KR102465003B1 - 표시장치 - Google Patents
표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102465003B1 KR102465003B1 KR1020160000546A KR20160000546A KR102465003B1 KR 102465003 B1 KR102465003 B1 KR 102465003B1 KR 1020160000546 A KR1020160000546 A KR 1020160000546A KR 20160000546 A KR20160000546 A KR 20160000546A KR 102465003 B1 KR102465003 B1 KR 102465003B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- gate
- carry
- output
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 102100037223 Nuclear receptor coactivator 1 Human genes 0.000 description 33
- 101000773184 Homo sapiens Twist-related protein 1 Proteins 0.000 description 31
- 102100030398 Twist-related protein 1 Human genes 0.000 description 31
- 101100366112 Homo sapiens SNX2 gene Proteins 0.000 description 20
- 102100022378 Sorting nexin-2 Human genes 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 101100476641 Homo sapiens SAMM50 gene Proteins 0.000 description 13
- 102100035853 Sorting and assembly machinery component 50 homolog Human genes 0.000 description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 13
- 101100243108 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PDI1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101000912503 Homo sapiens Tyrosine-protein kinase Fgr Proteins 0.000 description 10
- 102100037226 Nuclear receptor coactivator 2 Human genes 0.000 description 10
- 102000001332 SRC Human genes 0.000 description 9
- 108060006706 SRC Proteins 0.000 description 9
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 5
- 101100477004 Homo sapiens BNIP1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100149754 Homo sapiens SNHG12 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100038667 Putative uncharacterized protein SNHG12 Human genes 0.000 description 4
- 102100035030 Vesicle transport protein SEC20 Human genes 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- GYRJMKLTOVDJSG-MELONOIFSA-N (3s,3as,5as,7r,9s,9as,9bs)-7-bromo-3,5a,9-trimethyl-3a,4,5,6,7,9,9a,9b-octahydro-3h-benzo[g][1]benzofuran-2,8-dione Chemical compound C([C@]1(C)CC2)[C@@H](Br)C(=O)[C@@H](C)[C@@H]1[C@@H]1[C@@H]2[C@H](C)C(=O)O1 GYRJMKLTOVDJSG-MELONOIFSA-N 0.000 description 3
- 101710083129 50S ribosomal protein L10, chloroplastic Proteins 0.000 description 3
- 102100026611 Alpha-1,2-mannosyltransferase ALG9 Human genes 0.000 description 3
- 101000717828 Homo sapiens Alpha-1,2-mannosyltransferase ALG9 Proteins 0.000 description 3
- 101000974356 Homo sapiens Nuclear receptor coactivator 3 Proteins 0.000 description 3
- 101000974360 Mus musculus Nuclear receptor coactivator 2 Proteins 0.000 description 3
- 108090001146 Nuclear Receptor Coactivator 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100022883 Nuclear receptor coactivator 3 Human genes 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040615 Homeobox protein MSX-2 Human genes 0.000 description 1
- 101000967222 Homo sapiens Homeobox protein MSX-2 Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 TRG4 Proteins 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000015842 craniosynostosis 2 Diseases 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/287—Organisation of a multiplicity of shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
- H10D30/6732—Bottom-gate only TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
- H10D30/6743—Silicon
- H10D30/6746—Amorphous silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
- H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2230/00—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0413—Details of dummy pixels or dummy lines in flat panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0261—Improving the quality of display appearance in the context of movement of objects on the screen or movement of the observer relative to the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
- G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
Abstract
Description
도 1b는 도 1에 도시된 AA영역을 확대하여 도시한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 신호들의 타이밍도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 블럭도이다.
도 6은 도 5에 도시된 복수 개의 스테이지들 중 i번째 스테이지의 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 i번째 스테이지의 입출력신호 파형도이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 신호들의 타이밍도이다.
도 9은 도 6에 도시된 i번째 스테이지 일부의 레이아웃이다.
도 10는 도 8의 I-I' 을 따라 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로에 포함되는 복수 개의 스테이지들 중 i번째 스테이지의 회로도이다.
