KR102220600B1 - Mask blanks, half-tone mask, method of manufacturing mask blanks, and method of manufacturing half-tone mask - Google Patents
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Abstract
본 발명의 마스크 블랭크스는, 투명 기판, 상기 투명 기판의 표면에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 하프톤층, 상기 하프톤층에 적층된 에칭 스토퍼층, 및 상기 에칭 스토퍼층에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 차광층을 구비한다. 상기 에칭 스토퍼층은 금속 실리사이드 화합물로 이루어지고, 상기 에칭 스토퍼층에서 금속에 대한 Si의 조성비가 2.0 ~ 3.7의 범위로 설정된다.The mask blank of the present invention includes a transparent substrate, a halftone layer mainly composed of Cr stacked on the surface of the transparent substrate, an etching stopper layer stacked on the halftone layer, and a light blocking layer composed mainly of Cr stacked on the etching stopper layer. It has a layer. The etching stopper layer is made of a metal silicide compound, and the composition ratio of Si to metal in the etching stopper layer is set in the range of 2.0 to 3.7.
Description
본 발명은 마스크 블랭크스, 하프톤 마스크, 마스크 블랭크스의 제조 방법, 및 하프톤 마스크의 제조 방법에의 이용에 적합한 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique suitable for use in a mask blank, a halftone mask, a method for manufacturing a mask blank, and a method for manufacturing a halftone mask.
액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 FPD(flat panel display, 플랫 패널 디스플레이)에 이용되는 기판은 복수의 마스크를 이용함으로써 제조된다. 이러한 제조 공정에서, 공정의 감소를 위해서 반투과성 하프톤 마스크를 이용하여 마스크 매수를 감소시킬 수 있다.A substrate used for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display or an organic EL display is manufactured by using a plurality of masks. In this manufacturing process, the number of masks may be reduced by using a semi-permeable halftone mask in order to reduce the process.
또한, 컬러 필터나 유기 EL 디스플레이 등에서는, 감광성 유기 수지를 반투과성 마스크를 이용하여 노광과 현상을 행하여 유기 수지의 형상을 제어함으로써 적절한 형상의 스페이서나 개구부를 형성할 수 있게 된다. 이 때문에 하프톤 마스크의 중요도가 높아지고 있다(특허문헌 1 등).In addition, in a color filter, an organic EL display, or the like, a photosensitive organic resin is exposed and developed using a semi-transmissive mask to control the shape of the organic resin, whereby spacers or openings having an appropriate shape can be formed. For this reason, the importance of the halftone mask is increasing (Patent Document 1, etc.).
이러한 하프톤 마스크는 차광층과 하프톤층(반투과층)을 이용하여 형성된다. 하프톤 마스크의 구조로서 반투과층이 차광층 상에 형성되는 구성과 반투과층이 차광층 하에 형성되는 구성의 2개의 구성이 알려져 있다. 이 구조 중, 반투과층이 차광층 하에 존재하는, 이른바 하치(下置) 구조의 수요가 높아지고 있다.Such a halftone mask is formed using a light blocking layer and a halftone layer (semitransmissive layer). As a structure of a halftone mask, two configurations are known: a structure in which a semi-transmissive layer is formed on the light-shielding layer and a structure in which the semi-transparent layer is formed under the light-shielding layer. Among these structures, the demand for a so-called bowl structure in which a semi-transmissive layer exists under the light-shielding layer is increasing.
하치 구조의 하프톤 마스크는 블랭크스 메이커로 하프톤층과 차광층의 적층막을 형성한 다음에, 마스크 메이커에서 각각의 막을 소망한 패턴으로 노광, 현상, 에칭함으로써 마스크를 완성시킬 수 있다. 이 때문에, 단기간에 마스크를 형성할 수 있는 이점을 가진다.The halftone mask having a bowl structure can be completed by forming a laminated film of a halftone layer and a light-shielding layer by a blanks maker, and then exposing, developing, and etching each film in a desired pattern at the mask maker. For this reason, it has the advantage of being able to form a mask in a short period of time.
FPD용 마스크의 차광층의 재료로서는 Cr을 이용하는 것이 일반적이고, 하프톤층의 재료로서도 Cr을 이용하는 것이 바람직하다. Cr은 우수한 약액 내성을 나타내고, 마스크로서의 가공 방법도 확립되어 있다.It is common to use Cr as the material of the light-shielding layer of the FPD mask, and it is preferable to use Cr as the material of the halftone layer. Cr exhibits excellent chemical resistance, and a processing method as a mask has also been established.
또한, 하프톤층을 Cr을 이용하여 형성함으로써 투과율의 파장 의존성을 작게 할 수 있는 이점도 가진다.Further, by forming the halftone layer using Cr, there is also an advantage that the wavelength dependence of the transmittance can be reduced.
Cr을 이용하여 차광층과 하프톤층을 형성하는 경우에는, 소망한 패턴을 형성하기 위해서, Cr의 에칭액에 의해 에칭이 되지 않는 에칭 스토퍼층을 차광층과 하프톤층의 사이에 성막할 필요가 있다. 특허문헌 2에는 에칭 스토퍼층으로서 금속 실리사이드 화합물이 기재되어 있다.In the case of forming the light-shielding layer and the halftone layer using Cr, in order to form a desired pattern, it is necessary to form an etching stopper layer between the light-shielding layer and the halftone layer, which is not etched with an etchant of Cr. In Patent Document 2, a metal silicide compound is described as an etching stopper layer.
그렇지만, 이러한 에칭 스토퍼층을 이용한 것만으로는 마스크를 형성했을 때 패턴 형상에 문제를 가지는 것을 알 수 있었다.However, it was found that only using such an etching stopper layer had a problem with the pattern shape when the mask was formed.
에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 차광막과 에칭 스토퍼층의 계면에서 에칭이 과잉으로 진행되어 버리기 때문에, 마스크로서 이용하는데 적절한 단면 형상이 얻어지지 않는 과제가 있다.At the time of etching the etching stopper layer, since etching proceeds excessively at the interface between the light shielding film and the etching stopper layer, there is a problem that a cross-sectional shape suitable for use as a mask cannot be obtained.
적절한 조성을 가지는 에칭 스토퍼층을 이용하지 않으면 에칭 스토퍼층의 에칭에서, 유리 기판과의 에칭의 선택비가 충분히 확보될 수 없다. 이 때문에, 유리 기판 표면에서 에칭이 진행되어 버려, 유리 기판에 데미지를 발생시키는 경우가 있는 문제가 있다.If the etching stopper layer having an appropriate composition is not used, in the etching of the etching stopper layer, the selectivity of etching with the glass substrate cannot be sufficiently ensured. For this reason, there is a problem in that etching proceeds on the surface of the glass substrate and damage may be caused to the glass substrate.
본 발명은 상기의 사정을 감안한 것으로, 이하의 목적을 달성하려고 하는 것이다.The present invention is intended to achieve the following objects in view of the above circumstances.
1.에칭 스토퍼층의 최적화를 도모하는 것.1. To optimize the etching stopper layer.
2.유리 기판에의 데미지 저감을 도모하는 것.2. Plan damage reduction to glass substrate.
3.하프톤 마스크의 형상 설정에서의 정확성을 향상시키는 것.3. To improve accuracy in setting the shape of halftone masks.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스는 투명 기판, 상기 투명 기판의 표면에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 하프톤층, 상기 하프톤층에 적층된 에칭 스토퍼층, 및 상기 에칭 스토퍼층에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스로서, 상기 에칭 스토퍼층은 금속 실리사이드 화합물로 이루어지고, 상기 에칭 스토퍼층에서 금속에 대한 Si의 조성비가 2.0 ~ 3.7의 범위로 설정된다. 이것에 의해 상기의 과제를 해결했다.The mask blank according to one embodiment of the present invention comprises a transparent substrate, a halftone layer mainly composed of Cr stacked on the surface of the transparent substrate, an etching stopper layer stacked on the halftone layer, and Cr stacked on the etching stopper layer. A mask blank having a light-shielding layer as a main component, wherein the etching stopper layer is made of a metal silicide compound, and the composition ratio of Si to metal in the etching stopper layer is set in the range of 2.0 to 3.7. This solved the above problems.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는 상기 에칭 스토퍼층이 몰리브덴 실리사이드 화합물로 이루어져도 좋다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the etching stopper layer may be made of a molybdenum silicide compound.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에는, 질소 농도가 높게 설정되는 고질소 영역이 두께 방향의 상기 차광층측에 설치되어도 좋다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, in the etching stopper layer, a high nitrogen region in which the nitrogen concentration is set to be high may be provided on the side of the light shielding layer in the thickness direction.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에서 상기 고질소 영역은 질소 농도가 30atm% 이상인 영역을 가져도 좋다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, in the etching stopper layer, the high nitrogen region may have a nitrogen concentration of 30 atm% or more.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에서 상기 고질소 영역의 막 두께는 10nm 이하로 설정되어도 좋다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the film thickness of the high nitrogen region in the etching stopper layer may be set to 10 nm or less.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층이 15nm 이상의 막 두께로 되어도 좋다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the etching stopper layer may have a film thickness of 15 nm or more.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스의 제조 방법은 상기의 마스크 블랭크스를 제조하는 방법으로서, 상기 투명 기판에, 상기 하프톤층과 상기 에칭 스토퍼층과 상기 차광층을 순서대로 적층하는 공정을 가지고, 상기 에칭 스토퍼층은 Si와, Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, 및 Hf로부터 선택된 적어도 1종의 금속을 주성분으로 하고, 성막 분위기로서 질소를 함유하는 스퍼터링에 의해 성막된다.A method of manufacturing a mask blank according to an aspect of the present invention is a method of manufacturing the above mask blank, comprising a step of sequentially laminating the halftone layer, the etching stopper layer, and the light shielding layer on the transparent substrate, The etching stopper layer is formed by sputtering containing Si and at least one metal selected from Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, and Hf as a main component and containing nitrogen as a deposition atmosphere. .
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법은 상기의 마스크 블랭크스를 이용하여 하프톤 마스크를 제조하는 방법으로서, 상기 차광층 상에 소정의 패턴을 가지는 마스크를 형성하는 공정과, 상기 형성된 마스크 너머 상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정과, 상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정을 가진다.A method of manufacturing a halftone mask according to one embodiment of the present invention is a method of manufacturing a halftone mask using the above mask blanks, the step of forming a mask having a predetermined pattern on the light blocking layer, and the formed A step of wet etching the light shielding layer over the mask and a step of wet etching the etching stopper layer are provided.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법에서는, 상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정에서 에천트로서 질산세륨 제2암모늄을 포함하는 에칭액을 이용해도 좋다.In the manufacturing method of a halftone mask according to one embodiment of the present invention, an etching solution containing cerium nitrate 2 ammonium may be used as an etchant in the step of wet etching the light-shielding layer.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법에서는, 상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정에서 에천트로서 불소계의 에칭액을 이용해도 좋다.In the manufacturing method of a halftone mask according to one embodiment of the present invention, a fluorine-based etching solution may be used as an etchant in the step of wet etching the etching stopper layer.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크는 상기의 하프톤 마스크의 제조 방법에 따라 제조된다.The halftone mask according to one embodiment of the present invention is manufactured according to the method for manufacturing the halftone mask described above.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스는 투명 기판, 상기 투명 기판의 표면에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 하프톤층, 상기 하프톤층에 적층된 에칭 스토퍼층, 및 상기 에칭 스토퍼층에 적층된 Cr을 주성분으로 하는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스로서, 상기 에칭 스토퍼층이 금속 실리사이드 화합물로 이루어지고, 상기 에칭 스토퍼층에서 금속에 대한 Si의 조성비가 2.0 ~ 3.7의 범위로 설정된다.The mask blank according to one embodiment of the present invention comprises a transparent substrate, a halftone layer mainly composed of Cr stacked on the surface of the transparent substrate, an etching stopper layer stacked on the halftone layer, and Cr stacked on the etching stopper layer. As a mask blank having a light-shielding layer as a main component, the etching stopper layer is made of a metal silicide compound, and the composition ratio of Si to metal in the etching stopper layer is set in the range of 2.0 to 3.7.
