면에서 유리할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 다층 필름(10D)을 개략적으로 나타내는 도면들이다. 편의상 도 2의 확대도에 대응하는 부분만을 도 8에 도시하였다.
도 8에 도시된 다층 필름(10D)은 도 6에 도시된 다층 필름(10B)의 변형 예로서, 4개의 파장 변환층들(13a, 13b, 13c, 13d)이 여러 회 반복적으로 적층된 구조를 갖는다. 다층 필름(10D)을 이루는 각 층을 형성하는 방법은 도 1 및 도2, 또는 도 4를 참조하여 상술한 방법과 동일하다.
다층 필름(10D)을 특정한 폭으로 절단하여 4개의 파장 변환 영역들이 반복적으로 적층된 필름 스트랩을 제작할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 한꺼번에 더 많은 발광 소자들 상에 격벽구조 및 파장 변환층들을 형성할 수 있으므로, 도 6의 필름 스트랩을 이용한 경우에 비해, 발광 소자들 상에 격벽구조 및 파장 변환층들을 형성하는 작업 시간이 단축되어 생산성 측면에서 유리할 수 있다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 베이스 필름(11) 상에 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성한 후에, 제1 광차단층(12) 상에 제1 형광체층(23a) 및 제2 광차단층(22)이 일 방향으로, 예를 들어 x축 방향으로 연장되며 번갈아 배치되는 스트라이프 패턴을 형성할 수 있다. 제1 형광체층(23a)과 제2 광차단층(22)은 서로 다른 노즐(N, NP)를 통해 일 방향으로 연장되는 라인 형상으로 도포될 수 있다. 제1 형광체층(23a)는 제2 광차단층(22)보다 넓은 폭으로 형성될 수 있다. 각 노즐의 개수는 예시적으로 도시한 것이며, 이에 한정되지 않는다. 더 많은 노즐을 사용할수록 제작 시간을 줄일 수 있다.
다음으로, 스트라이프 패턴으로 형성된 제1 형광체층(23a) 및 제2 광차단층(22) 상에 다시 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성할 수 있다. 제1 광차단층(12) 상에 제2 형광체층(23b)과 제2 광차단층(22)이 번갈아 배치된 스트라이프 패턴을 형성할 수 있다.
다음으로, 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 형광체층(23b) 및 제2 광차단층(22) 상에 다시 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성할 수 있다. 제 광차단층(12) 상에 제3 형광체층(23c)과 제2 광차단층(22)이 번갈아 배치된 스트라이프 패턴을 형성할 수 있다.
다음으로, 스트라이프 패턴으로 형성된 제3 형광체층(23c) 및 제2 광차단층(22) 상에 다시 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성할 수 있다. 제1 광차단층(12) 상에 보호 필름(19)를 후막 필름 형태로 형성함으로써, 다층 필름(20)을 제조할 수 있다.
본 실시예에서, 제2 광차단층(22)이 배치되는 간격은 개별 발광소자의 크기에 대응되도록 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 다층 필름(20)을 특정의 폭(T)으로 절단하여 제1 방향으로, 예를 들어 y축 방향으로 연장되는 복수 개의 필름 스트랩들(20s)을 제작할 수 있다. 필름 스트랩(20s)은 4개의 제1 광차단 영역들(12s), 제1 광차단 영역들(12s) 사이에 배치되는 3개의 파장 변환 영역들(23as, 23bs, 23cs), 그리고, 각 파장 변환 영역들(23as, 23bs, 23cs)을 특정의 간격으로 나누는 제2 광차단 영역들(22s)를 포함할 수 있다.
필름 스트랩(20s)의 절단면은 발광소자 패키지의 제조 공정에서 발광 소자의 광방출면에 접합되는 부분일 수 있다. 필름 스트랩(20s)이 발광 소자에 접합되는 공정에서 베이스 필름(11)과 보호 필름(19)은 제거될 수 있다.
상기 방법으로 미리 제조된 필름 스트랩(20s)를 일렬로 배치된 3개의 발광 영역들을 가지는 발광 소자의 광방출면 상에 부착시킴으로써, 짧은 시간 동안에 간단한 방법으로 발광 소자들 상에 격벽 구조 및 파장 변환층들을 형성할 수 있다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 채용되는 필름 스트랩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
본 실시예는 도 9 내지 도 11에 의해 제작된 필름 스트랩(20s)과 달리, 2 x 2 메트릭스 배열될 4개의 발광 영역들을 가지는 발광 소자 상에 부착시킬 수 있는 필름 스트랩(30s)을 제작하기 위한 것이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 베이스 필름(11) 상에 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성한 후에, 광차단층(12) 상에 제2 광차단층(32), 제1 형광체층(33a), 제2 광차단층(32), 제2 형광체층(33b)이 일 방향으로, 예를 들어 x축 방향으로 연장되며 번갈아 배치되는 스트라이프 패턴을 형성할 수 있다. 제1 형광체층(33a), 제2 형광체층(33b)와 제2 광차단층(32)은 서로 다른 노즐(N1, N2, NP)를 통해 일 방향으로 연장되는 라인 형상으로 도포될 수 있다. 제1 및 제2 형광체층(33a, 33b)는 제2 광차단층(32)보다 넓은 폭으로 형성될 수 있다. 각 노즐의 개수는 예시적으로 도시한 것이며, 이에 한정되지 않는다. 더 많은 노즐을 사용할수록 제작 시간을 줄일 수 있다.
다음으로, 스트라이프 패턴으로 형성된 제1 및 제2 형광체층(33b) 및 제2 광차단층(32) 상에 다시 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성할 수 있다. 제1 광차단층(12) 상에 제2 광차단층(32), 제2 형광체층(33b), 제2 광차단층(32), 제3 형광체층(33c)이 번갈아 배치된 스트라이프 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 제2 형광체층(33b)는 아래에 배치된 제1 형광체층(33a)에 대응되는 위치에 형성되고, 제3 형광체층(33c)는 아래에 배치된 제2 형광체층(33b)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
다음으로, 스트라이프 패턴으로 형성된 제2 및 제3 형광체층(33b, 33c) 및 제2 광차단층(32) 상에 다시 제1 광차단층(12)을 후막 필름 형태로 형성할 수 있다. 제1 광차단층(12) 상에 보호 필름(19)를 후막 필름 형태로 형성함으로써, 다층 필름(30)을 제조할 수 있다.
본 실시예에서, 제2 광차단층(32)가 배치되는 간격은 개별 발광소자의 발광 영역의 크기에 대응되도록 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 다층 필름(30)을 특정의 폭(T)으로 절단하여 제1 방향으로, 예를 들어 y축 방향으로 연장되는 복수 개의 필름 스트랩들(30s)을 제작할 수 있다. 필름 스트랩(30s)은 4개의 제1 광차단 영역들(12s), 제1 광차단 영역들(12s) 사이에 특정의 간격으로 배치되는 제2 광차단 영역들(32s), 제2 광차단 영역들 (32s)에 번갈아 배치되는 파장 변환 영역들(33as, 33bs, 33cs)을 포함할 수 있다.
필름 스트랩(30s)의 절단면은 발광소자 패키지의 제조 공정에서 발광 소자의 광방출면에 접합되는 부분일 수 있다. 필름 스트랩(30s)이 발광 소자에 접합되는 공정에서 베이스 필름(11)과 보호 필름(19)은 제거될 수 있다.
상기 방법으로 미리 제조된 필름 스트랩(30s)를 2 x 2 매트릭스 형태로 배열된 4개의 발광 영역들을 가지는 발광 소자의 광방출면 상에 부착시킴으로써, 짧은 시간 동안에 간단한 방법으로 발광 소자들 상에 격벽 구조 및 파장 변환층들을 형성할 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 15에 도시된 발광소자 패키지(100)는 도 2에서 제작된 필름 스트랩(10s)이 3개의 발광 영역들을 가지는 발광소자의 광방출면 상에 적용된 것이다.