DS1: 제1 기판 DS2: 제2 기판
100: 게이트 구동회로 200: 데이터 구동회로
300: 제어전압 생성부 320: 영상 판단부
MCB: 회로기판 SRC1~SRCn: 스테이지
111-1: 제1 출력부 111-2: 제2 출력부
112: 제어부 113-1: 제1 풀다운부
113-2: 제2 풀다운부 114-1: 제1 홀딩부
114-2: 제2 홀딩부 115: 인버터부
VJT: 영상판단 단자
Claims (20)
- 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들, 및 상기 복수의 게이트 라인들 및 상기 복수의 데이터 라인들에 연결된 복수의 화소들을 포함하며, 동영상 또는 정지영상을 표시하는 표시패널;
상기 게이트 라인들에 각각이 게이트-온 전압 및 상기 게이트-온 전압보다 작은 게이트-오프 전압을 갖는 복수의 게이트 신호들을 출력하며, 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들을 포함하고, 상기 복수의 스테이지들 중 적어도 어느 하나는 입력전극, 출력전극, 제1 제어전극, 및 제2 제어전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동회로; 및
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제2 제어전극에 영상 판단 신호를 출력하며, 상기 표시패널이 상기 동영상을 표시할 때, 상기 영상 판단 신호는 제1 영상 판단 전압을 갖고, 상기 표시패널이 상기 정지영상을 표시할 때, 상기 영상 판단 신호는 상기 제1 영상 판단 전압보다 큰 제2 영상 판단 전압을 갖는 영상 판단부를 포함하며,
상기 영상 판단 신호가 상기 제2 영상 판단 전압을 가질 때, 상기 더블 게이트 트랜지스터가 턴-온되어, 상기 복수의 스테이지들 중 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하는 스테이지에 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들에서 출력되는 복수의 게이트 신호들 각각은 상기 게이트-오프 전압을 갖고,
상기 제2 영상 판단 전압은 15V 이상 35V 이하이고, 상기 제1 영상 판단 전압은 -12V 이상 -6V 이하인 표시장치. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 중 i번째 스테이지는(여기서, i는 2 이상의 정수),
Q-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 i번째 스테이지의 입력단자로부터 수신된 클럭 신호로부터 상기 i번째 스테이지의 게이트 출력단자로 출력되는 상기 게이트 신호를 생성하는 제1 출력부;
상기 Q-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 클럭 신호로부터 상기 i번째 스테이지의 캐리 출력단자로 출력되고 캐리-온 전압 및 상기 캐리-온 전압보다 작은 캐리-오프 전압을 포함하는 캐리 신호를 생성하는 제2 출력부;
상기 Q-노드의 전압을 제어하는 제어부;
상기 게이트 출력단자로 상기 게이트-온 전압을 갖는 상기 게이트 신호가 출력된 이후에, 상기 게이트 신호가 상기 게이트 오프-전압으로 다운되도록 상기 게이트 출력단자에 제1 저전압을 제공하는 제1 풀다운부;
상기 캐리 출력단자로 상기 캐리-온 전압을 갖는 상기 캐리 신호가 출력된 이후에, 상기 캐리 신호가 상기 캐리-오프 전압으로 다운되도록 상기 캐리 출력단자에 제2 저전압을 제공하는 제2 풀다운부;
A-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 게이트 출력단자에 상기 제1 저전압이 제공된 이후에 상기 게이트 출력단자에 상기 제1 저전압을 제공하는 제1 홀딩부;
상기 A-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 캐리 출력단자에 상기 제2 저전압이 제공된 이후에 상기 캐리 출력단자에 상기 제2 저전압을 제공하는 제2 홀딩부; 및
상기 A-노드의 전압을 제어하는 인버터부를 포함하는 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 게이트-오프 전압은 상기 제1 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 캐리-오프 전압은 상기 제2 저전압과 실질적으로 동일한 표시장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 저전압은 -8V 이상 -6V 이하이고, 상기 제2 저전압은 -12V 이상 -10V 이하인 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제2 풀다운부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 캐리 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 상기 Q-노드에 연결된 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 Q-노드에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 상기 A-노드에 연결된 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 홀딩부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 게이트 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 i+1번째 스테이지에서 출력되는 게이트 신호 또는 캐리 신호가 인가되는 표시장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제2 홀딩부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 캐리 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 i+1번째 스테이지에서 출력되는 게이트 신호 또는 캐리 신호가 인가되는 표시장치. - 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들, 및 상기 복수의 게이트 라인들 및 상기 복수의 데이터 라인들에 연결된 복수의 화소들을 포함하며, 동영상 또는 정지영상을 표시하는 표시패널; 및
복수 개의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 복수의 게이트 라인들에 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로를 포함하며,
상기 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 어느 하나는 입력전극, 출력전극, 제1 제어전극, 및 제2 제어전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터이며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에는 0보다 작은 저전압이 인가되고,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제2 제어전극에는, 상기 표시패널이 상기 정지영상을 표시할 때, 정지영상 판단 전압이 인가되어 상기 더블 게이트 트랜지스터가 턴-온되는 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제2 제어전극에는, 상기 표시패널이 상기 동영상을 표시할 때, 상기 정지영상 판단 전압보다 작은 동영상 판단 전압이 인가되는 표시장치. - 제11 항에 있어서,
상기 0보다 작은 저전압은 -12V 이상 -6V 이하인 표시장치. - 제12 항에 있어서,
상기 정지영상 판단 전압은 15V 이상 35V 이하이고, 상기 동영상 판단 전압은 -12V 이상 -6V 이하인 표시장치. - 제10 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 라인들에 상기 게이트 신호들을 출력하며 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들을 포함하며,
