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KR102338550B1 - 질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법 - Google Patents

질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법 Download PDF

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KR102338550B1
KR102338550B1 KR1020157037164A KR20157037164A KR102338550B1 KR 102338550 B1 KR102338550 B1 KR 102338550B1 KR 1020157037164 A KR1020157037164 A KR 1020157037164A KR 20157037164 A KR20157037164 A KR 20157037164A KR 102338550 B1 KR102338550 B1 KR 102338550B1
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Abstract

미세전자 소자로부터 금속 전도, 예컨대 코발트, 루테늄 및 구리, 및 절연 물질에 비해 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하는데 유용한 조성물. 상기 제거 조성물은 하나 이상의 산화제 및 에천트를 함유하고, 선택성을 보장하기 위해 다양한 부식 방지제를 함유할 수 있다.

Description

질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법{Compositions and methods for selectively etching titanium nitride}
본 발명은 금속 전도체와 절연 물질(예를 들어, 저유전체) 존재하에서, 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이며, 더 특히는 노출층 또는 기저층의 구리, 코발트, 루테늄 그리고 저유전체 물질보다 더 높은 에칭 속도와 선택성으로 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 효과적이고 효율적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다.
포토레지스트 마스크는 보통 반도체나 유전체와 같은 물질에 패턴을 새기기 위한 반도체 산업에 이용된다. 한 응용으로서, 포토레지스트 마스크는 미세전자 소자의 백-엔드 배선에서 인터커넥트를 형성하기 위한 이중 다마신(damascene) 공정에 사용된다. 이중 다마신 공정은 구리나 코발트층과 같이, 금속 전도체층에 놓인 저유전체층에 포토레지스트 마스크를 형성하는 것을 포함한다. 이어서 비아 및/또는 트렌치를 형성하기 위해 포토레지스트 마스크에 따라 저유전체층이 에칭되어, 금속 전도체층을 노출시킨다. 일반적으로 이중 다마신 구조로 알려져있는 비아 및 트렌치는, 보통 두 리소그래피 단계를 이용하여 형성된다. 이어서 포토레지스트 마스크는 인터커넥트를 형성하기 위해 전도성 물질이 비아 및/또는 트렌치 안에 증착되기 전, 저유전체층으로부터 제거된다.
미세전자 소자의 크기가 감소함에 따라, 비아 및 트렌치의 임계 치수를 달성하기가 더 어려워졌다. 그래서, 금속 하드 마스크는 비아 및 트렌치의 더 나은 프로파일 제어를 위해 이용된다. 금속 하드 마스크는 티타늄 또는 질화 티타늄으로 만들어질 수 있고, 이중 다마신 구조의 비아 및/또는 트렌치를 형성한 후 습식 에칭 공정에 의해 제거된다. 습식 에칭 공정은 기저층의 금속 전도체층과 저유전체 물질에 영향을 주지 않고, 금속 하드 마스크 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 효과적으로 제거하는 제거 화학을 사용하는 것이 필수적이다. 다시 말해서, 제거 화학은 금속 전도체층과 저유전체층에 매우 선택적이기 위해 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 하드 마스크의 에칭 속도를 변경하지 않으면서, 존재하는 금속 전도체층과 저유전체층에 비해 하드 마스크 물질을 선택적으로 제거하기 위한 개선된 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 존재하는 금속 전도체층과 저유전체층에 비해 하드 마스크층 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 구리, 코발트, 루테늄, 및 저유전체층에 비해 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다.
하나의 태양으로, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물이 설명되고, 상기 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함한다.
다른 하나의 태양으로, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 물질 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물 에칭 방법이 기술되어 있는데, 상기 표면을 조성물과 접촉시켜 상기 표면으로부터 금속 및 절연 물질에 비해 질화 티타늄 물질 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 제거하는 것을 포함하는 방법이며, 상기 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함한다.
또 다른 태양으로, 본 발명의 특징 및 실시예는 보증하는 개시내용과 첨부된 청구항으로부터 더 완전히 분명해질 수 있다.
일반적으로, 본 발명은 금속 전도체층과 저유전체층에 비해 하드 마스크층 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본 발명은 구리, 코발트, 루테늄, 및 저유전체층에 비해 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다. 미세전자 소자에 존재할 수 있는 다른 물질은 상기 조성물에 의해 실질적으로 제거되거나 부식되지 않아야한다.
용이한 참조를 위해, "미세전자 소자"는 반도체 기판, 평면판 표시 장치, 상변환 메모리 소자, 태양 전지판 및 태양 전지 소자, 광전지, 및 미세전자공학, 집적회로, 에너지 집합 또는 컴퓨터 칩 응용에 사용하기 위해 제조된 미세전자기계 시스템(MEMS)을 포함하는 그 외의 제품에 해당한다. 용어 "미세전자 소자", "미세전자 기판" 및 "미세전자 소자 구조"는 어떤 식으로든 제한된다는 의미가 아니며, 결국 미세전자 소자 또는 미세전자 조립체가 될 임의의 기판 또는 구조를 포함한다고 이해될 것이다. 미세전자 소자는 패턴될 수 있고, 블랭키트될 수 있으며, 대조 및/또는 시험 소자가 될 수 있다
본원에서 사용된 "하드 마스크 덮개층"은 플라즈마 에칭 단계 동안 보호하기 위한 유전체 물질에 증착된 물질에 해당한다. 하드 마스크 덮개층은 전형적으로 질화 규소, 산질화 규소, 질화 티타늄, 산질화 티타늄, 티타늄 및 다른 비슷한 화합물이다.
본원에 사용된 "질화 티타늄" 및 "TiNx"은 다양한 화학양론을 포함한 불순한 질화 티타늄 뿐만 아니라 순수한 질화 티타늄, 및 산소 함유물(TiOxNy)에 해당한다.
본원에 사용된 "약"은 표시량의 ± 5 % 에 해당하도록 의도되었다.
본원에 정의된 "저유전체 물질"은 층을 이루는 미세전자 소자의 유전체 물질로 사용된 임의의 물질에 해당하며, 상기 물질은 유전 상수가 약 3.5 미만인 물질이다. 바람직하게는, 상기 저유전체 물질은 저극성 물질, 예컨대 규소 포함 유기 중합체, 규소 포함 혼성 유기/무기 물질, 유기실리케이트 유리(OSG), TEOS, 불화 규소 유리(FSG), 이산화 규소, 및 탄소 도프 산화물(CDO) 유리를 포함한다. 상기 저유전체 물질은 다양한 밀도와 다양한 공극율을 가질 것이라 이해된다.
본원에 정의된 "금속 전도체층"은 구리, 텅스텐, 코발트, 몰리브덴, 알루미늄, 루테늄, 이를 포함하는 합금, 및 그 조합을 포함한다.
본원에 정의된 "아민" 종류는 하나 이상의 1차, 2차, 및 3차 아민을 포함하되, (1) 카복실산기와 아민기 모두를 포함하는 종, (2) 아민기를 포함하는 계면활성제, 및 (3) 아민기가 치환기(예를 들어, 아릴 또는 헤테로사이클 부분에 붙은 치환기)인 종은 이 정의에 의해 "아민"으로 고려하지 않는다. 상기 아민 화학식은 NR1R2R3 로 표현될 수 있고, R1, R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 수소, 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알킬기(예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실), C6-C10 아릴(예를 들어, 벤질), 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알칸올(예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올), 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택되되, R1, R2 및 R3는 모두가 수소가 될 수 없다.
본원에 정의된 "포토레지스트 에칭 잔여물"은 당업자에 의해 용이하게 이해되는 바와 같이, 포토레지스트 물질, 또는 에칭이나 애싱 단계 후 포토레지스트의 부산물을 포함하는 임의의 잔여물에 해당한다. 포토레지스트 에칭 잔여물은 규소 포함 물질, 티타늄 포함 물질, 질소 포함 물질, 산소 포함 물질, 중합체 잔여 물질, 구리 포함 잔여 물질(산화 구리 잔여물 포함), 텅스텐 포함 잔여 물질, 코발트 포함 잔여 물질, 에칭 가스 잔여물, 예컨대 염소 및 불소, 및 그 조합을 포함할 수 있다.
"실질적으로 없는"은 본원에서 2 중량% 미만, 바람직하게는 1 중량% 미만, 더 바람직하게는 0.5 중량% 미만, 훨씬 더 바람직하게는 0.1 중량% 미만, 그리고 가장 바람직하게는 0 중량%로 정의된다.
본원에 사용된 "불화물" 종은 불화 이온(F-) 또는 공유결합된 불소를 포함하는 종에 해당한다. 불화물 종은 불화물 종 또는 본래 생성된 상태로 포함될 수 있는 것으로 이해될 것이다.
본원에 사용된 "염화물" 종은 염화 이온(Cl-)을 포함하는 종에 해당하되, 염화 음이온을 포함하는 계면활성제는 이 정의에 따른 "염화물"로 고려하지 않는다.
본원에 사용된 강염기는 하나 이상이 11보다 큰 pKa를 갖는 임의의 염기인 반면, 약염기는 하나 이상이 11보다 작은 pKa를 갖는 임의의 염기이다.
본 발명의 조성물은 매우 다양한 구체적인 제형으로 구현될 수 있으며, 이하에 더 자세히 설명되어있다.
이러한 모든 조성물에서, 상기 조성물의 구체적인 성분은 0 하한을 포함한 중량% 범위와 관련하여 논의되는데, 이러한 성분은 조성물의 다양하고 구체적인 실시양태에서 존재하거나 부재할 수 있고, 이러한 성분이 존재하는 경우, 이러한 성분이 사용된 조성물의 총 중량에 기초하여, 0.001 중량%만큼 낮은 농도에서 존재할 수 있다고 이해할 수 있다.
본 발명의 실시양태는 하드 마스크 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물의 제거를 위한 화학을 포함한다. 한 실시양태에서, 제거 조성물은 유전체층 위의 금속 하드 마스크 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 제거하는 습식 에칭 용액이며, 유전체층 아래의 금속 전도체층 및 유전체층 그 자체에 매우 선택적이다. 더 구체적인 실시양태에서, 제거 조성물은 질화 티타늄층 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여물을 제거하는, 구리, 코발트, 루테늄, 및 저유전체 물질 중 하나 이상에 매우 선택적인 습식 에칭 용액이다.
첫번째 태양으로, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물이 설명되고, 상기 조성물은 하나 이상의 산화제 및 하나 이상의 에천트를 포함한다. 한 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은, 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 한 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 한 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 하나 이상의 계면활성제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 한 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 하나 이상의 계면활성제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 한 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 하나 이상의 계면활성제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 실시양태에서, 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질로 제거하기 위한 조성물은, 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상이 수-혼화성 유기 용매인 둘 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 또는 이들로 필수적으로 구성된다. 첫번째 태양의 각각의 실시양태에서, 하나 이상의 규소 포함 화합물 및/또는 하나 이상의 저부동태제가 첨가될 수 있다. 이 조성물은 규산염, 연마재, 금속 할로겐화물, 및 그 조합이 실질적으로 없다. 이 조성물은 약 5 내지 약 12, 바람직하게는 약 6 내지 약 10의 pH 값을 갖는다.
