[go: up one dir, main page]

KR102185458B1 - 선택적 퇴적 - Google Patents

선택적 퇴적 Download PDF

Info

Publication number
KR102185458B1
KR102185458B1 KR1020160013126A KR20160013126A KR102185458B1 KR 102185458 B1 KR102185458 B1 KR 102185458B1 KR 1020160013126 A KR1020160013126 A KR 1020160013126A KR 20160013126 A KR20160013126 A KR 20160013126A KR 102185458 B1 KR102185458 B1 KR 102185458B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
deposition
sio
sih
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160013126A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160095643A (ko
Inventor
수비 피. 하우카
에바 토이스
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20160095643A publication Critical patent/KR20160095643A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102185458B1 publication Critical patent/KR102185458B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02428—Structure
    • H01L21/0243—Surface structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01026—Iron [Fe]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0544—14th Group
    • H01L2924/05442—SiO2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 표면을 상이한 제 2 표면에 대하여 선택적으로 퇴적시키기 위한 방법들이 제공된다. 예시적인 퇴적 방법은 니켈, 니켈 질화물, 코발트, 철, 및/또는 티타늄 산화물을 포함하는 물질과 같은 물질을, H-종결된 표면과 같은 상이한 제 2 표면에 대하여 동일한 기판의 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하기 위해 기판의 표면을 처리하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