이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 에칭 레이트를 상기 조성비에 입각해서 제어할 수 있다. 이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 처리 시간을 단축하고, 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 된다.Thereby, at the time of etching the etching stopper layer, the etching rate can be controlled based on the composition ratio. Thereby, it becomes possible to shorten the etching treatment time of the etching stopper layer and prevent damage to the transparent substrate surface.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층이 몰리브덴 실리사이드 화합물로 이루어진다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the etching stopper layer is made of a molybdenum silicide compound.
이것에 의해, Cr을 주성분으로 하는 차광층을 에칭할 때에, 충분한 선택성을 가지는 에칭 스토퍼층으로서 에칭 스톱 기능이 얻어지고 소망한 형상을 가지는 포토마스크를 제조할 수 있게 된다.Thereby, when etching a light-shielding layer containing Cr as a main component, an etching stop function is obtained as an etching stopper layer having sufficient selectivity, and a photomask having a desired shape can be manufactured.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에는, 질소 농도가 높게 설정되는 고질소 영역이 두께 방향의 상기 차광층측에 설치되어 있다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, in the etching stopper layer, a high nitrogen region in which a nitrogen concentration is set high is provided on the side of the light shielding layer in the thickness direction.
이것에 의해, 고질소 영역에 의해서, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능이 얻어지는 것과 함께, 에칭 스토퍼층 및 하프톤층의 에칭 시에 차광층의 형상이 소망한 상태를 유지할 수 있다.Accordingly, a sufficient etching stop function can be obtained at the time of etching the light shielding layer by the high nitrogen region, and the shape of the light shielding layer can be maintained in a desired state during etching of the etching stopper layer and the halftone layer.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에서 상기 고질소 영역은 질소 농도가 30atm% 이상인 영역을 가지고 있다. 이것에 의해, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능을 얻을 수 있다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, in the etching stopper layer, the high nitrogen region has a region having a nitrogen concentration of 30 atm% or more. Thereby, a sufficient etching stop function can be obtained at the time of etching the light-shielding layer.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층에서 상기 고질소 영역의 막 두께는 10nm 이하로 설정되어 있다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the film thickness of the high nitrogen region in the etching stopper layer is set to 10 nm or less.
이것에 의해, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능이 얻어지고, 차광층의 형상이 소망한 상태를 유지하는 것과 함께, 하프톤층에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있다. 동시에, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 필요 이상으로 에칭 처리 시간이 길어지는 것을 방지하여 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있다.Thereby, a sufficient etching stop function can be obtained at the time of etching the light-shielding layer, and while maintaining the desired shape of the light-shielding layer, damage to the halftone layer can be prevented. At the same time, it is possible to prevent damage to the surface of the transparent substrate by preventing the etching treatment time from becoming longer than necessary during etching of the etching stopper layer.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스에서는, 상기 에칭 스토퍼층이 15nm 이상의 막 두께로 되어 있다.In the mask blank according to one embodiment of the present invention, the etching stopper layer has a film thickness of 15 nm or more.
이것에 의해, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능이 얻어지고, 차광층의 형상이 소망한 상태를 유지하는 것과 함께, 하프톤층에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있다. 동시에, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 필요 이상으로 에칭 처리 시간이 길어지는 것을 방지해, 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있다.Thereby, a sufficient etching stop function can be obtained at the time of etching the light-shielding layer, and while maintaining the desired shape of the light-shielding layer, damage to the halftone layer can be prevented. At the same time, at the time of etching the etching stopper layer, it is possible to prevent the etching treatment time from becoming longer than necessary, thereby preventing damage to the surface of the transparent substrate.
본 발명의 일 형태와 관련되는 마스크 블랭크스의 제조 방법은 상기의 마스크 블랭크스를 제조하는 방법으로서, 상기 투명 기판에, 상기 하프톤층과 상기 에칭 스토퍼층과 상기 차광층을 순서대로 적층하는 공정을 가지고, 상기 에칭 스토퍼층은 Si와, Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, 및 Hf로부터 선택된 적어도 1종의 금속을 주성분으로 하고, 성막 분위기로서 질소를 함유하는 스퍼터링에 의해 성막된다.A method of manufacturing a mask blank according to an aspect of the present invention is a method of manufacturing the above mask blank, comprising a step of sequentially laminating the halftone layer, the etching stopper layer, and the light shielding layer on the transparent substrate, The etching stopper layer is formed by sputtering containing Si and at least one metal selected from Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, and Hf as a main component and containing nitrogen as a deposition atmosphere. .
이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 에칭 레이트를 상기 조성비에 입각해서 제어할 수 있다. 이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 처리 시간을 단축시켜 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 된다. Cr을 주성분으로 하는 차광층을 에칭할 때에, 충분한 선택성을 가지는 에칭 스토퍼층으로서 에칭 스톱 기능이 얻어지고, 질소를 포함하는 에칭 스토퍼층에 의해서, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능이 얻어진다. 에칭 스토퍼층 및 하프톤층의 에칭 시에, 차광층의 형상이 소망한 상태를 유지한다. 하프톤층에 데미지를 주는 것을 방지하고, 소망한 형상을 가지는 포토마스크를 제조할 수 있는 마스크 블랭크스를 제공할 수 있다.Thereby, at the time of etching the etching stopper layer, the etching rate can be controlled based on the composition ratio. Thereby, it becomes possible to shorten the etching treatment time of the etching stopper layer and prevent damage to the surface of the transparent substrate. When etching the light-shielding layer containing Cr as a main component, an etching stop function is obtained as an etching stopper layer having sufficient selectivity, and a sufficient etching stop function is obtained when etching the light-shielding layer by the etching stopper layer containing nitrogen. . During the etching of the etching stopper layer and the halftone layer, the shape of the light-shielding layer is maintained in a desired state. It is possible to provide a mask blank capable of preventing damage to the halftone layer and producing a photomask having a desired shape.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법은 상기의 마스크 블랭크스를 이용하여 하프톤 마스크를 제조하는 방법으로서, 상기 차광층 상에 소정의 패턴을 가지는 마스크를 형성하는 공정과, 상기 형성된 마스크 너머 상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정과, 상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정을 가진다.A method of manufacturing a halftone mask according to one embodiment of the present invention is a method of manufacturing a halftone mask using the above mask blanks, the step of forming a mask having a predetermined pattern on the light blocking layer, and the formed A step of wet etching the light shielding layer over the mask and a step of wet etching the etching stopper layer are provided.
이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 에칭 레이트를 상기 조성비에 입각해서 제어할 수 있다. 이것에 의해, 에칭 스토퍼층의 에칭 처리 시간을 단축시켜 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 된다. Cr을 주성분으로 하는 차광층을 에칭할 때에, 충분한 선택성을 가지는 에칭 스토퍼층으로서 에칭 스톱 기능이 얻어지고, 질소를 포함하는 에칭 스토퍼층에 의해서, 차광층의 에칭 시에 충분한 에칭 스톱 기능이 얻어진다. 에칭 스토퍼층 및 하프톤층의 에칭 시에, 차광층의 형상이 소망한 상태를 유지한다. 하프톤층에 데미지를 주는 것을 방지하고, 소망한 형상을 가지는 포토마스크를 제조할 수 있게 된다.Thereby, at the time of etching the etching stopper layer, the etching rate can be controlled based on the composition ratio. Thereby, it becomes possible to shorten the etching treatment time of the etching stopper layer and prevent damage to the surface of the transparent substrate. When etching the light-shielding layer containing Cr as a main component, an etching stop function is obtained as an etching stopper layer having sufficient selectivity, and a sufficient etching stop function is obtained when etching the light-shielding layer by the etching stopper layer containing nitrogen. . During the etching of the etching stopper layer and the halftone layer, the shape of the light-shielding layer is maintained in a desired state. Damage to the halftone layer is prevented, and a photomask having a desired shape can be manufactured.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법에서는, 상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정에서, 에천트로서 질산세륨 제2암모늄을 포함하는 에칭액을 이용하고 있다.In the manufacturing method of a halftone mask according to one embodiment of the present invention, in the step of wet etching the light-shielding layer, an etchant containing cerium nitrate 2 ammonium is used as an etchant.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법에서는, 상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정에서, 에천트로서 불소계의 에칭액을 이용하고 있다.In a method for manufacturing a halftone mask according to one embodiment of the present invention, in the step of wet etching the etching stopper layer, a fluorine-based etching solution is used as an etchant.
본 발명의 일 형태와 관련되는 하프톤 마스크는 상기의 하프톤 마스크의 제조 방법에 따라 제조된다.The halftone mask according to one embodiment of the present invention is manufactured according to the method for manufacturing the halftone mask described above.
본 발명의 일 형태에 따르면, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에, 에칭 레이트를 금속과 Si의 조성비에 입각해서 제어할 수 있게 하고, 또한, 투명 기판 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 하프톤층에 데미지를 주는 것을 방지하고, 소망한 형상을 가지는 포토마스크를 제조할 수 있게 된는 효과를 발휘한다.According to one embodiment of the present invention, when etching the etching stopper layer, the etching rate can be controlled based on the composition ratio of metal and Si, and damage to the surface of the transparent substrate can be prevented. In addition, it is possible to prevent damage to the halftone layer and to produce a photomask having a desired shape.
도 1은 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 마스크 블랭크스를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 하프톤 마스크를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 마스크 블랭크스의 제조 방법에서의 성막 장치를 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 마스크 블랭크스의 제조 방법에서의 성막 장치를 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 6은 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 7은 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 8은 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 하프톤 마스크의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 9는 본 발명과 관련되는 실시예를 나타내는 그래프이다.1 is a perspective view showing a mask blank according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a halftone mask according to the first embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram showing a film forming apparatus in a method for manufacturing a mask blank according to a first embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram showing a film forming apparatus in a method for manufacturing a mask blank according to a first embodiment of the present invention.
5 is a process chart showing a method of manufacturing a halftone mask according to the first embodiment of the present invention.
6 is a process chart showing a method of manufacturing a halftone mask according to the first embodiment of the present invention.
7 is a process chart showing a method of manufacturing a halftone mask according to the first embodiment of the present invention.
8 is a process chart showing a method of manufacturing a halftone mask according to the first embodiment of the present invention.
9 is a graph showing an embodiment related to the present invention.
이하, 본 발명의 제1실시형태와 관련되는 마스크 블랭크스, 하프톤 마스크의 제조 방법을, 도면에 기초해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a mask blank and a halftone mask according to the first embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
도 1은 본 실시형태에서의 마스크 블랭크스를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에서 부호 MB는 마스크 블랭크스이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a mask blank in the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral MB is a mask blank.