에천트는 질화 티타늄의 에칭 속도를 증가시키기 위해 첨가된다. 고려되는 에천트는 HF, 불화 암모늄, 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로규산, B-F 또는 Si-F 결합을 포함하는 다른 화합물, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBA-BF4), 불화 테트라알킬암모늄(NR1R2R3R4F), 강염기, 예컨대 수산화 테트라알킬암모늄((NR1R2R3R4OH)(상기 R1, R2, R3, R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 수소, 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알킬기(예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실), C1-C6 알콕시기(예를 들어, 히드록시에틸, 히드록시프로필), 치환된 또는 비치환된 아릴기(예를 들어, 벤질)로 구성된 군에서 선택된다), 약염기 및 그 조합을 포함하지만, 이들로 한정되진 않는다. 바람직하게는, 불화물 공급원은 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로규산, H2ZrF6, H2TiF6, HPF6, 불화 암모늄, 불화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라메틸암모늄, 헥사플루오로규산 암모늄, 헥사플루오로티탄산 암모늄, 또는 불화 암모늄 및 불화 테트라메틸암모늄의 조합을 포함한다. 대안으로서, 또는 불화물 공급원에 추가로, 상기 에천트는 강염기, 예컨대 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화 테트라에틸암모늄(TEAH), 수산화 테트라프로필암모늄(TPAH), 수산화 테트라부틸암모늄(TBAH), 수산화 벤질트리메틸암모늄(BTMAH), 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 수산화 벤질트리에틸암모늄(BTEAH), 수산화 테트라부틸포스포늄(TBPH), 수산화 (2-히드록시에틸) 트리메틸암모늄(수산화 콜린), 수산화 (2-히드록시에틸) 트리에틸암모늄, 수산화 (2-히드록시에틸) 트리프로필암모늄, 수산화 (1-히드록시) 트리메틸암모늄, 수산화 에틸트리메틸암모늄, 수산화 디에틸디메틸암모늄(DEDMAH), 수산화 트리스(2-히드록시에틸) 메틸 암모늄(THEMAH), 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(TMG), 수산화 칼륨, 구아니딘 카본에이트, 아르기닌, 및 그 조합을 포함할 수 있다. 수산화 콜린이 사용되는 경우, 상업적인 제품은 수산화 콜린이 불필요한 부산물로 분해되는 것을 최소화하기 위해 소량의 안정제를 종종 포함한다고 당업자에게 알려져있다. 수산화 콜린 안정제는 당분야에 알려져있으며, 포름알데히드, 히드록실아민, 아황산염, 및 수소화물을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 고려되는 약염기는 수산화 암모늄, 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 에틸렌디아민, 시스테인 및 그 조합을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 더 바람직하게는, 상기 에천트는 수산화 테트라알킬암모늄, 수산화 콜린, 수산화 칼륨, 및/또는 THEMAH, 더 바람직하게는 TMAH, 수산화 콜린, 수산화 칼륨, THEMAH, 및 그 조합을 포함한다.
산화제는 TiNx 중 Ti3 +를 산화시키기 위해 포함된다. 여기에서 고려되는 산화제는 과산화수소(H2O2), FeCl3, FeF3, Fe(NO3)3, Sr(NO3)2, CoF3, MnF3, 옥손(2KHSO5*KHSO4*K2SO4), 과요오드산, 요오드산, 산화 바나듐(V), 산화 바나듐(IV,V), 바나듐산 암모늄, 다원자성 암모늄염(예컨대 과산화일황산 암모늄, 아염소산 암모늄(NH4ClO2), 염소산 암모늄(NH4ClO3), 요오드산 암모늄(NH4IO3), 질산 암모늄(NH4NO3), 과붕산 암모늄(NH4BO3), 과염소산 암모늄(NH4ClO4), 과요오드산 암모늄(NH4IO3), 과황산 암모늄((NH4)2S2O8), 차아염소산 암모늄(NH4ClO)), 차아브롬산 암모늄, 텅스텐산 암모늄((NH4)10H2(W2O7)), 다원자성 나트륨염(예컨대 과황산 나트륨(Na2S2O8), 차아염소산 나트륨(NaClO), 과붕산 나트륨, 차아브롬산 나트늄(NaBrO)), 다원자성 칼륨염(예컨대 요오드산 칼륨(KIO3), 과망간산 칼륨(KMnO4), 과황산 칼륨, 질산(HNO3), 과황산 칼륨(K2S2O8), 차아염소산 칼륨(KClO)), 다원자성 테트라메틸암모늄 염(예컨대 아염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO2), 염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO3), 요오드산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)IO3), 과붕산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)BO3), 과염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO4), 과요오드산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)IO4), 과황산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)S2O8)), 다원자성 테트라부틸암모늄 염(예컨대 과산화일황산 테트라부틸암모늄), 과산화일황산, 질산 제2철(Fe(NO3)3), 과산화수소 요소((CO(NH2)2)H2O2), 과아세트산(CH3(CO)OOH), 1,4-벤조퀴논, 톨루퀴논, 디메틸-1,4-벤조퀴논, 클로르아닐, 알록산, N-메틸모르폴린 N-옥사이드, 트리메틸아민 N-옥사이드, 및 그 조합을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 산화제가 염일 때 수화되거나 무수일 수 있다. 산화제는 조성물에, 조성물이 소자 웨이퍼에 도입되기 전에 제조시 도입되거나 또는 대안으로서 소자 웨이퍼에서, 즉 동일 반응계에서 도입될 수 있다. 바람직하게는, 두 번째 태양의 조성물을 위한 산화제는 과산화수소를 포함한다. 바람직하게는, 첫 번째 태양의 조성물을 위한 산화제는 과산화수소, 차아염소산 암모늄, 차아염소산 나트륨, 및 그 조합을 포함한다.
산화제가 요오드산염 또는 과요오드산염을 포함할 때, 바람직하게는 요오드 스캐빈저가 제거 조성물에 첨가된다. 이론에 얽매이지 않으려고 함에도, 요오드산염 또는 과요오드산염이 감소됨에 따라, 요오드는 축적되어 구리 에칭 속도를 증가시킨다고 생각된다. 요오드 스캐빈저는 케톤, 더 바람직하게는 카보닐 알파 수소를 갖는 케톤, 예컨대 4-메틸-2-펜탄온, 2,4-디메틸-3-펜탄온, 사이클로헥산온, 5-메틸-3-헵탄온, 3-펜탄온, 5-히드록시-2-펜탄온, 2,5-헥산디온, 4-히드록시-4-메틸-2-펜탄온, 아세톤, 부탄온, 2-메틸-2-부탄온, 3,3-디메틸-2-부탄온, 4-히드록시-2-부탄온, 사이클로펜탄온, 2-펜탄온, 2-펜탄온, 1-페닐에탄온, 아세토페논, 벤조페논, 2-헥산온, 3-헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 2,6-디메틸-4-헵탄온, 2-옥탄온, 3-옥탄온, 4-옥탄온, 디사이클로헥실 케톤, 2,6-디메틸사이클로헥산온, 2-아세틸사이클로헥산온, 2,4-펜탄디온, 멘톤 및 그 조합을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다.
킬레이트제는 TiNx 의 에칭 속도와 포토레지스트 에칭 잔여물 세척 성능을 증가시키기 위해 첨가되며, 큰 내산화성을 갖는다. 고려되는 킬레이트제는 β-디케토네이트 화합물, 예컨대 아세틸아세토네이트, 1,1,1-트리플루오로-2,4-펜탄디온, 및 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디온; 아민 및 아미노산, 예컨대 글리신, 세린, 프롤린, 류신, 알라닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 글루타민, 발린, 및 리신; 이미노디아세트산(IDA), 말론산, 옥살산, 석신산, 붕산, 니트릴로아세트산, 말산, 시트르산, 아세트산, 말레산, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), EDTA-2NH3(에틸렌디아민테트라아세트산 디암모늄염), (1,2-사이클로헥실렌디니트릴로)테트라아세트산(CDTA), 디에틸렌트리아민 펜타아세트산(DTPA), 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카복시산(PBTCA), 에틸렌디아민 디석신산, 및 프로필렌디아민 테트라아세트산으로 구성된 군에서 선택된 다양성자산; 포스폰산; 포스폰산 유도체, 예컨대 히드록시에틸리덴 디포스폰산(HEDP)(디퀘스트(Dequest) 2010), 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산, 니트릴로-트리스(메틸렌 포스폰산)(NTMP), 아미노 트리(메틸렌 포스폰산)(디퀘스트 2000), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산)(디퀘스트 2060S), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산)(EDTMPA); 에틸렌디아민; 2,4-펜탄디온; 염화 벤잘코늄; 1-이미다졸; 테트라글라임; 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDETA); 1,3,5-트리아진-2,4,6-티티올 트리소듐염 용액; 1,3,5-트리아진-2,4,6-티티올 트리암모늄염 용액; 디에틸디티오카밤산 나트륨; 하나의 알킬기(R2 = 헥실, 옥틸, 데실 또는 도데실) 및 하나의 올리고에터(R1(CH2CH2O)2, 여기서 R1 = 에틸 또는 부틸)를 갖는 이치환된 디티오카바메이트(R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na); 설파닐아미드; 모노에탄올아민(MEA); 2-히드록시피리딘 1-옥사이드; 트리인산 나트륨 5염기; 및 그 조합을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 대안으로서, 또는 추가적으로, 상기 킬레이트제는 암모늄 양이온 또는 테트라알킬암모늄 양이온([NR1R2R3R4]+, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 수소 및 C1-C6 알킬기(예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실)로 구성된 군에서 선택된다), 및 아세트산염, 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 황산염, 벤조산염, 프로피온산염, 시트르산염, 포름산염, 옥살산염, 타르타르산염, 석신산염, 젖산염, 말레산염, 말론산염, 퓨마르산염, 말산염, 아스코르브산염, 만델산염, 및 프탈산염으로 구성된 군으로부터 선택된 음이온을 포함하는 염을 포함한다. 예를 들어, 상기 염은 브롬화 암모늄 및/또는 염화 암모늄을 포함할 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 킬레이트제는 하나 이상의 브롬화 암모늄, 염화 암모늄, 포스폰산, CDTA, 포스폰산 유도체(예컨대 HEDP, DTPA, NTMP, EDTMPA), 및 그 임의의 조합을 포함한다.