선택적 퇴적 방법 {Selective deposition}
본 출원은 2015년 2월 3일 출원된 "SELECTIVE DEPOSITION" 제하의 미합중국 임시출원 제62/111,508호의 이익을 주장하며, 그 개시 내용 전체를 여기에 인용하여 포함한다.
본 출원은 기판의 제 2 표면에 대하여 상대적으로 기판의 제 1 표면 위에서의 선택적 퇴적에 관한 것이다. 또한, 후속적으로 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 다른 물질을 상기 제 2 표면 위에 퇴적시키기 위하여 추가적인 공정이 사용될 수 있다.
더욱 더 작은 구조물들을 제조하기 위하여 반도체 산업에서 선택적 퇴적 공정들이 필요하다.
현재 집적 회로들은 반도체 기판 위에 다양한 물질층들이 소정의 배열로 순차 축조되는 정교한 공정에 의하여 제조된다.
상기 소정의 배열로 물질들을 반도체 기판 위에 배치하는 것은 전체 기판 표면 위에 물질을 퇴적시킨 후 이어서 상기 기판의 소정 영역들로부터 예컨대 마스크층의 퇴적과 후속되는 선택적 식각 공정에 의하여 상기 물질을 제거함으로써 종종 달성된다.
특정 경우들에 있어서, 기판 위에 소자들이 집적된 표면을 제조하는 데 관련되는 단계들의 수는 물질이 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적되는 선택적 퇴적 공정을 이용함으로써 감소될 수 있다. 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)과 같은 기상 퇴적 공정들에 의하여 선택적 퇴적을 달성하는 것이 매우 어렵다는 것은 잘 알려져 있다. 통상, 선택된 표면들 위에서의 막 성장을 가이드하기 위하여 긴 탄소 사슬의 자기-조립된 모노레이어들(self-assembled monolayers, SAMs)이 이용된다.
일부 측면들에 있어서, 퇴적 방법들이 제공된다.
일부 실시예들에 있어서, 제 1 표면 및 상기 제 1 표면과 상이한 표면인 제 2 표면을 포함하는 기판이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 적어도 하나의 AHx 종결을 포함한다. 여기서, A는 N, O, 또는 S 중의 하나 이상이고, x는 1 내지 2이고, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 기상의 제 1 전구체와 접촉될 수 있고, 그에 의하여 기판의 제 1 표면 위에 동일 기판의 제 2 표면에 대하여 상대적으로 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적시킬 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 선택적으로 퇴적된 상기 물질은 Ni 또는 Co를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 방법은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 상기 박막을 퇴적시키기에 앞서 상기 기판 표면의 적어도 일부를 처리함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 HF 식각으로 상기 기판 표면의 적어도 일부를 처리함으로써 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 ClSiH3 또는 (RIRIIN)SiH3을 포함하는 실리콘 화합물로 상기 기판 표면의 적어도 일부를 처리함으로써 형성될 수 있다. 여기서 RI과 RII는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸과 같은 C1-C4 알킬류로부터 독립적으로 선택된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 OH-종결을 적어도 하나 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 SiO2를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 로우-k 절연체일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 불화 실리카 글래스, 탄소 도핑된 실리콘 산화물, 또는 적어도 50%의 실리콘 산화물을 포함하는 다른 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면 종결들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질은 적어도 90%의 선택도로 H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 방법은 ALD 또는 CVD 공정일 수 있다.
일부 태양들에 있어서, Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 기판 위에 선택적으로 퇴적시키는 방법들이 제공된다. 일부 실시예들에 있어서, 실리콘 산화물을 포함하는 제 1 표면을 갖는 기판이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면의 적어도 일부가 식각되고, 그에 의하여 H-종결된 제 2 표면이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 실리콘 산화물 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적시키는 것은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 원하는 두께로 형성될 때까지 선택적으로 퇴적시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적시키는 방법은 ALD 또는 CVD 공정일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면의 적어도 일부를 식각하는 단계는 상기 제 1 표면의 상기 일부를 HF에 노출시키는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질은 적어도 90%의 선택도로 H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다.
일부 태양들에 있어서, 기판 위에 SiO2를 선택적으로 형성하기 위한 방법들이 제공된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 방법들은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 상기 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 표면인 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 상기 제 1 표면은 적어도 AHx 종결을 포함하고, 이 때 A는 O, N, 및 S 중의 하나 이상이고, x는 1 내지 2이다. SiO2는 상기 기판의 제 1 표면에 대하여 상대적으로 동일한 기판의 H-종결된 제 2 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 방법은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 상기 기판으로부터 제거하기 위하여 상기 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 식각하는 단계는 상기 기판을 HCl, HNO3, 또는 H2SO4:H2O2 중의 적어도 하나에 노출시키는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 OH-종결된 표면을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 -SiH, -SiH2, 또는 -SiH3 표면 종결들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2는 PEALD 또는 열적 ALD 공정에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 제 2 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다.
본 발명을 한정하는 것이 아니라 예시하는 것으로 의도된 첨부 도면들로부터, 그리고 상세한 설명으로부터 본 발명은 더욱 잘 이해될 것이다.
도 1은 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 Ni 금속, 니켈 질화물(NiNx), 코발트, 철 또는 티타늄 산화물과 같은 물질을 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 2는 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 니켈을 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 3은 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 니켈 질화물(NiNx)을 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 4는 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 코발트를 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 5는 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 철을 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 6은 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 제 2 표면에 대하여 상대적으로 티타늄 산화물을 선택적으로 퇴적시키기 위한 퇴적 공정 흐름을 나타낸다.
도 7은 제 1 기판의 제 1 표면 위에 여기에 설명된 예시적 공정에 따라 상기 제 1 기판의 상이한 표면인 제 2 표면 및 제 2 기판에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된 니켈 막을 나타낸다.
일부 경우들에 있어서, 기판의 제 1 표면 위에, 동일한 기판의 상이한 표면인 제 2 표면에 대하여 상대적으로 물질을 선택적 퇴적시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 캡핑층들, 배리어막들, 식각 정지막들, 희생 및/또는 보호층들을 형성하기 위하여 또는 예컨대 다공성 로우 k 물질들 내의 기공(pore)들을 씰링하기 위하여 선택적 퇴적이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, Ni 금속, 니켈 질화물 또는 NiNx, 코발트, 철 또는 티타늄 산화물 구조체들과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 여기에 설명된 방법들을 이용하여 SiO2계 표면들, 및 여기에 설명된 다른 표면들 위에 선택적으로 성장될 수 있다. 여기에 사용될 때, 니켈 질화물 또는 NiNx는 적어도 약간의 Ni-N 결합들을 포함하는 물질을 지칭한다.
일부 실시예들에 있어서, 제 1 물질, 예컨대 Ni 금속, 니켈 질화물 또는 NiNx, 코발트, 철 또는 티타늄 산화물 막과 같은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질은 제 1 표면 위에, 상이한 표면인 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적될 수 있다. 예를 들면, 니켈, 니켈 질화물, 코발트, 철 또는 티타늄 산화물 막은, 로우-k 절연체 표면 위에, 예컨대 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 형태와 같은 산화물 또는 질화물 표면 위에 동일한 기판의 H-종결된 표면과 같은 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 선택적 퇴적이 일어나는 상기 제 1 표면은 AHx 종결을 포함하고, 이 때 A는 O, N, 또는 S이고, x는 1 내지 2이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 OH-종결들을 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 -NH 또는 -NH2 종결된 표면들과 같이 NHx-종결된 표면이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 SHx-종결된 표면이다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 SiO2 표면 또는 실리콘 산질화물 표면과 같은 유전체 표면이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 실리콘 산화물들, 실리콘 질화물들, 실리콘 산질화물들, 불화 실리카 글래스(fluorinated silica glass, FSG), 탄소 도핑된 실리콘 산화물(SiOC) 및/또는 약 50%보다 많은 실리콘 산화물을 함유하는 물질들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 OH-기들을 포함하며, 예컨대 -OH 표면기들을 갖는 알루미나(Al2O3) 표면을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 실리콘의 자연 산화물을 식각함으로써 형성되고, 상기 제 2 표면은 Si-H 결합들을 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 순수한 실리콘 표면이다.
일부 실시예들에 있어서, 처리된 표면 위에서 이와 상이한 표면인 제 2 표면에 대하여 상대적으로 퇴적을 향상시키도록 또는 퇴적을 감소시키도록 하나 이상의 표면들은 처리될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제 1 표면 위에서의 퇴적이 상이한 하나 이상의 표면들에 대하여 상대적으로 향상되도록 하기 위하여 상기 제 1 표면이 처리되거나 활성화될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제 1 표면의 일부는 상기 제 1 표면의 처리된 상기 일부 상에서의 퇴적이 처리되지 않은 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 감소되도록 하기 위하여 처리되거나 또는 비활성화될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제 2 표면 위에서의 퇴적이 상기 기판의 제 1 표면에 대하여 상대적으로 감소되도록 하기 위하여 상기 제 2 표면이 처리되거나 비활성화될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제 1 표면은 퇴적을 향상시키도록 처리되고 제 2 표면은 퇴적을 감소시키도록 처리된다. 그에 의하여 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면 위에서의 선택적 퇴적이 증가한다.
일부 실시예들에 있어서, Ni, 니켈 질화물(NiNx), 코발트, 철 또는 티타늄 산화물 층과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 위에서 논의된 바에 따라 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH를 포함하는 제 2 표면과 같이 상기 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 표면, 예컨대 산화물 표면과 같은 로우-k 절연체 표면 위에 퇴적된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 기판의 SiO2 표면이다. 상기 제 2 표면 위에 H-종결들을 형성함으로써 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의 퇴적을 감소시키기 위하여 상기 제 2 표면은 니켈, 니켈 질화물(NiNx), 코발트, 철 또는 티타늄 산화물과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 퇴적 공정에 앞서 또는 그의 시작 시기에 처리될 수 있다. 즉, 처리된, 혹은 비활성화된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면(예를 들면 SiO2) 위에서의 선택적 퇴적이 증가될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 기판 표면은 SiO2, 다른 산화물, 또는 여기에 설명된 바에 따른 그 외의 물질과 같은 유전체 물질을 포함하며, 상기 기판의 하나 이상의 부분들 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 퇴적을 감소시키기 위하여 또는 비활성화시키기 위하여 처리된다. 예를 들면, 상기 제 1 기판 표면의 하나 이상의 부분들은 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면을 형성하도록 처리될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들은 그러한 영역들에 H-종결된 제 2 표면을 형성하기 위하여 HF로 처리된다.
일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면 또는 다른 산화물 표면의 일부분과 같이 여기에 설명된 바와 같은 상기 제 1 표면의 부분은 상기 기판의 그 부분을 실리콘 화합물과 반응시켜 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 기들을 포함하는 제 2 표면을 형성함으로써 비활성화된다. 이러한 실리콘 화합물들은, 예를 들면, ClSiH3 또는 (RIRIIN)SiH3을 포함할 수 있다.
H-종결된 제 2 표면을 형성하기 위한 처리에 이어서, H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 산화물 (예를 들면, SiO2) 표면과 같은 나머지 상기 제 1 표면 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 선택적으로 퇴적될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 비활성화 처리는 자기-조립된 단일층(self-assembled monolayer, SAM)의 형성을 수반하지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 비활성화 처리는 유기 처리제를 이용한 처리를 포함하지 않는다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 표면(예를 들면, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면)의 일부는 비처리된 표면에 대하여 상대적으로 상기 표면의 처리된 부분 위에서 니켈, 니켈 질화물(NiNx), Co, Fe 또는 티타늄 산화물 막과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 선택적 퇴적을 촉진하도록 처리될 수 있다. 예를 들면, 식각된 Si 표면(SiHx)과 같이 H-종결된 표면의 일부는 상기 표면의 처리된 표면 위에 친수성의 OH-종결들을 제공하도록 처리될 수 있다. 상기 OH-종결된 표면은 여기에 설명된 바와 같이 니켈, Co, Fe, 또는 티타늄 전구체들과 반응성을 가질 수 있다. 따라서 일부 실시예들에 있어서, 상기 표면의 OH-종결된 부분 상에서 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 퇴적을 나머지 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 향상시키기 위하여 OH-종결들(또는 여기에 설명된 바에 따른 다른 종결들)이 제공될 수 있다.
SiO2, 다른 산화물, 또는 다른 물질이나 여기에 설명된 바와 같은 표면처럼 그 위에 물질이 선택적으로 퇴적되는 상기 제 1 표면은 상기 표면을 친수성으로 만드는 효과를 가질 수 있는 히드록시기 또는 -OH기들을 포함할 수 있다. 그러한 OH-기 표면 종결들은 상기 표면이 주변 조건, 예컨대 물을 포함하는 분위기에 노출될 때 자연스럽게 일어날 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판 표면의 적어도 일부는 친수성의 OH-종결된 제 1 표면을 제공하기 위하여 처리될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 친수성의 OH-종결된 표면의 적어도 일부는 상기 표면 상의 OH-기들의 양을 증가시키기 위하여 처리될 수 있다. 예를 들면 상기 표면은 상기 표면에서의 OH-기들의 수를 증가시키기 위하여 H2O 증기에 노출될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 적어도 약간의 OH-기들을 포함하는 친수성의 제 1 표면을 제공하기 위하여 실리콘 기판 표면의 적어도 일부는 공기 및/또는 수분, 예컨대 물을 포함하는 분위기에 노출된다. 일부 실시예들에 있어서, 친수성 표면은 퇴적 이전에 처리되지 않는다.