본 실시형태와 관련되는 마스크 블랭크스(MB)는, 예를 들면, 노광광의 파장이 365nm ~ 436nm의 범위에서 사용되는 하프톤 마스크에 제공된다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 마스크 블랭크스(MB)는 투명 기판(S)과, 이 투명 기판(S) 상에 형성된 하프톤층(11)과, 하프톤층(11) 상에 형성된 에칭 스토퍼층(12)과, 이 에칭 스토퍼층(12) 상에 형성된 차광층(13)으로 구성된다.The mask blank MB according to this embodiment is provided, for example, in a halftone mask used in the range of 365 nm to 436 nm in wavelength of exposure light. 1, the mask blank MB includes a transparent substrate S, a
투명 기판(S)으로서는 투명성 및 광학적 등방성이 우수한 재료가 이용되고, 예를 들면, 석영유리 기판을 이용할 수 있다. 투명 기판(S)의 크기는 특별히 제한되지 않고, 상기 마스크를 이용하여 노광하는 기판(예를 들면 LCD(액정 디스플레이), 플라즈마 디스플레이, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 디스플레이 등의 FPD용 기판, 반도체 기판)에 따라 적절히 선정된다. 본 실시형태의 투명 기판(S)으로서는 지름 치수 100 mm 정도의 기판이나, 한 변 50 ~ 100 mm 정도부터 한 변 300 mm 이상의 직사각형 기판을 적용할 수 있고, 또한, 종 450 mm, 횡 550 mm, 두께 8 mm의 석영 기판이나, 최대 변 치수 1000 mm 이상이고, 두께 10 mm 이상의 기판도 이용할 수 있다.As the transparent substrate S, a material excellent in transparency and optical isotropy is used, and, for example, a quartz glass substrate can be used. The size of the transparent substrate S is not particularly limited, and substrates exposed to light using the mask (for example, FPD substrates such as LCD (liquid crystal display), plasma display, organic EL (electroluminescent) display, and semiconductors) It is appropriately selected according to the substrate). As the transparent substrate S of the present embodiment, a substrate having a diameter of about 100 mm or a rectangular substrate having a diameter of about 100 mm or a rectangular substrate having a diameter of about 50 to 100 mm to a side of 300 mm or more can be applied, and further, 450 mm in length and 550 mm in width, A quartz substrate having a thickness of 8 mm, or a substrate having a maximum side dimension of 1000 mm or more and a thickness of 10 mm or more can be used.
또한, 투명 기판(S)의 표면을 연마함으로써 투명 기판(S)의 평탄도를 저감하도록 해도 좋다. 투명 기판(S)의 평탄도는, 예를 들면, 20μm 이하로 할 수 있다. 이것에 의해, 마스크의 초점심도가 깊어져, 미세하고 고정밀한 패턴 형성에 크게 공헌할 수 있게 된다. 또한, 평탄도는 10μm 이하의 작은 값인 것이 양호하다.Further, by polishing the surface of the transparent substrate S, the flatness of the transparent substrate S may be reduced. The flatness of the transparent substrate S can be, for example, 20 μm or less. As a result, the depth of focus of the mask is increased, and it is possible to greatly contribute to the formation of fine and high-precision patterns. Further, the flatness is preferably a small value of 10 μm or less.
하프톤층(11)은 Cr을 주성분으로 하는 층이고, 구체적으로는, Cr 단체(單體), 및 Cr의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물 및 산화탄화질화물로부터 선택되는 1개로 구성할 수 있고, 또한, 상기 재료 중에서 선택되는 2종 이상을 적층해 구성할 수도 있다.The
에칭 스토퍼층(12)으로서는 질소를 함유하는 금속 실리사이드 화합물막, 예를 들면, Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, 및 Hf로부터 선택된 적어도 1종의 금속이나, 상기 금속을 포함하는 합금과 Si를 포함하는 막, 특히, 몰리브덴 실리사이드 화합물막, MoSiX(X
예의 검토 결과, MoSi 막의 조성에 관해서는, Mo와 Si의 조성비에서, MoSiX 막에서의 X의 값은 2.0 ~ 3.7의 범위가 바람직하다. 여기서, MoSiX 막에서의 X의 값을 이 범위 내에서 작은 값을 선택하면, 에칭 레이트를 높게 할 수 있다. 또한, MoSiX 막에서의 X의 값을 이 범위 내에서 큰 값을 선택하면, 에칭 레이트를 낮게 할 수 있다. 따라서, 후술의 도 9에 나타낸 바와 같이, 소정의 조성비로 되는 타겟을 선택하고 성막을 행한 경우, 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 레이트를 조성비에 따라 제어할 수 있다.As a result of intensive examination, regarding the composition of the MoSi film, in the composition ratio of Mo and Si, the value of X in the MoSi X film is preferably in the range of 2.0 to 3.7. Here, if a small value of X in the MoSi X film is selected within this range, the etching rate can be increased. In addition, if a large value of X in the MoSi X film is selected within this range, the etching rate can be lowered. Therefore, as shown in FIG. 9 described later, when a target having a predetermined composition ratio is selected and film formation is performed, the etching rate of the
여기서, MoSiX 막에서의 X의 값을 2.0보다 작게 하면, 소망한 조성비로 타겟을 제조하는 것이 어려워지기 때문에, 바람직하지 않다. 또한, MoSiX 막에서의 X의 값을 4.0보다 크게 하면, 후술하는 질소 농도에 의한 에칭 레이트의 제어가 어려워지기 때문에, 바람직하지 않다.Here, if the value of X in the MoSi X film is smaller than 2.0, it becomes difficult to manufacture the target with a desired composition ratio, which is not preferable. Further, if the value of X in the MoSi X film is larger than 4.0, it is difficult to control the etching rate by nitrogen concentration described later, which is not preferable.
또한, 이 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 레이트의 제어는, MoSiX 막에서의 X의 값을 2.0 ~ 3.7의 범위로 함으로써, 질소 농도에 대한 관계성이 제어성을 가장 향상시킬 수 있기 때문에, 이것이 바람직한 것을 알 수 있었다.In addition, the control of the etching rate of the
이 때문에 본 검토에서는, X의 값이 2.3 ~ 3.7의 타겟을 이용하고 있다. Si의 비율이 작을수록, Cr을 주성분으로 하는 층에 대한 에칭 선택비를 크게 하는 등, 소정의 범위로 설정되는 자유도를 증대할 수 있게 된다.For this reason, in this study, targets with a value of X of 2.3 to 3.7 are used. The smaller the ratio of Si, the greater the degree of freedom set in a predetermined range, such as increasing the etching selectivity for the layer containing Cr as a main component.
또한, MoSi 막 중의 질소 농도를 제어함으로써 MoSi 막의 에칭 레이트를, 질소 농도에 대응한 소망한 값으로 설정할 수 있다.Further, by controlling the nitrogen concentration in the MoSi film, the etching rate of the MoSi film can be set to a desired value corresponding to the nitrogen concentration.
에칭 스토퍼층(12)은 두께 방향의 차광층(13)측에 질소 농도가 높게 설정되는 고질소 영역(12A)이 설치된다. 고질소 영역(12A)의 질소 농도가 30atm% 이상으로 설정된다. 또한, 고질소 영역(12A)의 질소 농도가 40atm% 이상으로 설정되는 것이 보다 바람직하다. 고질소 영역(12A)의 막 두께는 5nm 이상 10nm 이하로 설정된다.The
에칭 스토퍼층(12)은 고질소 영역(12A)과, 고질소 영역(12A)보다도 하프톤층(11)의 저질소 영역(12B)을 합친 막 두께가 15nm 이상 40nm 이하가 되도록 설정되어 있다.The
에칭 스토퍼층(12)의 저질소 영역(12B)의 질소 농도는 고질소 영역(12A)보다도 낮게 설정되어 있으면 좋지만, 30atm% 이하로 설정될 수 있다. 또한, 저질소 영역(12B)의 질소 농도는 20atm% 이하, 혹은 질소 농도가 10atm% 이하로 설정될 수 있다.The nitrogen concentration of the
또한, 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)에서는, MoSi 막의 조성에 관해서는, Mo와 Si의 조성비가 모두 같은 비율로 설정할 수 있지만, 다른 조성비로 할 수도 있다.In addition, in the
또한, 에칭 스토퍼층(12)에서, 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)의 계면이 명확하게 존재해도 좋고, 또한, 고질소 영역(12A)으로부터 저질소 영역(12B)을 향해서 두께 방향으로 질소 농도가 경사지도록(서서히 변화하도록, 농도구배를 가지도록) 형성할 수도 있다. 저질소 영역(12B)의 막 두께는 10nm 이상 25nm 이하로 설정된다.In addition, in the
에칭 스토퍼층(12)으로서는 질소 농도, 및 MoSi 막의 조성으로서 Mo와 Si의 조성비를 설정함으로써, 후술의 도 9에 나타낸 바와 같이, 에칭 스토퍼층(12)으로서 에칭에 대한 막 특성, 즉, 에칭 레이트를 설정할 수 있다.By setting the nitrogen concentration as the
이것에 의해, 에칭 스토퍼층(12)보다 상측(표면 측, 외측)에 위치하는 차광층(13)의 에칭에서는, 에칭 스토퍼층(12)이 높은 선택성을 가지고 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 레이트를 낮게 하고, 에칭 스토퍼층(12)이 에칭 내성을 가지고 하프톤층(11)에의 데미지 발생을 방지하도록 막 조성을 설정할 수 있다. 이 경우, 차광층(13)의 계면측인 고질소 영역(12A)의 질소 농도를 높게 하는 것이 바람직하다. 동시에, 고질소 영역(12A)의 막 두께를 상술한 범위로 하는 것이 바람직하다.Accordingly, in the etching of the light-
동시에, 에칭 스토퍼층(12)의 에칭에서는, 에칭 레이트를 낮게 하고, 에칭 처리 시간을 짧게 해, 유리 기판(투명 기판)(S)이 에칭되는 것을 억제하여 유리 기판(투명 기판)(S)에서의 데미지 발생을 방지할 수 있게 된다. 이 경우, 하프톤층(11)측인 저질소 영역(12B)의 질소 농도를 낮게 하는 것이 바람직하다. 동시에, 저질소 영역(12B)의 막 두께를 상술한 범위로 하는 것이 바람직하다.At the same time, in the etching of the
차광층(13)은 Cr을 주성분으로 하는 것이고, 구체적으로는, Cr 및 질소를 포함하는 것으로 된다. 또한, 차광층(13)이 두께 방향으로 다른 조성을 가질 수도 있고, 이 경우, 차광층(13)으로서 Cr 단체, 및 Cr의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 탄화질화물 및 산화탄화질화물로부터 선택되는 1개, 또는 2종 이상을 적층해 구성할 수도 있다.The light-
차광층(13)은 소정의 광학 특성이 얻어지는 두께(예를 들면, 80nm ~ 200nm)로 형성된다.The
여기서, 차광층(13)과 하프톤층(11)은 모두 크롬계 박막이고, 또한, 산화질화되어 있다. 차광층(13)과 하프톤층(11)을 비교하면, 하프톤층(11)의 산화도가 차광층(13)의 산화도보다 커서 산화되기 어렵게 설정되어 있다.Here, the light-
본 실시형태의 마스크 블랭크스(MB)는, 예를 들면 FPD용 유리 기판에 대한 패터닝용 마스크인 하프톤 마스크(M)를 제조할 때에 적용할 수 있다.The mask blank MB of this embodiment can be applied, for example, when manufacturing the halftone mask M which is a mask for patterning on a glass substrate for FPD.
도 2는 본 실시형태에서의 마스크 블랭크스로부터 제조되는 하프톤 마스크를 나타내는 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view showing a halftone mask produced from mask blanks in this embodiment.