금속 부식 방지제는 산화제 및 카복실산염(존재하는 경우)의 산화 작용을 막기 위해 첨가된다. 본원에서 고려되는 금속 부식 방지제는, 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(ATDT), 2-아미노-5-에틸-1,3,4-티아디아졸, 벤조트리아졸(BTA), 1,2,4-트리아졸(TAZ), 톨릴트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸(mBTA), 5-페닐-벤조트리아졸, 5-니트로-벤조트리아졸, 벤조트리아졸 카복실산, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 1-아미노-1,2,4-트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸, 1-아미노-1,2,3-트리아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-ATA), 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸, 5-페닐티올-벤조트리아졸, 할로-벤조트리아졸(할로 = F, Cl, Br 또는 I), 나프토트리아졸, 2-메르캅토벤조이미다졸(MBI), 2-메르캅토벤조티아졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-메르캅토티아졸린, 5-아미노-1,2,4-트리아졸(5-ATA), 도데실 황산나트륨(SDS), ATA-SDS, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 펜틸렌테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-벤질-1H-테트라졸, 5-메틸테트라졸, 5-메르캅토-1-메틸-테트라졸, 1-페닐-1H-테트라졸-5-티올, 알부민 O(대만 계면활성제), 2-벤질피리딘, 석신이미드, 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진, 티아졸, 트리아진, 메틸테트라졸, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-메르캅토테트라졸, 디아미노메틸트리아진, 이미다졸린티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메틸티오-1H-1,2,4-트리아졸, 벤조티아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸, 2-아미노벤조이미다졸, 1-메틸이미다졸, 인디아졸, 아데닌, 석신이미드, 아데노신, 카바졸, 사카린, 요산, 및 벤조인 옥심을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 추가적인 부식 방지제는 4가 양이온 염, 예컨대 염화 벤잘코늄, 염화 벤질디메틸도데실암모늄, 브롬화 미리스틸트리메틸암모늄, 브롬화 도데실트리메틸암모늄, 염화 헥사데실피리디늄, 알리콰트(Aliquat) 336(코그니스(Cognis)), 염화 벤질디메틸페닐암모늄, 크로다콰트(Crodaquat) TES(크로다 인코포레이티드(Croda Inc.)), 리워콰트(Rewoquat) CPEM(위트코(Witco)), p-톨루엔설폰산 헥사데실트리메틸암모늄, 수산화 헥사데실트리메틸암모늄, 이염화 1-메틸-1'-테트라데실-4,4'-비피리듐, 브롬화 알킬트리메틸암모늄, 염산 암프로륨, 수산화 벤제토늄, 염화 벤제토늄, 염화 벤질디메틸헥사데실암모늄, 염화 벤질디메틸테트라데실암모늄, 브롬화 벤질도데실디메틸암모늄, 염화 벤질도데실디메틸암모늄, 염화 세틸피리디늄, p-톨루엔황산 콜린 염, 브롬화 디메틸디옥타데실암모늄, 브롬화 도데실에틸디메틸암모늄, 염화 도데실트리메틸암모늄, 염화 데실트리메틸암모늄(DTAC), 브롬화 에틸헥사데실디메틸암모늄, 기라드(Girard) 시약, 인산이수소 헥사데실(2-히드록시에틸)디메틸암모늄, 브롬화 덱사데실피리디늄, 브롬화 헥사데실트리메틸암모늄, 염화 헥사데실트리메틸암모늄, 염화 메틸벤제토늄, 하이아민®(Hyamin®)1622, 루비콰트™(Luviquat™), 액체 N,N',N'-폴리옥시에틸렌(10)-N-탈로우-1,3-디아미노프로판, 브롬화 옥시페노늄, 브롬화 테트라헵틸암모늄, 브롬화 테트라키스(데실)암모늄, 브롬화 톤조늄, 염화 트리도데실암모늄, 브롬화 트리메틸옥타데실암모늄, 테트라플루오로붕산 1-메틸-3-n-옥틸이마다졸륨, 테트라플루오로붕산 1-데실-3-메틸이미다졸륨, 염화 1-데실-3-메틸이미다졸륨, 브롬화 트리도데실메틸암모늄, 염화 디메틸디스테아릴암모늄, 브롬화 세틸트리메틸암모늄, 브롬화 미스틸트리메틸암모늄, 및 염화 헥사메토늄을 포함한다. 다른 부식 방지제는 비이온성 계면활성제(예컨대 폴리폭스(PolyFox) PF-159(옴노바(OMNOVA) 용액)), 폴리(에틸렌 글리콜)(“PEG”), 폴리(프로필렌 글리콜)(“PPG”)), 에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드 블록 공중합체(예컨대 플루로닉(Pluronic) F-127(BASF), 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노올레이트(트윈(Tween) 80), 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노팔미테이트(트윈 40), 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노라우레이트(트윈 20)), 폴리옥시프로필렌/폴리옥시에틸렌 블록 공중합체(예컨대 플루로닉 L31, 플루로닉 31R1, 플루로닉 25R2 및 플루로닉 25R4), 음이온 계면활성제(예컨대 도데실벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산 나트륨, 도데실포스폰산(DDPA), 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 벤질포스폰산, 디페닐포스핀산, 1,2-에틸렌디포스폰산, 페닐포스폰산), 신남산 및 그 조합을 포함한다. 상기 4가 양이온 염은 부식 방지제(특히 구리, 코발트, 및 루테륨 용)와 습윤제 두 가지 모두로서 작용할 수 있다. 당업자에게는 4가 염이 염화물 또는 브롬화물로서 가장 상업적으로 자주 이용 가능한 반면, 할로젠 음이온과 비할로젠 음이온(예컨대 황산염, 메탄설폰산염, 질산염, 수산화물, 등)의 이온교환은 용이하다는 것이 명백할 수 있다. 이러한 전환된 4가 염 또한 본원에서 고려된다. 특히 바람직한 실시양태에서, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, TAZ, DTAC, 및 트윈 80은 산화제가 구리에 산화 작용하는 것을 막는 것으로 알려져있다. 다른 바람직한 부식 방지제는 4가 양이온 염, 더 바람직하게는 MBI, 아데노신, 벤조티아졸, DDPA, 트윈 80, 및 그 임의의 조합을 포함한다.
상기 하나 이상의 용매는 물, 하나 이상 이상의 수-혼화성 유기 용매, 또는 그 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하나 이상의 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 2-에틸-1-헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 부틸렌 카본에이트, 에틸렌 카본에이트, 프로필렌 카본에이트, 콜린 바이카본에이트, 디프로필렌 글리콜, 디메틸설폭사이드, 설포란, 테트라히드로푸르푸릴 알코올(THFA), 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올, 테트라메틸 요소, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에터, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에터, 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에터, 에틸렌 글리콜 페닐 에터, 프로필렌 글리콜 메틸 에터, 디프로필렌 글리콜 메틸 에터(DPGME), 트리프로필렌 글리콜 메틸 에터(TPGME), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에터, 디프로필렌 글리콜 에틸 에터, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에터(DPGPE), 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 프로필렌 글리콜 페닐 에터, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 에틸 퍼플루오로부틸에터, 메틸 퍼플루오로부틸에터, 알킬 카본에이트, 4-메틸-2-펜탄올, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 종을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 하나 이상의 용매는 물, 가장 바람직하게는 탈이온수를 포함한다.
첫번째 태양의 조성물은 저유전체층의 화학적 공격을 감소시키고 추가적인 산화로부터 웨이퍼를 보호하기 위해, 하나 이상의 저부동태제를 더 포함할 수 있다. 바람직한 저부동태제는 붕산, 붕산염(예컨대 펜타붕산 암모늄, 테트라붕산 나트륨), 3-히드록시-2-나프토산, 말론산, 및 이미노디아세트산을 포함하지만, 이들로 한정되진 않는다. 저부동태제가 존재하는 경우, 조성물은 조성물의 총 중량에 기초하여 약 0.01 중량% 내지 약 2 중량%의 저부동태제를 포함한다. 바람직하게는, 본원에 기술된 조성물을 이용하여, 기저층 저유전체 물질의 총 중량에 기초하여 2 중량% 미만, 더 바람직하게는 1 중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.5 중량% 미만의 기저층 저유천체 물질이 에칭/제거된다.
첫번째 태양의 조성물은 에천트 공급원의 활성을 감소시키기 위해, 하나 이상의 규소 포함 화합물을 더 포함할 수 있다. 한 실시양태에서, 상기 하나 이상의 규소 포함 화합물은 알콕시실란을 포함한다. 고려되는 알콕시실란은 일반식 SiR1R2R3R4를 갖는데, 여기서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 직쇄형 C1-C6 알킬기(예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실), 분지형 C1-C6 알킬기, C1-C6 알콕시기(예를 들어, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜톡시, 헥속시), 페닐기, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된다. 당업자는, 알콕시실란의 하나 이상의 R1, R2, R3 또는 R4는 반드시 C1-C6 알콕시기여야 함을 특징으로 한다고 이해해야 한다. 고려되는 알콕시실란은 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 테트라에톡시실란(TEOS), N-프로필트리메톡시실란, N-프로필트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 및 그 조합을 포함한다. 알콕시실란에 대신 사용되거나 추가로 사용될 수 있는 다른 규소 포함 화합물은 헥사플루오로규산 암모늄, 규산 나트륨, 규산 칼륨, 규산 테트라메틸암모늄(TMAS), 및 그 조합을 포함한다. 바람직하게는, 상기 규소 포함 화합물은 TEOS, TMAS, 및 규산 나트륨, 규산 칼륨을 포함한다. 규소 포함 화합물이 존재하는 경우, 그 양은 조성물의 총 중량에 기초하여 약 0.001 중량% 내지 약 2 중량% 범위 내이다.
습윤을 보장하기 위해, 특히 pH가 낮을 때, 계면활성제, 바람직하게는 내산화성인 불소계 음이온 계면활성제가 수성 조성물에 첨가될 수 있다. 본 발명의 조성물에서 고려되는 음이온 계면활성제는 플루오로계면활성제, 예컨대 조닐(ZONYL®) UR 및 조닐® FS-62(캐나다 온타리오주 미시소가 소재의 듀폰 캐나다 인코포레이티드(DuPont Canada Inc.)), 및 플루오로알킬설폰산 암모늄, 예컨대 노벡(Novec™) 4300(3M)을 포함하나, 이들로 한정되진 않는다. 사용된 에천트가 불화물을 포함할 때, 계면활성제 및 에천트로 사용될 수 있는 긴 사슬 불화 테트라알킬암모늄을 사용하는 것이 고려된다.
다른 한 실시양태로, 본 발명의 임의의 조성물은 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 물질 잔여물을 더 포함할 수 있고, 이때 상기 잔여물은 수성 조성물에 현탁되고/되거나 용해된다.
첫번째 태양의 조성물의 한 실시양태에서, 조성물은 조성물의 총 중량에 기초하여 다음의 범위로 존재하는 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다.
Figure 112015128875034-pct00001
바람직하게는, 상기 산화제는 과산화수소를 포함하고 상기 에천트는 TMAH, KOH, 수산화 콜린, THEMAH, 또는 KOH/수산화 콜린의 조합을 포함한다.
첫번째 태양의 조성물의 다른 한 실시양태에서, 조성물은 조성물의 총 중량에 기초하여 다음의 범위로 존재하는 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다.
Figure 112015128875034-pct00002
바람직하게는, 상기 산화제는 과산화수소를 포함하고 상기 에천트는 TMAH, KOH, 수산화 콜린, THEMAH, 또는 KOH/수산화 콜린의 조합을 포함한다.
첫번째 태양의 조성물의 또 다른 한 실시양태에서, 조성물은 조성물의 총 중량에 기초하여 다음의 범위로 존재하는 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다.
Figure 112015128875034-pct00003
바람직하게는, 상기 산화제는 과산화수소를 포함하고 상기 에천트는 TMAH, KOH, 수산화 콜린, THEMAH, 또는 KOH/수산화 콜린의 조합을 포함한다.
바람직하게는 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 및 하나 이상의 부식 방지제를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 하나 이상의 부식 방지제, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 및 DDAP를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, DDAP, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸을 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 및 1,2,4-트리아졸을 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, 1,2,4-트리아졸, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, DDAP, 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸을 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, CDTA, DDAP, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, 및 HEDP를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, TMAH, HEDP, 및 과산화수소를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 바람직한 실시양태에서, 첫번째 태양의 조성물은 물, CDTA, 과산화수소, 하나 이상의 에천트, 및 하나 이상의 부식 방지제를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성되며, 상기 하나 이상의 에천트는 KOH, THEMAH, 수산화 콜린, 및 KOH와 수산화 콜린의 혼합물로 구성되는 군에서 선택된 종을 포함하고, 상기 하나 이상의 부식 방지제는 mBTA, 3-ATA, 및 TAZ로 구성된 군에서 선택된 종을 포함한다.
조성물의 농축된 형태를 사용 전 희석시키는 것이 일반적인 통례라고 이해될 것이다. 예를 들어, 조성물은 사용하기 전 및/또는 공장에서 사용되는 동안, 더 농축된 형태로 제조된 후 제조사에서 하나 이상의 용매에 희석될 수 있다. 희석 비율은 약 0.1부의 희석제 : 1부의 조성물 농축물 내지 약 100부의 희석제 : 1부의 조성물 농축물의 범위일 수 있다. 본원에 기재된 조성물은 시간이 지남에 따라 불안정해질 수 있는 산화제를 포함한다고 더 이해되어야 한다. 따라서, 상기 농축된 형태는 실질적으로 산화제가 없을 수 있고, 상기 산화제는 사용하기 전 및/또는 공장에서 사용되는 동안, 제조자에 의해 농축물이나 희석된 조성물에 도입될 수 있다.
본원에 기재된 조성물은 각각의 성분의 단순한 첨가 및 균질 상태까지 혼합하는 것에 의해 용이하게 제형화된다. 게다가, 조성물은 단일 포장 제형, 또는 사용할 때나 사용하기 전에 혼합되는 복합 제형, 바람직하게는 복합 제형으로 쉽게 제형화될 수 있다. 상기 복합 제형의 개별적인 부분은 도구에서, 또는 혼합 영역/구역 안, 예컨대 인라인 믹서 또는 상기 도구의 저장 탱크 상류부 안에서 혼합될 수 있다. 복합 제형의 다양한 부분은, 함께 혼합시 원하는 조성물을 형성하는 성분/구성의 임의의 조합을 포함할 수 있다고 고려된다. 각각의 성분의 농도는 조성물의 특정한 배수로 폭넓게 달라질 수 있고(예컨대 더 희석되거나 더 농축될 수 있다), 상기 조성물은 본원에 개시된 성분의 임의의 조합을 다양하고 대안적으로 포함하거나, 이러한 조합으로 구성되거나 본질적으로 구성될 수 있다고 이해할 것이다.