일부 실시예들에 있어서, OH-종결된 표면(또는 여기에 설명된 것들과 같은 다른 제 1 표면)의 적어도 일부는 그 위에 니켈, 니켈 질화물(NiNx), Co, Fe 또는 티타늄 산화물과 같은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 퇴적을 방해하도록 처리될 수 있다. 예를 들면, OH-종결된 제 1 표면의 적어도 일부분은 H-종결들을 제공하기 위하여 HF와 접촉될 수 있으며, 그에 의하여 H-종결된 제 2 표면을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면이 HF로, 예컨대 0.5% HF로 식각되어 상기 SiO2 표면의 상기 식각된 부분에서 SiHx 표면을 제공한다. 또한, 위에서 언급된 바와 같이, OH-종결된 상기 제 1 표면의 일부는 실리콘 화합물과 상기 제 1 표면을 반응시킴으로써 처리될 수 있고, 상기 제 1 표면의 해당 부분 위에 Si-H 기들을 형성할 수 있다. 그러한 실리콘 화합물들은 예컨대 ClSiH3 또는 (RIRIIN)SiH3을 포함할 수 있다. 여기서 RI과 RII는 C1-C5 알킬류로부터 독립적으로 선택될 수 있다. OH-종결된 표면(또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 제 1 표면)의 H-종결된 표면으로의 전환은 상기 기판의 SiO2 표면(또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 제 1 표면)과 같은 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 표면의 처리된 부분 상에서 니켈, 니켈 질화물, Co, Fe 또는 티타늄 산화물과 같은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 퇴적되는 것을 저해할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, SiO2와 같은 유전체를 포함하는 반도체 기판이 제공된다. 상기 기판의 일부는 HF, 예컨대 0.5% HF에 노출됨으로써 선택적으로 식각될 수 있으며, 그에 의하여 SiO2를 포함하는 제 1 표면 및 상기 제 1 SiO2 표면의 식각된 부분에 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 수소-종결된 실리콘을 포함하는 제 2 표면이 형성될 수 있다. 그런 다음, 니켈, 니켈 질화물(NiNx), Co, Fe 또는 티타늄 산화물 막과 같은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 SiO2를 포함하는 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, SiO2와 같은 유전체를 포함하는 반도체 기판이 제공된다. 상기 기판의 일부는 실리콘 화합물, 예컨대 ClSiH3, (RIRIIN)2SiH2, XySiH4-y, (RIRIIN)ySiH4-y, (RIRIIN)2SiH2, 또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 실리콘 전구체에 선택적으로 노출될 수 있으며, 상기 표면의 해당 부분 위에 SiHx 기들과 같은 Si-H 표면기들이 형성될 수 있고, 그에 의하여 SiO2를 포함하는 제 1 표면 및 -SiHx 표면과 같이 수소-종결된 실리콘을 포함하는 제 2 표면이 생성될 수 있다. 니켈, 니켈 질화물(NiNx), Co, Fe 또는 티타늄 산화물 막과 같은 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 H-종결된 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 SiO2를 포함하는 제 1 표면 위에 선택적으로 퇴적될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 공정은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 타입의 공정이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 공정은 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 타입의 공정이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 공정은 각 표면 반응이 자기-제한적인 순수한 ALD 공정이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 공정은, 기판이 기상의 제 1 반응물 및 기상의 제 2 반응물과 교대로 및 순차적으로 접촉되는 하나 이상의 퇴적 사이클들을 포함하는 기상 퇴적 공정이다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명한 바와 같은 기판의 제 1 표면 위에 Ni 층과 같이 Ni을 포함하는 물질이 동일 기판의 -SiHx 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명한 바와 같은 기판의 제 1 표면 위에 Co 층과 같이 Co를 포함하는 물질이 동일 기판의 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명한 바와 같은 기판의 제 1 표면 위에 Fe 층과 같이 Fe을 포함하는 물질이 동일 기판의 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명한 바와 같은 기판의 제 1 표면 위에 니켈 질화물(NiNx) 층과 같이 Ni을 포함하는 물질이 동일 기판 상에 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH를 포함하는 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명한 바와 같은 기판의 제 1 표면 위에 티타늄 산화물 층과 같이 Ti을 포함하는 물질이 동일 기판 상에 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH를 포함하는 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 선택적 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로, 여기에 설명된 바와 같은 상기 기판의 제 1 표면, 예컨대 상기 기판의 SiO2 표면 상으로의 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 퇴적은 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 비-선택적으로 퇴적된 물질을 제거하기 위하여 퇴적에 후속하여 또는 퇴적 도중에 식각 단계가 사용될 수 있다. 비록 상기 식각 단계의 부가가 통상적으로는 상기 공정에 비용 및 복잡도를 증가시킬 것이지만, 일부 상황들에 있어서 예컨대 만일 다른 옵션들에 비하여 총괄적으로 덜 비싼 것이라면 상업적으로 바람직할 것이다. 일부 실시예들에 있어서, 식각 공정은 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 건식 식각이 바람직하다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같은 기판의 제 1 표면 위에서의 상기 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대한, 여기에 설명된 바와 같은 상대적인 퇴적은 선택도를 잃기 전까지 약 500회의 퇴적 사이클들까지, 또는 약 50회의 퇴적 사이클들까지, 또는 약 20회의 퇴적 사이클들까지, 또는 약 10회의 퇴적 사이클들까지, 또는 선택도를 잃기 전까지 약 5회의 퇴적 사이클들까지 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 심지어 선택도를 잃기 전까지 1회 또는 2회 사이클들의 퇴적이 유용할 수 있다.
구체적인 환경들에 따라, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 위에서의 상대적인 퇴적이 약 50% 미만일 때, 약 60% 미만일 때, 약 70% 미만일 때, 약 80% 미만일 때, 약 90% 미만의 선택도일 때, 약 95% 미만의 선택도일 때, 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 미만의 선택도이거나 또는 이보다 더 큰 백분율 미만의 선택도일 때 선택도의 소멸이 발생한 것으로 간주될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 기판의 제 1 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에서의 상기 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대한 상대적인 퇴적은 선택도를 잃기 전까지 약 50 nm의 두께까지, 또는 약 10 nm의 두께까지, 또는 약 5 nm의 두께까지, 또는 약 3 nm의 두께까지, 또는 약 2 nm의 두께까지, 또는 선택도를 잃기 전까지 약 1 nm의 두께까지 수행될 수 있다. 나아가 일부 실시예들에 있어서, 선택도를 잃기 전까지 3Å 또는 5Å의 두께까지의 퇴적이 유용할 수 있다. 구체적인 환경들에 따라 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 위에서의 상대적인 퇴적이 약 50% 미만일 때, 약 60% 미만일 때, 약 70% 미만일 때, 약 80% 미만일 때, 약 90% 미만의 선택도일 때, 약 95% 미만의 선택도일 때, 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 미만의 선택도이거나 또는 이보다 더 큰 백분율 미만의 선택도일 때 선택도의 소멸이 발생한 것으로 간주될 수 있다.
CVD 타입의 공정들
일부 실시예들에 있어서, Ni, 니켈 질화물(NiNx), 코발트, 철 또는 티타늄 산화물 층과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 위에서 논의된 바에 따라 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH를 포함하는 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 -OH 표면, 예컨대 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적시키기 위하여 CVD가 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, Ni, 니켈 질화물, 코발트, 또는 철과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질은 펄스화(pulsed) CVD 공정에 의하여 선택적으로 퇴적되며, 상기 펄스화 CVD 공정에서는 Ni, 니켈 질화물, 코발트, 또는 철의 전구체 또는 반응물들의 다수의 펄스들이 퍼지 단계에 의하여 또는 기판 표면으로부터 반응물이 제거되는 제거 단계에 의하여 분리된다.
CVD 타입의 공정들은 둘 이상의 반응물들 사이의 기상 반응들을 통상적으로 수반한다. 상기 반응물들은 반응 공간으로 또는 기판으로 동시에 제공될 수 있다. 상기 기판 또는 반응 공간은 기상 반응물들 사이의 반응을 촉진하기 위하여 가열될 수 있다. CVD 퇴적은 상기 반응물들이 상기 반응 공간 또는 기판으로 제공될 때 일어난다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 반응물들은 원하는 두께의 박막이 퇴적될 때까지 제공된다. 위에서 언급된 바와 같이 일부 실시예들에 있어서, 원하는 두께를 갖는 박막을 퇴적시키기 위하여 사용되는 다수의 사이클들을 갖는 순환적 CVD 타입의 공정들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 하나 이상의 플라스마 반응물들이 상기 CVD 공정에서 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, ALD-공정이 변형되어 부분 CVD 공정들로 될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 부분 CVD 공정은 하나 이상의 전구체들의 적어도 부분적인 분해를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, ALD 공정들은 변형되어 펄스화 CVD 공정들로 될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, ALD 공정들은 변형되어 반응물들의 펄스들이 중첩되거나 또는 적어도 부분적으로 중첩되는 것을 사용할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, (반응기에 따라) 0.1초 미만과 같이 극히 짧은 퍼지 또는 제거 시간들을 사용하여 ALD 공정이 변형된다. 일부 실시예들에 있어서, 극히 길거나 또는 연속적인 펄스 시간들을 사용하여 ALD 공정이 변형된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, ALD 공정은 적어도 하나의 펄스 이후에 퍼지나 제거가 전혀 사용되지 않도록 변형된다. 일부 실시예들에 있어서, 금속 반응물의 펄스 이후에는 퍼지가 사용되지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 산소 반응물의 펄스 이후에는 퍼지가 사용되지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 금속 반응물의 펄스 이후에 또는 산소 반응물의 펄스 이후에는 퍼지가 사용되지 않는다.
일부 실시예들에 있어서, 하나의 금속 전구체가 사용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 기상의 제 2 반응물을 기판과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에, 또는 전구체 제거 단계 또는 퍼지 단계로 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 금속 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉될 수 있으며, 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 하지만, 일부 실시예들에 있어서, 기상의 금속 전구체뿐만 아니라 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 기판과 반응하지 않는 다른 종들도 상기 기판과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 금속 전구체 펄스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 금속 전구체와 접촉될 수 있으며, 과량의 금속 전구체, 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판의 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 다시 기상의 금속 전구체와, 예컨대 순차적인 펄스로 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 하지만, 일부 실시예들에 있어서, 기상의 금속 전구체뿐만 아니라 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 기판과 반응하지 않는 다른 종들도 상기 기판과 접촉될 수 있다.
ALD 타입 공정들
ALD 타입 공정들은 전구체 화학 물질들의 통제되고 자기-제한적인 표면 반응들에 기초하고 있다. 상기 기판을 반응물들 또는 전구체들과 순차적으로 그리고 교대적으로 접촉시킴으로써 기상 반응들이 회피된다. 예를 들면, 반응 펄스들 사이에서 과량의 반응물들 및/또는 반응 부산물들을 반응 챔버로부터 또는 기판 표면으로부터 제거함으로써, 또는 상기 기판을 하나의 반응물로부터 다른 반응물로 이동시킴으로써 상기 기판 표면 위에서 기상의 반응물들이 서로 분리된다.
간단히, 제 1 표면 및 그와 상이한 표면인 제 2 표면을 포함하는 기판은, 일반적으로는 저하된 압력에서 적절한 퇴적 온도로 가열된다. 일반적으로 퇴적 온도들은 반응물들의 열분해 온도보다는 낮지만 반응물들의 응축을 피하고 원하는 표면 반응들을 위한 활성화 에너지를 제공하기에 충분히 높은 수준의 온도로 유지된다. 물론, 주어진 임의의 ALD 반응을 위한 적절한 온도 윈도우(window)는 수반된 반응물 종들과 표면 종결들에 의존할 것이다.
여기서, 상기 온도는 약 500℃ 또는 그 미만인 것이 바람직하고, 약 400℃ 또는 그 미만인 것이 더욱 바람직하고, 약 100℃ 내지 약 350℃인 것이 가장 바람직하다. 일부 경우들에 있어서, 예를 들면, 퇴적을 위하여 니켈 베타디케티미나토 화합물들이 사용되는 경우들에서, 약 275℃ 내지 약 325℃의 온도가 선택될 수 있다.
상기 기판의 표면은 기상의 제 1 반응물과 접촉될 수 있다. 상기 기판 표면 위에 상기 제 1 반응물의 모노레이어가 대략 하나보다 많지 않게 자기-제한적인 방식으로 흡착되도록 조건들이 선택되는 것이 바람직하다. 적절한 접촉 시간은 특정 환경들에 근거하여 통상의 기술자들이 용이하게 결정할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 과량의 제 1 반응물과, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터, 예컨대 불활성 기체로 퍼지함으로써 제거된다. 퍼지(purge)는 기상의 전구체들 및/또는 기상의 부산물들을 예컨대 진공 펌프로 챔버를 비워냄으로써 및/또는 아르곤 또는 질소와 같은 불활성 가스로 반응기 내부의 가스를 치환함으로써 기판 표면으로부터 제거하는 것을 의미한다. 통상적인 퍼지 시간은 약 0.05초 내지 20초이고, 더욱 바람직하게는 약 1초 내지 10초 사이이고, 더더욱 바람직하게는 약 1초와 2초 사이이다. 그러나, 만일 필요하다면, 예컨대 고도로 높은 종횡비의 구조물들 또는 복잡한 표면 형태를 갖는 다른 구조물들 위에 고도로 콘포말(conformal)한 단차 도포성이 필요한 경우에는 다른 퍼지 시간들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 제 1 반응물을 포함하는 반응 공간으로부터 제거된다.
상기 기판의 표면은 증기상의 기체인 제 2 반응물과 접촉된다. 과량의 제 2 반응물과, 만일 있다면, 표면 반응의 기체 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거된다. 일부 실시예들에 있어서, 이것은 퍼지에 의하여 달성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 제 2 반응물을 포함하는 반응 공간으로부터 제거된다.
상기 접촉시키는 단계 및 제거하는 단계는 각 사이클에서 분자의 모노레이어 이하로 형성되면서 원하는 두께의 박막이 기판의 제 1 표면 위에 선택적으로 형성될 때까지 반복된다. 삼원계 물질들과 같이 더욱 복잡한 물질들을 형성하기 위하여, 기판의 표면을 교대적으로 그리고 순차적으로 추가적인 다른 반응물들과 접촉시키는 단계를 포함하는 추가적인 시기들(phases)이 포함될 수 있다.
받아들일 수 있는 구조물 표면들을 포화시키기 위하여 각 시기에서 과량의 반응물들 또는 전구체들이 통상적으로 공급된다. 표면 포화는 (예를 들면, 물리적인 크기 또는 "입체 장애"로 인한 제한들을 겪는) 동원 가능한 모든 반응점들을 반응물이 차지하는 것을 보장하고 따라서 뛰어난 단차 도포성을 보장한다. 통상적으로 물질의 하나보다 작은 분자층이 각 사이클에서 퇴적되지만, 그러나, 일부 실시예들에 있어서, 사이클 동안 하나보다 많은 분자층이 퇴적된다.
과량의 반응물들 또는 전구체들을 제거하는 단계는 헬륨, 질소 또는 다른 불활성 가스로 반응 공간을 퍼지하는 단계 및/또는 반응 공간의 내용물들의 일부를 비워내는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퍼지시키는 단계는 상기 반응 공간으로의 불활성 캐리어 가스의 유동을 계속하면서 상기 반응성 가스의 유동을 차단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 ALD 타입 공정들에 채용된 전구체들은, 상기 전구체들이 상기 기판 표면과 접촉되기 전에 기상이라면, 표준 상태(실온 및 대기압)에서 고체, 액체, 또는 기체의 물질들일 수 있다. 기판 표면을 기화된 전구체와 접촉시킨다는 것은 상기 전구체의 증기가 한정된 기간의 시간 동안 상기 기판 표면과 접촉함을 의미한다. 통상적으로, 상기 접촉시키는 시간은 약 0.05초 내지 10초이다. 그러나, 기판의 타입과 그의 표면적에 의존하여 상기 접촉 시간은 10초보다 더 길 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 접촉시키는 시간은 수 분 단위일 수도 있다. 최적의 접촉 시간은 특정 환경들에 근거하여 통상의 기술자가 결정할 수 있다.
또한 상기 전구체들의 질량 흐름 속도는 통상의 기술자에 의하여 결정될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 금속 전구체들의 흐름 속도는 약 1 sccm 내지 약 1000 sccm 사이인 것이 바람직하고, 약 100 sccm과 약 500 sccm 사이인 것이 더욱 바람직하나 여기에 한정되는 것은 아니다.
반응 챔버의 압력은 통상적으로 약 0.01 mbar 내지 약 20 mbar이고, 약 1 mbar 내지 약 10 mbar인 것이 더욱 바람직하다. 그러나 일부 경우들에 있어서, 상기 압력은 이러한 범위보다 더 크거나 더 낮을 것이며, 주어진 특정 환경에 따라 통상의 기술자가 결정할 수 있다.
막의 퇴적을 시작하기 전, 상기 기판은 통상적으로 적합한 성장 온도로 가열된다. 상기 성장 온도는 형성되는 박막의 타입, 전구체들의 물리적 성질들 등에 따라 달라진다. 상기 성장 온도들은 형성되는 박막의 각 타입을 참조하여 여기서 더욱 상세하게 논의한다. 상기 성장 온도는 비결정질의 박막이 형성되도록 퇴적되는 물질의 결정화 온도보다 낮거나 또는 결정질의 박막이 형성되도록 결정화 온도보다 높을 수 있다. 바람직한 상기 퇴적 온도는 반응 전구체들, 압력, 흐름 속도, 반응기의 배열, 퇴적되는 박막의 결정화 온도, 기판 위에 퇴적될 물질의 특성을 포함한 기판의 조성과 같은 수많은 인자들에 따라 변화할 수 있으며 여기에 한정되는 것은 아니다. 구체적인 성장 온도는 통상의 기술자에 의하여 선택될 수 있다.
사용될 수 있는 적절한 반응기들의 예들은 애리조나주 피닉스(Phoenix)의 ASM America, Inc. 및 네덜란드 알미어(Almere)의 ASM Europe B.V.로부터 입수 가능한 F-120ㄾ 반응기, F-450ㄾ 반응기, (Pulsarㄾ 2000 및 Pulsarㄾ 3000과 같은) Pulsarㄾ 반응기들, EmerALDㄾ 반응기 및 Advanceㄾ 400 시리즈 반응기들과 같이 상용으로 입수 가능한 장비를 포함한다. 다른 상용으로 입수 가능한 반응기들은 ASM Japan K.K(일본 도쿄)로부터의 Eagleㄾ XP 및 XP8의 상표명을 갖는 것들을 포함한다.
