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KR102058053B1 - 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법 - Google Patents

상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법 Download PDF

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KR102058053B1
KR102058053B1 KR1020187002013A KR20187002013A KR102058053B1 KR 102058053 B1 KR102058053 B1 KR 102058053B1 KR 1020187002013 A KR1020187002013 A KR 1020187002013A KR 20187002013 A KR20187002013 A KR 20187002013A KR 102058053 B1 KR102058053 B1 KR 102058053B1
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organic light
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찬 장
샤오촨 천
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보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 출원은 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 개시하며, 그 각각에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 베이스 기판; 베이스 기판 상에 있고 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 및 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상의 유기 발광 다이오드를 포함한다. 유기 발광 다이오드는 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상의 제1 전극; 드레인 전극에서 먼 제1 전극의 측면 상의 유기 층; 및 제1 전극에서 먼 유기 층의 측면 상의 제2 전극을 포함한다. 제1 전극은 실질적으로 투명한 전극이고 드레인 전극에 전기적으로 연결된다. 드레인 전극은 반사성 전극이다. 제2 전극은 실질적으로 투명한 전극이다.

Description

상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2016년 11월 29일에 출원된 중국 특허 출원 제201611090179.X호에 대한 우선권을 주장하며, 그것의 내용들은 전체적으로 참조로 포함된다.
기술분야
본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것으로, 특히 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic light emitting diode)(OLED) 디스플레이 장치들은 자기 방출(self-emissive) 디바이스들이고, 백라이트들을 필요로 하지 않는다. OLED 디스플레이 장치들은 또한 종래의 액정 디스플레이(liquid crystal display)(LCD) 장치들과 비교하여 더 선명한 색상들 및 더 큰 색상 범위(color gamut)를 제공한다. 게다가, OLED 디스플레이 장치들은 전형적인 LCD보다 더 유연하게, 더 얇게, 그리고 더 가볍게 제조될 수 있다.
OLED 디스플레이 장치는 전형적으로 애노드, 유기 발광 층을 포함하는 유기 층, 및 캐소드를 포함한다. OLED들은 하부 방출 타입 OLED 또는 상부 방출 타입 OLED일 수 있다. 하부 방출 타입 OLED들에서, 광은 애노드 측으로부터 추출된다. 하부 방출 타입 OLED들에서, 애노드는 일반적으로 투명한 반면에, 캐소드는 일반적으로 반사성이다. 상부 방출 타입 OLED에서, 광은 캐소드 측으로부터 추출된다. 캐소드는 광학적으로 투명한 반면에, 애노드는 반사성이다.
일 양태에서, 본 발명은 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 제공하며, 그 각각에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 베이스 기판; 베이스 기판 상에 있고 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 - 드레인 전극은 반사성 전극임 -; 및 베이스 기판에서 먼(distal to) 드레인 전극의 측면 상의 유기 발광 다이오드를 포함하며; 유기 발광 다이오드는 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상의 제1 전극 - 제1 전극은 실질적으로 투명한 전극이고 드레인 전극에 전기적으로 연결됨 -; 드레인 전극에서 먼 제1 전극의 측면 상의 유기 층 - 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및 제1 전극에서 먼 유기 층의 측면 상의 제2 전극 - 제2 전극은 실질적으로 투명한 전극임 - 을 포함한다.
임의로, 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영(orthographic projection)은 유기 발광 층의 발광 영역의 것을 실질적으로 커버한다.
임의로, 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영은 유기 발광 층의 발광 영역의 것과 실질적으로 오버랩된다.
임의로, 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영은 제1 전극 층의 것을 실질적으로 커버한다.
임의로, 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영은 제1 전극 층의 것과 실질적으로 오버랩된다.
임의로, 드레인 전극 및 제2 전극은 마이크로캐비티 구조체를 형성한다.
임의로, 마이크로캐비티 구조체는 드레인 전극과 제2 전극 사이의 층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일한 광학 거리를 갖는다.
임의로, 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이며, λ는 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장이다.
임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상의 평탄화 층; 및 드레인 전극에서 먼 평탄화 층의 측면 상의 패시베이션 층을 더 포함한다.
임의로, 광학 거리는 패시베이션 층, 평탄화 층, 유기 층, 및 제1 전극의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일하다.
임의로, 드레인 전극은 반사율이 낮은 금속성 재료로 제조된다.
임의로, 드레인 전극은 몰리브덴 또는 니켈로 제조된다.
임의로, 제2 전극은 금속성 재료로 제조된다.
임의로, 제2 전극은 마그네슘:실버 합금으로 제조된다.
임의로, 제1 전극은 거의 800 Å 내지 거의 2000 Å의 범위인 두께를 갖는다.
임의로, 평탄화 층은 거의 10000 Å 내지 거의 30000 Å의 범위인 두께를 갖는다.
임의로, 평탄화 층은 복수의 서브층들을 포함하고; 평탄화 층의 복수의 서브층들의 굴절률들은 베이스 기판에서 떨어져서 두께 방향을 따라 감소한다.
다른 양태에서, 본 발명은 본원에 설명되거나 본원에 설명되는 방법에 의해 제작되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 포함하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 양태에서, 본 발명은 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법을 제공하며, 방법은 복수의 서브픽셀 구역들 각각에서, 베이스 기판 상에 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 - 드레인 전극은 반사성 도전 재료를 사용하여 형성됨 -; 및 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하며; 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계는 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상에 제1 전극을 형성하는 단계 - 제1 전극은 실질적 투명한 도전성 재료를 사용하여 형성되고 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 형성됨 -; 드레인 전극에서 먼 제1 전극의 측면 상에 유기 층을 형성하는 단계 - 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및 제1 전극에서 먼 유기 층의 측면 상에 제2 전극을 형성하는 단계 - 제2 전극은 실질적 투명한 도전성 재료를 사용하여 형성됨 - 를 포함한다.
임의로, 제2 전극을 형성하는 단계는 기상 퇴적 프로세스에 의해 수행된다.
이하의 도면들은 다양하게 개시된 실시예들에 따른 예시적 목적들을 위한 예들일 뿐이고 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
도 1은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 구조체를 예시하는 개략도이다.
도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 유기 층의 구조체를 예시하는 개략도이다.
도 3은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판과 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 방출 스펙트럼들 사이의 비교이다.
도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 구조체를 예시하는 개략도이다.
본 개시내용은 이제 이하의 실시예들을 참조하여 더 구체적으로 설명될 것이다. 일부 실시예들의 이하의 설명들은 예시 및 기재의 목적만을 위해 제시된다는 점이 주목되어야 한다. 그것은 총망라하도록 또는 개시되는 정확한 형태에 제한되도록 의도되지 않는다.
종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치의 개구비를 향상시키기 위해, 전형적으로 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판이 사용된다. 종래의 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서, 비교적 강한 마이크로캐비티 효과들이 관찰된다. 종래의 디스플레이 기판에서, 애노드 및 캐소드는 마이크로캐비티의 2개의 반사성 미러들을 구성한다. 마이크로캐비티의 광학 거리는 비교적 작아서 비교적 강한 마이크로캐비티 효과들을 야기한다. 강한 마이크로캐비티 효과들로 인해, 종래의 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판으로부터 방출되는 광은 좁은 스펙트럼을 갖는다. 따라서, 마이크로캐비티 효과들은 종래의 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서 전체 스펙트럼(full spectrum) 광 방출을 달성하는 것을 매우 어렵게 한다. 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치의 성능 및 광 방출 품질이 제한된다.
따라서, 본 개시내용은 그 중에서도, 관련 기술의 제한들 및 단점들로 인한 문제들 중 하나 이상을 실질적으로 제거하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치, 및 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법을 제공한다. 일 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 제공한다. 일부 실시예들에서, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 복수의 서브픽셀 구역들 각각에서, 베이스 기판; 베이스 기판 상에 있고 반사성 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터; 및 베이스 기판에서 먼 반사성 드레인 전극의 측면 상의 유기 발광 다이오드를 포함한다. 임의로, 유기 발광 다이오드는 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상의 제1 전극 - 제1 전극은 실질적으로 투명한 전극이고 드레인 전극에 전기적으로 연결됨 -; 드레인 전극에서 먼 제1 전극의 측면 상의 유기 층 - 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및 제1 전극에서 먼 유기 층의 측면 상의 제2 전극 - 제2 전극은 실질적으로 투명한 전극임 - 을 포함한다. 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 광을 제1 전극으로부터 제2 전극으로의 방향을 따라 실질적으로 방출하도록 구성된다.
본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "서브픽셀 구역(subpixel area)"은 어레이 기판을 갖는 디스플레이 패널에서 서브픽셀에 대응하는 어레이 기판 내의 구역을 지칭한다. 서브픽셀 구역은 서브픽셀 영역 및 서브픽셀-간(inter-subpixel) 영역을 포함한다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "실질적 투명"은 그것을 통해 투과되는 가시 파장 범위에서 광의 적어도 50 퍼센트(예를 들어, 적어도 60 퍼센트, 적어도 70 퍼센트, 적어도 80 퍼센트, 적어도 90 퍼센트, 및 적어도 95 퍼센트)를 의미한다.
도 1은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 구조체를 예시하는 개략도이다. 도 1을 참조하면, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 일부 실시예들에서 베이스 기판(1), 베이스 기판(1) 상의 박막 트랜지스터(20), 베이스 기판(1)에서 먼 박막 트랜지스터(20)의 측면 상의 패시베이션 층(9), 및 박막 트랜지스터(20)에서 먼 패시베이션 층(9)의 측면 상의 유기 발광 다이오드(30)를 포함한다. 박막 트랜지스터(20)는 일부 실시예들에서, 그 중에서도, 드레인 전극(7), 활성 층(3), 및 게이트 전극(5)을 포함한다. 드레인 전극(7)은 활성 층(3)의 드레인 전극 접촉 영역에 전기적으로 연결된다. 임의로, 유기 발광 다이오드(30)는 드레인 전극(7)에서 먼 패시베이션 층(9)의 측면 상에 있다.
일부 실시예들에서, 유기 발광 다이오드(30)는 드레인 전극(7)에서 먼 패시베이션 층(9)의 측면 상의 제1 전극(10), 패시베이션 층(9)에서 먼 제1 전극(10)의 측면 상의 유기 층(11), 및 제1 전극(10)에서 먼 유기 층(11)의 측면 상의 제2 전극(12)을 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 광을 제1 전극(10)으로부터 제2 전극(12)으로의 방향을 따라 실질적으로 방출하도록 구성된다. 제1 전극(10)은 드레인 전극(7)에 전기적으로 연결된다. 임의로, 제1 전극(10)은 실질적으로 투명한 전극이다. 임의로, 제1 전극(10)은 유기 발광 다이오드(30)의 애노드이고, 제2 전극(12)은 유기 발광 다이오드(30)의 캐소드이다.
유기 층(11)은 일부 실시예들에서 유기 발광 층(11a)을 포함한다. 유기 발광 층(11a)은 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 영역(E)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 유기 발광 층(11a)의 발광 영역(E)의 것을 실질적으로 커버한다. 임의로, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 유기 발광 층(11a)의 발광 영역(E)의 것과 실질적으로 오버랩된다. 임의로, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 유기 발광 층(11a)의 것을 실질적으로 커버한다. 임의로, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 유기 발광 층(11a)의 것과 실질적으로 오버랩된다. 임의로, 드레인 전극(7)의 폭은 유기 발광 층(11a)의 발광 영역(E)의 것과 실질적으로 동일하거나 그보다 더 크다. 임의로, 드레인 전극(7)의 폭은 유기 발광 층(11a)의 것과 실질적으로 동일하거나 그보다 더 크다. 임의로, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 제1 전극 층(10)의 것을 실질적으로 커버한다. 임의로, 베이스 기판(1) 상의 드레인 전극(7)의 직각 투영은 제1 전극 층(10)의 것과 실질적으로 오버랩된다. 임의로, 드레인 전극(7)의 폭은 제1 전극 층(10)의 것과 실질적으로 동일하거나 그보다 더 크다. 임의로, 드레인 전극(7)의 폭은 제1 전극 층(10)의 것과 실질적으로 동일하다. 임의로, 드레인 전극(7)의 폭은 제2 전극 층(12)의 것과 실질적으로 동일하다.
도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 유기 층의 구조체를 예시하는 개략도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 층(11)은 일부 실시예들에서 제1 전극(10) 상의 제1 정공 주입 층(111), 제1 전극(10)에서 먼 제1 정공 주입 층(111)의 측면 상의 제2 정공 주입 층(112), 제1 정공 주입 층(111)에서 먼 제2 정공 주입 층(112)의 측면상의 적색 발광 층(113), 제2 정공 주입 층(112)에서 먼 적색 발광 층(113)의 측면 상의 녹색 발광 층(114), 적색 발광 층(113)에서 먼 녹색 발광 층(114)의 측면 상의 제1 전자 수송 층(115), 녹색 발광 층(114)에서 먼 제1 전자 수송 층(115)의 측면 상의 제1 전하 발생 층(116), 제1 전자 수송 층(115)에서 먼 제1 전하 발생 층(116)의 측면 상의 제3 정공 주입 층(117), 제1 전하 발생 층(116)에서 먼 제3 정공 주입 층(117)의 측면 상의 정공 수송 층(118), 제3 정공 주입 층(117)에서 먼 정공 수송 층(118)의 측면 상의 청색 발광 층(119), 정공 수송 층(118)에서 먼 청색 발광 층(119)의 측면 상의 제2 전극 수송 층(120), 및 청색 발광 층(119)에서 먼 제2 전극 수송 층(120)의 측면 상의 제2 전하 발생 층(121)을 포함한다.
도 1을 참조하면, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 일부 실시예들에서 활성 층(3)과 베이스 기판(1) 사이의 버퍼 층(2)을 더 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 게이트 전극(5)과 활성 층(3) 사이의 게이트 절연 층(4)을 더 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 게이트 전극(5)과 드레인 전극(7) 사이의 층간 유전체 층(6)을 더 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 드레인 전극(7)과 동일한 층 내의 소스 전극을 더 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 베이스 기판(1)에서 먼 제2 전극(12)의 측면 상의 보호 층(13)을 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 베이스 기판(1)에서 먼 드레인 전극(7)의 측면 상의 평탄화 층(8)을 더 포함한다. 임의로, 패시베이션 층(9)은 드레인 전극(7)에서 먼 평탄화 층(8)의 측면 상에 있다. 임의로, 평탄화 층(8) 및 패시베이션 층(9)은 드레인 전극(7)과 제1 전극(10) 사이에 있다.
일부 실시예들에서, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 층간 유전체 층(6) 및 게이트 절연 층(4)을 통해 연장되는 제1 비아(14)를 더 포함한다. 드레인 전극(7)은 제1 비아(14)를 통해 활성 층(3)에 전기적으로 연결된다.
일부 실시예들에서, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 평탄화 층(8) 및 패시베이션 층(9)을 통해 연장되는 제2 비아(15)를 더 포함한다. 제1 전극(10)은 제2 비아(15)를 통해 드레인 전극(7)에 전기적으로 연결된다.
다양한 적절한 반사성 도전 재료들은 드레인 전극(7)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 반사성 도전 재료들의 예들은 비교적 낮은 반사율을 갖는 반사성 도전 재료들을 포함한다. 임의로, 드레인 전극(7)은 반사율이 낮은 금속 예컨대 몰리브덴 및 니켈로 제조된다. 비교적 낮은 반사율을 갖는 반사성 도전 재료로 제조되는 드레인 전극(7)을 갖는 것은 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서 마이크로캐비티 효과들을 더 감소시킨다. 임의로, 드레인 전극(7)은 함께 적층되는 복수의 서브층들을 포함한다. 일 예에서, 드레인 전극(7)은 티타늄/알루미늄/티타늄 3층 구조체를 포함한다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "반사율이 낮은(low-reflectivity)"은 가시 파장 범위에서 광의 거의 80 퍼센트 이내(예를 들어, 거의 70 퍼센트 이내, 거의 60 퍼센트 이내, 거의 50 퍼센트 이내, 거의 40 퍼센트 이내, 및 거의 30 퍼센트 이내)를 반사시키는 층 또는 재료를 지칭한다.
여러가지 적절한 도전성 재료들은 제1 전극(10)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 도전성 재료들의 예들은 실질적 투명한 도전성 재료들 예컨대 금속 산화물 재료를 포함한다. 임의로, 제1 전극(10)은 인듐 주석 산화물로 제조된다. 실질적 투명한 도전성 재료로 제조되는 제1 전극(10)을 가짐으로써, 제1 전극(10)의 반사율이 많이 감소되어, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서 마이크로캐비티 효과들을 더 감소시킨다.
다양한 적절한 절연 재료들은 평탄화 층(8)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 절연 재료들의 예들은 비교적 낮은 굴절률을 갖는 절연 재료들, 예를 들어 비교적 낮은 굴절률을 갖는 절연 폴리머 재료들을 포함한다. 임의로, 평탄화 층(8)은 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 제조된다. 비교적 낮은 굴절률을 갖는 절연 재료로 제조되는 평탄화 층(8)을 가짐으로써, 드레인 전극(7)에 의한 광 반사가 더 감소될 수 있어, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서 마이크로캐비티 효과들을 최소화한다.
다양한 적절한 절연 재료들은 패시베이션 층(9)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 절연 재료들의 예들은 질화 실리콘(SiNx)을 포함한다.
다양한 적절한 도전성 재료들은 제2 전극(12)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 도전성 재료들의 예들은 실질적 투명한 금속성 재료들을 포함한다. 임의로, 제2 전극(12)은 마그네슘:실버 합금(Mg:Ag)으로 제조된다. 임의로, 제2 전극(12)은 나노 실버로 제조된다. 실질적으로 투명한 금속성의 제2 전극(12)을 가짐으로써, 디스플레이 기판의 제작 프로세스는 제2 전극(12)을 제조하는 실질적으로 투명한 금속 산화물 재료를 스퍼터링하는 요구를 제거한다. 스퍼터링 프로세스에 의해 야기되는 유기 층에 대한 잠재적 손상들이 전적으로 회피될 수 있으며, 그것에 의해 제작 프로세스를 단순화하고 제품의 품질 및 수명을 향상시킨다. 임의로, 제2 전극(12)은 기상 퇴적 프로세스, 예를 들어 플라즈마 향상 화학 기상 퇴적 프로세스에 의해 형성된다.
임의로, 버퍼 층(2)은 거의 2000 Å 내지 거의 5000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 버퍼 층(2)은 거의 4000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 활성 층(3)은 거의 300 Å 내지 거의 800 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 활성 층(3)은 거의 450 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 게이트 절연 층(4)은 거의 800 Å 내지 거의 1200 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 게이트 절연 층(4)은 거의 1000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 게이트 전극(5)은 거의 2000 Å 내지 거의 3000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 게이트 전극(5)은 거의 2500 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 층간 유전체 층(6)은 거의 3000 Å 내지 거의 6000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 층간 유전체 층(6)은 거의 5000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 드레인 전극(7)은 거의 1500 Å 내지 거의 3000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 드레인 전극(7)은 거의 2000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 평탄화 층(8)은 거의 15000 Å 내지 거의 25000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 평탄화 층(8)은 거의 20000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 패시베이션 층(9)은 거의 500 Å 내지 거의 1500 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 패시베이션 층(9)은 거의 1000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 제1 전극(10)은 거의 1000 Å 내지 거의 2000 Å의 범위인 두께를 갖는다. 임의로, 제1 전극(10)은 거의 1500 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 제1 정공 주입 층(111)은 거의 50 Å의 두께를 갖고, 제2 정공 주입 층(112)은 거의 330 Å의 두께를 갖고, 적색 발광 층(113)은 거의 100 Å의 두께를 갖고, 녹색 발광 층(114)은 거의 300 Å의 두께를 갖고, 제1 전자 수송 층(115)은 거의 100 Å의 두께를 갖고, 제1 전하 발생 층(116)은 거의 200 Å의 두께를 갖고, 제3 정공 주입 층(117)은 거의 1100 Å의 두께를 갖고, 정공 수송 층(118)은 거의 100 Å의 두께를 갖고, 청색 발광 층(119)은 거의 250 Å의 두께를 갖고, 제2 전자 수송 층(120)은 거의 400 Å의 두께를 갖고, 제2 전하 발생 층(121)은 거의 1000 Å의 두께를 갖는다.
임의로, 평탄화 층(8)은 거의 1.5의 굴절률을 갖는다. 임의로, 패시베이션 층(9)은 거의 2.0의 굴절률을 갖는다. 임의로, 제1 전극(10)은 거의 1.8의 굴절률을 갖는다. 임의로, 유기 층(11) 내의 서브층들(예를 들어, 유기 발광 층(11a), 제1 정공 주입 층(111), 녹색 발광 층(114) 등) 각각은 거의 1.8의 굴절률을 갖는다.
임의로, 평탄화 층(8)은 복수의 서브층들을 포함한다. 임의로, 평탄화 층(8)의 복수의 서브층들 각각은 상이한 굴절률을 갖는다. 임의로, 평탄화 층(8)의 복수의 서브층들의 굴절률들은 평탄화 층(8)의 깊이를 따라 단계적 방식(step-wise fashion) 또는 선형 방식으로 변화된다. 임의로, 평탄화 층(8)의 복수의 서브층들의 굴절률들은 베이스 기판(1)에서 떨어져서 두께 방향을 따라 (예를 들어, 단계적 방식 또는 선형 방식으로) 감소한다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 본 디스플레이 기판 내의 다른 층들 중 어느 것은 복수의 서브층들을 포함할 수 있고, 복수의 서브층들의 굴절률들은 특정 층의 깊이를 따라 으로 단계적 방식 또는 선형 방식 변화될 수 있다. 임의로, 복수의 서브층들의 굴절률들은 베이스 기판(1)에서 떨어져서 두께 방향을 따라 (예를 들어, 단계적 방식 또는 선형 방식으로) 감소한다.
도 1을 참조하면, 드레인 전극(7) 및 제2 전극(12)은 일부 실시예들에서 마이크로캐비티 구조체(M)를 형성한다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "마이크로캐비티"는 고체 상태 발광 디바이스에서 공진 광학 캐비티를 지칭한다. 예를 들어, 본 개시내용의 맥락에서, 드레인 전극(7) 및 제2 전극(12)은 마이크로캐비티 구조체(M)에서 2개의 반사성 미러들을 구성한다. 임의로, 마이크로캐비티 구조체(M)는 드레인 전극(7)과 제2 전극(12) 사이의 층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일한 광학 거리를 갖는다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "광학 경로 길이(optical path length)"는 측정 광이 그를 통해 이동하는 매체의 굴절률 n에 측정 광이 굴절률 n을 갖는 매체를 통해 이동하는 거리를 곱함으로써 획득되는 값을 지칭하며, 즉 광학 경로 길이는 측정 광이 굴절률 n을 갖는 매체를 통해 이동하는데 걸리는 시간 동안 측정 광이 진공을 통해 이동하는 거리와 동일하다.
일부 실시예들에서, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이며, λ는 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장이다. 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리가 2πλ의 비정수 배수가 되게 함으로써, 마이크로캐비티 구조체(M)의 마이크로캐비티 효과들은 효과적으로 감소될 수 있다.
일부 실시예들에서, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 패시베이션 층(9), 평탄화 층(8), 유기 층(11), 및 제1 전극(10)의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일하다. 임의로, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 DPLN8*NPLN8 + DPVX9*NPVX9 + DIT010*NITO10 + DHIL111*NHIL111 + DHIL112*NHIL112 + DREML113*NREML113 + DGEML114*NGEML114 + DETL115*NETL115 + DCGL116*NCGL116 + DHIL117*NHIL117 + DHTL118*NHTL118 + DBEML119*NBEML119 + DETL120*NETL120 + DCGL121*NCGL121과 실질적으로 동일하다. 임의로, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 20000Å*1.5 + 1000Å*2.0 + 1500Å*1.8 + 50Å*1.8 + 330Å*1.8 + 100Å*1.8 + 300Å*1.8 + 100Å*1.8 + 200Å*1.8 + 1100Å*1.8 + 100Å*1.8 + 250Å*1.8 + 400Å*1.8 + 100Å*1.8 = 41774Å과 실질적으로 동일하고, k*2πλ와 실질적으로 동일하지 않으며, 여기서 DPLN8은 평탄화 층(8)의 두께이고; NPLN8은 평탄화 층(8)의 굴절률이고; DPVX9는 패시베이션 층(9)의 두께이고; NPVX9는 패시베이션 층(9)의 굴절률이고; DIT010은 제1 전극(10)의 두께이고; NITO10은 제1 전극(10)의 굴절률이고; DHIL111은 제1 정공 주입 층(111)의 두께이고; NHIL111은 제1 정공 주입 층(111)의 굴절률이고; DHIL112는 제2 정공 주입 층(112)의 두께이고; NHIL112는 제2 정공 주입 층(112)의 굴절률이고; DREML113은 적색 발광 층(113)의 두께이고; NREML113은 적색 발광 층(113)의 굴절률이고; DGEML114는 녹색 발광 층(114)의 두께이고; NGEML114는 녹색 발광 층(114)의 굴절률이고; DETL115는 제1 전자 수송 층(115)의 두께이고; NETL115는 제1 전자 수송 층(115)의 굴절률이고; DCGL116은 제1 전하 발생 층(116)의 두께이고; NCGL116은 제1 전하 발생 층(116)의 굴절률이고; DHIL117은 제3 정공 주입 층(117)의 두께이고; NHIL117은 제3 정공 주입 층(117)의 굴절률이고; DHTL118은 정공 수송 층(118)의 두께이고; NHTL118은 정공 수송 층(118)의 굴절률이고; DBEML119는 청색 발광 층(119)의 두께이고; NBEML119는 청색 발광 층(119)의 굴절률이고; DETL120은 제2 전극 수송 층(120)의 두께이고; NETL120은 제2 전극 수송 층(120)의 굴절률이고; DCGL121은 제2 전하 발생 층(121)의 두께이고; NCGL121은 제2 전하 발생 층(121)의 굴절률이고; k는 양의 정수이고, λ는 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장이다.
임의로, 평탄화 층(8)은 복수의 서브층들을 포함한다. 평탄화 층(8)의 광학 경로 길이는 평탄화 층(8)의 복수의 서브층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일하다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 본 디스플레이 기판 내의 다른 층들 중 어느 것은 복수의 서브층들을 포함할 수 있고, 특정 층의 광학 경로 길이는 그러한 특정 층의 복수의 서브층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일하다.
본 디스플레이 기판에서, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이도록 디자인되며, λ는 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장이다. 예를 들어, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 드레인 전극(7)과 제2 전극(12) 사이의 각각의 층에 대한 두께 및 굴절률을 선택함으로써 설정될 수 있다. 이러한 디자인을 가짐으로써, 마이크로캐비티 구조체(M)의 마이크로캐비티 효과들은 효과적으로 감소될 수 있다.
도 3은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판과 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 방출 스펙트럼들 사이의 비교이다. 도 3을 참조하면, 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 방출 스펙트럼은 "A"로 표시되고, 본 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 방출 스펙트럼은 "B"로 표시된다. 본 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판과 비교하여 감소된 마이크로캐비티 효과들을 갖는다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 것과 비교하여 더 넓은 방출 스펙트럼을 갖는다. 따라서, 본 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 광의 전체 스펙트럼 방출을 달성한다.
도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 구조체를 예시하는 개략도이다. 도 4를 참조하면, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 일부 실시예들에서 (도 1의 것과 비교하여) 패시베이션 층을 포함하지 않는다. 평탄화 층(8)은 제1 전극(10)과 드레인 전극(7) 사이에 있다. 구체적으로, 평탄화 층(8)은 베이스 기판(1)에서 먼 드레인 전극(7)의 측면 상에 있고, 제1 전극(10)은 드레인 전극(7)에서 먼 평탄화 층(8)의 측면 상에 있다. 제2 비아(15)는 평탄화 층(8)을 통해 연장되고, 제1 전극(10)은 제2 비아(15)를 통해 드레인 전극(7)에 전기적으로 연결된다.
임의로, 마이크로캐비티 구조체(M)의 광학 거리는 평탄화 층(8), 유기 층(11), 및 제1 전극(10)의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일하다.
본 디스플레이 기판의 일부 실시예들에서, 마이크로캐비티는 제1 전극(10)과 제2 전극(12) 사이에 형성되는 것이 아니라, 드레인 전극(7)과 제2 전극(10) 사이에 형성된다. 제1 전극(10)은 드레인 전극(7)에 대응하는 위치에 배치된다. 드레인 전극(7)의 폭은 제1 전극(10)의 것과 동일하거나 그보다 크다. 본 디스플레이 기판 내의 마이크로캐비티 구조체는 종래의 디스플레이 기판의 것과 비교하여 훨씬 더 큰 광학 거리를 가져서, 훨씬 감소된 마이크로캐비티 효과들을 야기한다. 본 디스플레이 기판은 광의 전체 스펙트럼 방출 및 향상된 광 방출 성질들을 달성한다. 제1 전극(10)은 실질적 투명한 도전성 재료 예컨대 실질적으로 투명한 금속 산화물로 제조되어, 제1 전극(10)의 반사율 및 마이크로캐비티 효과들을 감소시킨다. 제2 전극(12)은 금속성 재료로 제조되어, 제2 전극(12)을 형성하는 전극 재료를 퇴적하기 위해 스퍼터링 프로세스를 제거하며, 따라서 스퍼터링 프로세스를 동반하는 유기 층(11)에 대한 임의의 손상들을 회피한다. 단순화된 제작 프로세스 및 향상된 제품 품질 및 수명이 달성될 수 있다. 드레인 전극(7)과 제2 전극(12) 사이의 층들 각각에 대한 두께들 및 굴절률들을 선택함으로써, 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이도록 설정될 수 있어, 본 디스플레이 기판에서 마이크로캐비티 효과들을 더 감소시킨다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 설명되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 백색 발광 디스플레이 기판이다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치의 발광 측면을 향하는 컬러 필터 기판을 더 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판의 발광 측면 상의 캡슐화 층을 포함하고, 컬러 필터 기판은 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판에서 먼 캡슐화 층의 측면 상에 있다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법을 제공한다. 일부 실시예들에서, 방법은 복수의 서브픽셀 구역들 각각에서, 베이스 기판 상에 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 - 드레인 전극은 반사성 도전 재료를 사용하여 형성됨 -; 및 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다. 임의로, 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계는 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상에 제1 전극을 형성하는 단계 - 제1 전극은 실질적 투명한 도전성 재료를 사용하여 형성되고 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 형성됨 -; 드레인 전극에서 먼 제1 전극의 측면 상에 유기 층을 형성하는 단계 - 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및 제1 전극에서 먼 유기 층의 측면 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 임의로, 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은 광을 제1 전극으로부터 제2 전극으로의 방향을 따라 실질적으로 방출하기 위해 형성된다.
임의로, 드레인 전극 및 유기 발광 층은 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영이 유기 발광 층의 발광 영역의 것을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 임의로, 드레인 전극 및 유기 발광 층은 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영이 유기 발광 층의 발광 영역의 것과 실질적으로 오버랩되도록 형성된다. 임의로, 드레인 전극 및 제1 전극 층은 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영이 제1 전극 층의 것을 실질적으로 커버하도록 형성된다. 임의로, 드레인 전극 및 제1 전극 층은 베이스 기판상의 드레인 전극의 직각 투영이 제1 전극 층의 것과 실질적으로 오버래핑되도록 형성된다.
임의로, 방법은 베이스 기판에서 먼 드레인 전극의 측면 상에 평탄화 층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 임의로, 방법은 드레인 전극에서 먼 평탄화 층의 측면 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예들의 상술한 설명은 예시 및 설명의 목적들을 위해 제시되었다. 그것은 총망라하도록 또는 본 발명을 개시되는 정확한 형태에 또는 예시적 실시예들에 제한하도록 의도되지 않는다. 따라서, 상술한 설명은 제한적인 것보다는 오히려 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 명백히, 많은 수정들 및 변형들은 본 기술분야에 숙련된 실무자들에게 분명할 것이다. 실시예들은 본 발명의 원리들 및 그것의 최상의 모드 실시 응용을 설명하는 것에 의해, 생각되는 특정 사용 또는 구현에 적합한 바와 같이 본 기술분야의 통상의 기술자들이 다양한 실시예들을 위해 그리고 다양한 수정들에 의해 본 발명을 이해할 수 있게 하기 위해 선택되고 기재된다. 본 발명의 범위가 여기에 첨부되는 청구항들 및 그들의 균등물들에 의해 정의되며 여기서 모든 용어들이 달리 표시되지 않는 한 그들의 가장 넓은 합리적인 의의로 의미되도록 의도된다. 따라서, 용어 "발명", "본 발명" 등은 청구항 범위를 구체적 실시예에 반드시 제한하는 것은 아니고, 본 발명의 예시적 실시예들에 대한 참조는 본 발명에 관한 제한을 암시하지 않고, 어떤 그러한 제한도 추론되지 않는다. 본 발명은 첨부된 청구항들의 사상 및 범위에 의해서만 제한된다. 더욱이, 이러한 청구항들은 명사 또는 요소로 뒤를 잇는 "제1", "제2" 등을 사용하는 것을 언급할 수 있다. 그러한 용어들은 명명법으로 이해되어야 하고 구체적 수가 주어지지 않는 한 그러한 명명법에 의해 수정되는 요소들의 수에 제한을 주는 것으로 해석되지 않아야 한다. 설명되는 임의의 장점들 및 이득들은 본 발명의 모든 실시예들에 적용되지 않을 수 있다. 변형들은 이하의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같이 본 발명의 범위로부터 벗어나는 것 없이 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 설명되는 실시예들에 이루어질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 더욱이, 요소 또는 구성요소가 이하의 청구항들에 명시적으로 열거되는지에 관계없이 본 개시내용에서의 어떠한 요소 및 구성요소도 대중에게 전용이도록 의도되지 않는다.

Claims (20)

  1. 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판으로서,
    상기 복수의 서브픽셀 구역들 각각에서 상기 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판은,
    베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 있고 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 - 상기 드레인 전극은 반사성 전극임 -; 및
    상기 베이스 기판에서 먼(distal to) 상기 드레인 전극의 측면(side) 상의 유기 발광 다이오드
    를 포함하며;
    상기 유기 발광 다이오드는,
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 드레인 전극의 측면 상의 제1 전극 - 상기 제1 전극은 실질적으로 투명한 전극이고 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결됨 -;
    상기 드레인 전극에서 먼 상기 제1 전극의 측면 상의 유기 층 - 상기 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및
    상기 제1 전극에서 먼 상기 유기 층의 측면 상의 제2 전극 - 상기 제2 전극은 실질적으로 투명한 전극임 -
    을 포함하고;
    상기 드레인 전극 및 상기 제2 전극은 마이크로캐비티 구조체를 형성하고, 상기 마이크로캐비티 구조체는 상기 드레인 전극과 상기 제2 전극 사이의 층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일한 광학 거리를 갖고, 상기 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이며, λ는 상기 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장인 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판상의 상기 드레인 전극의 직각 투영(orthographic projection)은 상기 유기 발광 층의 발광 영역의 것을 실질적으로 커버하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 베이스 기판상의 상기 드레인 전극의 직각 투영은 상기 유기 발광 층의 발광 영역의 것과 실질적으로 오버랩되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판상의 상기 드레인 전극의 직각 투영은 상기 제1 전극 층의 것을 실질적으로 커버하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 베이스 기판상의 상기 드레인 전극의 직각 투영은 상기 제1 전극 층의 것과 실질적으로 오버랩되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 드레인 전극의 측면 상의 평탄화 층; 및
    상기 드레인 전극에서 먼 상기 평탄화 층의 측면 상의 패시베이션 층을 더 포함하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 광학 거리는 상기 패시베이션 층, 상기 평탄화 층, 상기 유기 층, 및 상기 제1 전극의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일한 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  8. 제1항에 있어서, 상기 드레인 전극은 반사율이 낮은 금속성 재료로 제조되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 드레인 전극은 몰리브덴 또는 니켈로 제조되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 금속성 재료로 제조되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2 전극은 마그네슘:실버 합금으로 제조되는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 800 Å 내지 2000 Å의 범위인 두께를 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  13. 제6항에 있어서, 상기 평탄화 층은 10000 Å 내지 30000 Å의 범위인 두께를 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  14. 제6항에 있어서, 상기 평탄화 층은 복수의 서브층들을 포함하고;
    상기 평탄화 층의 상기 복수의 서브층들의 굴절률들은 상기 베이스 기판에서 떨어져서 두께 방향을 따라 감소하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 포함하는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치.
  16. 복수의 서브픽셀 구역들을 갖는 상부 방출 타입 유기 발광 다이오드 디스플레이 기판을 형성하는 방법으로서,
    상기 방법은 상기 복수의 서브픽셀 구역들 각각에서,
    베이스 기판 상에 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 - 상기 드레인 전극은 반사성 도전 재료를 사용하여 형성됨 -; 및
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 드레인 전극의 측면 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계
    를 포함하며;
    상기 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 드레인 전극의 측면 상에 제1 전극을 형성하는 단계 - 상기 제1 전극은 실질적 투명한 도전성 재료를 사용하여 형성되고 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 형성됨 -;
    상기 드레인 전극에서 먼 상기 제1 전극의 측면 상에 유기 층을 형성하는 단계 - 상기 유기 층은 유기 발광 층을 포함함 -; 및
    상기 제1 전극에서 먼 상기 유기 층의 측면 상에 제2 전극을 형성하는 단계 - 상기 제2 전극은 실질적 투명한 도전성 재료를 사용하여 형성됨 -
    를 포함하고;
    상기 드레인 전극 및 상기 제2 전극은 마이크로캐비티 구조체를 형성하고, 상기 마이크로캐비티 구조체는 상기 드레인 전극과 상기 제2 전극 사이의 층들의 광학 경로 길이들의 합과 실질적으로 동일한 광학 거리를 갖고, 상기 광학 거리는 2πλ의 비정수 배수이며, λ는 상기 유기 발광 층으로부터 방출되는 광의 파장인 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는 기상 퇴적 프로세스에 의해 수행되는 방법.
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