따라서, 두번째 태양은 본원에 기재된 조성물을 형성하도록 구성된 하나 이상의 성분을 하나 이상의 용기 내에 포함하는 키트에 관한 것이다. 예를 들어, 사용 전 또는 사용 동안, 상기 조성물은 상기 하나 이상의 산화제, 상기 산화제의 조합 및/또는 추가적인 용매를 제외한 모든 성분이 한 용기에 포함되도록 분리될 수 있다. 키트의 용기, 예를 들어 나우팩(NOWPak®) 용기(미국 코네티컷주 댄버리 소재의 어드밴스드 테크놀러지 머터리얼즈, 인코포레이티드(Advanced Technology Materials, Inc.))는 상기 제거 조성물 성분의 저장과 수송에 적합해야 한다. 바람직하게는, 조성물의 성분을 함유하는 상기 하나 이상의 용기는, 상기 하나 이상의 용기 중의 성분들이 배합과 분배를 위해 유체 연통되도록 하기 위한 수단을 포함한다. 예를 들어, 상기 나우팩(NOWPak®) 용기에 의하면, 가스 압력이 상기 하나 이상의 용기의 라이너 바깥에 적용되어, 라이너 내용물의 적어도 일부를 배출시키고, 그에 따라 배합과 분배를 위해 유체 연통 가능하도록 할 수 있다. 대안으로서, 가스 압력이 종래 가압성 용기의 상부 공간에 적용되거나 펌프가 유체 연통 가능하도록 사용될 수 있다. 게다가, 바람직하게는 이 시스템은 배합된 조성물의 공정 도구로의 분배를 위한 분배 포트를 포함한다.
바람직하게는, 실질적으로 화학적 불활성이고 불순물이 없고 가요성이고 회복성인 중합체 필름 물질(예컨대 고밀도 폴리에틸렌)이 상기 하나 이상의 용기를 위한 라이너의 제조에 사용된다. 바람직한 라이너 물질은 공압출 또는 장벽층 필요없이, 그리고 라이너 안에 배치될 성분의 순도 요건에 악영향을 줄 수 있는 임의의 색소, 자외선 차단제 또는 가공제 없이 가공된다. 바람직한 라이너 물질의 목록은 버진(첨가제 없는) 폴리에틸렌, 버진 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리프로필렌, 폴리우레탄, 염화 폴리비닐리덴, 폴리염화비닐, 폴리아세탈, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리부틸렌 등을 포함하는 필름을 포함한다. 이러한 라이너 물질의 바람직한 두께는 약 5 밀(0.005 인치) 내지 약 30 밀(0.030 인치), 예를 들어 20 밀(0.020 인치)이다.
키트의 용기에 관해서는, 다음의 특허 및 특허 출원의 개시자료를 각각 전체로서 본원에 참고한다. 미국 특허 제 7,188,644 호 (제목 "초고순도 액체에서 입자의 형성을 최소화하는 기구 및 방법"), 미국 특허 제 6,698,619 호 (제목 "반환가능하고 재사용 가능한, 백인드럼 유체 저장 및 분배 용기 시스템") 및 2008년 5월 8일 출원된 제 PCT/US08/63276 호 (제목 "재료의 배합 및 배분을 위한 시스템 및 방법").
세번째 태양으로, 본 발명은 본원에 기재된 첫번째 태양의 조성물을 이용하여 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 물질을 에칭하는 방법에 관한 것이다. 예를 들어, 질화 티타늄 물질은 미세전자 소자에 존재하는 금속 전도체와 절연 물질의 실질적인 손상/제거 없이 제거될 수 있다. 따라서, 바람직한 실시양태에서, 본원에 기재된 첫번째 태양의 조성물을 이용하여 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 금속 전도체와 절연 물질에 비해 선택적으로 및 실질적으로 제거하는 방법이 기술된다. 다른 바람직한 실시양태에서, 본원에 기재된 첫번째 태양의 조성물을 이용하여 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 금속 전도체(예컨대 구리), 코발트, 루테늄, 및 절연 물질에 비해 선택적으로 및 실질적으로 제거하는 방법이 기술된다.
에칭 적용에서, 조성물은 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 갖는 미세전자 소자의 표면에 임의의 적합한 방식으로 적용된다. 예를 들어 소자의 표면에 조성물을 분사하거나, 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 포함하는 소자를 담그거나(조성물의 정적인 또는 동적인 용량 안에), 다른 물질(예컨대 조성물이 그 위에 흡수되는 패드 또는 섬유질 흡착제 기구 요소)과 소자를 접촉시키거나, 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 포함하는 소자에 순환하는 조성물을 접촉시키거나, 또는 조성물을 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질과 제거 접촉하게 하는 임의의 다른 수단, 방식 및/또는 기술이 적용된다. 상기 적용은 동적인 또는 정적인 세척을 위해 배취 또는 단일 웨이퍼 장치에서 수행될 수 있다. 유리하게는, 본원에 기재된 조성물은, 미세전자 소자 구조 위에 존재하고 조성물에 노출된 다른 물질, 예컨대 금속 및 절연 물질(예를 들어, 저유전체)에 비하여 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질에 대한 선택성을 가지므로, 고도로 효율적이고 고도로 선택적인 방식으로 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질의 적어도 부분적인 제거를 달성한다.
미세전자 소자 구조로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질의 제거를 위해 첫번째 태양의 조성물을 사용할 때, 조성물은 전형적으로 약 0.3 분 내지 약 60 분, 바람직하게는 약 0.5 분 내지 약 30 분의 충분한 시간 동안, 약 20 ℃ 내지 약 100 ℃, 바람직하게는 약 30 ℃ 내지 약 70 ℃의 온도에서 단일 웨이퍼 도구에서 소자 구조와 접촉된다. 이러한 접촉 시간 및 온도는 예시이며, 소자 구조로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질의 적어도 부분적인 제거에 효과적인 임의의 다른 적합한 시간 및 온도 조건이 적용될 수 있다. 예를 들어, 바람직하게는 질화 티타늄 에칭을 위해 약 40 ℃ 내지 약 60 ℃의 온도에서, 접촉 시간은 약 0.5 분 내지 3 분이다.
한 실시양태에서, 조성물은 소자 구조에 전달되는 동안 인라인 가열된다. 인라인 가열에 의해, 배스 그 자체 안에서 보다, 조성물의 수명은 증가한다.
원하는 에칭 작용의 달성 후 조성물은, 본원에 기재된 조성물의 주어진 최종 사용 적용에서 바람직하고 효과적일 수 있는 바와 같이, 이전에 적용된 미세전자 소자로부터 예컨대 헹구거나, 세척하거나 또는 다른 제거 단계에 의해 용이하게 제거될 수 있다. 예를 들어, 소자는 탈이온수를 포함한 헹굼 용액으로 헹궈지고/헹궈지거나 건조( 예컨대 원심 탈수, 질소, 증기 건조 등)될 수 있다.
바람직하게는, 첫번째 태양의 조성물은 금속 전도체 및 절연 물질(예컨대 저유전체)에 비해 질화 티타늄 물질을 선택적으로 에칭한다. 한 실시양태에서, 질화 티타늄의 에칭 속도는 높은(500 Åmin-1 이상, 바람직하게는 50 ℃에서 약 350 Åmin-1이상, 60 ℃에서 약 500 Åmin-1 이상) 반면, 금속의 에칭 속도는 낮고(약 0.01 Åmin-1 내지 약 10 Åmin-1, 바람직하게는 약 0.1 Åmin-1 내지 약 5 Åmin-1), 저유전체의 에칭 속도는 낮다(약 0.01 Åmin-1 내지 약 10 Åmin-1, 바람직하게는 약 0.01 Åmin-1 내지 약 5 Åmin-1).
본 발명의 네번째 태양은 본원에 기재된 방법에 따라 제조된 개선된 미세전자 소자 및 이러한 미세전자 소자를 포함하는 제품에 관한 것이다.
다섯번째 태양은 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 에칭으로 제거하기에 충분한 시간 동안 미세전자 소자를 조성물과 접촉시키는 단계 및 상기 미세전자 소자를 상기 물품에 결합시키는 단계를 포함하는, 미세전자 소자를 포함하는 물품을 제조하는 방법에 관한 것으로, 상기 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 금속 부식 방지제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 또 다른 대안으로는, 조성물은 하나 이상의 산화제, 하나 이상의 에천트, 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된다. 조성물은 질화 티타늄 물질을 더 포함하거나, 이물질로 더 구성되거나, 이 물질로 필수적으로 더 구성될 수 있다.
본 발명의 여섯번째 태양은 미세전자 소자 기판, 상기 기판 상의 질화 티타늄층, 및 본원에 기재된 조성물을 포함하거나, 이들로 구성되거나, 이들로 필수적으로 구성된 제조 물품에 관한 것이다.
본 발명의 특징 및 장점은 하기에 논의된 예시적인 실시예에 의해 더 완전히 보여진다.
실시예 1
약 1 내지 약 10 중량%의 TMAH 및 약 0.01 내지 약 1 중량%의 킬레이트제를 포함하는 농축물을 약 50 내지 약 95 중량%의 과산화수소(H2O2)(30%)로 희석하였으며, 상기 킬레이트제는 CDTA, EDTA-2NH3(에틸렌디아민테트라아세트산 디암모늄염), EDTMPA, DTPA, HEDP 및 NTMP(50%)를 포함하였다. 전체 Co 손실뿐만 아니라 PETEOS와 TiN의 에칭 속도는 50 ℃에서 결정되었다. 킬레이트제와 그 양에 의존하여, 상기 PETEOS의 에칭 속도는 30 분에 걸쳐 약 0.3 Å 미만이었고, TiN 에칭 속도는 500 Å/분 초과였고, 5 분에서 Co 손실은 약 1 Å 내지 약 45 Å 범위였다. 킬레이트제가 HEDP 또는 DTPA일 때, 5 분에서 Co 손실은 약 10 Å 미만이었다.
약 1 내지 약 10 중량%의 TMAH 및 HEDP나 DTPA 어느 것이든 포함하는 농축물을 약 50 내지 약 95 중량%의 과산화수소(H2O2)(30%)로 희석하였으며, 상기 HEDP나 DTPA의 양은 농축물 중 0.05 중량%, 0.1 중량%, 0.15 중량%, 0.2 중량%, 및 0.25 중량%였다. 각각의 경우에, 상기 TiN의 에칭 속도는 대략 같았고(800-860 Å/분), 5 분에서 Co 손실은 약 10 Å 미만이었다.
실시예 2
약 1 내지 약 10 중량%의 TMAH, 약 0.01 내지 약 0.05 중량%의 CDTA, 및 약 0.1 내지 약 2.5 중량%의 부식 방지제를 포함하는 농축물을 약 50 내지 약 95 중량%의 H2O2(30%)로 희석하였으며, 상기 부식 방지제는 5-mBTA, 3-ATA/SDS, 3-ATA, 석신이미드, 요산, MBI, 아데노신, 벤조티아졸, 5-ATA, 트윈 80, 트윈 40, 트윈 20 및 DDPA/트윈 80을 포함하였다. 전체 Co 손실뿐만 아니라 PETEOS 와 TiN의 에칭 속도는 50 ℃에서 결정되었다. 부식 방지제와 그 양에 의존하여, 상기 PETEOS의 에칭 속도는 30 분에 걸쳐 약 0.3 Å 미만이었고, TiN의 에칭 속도는 500 Å/분 초과였고, 5 분에서 Co 손실은 약 2 Å 내지 약 32 Å의 범위였고, 20 분에서 Cu 손실은 20 Å 미만이었다.