일부 실시예들에 있어서, 뱃치(batch) 반응기가 사용될 수 있다. 적절한 뱃치 반응기들은 ASM Europe B.V(네덜란드 알미어)로부터 ALDA400TM 및 A412TM의 상표명으로 상용으로 입수 가능한 반응기들을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 A412TM와 같이, 처리하는 동안 보우트가 회전하는 수직형 뱃치 반응기가 사용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 웨이퍼들은 처리되는 동안 회전한다. 뱃치 반응기가 사용되는 일부 실시예들에 있어서, 웨이퍼들간(wafer-to-wafer)의 균일도는 3%(1시그마) 미만이거나, 2% 미만이거나, 1% 미만이거나, 또는 0.5% 미만이다.
상기 성장 공정들은 반응기 내에서 또는 클러스터 툴에 연결된 반응 공간 내에서 선택적으로 수행될 수 있다. 클러스터 툴에서는 각 반응 공간이 한 가지 타입의 공정에 전용되기 때문에, 각 모듈 내에서 반응 공간의 온도가 일정하게 유지될 수 있으며 이는 각 런(run)에 앞서 기판을 공정 온도까지 가열해야 하는 반응기와 비교할 때 스루풋(throughput)을 개선한다.
독립형(stand-alone) 반응기는 로드-락과 장착될 수 있다. 그러한 경우에 있어서, 각 런 사이에 반응 공간을 냉각시킬 필요가 없다.
도 1을 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2와 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 표면을 포함하는 기판이 단계 (110)에서 제공된다. 상기 산화물 표면의 일부가 H-종결들을 포함하는 표면을 형성하기 위하여 선택적으로 처리된다(120). 예를 들면 상기 표면의 일부는 예컨대 HF로 선택적으로 식각되어 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH를 포함하는 H-종결된 표면을 형성할 수 있다.
니켈, 니켈 질화물(NiNx), 코발트, 철 또는 티타늄 산화물과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 제 1 SiO2 표면 위에 다수의 사이클들을 포함하는 ALD 타입의 퇴적 공정(100)에 의해 선택적으로 퇴적된다. 상기 다수의 사이클들의 각 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
기판의 표면을 기화된 제 1 전구체와 단계 (130)에서 접촉시키는 단계. 상기 제 1 전구체는 니켈 전구체, Co 전구체, Fe 전구체 또는 티타늄 전구체를 포함할 수 있다;
과량의 제 1 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 단계 (140)에서 상기 표면으로부터 제거하는 단계;
상기 기판의 표면을 기화된 제 2 반응물과 단계 (150)에서 접촉시키는 단계;
단계 (160)에서 상기 표면으로부터 과량의 제 2 반응물, 그리고 상기 기판의 제 1 표면 상의 제 1 전구체의 층과 상기 제 2 반응물 사이의 반응에서 형성된 임의의 가스 형태의 부산물들을 제거하는 단계; 및
상기 선택적으로 퇴적된 물질을 포함하는 박막이 원하는 두께로 형성될 때까지 상기 접촉시키는 단계와 제거하는 단계를 단계 (170)에서 선택적으로 반복하는 단계.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 공정(100)을 시작하기 전에 하나의 표면 위에서 상이한 하나 이상의 다른 표면들에 대한 상대적인 퇴적을 향상시키기 위하여 상기 기판의 하나 이상의 표면들이 처리될 수 있다. 도 1에서는 이것이 단계 (120)으로 표시된다.
비록 도시된 퇴적 사이클은 상기 기판의 표면을 제 1 전구체와 접촉시키는 단계로 시작하지만, 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 사이클은 상기 기판의 표면을 제 2 반응물과 접촉시키는 단계로 시작할 수 있다. 통상의 기술자는 일반적으로 상기 기판 표면을 제 1 전구체 및 제 2 반응물과 접촉시키는 단계가 ALD 사이클에서 서로 바뀔 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 반응물들 및 반응 부산물들은 질소나 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 제 1 전구체의 흐름을 중단시킴으로써 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 반응물들 및 반응 부산물들은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 제 2 반응물의 흐름을 중단시킴으로써 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상이한 반응물들이 원하는 시간 동안 원하는 순서로 상기 기판의 표면과 교대적으로 그리고 순차적으로 접촉하도록 기판이 이동된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제거하는 단계들(140, 160)은 수행되지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 챔버의 다양한 부분들로부터 어떠한 반응물도 제거되지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 1 전구체를 수용하고 있는 상기 챔버의 한 부분으로부터 제 2 반응물을 수용하고 있는 상기 챔버의 다른 부분으로 이동된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 1 반응 챔버로부터 그와 상이한 챔버인 제 2 반응 챔버로 이동된다.
일부 실시예들에 있어서, 각 반응은 자기-제한적이며(self-limiting) 모노레이어씩의 성장(monolayer by monolayer growth)이 달성된다. 이들은 "진성(true) ALD" 반응들로 지칭될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 니켈 전구체(또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 전구체)는 자기-제한적인 방식으로 기판 표면 위에 흡착될 수 있다. 이어서 흡착된 상기 니켈 전구체와 제 2 반응물이 반응하여 상기 기판 위에 니켈을 (또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 물질을) 모노레이어까지 형성할 것이다.
그러나 일부 실시예들에 있어서, ALD-타입 반응들이 제공되고 이 때 일부 전구체의 분해가 있을 수 있지만 성장은 포화된다. 즉, 일부 실시예들에 있어서, 어떤 퇴적 온도들에서 특정 분량의 박막 성장이 니켈 전구체의 (또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 금속 전구체의) 열분해에 의하여 야기될 수 있지만, 제 2 반응물이 사용될 때, 포화된 성장이 바람직하게 달성된다. 그러한 반응은 ALD-타입 반응의 한 예이다. 그러한 ALD-타입 반응에서, 우수한 균일도와 상대적으로 적은 불순물들을 갖는 막들이 퇴적될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 하나 이상의 전구체들, 특히 니켈, Co, Fe 또는 Ti 전구체의 열분해가 일어난다. 그러한 경우들에 있어서, 펄스 시간들을 증가시켜도 성장 속도가 완전히 안정 상태에 도달하지는 않을 수 있다. 오히려, 펄스 시간들을 증가시킴에 따라 상기 성장 속도가 더욱 느리게 증가할 수는 있을지언정 상기 성장 속도는 펄스 시간들을 증가시킴에 따라 계속적으로 상승할 수 있다. 따라서 일부 실시예들에 있어서, 펄스화(pulsed)-CVD 타입 퇴적 공정이 사용되며, 여기서 반응물들은 교대적으로 그리고 분리되어 공급되지만, 일부 기상 반응들이 일어날 수 있다. 바람직하게, 표면 제어된 분해가 분해를 위한 메커니즘이 되어 우수한 균일성 및 우수한 단차 도포성으로 이어지도록 조건들이 선택된다. 또한 반응들의 우수한 제어가 유지되어 낮은 불순물들을 갖는 우수한 막질을 갖도록 반응 조건들이 선택될 수 있다.
따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 퇴적 온도는 니켈 전구체의 (또는 여기에 설명된 바와 같은 다른 전구체의) 열분해 온도보다 낮다. 한편 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 온도는 상기 열분해 온도이거나 또는 상기 열분해 온도보다 높을 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH로 종결된 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에 박막이 펄스화 CVD 공정에 의하여 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서는 기상의 금속 전구체가 간헐적으로 펄스화되어 상기 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 공급되고, 상기 반응 공간으로부터 퍼지된다. 일부 실시예들에 있어서, 단일의 금속 전구체가 사용된다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나 또는 퍼지 단계 또는 전구체 제거 단계에 의해 서로 분리된 전구체의 순차적인 펄스들에 노출된다. 따라서 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 금속 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉될 수 있으며, 기상의 제 2 반응물과는 접촉되지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 금속 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 금속 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 금속 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 금속 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 금속 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 금속 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
SiO 2 상에서의 Ni의 선택적 퇴적
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, 니켈을 포함하는 물질이 기판의, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 (동일한 기판의 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은) 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하고 그에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의 니켈의 퇴적이 저해되도록 표면을 처리함으로써 형성된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 처리는 인 시투(in situ) 처리일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면을 제공하도록 처리된 SiO2 표면일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성함으로써 H-종결을 제공하는 화학 물질(chemical)과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면의 처리는 그 표면을 0.5% HF와 같은 HF로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. H-종결된 상기 제 2 표면을 생성하기 위하여 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들을 처리하기 위하여 마스크 또는 다른 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 SiO2 표면의 나머지 부분들은 변화시키지 않으면서 제 2 SiHx 표면을 형성하기 위하여 SiO2 기판의 하나 이상의 부분들을 선택적으로 식각하도록 마스크 또는 다른 공정이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 그 위에 Ni이 퇴적되는 것이 향상되도록 처리될 수 있다. 예를 들면, 제 1 SiO2 표면은 표면 위에서의 OH-기들의 양을 증가시키도록 처리될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제 2 표면에 대한 상대적인 제 1 표면 위에서의, 예컨대 기판의 제 2 SiHx 표면에 대한 상대적인 상기 기판의 제 1 SiO2 표면 위에서의 니켈 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이거나, 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
도 2를 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 표면을 포함하는 기판이 단계 (210)에서 제공된다. -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면을 형성하기 위하여 상기 SiO2 표면의 부분은 HF에 노출시킴으로써 선택적으로 처리된다(220).
니켈을 포함하는 물질이, ALD 또는 CVD와 같은 기상 증착 공정에 의하여 상기 H-종결된 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 SiO2 표면 위에 선택적으로 퇴적된다(230).
일부 실시예들에 있어서, 다수의 Ni 퇴적 사이클들을 포함하는 ALD 타입 공정에 의하여 반응 챔버 내부의 기판의 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 원소 Ni의 박막이 선택적으로 형성된다. 각 퇴적 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
상기 기판 위에 Ni 전구체의 층을 형성하기 위하여 상기 기판 표면을 제 1 Ni 전구체를 포함하는 제 1 기상 반응물과 접촉시키는 단계;
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 1 반응물을 제거하는 단계;
상기 제 2 반응물이 상기 기판 상의 제 1 Ni 전구체와 반응하여 자기-제한적인 방식으로 Ni을 형성하도록 상기 기판을 제 2 기상 반응물과 접촉시키는 단계; 및
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 2 반응물 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 제거하는 단계.
이것은 Ni 퇴적 사이클이라고 지칭될 수 있다. 각 Ni 퇴적 사이클은 상기 SiO2 표면 위에 선택적으로 Ni의 모노레이어를 대개는 많아야 대략 하나 형성한다. 상기 퇴적 온도가 상기 Ni 전구체의 분해 온도보다 더 높은 일부 경우들에 있어서, 각 Ni 퇴적 사이클에서 Ni의 모노레이어가 하나보다 많게 형성될 수 있다. 상기 Ni 퇴적 사이클은 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복될 수 있다.
비록 예시된 Ni 퇴적 사이클은 제 1 Ni 전구체를 제공하는 것으로 시작되지만, 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 사이클은 제 2 반응물을 제공하는 단계로 시작될 수 있다. 통상의 기술자는 ALD 사이클에서 상기 제 1 Ni 전구체와 제 2 반응물이 서로 바뀌어서 제공될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 반응물의 흐름을 중단함으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 상기 반응 챔버로부터 제거하거나 또는 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에 펄스화 CVD 공정에 의하여 니켈 박막이 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서 기상의 니켈 전구체는 교대적으로 상기 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 펄스화되어 들어가고 상기 반응 공간으로부터 퍼지된다.
일부 실시예들에 있어서, 단일의 니켈 전구체가 이용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나, 또는 퍼지 단계나 전구체 제거 단계에 의하여 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 니켈 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉할 수 있으며 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 니켈 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 니켈 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 니켈 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 니켈 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 니켈 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 니켈 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
SiO 2 상에서의 NiN x 의 선택적 퇴적
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, Ni을 포함하는 물질, 예컨대 니켈 질화물(NiNx)을 포함하는 물질이 기판의, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로, 동일한 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하고 그에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의, 니켈 질화물과 같이 Ni를 포함하는 물질의 퇴적이 저해되도록 표면을 처리함으로써 형성된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 처리는 인 시투(in situ) 처리일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면을 제공하도록 처리된 SiO2 표면일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성함으로써 H-종결을 제공하는 화학 물질(chemical)과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면의 처리는 그 표면을 0.5% HF와 같은 HF로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. H-종결된 상기 제 2 표면을 생성하기 위하여 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들을 처리하기 위하여 마스크 또는 다른 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 SiO2 표면의 나머지 부분들은 변화시키지 않으면서 제 2 SiHx 표면을 형성하기 위하여 SiO2 기판의 하나 이상의 부분들을 선택적으로 식각하도록 마스크 또는 다른 공정이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 그 위에 니켈 질화물과 같이 Ni을 포함하는 물질이 퇴적되는 것이 향상되도록 처리될 수 있다. 예를 들면, 제 1 SiO2 표면은 표면 위에서의 OH-기들의 양을 증가시키도록 처리될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대한 상대적인 제 1 표면 위에서의, 예컨대 상기 기판의 제 1 SiO2 표면 위에서의 NiNx의 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, NiNx의 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 NiNx의 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이거나, 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
도 3을 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 표면을 포함하는 기판이 단계 (310)에서 제공된다. -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH과 같은 H-종결들을 포함하는 제 2 표면을 형성하기 위하여 상기 SiO2 표면의 부분은 HF에 노출시킴으로써 선택적으로 처리된다(320).
니켈 질화물(NiNx)과 같은 Ni을 포함하는 물질이, ALD 또는 CVD와 같은 기상 증착 공정에 의하여 상기 H-종결된 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 SiO2 표면 위에 선택적으로 퇴적된다(330).
일부 실시예들에 있어서, 다수의 니켈 질화물 퇴적 사이클들을 포함하는 ALD 타입 공정에 의하여 반응 챔버 내부의 기판의 SiHx 종결된 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 니켈 질화물의 박각과 같은 Ni를 포함하는 물질이 선택적으로 형성된다. 각 퇴적 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
상기 기판 위에 Ni 전구체의 층을 형성하기 위하여 상기 기판 표면을 제 1 Ni 전구체를 포함하는 제 1 기상 반응물과 접촉시키는 단계;
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 1 반응물을 제거하는 단계;
상기 제 2 반응물이 상기 기판 상의 제 1 Ni 전구체와 반응하여 자기-제한적인 방식으로 NiNx와 같이 Ni을 포함하는 물질을 형성하도록 상기 기판을 제 2 기상 질소 반응물과 접촉시키는 단계; 및