도 15를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3), 제1 및 제2 절연층(121, 123), 제1 콘택 전극들(133), 제1 연결 전극(135), 제1 도금층(141), 제3 도금층(143), 제1 패드(145), 제2 콘택 전극들(134), 제2 연결 전극들(136), 제2 도금층(142), 제4 도금층(144), 제2 패드(146), 몰딩부(150), 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs), 및 광차단 영역들(12s)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 발광소자 패키지(100)는 제1 도전형 반도체층(113), 활성층(115), 및 제2 도전형 반도체층(117)을 포함하는 발광 구조물을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물은 제1 절연층(121)에 의해 세 개의 발광 영역들(C1, C2, C3)로 구분될 수 있다. 상기 발광 구조물은 제2 도전형 반도체층(117)에 의해 제공되는 제1 면 및 제1 도전형 반도체층(113)에 의해 제공되며 상기 제1 면과 마주하는 제2 면을 가질 수 있다. 상기 발광 구조물의 상기 제2면은 광방출면일 수 있다. 제1 절연층(121)은 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 연장되어 상기 발광 구조물을 세 개의 발광 영역들(C1, C2, C3)로 구분할 수 있다. 제1 절연층(121)의 일면이 상기 제2 면과 공면(co-planar)을 이룰 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 각 발광 영역(C1, C2, C3)마다 구비되며, 제2 도전형 반도체층(117)에 연결되는 3개의 제2 연결 전극들(136), 제2 도전형 반도체층(117)과 제2 연결 전극들(136) 사이에 배치되는 제2 콘택 전극들(134), 제2 도금층(142) 및 제4 도금층(144)을 통해 제2 연결 전극들(136)에 연결되는 제2 패드(146)를 포함할 수 있다. 도면 상에는 제3 발광 영역(C3)에 연결되는 제2 패드(146)가 하나만 도시되어 있으나, 제1 발광 영역(C1) 및 제2 발광 영역(C2)에 연결되는 2개의 제2 패드들(146)이 더 구비될 수 있다. 즉, 발광소자 패키지(100)는 각 발광 영역(C1, C2, C3)에 연결되는 3개의 제2 패드들(146)을 포함할 수 있다.
또한, 발광소자 패키지(100)는 상기 발광 영역들(C1, C2, C3)의 제1 도전형 반도체층들(113)에 공통적으로 연결되는 제1 연결 전극(135), 제1 도전형 반도체층들(113)과 제1 연결 전극(135) 사이에 배치되는 제1 콘택 전극들(133), 상기 제2 패드(146)와 같은 쪽에 배치되며, 제1 도금층(141) 및 제3 도금층(143)을 통해 제1 연결 전극(128)에 연결되는 제1 전극 패드(132)를 포함할 수 있다. 제1 연결 전극(135)은 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)에 걸쳐 일체로 배치될 수 있다. 제1 전극 패드(145)와 제2 전극 패드(146)는 상기 발광 구조물의 상기 제1 면 상에 배치될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(113)은 n형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(117)은 p형 반도체층이며, 제1 전극 패드(145)는 발광 영역들(C1, C2, C3)의 n형 반도체층들에 연결되는 공통 음극(common cathode)일 수 있다. 즉, 각 발광 영역(C1, C2, C3)의 p형 반도체층에 연결되는 3개의 양극과 하나의 공통 음극을 포함할 수 있다. 이와 달리, 일 실시예에서 제1 도전형 반도체층(113)은 p형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(117)은 n형 반도체층이며, 제1 전극 패드(145)는 발광 영역들(C1, C2, C3)의 p형 반도체층들에 연결되는 공통 양극(common anode)일 수 있다. 즉, 각 발광 영역(C1, C2, C3)의 n형 반도체층에 연결되는 3개의 양극과 하나의 공통 양극을 포함할 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 발광 영역들(C1, C2, C3)의 아래에 구비되며 제3 및 제4 도금층들(143, 144)을 감싸는 몰딩부(150), 발광 영역들(C1, C2, C3) 상에 구비되어 발광 영역들(C1, C2, C3)로부터 방출되는 광을 변환하는 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs), 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)의 양측에 배치되는 광차단 영역들(12s)을 포함할 수 있다. 광차단 영역들(12s)은 발광 영역들(C1, C2, C3) 사이에 위치한 제1 절연층(126)에 대응되도록 배치될 수 있다. 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)은 발광 영역들(C1, C2, C3)에 일대일 대응되도록 배치될 수 있다.
파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs) 및 광차단 영역들(12s)은 도 3 또는 도 11에서 제작된 특정한 폭(T)을 가지는 필름 스트랩(10s)이 발광 영역들(C1, C2, C3) 상에 접착된 후 개별 발광 소자 단위로 절단되어 형성된 것이다. 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)의 폭은 발광 영역들(C1, C2, C3)의 폭과 동일할 수 있다.
필름 스트랩(10s)의 접합을 위해 접합층(160)이 형성될 수 있다. 접합층(160)은 약 10㎛ 정도의 두께를 가지는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 발광 영역들(C1, C2, C3)이 UV 광을 발광하는 경우에, 제1 파장 변환 영역(13as)은 적색 형광체를, 제2 파장 변환 영역(13bs)은 녹색 형광체를, 제3 파장 변환 영역(13cs)은 청색 형광체를 포함할 수 있다.
이와 달리, 일 실시예에서, 발광 영역들(C1, C2, C3)이 청색광을 발광하는 경우에, 제1 파장 변환 영역(13as)은 적색 형광체를, 제2 파장 변환 영역(13bs)은 녹색 형광체를, 제3 파장 변환 영역(13cs)은 제2 파장 변환층(13bs)보다 적은 농도의 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 제3 파장 변환층(13cs)에 포함된 녹색 형광체는 발광 소자의 색좌표 조절에 기여할 수 있다.
도 16a 내지 도 16n은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 주요 공정별 단면도이다. 구체적으로, 상기 발광소자 패키지의 제조방법은 웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지의 제조방법에 대한 것이다. 편의상 일부 도면에서는 하나의 발광소자 패키지를 기준으로 도시하였다.
도 16a를 참조하면, 상기 발광소자 패키지의 제조방법은 기판(101) 상에 제1 도전형 반도체층(113), 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(117)이 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계로 시작될 수 있다.
기판(101)은 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. 본 실시예에서, 기판(101)은 Si 기판일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(113)은 n형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si, Ge, Se, Te 등일 수 있다. 활성층(115)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 가지는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 특정 예에서, 상기 양자우물층은 InxGa1 - xN (0<x≤1)이며, 상기 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(117)은 p형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg, Zn, Be 등일 수 있다.
기판(101)과 제1 도전형 반도체층(113) 사이에 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)일 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 AlN, AlGaN, 또는 InGaN일 수 있다. 필요에 따라, 상기 버퍼층은 서로 다른 조성을 가지는 복수의 층을 조합하여 형성하거나, 조성을 점진적으로 변화시킨 단일 층으로 형성할 수도 있다.
다음으로, 제2 도전형 반도체층(117) 및 활성층(115)의 일부를 식각하여 제1 도전형 반도체층(113)의 일부가 노출되도록 메사(MESA) 구조를 형성할 수 있다.
도 16b를 참조하면, 상기 발광 구조물을 복수의 발광 영역들로 분리하기 위한 아이솔레이션 공정이 수행될 수 있다. 노출된 제1 도전형 반도체층(113)을 식각하여 기판(101)의 일부를 노출시키는 분리영역(I) 및 서브 분리영역(Ia)이 형성될 수 있다. 상기 공정에 의해 상기 발광 구조물은 복수의 발광 영역들(C1, C2, C3)로 분리될 수 있다. 분리영역(I)은 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)마다 형성될 수 있다. 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3) 사이는 서브 분리영역(Ia)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)이 하나의 발광 소자 패키지에 포함될 수 있다. 상기 발광 영역들(C1, C2, C3)은 기판(101)의 상면에 대해 경사진 측면을 가질 수 있다. 본 공정에 의해, 기판(101) 상에는 상기 발광 구조물은 복수의 발광 구조물들로 구분되고 행과 열을 따라 일정한 간격으로 배열되어 발광 구조물 어레이가 형성될 수 있다.
도 16c를 참조하면, 발광 영역들(C1, C2, C3)을 덮는 제1 절연층(121)이 형성될 수 있다.
제1 절연층(121)은 분리영역(I) 및 서브 분리영역(Ia) 내에 형성되어 발광 영역들(C1, C2, C3)을 전기적으로 분리시킬 수 있다. 제1 절연층(121)은 전기적으로 절연성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 광흡수율이 낮은 물질을 사용할 수 있다. 제1 절연층(121)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 이와 달리, 일 실시예에서, 제1 절연층(121)은 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막들이 교대로 적층된 다층 반사구조일 수 있다. 상기 다층 반사구조는 제1 굴절률을 갖는 제1 절연막과 제2 굴절률을 갖는 제2 절연막이 교대로 적층된 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 상기 다층 반사 구조는 상기 굴절률이 서로 다른 복수의 절연막들이 2회 내지 100회 반복하여 적층될 수 있다. 상기 다층 반사 구조를 이루는 절연막은 각각 SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, ZrO2, TiN, AlN, TiAlN, TiSiN 등으로 이루어질 수 있다.