약 1 내지 약 10 중량%의 TMAH, 약 0.01 내지 약 0.05 중량%의 DDPA, 및 약 0.1 내지 약 5 중량%의 제 2 부식 방지제를 포함하는 농축물을 약 50 내지 약 95 중량%의 H2O2(30%)로 희석하였으며, 상기 제 2 부식 방지제는 트윈 80, 트윈 40, 트윈 20, 플루로닉 L31, 플루로닉 31R1, 플루로닉 25R2 및 플루로닉 25R4를 포함하였다. 각각의 경우에, TiN의 에칭 속도는 대략 같았고(800-860 Å/분), 5 분에서 Co 손실은 약 12 Å 미만이었으며, 20 분에서 Cu 손실은 12 Å 미만이었다.
실시예 3
약 5 내지 약 10 중량%의 TMAH, 약 0.001 내지 약 0.2 중량%의 CDTA, 0.01 내지 1 중량%의 mBTA, 및 나머지 물을 포함하는 농축물을 제조하였다. 농축물 10 중량%와 유기 용매 10 중량% 및 과산화수소(30%) 80 중량%를 조합하여 반-수성 제형을 제조하였으며, 상기 유기 용매는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 디메틸 설폭사이드, 설포란, 트레에틸렌 글리콜 디메틸 에터, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, DPGME, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올, 헥실렌 글리콜, 테트라메틸 요소, 콜린 바이카본에이트, 및 프로필렌 카본에이트를 포함하였다. PETEOS, TiN, Cu, 및 SiON의 에칭 속도는 50 ℃에서 결정되었으며, 상기 TiN의 공정 시간은 30 초였고, PETEOS, Cu, 및 SiON의 공정 시간은 30 분이었다. 모든 제형에 있어서, 콜린 바이카본에이트 또는 프로필렌 카본에이트를 사용할 때는 제외하고, PETEOS와 SiON의 에칭 속도는 0.5 Å 미만이었고, Cu의 에칭 속도는 0.5 Å 미만이었다. 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에터를 사용할 때는 제외하고, 모든 제형에서 TiN의 에칭 속도는 210 Å/분 초과였다.
농축물 10 중량%, 유기 용매 40 중량%, 및 과산화수소(30%) 50 중량%를 조합하여 반-수성 제형을 제조하였으며, 상기 유기 용매는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 디메틸 설폭사이드, 설포란, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에터, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, DPGME, 프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올, 헥실렌 글리콜, 테트라메틸 요소, 콜린 바이카본에이트 및 프로필렌 카본에이트를 포함하였다. PETEOS, TiN, Cu, 및 SiON의 에칭 속도는 50 ℃에서 결정되었으며, 상기 TiN의 공정 시간은 30 초였고, PETEOS, Cu, 및 SiON의 공정 시간은 30 분이었다. 모든 제형에 있어서, 콜린 바이카본에이트 또는 프로필렌 카본에이트를 사용할 때는 제외하고, PETEOS와 SiON의 에칭 속도는 0.5 Å 미만이었고, Cu의 에칭 속도는 0.5 Å 미만이었다. 일반적으로, 1,2-부탄디올과 헥실렌 글리콜을 제외하고, TiN의 에칭 속도는 유기 용매가 더 많은 양으로 사용되었을 때만큼 높지 않았다.
실시예 4
약 1 내지 약 10 중량%의 KOH, 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 안정화된 수산화 콜린, 약 0.01 내지 약 1 중량%의 CDTA, 및 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%의 부식 방지제를 포함하는 농축물을 제조하였으며, 상기 부식 방지제는 mBTA, TAZ, 또는 3-ATA를 포함하였다. 농축물 1 부와 과산화수소(30%) 9 부를 조합하여 농축물을 희석하였다. 블랙 다이아몬드 저유전체, Cu, Co 및 SiN의 에칭 속도는 60 ℃에서 결정되었다. TiN의 에칭 속도는 50 ℃, 30 초에서 결정되었다. 각각의 경우에, 저유전체의 에칭 속도는 약 0.5 Å/분 미만이었고, SiN의 에칭 속도는 약 1 Å/분이었고, TiN의 에칭 속도는 250 Å/분 초과였다. 부식 방지제가 TAZ 또는 3-ATA일 때, Co의 에칭 속도는 약 0.5 Å/분 미만이었다. 부식 방지제가 3-ATA일 때, Cu의 에칭 속도는 0.5 Å/분 미만이었다.
실시예 5
약 1 내지 약 10 중량%의 하나 이상의 에천트, 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량%의 CDTA, 및 약 0.01 내지 약 1 중량%의 mBTA를 포함하는 농축물을 제조하였으며, 상기 하나 이상의 에천트는 TPAH, BTEAH, DEDMAH, 또는 THEMAH를 포함하였다. 농축물 1 부와 과산화수소(30%) 9 부를 조합하여 상기 농축물을 희석하였다. 블랙 다이아몬드 저유전체, Cu, Co 및 SiN의 에칭 속도는 60 ℃에서 결정되었다. TiN의 에칭 속도는 50 ℃, 30 초에서 결정되었다. 각각의 경우에, 저유전체의 에칭 속도는 약 1 Å/분 미만이었고(BTEAH, THEMAH, 및 DEDMAH를 포함한 용액에서는 0.5 Å/분 미만), SiN의 에칭 속도는 약 0.8 Å/분 미만이었고, TiN의 에칭 속도는 약 200 Å/분 초과였고, Cu의 에칭 속도는 약 1 Å/분 미만(THEMAH를 포함한 용액을 제외하고)이었고, Co의 에칭 속도는 약 0.5 Å/분 미만(THEMAH를 포함한 용액을 제외하고)이었다.
실시예 6
약 1 내지 약 10 중량%의 KOH, 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량%의 CDTA, 및 약 0.01 내지 약 1 중량%의 TAZ를 포함하는 농축물을 제조하였다. 농축물 1 부와 과산화수소(30%) 9 부를 조합하여 농축물을 희석하였다. 블랙 다이아몬드 저유전체, Cu, 및 Co의 에칭 속도는 60 ℃에서 결정되었다. TiN의 에칭 속도는 50 ℃, 30 초에서 결정되었다. 저유전체의 에칭 속도는 약 0.5 Å/분 미만이었고, TiN의 에칭 속도는 약 250 Å/분 초과였고, Cu의 에칭 속도는 약 1 Å/분 미만이었고, Co의 에칭 속도는 약 1 Å/분 미만이었다.
본 발명은 본원에 구체적인 태양, 특징 및 예시적 실시양태를 참고하여 개시되었지만, 본 발명의 유용성은 이로써 한정되는 것이 아니라 본원의 개시내용에 기초하여 당업자에게 제안되는 바와 같이, 수많은 다른 변형, 수정 및 대체 실시양태로 확장하거나 이를 포함하는 것으로 이해될 것이다. 대응하여, 이하 청구된 본 발명은 모든 이러한 변형, 수정 및 대체 실시양태를 포함하여, 본 발명의 취지와 범주 내에서 넓게 이해되고 해석될 것으로 의도된다.

Claims (19)

  1. 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 및/또는 포토레지스트 에칭 잔여 물질을 선택적으로 제거하기 위한 조성물로, 15 중량% 내지 30 중량%의 하나 이상의 산화제, 0.01 중량% 내지 15 중량%의 하나 이상의 에천트, 0.01 중량% 내지 2.0 중량%의 하나 이상의 금속 부식 방지제, 0.01 중량% 내지 1 중량%의 하나 이상의 킬레이트제, 및 하나 이상의 용매를 포함하고,
    상기 하나 이상의 산화제는 과산화수소, FeCl3, FeF3, Fe(NO3)3, Sr(NO3)2, CoF3, MnF3, 옥손(2KHSO5·HSO4·K2SO4), 과요오드산, 요오드산, 산화 바나듐(V), 산화 바나듐(IV,V), 바나듐산 암모늄, 과산화일황산 암모늄, 아염소산 암모늄(NH4ClO2), 염소산 암모늄(NH4ClO3), 요오드산 암모늄(NH4IO3), 질산 암모늄(NH4NO3), 과붕산 암모늄(NH4BO3), 과염소산 암모늄(NH4ClO4), 과요오드산 암모늄(NH4IO3), 과황산 암모늄((NH4)2S2O8), 차아염소산 암모늄(NH4ClO), 텅스텐산 암모늄((NH4)10H2(W2O7)), 과황산 나트륨(Na2S2O8), 차아염소산 나트륨(NaClO), 과붕산 나트륨, 요오드산 칼륨(KIO3), 과망간산 칼륨(KMnO4), 과황산 칼륨, 질산(HNO3), 과황산 칼륨(K2S2O8), 차아염소산 칼륨(KClO), 아염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO2), 염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO3), 요오드산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)IO3), 과붕산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)BO3), 과염소산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)ClO4), 과요오드산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)IO4), 과황산 테트라메틸암모늄((N(CH3)4)S2O8), 과산화일황산 테트라부틸암모늄, 과산화일황산, 질산 제2철(Fe(NO3)3), 과산화수소 요소((CO(NH2)2)H2O2), 과아세트산(CH3(CO)OOH), 1,4-벤조퀴논, 톨루퀴논, 디메틸-1,4-벤조퀴논, 클로르아닐, 알록산, N-메틸모르폴린 N-옥사이드, 트리메틸아민 N-옥사이드, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하고,
    상기 하나 이상의 에천트는 H2ZrF6, H2TiF6, HPF6, HF, 불화 암모늄, 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로규산, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBA-BF4), 헥사플루오로규산 암모늄, 헥사플루오로티탄산 암모늄, 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화 테트라에틸암모늄(TEAH), 수산화 테트라프로필암모늄(TPAH), 수산화 테트라부틸암모늄(TBAH), 수산화 벤질트리메틸암모늄(BTMAH), 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 수산화 벤질트리에틸암모늄(BTEAH), 수산화 테트라부틸포스포늄(TBPH), 수산화 (2-히드록실에틸)트리메틸암모늄, 수산화 (2-히드록실에틸)트리에틸암모늄, 수산화 (2-히드록실에틸)트리프로필암모늄, 수산화 (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄, 수산화 에틸트리메틸암모늄, 수산화 디에틸디메틸암모늄(DEDMAH), 수산화 트리스(2-히드록시에틸)메틸암모늄(THEMAH), 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(TMG), 구아니딘 카본에이트, 아르기닌, 수산화 암모늄, 모노에탄올아민(MEA), 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 에틸렌디아민, 시스테인, 불화 테트라알킬암모늄(NR1R2R3R4F), 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하되, R1, R2, R3, R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알킬기로 구성된 군에서 선택되고,
    상기 하나 이상의 금속 부식 방지제는 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(ATDT), 2-아미노-5-에틸-1,3,4-티아디아졸, 벤조트리아졸(BTA), 1,2,4-트리아졸(TAZ), 톨릴트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸(mBTA), 5-페닐-벤조트리아졸, 5-니트로-벤조트리아졸, 벤조트리아졸 카복실산, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 1-아미노-1,2,4-트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸, 1-아미노-1,2,3-트리아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-ATA), 5-아미노-1,2,4-트리아졸(5-ATA), 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메틸티오-1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메르캅토-1,2,4-트리아졸, ATA-SDS, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸, 3,5-디아미노-1,2,4-트리아졸, 5-페닐티오-벤조트리아졸, 할로-벤조트리아졸(할로 = F, Cl, Br 또는 I), 나프토트리아졸, 2-메르캅토벤조이미다졸(MBI), 2-메르캅토벤조티아졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-메르캅토티아졸린, 5-아미노테트라졸, 펜틸렌테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-벤질-1H-테트라졸, 5-메틸테트라졸, 5-메르캅토-1-메틸-테트라졸, 1-페닐-1H-테트라졸-5-티올, 알부민 O, 2-벤질피리딘, 석신이미드, 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진, 티아졸, 트리아진, 메틸테트라졸, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-메르캅토테트라졸, 디아미노메틸트리아진, 이미다졸린티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 벤조티아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸, 2-아미노벤조이미다졸, 1-메틸이미다졸, 인디아졸, 염화 데실트리메틸암모늄(DTAC), 아데노신, 아데닌, 석신이미드, 카바졸, 사카린, 요산, 벤조인 옥심, 4가 양이온 염 폴리(에틸렌 글리콜), 폴리(프로필렌 글리콜), 에틸렌 옥사이드/프로필렌 옥사이드 블록 공중합체, 예컨대 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노라우레이트, 폴리옥시프로필렌/폴리옥시에틸렌 블록 공중합체, 도데실벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산 나트륨(SDS), 도데실포스폰산(DDPA), 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 벤질포스폰산, 디페닐포스핀산, 1,2-에틸렌디포스폰산, 페닐포스폰산, 신남산, 브롬화 세틸트리메틸암모늄, 브롬화 미리스틸트리메틸암모늄, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택되고,
    상기 하나 이상의 킬레이트제는 아세틸아세토네이트, 1,1,1-트리플루오로-2,4-펜탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디온, 글리신, 세린, 프롤린, 류신, 알라닌, 아스파라진, 아스파르트산, 글루타민, 발린 및 리신, 이미노디아세트산(IDA), 말론산, 옥살산, 석신산, 붕산, 니트릴로트리아세트산, 말산, 시트르산, 아세트산, 말레산, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 에틸렌디아민테트라아세트산 디암모늄염, (1,2-사이클로헥실렌디니트릴로) 테트라아세트산(CDTA), 디에틸렌트리아민 펜타아세트산(DTPA), 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카복시산(PBTCA), 에틸렌디아민 디석신산, 프로필렌디아민 테트라아세트산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산(HEDP), 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산, 니트릴로-트리스(메틸렌포스폰산)(NTMP), 아미노 트리(메틸렌 포스폰산), 디에틸렌트리아민 펜타(메틸렌 포스폰산), 에틸렌디아민 테트라(메틸렌 포스폰산)(EDTMPA), 에틸렌디아민, 2,4-펜탄디온, 염화 벤잘코늄, 1-이미다졸, 테트라글라임, 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDETA), 1,3,5-트리아진-2,4,6-티티올 트리소듐염 용액, 1,3,5-트리아진-2,4,6-티티올 트리암모늄염 용액, 디에틸디티오카밤산 나트륨, 이치환된 디티오카바메이트, 설파닐아미드, 모노에탄올아민(MEA), 2-히드록시피리딘 1-옥사이드, 트리인산 나트륨 5염기, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하고,
    상기 조성물은 규산염, 연마재, 금속 할로겐화물 및 그 조합을 포함하지 않는, 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에천트는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화 테트라에틸암모늄(TEAH), 수산화 테트라프로필암모늄(TPAH), 수산화 테트라부틸암모늄(TBAH), 수산화 벤질트리메틸암모늄(BTMAH), 수산화 칼륨, 수산화 암모늄, 수산화 벤질트리에틸암모늄(BTEAH), 수산화 테트라부틸포스포늄(TBPH), 수산화 (2-히드록실에틸)트리메틸암모늄, 수산화 (2-히드록실에틸)트리에틸암모늄, 수산화 (2-히드록실에틸)트리프로필암모늄, 수산화 (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄, 수산화 에틸트리메틸암모늄, 수산화 디에틸디메틸암모늄(DEDMAH), 수산화 트리스(2-히드록시에틸)메틸암모늄(THEMAH), 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(TMG), 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하는, 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화수소, 차아염소산 암모늄, 차아염소산 나트륨, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하는, 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 2-에틸-1-헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 부틸렌 카본에이트, 에틸렌 카본에이트, 프로필렌 카본에이트, 콜린 바이카본에이트, 디프로필렌 글리콜, 디메틸설폭사이드, 설포란, 테트라히드로푸르푸릴 알코올(THFA), 1,2-부탄디올, 1,4-부탄디올, 테트라메틸 요소, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에터, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노헥실 에터, 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에터, 에틸렌 글리콜 페닐 에터, 프로필렌 글리콜 메틸 에터, 디프로필렌 글리콜 메틸 에터(DPGME), 트리프로필렌 글리콜 메틸 에터(TPGME), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에터, 디프로필렌 글리콜 에틸 에터, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 디프로필렌 글리콜 N-프로필 에터(DPGPE), 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 프로필렌 글리콜 페닐 에터, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 에틸 퍼플루오로부틸에터, 메틸 퍼플루오로부틸에터, 알킬 카본에이트, 4-메틸-2-펜탄올, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하는, 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속 부식 방지제는 ATA-SDS, 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노올레이트, 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌(20) 소르비탄 모노라우레이트, 폴리옥시프로필렌/폴리옥시에틸렌 블록 공중합체, DTAC, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택되는, 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 킬레이트제는 CDTA를 포함하는 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 킬레이트제는 암모늄 양이온 또는 테트라알킬암모늄 양이온, 및 아세트산염, 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 황산염, 벤조산염, 프로피온산염, 시트르산염, 포름산염, 옥살산염, 타르타르산염, 석산산염, 젖산염, 말레산염, 말론산염, 퓨마르산염, 말산염, 아스코르브산염, 만델산염 및 프탈산염으로 구성된 군으로부터 선택된 음이온을 포함하는 염, 및 그 조합으로 구성된 군에서 선택된 종을 포함하는 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 킬레이트제는 브롬화 암모늄 및/또는 염화 암모늄을 포함하는, 조성물.