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 2 반응물 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 제거하는 단계.
이것은 NiNx 퇴적 사이클이라고 지칭될 수 있다. 각 NiNx 퇴적 사이클은 상기 SiO2 표면 위에 선택적으로 NiNx의 모노레이어를 대개는 많아야 대략 하나 형성한다. 상기 퇴적 온도가 상기 Ni 전구체의 분해 온도보다 더 높은 일부 경우들에 있어서, 각 NiNx 퇴적 사이클에서 NiNx의 모노레이어가 하나보다 많게 형성될 수 있다. 상기 NiNx 퇴적 사이클은 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 반응물의 흐름을 중단함으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 상기 반응 챔버로부터 제거하거나 또는 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 기판의 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 표면 위에 CVD 공정, 예컨대 펄스화 CVD 공정에 의하여 NiNx 층이 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서 니켈 전구체와 질소 전구체가 상기 반응 챔버로 공급된다.
일부 실시예들에 있어서, 단일의 니켈 전구체가 이용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나, 또는 퍼지 단계나 전구체 제거 단계에 의하여 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 니켈 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉할 수 있으며 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 니켈 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 니켈 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 니켈 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 니켈 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 니켈 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 니켈 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
SiO 2 상에서의 Co의 선택적 퇴적
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, 코발트를 포함하는 물질이 기판의, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 (동일한 기판의 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은) 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하고 그에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의 코발트의 퇴적이 저해되도록 표면을 처리함으로써 형성된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 처리는 인 시투(in situ) 처리일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면을 제공하도록 처리된 SiO2 표면일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성함으로써 H-종결을 제공하는 화학 물질(chemical)과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면의 처리는 그 표면을 0.5% HF와 같은 HF로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. H-종결된 상기 제 2 표면을 생성하기 위하여 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들을 처리하기 위하여 마스크 또는 다른 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 SiO2 표면의 나머지 부분들은 변화시키지 않으면서 제 2 SiHx 표면을 형성하기 위하여 SiO2 기판의 하나 이상의 부분들을 선택적으로 식각하도록 마스크 또는 다른 공정이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 그 위에 Co가 퇴적되는 것이 향상되도록 처리될 수 있다. 예를 들면, 제 1 SiO2 표면은 표면 위에서의 OH-기들의 양을 증가시키도록 처리될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제 2 표면에 대한 상대적인 제 1 표면 위에서의, 예컨대 기판의 제 2 SiHx 표면에 대한 상대적인 상기 기판의 제 1 SiO2 표면 위에서의 코발트의 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이거나, 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
도 4를 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 표면을 포함하는 기판이 단계 (410)에서 제공된다. -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면을 형성하기 위하여 상기 SiO2 표면의 부분은 HF에 노출시킴으로써 선택적으로 처리된다(420).
코발트가, ALD 또는 CVD와 같은 기상 증착 공정에 의하여 상기 H-종결된 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 SiO2 표면 위에 선택적으로 퇴적된다(430).
일부 실시예들에 있어서, 다수의 Co 퇴적 사이클들을 포함하는 ALD 타입 공정에 의하여 반응 챔버 내부의 기판의 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 원소 Co의 박막이 선택적으로 형성된다. 각 퇴적 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
상기 기판 위에 Co 전구체의 층을 형성하기 위하여 상기 기판 표면을 제 1 Co 전구체를 포함하는 제 1 기상 반응물과 접촉시키는 단계;
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 1 반응물을 제거하는 단계;
상기 제 2 반응물이 상기 기판 상의 제 1 Co 전구체와 반응하여 자기-제한적인 방식으로 Co을 형성하도록 상기 기판을 제 2 기상 반응물과 접촉시키는 단계; 및
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 2 반응물 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 제거하는 단계.
이것은 Co 퇴적 사이클이라고 지칭될 수 있다. 각 Co 퇴적 사이클은 상기 SiO2 표면 위에 선택적으로 Co의 모노레이어를 대개는 많아야 대략 하나 형성한다. 상기 퇴적 온도가 상기 Co 전구체의 분해 온도보다 더 높은 일부 경우들에 있어서, 각 Co 퇴적 사이클에서 Co의 모노레이어가 하나보다 많게 형성될 수 있다. 상기 Co 퇴적 사이클은 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복된다.
비록 예시된 Co 퇴적 사이클은 제 1 Co 전구체를 제공하는 것으로 시작되지만, 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 사이클은 제 2 반응물을 제공하는 단계로 시작될 수 있다. 통상의 기술자는 ALD 사이클에서 상기 제 1 Co 전구체와 제 2 반응물이 서로 바뀌어서 제공될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 반응물의 흐름을 중단함으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 상기 반응 챔버로부터 제거하거나 또는 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 종결된 표면에 대하여 상대적으로 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에 펄스화 CVD 공정에 의하여 코발트 박막이 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서 기상의 코발트 전구체는 교대적으로 상기 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 펄스화되어 들어가고 상기 반응 공간으로부터 퍼지된다.
일부 실시예들에 있어서, 단일의 코발트 전구체가 이용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나, 또는 퍼지 단계나 전구체 제거 단계에 의하여 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 코발트 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉할 수 있으며 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 코발트 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 코발트 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 코발트 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 코발트 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 코발트 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 코발트 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
SiO 2 상에서의 Fe의 선택적 퇴적
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, Fe를 포함하는 물질이 기판의, -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 (동일한 기판의 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은) 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하고 그에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의 철의 퇴적이 저해되도록 표면을 처리함으로써 형성된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 처리는 인 시투(in situ) 처리일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 제공하도록 처리된 SiO2 표면일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성함으로써 H-종결을 제공하는 화학 물질(chemical)과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면의 처리는 그 표면을 0.5% HF와 같은 HF로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. H-종결된 상기 제 2 표면을 생성하기 위하여 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들을 처리하기 위하여 마스크 또는 다른 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 SiO2 표면의 나머지 부분들은 변화시키지 않으면서 제 2 SiHx 표면을 형성하기 위하여 SiO2 기판의 하나 이상의 부분들을 선택적으로 식각하도록 마스크 또는 다른 공정이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 표면은 그 위에 Fe이 퇴적되는 것이 향상되도록 처리될 수 있다. 예를 들면, 제 1 SiO2 표면은 표면 위에서의 OH-기들의 양을 증가시키도록 처리될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제 2 표면에 대한 상대적인 제 1 표면 위에서의, 예컨대 기판의 제 2 SiHx 표면에 대한 상대적인 상기 기판의 제 1 SiO2 표면 위에서의 철의 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이거나, 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
도 5를 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 표면을 포함하는 기판이 단계 (510)에서 제공된다. -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면을 형성하기 위하여 상기 SiO2 표면의 부분은 HF에 노출시킴으로써 선택적으로 처리된다(520).
Fe이, ALD 또는 CVD와 같은 기상 증착 공정에 의하여 상기 H-종결된 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 SiO2 표면 위에 선택적으로 퇴적된다(530).
일부 실시예들에 있어서, 다수의 Fe 퇴적 사이클들을 포함하는 ALD 타입 공정에 의하여 반응 챔버 내부의 기판의 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 원소 Fe의 박막이 선택적으로 형성된다. 각 퇴적 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
상기 기판 위에 Fe 전구체의 층을 형성하기 위하여 상기 기판 표면을 제 1 Fe 전구체를 포함하는 제 1 기상 반응물과 접촉시키는 단계;
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 1 반응물을 제거하는 단계;
상기 제 2 반응물이 상기 기판 상의 제 1 Fe 전구체와 반응하여 자기-제한적인 방식으로 Fe을 형성하도록 상기 기판을 제 2 기상 반응물과 접촉시키는 단계; 및
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 2 반응물 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 제거하는 단계.
이것은 Fe 퇴적 사이클이라고 지칭될 수 있다. 각 Fe 퇴적 사이클은 상기 SiO2 표면 위에 선택적으로 Fe의 모노레이어를 대개는 많아야 대략 하나 형성한다. 상기 퇴적 온도가 상기 Fe 전구체의 분해 온도보다 더 높은 일부 경우들에 있어서, 각 Fe 퇴적 사이클에서 Fe의 모노레이어가 하나보다 많게 형성될 수 있다. 상기 Fe 퇴적 사이클은 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복될 수 있다.
비록 예시된 Fe 퇴적 사이클은 제 1 Fe 전구체를 제공하는 것으로 시작되지만, 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 사이클은 제 2 반응물을 제공하는 단계로 시작될 수 있다. 통상의 기술자는 ALD 사이클에서 상기 제 1 Fe 전구체와 제 2 반응물이 서로 바뀌어서 제공될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 반응물의 흐름을 중단함으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 상기 반응 챔버로부터 제거하거나 또는 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH에 대하여 상대적으로 SiO2 표면과 같은 제 1 표면 위에 펄스화 CVD 공정에 의하여 Fe 박막이 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서 기상의 Fe 전구체는 교대적으로 상기 기판을 포함하는 반응 공간 내부로 펄스화되어 들어가고 상기 반응 공간으로부터 퍼지된다.
일부 실시예들에 있어서, 단일의 Fe 전구체가 이용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나, 또는 퍼지 단계나 전구체 제거 단계에 의하여 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 Fe 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉할 수 있으며 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 Fe 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 Fe 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 Fe 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 Fe 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 Fe 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 Fe 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
SiO 2 상에서의 TiO 2 의 선택적 퇴적
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, Ti을 포함하는 물질, 예컨대 TiO2와 같이 Ti를 포함하는 물질이 기판의, H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로, 동일한 기판의 제 1 SiO2 표면과 같이 위에서 설명된 바와 같은 제 1 기판 표면 위에 선택적으로 퇴적된다.
일부 실시예들에 있어서, H-종결된 상기 제 2 표면은 퇴적에 앞서 H-종결들을 제공하고 그에 의하여 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 2 표면 위에서의, 니켈 질화물과 같이 티타늄 산화물과 같은 Ti를 포함하는 물질의 퇴적이 저해되도록 표면을 처리함으로써 형성된다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 처리는 인 시투(in situ) 처리일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 H-종결된 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 제공하도록 처리된 SiO2 표면일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 표면은 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성함으로써 H-종결을 제공하는 화학 물질(chemical)과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, SiO2 표면의 처리는 그 표면을 0.5% HF와 같은 HF로 식각하는 단계를 포함할 수 있다. H-종결된 상기 제 2 표면을 생성하기 위하여 상기 제 1 표면의 하나 이상의 부분들을 처리하기 위하여 마스크 또는 다른 공정들이 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 SiO2 표면의 나머지 부분들은 변화시키지 않으면서 제 2 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면을 형성하기 위하여 SiO2 기판의 하나 이상의 부분들을 선택적으로 식각하도록 마스크 또는 다른 공정이 사용될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 SiO2 표면은 표면 위에서의 OH-기들의 양을 증가시키도록 처리될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 H-종결된 제 2 표면, 예컨대 -SiH3, -SiH2, 또는 -SiH 표면에 대한 상대적인 상기 기판의 제 1 표면 위에서의, 예컨대 상기 기판의 SiO2 표면 위에서의 Ti를 포함하는 물질, 예컨대 TiO2의 퇴적은 적어도 약 90%로 선택적이거나, 적어도 약 95%로 선택적이거나, 적어도 약 96%, 97%, 98%, 또는 99% 또는 이보다 더 크게 선택적이다. 일부 실시예들에 있어서, TiO2의 퇴적은 상기 제 1 표면 위에서만 일어나고 상기 제 2 표면 위에서는 일어나지 않는다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판의 제 2 표면에 대한 상기 기판의 제 1 표면 상에서의 상대적인 TiO2의 퇴적은 적어도 약 50%로 선택적이거나, 적어도 약 70%로 선택적이거나, 또는 적어도 약 80%로 선택적이며, 이는 일부 특정한 응용들에 대하여 충분히 선택적일 수 있다.
도 6을 참조하고 일부 실시예들에 따르면, SiO2 표면을 포함하는 기판이 단계 (610)에서 제공된다. H-종결들을 포함하는 SiHx 표면을 형성하기 위하여 상기 SiO2 표면의 부분은 HF에 노출시킴으로써 선택적으로 처리된다(620).
티타늄 산화물은, ALD 또는 CVD와 같은 기상 증착 공정에 의하여 상기 H-종결된 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 SiO2 표면 위에 선택적으로 퇴적된다(630).
일부 실시예들에 있어서, 다수의 티타늄 산화물 퇴적 사이클들을 포함하는 ALD 타입 공정에 의하여 반응 챔버 내부의 기판의 SiHx 표면과 같이 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 Ti를 포함하는 물질, 예컨대 티타늄 산화물 박막이 선택적으로 형성된다. 각 퇴적 사이클은 다음 단계들을 포함한다:
상기 기판 위에 Ti 전구체의 층을 형성하기 위하여 상기 기판 표면을 제 1 Ti 전구체를 포함하는 제 1 기상 반응물과 접촉시키는 단계;