도 16d를 참조하면, 제1 절연층(121)의 일부를 제거한 뒤, 도전성 물질로 이루어진 제1 및 제2 콘택 전극(133, 134)이 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(113) 상에 형성된 제1 절연층(121)의 일부를 제거하고, 제2 도전형 반도체층(113)과 전기적으로 접속되도록 제1 콘택 전극(133)이 형성될 수 있다. 그리고, 제2 도전형 반도체층(117) 상에 형성된 제1 절연층(121)의 일부를 제거하고, 제2 도전형 반도체층(117)과 전기적으로 접속되도록 제2 콘택 전극(134)이 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 콘택 전극(133, 134)는 Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Pd, Pt, Sn, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn 및 이들을 포함하는 합금 물질 중 적어도 하나를 포함하는 반사성 전극일 수 있다.
다음으로, 제1 콘택 전극(133)을 덮는 제1 연결 전극(135)과 제2 콘택 전극(134)을 덮는 제2 연결 전극(136)이 형성될 수 있다. 제1 연결 전극(135)은 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)에 걸쳐 일체로 형성될 수 있고, 제2 연결 전극(136)은 각 발광 영역(C1, C2, C3)마다 개별적으로 형성될 수 있다.
도 16e를 참조하면, 제1 절연층(121), 제1 연결 전극(135) 및 제2 연결 전극들(136)을 덮는 제2 절연층(123)이 형성될 수 있다. 제2 절연층(123)은 전기적으로 절연성을 가지며, 광흡수율이 낮은 물질을 사용할 수 있다. 제1 절연층(121)과 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다.
이어서, 제2 절연층(123)의 일부를 제거하여 제1 개구(H1)과 제2 개구(H2)를 형성할 수 있다. 제1 개구(H1)은 제1 연 결전극(135)의 일부를 노출시키고, 제2 개구(H2)는 제2 연결 전극(136)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제1 개구(H1)은 발광 영역(C1)에서만 제1 연결 전극(135)의 일부를 노출시키도록 형성되고, 제2 개구(H2)는 각 발광 영역(C1, C2, C3)마다 제2 연 결전극(136)의 일부를 노출시키도록 형성될 수 있다.
도 16f를 참조하면, 제1 개구(H1)를 통해 각각 제1 연결 전극(135)에 연결되는 제1 도금층(141) 및 제2 개구(H2)를 통해 제2 연결 전극(136)에 연결되는 제2 도금층(142)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 도금층(141, 142)는 도금 공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 및 제2 도금층(141, 142)는 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 구리 이외의 전도성 물질로 형성될 수 있다.
도 16g를 참조하면, 제1 도금층(141)에 연결되는 제3 도금층(143) 및 제2 도금층(142)에 연결되는 제4 도금층(144)이 형성될 수 있다. 제3 및 제4 도금층(143, 144)는 도금 공정에 의해 형성될 수 있다. 제3 및 제4 도금층(143, 144)는 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 구리 이외의 전도성 물질로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 발광 영역들 사이의 공간을 매립하며 제3 도금층(143) 및 제4 도금층(144)을 둘러싸는 몰딩부(150)가 형성될 수 있다. 몰딩부(150)는 제3 도금층(143)과 제4 도금층(144)의 상부를 덮도록 몰딩 재료를 도포하는 공정과, 그라인딩 등과 같은 평탄화 공정에 의해 형성될 수 있다. 이 과정에서 제3 도금층(143)과 제4 도금층(144)의 말단부는 몰딩부(150)의 일면에서 노출될 수 있다. 몰딩부(150)는 상기 발광 영역들을 지지할 수 있어야 하기 때문에 높은 영률(Young’s Modulus)을 가져야 하며, 상기 발광 영역들에서 발생하는 열을 방출하기 위하여 높은 열 전도도를 갖는 재료를 사용할 수 있다. 몰딩부(150)는예를 들어, 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone) 수지일 수 있다. 또한, 몰딩부(150)는빛을 반사시키기 위한 광반사성 입자를 포함할 수 있다. 상기 광반사성 입자로는 이산화 티타늄(TiO2) 및/또는 산화 알루미늄(Al2O3)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16h를 참조하면, 제3 도금층(141)에 연결되는 제1 패드(145) 및 제4 도금층(144)에 연결되는 제2 패드(146)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 패드(145, 146)는 도금 공정에 의해 형성될 수 있다. 제1 및 제2 패드(145, 146)는 구리(Cu)로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 구리 이외의 전도성 물질로 형성될 수 있다. 이때, 제1 패드(145)와 제4 도금층(144)이 서로 접촉하지 않도록 하기 위해 추가적으로 몰딩부(150)가 형성될 수 있다.
도 16h에는 1개의 제1 패드(145)와 1개의 제2 패드(146)가 도시되어 있으나, 3개의 발광 영역에 공통적으로 연결되는 1개의 제1 패드(145)와 3개의 발광 영역들 각각에 연결되는 3개의 제2 패드(146)가 형성될 수 있다. 이러한 패드 구성에 의해 3개의 발광 영역들은 개별적으로 동작될 수 있다.
도 16i를 참조하면, 제1 및 제2 패드(145, 146) 상에 지지 기판(153)이 부착될 수 있다. 지지 기판(153)의 본딩을 위해 자외선 경화성 필름이나 왁스(wax) 같은 본딩층(151)이 형성될 수 있다. 지지 기판(153)은 선행 공정에 의해 형성된 구조물들을 후속 공정이 수행되는 동안에 지지하기 위해 임시로 부착되는 것이다.
도 16j를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(113)이 드러나도록 기판(101)이 제거될 수 있다. 이때, 3개의 발광 영역들 사이에서 제1 절연층(121)의 일부도 함께 드러날 수 있다. 기판(101)이 사파이어와 같이 투명 기판일 경우, 기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off, LLO)를 통하여 상기 발광 영역들로부터 분리될 수 있다. 상기 레이저 리프트 오프 공정에 사용되는 레이저는 193㎚ 엑시머 레이저, 248㎚ 엑시머 레이저 및 308㎚ 엑시머 레이저, Nd:YAG 레이저, He-Ne 레이저 및 Ar 이온 레이저 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 또한, 기판(101)이 Si과 같은 불투명한 기판일 경우, 기판(101)은 그라인딩(Grinding), 폴리싱(Polishing), 건식 식각(dry etching) 또는 이들의 조합에 의해 제거될 수 있다.
다음으로, 기판(101)이 제거된 후에, 광방출 효율을 증대시키기 위하여 제1 도전형 반도체층(113)의 상면, 즉, 광방출면에 요철(P)이 형성될 수 있다. 요철(P)은 예를 들어, KOH나 NaOH 등을 포함하는 용액을 이용한 습식 식각 공정 또는 BCl3 가스 등을 포함하는 식각 가스를 이용한 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다.
제1 폭(W1)을 가지는 제1 발광 영역(C1), 제2 폭(W2)을 가지는 제2 발광 영역(C2) 및 제3 폭(W3)을 가지는 제3 발광 영역(C3)을 분리시키는 제1 절연층(121)이 드러날 수 있다.
이로써, 요철이 형성된 광방출면이 드러난 복수의 발광 소자들(LC)이 어레이 형태로 지지 기판(153) 상에 형성될 수 있다. 각각의 발광 소자(LC)는 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)을 갖는다(도 16k 참조). 여기서, 도 16k는 지지 기판(153)의 일부에 대해 도시된 것이다.
도 16l 및 16m을 참조하면, 지지 기판(153) 상에 어레이 형태로 형성된 복수의 발광 소자들(LC)의 상에 필름 스트랩들(10s)이 부착될 수 있다. 필름 스트랩(10s)의 절단면이 상기 발광 소자들의 상면(즉, 광방출면)과 마주보도록 필름 스트랩(10s)을 상기 발광 소자들에 부착시킬 수 있다. 이때, 복수의 발광 영역들(C1, C2, C3)과 복수의 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs)이 서로 일대일 대응되도록 정렬될 수 있다. 필름 스트랩(10s)이 발광 구조물에 접합되는 공정에서 베이스 필름(11)과 보호 필름(19)은 제거될 수 있다.
도 16n을 참조하면, 최종적으로 필름 스트랩(10s) 및 발광 소자들(LC)을 개별 발광소자 단위로 절단하는 공정이 수행될 수 있다. 본 절단 공정은 예를 들어, 지지 기판(153)을 제거한 후 점착성 테이프를 부착하고, 블레이드로 절단하는 방식으로 수행될 수 있다.