  9. 미세전자 소자의 표면으로부터 질화 티타늄 물질을 에칭하는 방법으로서, 상기 표면을 제 1 항의 조성물과 접촉시켜 상기 표면으로부터 질화 티타늄 물질을 금속과 절연 물질에 비해 선택적으로 제거하는 것을 포함하는, 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    조성물의 pH는 약 5 내지 약 12의 범위 내인, 조성물.
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Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102118964B1 (ko) * 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
KR102338550B1 (ko) 2013-06-06 2021-12-14 엔테그리스, 아이엔씨. 질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법
KR102338526B1 (ko) 2013-07-31 2021-12-14 엔테그리스, 아이엔씨. Cu/W 호환성을 갖는, 금속 하드 마스크 및 에칭-후 잔여물을 제거하기 위한 수성 제형
EP3039098B1 (en) 2013-08-30 2020-09-30 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
EP3077129B1 (en) 2013-12-06 2020-11-11 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
WO2015095175A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same
EP3084809A4 (en) 2013-12-20 2017-08-23 Entegris, Inc. Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
WO2015116818A1 (en) 2014-01-29 2015-08-06 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
WO2015119925A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-cmp compositions and method of use
US9297081B2 (en) * 2014-02-21 2016-03-29 Ecolab Usa Inc. Use of neutralizing agent in olefin or styrene production
CN105210176B (zh) * 2014-04-10 2016-09-28 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件的清洗用液体组合物、和半导体元件的清洗方法
KR102405063B1 (ko) * 2014-06-30 2022-06-07 엔테그리스, 아이엔씨. 텅스텐 및 코발트 상용성을 갖는 에치후 잔류물을 제거하기 위한 수성 및 반-수성 세정제
KR102255577B1 (ko) * 2014-08-25 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 식각액 조성물
WO2016076033A1 (ja) * 2014-11-13 2016-05-19 三菱瓦斯化学株式会社 コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
TWI639730B (zh) * 2015-02-13 2018-11-01 關東鑫林科技股份有限公司 Etching liquid composition and etching method using the same
US9976111B2 (en) 2015-05-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc TiN hard mask and etch residual removal
JP6761166B2 (ja) * 2015-07-23 2020-09-23 セントラル硝子株式会社 ウェットエッチング方法及びエッチング液
US11492277B2 (en) 2015-07-29 2022-11-08 Ecolab Usa Inc. Heavy amine neutralizing agents for olefin or styrene production
TWI705132B (zh) * 2015-10-08 2020-09-21 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法
TWI816635B (zh) * 2015-10-15 2023-10-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法
TWI727025B (zh) * 2016-03-29 2021-05-11 法商法國技術公司 用於蝕刻以鈦為主之材料的溶液及方法
US10982129B2 (en) * 2016-08-05 2021-04-20 NuGeneration Technologies, LLC Composition and method for making converter-dissolver composition for dissolving metal sulfate scales from surfaces
JP6860276B2 (ja) * 2016-09-09 2021-04-14 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
EP3299323B1 (en) 2016-09-23 2020-04-01 Otis Elevator Company Secondary car operating panel for elevator cars
WO2018061582A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 富士フイルム株式会社 処理液および積層体の処理方法
KR101966808B1 (ko) 2016-09-30 2019-04-08 세메스 주식회사 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202428867A (zh) 2016-10-06 2024-07-16 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 用於移除半導體基材上的殘餘物之清潔調配物
KR102740456B1 (ko) * 2016-11-29 2024-12-06 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102770063B1 (ko) * 2016-11-29 2025-02-21 솔브레인 주식회사 식각용 조성물 및 식각용 조성물을 이용한 반도체 소자의 식각 방법
KR102710507B1 (ko) * 2016-12-14 2024-09-25 삼성전자주식회사 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
TWI735732B (zh) * 2017-01-17 2021-08-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 高階節點製程後端處理之蝕刻後殘留物去除
US10626353B2 (en) * 2017-02-10 2020-04-21 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning formulations
EP3601514A4 (en) * 2017-03-24 2020-04-08 Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. CLEANING COMPOSITIONS FOR REMOVING RESIDUES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
US10920326B2 (en) * 2017-03-31 2021-02-16 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Etchant composition for etching titanium layer or titanium-containing layer, and etching method
CN110506100A (zh) * 2017-04-11 2019-11-26 恩特格里斯公司 化学机械研磨后调配物和使用方法
EP3631045A4 (en) * 2017-05-25 2021-01-27 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. MECHANICAL-CHEMICAL POLISHING CONCENTRATE SUSPENSION FOR COBALT APPLICATIONS
CN107229193B (zh) * 2017-07-25 2019-04-23 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
CN110997643B (zh) * 2017-08-22 2023-06-06 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物
CN111033697B (zh) * 2017-08-31 2023-10-10 富士胶片株式会社 处理液、试剂盒、基板的清洗方法
KR101967157B1 (ko) 2017-11-06 2019-04-09 한국원자력연구원 전극-반도체간 쇼트키 접촉 구조를 가진 방사선 센서
US11377624B2 (en) 2017-12-08 2022-07-05 Basf Se Cleaning composition for post-etch or post ash residue removal from a semiconductor substrate and corresponding manufacturing process
IL274880B2 (en) * 2017-12-08 2024-04-01 Basf Se Composition and process for selectively burning a layer containing an aluminum compound in the presence of layers of materials with low K, copper and/or cobalt
CN111566255A (zh) 2017-12-18 2020-08-21 恩特格里斯公司 通过原子层沉积涂覆的耐化学性多层涂层
KR102766830B1 (ko) * 2018-01-16 2025-02-14 가부시키가이샤 도쿠야마 차아염소산 이온을 포함하는 반도체 웨이퍼의 처리액
KR102448220B1 (ko) * 2018-01-25 2022-09-27 메르크 파텐트 게엠베하 포토레지스트 제거제 조성물
JP7573368B2 (ja) * 2018-01-26 2024-10-25 日清エンジニアリング株式会社 銅微粒子
WO2019151141A1 (ja) * 2018-02-05 2019-08-08 富士フイルム株式会社 処理液、及び、処理方法
US10934484B2 (en) * 2018-03-09 2021-03-02 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ germanium stack during manufacture of a semiconductor device
US11499236B2 (en) * 2018-03-16 2022-11-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten word line recess
KR102487940B1 (ko) * 2018-03-19 2023-01-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 어레이 기판의 제조 방법
WO2019181044A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社 東芝 処理液及び処理方法
WO2019190653A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning compositions
JP7105084B2 (ja) * 2018-03-30 2022-07-22 ナガセケムテックス株式会社 エッチング液組成物
KR102696528B1 (ko) * 2018-04-04 2024-08-19 바스프 에스이 TiN 을 포함하는 층 또는 마스크의 에싱 후 잔류물 제거 및/또는 산화 에칭을 위한 이미다졸리딘티온-함유 조성물
KR20210003730A (ko) * 2018-04-27 2021-01-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법
TWI808162B (zh) 2018-04-27 2023-07-11 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 水性組成物及使用此組成物之清洗方法
JPWO2019208685A1 (ja) * 2018-04-27 2021-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
US10755947B2 (en) * 2018-05-01 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Methods of increasing selectivity for selective etch processes
CN110484919A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 深圳市裕展精密科技有限公司 退镀液及其退除含钛膜层的方法、及表面形成有含钛膜层的基材的退镀方法
KR102346832B1 (ko) * 2018-05-23 2022-01-03 삼성에스디아이 주식회사 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
CN112384597A (zh) 2018-07-06 2021-02-19 恩特格里斯公司 选择性蚀刻材料的改进
KR20240167944A (ko) 2018-07-20 2024-11-28 엔테그리스, 아이엔씨. 부식 억제제를 갖는 세정 조성물
CN109161358A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 佛山腾鲤新能源科技有限公司 一种导电胶的制备方法
US11017995B2 (en) * 2018-07-26 2021-05-25 Versum Materials Us, Llc Composition for TiN hard mask removal and etch residue cleaning
US11085011B2 (en) * 2018-08-28 2021-08-10 Entegris, Inc. Post CMP cleaning compositions for ceria particles
US10896824B2 (en) * 2018-12-14 2021-01-19 Tokyo Electron Limited Roughness reduction methods for materials using illuminated etch solutions
US12112959B2 (en) 2018-09-04 2024-10-08 Tokyo Electron Limited Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions
JP7573188B2 (ja) * 2018-12-14 2024-10-25 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用して材料の粗さを低減するための処理システム及びプラットフォーム
EP3894512A4 (en) * 2018-12-14 2022-08-24 Entegris, Inc. RUTHENIUM ETCHING COMPOSITION AND PROCESS
CN109594088A (zh) * 2018-12-29 2019-04-09 陕西宝成航空仪表有限责任公司 氮化钛或氮化铝钛膜层的退除液及制备方法和退除方法
KR20210111289A (ko) * 2019-01-11 2021-09-10 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 산화하프늄 부식 억제제
WO2020159771A1 (en) * 2019-01-31 2020-08-06 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Etching compositions
US20220010206A1 (en) * 2019-02-13 2022-01-13 Tokuyama Corporation Semiconductor wafer treatment liquid containing hypochlorite ions and ph buffer
SG11202109515QA (en) * 2019-03-11 2021-09-29 Versum Materials Us Llc Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device
WO2020185745A1 (en) * 2019-03-11 2020-09-17 Versum Materials Us, Llc Etching solution and method for aluminum nitride
KR20210135542A (ko) * 2019-03-14 2021-11-15 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 세정제 조성물 및 세정 방법
MX2021012399A (es) 2019-04-12 2021-12-10 Ecolab Usa Inc Limpiador antimicrobiano multiuso y métodos de fabricación y uso de este.