본 실시형태의 하프톤 마스크(M)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 마스크 블랭크스(MB)에서, 유리 기판(투명 기판)(S)의 노출된 투과 영역(M1)과, 하프톤층(11)으로부터 패턴 형성된 하프톤 패턴(11a)만이 유리 기판(투명 기판)(S)에 형성되어 있는 하프톤 영역(M2)과, 하프톤층(11)과 에칭 스토퍼층(12)과 차광층(13)으로 패턴 형성된 하프톤 패턴(11a)와 에칭 스토퍼 패턴(12a)과 차광 패턴(13a)이 적층된 차광 영역(M3)을 가진다.As shown in FIG. 2, the halftone mask M of the present embodiment is, in the mask blank MB, the exposed transmission region M1 of the glass substrate (transparent substrate) S, and the
이 하프톤 마스크(M)에서, 하프톤 영역(M2)은, 예를 들면, 노광 처리에서 투과광에 대해 반투과성을 가지게 할 수 있는 영역으로 된다. 차광 영역(M3)은, 노광 처리에서 차광 패턴(13a)에 의해서 조사광을 투과하지 않을 수 있는 영역으로 된다.In this halftone mask M, the halftone region M2 becomes a region capable of having translucency with respect to transmitted light in, for example, exposure processing. The light-shielding region M3 becomes a region in which irradiation light cannot be transmitted by the light-
예를 들면, 하프톤 마스크(M)에 따르면, 노광 처리에서, 파장 영역의 광, 특히 g선(436nm), h선(405nm), i선(365nm)을 포함하는 복합 파장을 노광광으로서 이용할 수 있다. 이것에 의해, 노광과 현상을 행하여 유기 수지의 형상을 제어하고, 적절한 형상의 스페이서나 개구부를 형성할 수 있게 된다. 또한, 패턴 정밀도가 대폭 향상해 미세하고 고정밀한 패턴 형성이 가능해진다.For example, according to the halftone mask (M), in the exposure treatment, light in the wavelength region, in particular, a complex wavelength including g-line (436 nm), h-line (405 nm), and i-line (365 nm) is used as exposure light. I can. Thereby, exposure and development are performed to control the shape of the organic resin, and spacers or openings of an appropriate shape can be formed. In addition, pattern accuracy is greatly improved, enabling fine and high-precision pattern formation.
이 하프톤 마스크에 따르면, 상기 파장 영역의 광을 이용함으로써 패턴 정밀도의 향상을 도모할 수 있어 미세하고 고정밀한 패턴 형성이 가능해진다. 이것에 의해, 고화질의 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 수 있다.According to this halftone mask, it is possible to improve the pattern accuracy by using light in the wavelength region, thereby enabling fine and highly precise pattern formation. Thereby, a high-quality flat panel display or the like can be manufactured.
이하, 본 실시형태의 마스크 블랭크스(MB)의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the mask blank MB of this embodiment is demonstrated.
본 실시형태에서의 마스크 블랭크스(10B)는 도 3 또는 도 4에 나타내는 제조 장치에 의해 제조된다.The mask blank 10B in this embodiment is manufactured by the manufacturing apparatus shown in FIG. 3 or 4.
도 3에 나타내는 제조 장치(S10)는 인터백(interback)식의 스퍼터링 장치이다. 제조 장치(S10)는 로드·언로드실(S11)과, 로드·언로드실(S11)에 밀폐부(S13)를 통해 접속된 성막실(진공처리실)(S12)을 가진다.The manufacturing apparatus S10 shown in FIG. 3 is an interback type sputtering apparatus. The manufacturing apparatus S10 has a load/unload chamber S11, and a film formation chamber (vacuum processing chamber) S12 connected to the load/unload chamber S11 through a sealing portion S13.
로드·언로드실(S11)에는, 제조 장치(S10)의 외부로부터 반입된 유리 기판(S)을 성막실(S12)로 반송하거나, 혹은 성막실(S12) 내의 유리 기판(S)을 제조 장치(S10)의 외부로 반송하는 반송부(S11a)와, 이 로드·언로드실(S11) 내를 조(粗) 진공으로 하는 로터리 펌프 등의 배기부(S11b)가 설치된다.In the load/unload chamber S11, the glass substrate S carried in from the outside of the manufacturing apparatus S10 is conveyed to the film forming chamber S12, or the glass substrate S in the film forming chamber S12 is placed in a manufacturing apparatus ( A conveyance part S11a conveyed to the outside of S10 and an exhaust part S11b such as a rotary pump for making the inside of the load/unload chamber S11 a tank vacuum are provided.
성막실(S12)에는, 기판 유지부(S12a)와 성막 재료를 공급하는 장치로서 타겟(S12b)을 가지는 캐소드 전극(백킹 플레이트)(S12c)과, 백킹 플레이트(S12c)에 음 전위의 스퍼터 전압을 인가하는 전원(S12d)과, 이 성막실 내에 가스를 도입하는 가스 도입부(S12e)와, 성막실(S12)의 내부를 고진공으로 하는 터보분자펌프 등의 고진공 배기부(S12f)가 설치되어 있다.In the film formation chamber S12, a negative potential sputtering voltage is applied to the cathode electrode (backing plate) S12c having the target S12b as a device for supplying the substrate holding portion S12a and the film formation material to the backing plate S12c. A power supply S12d to be applied, a gas introduction part S12e for introducing gas into the film formation chamber, and a high vacuum exhaust part S12f such as a turbo molecular pump for making the inside of the film formation chamber S12 high vacuum are provided.
기판 유지부(S12a)는, 반송부(S11a)에 의해서 반송되어 온 유리 기판(S)을 받고, 성막 중에 타겟(S12b)과 대향하도록 유리 기판(S)을 유지하는 것과 함께, 유리 기판(S)을 로드·언로드실(S11)로부터의 반입 및 로드·언로드실(S11)로 반출할 수 있도록 되어 있다.The substrate holding part S12a receives the glass substrate S conveyed by the conveyance part S11a, holds the glass substrate S so as to face the target S12b during film formation, and the glass substrate S ) Can be carried in from the load/unload chamber S11 and can be carried out to the load/unload chamber S11.
타겟(S12b)은, 유리 기판(S)에 성막하기 위해서 필요한 조성을 가지는 재료로 이루어진다.The target S12b is made of a material having a composition necessary for forming a film on the glass substrate S.
도 3에 나타내는 제조 장치(S10)에서는, 로드·언로드실(S11)로부터 반입한 유리 기판(S)에 대해서, 성막실(진공처리실)(S12)에서 스퍼터링 성막을 행한 후, 로드·언로드실(S11)로부터 성막이 종료한 유리 기판(S)을 제조 장치(S10)의 외부로 반출한다.In the manufacturing apparatus S10 shown in FIG. 3, after sputtering film formation on the glass substrate S carried in from the load/unload chamber S11 in the film formation chamber (vacuum processing chamber) S12, the load/unload chamber ( The glass substrate S on which the film formation was completed from S11 is taken out to the outside of the manufacturing apparatus S10.
성막 공정에서는, 가스 도입부(S12e)로부터 성막실(S12)로 스퍼터 가스와 반응 가스를 공급하고, 외부의 전원으로부터 백킹 플레이트(캐소드 전극)(S12c)에 스퍼터 전압을 인가한다. 또한, 마그네트론 자기회로에 의해 타겟(S12b) 상에 소정의 자장을 형성해도 좋다. 성막실(S12) 내에서 플라즈마에 의해 여기된 스퍼터 가스의 이온이 캐소드 전극(S12c)의 타겟(S12b)에 충돌해 성막 재료의 입자를 튀어나오게 한다. 그리고, 튀어나온 입자와 반응 가스가 결합한 후, 유리 기판(S)에 부착함으로써, 유리 기판(S)의 표면에 소정의 막이 형성된다.In the film formation process, a sputter gas and a reactive gas are supplied from the gas introduction portion S12e to the film formation chamber S12, and a sputter voltage is applied to the backing plate (cathode electrode) S12c from an external power source. Further, a predetermined magnetic field may be formed on the target S12b by a magnetron magnetic circuit. The ions of the sputter gas excited by the plasma in the film formation chamber S12 collide with the target S12b of the cathode electrode S12c, causing particles of the film formation material to bounce. Then, after the protruding particles and the reactive gas are bonded to each other, a predetermined film is formed on the surface of the glass substrate S by adhering to the glass substrate S.
이 때, 하프톤층(11)의 성막 공정과, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정과, 차광층(13)의 성막 공정에서 필요한 조성을 가지는 타겟(S12b)으로 교환한다. 또한, 하프톤층(11)의 성막 공정과, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정과, 차광층(13)의 성막 공정에서는, 성막 조건을 다르게 하여 성막이 행해진다. 구체적으로, 가스 도입부(S12e)로부터 다른 양의 질소 가스 등의 필요한 성막 가스를 성막실(S12)로 공급하는 것과 함께, 성막 가스를 구성하는 가스의 분압을 제어하도록 가스종을 변경한다. 이것에 의해서, 하프톤층(11), 에칭 스토퍼층(12), 및 차광층(13)의 조성을 설정한 범위 내로 한다.At this time, it is replaced with a target S12b having a composition required in the film formation process of the
또한, 이러한 하프톤층(11)의 성막 공정, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정, 및 차광층(13)의 성막 공정 외에, 그 외의 다른 막을 적층할 수도 있다. 이 경우에는, 그 외의 막을 구성하는 재료에 대응하는 타겟, 가스 등의 스퍼터 조건으로서 스퍼터링에 의해 성막하하거나, 다른 성막 방법에 따라 상기 막을 적층하고, 본 실시형태의 마스크 블랭크스(MB)를 제조한다.In addition to such a film forming step of the
또한, 도 4에 나타내는 제조 장치(S20)는 인라인(Inline)식의 스퍼터링 장치이다. 제조 장치(S20)는, 로드실(S21)과, 로드실(S21)에 밀폐부(S23)를 통해 접속된 성막실(진공처리실)(S22)과, 성막실(S22)에 밀폐부(S24)를 통해 접속된 언로드실(S25)을 가진다.In addition, the manufacturing apparatus S20 shown in FIG. 4 is an inline type sputtering apparatus. The manufacturing apparatus S20 includes a rod chamber S21, a film forming chamber (vacuum processing chamber) S22 connected to the rod chamber S21 through a sealing portion S23, and a sealing portion S24 in the film forming chamber S22. ) Has an unloading chamber (S25) connected through it.
로드실(S21)에는, 제조 장치(S20)의 외부로부터 반입된 유리 기판(S)을 성막실(S22)로 반송하는 반송부(S21a)와, 이 로드실(S21) 내를 조 진공으로 하는 로터리 펌프 등의 배기부(S21b)가 설치된다.In the load chamber S21, a conveyance part S21a which conveys the glass substrate S carried in from the outside of the manufacturing apparatus S20 to the film formation chamber S22, and the inside of this load chamber S21 make a rough vacuum. An exhaust part S21b such as a rotary pump is provided.