이와 같은 과정을 통해, 발광 소자 상에 격벽 구조 및 파장 변환층을 구비한 칩스케일 발광 소자 패키지들이 제조될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 의하면, 다양한 색을 구현할 수 있는 소형화된 발광소자 패키지의 제조 방법을 단순화할 수 있고, 이를 통해 제조 시간을 단축하고 생산 단가를 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 웨이퍼 레벨 패키지 공정을 통하여 얻어진 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)는 실질적으로 반도체 발광소자(즉, LED 칩)와 동일한 수준의 패키지 사이즈를 달성할 수 있다. 따라서, 조명 장치 등으로 이용되는 경우 단위 면적당 높은 광량을 얻을 수 있으며, 디스플레이 패널에 이용되는 경우, 화소 사이즈 및 화소 피치를 감소시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 레벨로 모든 공정이 이루어지기 때문에 대량 생산에 적합하다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 17에 도시된 발광소자 패키지(300)는 도 2에서 제작된 필름 스트랩(10s)이 하나의 발광 영역을 가지는 발광소자의 광방출면 상에 적용된 것이다.
도 17을 참조하면, 발광소자 패키지(300)는 하나의 발광 영역(C), 제1 및 제2 절연층(321, 323), 제1 콘택 전극(333), 제1 연결 전극(335), 제1 도금층(341), 제3 도금층(343), 제1 패드(345), 제2 콘택 전극(334), 제2 연결 전극(136), 제2 도금층(342), 제4 도금층(344), 제2 패드(346), 몰딩부(350), 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs), 및 광차단 영역들(12s)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 발광소자 패키지(300)는 제1 도전형 반도체층(313), 활성층(315), 및 제2 도전형 반도체층(317)을 포함하는 발광 구조물을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물은 제2 도전형 반도체층(317)에 의해 제공되는 제1 면 및 제1 도전형 반도체층(313)에 의해 제공되며 상기 제1 면과 마주하는 제2 면을 가질 수 있다. 상기 발광 구조물의 상기 제2면은 광방출면일 수 있다. 제1 절연층(321)은 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면까지 상기 발광 구조물의 측면을 따라 연장될 수 있다. 제1 절연층(121)의 일면이 상기 제2 면과 공면(co-planar)을 이룰 수 있다.
발광소자 패키지(300)는 제1 도전형 반도체층들(313)에 연결되는 제1 연결 전극(335), 제1 도전형 반도체층들(313)과 제1 연결 전극(335) 사이에 배치되는 제1 콘택 전극(333), 제1 도금층(341) 및 제3 도금층(343)을 통해 제1 연결 전극(335)에 연결되는 제1 전극 패드(345)를 포함할 수 있다. 발광소자 패키지(300)는 제2 도전형 반도체층(317)에 연결되는 제2 연결 전극(36), 제2 도전형 반도체층(317)과 제2 연결 전극(336) 사이에 배치되는 제2 콘택 전극(334), 상기 제1 패드(345)와 같은 쪽에 배치되며, 제2 도금층(342) 및 제4 도금층(344)을 통해 제2 연결 전극들(336)에 연결되는 제2 패드(346)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극 패드(345)와 제2 전극 패드(346)는 상기 발광 구조물의 상기 제1 면 상에 배치될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(317)은 p형 반도체층일 수 있다. 이와 달리, 일 실시예에서 제1 도전형 반도체층(313)은 p형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(317)은 n형 반도체층일 수 있다.
발광소자 패키지(300)는 발광 영역(C)의 아래에 구비되며 제1 내지 제4 도금층들(341 내지 344)을 감싸는 몰딩부(350), 발광 영역(C) 상에 구비되어 발광 영역(C)로부터 방출되는 광을 변환하는 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs), 파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs) 양측에 배치되는 광차단 영역들(12s)을 포함할 수 있다.
파장 변환 영역들(13as, 13bs, 13cs) 및 광차단 영역들(12s)은 도 3이나 도 11에서 제작된 특정한 폭(T)을 가지는 필름 스트랩(10s, 20s)이 발광 영역(C) 상에 접착된 후 개별 발광 소자 단위로 절단되어 형성될 것일 수 있다. 이는 예시적인 것이며, 도시된 바에 한정되지 않는다. 필름 스트랩(10s)의 접합을 위해 접합층(360)이 형성될 수 있다.
발광 영역(C)이 UV 광을 발광하는 경우에, 제1 파장 변환 영역(13as)이 적색 형광체를, 제2 파장 변환 영역(13bs)이 녹색 형광체를, 제3 파장 변환 영역(13cs)이 청색 형광체를 포함할 수 있다.
이와 달리, 일 실시예에서, 발광 영역(C)이 청색광을 발광하는 경우에, 제1 파장 변환 영역(13as)이 적색 형광체를, 제2 파장 변환 영역(13bs)이 녹색 형광체를, 제3 파장 변환 영역(13cs)은 제2 파장 변환 영역(13bs)보다 적은 농도의 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 제3 파장 변환 영역(13cs)에 포함된 녹색 형광체는 색좌표 조절에 기여할 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지에 채용 가능한 파장 변환 물질을 설명하기 위한 CIE 좌표계이다.
도 18에 도시된 CIE 1931 좌표계를 참조하면, 청색 발광소자에 황색, 녹색 및 적색 형광체를 조합하거나 청색 발광소자에 녹색 발광소자 및 적색 발광소자의 조합으로 만들어지는 백색 광은 2개 이상의 피크 파장을 가지며, CIE 1931 좌표계의 (x, y) 좌표가 (0.4476, 0.4074), (0.3484, 0.3516), (0.3101, 0.3162), (0.3128, 0.3292), (0.3333, 0.3333)을 잇는 선분 상에 위치할 수 있다. 또는, 상기 선분과 흑체 복사 스펙트럼으로 둘러싸인 영역에 위치할 수 있다. 상기 백색 광의 색 온도는 2,000 K ~ 20,000 K사이에 해당한다. 도 18에서 상기 흑체 복사 스펙트럼 하부에 있는 점E(0.3333, 0.3333) 부근의 백색광은 상대적으로 황색계열 성분의 광이 약해진 상태로 사람이 육안으로 느끼기에는 보다 선명한 느낌 또는 신선한 느낌을 가질 수 있는 영역의 조명 광원으로 사용 될 수 있다. 따라서 상기 흑체 복사 스펙트럼 하부에 있는 점E(0.3333, 0.3333) 부근의 백색광을 이용한 조명 제품은 식료품, 의류 등을 판매하는 상가용 조명으로 효과가 좋다.
반도체 발광소자로부터 방출되는 광의 파장을 변환하기 위한 파장 변환 물질로서, 형광체 및/또는 양자점과 같은 다양한 물질이 사용될 수 있다
형광체로는 다음과 같은 조성식 및 컬러(color)를 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 La3Si6N11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:Eu, SrLiAl3N4:Eu, Ln4 -x(EuzM1 -z)xSi12- yAlyO3 +x+ yN18 -x-y (0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4) (여기에서, Ln은 Ⅲa 족 원소 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한 종의 원소이고, M은 Ca, Ba, Sr 및 Mg로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한 종의 원소일 수 있다.)
플루오라이트(fluoride)계: KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4+, K3SiF7:Mn4 +
형광체 조성은 기본적으로 화학양론(stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
특히, 불화물계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 불화물계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 40 nm 이하의 협반치폭(narrow FWHM)을 구현할 수 있기 때문에, UHD TV와 같은 고해상도 TV에 활용될 수 있다.
아래 표 1은 청색 LED 칩(440 ~ 460nm) 또는 UV LED 칩(380 ~ 440nm)을 사용한 백색 발광소자의 응용분야별 형광체 종류이다.