EP3973565B1 (en) 2019-05-23 2023-07-19 Basf Se Composition and process for selectively etching a hard mask and/or an etch-stop layer in the presence of layers of low-k materials, copper, cobalt and/or tungsten
TWI856104B (zh) * 2019-06-03 2024-09-21 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 蝕刻組成物
TWI795572B (zh) * 2019-06-12 2023-03-11 關東鑫林科技股份有限公司 蝕刻組成物
JPWO2021005980A1 (ko) 2019-07-05 2021-01-14
KR20210028447A (ko) * 2019-09-04 2021-03-12 에스케이이노베이션 주식회사 식각 조성물, 이를 이용한 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법
IL291119B1 (en) * 2019-09-10 2025-01-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc Etching compounds
CN114466951B (zh) 2019-09-27 2025-02-28 株式会社德山 钌的半导体用处理液及其制造方法
US11932590B2 (en) * 2019-09-27 2024-03-19 Tokuyama Corporation Inhibitor for RuO4 gas generation and method for inhibiting RuO4 gas generation
KR20210092472A (ko) 2020-01-16 2021-07-26 동우 화인켐 주식회사 몰리브데늄 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
AT16977U3 (de) 2020-02-20 2021-03-15 4Tex Gmbh Verfahren zum Behandeln von Substraten mit Chemikalien
CN115210339A (zh) * 2020-03-04 2022-10-18 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于氮化钛和钼导电金属线的蚀刻溶液
WO2021176913A1 (ja) * 2020-03-04 2021-09-10 富士フイルム株式会社 処理液、処理液収容体
CN113430066B (zh) * 2020-03-23 2024-04-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 用于选择性移除硬遮罩的清洗组合物、其制备方法及应用
CN113433807B (zh) * 2020-03-23 2024-08-09 上海新阳半导体材料股份有限公司 离子注入光刻胶清洗液、其制备方法及应用
CN113430072B (zh) * 2020-03-23 2024-05-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 移除硬遮罩的钴兼容性半水基清洗液、其制备方法及应用
KR102339685B1 (ko) * 2020-03-25 2021-12-16 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
KR20230007342A (ko) * 2020-04-14 2023-01-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 티탄 및/또는 티탄합금의 에칭액, 이 에칭액을 이용한 티탄 및/또는 티탄합금의 에칭방법, 및 이 에칭액을 이용한 기판의 제조방법
CN111430799B (zh) * 2020-04-22 2023-02-14 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种用于镍锰酸锂正极材料的高压电解液
CN113667552A (zh) * 2020-05-15 2021-11-19 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种用于铜大马士革工艺的清洗液
CN111850564A (zh) * 2020-07-16 2020-10-30 桂林理工大学 一种钛化物膜层退镀液及退镀方法
CN116057208A (zh) * 2020-08-07 2023-05-02 株式会社德山 半导体晶片用处理液
US12152187B2 (en) * 2020-08-13 2024-11-26 Entegris, Inc. Nitride etchant composition and method
TWI824299B (zh) 2020-09-22 2023-12-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 蝕刻劑組合物
US20230365893A1 (en) * 2020-09-29 2023-11-16 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Composition for cleaning semiconductor substrate, and cleaning method
CN112540515B (zh) * 2020-12-16 2023-11-21 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用
CN113150884B (zh) * 2021-04-27 2022-12-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物的制备方法
CN113186043B (zh) * 2021-04-27 2023-05-30 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物及其应用
CN113161234B (zh) * 2021-04-27 2023-02-17 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟清洗液组合物的应用
WO2022241126A1 (en) * 2021-05-12 2022-11-17 Entegris, Inc. Selective etchant compositions and methods
CN113549462A (zh) * 2021-06-16 2021-10-26 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种微电子用超纯氟化铵蚀刻液及其制备方法
JP2023043419A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN114369462A (zh) * 2021-12-16 2022-04-19 湖北兴福电子材料有限公司 一种选择性蚀刻氮化钛及钨的蚀刻液
KR20240158916A (ko) * 2022-03-10 2024-11-05 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 에칭 조성물
TW202342700A (zh) 2022-04-20 2023-11-01 日商東京應化工業股份有限公司 蝕刻用組成物、使用其之蝕刻方法及電子零件之製造方法
CN114989825B (zh) * 2022-06-30 2023-07-11 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种掺钪氮化铝和钨的选择性蚀刻液
CN115044376B (zh) * 2022-06-30 2023-12-29 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用
CN115011347B (zh) * 2022-06-30 2023-12-29 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种氮化铝和钨的选择性蚀刻液
JPWO2024004980A1 (ko) 2022-07-01 2024-01-04
CN115710536B (zh) * 2022-11-11 2024-03-08 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗液的制备方法
CN115763494B (zh) * 2022-11-16 2025-02-14 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、蚀刻液组合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020139055A1 (en) * 2001-01-31 2002-10-03 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method employing it
WO2007111694A2 (en) * 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
WO2008157345A2 (en) * 2007-06-13 2008-12-24 Advanced Technology Materials, Inc. Wafer reclamation compositions and methods
US20090082240A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Fujifilm Corporation Stripping liquid for semiconductor device, and stripping method
US20130034923A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Etching composition, method of forming a metal pattern using the etching composition, and method of manufacturing a display substrate

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE457647B (sv) 1987-06-24 1989-01-16 Eka Nobel Ab Saett vid blekning av material med ditionitloesning
US5209858A (en) 1991-02-06 1993-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stabilization of choline and its derivatives against discoloration
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
US6065424A (en) 1995-12-19 2000-05-23 Cornell Research Foundation, Inc. Electroless deposition of metal films with spray processor
US5702075A (en) 1996-01-31 1997-12-30 David Lehrman Automatically collapsible support for an electrical cord for use with an ironing board
DE69705898T2 (de) * 1996-05-30 2002-04-11 Nalco Chemical Co., Naperville Verwendung eines Tensidgemisches zur Korrosionsinhibierung
US7534752B2 (en) 1996-07-03 2009-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6323168B1 (en) 1996-07-03 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6224785B1 (en) 1997-08-29 2001-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
US6755989B2 (en) 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5993685A (en) 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
AU7147798A (en) 1997-04-23 1998-11-13 Advanced Chemical Systems International, Inc. Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics
US5976928A (en) 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
US6346741B1 (en) 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
US6280651B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
US6211126B1 (en) 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
EP1125168A1 (en) 1998-05-18 2001-08-22 Advanced Technology Materials, Inc. Stripping compositions for semiconductor substrates
US6875733B1 (en) 1998-10-14 2005-04-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates
US6395194B1 (en) 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6439986B1 (en) 1999-10-12 2002-08-27 Hunatech Co., Ltd. Conditioner for polishing pad and method for manufacturing the same
JP2001135601A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Speedfam Co Ltd 半導体デバイス平坦化の研磨方法
US6723691B2 (en) 1999-11-16 2004-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6492308B1 (en) 1999-11-16 2002-12-10 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6194366B1 (en) 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
JP3515041B2 (ja) * 2000-03-13 2004-04-05 沖電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
US6409781B1 (en) 2000-05-01 2002-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Polishing slurries for copper and associated materials
US6566315B2 (en) 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6627587B2 (en) 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
US7029373B2 (en) 2001-08-14 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US6800218B2 (en) 2001-08-23 2004-10-05 Advanced Technology Materials, Inc. Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same
US6802983B2 (en) 2001-09-17 2004-10-12 Advanced Technology Materials, Inc. Preparation of high performance silica slurry using a centrifuge
US7030168B2 (en) 2001-12-31 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates
US7119418B2 (en) 2001-12-31 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-assisted deposition of materials on semiconductor substrates
US7557073B2 (en) 2001-12-31 2009-07-07 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing supercritical fluid composition for removal of ion-implant photoresist
US7326673B2 (en) 2001-12-31 2008-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates
US6773873B2 (en) 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US6698619B2 (en) 2002-05-03 2004-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Returnable and reusable, bag-in-drum fluid storage and dispensing container system
US7188644B2 (en) 2002-05-03 2007-03-13 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for minimizing the generation of particles in ultrapure liquids
US6849200B2 (en) 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
US6989358B2 (en) 2002-10-31 2006-01-24 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists
US20060019850A1 (en) 2002-10-31 2006-01-26 Korzenski Michael B Removal of particle contamination on a patterned silicon/silicon dioxide using dense fluid/chemical formulations
US7011716B2 (en) 2003-04-29 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products
US6943139B2 (en) 2002-10-31 2005-09-13 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of particle contamination on patterned silicon/silicon dioxide using supercritical carbon dioxide/chemical formulations
US7485611B2 (en) 2002-10-31 2009-02-03 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical fluid-based cleaning compositions and methods
US7223352B2 (en) 2002-10-31 2007-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for ashed and unashed aluminum post-etch residue removal
US7300601B2 (en) 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US8236485B2 (en) 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
US6735978B1 (en) 2003-02-11 2004-05-18 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of supercritical fluid utilized in semiconductor manufacturing applications
KR20060024775A (ko) * 2003-05-12 2006-03-17 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 제2단계 구리 라이너 및 관련된 물질을 위한 ｃｍｐ조성물및 그 이용방법
US7736405B2 (en) 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
US7119052B2 (en) 2003-06-24 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for high-efficiency cleaning/polishing of semiconductor wafers
US20050025973A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Slutz David E. CVD diamond-coated composite substrate containing a carbide-forming material and ceramic phases and method for making same
US7335239B2 (en) 2003-11-17 2008-02-26 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical planarization pad
US20050118832A1 (en) 2003-12-01 2005-06-02 Korzenski Michael B. Removal of MEMS sacrificial layers using supercritical fluid/chemical formulations
JP2007519942A (ja) 2003-12-02 2007-07-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法
US20050145311A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Walker Elizabeth L. Method for monitoring surface treatment of copper containing devices
CN1954267B (zh) * 2004-02-11 2010-12-08 马林克罗特贝克公司 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物