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 1 반응물을 제거하는 단계;
상기 제 2 반응물이 상기 기판 상의 제 1 Ti 전구체와 반응하여 자기-제한적인 방식으로 TiO2을 형성하도록 상기 기판을 제 2 기상 산소 반응물과 접촉시키는 단계; 및
상기 기판 표면으로부터 과량의 제 2 반응물 및, 만일 있다면, 반응 부산물들을 제거하는 단계.
이것은 TiO2 퇴적 사이클이라고 지칭될 수 있다. 각 TiO2 퇴적 사이클은 상기 SiO2 표면 위에 선택적으로 TiO2의 모노레이어를 대개는 많아야 대략 하나 형성한다. 상기 퇴적 온도가 상기 Ti 전구체의 분해 온도보다 더 높은 일부 경우들에 있어서, 각 TiO2 퇴적 사이클에서 TiO2의 모노레이어가 하나보다 많게 형성될 수 있다. 상기 TiO2 퇴적 사이클은 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복된다.
비록 예시된 TiO2 퇴적 사이클은 제 1 Ti 전구체를 제공하는 것으로 시작되지만, 다른 실시예들에 있어서 상기 퇴적 사이클은 제 2 반응물을 제공하는 단계로 시작될 수 있다. 통상의 기술자는 ALD 사이클에서 상기 제 1 Ti 전구체와 제 2 반응물이 서로 바뀌어서 제공될 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성의 캐리어 가스의 흐름을 계속하면서 반응물의 흐름을 중단함으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 상기 반응 챔버로부터 제거하거나 또는 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 반응물들 및 반응 부산물들이 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 일부 실시예들에 있어서, 기판의 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 제 1 SiO2 표면 위에 펄스화 CVD 공정과 같은 CVD 공정에 의하여 TiO2 층이 선택적으로 퇴적된다. 상기 펄스화 CVD 공정에서 Ti 전구체와 산소 전구체가 상기 반응 챔버로 공급된다. 일부 실시예들에 있어서, 단일의 Ti 전구체가 이용된다. 따라서, 일부 실시예들에 있어서, 상기 공정은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 포함하지 않을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판이 하나의 전구체 펄스에 노출되거나, 또는 퍼지 단계나 전구체 제거 단계에 의하여 분리된 순차적인 전구체 펄스들에 노출된다. 예를 들면, 일부 실시예들에 있어서, 기판은 기상의 Ti 전구체와 연속적으로 또는 간헐적으로 접촉할 수 있으며 기상의 제 2 반응물과는 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 Ti 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 퇴적 공정은 오직 하나의 Ti 전구체 펄스만을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 기상의 Ti 전구체와 접촉될 수 있고, 과량의 Ti 전구체 및, 만일 있다면, 반응 부산물들은 상기 기판 표면으로부터 제거될 수 있고, 상기 기판은 예컨대 순차적인 펄스로 기상의 상기 Ti 전구체와 다시 접촉될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제 2 반응물과 접촉하지 않을 수 있다. 비록 일부 실시예들에 있어서이지만, 기상의 Ti 전구체에 더하여 기판이 불활성 퍼지 가스 또는 캐리어 가스와 같이 반응하지 않는 다른 종들과 접촉될 수 있다.
전구체들
적절한 니켈 전구체들은 통상의 기술자에 의하여 선택될 수 있다. 일반적으로 금속이 산소, 질소, 탄소 또는 이들의 조합에 결합되거나 배위된 니켈 화합물들이 바람직하다. 일부 실시예들에 있어서, 니켈 전구체는 유기 화합물일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 니켈 전구체는 유기금속 화합물이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 니켈 전구체는 이좌배위성 리간드들을 포함하는 유기 금속 화합물이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 니켈 전구체는 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미나토)니켈(ii)이다.
일부 실시예들에 있어서, 니켈 전구체들은 니켈 베타디케토네이트 화합물들, 니켈 베타디케티미네이토 화합물들, 니켈 아미노알콕사이드 화합물들, 니켈 아미디네이트 화합물들, 니켈 시클로펜타디에닐 화합물들, 니켈 카르보닐 화합물들, 및 이들의 조합들로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, X(acac)y 또는 X(thd)y 화합물들이 사용되며, 여기서 X는 금속이고, y는 일반적으로 2와 3 사이이지만 반드시 그럴 필요는 없고, thd는 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토이다. 적절한 베타디케티미네이토 (예를 들면, Ni(pda)2) 화합물들의 일부 예들은 그 개시 내용의 전체가 여기에 인용되어 통합되는 미합중국 특허등록 제9,103,019호에 언급되어 있다. 적절한 아미디네이트 화합물들(예를 들면, Ni(iPr-AMD)2)의 일부 예들은 그 개시 내용의 전체가 여기에 인용되어 통합되는 미합중국 특허등록 제7,557,229호에 언급되어 있다.
또한 상기 니켈 전구체는 하나 이상의 할로겐화 리간드들을 포함할 수 있다. 바람직한 실시예들에 있어서, 상기 전구체는 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미네이토)니켈(II) [Ni(EtN-EtN-pent)2]와 같은 니켈 베타디케티미네이토 화합물, 비스(3Z)-4-n부틸아미노-펜트-3-엔-2-온-니켈(II)과 같은 니켈 케토이미네이트, 메틸시클로펜타디에닐-이소프로필아세트아미디네이트-니켈(II)과 같은 니켈 아미디네이트 화합물, Ni(acac)2, Ni(thd)2와 같은 니켈 베타디케토네이토 화합물, 또는 Ni(cp)2, Ni(Mecp)2, Ni(Etcp)2와 같은 니켈 시클로펜타디에닐 화합물들, 또는 메틸시클로펜타디에닐-이소프로필아세트아미디네이트-니켈(II)와 같은 그의 유도체들이다. 더욱 바람직한 실시예들에 있어서, 상기 전구체는 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미네이토)니켈(II)이다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 Ni 전구체는 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미네이토)니켈(II)이다.
티타늄 전구체들은 통상의 기술자에 의하여 선택될 수 있으며, 예를 들면, 티타늄 알콕사이드류 (메톡사이드, 에톡사이드, 이소프로폭사이드) 및 티타늄 알킬아민류일 수 있다.
Fe 전구체들은 통상의 기술자에 의하여 선택될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 Fe 전구체는 Cp2Fe 또는 그의 유도체이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 Fe 전구체는 Fe(acac)2이다. 일부 실시예들에 있어서 상기 Fe 전구체는 철(III) tert-부톡사이드 (Fe2(OtBu)6)와 같은 Fe-알콕사이드이다. 일부 실시예들에 있어서 상기 Fe 전구체는 Fe(CO)5이다. 일부 실시예들에 있어서 상기 Fe 전구체는 시클로펜타디에닐 리간드 (Cp), 치환된 시클로펜타디에닐 리간드 또는 그들의 유도체들을 적어도 하나 포함한다. 일부 실시예들에 있어서 상기 Fe 전구체는 카르보닐 리간드 (-CO) 또는 그의 유도체를 적어도 하나 포함한다. 일부 실시예들에 있어서 상기 Fe 전구체는 적어도 하나의 카르보닐 리간드 (-CO), 그리고 시클로펜타디에닐 리간드 (Cp) 또는 치환된 시클로펜타디에닐 리간드 또는 그의 유도체와 같은 적어도 하나의 유기 리간드를 포함한다.
Co 전구체들은 통상의 기술자에 의하여 선택될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서 상기 코발트 전구체는 코발트 베타디케티미네이토 화합물, 코발트 케토이미네이트 화합물, 코발트 아미디네이트 화합물 또는 코발트 베타디케토네이트 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 원소 니켈을 형성하기 위한 ALD 공정에서 상기 제 2 전구체 또는 제 2 반응물은 수소 및 포밍(forming) 가스로부터 선택된다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 제 2 반응물은 EtOH와 같은 알코올일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 반응물은 유기 환원제이다. 상기 유기 환원제들은 위에서 언급된 바와 같은 알코올(-OH), 또는 알데하이드(-CHO), 또는 카르복실산(-COOH)로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 갖는 것이 바람직하다.
적어도 하나의 알코올기를 포함하는 환원제들은 1차 알코올류, 2차 알코올류, 3차 알코올류, 폴리히드록시 알코올류, 사이클릭 알코올류, 방향족 알코올류, 할로겐화 알코올류, 및 알코올류의 다른 유도체들로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다.
바람직한 1차 알코올류는 다른 탄소 원자에 결합된 탄소 원자에 부착된 -OH기를 가지며, 특히 1차 알코올류는 다음의 일반식 (I)에 따른다:
R1-OH (I)
여기서 R1은 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기로서 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. 바람직한 1차 알코올류의 예들은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 2-메틸 프로판올 및 2-메틸 부탄올을 포함한다.
바람직한 2차 알코올류는 두 개의 다른 탄소 원자들에 결합된 탄소 원자에 부착된 -OH기를 가지며, 특히 바람직한 2차 알코올류는 다음의 일반식 (II)를 갖는다:
Figure 112016031584844-pat00001
(II)
여기서 각 R1은 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기들의 군으로부터 독립적으로 선택되며, 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. 바람직한 2차 알코올류의 예들은 2-프로판올 및 2-부탄올을 포함한다.
바람직한 3차 알코올류는 세 개의 다른 탄소 원자들에 결합된 탄소 원자에 부착된 -OH기를 갖는다. 특히, 바람직한 3차 알코올류는 다음의 일반식 (III)를 갖는다:
Figure 112016031584844-pat00002
(III)
여기서 각 R1은 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기들의 군으로부터 독립적으로 선택되며, 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. 바람직한 3차 알코올류의 예는 tert-부탄올이다.
바람직한 폴리히드록시 알코올류, 예컨대 디올류나 트리올류는 위에서 설명된 바와 같은 1차, 2차 및/또는 3차 알코올기들을 갖는다. 바람직한 폴리히드록시 알코올의 예들은 에틸렌글리콜 및 글리세롤이다.
바람직한 사이클릭 알코올류는 적어도 하나의 탄소 원자에 부착된 -OH기를 가지며, 상기 탄소 원자는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 5-6 탄소 원자들을 갖는 고리의 일부이다.
바람직한 방향족 알코올류는 벤젠 고리에 또는 측쇄의 탄소 원자에 부착된 적어도 하나의 -OH기를 갖는다. 바람직한 방향족 알코올류의 예들은 벤질 알코올, o-, p-, 및 m-크레졸 및 레소시놀을 포함한다.
바람직한 할로겐화 알코올류는 다음의 일반식 (IV)를 갖는다.
CHnX3-n-R2-OH (IV)
여기서 X는 F, Cl, Br 및 I로 구성되는 군으로부터 선택되고, n은 0 내지 2의 정수이고, R2는 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기들의 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. 더욱 바람직하게 X는 F 및 Cl로 구성되는 군으로부터 선택되고, R2는 메틸 및 에틸로 구성되는 군으로부터 선택된다. 바람직한 할로겐화 알코올의 예는 2,2,2-트리플루오로에탄올이다.
사용될 수 있는 알코올류의 다른 유도체들은 메틸 에탄올아민과 같은 아민류를 포함한다.
적어도 하나의 알데하이드기(-CHO)를 포함하는 바람직한 환원제들은 일반식 (V)를 갖는 화합물들, 일반식 (VI)을 갖는 알칸디알 화합물들, 할로겐화 알데하이드류 및 알데하이드류의 다른 유도체들로 구성되는 군으로부터 선택된다.
따라서, 일부 실시예들에 있어서, 환원제들은 다음의 일반식 (V)를 갖는 알데하이드류이다:
R3-CHO (V)
여기서 R3는 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기들, 및 수소로 구성되는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. 더욱 바람직하게 R3는 메틸 또는 에틸로 구성되는 군으로부터 선택된다. 일반식 (V)에 따른 바람직한 화합물들의 예들은 포름알데하이드, 아세트알데하이드 및 부티랄데하이드이다.
다른 실시예들에 있어서, 환원제들은 다음의 일반식 (VI)을 갖는 알데하이드류이다:
OHC-R4-CHO (VI)
여기서 R4는 선형 또는 분지형이고 C1 - C20의 포화되거나 포화되지 않은 탄화수소이다. 선택적으로, 상기 알데하이드기들은 (R4가 없이) 서로 직접 결합될 수 있다.
적어도 하나의 -COOH기를 함유하는 환원제들은 일반식 (VII)의 화합물들, 폴리카르복실산류, 할로겐화 카르복실산류 및 칼르복실산의 다른 유도체들로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다.
따라서, 일부 실시예들에 있어서, 바람직한 환원제들은 일반식 (VII)을 갖는 카르복실산들이다:
R5-COOH (VII)
여기서 R5는 수소 또는 선형 또는 분지형의 C1 - C20 알킬 또는 알케닐기이고, 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이고, 더욱 바람직하게는 메틸 또는 에틸이다. 일반식 (VII)에 따른 바람직한 화합물들의 예들은 포름산 및 아세트산이고, 가장 바람직하게는 포름산(HCOOH)이다.
일부 실시예들에 있어서, 제 3 반응물이 ALD 사이클에서 사용된다. 일부 실시예들에 있어서, Ni 박막들을 퇴적시키기 위한 ALD-타입의 공정은 니켈 반응물, 유기 환원제, 및 수소 또는 (N2 내의 5% 또는 10% H2와 같은) 포밍 가스의 교호되고 순차적인 펄스들을 포함한다.
티타늄 산화물이 형성되는 실시예들에 있어서, 사용될 수 있는 전형적인 산소 반응물들은 물, 오존, 산소 플라스마, 산소 라디칼, 또는 산소 원자들을 포함하지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
니켈 질화물이 형성되는 실시예들에 있어서, 사용될 수 있는 전형적인 질소 반응물들은 NH3, N-함유 플라스마, N/H-함유 플라스마를 포함한다.
실시예들
Ni 및 NixNy의 성장이 F-120 및 Pulsarㄾ 2000 반응기들 모두에 대하여 조사되었다. 두 개의 쿠폰 기판들(5x5 cm2)을 F-120 반응기에 동시에 로딩하였다. 제 1 SiO2 표면 및 제 2 HF 식각된 Si 표면을 포함하는 제 1 기판 및 HF 식각된 Si 표면을 포함하는 제 2 기판에 대하여 동일한 퇴적 런(run)에서 테스트가 수행되었다. SiO2 표면을 포함하는 상기 제 1 기판을 마스크로 가린 후 HF로 식각하여 제 1 SiO2 표면(710) 및 H-종결된 제 2 표면(720)을 형성하였다. 반응 온도는 300℃로 설정되었으며 여기에 설명된 바에 따라 펄스화 CVD 공정에 의해 Ni이 정상되었다. 니켈 전구체로는 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미네이토)니켈(II)이 사용되었다. 상기 CVD 공정은 1500개의 펄스 및 퍼지 단계들을 포함하였다. 제 2 반응물은 상기 반응 챔버 내부로 펄스화되어 공급되지 않았다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 HF 식각된 (Si-H) 표면(720)에 대하여 상대적으로 상기 제 1 기판의 제 1 SiO2 표면(710) 위에 니켈이 선택적으로 퇴적되었다. HF 식각된 Si 표면을 포함하는 상기 제 2 기판 위에는 니켈이 퇴적되지 않았다. 따라서 퇴적 온도는 Si-OH 종결된 표면, 예컨대 표면(710) 위에 Ni 전구체의 분해를 얻기에 충분히 높았지만 표면(720)과 같이 Si-H 종결된 표면의 위에서는 그렇지 않았다.
Pulsarㄾ 2000 반응기 내에서도 테스트가 수행되었으며, 니켈 전구체와 NH3 제 2 반응물을 300℃의 온도에서 4000회 펄싱하여 여기에 설명된 바와 같은 공정에 따라 퇴적이 수행되었다. 상기 HF 식각된 200mm Si 웨이퍼 위에는 어떠한 막도 관찰되지 않은 반면, 200 mm 웨이퍼의 SiO2를 포함하는 제 1 표면 위에는 Si를 포함하는 제 2 표면에 대하여 상대적으로 NixNy 막이 퇴적되었다.
Pulsarㄾ 2000 반응기 내에서 또 다른 테스트가 수행되었으며, Ni 전구체로서 비스(4-N-에틸아미노-3-펜텐-2-N-에틸이미네이토)니켈(II)을 사용하여 퇴적이 수행되었다. 상기 CVD 공정은 300℃의 반응 온도에서 5000회의 펄스들과 퍼지들을 포함하고, 상기 펄스들은 약 1초의 지속 시간을 각각 갖고 상기 퍼지들은 약 5초의 지속 시간을 각각 갖는다. 상기 제 2 기판의 제 2 HF 식각된 (Si-H) 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 기판의 제 1 SiO2 표면 위에 니켈이 선택적으로 퇴적되었다. XPS 분석을 통해 상기 SiO2 표면 위에 니켈이 퇴적되었음을 확인하였다. HF 식각된 Si 표면을 포함하는 상기 제 2 기판 위에는 니켈이 퇴적되지 않았다. 따라서 퇴적 온도는 예컨대 Si-OH 종결된 표면 위에서 Ni 전구체의 분해를 얻기에 충분히 높았지만 예컨대 Si-H 종결된 표면의 위에서는 그렇지 않았다.
SiO 2 에 대한 Si-H 위에서의 SiO 2 의 선택적 성장
H-종결된 표면, 예컨대 SiH3, -SiH2, 또는 SiH 표면에 대하여 상대적으로 SiO2 표면 위에서 니켈, 니켈 질화물 또는 티타늄 산화물과 같이 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 선택적 퇴적은 상기 H-종결된 표면 위에서 SiO2의 선택적 성장을 가능하게 한다. 일부 실시예들에 있어서, 여기에 설명된 바와 같은 H-종결된 제 2 표면에 대하여 상대적으로 여기에 설명된 바와 같은 제 1 표면, 예컨대 SiO2 표면 위에서의 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 선택적 퇴적에 이어서 상기 제 1 표면, 예컨대 Ni, NiNx., Fe 또는 Co 또는 티타늄 산화물 표면에 대하여 상대적으로 (SiH3, -SiH2, 또는 SiH 표면과 같은) H-종결된 제 2 표면 위에서 SiO2가 후속적으로 선택적으로 퇴적될 수 있다. SiO2의 퇴적은 본 기술 분야에 알려진 임의의 방법에 의하여, 예컨대 산소 라디칼들, 플라스마 또는 원자 산소를 이용하는 PEALD에 의하여 또는 예컨대 오존을 이용하는 열적 ALD에 의하여 될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 열적 ALD와 플라스마 ALD 공정들이 모두 채용된다. 당 기술 분야에 알려진 실리콘 전구체들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 실리콘 전구체는 (RIRIIN)2SiH2, XySiH4-y, (RIRIIN)ySiH4-y, 또는 (RIRIIN)SiH3를 포함할 수 있으며, 여기서 RI 및 RII는 C1-C5 알킬류, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸로부터 독립적으로 바람직하게 선택되고, X는 예를 들면 핼라이드일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 기판을 산소 플라스마에 노출시킴으로써 SiO2가 형성된다.
제 1 표면에 대하여 상대적으로 제 2 표면 위에 원하는 두께의 SiO2를 선택적 성장시킨 후, 그에 이어서 상기 제 1 표면 위에 앞서 퇴적되었던 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을, 예컨대 식각에 의하여 제거할 수 있다. 바람직하게, 상기 식각 공정은 상기 제 2 표면 위에 새롭게 형성된 SiO2 층을 온전하게 남긴다. Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질로 제 1 SiO2 표면을 가림으로써, 가려진 SiO2 표면에 대하여 상대적으로 (SiH3, -SiH2, 또는 SiH 표면과 같은) H-종결된 표면 위에서 SiO2가 선택적으로 형성되는 것이 가능하다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 식각 단계는 상기 기판을 선택적 금속 식각(예를 들면, HCl, 또는 피라냐(H2SO4:H2O2)에 침지)에 노출시키는 단계를 포함한다. 예를 들면, 상기 기판은 묽은 수계 HCl 및/또는 HNO3 또는 피라냐 식각제에 침지될 수 있으며, 이들은 실리콘, 실리콘 산화물 또는 집적 회로 제조에 사용되는 다른 비금속 물질들을 상당한 정도로 손상함이 없이 니켈을 포함하는 대부분의 금속들을 식각할 수 있다.