용도 형광체
LED TV BLU β-SiAlON:Eu2 +, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu2 +, La3Si6N11:Ce3 +, K2SiF6:Mn4 +, SrLiAl3N4:Eu, Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4), K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4 +
조명 Lu3Al5O12:Ce3 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, La3Si6N11:Ce3 +, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu2 +, Y3Al5O12:Ce3+, K2SiF6:Mn4 +, SrLiAl3N4:Eu, Ln4 -x(EuzM1 -z)xSi12- yAlyO3 +x+ yN18 -x-y(0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4), K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4 +
Side View
(Mobile, Note PC)		 Lu3Al5O12:Ce3 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, La3Si6N11:Ce3 +, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu2 +, Y3Al5O12:Ce3+, (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:Eu2 +, K2SiF6:Mn4 +, SrLiAl3N4:Eu, Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4), K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4 +
전장
(Head Lamp, etc.)		 Lu3Al5O12:Ce3 +, Ca-α-SiAlON:Eu2 +, La3Si6N11:Ce3 +, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu2 +, Y3Al5O12:Ce3+, K2SiF6:Mn4 +, SrLiAl3N4:Eu, Ln4 -x(EuzM1 -z)xSi12- yAlyO3 +x+ yN18 -x-y(0.5≤x≤3, 0<z<0.3, 0<y≤4), K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4 +
또한, 형광체를 대체하거나 형광체와 혼합하여 사용될 수 있는 양자점(Quant㎛ Dot, QD)도 파장변환물질로 채용될 수 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 디스플레이 패널을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 19를 참조하면, 디스플레이 패널(1000)은 구동회로 및 제어 회로를 포함하는 회로 기판(1010), 회로 기판(1010) 상에 복수의 행과 복수의 열로 배치되는 화소(pixel)(1030), 보호층(1050), 편광층(1070)을 포함할 수 있다. 화소(1030)에 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지가 채용될 수 있다. 이러한 경우, 화소(1030)의 크기 및 화소(1030)의 피치를 작게 형성할 수 있으므로, 고해상도의 이미지를 표현할 수 있다. 예를 들어, 상기 도 15를 참조하여 설명한 발광소자 패키지(100)가 화소(1030)에 채용되는 경우, 독립적으로 동작하는 3개의 발광 영역들(C1, C2, C3)은 3 개의 서브 픽셀(sub-pixel)로 제공될 수 있다. 즉, 3개의 서브 픽셀이 하나의 화소(1030)를 구성할 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛의 사시도이다.
도 20을 참조하면, 백라이트 유닛(2000)은 도광판(2040) 및 도광판(2040) 양측면에 제공되는 광원모듈(2010)을 포함할 수 있다. 또한, 백라이트 유닛(2000)은 도광판(2040)의 하부에 배치되는 반사판(2020)을 더 포함할 수 있다. 본 실시예의 백라이트 유닛(2000)은 에지형 백라이트 유닛일 수 있다.
실시예에 따라, 광원모듈(2010)은 도광판(2040)의 일 측면에만 제공되거나, 다른 측면에 추가적으로 제공될 수도 있다. 광원모듈(2010)은 인쇄회로기판(2001) 및 인쇄회로기판(2001) 상면에 실장된 복수의 광원(2005)을 포함할 수 있다. 여기서, 광원(2005)은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛의 단면도이다.
도 21을 참조하면, 백라이트 유닛(2100)은 광확산판(2140) 및 광확산판(2140) 하부에 배열된 광원모듈(2110)을 포함할 수 있다. 또한, 백라이트 유닛(2100)은 광확산판(2140) 하부에 배치되며, 광원모듈(2110)을 수용하는 바텀케이스(2160)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예의 백라이트 유닛(2100)은 직하형 백라이트 유닛일 수 있다.
광원모듈(2110)은 인쇄회로기판(2101) 및 인쇄회로기판(2101) 상면에 실장된 복수의 광원(2105)을 포함할 수 있다. 여기서, 광원(2105)은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지가 채용된 조명 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 본 실시예에 따른 조명 장치는, 예를 들어, 자동차의 리어 램프(rear lamp)를 포함할 수 있다.
도 22를 참조하면, 조명 장치(4000)는 광원 모듈(4010)이 지지되는 하우징(4020), 광원 모듈(4010)을 보호하도록 하우징(4020)을 덮는 커버(4030)를 포함하며, 광원 모듈(4010) 상에는 리플렉터(4040)가 배치될 수 있다. 리플렉터(4040)는 복수의 반사면(4041) 및 반사면(4041) 각각의 바닥면에 구비되는 복수의 관통홀(4042)을 포함하며, 광원 모듈(4010)의 복수의 발광 유닛(4200)은 각각 관통홀(4042)을 통해 반사면(4041)으로 노출될 수 있다.
조명 장치(4000)는 자동차의 코너 부분의 형상에 대응하여 전체적으로 완만한 곡면 구조를 가질 수 있으며, 따라서 발광 유닛(4200)은 조명 장치(4000)의 곡면 구조에 맞도록 프레임(4100)에 조립되어 곡면 구조에 대응하는 스텝 구조를 갖는 광원 모듈(4010)을 형성할 수 있다. 이러한 광원 모듈(4010)의 구조는 조명 장치(4000), 즉 리어 램프의 설계 디자인에 따라서 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 이에 따라 조립되는 발광 유닛(4200)의 개수도 다양하게 변경될 수 있다.
본 실시예에서는 조명 장치(4000)가 자동차의 리어 램프인 경우를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 조명 장치(4000)는 자동차의 헤드 램프 및 자동차의 도어 미러에 장착되는 방향 지시등을 포함할 수 있으며, 이 경우 광원 모듈(4010)은 헤드 램프 및 방향 지시등의 곡면에 대응하는 다단의 스텝 구조를 갖도록 형성될 수 있다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 평판 조명 장치의 사시도이다.
도 23을 참조하면, 평판 조명 장치(4100)는 광원모듈(4110), 전원공급장치(4120) 및 하우징(4030)을 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 광원모듈(4110)은 발광소자 어레이를 광원으로 포함할 수 있고, 전원공급장치(4120)는 발광소자 구동부를 포함할 수 있다.
광원모듈(4110)은 발광소자 어레이를 포함할 수 있고, 전체적으로 평면 현상을 이루도록 형성될 수 있다. 발광소자 어레이는 발광소자 및 발광소자의 구동정보를 저장하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 상기 발광소자는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지일 수 있다.
전원공급장치(4120)는 광원모듈(4110)에 전원을 공급하도록 구성될 수 있다. 하우징(4130)은 광원모듈(4110) 및 전원공급장치(4120)가 내부에 수용되도록 수용 공간이 형성될 수 있고, 일측면에 개방된 육면체 형상으로 형성되나 이에 한정되는 것은 아니다. 광원모듈(4110)은 하우징(4130)의 개방된 일측면으로 빛을 발광하도록 배치될 수 있다.
도 24는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 램프의 분해 사시도이다.
도 24를 참조하면, 조명 장치(4200)는 소켓(4210), 전원부(4220), 방열부(4230), 광원모듈(4240) 및 광학부(4250)를 포함할 수 있다. 광원모듈(4240)은 발광소자 어레이를 포함할 수 있고, 전원부(4220)는 발광소자 구동부를 포함할 수 있다.
소켓(4210)은 기존의 조명 장치와 대체 가능하도록 구성될 수 있다. 조명 장치(4200)에 공급되는 전력은 소켓(4210)을 통해서 인가될 수 있다. 도시된 바와 같이, 전원부(4220)는 제1 전원부(4221) 및 제2 전원부(4222)로 분리되어 조립될 수 있다. 방열부(4230)는 내부 방열부(4231) 및 외부 방열부(4232)를 포함할 수 있고, 내부 방열부(4231)는 광원모듈(4240) 및/또는 전원부(4220)와 직접 연결될 수 있고, 이를 통해 외부 방열부(4232)로 열이 전달되게 할 수 있다. 광학부(4250)는 내부 광학부(미도시) 및 외부 광학부(미도시)를 포함할 수 있고, 광원모듈(4240)이 방출하는 빛을 고르게 분산시키도록 구성될 수 있다.
광원모듈(4240)은 전원부(4220)로부터 전력을 공급받아 광학부(4250)로 빛을 방출할 수 있다. 광원모듈(4240)은 하나 이상의 발광소자(4241), 회로기판(4242) 및 컨트롤러(4243)를 포함할 수 있고, 컨트롤러(4243)는 발광소자(4241)들의 구동 정보를 저장할 수 있다. 발광소자(4241)는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지일 수 있다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 바(bar) 타입의 램프의 분해 사시도이다.
도 25를 참조하면, 조명 장치(4400)는 방열 부재(4410), 커버(4441), 광원 모듈(4450), 제1 소켓(4460) 및 제2 소켓(4470)을 포함한다. 방열 부재(4410)의 내부 또는/및 외부 표면에 다수개의 방열 핀(4420, 4431)이 요철 형태로 형성될 수 있으며, 방열 핀(4420, 4431)은 다양한 형상 및 간격을 갖도록 설계될 수 있다. 방열 부재(4410)의 내측에는 돌출 형태의 지지대(4432)가 형성되어 있다. 지지대(4432)에는 광원 모듈(4450)이 고정될 수 있다. 방열 부재(4410)의 양 끝단에는 걸림 턱(4433)이 형성될 수 있다.