성막실(S22)에는, 기판 유지부(S22a)와, 성막 재료를 공급하는 장치로서 타겟(S22b)을 가지는 캐소드 전극(백킹 플레이트)(S22c)과, 백킹 플레이트(S22c)에 음 전위의 스퍼터 전압을 인가하는 전원(S22d)과, 이 성막실 내에 가스를 도입하는 가스 도입부(S22e)와, 성막실(S22)의 내부를 고진공으로 하는 터보분자펌프 등의 고진공 배기부(S22f)가 설치되어 있다.In the film formation chamber S22, a substrate holding portion S22a, a cathode electrode (backing plate) S22c having a target S22b as a device for supplying a film formation material, and a sputtering voltage of negative potential to the backing plate S22c A power supply (S22d) that applies gas, a gas introduction part (S22e) that introduces gas into the film formation chamber, and a high vacuum exhaust part (S22f) such as a turbo molecular pump that makes the interior of the film formation chamber (S22) high vacuum. .
기판 유지부(S22a)는, 반송부(S21a)에 의해서 반송되어 온 유리 기판(S)을 받고, 성막 중에 타겟(S22b)와 대향하도록 유리 기판(S)을 유지하는 것과 함께, 유리 기판(S)을 로드실(S21)로부터의 반입 및 언로드실(S25)로 반출할 수 있도록 되어 있다.The substrate holding part S22a receives the glass substrate S conveyed by the conveyance part S21a, holds the glass substrate S so as to face the target S22b during film formation, and the glass substrate S ) Can be carried in from the load chamber S21 and taken out to the unload chamber S25.
타겟(S22b)은 유리 기판(S)에 성막하기 위해서 필요한 조성을 가지는 재료로 이루어진다.The target S22b is made of a material having a composition necessary for forming a film on the glass substrate S.
언로드실(S25)에는, 성막실(S22)로부터 반입된 유리 기판(S)을 제조 장치(S20)의 외부로 반송하는 반송부(S25a)와 이 성막실 내를 조 진공으로 하는 로터리 펌프 등의 배기부(S25b)가 설치된다.In the unloading chamber S25, a conveying unit S25a that conveys the glass substrate S carried in from the film forming chamber S22 to the outside of the manufacturing apparatus S20, and a rotary pump that makes the inside of the film forming chamber a rough vacuum, etc. The exhaust part S25b is provided.
도 4에 나타내는 제조 장치(S20)에서는, 로드실(S21)로부터 반입한 유리 기판(S)에 대해서, 성막실(진공처리실)(S22)에서 스퍼터링 성막을 행한 후, 언로드실(S25)로부터 성막이 종료한 유리 기판(S)을 제조 장치(S20)의 외부로 반출한다.In the manufacturing apparatus S20 shown in FIG. 4, after sputtering film formation on the glass substrate S carried in from the load chamber S21 in the film forming chamber (vacuum processing chamber) S22, the film is formed from the unload chamber S25. The finished glass substrate S is taken out to the outside of the manufacturing apparatus S20.
성막 공정에서는, 가스 도입부(S22e)로부터 성막실(S22)에 스퍼터 가스와 반응 가스를 공급해, 외부의 전원으로부터 백킹 플레이트(캐소드 전극)(S22c)에 스퍼터 전압을 인가한다. 또한, 마그네트론 자기회로에 의해 타겟(S22b) 상에 소정의 자장을 형성해도 좋다. 성막실(S22) 내에서 플라즈마에 의해 여기된 스퍼터 가스의 이온이 캐소드 전극(S22c)의 타겟(S22b)에 충돌해 성막 재료의 입자를 튀어나오게 한다. 그리고, 튀어나온 입자와 반응 가스가 결합한 후, 유리 기판(S)에 부착함으로써 유리 기판(S)의 표면에 소정의 막이 형성된다.In the film formation process, a sputter gas and a reactive gas are supplied from the gas introduction portion S22e to the film formation chamber S22, and a sputter voltage is applied to the backing plate (cathode electrode) S22c from an external power source. Further, a predetermined magnetic field may be formed on the target S22b by a magnetron magnetic circuit. The ions of the sputter gas excited by the plasma in the film formation chamber S22 collide with the target S22b of the cathode electrode S22c, causing particles of the film formation material to bounce. Then, after the protruding particles and the reactive gas are bonded to each other, a predetermined film is formed on the surface of the glass substrate S by adhering to the glass substrate S.
이 때, 하프톤층(11)의 성막 공정과, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정과, 차광층(13)의 성막 공정에서 필요한 조성을 가지는 타겟(212b)으로 교환한다. 또한, 하프톤층(11)의 성막 공정과, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정과, 차광층(13)의 성막 공정에서는, 성막 조건을 다르게 하여 성막이 행해진다. 구체적으로, 가스 도입부(S22e)로부터 다른 양의 질소 가스 등의 필요한 성막 가스를 성막실(S22)로 공급하는 것과 함께, 성막 가스를 구성하는 가스의 분압을 제어하도록 가스종을 변경한다. 이것에 의해서, 하프톤층(11), 에칭 스토퍼층(12), 및 차광층(13)의 조성을 설정한 범위 내로 한다.At this time, the target 212b having a composition required in the film forming process of the
또한, 이러한 하프톤층(11)의 성막 공정, 에칭 스토퍼층(12)의 성막 공정, 및 차광층(13)의 성막 공정 외에, 그 외의 막을 적층할 수도 있다. 이 경우에는, 그 외의 막을 구성하는 재료에 대응하는 타겟, 가스 등의 스퍼터 조건으로서 스퍼터링에 의해 성막하거나, 다른 성막 방법에 따라 상기 막을 적층하여 본 실시형태의 마스크 블랭크스(MB)를 제조한다.Moreover, in addition to the film formation process of the
상기의 제조 장치(S10) 또는 제조 장치(S20)에서는, 우선, 유리 기판(S) 상에, DC스퍼터링법 등을 이용하여 Cr을 주성분으로 하는 하프톤층(11), Mo 및 Si를 주성분으로 하는 에칭 스토퍼층(12)를 순서대로 성막한다.In the above manufacturing apparatus (S10) or manufacturing apparatus (S20), first, on a glass substrate (S), using a DC sputtering method or the like, a
하프톤층(11)의 성막에서는, Cr을 주성분으로 하는 타겟(S12b) 또는 타겟(S22b)을 이용한다.In the film formation of the
에칭 스토퍼층(12)의 성막에서는, Mo 및 Si를 주성분으로 하고, 상술한 조성비를 가지는 타겟(S12b) 또는 타겟(S22b)을 이용하여 질소를 함유하는 가스 분위기(성막 분위기)로 하는 것과 함께, 상술한 저질소 영역(12B)의 질소 농도가 되도록 분위기 가스 중의 질소 농도를 설정한다. 또한, 고질소 영역(12A)의 질소 농도가 되도록 분위기 가스 중의 질소 농도를 설정한다.In the deposition of the
이 때, 에칭 스토퍼층(12)의 성막을 일시 중단하거나, 또는 단속적으로 성막하는 것과 함께, 질소 농도를 변경하여 저질소 영역(12B)과 고질소 영역(12A)의 계면을 형성할 수 있다.At this time, the deposition of the
혹은 에칭 스토퍼층(12)의 성막을 연속적으로 행하는 것과 함께, 질소 농도를 서서히 증가하도록 변화시켜 저질소 영역(12B)으로부터 고질소 영역(12A)으로 경사 농도를 가지도록 형성할 수 있다.Alternatively, the
다음에, Cr을 주성분으로 하는 차광층(13)을 에칭 스토퍼층(12) 상에 성막한다.Next, a light-
이 때, 성막 조건으로서 크롬을 타겟으로 한 DC 스퍼터링에 의해, 스퍼터링 가스로서 아르곤, 질소(N2) 등을 포함하는 상태에서 스퍼터링을 행할 수 있다.At this time, sputtering can be performed in a state containing argon, nitrogen (N 2 ) or the like as a sputtering gas by DC sputtering targeting chromium as a film forming condition.
또한, 스퍼터링의 진행에 따라 그 조건을 변화시킴으로써, 유리 기판(S)측에 크롬 층을 가지고, 그 위에 산화크롬 층을 가지는 상태로 차광층(13)을 성막하는 것 등을 할 수 있다.Further, by changing the conditions according to the progress of sputtering, it is possible to form a film of the light-
또한, 차광층(13), 및 하프톤층(11)의 성막에서는, 각각의 층에서 요구되는 광학 특성에 따라, 필요한 조성을 가지는 타겟(S12b) 또는 타겟(S22b)을 이용하여 분위기 가스의 종류·성막 조건을 선택하는 것이 바람직하다.In addition, in the film formation of the
이하, 이와 같이 제조된 본 실시형태의 마스크 블랭크스(MB)로부터 하프톤 마스크를 제조하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a halftone mask from the mask blank MB of the present embodiment manufactured as described above will be described.
도 5는 본 실시형태에서의 마스크 블랭크스에 의한 하프톤 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 6은 본 실시형태에서의 마스크 블랭크스에 의한 하프톤 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a halftone mask using mask blanks in this embodiment. Fig. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a halftone mask using mask blanks in this embodiment.
여기서, 마스크 블랭크스(MB)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 하프톤층(11)과 에칭 스토퍼층(12)과 차광층(13)이 성막된 영역과, 유리 기판(S)이 노출된 투과 영역(M1)을 가진다.Here, the mask blank MB is a region in which the
다음에, 도 5에 나타낸 바와 같이, 마스크 블랭크스(MB)의 최상층인 차광층(13) 상에 포토레지스트층(PR1)를 형성한다. 이 때, 투과 영역(M1)에도 포토레지스트층(PR1)를 형성한다.Next, as shown in Fig. 5, a photoresist layer PR1 is formed on the
포토레지스트층(PR1)은 포지티브형이어도 좋고 네거티브형이어도 좋지만, 포지티브형으로 할 수 있다. 포토레지스트층(PR1)으로서는 액상 레지스트가 이용된다.The photoresist layer PR1 may be of a positive type or a negative type, but may be of a positive type. As the photoresist layer PR1, a liquid resist is used.
계속해서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트층(PR1)을 노광하는 것과 함께 현상함으로써 차광층(13) 상에 레지스트 패턴(PR1a)이 형성된다. 레지스트 패턴(PR1a)은 차광층(13), 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 마스크로서 기능하고, 차광층(13), 에칭 스토퍼층(12)을 제거한 하프톤 영역(M2)의 에칭 패턴에 따라 적절히 형상이 정해진다. 일례로서 레지스트 패턴(PR1a)은, 하프톤 영역(M2)에서는 형성하는 차광 패턴(13a), 에칭 스토퍼 패턴(12a)의 개구 폭 치수에 대응한 개구 폭을 가지는 형상으로 설정된다.Subsequently, as shown in FIG. 6, the photoresist layer PR1 is exposed and developed to form a resist pattern PR1a on the light-
그 다음에, 도 7에 나타낸 바와 같이, 이 레지스트 패턴(PR1a) 너머 소정의 에칭액(에천트)을 이용하여 차광층(13)을 웨트 에칭하는 공정을 개시한다.Then, as shown in Fig. 7, a process of wet etching the light-
에칭액으로서는 질산세륨 제2암모늄을 포함하는 에칭액을 이용할 수 있고, 예를 들면, 질산이나 과염소산 등의 산을 함유하는 질산세륨 제2암모늄을 이용하는 것이 바람직하다.As the etching solution, an etching solution containing cerium nitrate second ammonium can be used. For example, it is preferable to use cerium nitrate second ammonium containing an acid such as nitric acid or perchloric acid.