Claims (25)

  1. 적어도 하나의 AHx 종결을 포함하는 제 1 표면 및 그와 화학적으로 상이한 표면으로서 Si-Hx 종결들을 포함하는 제 2 표면을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 기판의 상기 제 1 표면 및 상기 제 2 표면을 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 기상의 제 1 전구체와 접촉시키는 단계;
    를 포함하고,
    그에 의하여 상기 기판의 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 동일한 기판의 상기 제 1 표면 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적시키는 퇴적 방법.
    (AHx에서 A는 N, O, 또는 S 중의 하나 이상이고 x는 1 내지 2이고, Si-Hx에서 x는 1 내지 3이다)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택적으로 퇴적된 물질은 Ni 또는 Co를 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택적으로 퇴적시키는 것은 상기 기판을 기상의 제 2 반응물과 접촉시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 물질을 퇴적시키기 전에 상기 기판의 표면의 적어도 일부를 처리하는 단계에 의하여 Si-Hx 종결들을 포함하는 상기 제 2 표면이 형성되는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    HF 식각으로 상기 기판의 표면의 적어도 일부를 처리하는 단계에 의하여 Si-Hx 종결들을 포함하는 상기 제 2 표면이 형성되는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    ClSiH3 또는 (RIRIIN)SiH3을 포함하는 실리콘 화합물로 상기 기판의 표면의 적어도 일부를 처리하는 단계에 의하여 Si-Hx 종결들을 포함하는 상기 제 2 표면이 형성되는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
    (여기서 RI과 RII는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸과 같은 C1-C4 알킬류로부터 독립적으로 선택된다)
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 적어도 하나의 OH-종결을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 로우-k 절연체인 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 불화 실리카 글래스, 탄소 도핑된 실리콘 산화물, 또는 적어도 50%의 실리콘 산화물을 포함하는 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질은 Si-Hx 종결들을 포함하는 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면 위에 적어도 90%의 선택도로 퇴적되는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 H-종결된 실리콘으로 된 상기 제 2 표면으로부터 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 임의의 물질을 제거하기 위하여 상기 기판을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 퇴적 방법이 ALD 또는 CVD 공정인 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 선택적 퇴적 방법이 ALD 공정인 것을 특징으로 하는 퇴적 방법.
  15. 기판 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적하는 방법으로서,
    실리콘 산화물을 포함하는 제 1 표면을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    H-종결된 실리콘인 제 2 표면을 제공하기 위하여 상기 제 1 표면의 적어도 일부를 식각하는 단계; 및
    H-종결된 실리콘인 제 2 표면에 대하여 상대적으로, 실리콘 산화물을 포함하는 제 1 표면 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적시키는 단계;
    를 포함하는 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질의 선택적 퇴적 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    기판 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 선택적으로 퇴적하는 방법이 ALD 또는 CVD 공정인 것을 특징으로 하는 물질의 선택적 퇴적 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 표면의 적어도 일부를 식각하는 단계가 상기 제 1 표면의 상기 일부를 HF에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 선택적 퇴적 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 Ni, Ti, Fe, 또는 Co의 막을 포함하는 물질은 H-종결된 실리콘인 상기 제 2 표면에 대하여 상대적으로 상기 제 1 표면 위에 적어도 90%의 선택도로 선택적으로 퇴적되는 것을 특징으로 하는 물질의 선택적 퇴적 방법.
  19. 기판 위에 SiO2를 선택적으로 형성하는 방법으로서,
    상기 기판의 적어도 하나의 AHx 종결을 포함하는 제 1 표면 위에 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 동일한 상기 기판의 H-종결된 실리콘인 제 2 표면에 대하여 선택적으로 퇴적시키는 단계; 및
    상기 기판의 H-종결된 실리콘인 상기 제 2 표면 위에 SiO2를, 동일한 상기 기판의 상기 제 1 표면에 대하여 선택적으로 퇴적시키는 단계;
    를 포함하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
    (여기서 A는 O, N, 및 S 중의 하나 이상이고, x는 1 내지 2이다)
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 OH-종결된 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 표면이 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    H-종결된 실리콘인 상기 제 2 표면이 -SiH, -SiH2, 또는 -SiH3 표면 종결들을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    PEALD 또는 열적 ALD 공정에 의하여 SiO2가, 상기 제 1 표면에 대하여 상대적으로 상기 기판의 H-종결된 실리콘인 상기 제 2 표면 위에 선택적 퇴적되는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 기판으로부터 Ni, Ti, Fe, 또는 Co를 포함하는 물질을 제거하기 위하여 상기 기판을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 기판을 식각하는 단계가 HCl, HNO3, 또는 H2SO4:H2O2 중의 적어도 하나에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2의 선택적 형성 방법.