US7553803B2 (en) 2004-03-01 2009-06-30 Advanced Technology Materials, Inc. Enhancement of silicon-containing particulate material removal using supercritical fluid-based compositions
US8338087B2 (en) 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US20050227482A1 (en) 2004-03-24 2005-10-13 Korzenski Michael B Composition useful for removal of bottom anti-reflection coatings from patterned ion-implanted photoresist wafers
CN1984875A (zh) 2004-07-09 2007-06-20 阿克佐诺贝尔股份有限公司 含氢氧化胆碱的组合物及其制备方法
JP4145273B2 (ja) 2004-07-14 2008-09-03 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Ｃｍｐパッドコンディショナー
US20060063687A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Minsek David W Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate
US20060148666A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Advanced Technology Materials Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate
US20060154186A1 (en) 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
US7923423B2 (en) 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7365045B2 (en) 2005-03-30 2008-04-29 Advanced Tehnology Materials, Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide
CN101248516A (zh) * 2005-04-08 2008-08-20 塞克姆公司 金属氮化物的选择性湿蚀刻
WO2006110645A2 (en) 2005-04-11 2006-10-19 Advanced Technology Materials, Inc. Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices
EP1879704A2 (en) 2005-04-15 2008-01-23 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning ion-implanted photoresist layers from microelectronic devices
US20070251551A1 (en) 2005-04-15 2007-11-01 Korzenski Michael B Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems
EP1882055A1 (en) 2005-04-15 2008-01-30 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for supercritical fluid removal or deposition processes
JP2008543060A (ja) 2005-05-26 2008-11-27 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅不活性化化学機械研磨後洗浄組成物及び使用方法
KR101332302B1 (ko) 2005-06-06 2013-11-25 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 단일 플래튼 처리를 위한 방법 및 일체형 화학적 기계적연마 조성물
WO2006133253A1 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Advanced Technology Materials, Inc. Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
US20090212021A1 (en) 2005-06-13 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation
JP2008547050A (ja) 2005-06-16 2008-12-25 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 硬化フォトレジスト、エッチング後残渣および／または下層反射防止コーティング層の除去のための濃厚流体組成物
EP1929512A2 (en) 2005-08-05 2008-06-11 Advanced Technology Materials, Inc. High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization
KR100685738B1 (ko) * 2005-08-08 2007-02-26 삼성전자주식회사 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법
WO2007027522A2 (en) 2005-08-29 2007-03-08 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for removing thick film photoresist
CN101496146A (zh) 2005-10-05 2009-07-29 高级技术材料公司 选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法
EP1932174A4 (en) 2005-10-05 2009-09-23 Advanced Tech Materials AQUEOUS OXIDIZING CLEANER FOR REMOVING RESIDUES AFTER A PLASMA ATTACK
EP1945748A4 (en) 2005-10-13 2009-01-07 Advanced Tech Materials PHOTORESIN REMOVAL AND / OR SACRIFICIAL ANTIREFLECTION COATING COMPOSITION COMPATIBLE WITH METALS
WO2007120259A2 (en) 2005-11-08 2007-10-25 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
TW200734448A (en) 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
US20070225186A1 (en) * 2006-03-27 2007-09-27 Matthew Fisher Alkaline solutions for post CMP cleaning processes
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
WO2008036823A2 (en) 2006-09-21 2008-03-27 Advanced Technology Materials, Inc. Uric acid additive for cleaning formulations
WO2008039730A1 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
US20080125342A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
US20100163788A1 (en) 2006-12-21 2010-07-01 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid cleaner for the removal of post-etch residues
TWI509690B (zh) 2006-12-21 2015-11-21 Entegris Inc 選擇性移除氮化矽之組合物及方法
JP2008177180A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Ebara Corp 配線基板研磨用前処理液、研磨方法、配線基板製造方法及び配線基板製造装置
US20100087065A1 (en) 2007-01-31 2010-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
KR101344541B1 (ko) * 2007-02-02 2013-12-26 동우 화인켐 주식회사 실리콘 산화막에 대한 선택적 에칭액 조성물
TWI516573B (zh) 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
WO2008141206A2 (en) 2007-05-09 2008-11-20 Advanced Technology Materials, Inc. Systems and methods for material blending and distribution
TW200916571A (en) 2007-08-02 2009-04-16 Advanced Tech Materials Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
SG183744A1 (en) 2007-08-20 2012-09-27 Advanced Tech Materials Composition and method for removing ion-implanted photoresist
WO2009065010A2 (en) 2007-11-14 2009-05-22 Advanced Technology Materials, Inc. Solvent-free synthesis of soluble nanocrystals
TW200934865A (en) 2007-11-30 2009-08-16 Advanced Tech Materials Formulations for cleaning memory device structures
EP2268765A4 (en) 2008-03-07 2011-10-26 Advanced Tech Materials UNSELECTIVE OXIDIZE WET CLEANING AGENT AND USE
US20090253072A1 (en) 2008-04-01 2009-10-08 Petruska Melissa A Nanoparticle reversible contrast enhancement material and method
JP2011520142A (ja) 2008-05-01 2011-07-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 高密度注入レジストの除去のための低ｐＨ混合物
CN102216854A (zh) 2008-08-04 2011-10-12 高级技术材料公司 环境友好型聚合物剥离组合物
KR20110063845A (ko) 2008-10-02 2011-06-14 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도
CN102197124B (zh) * 2008-10-21 2013-12-18 高级技术材料公司 铜清洁及保护调配物
WO2010088194A2 (en) 2009-01-28 2010-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Lithographic tool in situ clean formulations
WO2010086745A1 (en) 2009-02-02 2010-08-05 Atmi Taiwan Co., Ltd. Method of etching lanthanum-containing oxide layers
WO2010091045A2 (en) 2009-02-05 2010-08-12 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
US8367555B2 (en) 2009-12-11 2013-02-05 International Business Machines Corporation Removal of masking material
SG182789A1 (en) 2010-01-29 2012-09-27 Advanced Tech Materials Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
JP5858597B2 (ja) 2010-01-29 2016-02-10 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド タングステン配線半導体用洗浄剤
US9215813B2 (en) 2010-04-15 2015-12-15 Advanced Technology Materials, Inc. Method for recycling of obsolete printed circuit boards
JP2012021151A (ja) 2010-06-16 2012-02-02 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
CN103003923A (zh) * 2010-07-16 2013-03-27 高级技术材料公司 用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
US9238850B2 (en) 2010-08-20 2016-01-19 Advanced Technology Materials, Inc. Sustainable process for reclaiming precious metals and base metals from e-waste
JP2013537724A (ja) 2010-08-27 2013-10-03 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 乾燥間の高アスペクト比構造崩壊を防止する方法
TWI619800B (zh) 2010-10-06 2018-04-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 選擇性蝕刻金屬氮化物之組成物及方法
WO2012051380A2 (en) 2010-10-13 2012-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
WO2012097143A2 (en) 2011-01-13 2012-07-19 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium- containing solutions
JP2012186470A (ja) 2011-02-18 2012-09-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
WO2012154498A2 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications
JP2012251026A (ja) 2011-05-31 2012-12-20 Sanyo Chem Ind Ltd 半導体用洗浄剤
WO2012174518A2 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching silicon nitride
CN103620861B (zh) 2011-06-21 2017-02-15 恩特格里斯公司 从锂离子电池回收锂钴氧化物的方法
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
KR101914817B1 (ko) 2011-10-21 2018-12-28 엔테그리스, 아이엔씨. 비-아민 cmp-후 조성물 및 사용 방법
US8618036B2 (en) 2011-11-14 2013-12-31 International Business Machines Corporation Aqueous cerium-containing solution having an extended bath lifetime for removing mask material
WO2013077855A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Taminco N.V. Stabilized choline solutions and methods for preparing the same
EP2790845B1 (en) 2011-12-15 2017-02-08 Entegris Inc. Apparatus and method for stripping solder metals during the recycling of waste electrical and electronic equipment
JP6329909B2 (ja) * 2011-12-28 2018-05-23 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
KR102105381B1 (ko) 2012-02-15 2020-04-29 엔테그리스, 아이엔씨. 조성물을 이용한 cmp-후 제거 방법 및 그의 이용 방법
WO2013138278A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Copper cleaning and protection formulations
US20150075570A1 (en) 2012-03-12 2015-03-19 Entegris, Inc. Methods for the selective removal of ashed spin-on glass
EP2828371A4 (en) 2012-03-18 2015-10-14 Entegris Inc POST-CMP FORMULATION HAVING COMPATIBILITY WITH ENHANCED BARRIER LAYERS AND CLEANING PERFORMANCE
WO2013152260A1 (en) 2012-04-06 2013-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of lead from solid materials
CA2851406C (en) 2012-04-13 2019-12-17 Huntsman Petrochemical Llc Using novel amines to stabilize quaternary trialkylalkanolamines
US20130295712A1 (en) 2012-05-03 2013-11-07 Advanced Technology Materials, Inc. Methods of texturing surfaces for controlled reflection
KR102100254B1 (ko) 2012-05-11 2020-04-13 엔테그리스, 아이엔씨. 규소화물 제작 중의 NiPt 습식 에칭을 위한 배합물
TW201404877A (zh) 2012-05-18 2014-02-01 Advanced Tech Materials 用於改善有機殘餘物移除之具有低銅蝕刻速率之清潔水溶液
SG10201610541UA (en) 2012-05-18 2017-01-27 Entegris Inc Composition and process for stripping photoresist from a surface including titanium nitride
JP6063206B2 (ja) * 2012-10-22 2017-01-18 富士フイルム株式会社 エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
EP2964725B1 (en) 2013-03-04 2021-06-23 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US9520617B2 (en) 2013-03-14 2016-12-13 Advanced Technology Materials, Inc. Sulfolane mixtures as ambient aprotic polar solvents
EP2989231A4 (en) 2013-04-22 2016-12-07 Advanced Tech Materials FORMULATIONS FOR CLEANING AND PROTECTING COPPER
US20160122696A1 (en) 2013-05-17 2016-05-05 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for removing ceria particles from a surface
KR102338550B1 (ko) 2013-06-06 2021-12-14 엔테그리스, 아이엔씨. 질화 티타늄의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법
EP3110982A4 (en) 2014-02-25 2017-11-22 Entegris, Inc. Wet based formulations for the selective removal of noble metals

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020139055A1 (en) * 2001-01-31 2002-10-03 Fujimi Incorporated Polishing composition and polishing method employing it
WO2007111694A2 (en) * 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
WO2008157345A2 (en) * 2007-06-13 2008-12-24 Advanced Technology Materials, Inc. Wafer reclamation compositions and methods
US20090082240A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Fujifilm Corporation Stripping liquid for semiconductor device, and stripping method
US20130034923A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Etching composition, method of forming a metal pattern using the etching composition, and method of manufacturing a display substrate

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