여기서, 에칭 스토퍼층(12)은 이 에칭액에 대해서 차광층(13)에 비해 높은 내성을 가지기 때문에, 우선, 차광층(13)만이 패터닝되어 차광 패턴(13a)이 형성된다. 차광 패턴(13a)은, 레지스트 패턴(PR1a)에 대응한 개구 폭을 가지고 하프톤 영역(M2)에 대응하는 형상으로 된다.Here, since the
이 때, 에칭 스토퍼층(12)의 고질소 영역(12A)은, 에칭액에 대해서, 필요한 선택비를 가져, 에칭 레이트가 매우 작게 설정됨으로써 충분한 에칭 내성을 가진다. 따라서, 에칭 스토퍼층(12)에 피트(pit) 등의 데미지가 발생하는 경우는 없고, 차광층(13)과 동일한 계통의 Cr을 가지는 하프톤층(11)에 데미지가 발생하는 경우는 없다.At this time, the
그 다음에, 도 8에 나타낸 바와 같이, 레지스트 패턴(PR1a)을 제거한다. 레지스트 패턴(PR1a)의 제거에는, 공지의 레지스트 박리액을 이용할 수 있기 때문에, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.Then, as shown in Fig. 8, the resist pattern PR1a is removed. Since a known resist stripper can be used to remove the resist pattern PR1a, detailed descriptions are omitted here.
그 후, 차광 패턴(13a) 너머 소정의 에칭액을 이용하여 에칭 스토퍼층(12)을 웨트 에칭하는 공정을 개시한다.After that, a process of wet etching the
에칭액으로서는, 에칭 스토퍼층(12)이 MoSi인 경우에는, 에칭액으로서 불소계, 즉, 불화수소산, 규불화수소산, 불화수소암모늄으로부터 선택되는 적어도 하나의 불소화합물과, 과산화수소, 질산, 황산으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화제를 포함하는 에칭액을 이용하는 것이 바람직하다.As the etching solution, when the
에칭 스토퍼층(12)의 웨트 에칭에서는, 차광 패턴(13a)으로 덮여 있지 않은 하프톤 영역(M2)에서, 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)이 순서대로 에칭된다. 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)의 질소 농도에 따라, 고질소 영역(12A)의 에칭 레이트는 작아지고 저질소 영역(12B)의 에칭 레이트는 커진다. 이것에 의해, 에칭 스토퍼층(12)의 웨트 에칭 시간을 짧게 하고, 투과 영역(M1)에서 노출된 유리 기판(투명 기판)(S) 표면에 대한 에칭에 의한 데미지 발생을 방지할 수 있다.In wet etching of the
에칭 스토퍼층(12)이 에칭되어 하프톤층(11)이 노출된 시점에서 에칭 스토퍼층(12)의 에칭이 종료한다. 이것에 의해 하프톤 영역(M2)에서 하프톤층(11)이 노출된다.When the
이것에 의해, 도 2에 나타낸 바와 같이, 광학적으로 설정된 소정의 차광 패턴(13a)과 에칭 스토퍼 패턴(12a)과 하프톤 패턴(11a)을 가지고, 투과 영역(M1)과 하프톤 영역(M2)과 차광 영역(M3)이 형성된 하프톤 마스크(M)를 얻을 수 있다.Thereby, as shown in FIG. 2, with the predetermined light-
본 실시형태에 따르면, 에칭 스토퍼층(12)에 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)을 형성하는 것과 함께, Mo와 Si의 조성비를 상술한 범위로 설정함으로써, 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 시에, 에칭 레이트를 이러한 질소 조성비에 입각해서 제어할 수 있다. 이것에 의해, 에칭 스토퍼층(12)의 에칭 처리 시간을 단축시켜 유리 기판(S)의 표면에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 할 수 있다.According to this embodiment, the
본 실시형태에 따르면, 에칭 스토퍼층(12)에 고질소 영역(12A)과 저질소 영역(12B)을 형성함으로써 최초로 에칭이 진행하기 시작하는 차광층(13)과 에칭 스토퍼층(12)의 계면에서 에칭 스토퍼층(12)의 질소 농도를 높게 함으로써 계면에서 에칭의 과잉 진행을 억제할 수 있다.According to the present embodiment, by forming the
이것에 의해, Cr을 주성분으로 하는 차광층(13)을 에칭할 때에, 충분한 선택성을 가지고 에칭 스톱 기능이 얻어지고 소망한 형상을 가지는 하프톤 마스크(M)를 제조할 수 있게 된다. 이것에 의해, 차광층(13)의 에칭 처리에서 하프톤층(11)에 데미지를 주는 것을 방지할 수 있게 할 수 있다.Thereby, when etching the light-
또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 투과 영역(M1)으로서 상기의 에칭 공정과 마찬가지로 포토레지스트층을 형성하고, 하프톤층(11)과 에칭 스토퍼층(12)과 차광층(13)으로 이루어지는 적층막에 패턴을 형성하여 유리 기판(S)이 노출된 영역으로 할 수도 있다. 혹은 투과 영역(M1)으로서 하프톤층(11)과 에칭 스토퍼층(12)과 차광층(13)을 적층할 때에, 스퍼터 마스크 등에 의해서, 성막을 행하지 않고 유리 기판(S)이 노출된 영역으로 할 수도 있다.In addition, as shown in Fig. 5, a photoresist layer is formed as the transmission region M1 in the same manner as in the above etching process, and a laminated film comprising a
실시예Example
이하, 본 발명에 관한 실시예를 설명한다.Hereinafter, examples according to the present invention will be described.
또한, 본 발명에서의 마스크 블랭크스, 하프톤 마스크의 구체예로서 우선 마스크 블랭크스의 제조에 대해 설명한다.Further, as a specific example of the mask blanks and halftone masks in the present invention, first, production of the mask blanks will be described.
＜실험예＞<Experimental Example>
우선, 마스크를 형성하기 위한 유리 기판 상에 반투과성의 하프톤층을 형성한다. 이 때에 형성된 하프톤층은 크로뮴, 산소, 질소, 탄소 등을 함유하는 막인 것이 바람직하다. 하프톤층에 함유된 크로뮴, 산소, 질소, 탄소의 조성과 막 두께를 제어함으로써 소망한 투과율을 가지는 하프톤막을 얻을 수 있다.First, a semi-transparent halftone layer is formed on a glass substrate for forming a mask. The halftone layer formed at this time is preferably a film containing chromium, oxygen, nitrogen, carbon, or the like. A halftone film having a desired transmittance can be obtained by controlling the composition and film thickness of chromium, oxygen, nitrogen, and carbon contained in the halftone layer.
그 후, 에칭 스토퍼층으로서 금속 실리사이드 막을 형성한다. 금속 실리사이드 막으로서는, 다양한 막을 이용할 수 있지만, 본 실시예에서는, 몰리브덴 실리사이드를 이용한다. 이 때에 몰리브덴 실리사이드를 형성하기 위해서는 반응성 스퍼터링법을 이용하여 형성한다.After that, a metal silicide film is formed as an etching stopper layer. Various films can be used as the metal silicide film, but molybdenum silicide is used in this embodiment. At this time, in order to form molybdenum silicide, it is formed using a reactive sputtering method.
몰리브덴 실리사이드는, 막 중에 질소를 함유하지 않으면 산이나 알칼리 용액에 대해서 매우 용이하게 에칭되는 성질을 가지고 있다. 이 때문에, 몰리브덴 실리사이드를 에칭 스토퍼층으로서 이용하는 경우에 질소를 함유하는 몰리브덴 실리사이드를 이용한다.Molybdenum silicide has a property of being very easily etched with an acid or alkali solution if the film does not contain nitrogen. For this reason, when molybdenum silicide is used as an etching stopper layer, molybdenum silicide containing nitrogen is used.
여기서 반응성 스퍼터링법을 이용하여 몰리브덴 실리사이드를 형성하는 경우에는, 첨가 가스에 질소를 함유하는 질소나 일산화질소나 이산화질소 등을 이용함으로써 막 중에 질소를 함유하는 몰리브덴 실리사이드를 형성할 수 있다. 또한, 첨가 가스의 가스 유량을 제어함으로써 몰리브덴 실리사이드에 함유되는 질소의 함유량도 제어할 수 있다.Here, in the case of forming molybdenum silicide by using the reactive sputtering method, molybdenum silicide containing nitrogen can be formed in the film by using nitrogen containing nitrogen, nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, or the like as an additive gas. Further, by controlling the gas flow rate of the additive gas, the content of nitrogen contained in the molybdenum silicide can also be controlled.
그 후, 크로뮴을 주성분으로 하는 차광층을 성막한다.After that, a light-shielding layer containing chromium as a main component is formed.
이 때에 차광층의 반사율을 저감하기 위해서 산소농도를 높인 굴절률이 낮은 반사방지층을 차광층 표면에 형성한다. 이와 같이, 금속 실리사이드 막을 에칭 스토퍼층으로 한 하치 구조의 하프톤 마스크 블랭크스를 형성한다.At this time, in order to reduce the reflectance of the light shielding layer, an antireflection layer having a low refractive index with increased oxygen concentration is formed on the surface of the light shielding layer. In this way, a halftone mask blank having a bottom structure in which the metal silicide film is used as an etching stopper layer is formed.
또한, 이 하프톤 마스크 블랭크스로부터 하프톤 마스크를 형성한다.Further, a halftone mask is formed from the halftone mask blanks.
이 경우에는, 우선 레지스트 프로세스를 이용하여, 레지스트 도포, 노광, 현상, 에칭, 레지스트 박리의 프로세스 공정을 거침으로써 차광층을 소망한 패턴으로 가공한다. 여기서, 차광층을 에칭할 때에, 에칭 스토퍼층이 차광층의 에칭액에 의해서 에칭되지 않는 것이 중요하다.In this case, first, using a resist process, the light shielding layer is processed into a desired pattern by going through the process steps of resist coating, exposure, development, etching, and resist stripping. Here, when etching the light-shielding layer, it is important that the etching stopper layer is not etched by the etching solution of the light-shielding layer.
크로뮴을 주성분으로 하는 차광층을 이용하는 경우에서는, 에칭액으로서 질산 제2세륨 암모늄과 과염소산의 혼합액을 이용하는 것이 일반적이지만, 몰리브덴 실리사이드를 에칭 스토퍼층으로서 이용하는 경우에서는, 몰리브덴 실리사이드가 크로뮴의 에칭액에 대해서 거의 에칭되지 않기 때문에 양호한 에칭 스토퍼층으로서 기능한다.In the case of using a light-shielding layer containing chromium as a main component, it is common to use a mixture of ammonium nitrate and perchloric acid as the etching solution. As it is not, it functions as a good etching stopper layer.
다음에 몰리브덴 실리사이드 막에 대해서도 마찬가지로 레지스트 프로세스를 이용하여 에칭 스토퍼층을 가공한다.Next, the etching stopper layer is processed similarly to the molybdenum silicide film using a resist process.
이 때, 몰리브덴 실리사이드 막을 성막한 후에, 에칭하는 것만으로는 에칭 후의 가공 형상이 소망한 상태로 되지 않는 경우가 있는 것이 판명되었다. 구체적으로는, 차광층과 에칭 스토퍼층의 계면만 에칭이 가속해서 진행됨으로써 계면에 틈이 발생되어 버리는 경우가 있다. 이것은 차광층을 형성하는 크로뮴을 주성분으로 하는 막과 에칭 스토퍼층의 밀착성에 문제가 있기 때문에 발생하는 것으로 추측된다.At this time, it turned out that after forming the molybdenum silicide film, only etching may not result in a desired shape after etching. Specifically, only the interface between the light-shielding layer and the etching stopper layer may cause a gap to occur at the interface by accelerating etching. This is presumed to occur because there is a problem in the adhesion between the chromium-based film forming the light-shielding layer and the etching stopper layer.