커버(4441)에는 걸림 홈(4442)이 형성되어 있으며, 걸림 홈(4442)에는 방열 부재(4410)의 걸림 턱(4433)이 후크 결합 구조로 결합될 수 있다. 걸림 홈(4442)과 걸림 턱(4433)이 형성되는 위치는 서로 바뀔 수도 있다.
광원 모듈(4450)은 발광소자 어레이를 포함할 수 있다. 광원 모듈(4450)은 인쇄회로기판(4451), 광원(4452) 및 컨트롤러(4453)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(4453)는 광원(4452)의 구동 정보를 저장할 수 있다. 인쇄회로기판(4451)에는 광원(4452)을 동작시키기 위한 회로 배선들이 형성되어 있다. 또한, 광원(4452)을 동작시키기 위한 구성 요소들이 포함될 수도 있다. 광원(4452)은 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
제1 및 2 소켓(4460, 4470)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(4410) 및 커버(4441)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 소켓(4460)은 전극 단자(4461) 및 전원 장치(4462)를 포함할 수 있고, 제2 소켓(4470)에는 더미 단자(4471)가 배치될 수 있다. 또한, 제1 소켓(4460) 또는 제2 소켓(4470) 중의 어느 하나의 소켓에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 예를 들어, 더미 단자(4471)가 배치된 제2 소켓(4470)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 다른 예로서, 전극 단자(4461)가 배치된 제1 소켓(4460)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수도 있다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 실내용 조명 제어 네트워크 시스템의 개략도이다.
도 26을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 네트워크 시스템(5000)은 LED 등의 발광소자를 이용하는 조명 기술과 사물인터넷(IoT) 기술, 무선 통신 기술 등이 융합된 복합적인 스마트 조명-네트워크 시스템일 수 있다. 네트워크 시스템(5000)은, 다양한 조명 장치 및 유무선 통신 장치를 이용하여 구현될 수 있으며, 센서, 컨트롤러, 통신수단, 네트워크 제어 및 유지 관리 등을 위한 소프트웨어 등에 의해 구현될 수 있다.
네트워크 시스템(5000)은 가정이나 사무실 같이 건물 내에 정의되는 폐쇄적인 공간은 물론, 공원, 거리 등과 같이 개방된 공간 등에도 적용될 수 있다. 네트워크 시스템(5000)은, 다양한 정보를 수집/가공하여 사용자에게 제공할 수 있도록, 사물인터넷 환경에 기초하여 구현될 수 있다. 이때, 네트워크 시스템(5000)에 포함되는 LED 램프(5200)는, 주변 환경에 대한 정보를 게이트웨이(5100)로부터 수신하여 LED 램프(5200) 자체의 조명을 제어하는 것은 물론, LED 램프(5200)의 가시광 통신 등의 기능에 기초하여 사물인터넷 환경에 포함되는 다른 장치들(5300~5800)의 동작 상태 확인 및 제어 등과 같은 역할을 수행할 수도 있다.
도 26을 참조하면, 네트워크 시스템(5000)은, 서로 다른 통신 프로토콜에 따라 송수신되는 데이터를 처리하기 위한 게이트웨이(5100), 게이트웨이(5100)와 통신 가능하도록 연결되며 LED 발광소자를 포함하는 LED 램프(5200), 및 다양한 무선 통신 방식에 따라 게이트웨이(5100)와 통신 가능하도록 연결되는 복수의 장치(5300~5800)를 포함할 수 있다. 사물인터넷 환경에 기초하여 네트워크 시스템(5000)을 구현하기 위해, LED 램프(5200)를 비롯한 각 장치(5300~5800)들은 적어도 하나의 통신 모듈을 포함할 수 있다. 일 실시예로, LED 램프(5200)는 와이파이(WiFi), 지그비(Zigbee), 라이파이(LiFi) 등의 무선 통신 프로토콜에 의해 게이트웨이(5100)와 통신 가능하도록 연결될 수 있으며, 이를 위해 적어도 하나의 램프용 통신 모듈(5210)을 가질 수 있다. LED 램프(5200)는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 네트워크 시스템(5000)은 가정이나 사무실 같이 폐쇄적인 공간은 물론 거리나 공원 같은 개방적인 공간에도 적용될 수 있다. 네트워크 시스템(5000)이 가정에 적용되는 경우, 네트워크 시스템(5000)에 포함되며 사물인터넷 기술에 기초하여 게이트웨이(5100)와 통신 가능하도록 연결되는 복수의 장치(5300~5800)는 텔레비젼(5310)이나 냉장고(5320)와 같은 가전 제품(5300), 디지털 도어록(5400), 차고 도어록(5500), 벽 등에 설치되는 조명용 스위치(5600), 무선 통신망 중계를 위한 라우터(5700) 및 스마트폰, 태블릿, 랩톱 컴퓨터 등의 모바일 기기(5800) 등을 포함할 수 있다.
네트워크 시스템(5000)에서, LED 램프(5200)는 가정 내에 설치된 무선 통신 네트워크(Zigbee, WiFi, LiFi 등)를 이용하여 다양한 장치(5300~5800)의 동작 상태를 확인하거나, 주위 환경/상황에 따라 LED 램프(5200) 자체의 조도를 자동으로 조절할 수 있다. 또한 LED 램프(5200)에서 방출되는 가시광선을 이용한 LiFi 통신을 이용하여 네트워크 시스템(5000)에 포함되는 장치들(5300~5800)을 컨트롤 할 수도 있다.
우선, LED 램프(5200)는 램프용 통신 모듈(5210)을 통해 게이트웨이(5100)로부터 전달되는 주변 환경, 또는 LED 램프(5200)에 장착된 센서로부터 수집되는 주변 환경 정보에 기초하여 LED 램프(5200)의 조도를 자동으로 조절할 수 있다. 예를 들면, 텔레비젼(5310)에서 방송되고 있는 프로그램의 종류 또는 화면의 밝기에 따라 LED 램프(5200)의 조명 밝기가 자동으로 조절될 수 있다. 이를 위해, LED 램프(5200)는 게이트웨이(5100)와 연결된 램프용 통신 모듈(5210)로부터 텔레비전(5310)의 동작 정보를 수신할 수 있다. 램프용 통신 모듈(5210)은 LED 램프(5200)에 포함되는 센서 및/또는 컨트롤러와 일체형으로 모듈화될 수 있다.
예를 들어, TV프로그램에서 방영되는 프로그램 값이 휴먼드라마일 경우, 미리 셋팅된 설정 값에 따라 조명도 거기에 맞게 12,000 K 이하의 색 온도, 예를 들면 5,000 K로 낮아지고 색감이 조절되어 아늑한 분위기를 연출할 수 있다. 반대로 프로그램 값이 개그프로그램인 경우, 조명도 셋팅 값에 따라 색 온도가 5000K 이상으로 높아지고 푸른색 계열의 백색조명으로 조절되도록 네트워크 시스템(5000)이 구성될 수 있다.
또한, 가정 내에 사람이 없는 상태에서 디지털 도어록(5400)이 잠긴 후 일정 시간이 경과하면, 턴-온된 LED 램프(5200)를 모두 턴-오프시켜 전기 낭비를 방지할 수 있다. 또는, 모바일 기기(5800) 등을 통해 보안 모드가 설정된 경우, 가정 내에 사람이 없는 상태에서 디지털 도어록(5400)이 잠기면, LED 램프(5200)를 턴-온 상태로 유지시킬 수도 있다.
LED 램프(5200)의 동작은, 네트워크 시스템(5000)과 연결되는 다양한 센서를 통해 수집되는 주변 환경에 따라서 제어될 수도 있다. 예를 들어 네트워크 시스템(5000)이 건물 내에 구현되는 경우, 빌딩 내에서 조명과 위치센서와 통신모듈을 결합, 건물 내 사람들의 위치정보를 수집하여 조명을 턴-온 또는 턴-오프하거나 수집한 정보를 실시간으로 제공하여 시설관리나 유휴공간의 효율적 활용을 가능케 한다. 일반적으로 LED 램프(5200)와 같은 조명 장치는, 건물 내 각 층의 거의 모든 공간에 배치되므로, LED 램프(5200)와 일체로 제공되는 센서를 통해 건물 내의 각종 정보를 수집하고 이를 시설관리, 유휴공간의 활용 등에 이용할 수 있다.
한편, LED 램프(5200)와 이미지센서, 저장장치, 램프용 통신 모듈(5210) 등을 결합함으로써, 건물 보안을 유지하거나 긴급상황을 감지하고 대응할 수 있는 장치로 활용할 수 있다. 예를 들어 LED 램프(5200)에 연기 또는 온도 감지 센서 등이 부착된 경우, 화재 발생 여부 등을 신속하게 감지함으로써 피해를 최소화할 수 있다. 또한 외부의 날씨나 일조량 등을 고려하여 조명의 밝기를 조절, 에너지를 절약하고 쾌적한 조명환경을 제공할 수도 있다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 개방형 네트워크 시스템이다.
도 27을 참조하면, 본 실시예에 따른 네트워크 시스템(6000)은 통신 연결 장치(6100), 소정의 간격마다 설치되어 통신 연결 장치(6100)와 통신 가능하도록 연결되는 복수의 조명 기구(6200, 6300), 서버(6400), 서버(6400)를 관리하기 위한 컴퓨터(6500), 통신 기지국(6600), 통신 가능한 상기 장비들을 연결하는 통신망(6700), 및 모바일 기기(6800) 등을 포함할 수 있다.
거리 또는 공원 등의 개방적인 외부 공간에 설치되는 복수의 조명 기구(6200, 6300) 각각은 스마트 엔진(6210, 6310)을 포함할 수 있다. 스마트 엔진(6210, 6310)은 빛을 내기 위한 발광소자, 발광소자를 구동하기 위한 구동 드라이버 외에 주변 환경의 정보를 수집하는 센서, 및 통신 모듈 등을 포함할 수 있다. 상기 통신 모듈에 의해 스마트 엔진(6210, 6310)은 WiFi, Zigbee, LiFi 등의 통신 프로토콜에 따라 주변의 다른 장비들과 통신할 수 있다.
일례로, 하나의 스마트 엔진(6210)은 다른 스마트 엔진(6310)과 통신 가능하도록 연결될 수 있다. 이때, 스마트 엔진(6210, 6310) 상호 간의 통신에는 WiFi 확장 기술(WiFi Mesh)이 적용될 수 있다. 적어도 하나의 스마트 엔진(6210)은 통신망(6700)에 연결되는 통신 연결 장치(6100)와 유/무선 통신에 의해 연결될 수 있다. 통신의 효율을 높이기 위해, 몇 개의 스마트 엔진(6210, 6310)을 하나의 그룹으로 묶어 하나의 통신 연결 장치(6100)와 연결할 수 있다.
통신 연결 장치(6100)는 유/무선 통신이 가능한 액세스 포인트(access point, AP)로서, 통신망(6700)과 다른 장비 사이의 통신을 중개할 수 있다. 통신 연결 장치(6100)는 유/무선 방식 중 적어도 하나에 의해 통신망(6700)과 연결될 수 있으며, 일례로 조명 기구(6200, 6300) 중 어느 하나의 내부에 기구적으로 수납될 수 있다.
통신 연결 장치(6100)는 WiFi 등의 통신 프로토콜을 통해 모바일 기기(6800)와 연결될 수 있다. 모바일 기기(6800)의 사용자는 인접한 주변의 조명 기구(6200)의 스마트 엔진(6210)과 연결된 통신 연결 장치(6100)를 통해, 복수의 스마트 엔진(6210, 6310)이 수집한 주변 환경 정보를 수신할 수 있다. 상기 주변 환경 정보는 주변 교통 정보, 날씨 정보 등을 포함할 수 있다. 모바일 기기(6800)는 통신 기지국(6600)을 통해 3G 또는 4G 등의 무선 셀룰러 통신 방식으로 통신망(6700)에 연결될 수도 있다.
한편, 통신망(6700)에 연결되는 서버(6400)는, 각 조명 기구(6200, 6300)에 장착된 스마트 엔진(6210, 6310)이 수집하는 정보를 수신함과 동시에, 각 조명 기구(6200, 6300)의 동작 상태 등을 모니터링 할 수 있다. 각 조명 기구(6200, 6300)의 동작 상태의 모니터링 결과에 기초하여 각 조명 기구(6200, 6300)를 관리하기 위해, 서버(6400)는 관리 시스템을 제공하는 컴퓨터(6500)와 연결될 수 있다. 컴퓨터(6500)는 각 조명 기구(6200, 6300), 특히 스마트 엔진(6210, 6310)의 동작 상태를 모니터링하고 관리할 수 있는 소프트웨어 등을 실행할 수 있다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 가시광 무선 통신에 의한 조명 기구의 스마트 엔진과 모바일 기기의 통신 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 28을 참조하면, 스마트 엔진(6210)은 신호 처리부(6211), 제어부(6212), LED 드라이버(6213), 광원부(6214), 센서(6215) 등을 포함할 수 있다. 스마트 엔진(6210)과 가시광 무선통신에 의해 연결되는 모바일 기기(6800)는, 제어부(6801), 수광부(6802), 신호처리부(6803), 메모리(6804), 입출력부(6805) 등을 포함할 수 있다. 광원부(6214)는 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
가시광 무선통신(LiFi) 기술은 인간이 눈으로 인지할 수 있는 가시광 파장 대역의 빛을 이용하여 무선으로 정보를 전달하는 무선통신 기술이다. 이러한 가시광 무선통신 기술은 가시광 파장 대역의 빛, 즉 상기 실시예에서 설명한 발광 패키지로부터의 특정 가시광 주파수를 이용한다는 측면에서 기존의 유선 광통신기술 및 적외선 무선통신과 구별되며, 통신 환경이 무선이라는 측면에서 유선 광통신 기술과 구별된다. 또한, 가시광 무선통신 기술은 RF 무선통신과 달리 주파수 이용 측면에서 규제 또는 허가를 받지 않고 자유롭게 이용할 수 있어 편리하고 물리적 보안성이 우수하고 통신 링크를 사용자가 눈으로 확인할 수 있다는 차별성을 가지고 있으며, 무엇보다도 광원의 고유 목적과 통신기능을 동시에 얻을 수 있다는 융합 기술로서의 특징을 가지고 있다.
스마트 엔진(6210)의 신호 처리부(6211)는, 가시광 무선통신에 의해 송수신하고자 하는 데이터를 처리할 수 있다. 일 실시예로, 신호 처리부(6211)는 센서(6215)에 의해 수집된 정보를 데이터로 가공하여 제어부(6212)에 전송할 수 있다. 제어부(6212)는 신호 처리부(6211)와 LED 드라이버(6213) 등의 동작을 제어할 수 있으며, 특히 신호 처리부(6211)가 전송하는 데이터에 기초하여 LED 드라이버(6213)의 동작을 제어할 수 있다. LED 드라이버(6213)는 제어부(6212)가 전달하는 제어 신호에 따라 광원부(6214)를 발광시킴으로써, 데이터를 모바일 기기(6800)로 전달할 수 있다.
모바일 기기(6800)는 제어부(6801), 데이터를 저장하는 메모리(6804), 디스플레이와 터치스크린, 오디오 출력부 등을 포함하는 입출력부(6805), 신호 처리부(6803) 외에 데이터가 포함된 가시광을 인식하기 위한 수광부(6802)를 포함할 수 있다. 수광부(6802)는 가시광을 감지하여 이를 전기 신호로 변환할 수 있으며, 신호 처리부(6803)는 수광부에 의해 변환된 전기 신호에 포함된 데이터를 디코딩할 수 있다. 제어부(6801)는 신호 처리부(6803)가 디코딩한 데이터를 메모리(6804)에 저장하거나 입출력부(6805) 등을 통해 사용자가 인식할 수 있도록 출력할 수 있다.