KR1020160013126A 2015-02-03 2016-02-02 선택적 퇴적 Active KR102185458B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562111508P 2015-02-03 2015-02-03
US62/111,508 2015-02-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160095643A KR20160095643A (ko) 2016-08-11
KR102185458B1 true KR102185458B1 (ko) 2020-12-03

Family

ID=56552871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160013126A Active KR102185458B1 (ko) 2015-02-03 2016-02-02 선택적 퇴적

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9816180B2 (ko)
KR (1) KR102185458B1 (ko)
TW (1) TWI666336B (ko)

Families Citing this family (361)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI509695B (zh) 2010-06-10 2015-11-21 Asm Int 使膜選擇性沈積於基板上的方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI661072B (zh) 2014-02-04 2019-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
TWI717260B (zh) 2015-05-01 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 使用表面封端化學性質的薄膜介電質之選擇性沉積
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10121699B2 (en) 2015-08-05 2018-11-06 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10566185B2 (en) 2015-08-05 2020-02-18 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10814349B2 (en) 2015-10-09 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10343186B2 (en) 2015-10-09 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9981286B2 (en) 2016-03-08 2018-05-29 Asm Ip Holding B.V. Selective formation of metal silicides
KR102312824B1 (ko) 2016-03-17 2021-10-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 종횡비 구조들에서의 갭충전을 위한 방법들
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10204782B2 (en) 2016-04-18 2019-02-12 Imec Vzw Combined anneal and selective deposition process
KR102182550B1 (ko) 2016-04-18 2020-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유도된 자기-조립층을 기판 상에 형성하는 방법
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10014212B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metallic films
US9803277B1 (en) 2016-06-08 2017-10-31 Asm Ip Holding B.V. Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US20180144973A1 (en) * 2016-11-01 2018-05-24 Applied Materials, Inc. Electromigration Improvement Using Tungsten For Selective Cobalt Deposition On Copper Surfaces
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) * 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
KR102764217B1 (ko) 2017-02-10 2025-02-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 딥 트렌치에서의 저온 선택적 에피택시를 위한 방법 및 장치
US11094535B2 (en) 2017-02-14 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective passivation and selective deposition
US10176984B2 (en) * 2017-02-14 2019-01-08 Lam Research Corporation Selective deposition of silicon oxide
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10242866B2 (en) * 2017-03-08 2019-03-26 Lam Research Corporation Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control
WO2018170382A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Versum Materials Us, Llc Selective deposition on silicon containing surfaces
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11501965B2 (en) * 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
CN115233183B (zh) 2017-05-16 2025-01-10 Asmip控股有限公司 电介质上氧化物的选择性peald
KR102271771B1 (ko) * 2017-05-25 2021-07-01 삼성전자주식회사 박막 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10900120B2 (en) 2017-07-14 2021-01-26 Asm Ip Holding B.V. Passivation against vapor deposition
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
KR102306680B1 (ko) * 2017-07-23 2021-09-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 실리콘계 유전체들 상에서의 선택적 증착을 위한 방법들
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
CN107640907A (zh) * 2017-10-27 2018-01-30 惠州市清洋实业有限公司 一种玻璃减薄的预处理方法
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
SG11202005432RA (en) 2017-12-17 2020-07-29 Applied Materials Inc Silicide films through selective deposition
TWI810808B (zh) * 2017-12-22 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 在導電表面上沉積阻擋層的方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7146690B2 (ja) 2018-05-02 2022-10-04 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 堆積および除去を使用した選択的層形成
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102582496B1 (ko) * 2018-05-28 2023-09-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11133178B2 (en) 2019-09-20 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Seamless gapfill with dielectric ALD films
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US11101128B1 (en) * 2020-03-12 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Methods for gapfill in substrates
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積
TWI862807B (zh) 2020-03-30 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積
TWI865747B (zh) 2020-03-30 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
WO2022119860A1 (en) 2020-12-01 2022-06-09 Versum Material Us, Llc Selective thermal atomic layer deposition
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
CN116917535A (zh) 2021-03-02 2023-10-20 弗萨姆材料美国有限责任公司 硅介电膜的选择性淀积
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN114361414B (zh) * 2021-12-28 2022-09-27 广东马车动力科技有限公司 一种复合材料及其制备方法与电池

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030027431A1 (en) 1999-12-22 2003-02-06 Ofer Sneh Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US20100003404A1 (en) 2002-03-08 2010-01-07 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0485024A (ja) 1990-07-30 1992-03-18 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅張積層板の製造法
US5633036A (en) * 1995-04-21 1997-05-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Selective low temperature chemical vapor deposition of titanium disilicide onto silicon regions
US5939334A (en) 1997-05-22 1999-08-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method of selectively cleaning copper substrate surfaces, in-situ, to remove copper oxides
US7494927B2 (en) 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
US6679951B2 (en) 2000-05-15 2004-01-20 Asm Intenational N.V. Metal anneal with oxidation prevention
US6878628B2 (en) 2000-05-15 2005-04-12 Asm International Nv In situ reduction of copper oxide prior to silicon carbide deposition
AU2001260374A1 (en) 2000-05-15 2001-11-26 Asm Microchemistry Oy Process for producing integrated circuits
JP4333900B2 (ja) 2000-11-30 2009-09-16 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． 磁気メモリセル、磁気構造体及び磁気素子の製造方法、並びに磁気構造体用金属層の成長方法
US7192827B2 (en) 2001-01-05 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitor structures
JP2003109941A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Canon Inc プラズマ処理装置および表面処理方法
KR102220703B1 (ko) 2002-11-15 2021-02-26 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법
US20040198069A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7115528B2 (en) 2003-04-29 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Systems and method for forming silicon oxide layers
US7067407B2 (en) 2003-08-04 2006-06-27 Asm International, N.V. Method of growing electrical conductors
US7405143B2 (en) 2004-03-25 2008-07-29 Asm International N.V. Method for fabricating a seed layer
US20060019493A1 (en) 2004-07-15 2006-01-26 Li Wei M Methods of metallization for microelectronic devices utilizing metal oxide
TW200619222A (en) 2004-09-02 2006-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Method for making organometallic compounds
US7438760B2 (en) * 2005-02-04 2008-10-21 Asm America, Inc. Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition
US20060199399A1 (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Muscat Anthony J Surface manipulation and selective deposition processes using adsorbed halogen atoms
US7084060B1 (en) 2005-05-04 2006-08-01 International Business Machines Corporation Forming capping layer over metal wire structure using selective atomic layer deposition
US7402519B2 (en) 2005-06-03 2008-07-22 Intel Corporation Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers
JP5032145B2 (ja) 2006-04-14 2012-09-26 株式会社東芝 半導体装置
DE102007004867B4 (de) 2007-01-31 2009-07-30 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Erhöhen der Zuverlässigkeit von kupferbasierten Metallisierungsstrukturen in einem Mikrostrukturbauelement durch Anwenden von Aluminiumnitrid
JP2009076590A (ja) 2007-09-19 2009-04-09 Hitachi Kokusai Electric Inc クリーニング方法
EP2361445A4 (en) 2008-12-01 2012-07-04 Du Pont ANODE FOR AN ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
US7927942B2 (en) 2008-12-19 2011-04-19 Asm International N.V. Selective silicide process
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
US8242019B2 (en) 2009-03-31 2012-08-14 Tokyo Electron Limited Selective deposition of metal-containing cap layers for semiconductor devices
JP5359642B2 (ja) * 2009-07-22 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US8293658B2 (en) * 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
TWI509695B (zh) 2010-06-10 2015-11-21 Asm Int 使膜選擇性沈積於基板上的方法
TW201224190A (en) * 2010-10-06 2012-06-16 Applied Materials Inc Atomic layer deposition of photoresist materials and hard mask precursors
WO2012066977A1 (ja) 2010-11-19 2012-05-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
KR20130007059A (ko) 2011-06-28 2013-01-18 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
JP6202798B2 (ja) 2011-10-12 2017-09-27 エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー．Ａｓｍ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｎ．Ｖ． 酸化アンチモン膜の原子層堆積
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
US11037923B2 (en) 2012-06-29 2021-06-15 Intel Corporation Through gate fin isolation
US8890264B2 (en) 2012-09-26 2014-11-18 Intel Corporation Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface
US9099490B2 (en) 2012-09-28 2015-08-04 Intel Corporation Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation
US9330899B2 (en) 2012-11-01 2016-05-03 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film
US8963135B2 (en) 2012-11-30 2015-02-24 Intel Corporation Integrated circuits and systems and methods for producing the same
US8993404B2 (en) 2013-01-23 2015-03-31 Intel Corporation Metal-insulator-metal capacitor formation techniques
KR102099841B1 (ko) 2013-06-28 2020-04-13 인텔 코포레이션 선택적 에피택셜 성장된 iii-v족 재료 기반 디바이스
US9385033B2 (en) 2013-09-27 2016-07-05 Intel Corporation Method of forming a metal from a cobalt metal precursor
KR102138719B1 (ko) 2013-09-27 2020-07-28 인텔 코포레이션 인접한 영역들 위로의 층들의 침범을 제한하는 것을 포함한 선택적 화학 반응에 의한 작은 영역들 위에서의 재료 층들의 형성
US9067958B2 (en) 2013-10-14 2015-06-30 Intel Corporation Scalable and high yield synthesis of transition metal bis-diazabutadienes
US20150118863A1 (en) * 2013-10-25 2015-04-30 Lam Research Corporation Methods and apparatus for forming flowable dielectric films having low porosity
TW201525173A (zh) 2013-12-09 2015-07-01 Applied Materials Inc 選擇性層沉積之方法
US9236292B2 (en) 2013-12-18 2016-01-12 Intel Corporation Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)
KR102241166B1 (ko) 2013-12-19 2021-04-16 인텔 코포레이션 자기 정렬 게이트 에지 및 로컬 상호접속 및 그 제조 방법
US9455150B2 (en) 2013-12-24 2016-09-27 Intel Corporation Conformal thin film deposition of electropositive metal alloy films
TWI661072B (zh) 2014-02-04 2019-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積
EP3122918A4 (en) 2014-03-27 2018-03-14 Intel Corporation Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ald) and chemical vapor deposition (cvd)
CN106030758B (zh) 2014-03-28 2020-07-17 英特尔公司 选择性外延生长的基于iii-v材料的器件
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10566185B2 (en) 2015-08-05 2020-02-18 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030027431A1 (en) 1999-12-22 2003-02-06 Ofer Sneh Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US20100003404A1 (en) 2002-03-08 2010-01-07 Sundew Technologies, Llc Ald method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20180073136A1 (en) 2018-03-15
TWI666336B (zh) 2019-07-21
KR20160095643A (ko) 2016-08-11
TW201638377A (zh) 2016-11-01
US9816180B2 (en) 2017-11-14
US20160222504A1 (en) 2016-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102185458B1 (ko) 선택적 퇴적
US12080548B2 (en) Selective deposition using hydrophobic precursors
US11996284B2 (en) Formation of SiOCN thin films
JP7300032B2 (ja) 酸化物薄膜の堆積
KR102192161B1 (ko) GeO2의 원자층 증착
JP6813983B2 (ja) アルミニウム及び窒素を含む材料の選択的堆積
KR102434954B1 (ko) 금속 표면들 상에 블로킹 층들을 증착시키기 위한 방법들
TWI426547B (zh) 用於批次原子層沈積反應器之處理製程
US9786492B2 (en) Formation of SiOCN thin films
KR102197048B1 (ko) 이중 선택적 퇴적
US20100227476A1 (en) Atomic layer deposition processes
TWI628716B (zh) 循環沈積製程
CN114262878A (zh) 氧化硅沉积方法
JP2019220494A (ja) 膜形成用組成物、膜付基板、その製造方法及び薄膜の製造方法
US11293093B2 (en) Water assisted highly pure ruthenium thin film deposition
KR102470043B1 (ko) 알루미늄 및 질소 함유 재료의 선택적 증착
WO2014152826A1 (en) Deposition of films using disiloxane precursors

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160202

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20201022

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20160202

Comment text: Patent Application

PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20201022

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20160202

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20201106

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20201126

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20201127

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231023

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241029

Start annual number: 5

End annual number: 5