상기 복수의 스테이지들 중 i번째 스테이지는(여기서, i는 2 이상의 정수),
Q-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 i번째 스테이지의 입력단자로부터 수신된 클럭 신호로부터 상기 i번째 스테이지의 게이트 출력단자로 출력되고 게이트-온 전압 및 상기 게이트-온 전압보다 작은 게이트-오프 전압을 포함하는 게이트 신호를 생성하는 제1 출력부;
상기 Q-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 클럭 신호로부터 상기 i번째 스테이지의 캐리 출력단자로 출력되고 캐리-온 전압 및 상기 캐리-온 전압보다 작은 캐리-오프 전압을 포함하는 캐리 신호를 생성하는 제2 출력부; 및
상기 Q-노드의 전압을 제어하는 제어부;
상기 게이트 출력단자로 상기 게이트-온 전압을 갖는 상기 게이트 신호가 출력된 이후에, 상기 게이트 신호가 상기 게이트-오프 전압으로 다운되도록 상기 게이트 출력단자에 제1 저전압을 제공하는 제1 풀다운부;
상기 캐리 출력단자로 상기 캐리 온 전압이 출력된 이후에, 상기 캐리 오프 전압으로 상기 캐리 신호가 다운되도록 상기 캐리 출력단자에 제2 저전압을 제공하는 제2 풀다운부;
A-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 게이트 출력단자에 상기 제1 저전압이 제공된 이후에 상기 게이트 출력단자에 상기 제1 저전압을 제공하는 제1 홀딩부;
상기 A-노드의 전압에 따라 온/오프되며, 상기 캐리 출력단자에 상기 제2 저전압이 제공된 이후에 상기 캐리 출력단자에 상기 제2 저전압을 제공하는 제2 홀딩부; 및
상기 A-노드의 전압을 제어하는 인버터부를 포함하는 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 게이트 오프 전압은 상기 제1 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 캐리 오프 전압은 상기 제2 저전압과 실질적으로 동일한 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 풀다운부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에 인가되는 상기 0보다 작은 저전압은 상기 제2 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 캐리 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 상기 Q-노드에 연결된 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에 인가되는 상기 0보다 작은 저전압은 상기 제2 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 Q-노드에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 상기 A-노드에 연결된 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 홀딩부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에 인가되는 상기 0보다 작은 저전압은 상기 제1 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 게이트 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 i+1번째 스테이지에서 출력되는 게이트 신호 또는 캐리 신호가 인가되는 표시장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 홀딩부는 상기 더블 게이트 트랜지스터를 포함하며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에 인가되는 상기 0보다 작은 저전압은 상기 제1 저전압과 실질적으로 동일하고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 출력전극은 상기 캐리 출력단자에 연결되고, 상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제1 제어전극은 i+1번째 스테이지에서 출력되는 게이트 신호 또는 캐리 신호가 인가되는 표시장치. - 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들, 및 상기 복수의 게이트 라인들 및 상기 복수의 데이터 라인들에 연결된 복수의 화소들을 포함하고, 복수의 프레임들을 포함하는 프레임 구간동안 이미지를 제공하며, 상기 프레임 구간은 연속하는 복수의 프레임들마다 상기 복수의 데이터 라인들에 인가되는 데이터 전압이 일정한 제1 구간 및 연속하는 복수의 프레임들마다 상기 복수의 데이터 라인들에 인가되는 데이터 전압이 변하는 제2 구간을 포함하는 표시패널;
복수 개의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 복수의 게이트 라인들에 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로;
상기 복수의 데이터 라인들에 데이터 신호들을 출력하는 데이터 구동회로; 및
상기 제1 구간에서 정지영상 판단 전압을 갖고 상기 제2 구간에 상기 정지영상 판단 전압보다 작은 동영상 판단 전압 갖는 영상 판단 신호 출력하는 영상판단 회로를 포함하고,
상기 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 어느 하나는 입력전극, 출력전극, 제1 제어전극, 및 제2 제어전극을 포함하는 더블 게이트 트랜지스터이며,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 입력전극에는 0보다 작은 전압이 인가되고,
상기 더블 게이트 트랜지스터의 상기 제2 제어전극에는 상기 영상 판단 신호가 인가되는 표시장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160000546A KR102465003B1 (ko) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 표시장치 |
US15/238,552 US9934751B2 (en) | 2016-01-04 | 2016-08-16 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160000546A KR102465003B1 (ko) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170081800A KR20170081800A (ko) | 2017-07-13 |
KR102465003B1 true KR102465003B1 (ko) | 2022-11-10 |
Family
ID=59226653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160000546A Active KR102465003B1 (ko) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 표시장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9934751B2 (ko) |
KR (1) | KR102465003B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107801026B (zh) * | 2017-11-09 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 图像压缩方法及装置、图像压缩及解压缩系统 |
CN111954901B (zh) * | 2018-04-24 | 2023-05-05 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 包括用于选择列像素数据的开关的显示设备 |