지금까지의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 다층 필름
10s: 필름 스트랩
11: 베이스 필름
12: 광차단층
12s: 광차단 영역
13a, 13b, 13c, 13d: 제1, 제2, 제3, 제4 파장 변환층
13as, 13bs, 13cs, 13ds: 제1, 제2, 제3, 제4 파장 변환 영역
14: 반사부
101: 기판
113: 제1 도전형 반도체층
115: 활성층
117: 제2 도전형 반도체층
121, 123: 제1, 제2 절연층
133, 134: 제1, 제2 콘택 전극
135, 136: 제1, 제2 연결 전극
145, 146: 제1, 제2 패드
150: 몰딩부

Claims (10)

  1. 복수의 광차단 영역들 및 서로 다른 파장의 광을 방출하는 파장변환물질을 포함하는 복수의 파장 변환 영역들을 포함하는 필름 스트랩(strap)을 마련하는 단계;
    UV광 및 청색광 중 하나를 방출하며 절연층에 의해 분리되는 복수의 발광 영역들을 갖는 발광 소자들을 마련하는 단계;
    상기 복수의 발광 영역들 상에 상기 복수의 파장 변환 영역들이 일대일 대응하여 배치되고, 상기 절연층 상에 상기 복수의 광차단 영역들이 대응하여 배치되도록 상기 발광 소자들 상에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계; 및
    상기 필름 스트랩 및 상기 발광 소자들을 개별 소자 단위로 절단하는 단계; 를 포함하며,
    상기 필름 스트랩을 마련하는 단계는,
    베이스 필름 상에 복수의 광차단층들과 서로 다른 파장의 광을 방출하는 파장 변환층들을 교대로 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 광차단층들 및 상기 복수의 파장 변환층들을 특정의 폭으로 절단하는 단계를 포함하는, 발광소자 패키지의 제조 방법.

  2. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 소자들에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계에 있어서, 상기 발광 소자들이 상기 필름 스트랩을 공유하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 광차단 영역은 카본 블랙(carbon black)이나 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하도록 형성되는 발광소자 패키지의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 필름 스트랩은 상기 적어도 하나의 광차단 영역과 상기 적어도 하나의 파장 변환 영역 사이에 반사부를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역들은 독립적으로 동작하는 3개의 발광 영역들을 포함하고, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 각각 적색, 녹색, 및 청색을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하도록 형성되는 발광소자 패키지의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 소자들 각각은 상기 복수의 발광 영역들에 공통으로 연결되는 하나의 제1 패드 및 상기 복수의 발광 영역들 각각에 연결되도록 상기 복수의 발광 영역들의 개수와 동일한 개수로 형성된 제2 패드들을 구비하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역들은 독립적으로 동작하는 4개의 발광 영역들을 포함하고, 상기 복수의 파장 변환 영역들은 각각 적색, 녹색, 청색, 및 백색을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하도록 형성되는 발광소자 패키지의 제조 방법.
  10. 베이스 필름 상에 복수의 광차단층들, 복수의 파장 변환층들, 및 상기 복수의 광차단층들과 상기 복수의 파장변환층들 사이에 배치되는 복수의 반사부들을 교대로 형성하는 단계;
    복수의 광차단 영역 및 서로 다른 파장의 광을 방출하는 파장변환물질을 포함하는 복수의 파장 변환 영역들을 포함하는 필름 스트랩(strap)을 마련하기 위해 상기 복수의 광차단층들, 상기 복수의 파장 변환층들, 및 상기 복수의 반사부들을 절단하는 단계;
    UV광 및 청색광 중 하나를 방출하며 절연층에 의해 분리되는 복수의 발광 영역들을 가지는 발광 소자들을 마련하는 단계;
    상기 필름 스트랩의 절단면이 상기 발광 소자들의 광방출면을 마주보도록 상기 발광 소자들에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계; 및
    상기 필름 스트랩 및 상기 발광 소자들을 개별 소자 단위로 절단하는 단계; 를 포함하며,
    상기 발광 소자들에 상기 필름 스트랩을 부착하는 단계에 있어서, 상기 발광 소자들이 상기 필름 스트랩을 공유하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
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US15/337,215 US10333035B2 (en) 2016-02-25 2016-10-28 Method of manufacturing light emitting device package
CN201710107360.5A CN107123717B (zh) 2016-02-25 2017-02-27 制造发光器件封装件的方法

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102527387B1 (ko) * 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102553630B1 (ko) * 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
AU2018250698B2 (en) * 2017-04-13 2022-05-26 Jade Bird Display (Shang Hai) Limited LED-OLED hybrid self-emissive display
KR102486391B1 (ko) * 2017-11-09 2023-01-09 삼성전자주식회사 고해상도 디스플레이 장치
CN107799509A (zh) * 2017-12-01 2018-03-13 广东省半导体产业技术研究院 一种全光谱白光微led芯片及其荧光粉涂覆方法
CN107799510A (zh) * 2017-12-01 2018-03-13 广东省半导体产业技术研究院 一种全光谱白光微led芯片
KR102421729B1 (ko) * 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
WO2019141374A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of conversion elements, conversion element and optoelectronic component
CN117174732A (zh) 2018-01-23 2023-12-05 晶元光电股份有限公司 发光元件、其制造方法及显示模块
DE102018105910B4 (de) 2018-03-14 2023-12-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Konversionselementen
US10566317B2 (en) * 2018-05-20 2020-02-18 Black Peak LLC Light emitting device with small size and large density
US20190355874A1 (en) * 2018-05-20 2019-11-21 Black Peak LLC High brightness light emitting device with small size
KR102653015B1 (ko) * 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102650659B1 (ko) * 2018-09-13 2024-03-25 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11145251B2 (en) * 2018-10-23 2021-10-12 Innolux Corporation Display device
FR3093237B1 (fr) * 2019-02-22 2021-02-19 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente, pixel comportant une pluralite de diodes electroluminescentes et procedes de fabrication associes
US11158836B2 (en) * 2019-03-19 2021-10-26 Innolux Corporation Light emitting device
US11355686B2 (en) * 2019-03-29 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus
JP7269196B2 (ja) * 2019-04-30 2023-05-08 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
JP7636347B2 (ja) * 2019-05-14 2025-02-26 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光パッケージ及び表示装置
CN113853688A (zh) * 2019-05-14 2021-12-28 首尔伟傲世有限公司 Led芯片封装件及其制造方法
KR102746084B1 (ko) * 2019-07-08 2024-12-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR102235292B1 (ko) * 2019-08-06 2021-04-02 주식회사 에이맵플러스 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
DE102019212944A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
CN114883473B (zh) * 2020-01-02 2024-06-14 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置及发光设备
TWI768433B (zh) * 2020-08-19 2022-06-21 聯嘉光電股份有限公司 三合一RGB mini-LED製程方法
TWI777734B (zh) * 2021-08-19 2022-09-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
WO2023245352A1 (zh) * 2022-06-20 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 芯片结构及其制备方法、显示基板和显示装置
WO2024202640A1 (ja) * 2023-03-24 2024-10-03 ソニーグループ株式会社 発光装置および画像表示装置
WO2024202686A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014188296A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-27 Koninklijke Philips N.V. Chip scale light emitting device package with dome
JP2015099816A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 配光部材の製造方法及び発光装置の製造方法
CN105340087A (zh) * 2013-07-03 2016-02-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09113717A (ja) 1995-10-16 1997-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラーシートの製造方法およびカラー表示面の製造方法
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100932991B1 (ko) 2003-11-29 2009-12-21 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시 장치 및 그의 제조방법
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR100951039B1 (ko) * 2007-11-01 2010-04-05 삼성코닝정밀유리 주식회사 디스플레이 장치용 외광 차폐 부재, 이의 제조 방법 및이를 포함하는 디스플레이 장치용 필터
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5263788B2 (ja) * 2009-10-22 2013-08-14 シャープ株式会社 表示装置
JP2012169189A (ja) 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
JP5731303B2 (ja) 2011-07-14 2015-06-10 株式会社小糸製作所 発光モジュール
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
CN103062641B (zh) 2011-10-20 2016-10-19 欧司朗股份有限公司 光源单元、配有这种光源单元的照明装置以及医疗设备
CN102403424B (zh) 2011-11-23 2012-12-26 俞国宏 一种集成电阻的发光二极管芯片制作方法
US9153180B2 (en) 2012-06-29 2015-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Multi primary color display device and method of driving the same
JP6169829B2 (ja) 2012-07-09 2017-07-26 交和電気産業株式会社 照明装置
JP2014026198A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Japan Display Inc 表示装置
WO2014151263A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
JP6017478B2 (ja) 2014-02-27 2016-11-02 富士フイルム株式会社 蛍光撮影装置及び蛍光撮影装置用の光源ユニット
US9468069B2 (en) * 2014-04-03 2016-10-11 Ledengin, Inc. Smooth brightness adjustment for color-tunable light source module
US20160254315A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Oki Data Corporation Semiconductor device, led head, and image forming apparatus
JP6288009B2 (ja) * 2015-08-31 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014188296A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-27 Koninklijke Philips N.V. Chip scale light emitting device package with dome
CN105340087A (zh) * 2013-07-03 2016-02-17 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法
JP2015099816A (ja) * 2013-11-18 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 配光部材の製造方法及び発光装置の製造方法

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