차광층과 접하는 계면의 몰리브덴 실리사이드의 질소 농도를 높게 하여 고질소 영역(12A)으로 하고, 그 하층의 몰리브덴 실리사이드 막의 질소 농도를 낮게 하여 저질소 영역(12B)으로 함으로써, 차광층과 에칭 스토퍼층의 계면에서 에칭의 가속을 억제할 수 있게 된다.By increasing the nitrogen concentration of the molybdenum silicide at the interface in contact with the light-shielding layer to make the
몰리브덴 실리사이드 막의 깊이 방향으로 질소 농도를 제어하는 방법으로서는, 몰리브덴 실리사이드 막을 적층화하여 층마다 질소 농도를 변화시킬 수도 있고, 몰리브덴 실리사이드 막의 깊이 방향으로 연속적으로 질소 농도를 변화시킬 수도 있다.As a method of controlling the nitrogen concentration in the depth direction of the molybdenum silicide film, the nitrogen concentration may be changed for each layer by stacking a molybdenum silicide film, or the nitrogen concentration may be continuously changed in the depth direction of the molybdenum silicide film.
몰리브덴 실리사이드 막을 적층화하여 층마다 질소 농도를 변화시키는 방법으로서는, 각각의 층을 성막할 때의 가스 유량을 변화시키는 장치를 채용할 수 있다.As a method of laminating a molybdenum silicide film to change the nitrogen concentration for each layer, an apparatus for changing the gas flow rate at the time of forming each layer can be employed.
스퍼터링법을 이용하는 경우에는, 질소 원소를 함유하는 가스인 질소, 일산화질소, 이산화질소 등의 가스 유량을 불활성 가스인 아르곤 등의 가스 유량과 비교해 제어함으로써 몰리브덴 실리사이드 막 중의 질소 농도를 제어할 수 있다.In the case of using the sputtering method, the nitrogen concentration in the molybdenum silicide film can be controlled by controlling the flow rate of gas such as nitrogen, nitrogen monoxide, and nitrogen dioxide, which are gases containing nitrogen element, compared with the flow rate of gas such as argon, which is an inert gas.
또한, 스퍼터 성막 중에 질소를 포함하는 가스 유량비를 시간적으로 변화시킴으로써 몰리브덴 실리사이드 막의 깊이 방향으로 질소 농도를 연속적으로 제어할 수도 있다. 인라인형이나 인터백형의 스퍼터 장치를 사용하는 경우에는, 질소 가스와 그 외의 가스의 비율을 타겟에 대한 위치에서 제어함으로써 깊이 방향으로 질소 농도를 제어할 수 있다.Further, it is also possible to continuously control the nitrogen concentration in the depth direction of the molybdenum silicide film by temporally changing the flow rate ratio of the gas containing nitrogen during sputter formation. In the case of using an in-line type or interback type sputtering device, the nitrogen concentration can be controlled in the depth direction by controlling the ratio of nitrogen gas and other gases at a position with respect to the target.
도 9에 몰리브덴 실리사이드의 성막 조건을 변화시켜 성막한 경우의 몰리브덴 실리사이드 막 중의 조성과 에칭 레이트의 관계를 나타낸다.Fig. 9 shows the relationship between the composition in the molybdenum silicide film and the etching rate when the film is formed by changing the film formation conditions of molybdenum silicide.
여기서 몰리브덴 실리사이드 막을 에칭하기 위해서 이용한 에칭액은 불화수소산과 산화제를 포함하는 용액이다.Here, the etchant used to etch the molybdenum silicide film is a solution containing hydrofluoric acid and an oxidizing agent.
몰리브덴 실리사이드 막 중의 질소 농도가 높아질수록 에칭 레이트가 저하되는 것을 알 수 있다. 이것으로부터, 차광층과 접하는 영역의 몰리브덴 실리사이드의 질소 농도를 하층의 몰리브덴 실리사이드의 질소 농도보다도 높게 함으로써, 계면 영역의 에칭의 가속을 억제할 수 있다.It can be seen that the higher the nitrogen concentration in the molybdenum silicide film, the lower the etching rate. Accordingly, by making the nitrogen concentration of molybdenum silicide in the region in contact with the light-shielding layer higher than the nitrogen concentration of molybdenum silicide in the lower layer, acceleration of the etching of the interface region can be suppressed.
에칭 스토퍼층이 되는 몰리브덴 실리사이드 막의 가공 후에 몰리브덴 실리사이드 막을 마스크로 하여 크로뮴을 주성분으로 하는 하프톤막을 에칭한다. 그 후에 레지스트막을 박리함으로써 차광층과 에칭 스토퍼층과 하프톤막(하프톤층)을 가공하는 공정이 완료한다.After processing the molybdenum silicide film serving as the etching stopper layer, the halftone film containing chromium as a main component is etched using the molybdenum silicide film as a mask. After that, the process of processing the light-shielding layer, the etching stopper layer, and the halftone film (halftone layer) is completed by peeling the resist film.
또한, 먼저 설명한 에칭 공정에서, 차광층과 에칭 스토퍼층만을 에칭함으로써 하프톤막만의 패턴을 형성할 수도 있다.Further, in the etching process described above, a pattern of only the halftone film may be formed by etching only the light shielding layer and the etching stopper layer.
도 9에, 몰리브덴에 대한 실리콘의 조성비로서 2.0 ~ 4.0의 타겟을 이용한 경우의 몰리브덴 실리사이드 막의 조성비와 에칭 특성을 나타낸다.9 shows the composition ratio and etching characteristics of a molybdenum silicide film when a target of 2.0 to 4.0 is used as the composition ratio of silicon to molybdenum.
도 9에 나타낸 몰리브덴에 대한 실리콘의 조성비가 2.0, 조성비가 2.3, 조성비가 3.0, 조성비가 3.7, 조성비가 4.0의 타겟을 이용한 각각의 경우의 몰리브덴 실리사이드 막의 조성비와 에칭 특성을 나타낸다.Fig. 9 shows the composition ratio and etching characteristics of the molybdenum silicide film in each case using a target having a composition ratio of silicon to molybdenum of 2.0, a composition ratio of 2.3, a composition ratio of 3.0, a composition ratio of 3.7, and a composition ratio of 4.0.
상기의 표 1 ~ 표 5에서, 「MoSi E.R.」은 몰리브덴 실리사이드의 에칭 레이트를 의미하고, 「Quartz E.R」는 유리 기판의 에칭 레이트를 의미하고 있다.In the above Tables 1 to 5, "MoSi E.R." means an etching rate of molybdenum silicide, and "Quartz"E.R" means an etching rate of a glass substrate.
또한, 「MoSi 2.0」, 「MoSi 2.3」, 「MoSi 3.0」, 「MoSi 3.7」, 「MoSi 4.0」의 기재에서의 숫자는, 몰리브덴 실리사이드 막에서 몰리브덴에 대한 실리콘의 조성비를 나타낸다. 또한, 각각의 조성비는, 몰리브덴 실리사이드 막에서의 atm%의 수치이다.In addition, the numbers in the description of "MoSi 2.0", "MoSi 2.3", "MoSi 3.0", "MoSi 3.7", and "MoSi 4.0" indicate the composition ratio of silicon to molybdenum in the molybdenum silicide film. In addition, each composition ratio is a numerical value of atm% in a molybdenum silicide film.
몰리브덴에 대한 실리콘의 조성비로서 2.0 ~ 4.0의 타겟을 이용한 경우를 비교하면, 스퍼터시의 질소 분압을 변화시킨 경우에, 어느 질소 분압비에서도 조성비가 낮은 타겟을 이용한 경우의 쪽이 높은 선택비를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.Comparing the case of using a target of 2.0 to 4.0 as the composition ratio of silicon to molybdenum, when the nitrogen partial pressure during sputtering is changed, the higher selectivity is obtained when a target with a lower composition ratio is used at any nitrogen partial pressure ratio. You can see what you can do.
또한, 몰리브덴에 대한 실리콘의 조성비가 같은 경우에도, 질소 농도가 높은 경우에는 큰 에칭 레이트를 가지는 것을 알 수 있다.Further, it can be seen that even when the composition ratio of silicon to molybdenum is the same, when the nitrogen concentration is high, the etching rate is large.
여기서, 몰리브덴 실리사이드 막은 질소 가스와 아르곤 가스의 혼합가스를 이용한 성막에 의해서 얻어진다. 또한, 표 1 ~ 표 5에서는 질소 가스 유량의 전체의 가스 유량에 대한 비율을 질소 가스 분압으로 하고 있다.Here, the molybdenum silicide film is obtained by film formation using a mixed gas of nitrogen gas and argon gas. In Tables 1 to 5, the ratio of the nitrogen gas flow rate to the total gas flow rate is taken as the nitrogen gas partial pressure.
이 결과, 조성비 2.3의 몰리브덴 실리사이드 타겟을 이용함으로써, 에칭 스토퍼층의 에칭 시에 유리 기판의 에칭을 억제할 수 있게 되어 결함의 발생을 억제할 수 있게 된다.As a result, by using a molybdenum silicide target having a composition ratio of 2.3, it is possible to suppress the etching of the glass substrate during the etching of the etching stopper layer, thereby suppressing the occurrence of defects.
에칭 스토퍼층으로서 몰리브덴 실리사이드를 이용하는 경우에는 10 ~ 50nm 정도의 막 두께의 몰리브덴 실리사이드를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 성막시의 질소 분압을 조정함으로써, 소망한 에칭 시간의 에칭 스토퍼층을 얻을 수 있다.In the case of using molybdenum silicide as the etching stopper layer, it is preferable to use molybdenum silicide having a thickness of about 10 to 50 nm. In addition, by adjusting the nitrogen partial pressure during film formation, an etching stopper layer having a desired etching time can be obtained.
따라서, 도 9에 나타낸 바와 같이, 질소 농도, 및 몰리브덴과 실리콘의 조성비를 설정함으로써 몰리브덴 실리사이드를 이용한 에칭 스토퍼층에서의 에칭 레이트를 소정의 값으로 설정할 수 있게 된다.Accordingly, as shown in Fig. 9, by setting the nitrogen concentration and the composition ratio of molybdenum and silicon, the etching rate in the etching stopper layer using molybdenum silicide can be set to a predetermined value.
또한, 도 9에 나타내는 결과로부터, 유리 표면에 대한 몰리브덴 실리사이드 막의 에칭 레이트비를 소정치 이상으로 함으로써, 필요한 선택비를 얻고, 고질소 영역(12A)으로 할 수 있다.In addition, from the results shown in Fig. 9, by setting the etching rate ratio of the molybdenum silicide film to the glass surface to a predetermined value or more, a required selectivity can be obtained and a
혹은 유리 표면에 대한 몰리브덴 실리사이드 막의 에칭 레이트비를 소정치 이하로 함으로써 필요한 선택비를 얻고, 저질소 영역(12B)으로 할 수 있다.Alternatively, by setting the etching rate ratio of the molybdenum silicide film to the glass surface to a predetermined value or less, a required selectivity can be obtained and the
상기의 결과로부터, 본 발명에 따르면, 에칭 스토퍼층에서 에칭 레이트를 소정의 값으로 설정하고, 차광층의 형상을 소망한 상태로 형성하는 것과 함께, 유리 기판 표면의 데미지를 없애, 하프톤층의 데미지가 없는 포토마스크를 제조할 수 있게 할 수 있다.From the above results, according to the present invention, the etching rate in the etching stopper layer is set to a predetermined value, the shape of the light shielding layer is formed in a desired state, and damage on the surface of the glass substrate is eliminated, and the damage of the halftone layer. It can make it possible to manufacture a photomask without the
또한, 상기의 실시형태 및 실시예에서는 하프톤 마스크 블랭크스에 대해 기재하고 있지만, 하프톤층(하프톤막)을 위상 시프트 막으로 변경하면 금속 실리사이드 막을 에칭 스토퍼층으로 하는 하치 위상 시프트 마스크 블랭크스 및 위상 시프트 마스크를 형성할 수 있다. 본 발명의 기술을 이용함으로써 마찬가지로 수직 형상을 가지는 하치 위상 시프트 마스크를 제조할 수 있다.In addition, in the above embodiments and examples, halftone mask blanks are described, but when the halftone layer (halftone film) is changed to a phase shift film, the lower phase shift mask blanks and phase shift masks using the metal silicide film as an etching stopper layer. Can be formed. By using the technique of the present invention, a bowl phase shift mask having a vertical shape can be manufactured similarly.
이 경우, 위상 시프트층(11)으로서는 300nm 이상 500nm 이하의 파장 영역의 어느 하나의 광(예를 들면, 파장 365nm의 i선)에 대해서 약 180°의 위상차를 가지게 할 수 있는 두께(예를 들면, 90 ~ 170nm)로 형성될 수 있다.In this case, as the
또한, 위상 시프트층(11)의 두께는 i선에 대해서 약 180°의 위상차를 가지게 하는 두께로 할 수 있다. 또한, h선 또는 g선에 대해서 약 180°의 위상차를 가지게 할 수 있는 두께로 위상 시프트층(11)을 형성해도 좋다. 여기서 「약 180°」란, 180° 또는 180° 근방을 의미하고, 예를 들면, 180°±10° 이하이다.Further, the thickness of the
본 발명의 활용예로서 반도체 및 플랫 디스플레이용의 마스크 및 마스크 블랭크스를 들 수 있다.Examples of application of the present invention include masks and mask blanks for semiconductor and flat displays.
MB: 마스크 블랭크스
M: 하프톤 마스크
M1: 투과 영역
M2: 하프톤 영역
M3: 차광 영역
S: 유리 기판(투명 기판)
PR1: 포토레지스트층
PR1a: 레지스트 패턴
11: 하프톤층
11a: 하프톤 패턴
12: 에칭 스토퍼층
12a: 에칭 스토퍼 패턴
13: 차광층
13a: 차광 패턴MB: Mask Blanks
M: Halftone mask
M1: transmission area
M2: Halftone area
M3: shading area
S: Glass substrate (transparent substrate)
PR1: photoresist layer
PR1a: resist pattern
11: Halftone layer
11a: halftone pattern
12: etching stopper layer
12a: etching stopper pattern
13: light-shielding layer
13a: shading pattern
Claims (11)
상기 투명 기판의 표면에 적층된 Cr을 포함하는 하프톤층,
상기 하프톤층에 적층된 에칭 스토퍼층, 및
상기 에칭 스토퍼층에 적층된 Cr을 포함하는 차광층,
을 구비하는 마스크 블랭크스로서,
상기 에칭 스토퍼층은 금속 실리사이드 화합물로 이루어지고,
상기 에칭 스토퍼층에서 금속에 대한 Si의 조성비가 2.0 ~ 3.7의 범위로 설정되고,
상기 에칭 스토퍼층에는 질소 농도가 40atm% 이상인 영역인 고질소 영역이 두께 방향의 상기 차광층측에 설치되는, 마스크 블랭크스.Transparent substrate,
A halftone layer containing Cr laminated on the surface of the transparent substrate,
An etching stopper layer stacked on the halftone layer, and
A light-shielding layer comprising Cr stacked on the etching stopper layer,
As a mask blanks having,
The etching stopper layer is made of a metal silicide compound,
In the etching stopper layer, the composition ratio of Si to metal is set in the range of 2.0 to 3.7,
In the etching stopper layer, a high nitrogen region, which is a region having a nitrogen concentration of 40 atm% or more, is provided on the side of the light blocking layer in the thickness direction.
상기 에칭 스토퍼층은 몰리브덴 실리사이드 화합물로 이루어지는, 마스크 블랭크스.The method of claim 1,
The etching stopper layer is made of a molybdenum silicide compound, the mask blank.
상기 에칭 스토퍼층에서 상기 고질소 영역의 막 두께는 5nm 이상 10nm 이하로 설정되는, 마스크 블랭크스.The method of claim 1,
The mask blanks, wherein the film thickness of the high nitrogen region in the etching stopper layer is set to 5 nm or more and 10 nm or less.
상기 에칭 스토퍼층은 15nm 이상의 막 두께로 되는, 마스크 블랭크스.The method according to claim 1 or 2,
The mask blank, wherein the etching stopper layer has a film thickness of 15 nm or more.
상기 투명 기판에, 상기 하프톤층, 상기 에칭 스토퍼층, 및 상기 차광층을 순서대로 적층하는 공정을 가지고,
상기 에칭 스토퍼층은 Si와, Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, 및 Hf로부터 선택된 적어도 1종의 금속을 포함하고, 성막 분위기로서 질소를 함유하는 스퍼터링에 의해 성막되는, 마스크 블랭크스의 제조 방법.As a manufacturing method of the mask blank according to claim 1,
A step of sequentially laminating the halftone layer, the etching stopper layer, and the light blocking layer on the transparent substrate,
The etching stopper layer includes Si and at least one metal selected from Ni, Co, Fe, Ti, Al, Nb, Mo, W, and Hf, and is deposited by sputtering containing nitrogen as a deposition atmosphere, Method of making mask blanks.
상기 차광층 상에 소정의 패턴을 가지는 마스크를 형성하는 공정,
상기 형성된 마스크 너머 상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정, 및
상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정,
을 가지는, 하프톤 마스크의 제조 방법.As a method of manufacturing a halftone mask using the mask blank according to claim 1,
Forming a mask having a predetermined pattern on the light blocking layer,
A process of wet etching the light blocking layer over the formed mask, and
Wet etching the etching stopper layer,
Having a halftone mask manufacturing method.
상기 차광층을 웨트 에칭하는 공정에서, 에천트로서 질산세륨 제2암모늄을 포함하는 에칭액을 이용하는, 하프톤 마스크의 제조 방법.The method of claim 8,
In the step of wet etching the light-shielding layer, an etching solution containing cerium nitrate second ammonium is used as an etchant.
상기 에칭 스토퍼층을 웨트 에칭하는 공정에서, 에천트로서 불소계의 에칭액을 이용하는, 하프톤 마스크의 제조 방법.The method of claim 8,
In the step of wet etching the etching stopper layer, a method of manufacturing a halftone mask using a fluorine-based etching solution as an etchant.
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP7254599B2 (en) * | 2019-04-15 | 2023-04-10 | アルバック成膜株式会社 | Method for manufacturing mask blanks and method for manufacturing phase shift mask |
| TWI864490B (en) * | 2020-04-28 | 2024-12-01 | 日商Ｓｋ電子股份有限公司 | Method for manufacturing photomask |
| US20250035997A1 (en) * | 2021-12-24 | 2025-01-30 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014103875A1 (en) | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | Phase shift mask and method for producing same |
| JP2014211501A (en) | 2013-04-17 | 2014-11-13 | アルバック成膜株式会社 | Method of producing phase shift mask and phase shift mask |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4450715B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-04-14 | 三菱電機株式会社 | Active matrix display device and method of manufacturing active matrix display device |
| US7473614B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-01-06 | Intel Corporation | Method for manufacturing a silicon-on-insulator (SOI) wafer with an etch stop layer |
| JP4834203B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-12-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | Photomask blank manufacturing method and photomask manufacturing method |
| JP2007271661A (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | Mask blank and halftone phase shift mask |
| JP4766518B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-09-07 | Ｈｏｙａ株式会社 | Mask blank and photomask |
| JP4737426B2 (en) * | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | Photomask blank |
| KR101242625B1 (en) * | 2007-11-01 | 2013-03-19 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | Half-tone mask, half-tone mask blank and method for manufacturing half-tone mask |
| WO2009060511A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Geomatec Co., Ltd. | Substrate for photomask, photomask, and method for manufacturing the same |
| JP4845978B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-12-28 | Ｈｏｙａ株式会社 | Photomask blank, photomask, and photomask manufacturing method |
| JP5231956B2 (en) * | 2008-11-25 | 2013-07-10 | アルバック成膜株式会社 | Halftone mask, halftone mask blank, halftone mask manufacturing method, and halftone mask blank manufacturing method |
| JP5662032B2 (en) * | 2010-02-05 | 2015-01-28 | アルバック成膜株式会社 | Mask blanks and halftone masks |
| JP5739375B2 (en) * | 2012-05-16 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | Halftone phase shift mask blank and method of manufacturing halftone phase shift mask |
| JP5661973B2 (en) * | 2012-06-20 | 2015-01-28 | アルバック成膜株式会社 | Method for manufacturing phase shift mask |
| KR101269062B1 (en) * | 2012-06-29 | 2013-05-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | Blankmask and method for fabricating photomask using the same |
| JP6101646B2 (en) * | 2013-02-26 | 2017-03-22 | Hoya株式会社 | Phase shift mask blank and manufacturing method thereof, phase shift mask and manufacturing method thereof, and display device manufacturing method |
| KR101722554B1 (en) * | 2015-09-16 | 2017-04-21 | 주식회사 아스티엄 | Smart vending machine apparatus and managing system including the same |
| JP6398927B2 (en) * | 2015-09-18 | 2018-10-03 | 信越化学工業株式会社 | Photomask blank, manufacturing method thereof and photomask |
| JP6626813B2 (en) * | 2016-03-16 | 2019-12-25 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | Phase inversion blank mask and photomask |
| JP2017182052A (en) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | Manufacturing method of phase shift mask blank, phase shift mask, and display device |
| CN107229181B (en) * | 2016-03-24 | 2021-07-20 | Hoya株式会社 | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing display device |
| JP6514143B2 (en) * | 2016-05-18 | 2019-05-15 | Hoya株式会社 | METHOD FOR MANUFACTURING PHOTO MASK, PHOTO MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE |
| JP6698438B2 (en) * | 2016-06-17 | 2020-05-27 | Hoya株式会社 | Mask blank, transfer mask, mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method |
| JP6259508B1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-01-10 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | Halftone mask, photomask blank, and method of manufacturing halftone mask |
| JP7176843B2 (en) * | 2017-01-18 | 2022-11-22 | Hoya株式会社 | Phase shift mask blank for manufacturing display device, method for manufacturing phase shift mask for manufacturing display device, and method for manufacturing display device |
-
2018
- 2018-10-09 JP JP2018191290A patent/JP6756796B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-30 TW TW108126959A patent/TWI740183B/en active
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- 2019-08-12 CN CN201910738617.6A patent/CN111025840B/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014103875A1 (en) | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | Phase shift mask and method for producing same |
| JP2014211501A (en) | 2013-04-17 | 2014-11-13 | アルバック成膜株式会社 | Method of producing phase shift mask and phase shift mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN111025840A (en) | 2020-04-17 |
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| CN111025840B (en) | 2023-10-24 |
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| JP7254599B2 (en) | Method for manufacturing mask blanks and method for manufacturing phase shift mask | |
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| JP2021148826A (en) | Mask blank, phase shift mask, and production method |
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