CN108288459B (zh) * | 2018-04-24 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示装置的驱动系统及驱动方法与显示装置 |
CN208141792U (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-23 | 北京京东方技术开发有限公司 | 移位寄存器单元、电路结构、驱动电路及显示装置 |
CN108897180B (zh) * | 2018-07-03 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及其显示方法 |
KR102685412B1 (ko) | 2019-08-12 | 2024-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 구동 방법 |
KR20220108863A (ko) | 2021-01-27 | 2022-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치 |
CN115909978B (zh) | 2021-09-30 | 2024-08-06 | 乐金显示有限公司 | 栅极驱动电路以及包括栅极驱动电路的显示装置 |
CN115909938A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-04-04 | 惠科股份有限公司 | Goa驱动电路、装置以及显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3496431B2 (ja) * | 1997-02-03 | 2004-02-09 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
KR101217079B1 (ko) | 2005-07-05 | 2012-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR101160836B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2012-06-29 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20070082414A (ko) | 2006-02-16 | 2007-08-21 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판 |
KR20070101033A (ko) | 2006-04-10 | 2007-10-16 | 삼성전자주식회사 | 신호 구동 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR101471553B1 (ko) | 2008-08-14 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 갖는 표시 장치 |
KR20180014255A (ko) * | 2009-11-13 | 2018-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
KR102005485B1 (ko) * | 2011-11-04 | 2019-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR102128579B1 (ko) | 2014-01-21 | 2020-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR102174323B1 (ko) * | 2014-05-27 | 2020-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102486313B1 (ko) | 2015-12-03 | 2023-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치 |
-
2016
- 2016-01-04 KR KR1020160000546A patent/KR102465003B1/ko active Active
- 2016-08-16 US US15/238,552 patent/US9934751B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170081800A (ko) | 2017-07-13 |
US9934751B2 (en) | 2018-04-03 |
US20170193955A1 (en) | 2017-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102465003B1 (ko) | 표시장치 | |
JP6723012B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
KR102516727B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR102253623B1 (ko) | 게이트 구동 회로 | |
KR102435224B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR102486313B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR102282028B1 (ko) | 게이트 구동 회로 | |
KR102472867B1 (ko) | 표시장치 | |
CN106940989B (zh) | 显示装置 | |
KR102457481B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR102430433B1 (ko) | 표시장치 | |
KR102314447B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
US10607519B2 (en) | Gate driving circuit and display device including the same | |
KR20170077941A (ko) | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR20160092584A (ko) | 게이트 구동회로 | |
KR102555509B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR20200012054A (ko) | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR102465950B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
US10685618B2 (en) | Gate driving circuit and display device having the same | |
KR102574511B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR20160075919A (ko) | 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR102435886B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR102447536B1 (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR20170064632A (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 | |
KR20180004379A (ko) | 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20160104 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20201118 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20160104 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220607 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20221005 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20221104 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20221107 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |