KR101985848B1 - Light irradiation device for peripheral exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
[과제] 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서도, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 가파르게 상승하는 조사 강도 분포를 갖는 광을 조사 가능한 주변 노광 장치용의 광 조사 장치를 제공하는 것.
[해결 수단] 광을 출사하는 광원을 구비하고, 이 광을 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에 조사하여 이 끝 가장자리부의 노광을 행하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치에 있어서, 광원은 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서의 광의 강도가 피조사 대상물의 내측으로부터 외측을 향함에 따라 낮아지도록, 소정의 광 강도 분포를 형성한다. [PROBLEMS] To provide a light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus capable of irradiating light having an irradiation intensity distribution that rises steeply between a circuit pattern forming region and a wafer end edge while suppressing occurrence of pattern collapse.
[Solution] A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus that includes a light source that emits light, and emits the light around the edge of the object to be irradiated to perform exposure of the edge. The predetermined light intensity distribution is formed so that the intensity of light around the edge of the edge becomes lower from the inside to the outside of the object to be irradiated.
Description
본 발명은 반도체 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판 등, 감광성 레지스트를 도포한 기판의 끝 가장자리부 주변에 광을 조사하여, 이 끝 가장자리부의 불필요 레지스트를 제거하기 위한 노광을 행하는 주변 노광 장치에 사용되는 광 조사 장치에 관한 것이다. According to the present invention, light is irradiated around the edge of a substrate coated with a photosensitive resist, such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and exposed to remove unnecessary resist at this edge. The light irradiation apparatus used for a peripheral exposure apparatus.
종래, IC(Integrated Circuit)나 LSI(Large Scale Integrated circuit) 등의 반도체의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 감광성의 레지스트를 도포하고, 이 레지스트층에 마스크를 통하여 노광·현상함으로써, 회로 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다. Conventionally, in a semiconductor manufacturing process such as IC (Integrated Circuit) or Large Scale Integrated Circuit (LSI), a photosensitive resist is applied to the surface of a semiconductor wafer, and the circuit pattern is exposed and developed through a mask on the resist layer. Forming is done.
반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트를 도포하는 방법으로서는, 일반적으로, 웨이퍼를 회전대 위에 재치하고, 이 웨이퍼의 표면의 중심 부근에 레지스트를 적하하고 회전시켜, 원심력에 의해 웨이퍼의 표면 전체에 레지스트를 도포하는 스핀 코팅법이 사용되고 있다. In general, as a method of applying a resist to the surface of a semiconductor wafer, a wafer is placed on a swivel table, a resist is dropped and rotated near the center of the wafer surface, and a spin is applied to the entire surface of the wafer by centrifugal force. Coating methods are used.
이러한 스핀코팅법에서는, 레지스트는 웨이퍼 중앙부의 회로 패턴 형성 영역뿐만 아니라, 회로 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 끝 가장자리부에도 도포되게 되는데, 웨이퍼의 끝 가장자리부는, 웨이퍼를 반송하기 위해 반송 장치 등에 의해 파지되는 경우가 많아, 웨이퍼의 끝 가장자리부의 레지스트를 남긴 채로 해 두면, 웨이퍼의 반송 중에 그 일부가 벗겨져, 결락(缺落)된다고 하는 문제가 있다. 그리고, 웨이퍼의 끝 가장자리부의 레지스트가 결락되어, 그것이 웨이퍼의 회로 패턴 형성 영역에 부착되어 버리면, 원하는 회로 패턴이 형성되지 않아, 수율이 저하된다고 하는 문제가 발생한다. 이 때문에, 일반적으로, 웨이퍼의 끝 가장자리부를 포함하는 그 주변에 광을 조사하는 주변 노광 장치를 사용하여 레지스트의 노광을 행하여, 웨이퍼의 끝 가장자리부에 도포된 불필요 레지스트를 제거하는 것이 행해지고 있다. 이러한 주변 노광 장치용의 광 조사 장치는, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다. In such a spin coating method, the resist is applied not only to the circuit pattern formation region of the wafer center portion but also to the end edge portion of the wafer on which the circuit pattern is not formed. The end edge portion of the wafer is gripped by a conveying device or the like to convey the wafer. In many cases, if the resist at the edge of the wafer is left, a part of the wafer is peeled off during transportation of the wafer, resulting in a problem of missing. And if the resist of the edge part of a wafer falls and it adheres to the circuit pattern formation area of a wafer, a problem arises that a desired circuit pattern is not formed and a yield falls. For this reason, generally, the resist is exposed using the peripheral exposure apparatus which irradiates light to the periphery including the edge part of a wafer, and the unnecessary resist apply | coated to the edge part of a wafer is removed. The light irradiation apparatus for such a peripheral exposure apparatus is described in
특허문헌 1에 기재된 주변 노광 장치(에지 노광 장치)용의 광 조사 장치는 내부에 램프를 갖는 광원 유닛과, 광원 유닛으로부터 출사되는 광을 도광하는 제 1 라이트 가이드와, 제 1 라이트 가이드로부터 출사되는 광을 혼합하는 광 혼합 광학 소자(석영 로드)와, 광 혼합 광학 소자로부터 출사되는 광을 도광하는 제 2 라이트 가이드와, 제 2 라이트 가이드로부터의 광을 기판의 끝 가장자리부에 투영하는 조사 헤드를 구비하고 있어, 램프로부터 조사되는 광이 기판의 끝 가장자리부의 소정 구역에 집광되도록 구성되어 있다. The light irradiation apparatus for the peripheral exposure apparatus (edge exposure apparatus) of
이러한 주변 노광 장치에 의한 노광 후, 에칭 등에 의해 웨이퍼의 끝 가장자리부의 불필요 레지스트가 제거되는데, 불필요 레지스트가 완전히 제거되지 않고, 웨이퍼 위에 얇게 남아 버리면(소위 그레이존이라고 불리는 영역이 발생해 버리면), 후공정에서의 레지스트의 결락의 원인이 된다. 이 때문에, 불필요 레지스트가 제거된 후의 레지스트 끝부의 단면 형상(즉, 회로 패턴 형성 영역에 잔류하는 레지스트 끝부의 단면 형상)은 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 형상으로 되는 것이 바람직하다. After exposure by such a peripheral exposure apparatus, the unnecessary resist of the end edge of the wafer is removed by etching or the like, but when the unnecessary resist is not completely removed and remains thin on the wafer (a so-called gray zone occurs), It causes the lack of resist in the process. For this reason, the cross-sectional shape of the resist tip (i.e., the cross-sectional shape of the resist tip remaining in the circuit pattern formation region) after the unnecessary resist is removed sharply rises (i.e., sags) between the circuit pattern formation region and the wafer edge. It is desirable to have a small) shape.
이러한 그레이존 영역의 발생은 주변 노광 장치로부터 기판의 끝 가장자리부에 투영되는 광의 조사 강도 분포에 기인한다. 즉, 주변 노광 장치로부터 기판의 끝 가장자리부에 투영되는 광의 조사 강도 분포가, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 완만하게 변화되는 것이면, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 노광이 불충분한 영역이 생겨버려, 회로 패턴 형성 영역에 잔류하는 레지스트 끝부의 단면 형상도 완만한 것으로 되어 버리기(즉, 그레이존 영역이 발생함) 때문에, 주변 노광 장치로부터 기판의 끝 가장자리부에 투영되는 광의 조사 강도 분포는, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 것이 바람직하다. 이 때문에, 특허문헌 1에 기재된 주변 노광 장치에서는, 조사 헤드 내에 직사각형 형상의 슬릿을 형성하고, 광 혼합 광학 소자에 의해 믹싱된 광이 슬릿을 통하여 기판에 투영되도록 구성되어 있다. The occurrence of such gray zone is due to the irradiation intensity distribution of the light projected from the peripheral exposure apparatus to the end edge of the substrate. That is, if the irradiation intensity distribution of the light projected from the peripheral exposure apparatus to the end edge of the substrate is gently changed between the circuit pattern formation area and the end edge of the wafer, between the circuit pattern formation area and the end edge of the wafer. Since an insufficient exposure area is generated, and the cross-sectional shape of the resist tip remaining in the circuit pattern formation area is also smooth (that is, a gray zone area is generated), projection from the peripheral exposure apparatus to the end edge of the substrate is performed. It is preferable that the irradiation intensity distribution of the light to be increased sharply (that is, less sagging) between the circuit pattern formation region and the end edge of the wafer. For this reason, in the peripheral exposure apparatus of
(발명의 개요)(Summary of invention)
(발명이 해결하고자 하는 과제)(Tasks to be solved)
특허문헌 1에 기재된 주변 노광 장치용의 광 조사 장치에 의하면, 기판에 투영되는 광은 슬릿을 통과하여, 어느 정도 퍼짐각이 제한된 직사각형 형상의 광속(즉, 대략 평행 광속)만으로 되기 때문에, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 비교적 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포가 되어, 그레이존 영역의 발생이 어느 정도 억제된다. According to the light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatus of
그렇지만, 현재, 웨이퍼 위에 형성되는 회로는 점점 집적화되고, 회로 패턴도 미세화되고 있으므로, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 종래보다도 더욱 가파르게 상승하는(즉, 보다 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포의 광을 투영 가능한 주변 노광 장치용의 광 조사 장치가 요구되고 있다. However, at present, since the circuits formed on the wafer are becoming more integrated and the circuit patterns are becoming smaller, the irradiation intensity distribution which rises more steeply (i.e., less sag) between the circuit pattern formation region and the end edge of the wafer than before. There is a need for a light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus capable of projecting light.
기판에 투영되는 광의 조사 강도 분포가, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서, 보다 가파르게 상승하도록 하기 위해서는, 기판에 투영되는 광의 조사 강도 자체를 향상시키는 것도 유효하지만, 필요 이상으로 조사 강도를 향상시키면, 광학 부품이나 레지스트면에서의 반사 등에 의해 의도하지 않는 미광(迷光)이 발생하고, 당해 미광이 회로 패턴 형성 영역에 조사되면, 소위 패턴 붕괴가 발생하여, 원하는 해상도의 회로 패턴이 얻어지지 않는다고 하는 문제가 발생한다. In order for the irradiation intensity distribution of the light projected on the substrate to rise more steeply between the circuit pattern formation region and the end edge of the wafer, it is also effective to improve the irradiation intensity itself of the light projected on the substrate, but the irradiation intensity is more than necessary. In this case, undesired stray light is generated due to reflection on the optical component or resist surface, and when the stray light is irradiated to the circuit pattern formation region, a so-called pattern collapse occurs to obtain a circuit pattern having a desired resolution. The problem of not losing occurs.
본 발명은, 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 가파르게 상승하는 조사 강도 분포를 갖는 광을 조사 가능한 주변 노광 장치용의 광 조사 장치를 제공하는 것이다. This invention is made | formed in view of such a situation, The objective is to irradiate the light which has a steeply rising irradiation intensity distribution between a circuit pattern formation area and the edge of a wafer, suppressing generation | occurrence | production of a pattern collapse. It is possible to provide a light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 주변 노광 장치용의 광 조사 장치는, 광을 출사하는 광원을 구비하고, 이 광을 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에 조사하여 이 끝 가장자리부의 노광을 행하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치로서, 광원은, 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서의 광의 강도가 피조사 대상물의 내측으로부터 외측을 향함에 따라 낮아지도록, 소정의 광 강도 분포를 형성하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus of the present invention includes a light source for emitting light, and irradiates the light around the end edge portion of the object to be irradiated to expose the end edge portion. A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, wherein the light source forms a predetermined light intensity distribution so that the intensity of light around the edge of the irradiated object is lowered from the inside to the outside of the irradiated object. It is done.
이러한 구성에 의하면, 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에 대하여, 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포의 광이 조사되기 때문에, 회로 패턴 형성 영역의 레지스트를 정확하게 남기면서, 피조사 대상물의 끝 가장자리부의 레지스트를 정확하게 제거할 수 있다. 또한 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서의 광의 강도가, 피조사 대상물의 내측으로부터 외측을 향함에 따라 낮아지도록 구성되어 있기 때문에, 광학 부품이나 레지스트면에서의 반사 등에 의한 의도하지 않은 미광의 발생이 억제되어, 소위 패턴 붕괴의 발생도 억제된다. According to this structure, since the light of the irradiation intensity distribution which rises steeply (i.e., there is little sag) is irradiated about the edge part of a to-be-irradiated object to be irradiated, the to-be-irradiated object remains, accurately leaving the resist of a circuit pattern formation area | region. The resist at the edge of the edge can be removed accurately. In addition, since the intensity of light around the edge of the object to be irradiated is lowered from the inside to the outside of the object to be irradiated, unintended generation of stray light due to reflection on an optical component or a resist surface, etc. This suppresses the occurrence of so-called pattern collapse.
또한 광원은 광을 방사하는 방전램프와, 방전램프로부터의 광을 도광하는 복수의 광파이버 소선으로 이루어지는 라이트 가이드를 구비하고, 라이트 가이드는 복수의 광파이버 소선이 원형으로 묶여 방전램프로부터의 광이 입사되는 광 입사면과, 복수의 광파이버 소선이 직사각형 형상으로 묶여 방전램프로부터 입사된 광을 출사하는 광 출사면을 갖고, 광 출사면은 광 입사면에서 중심부에 위치하는 복수의 광파이버 소선의 일부가 배치된 제 1 영역과, 광 입사면에서 주변부에 위치하는 복수의 광파이버 소선의 일부가 배치된 제 2 영역으로 이루어지고, 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서, 제 1 영역으로부터 출사된 광이 제 2 영역으로부터 출사된 광보다도 피조사 대상물의 내측에 위치하도록 구성할 수 있다. 또한 이 경우, 복수의 광파이버 소선이 랜덤하게 배치되도록 구성할 수 있다. In addition, the light source includes a discharge lamp for emitting light and a light guide including a plurality of optical fiber element wires for guiding light from the discharge lamp. The light guide includes a plurality of optical fiber element wires grouped in a circle to receive light from the discharge lamp. The light incidence surface and the plurality of optical fiber element wires are bundled in a rectangular shape and have a light emission surface for emitting light incident from the discharge lamp, and the light emission surface has a portion of a plurality of optical fiber element wires located at the center of the light incidence surface. A first area and a second area in which a part of a plurality of optical fiber element wires positioned at the periphery at the light incident surface are arranged, and the light emitted from the first area is around the end edge of the object to be irradiated, and the second area. It can be comprised so that it may be located inside the to-be-exposed object rather than the light radiate | emitted from the inside. In this case, the plurality of optical fiber element wires can be configured to be randomly arranged.
또한 광원은 피조사 대상물과 평행하게 배치된 기판과, 이 기판 위에 이차원으로 배치되고, 직사각형 형상의 광 출사면을 형성하는 복수의 발광 소자를 구비하고, 광 출사면의 대향하는 2변에 평행한 방향으로, 소정의 광 강도 분포가 형성되도록 구성할 수 있다. 또한 이 경우, 광원은 복수의 발광 소자의 광로 중에 각각 배치되고, 각 발광 소자로부터 출사되는 광을 대략 평행광이 되도록 정형하는 렌즈를 구비할 수 있다. 또한 이 경우, 광 출사면은 제 1 강도의 광을 출사하는 제 1 영역과, 제 1 강도보다도 낮은 제 2 강도의 광을 출사하는 제 2 영역으로 이루어지고, 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서, 제 1 영역으로부터 출사된 광이 제 2 영역으로부터 출사된 광보다도 피조사 대상물의 내측에 위치하도록 구성할 수 있다. In addition, the light source includes a substrate disposed in parallel with the object to be irradiated, and a plurality of light emitting elements disposed two-dimensionally on the substrate and forming a rectangular light exit surface, and parallel to two opposite sides of the light exit surface. Direction, a predetermined light intensity distribution can be formed. In this case, the light source may be disposed in each of the optical paths of the plurality of light emitting elements, and may include a lens for shaping the light emitted from each light emitting element to be substantially parallel light. In this case, the light emitting surface is composed of a first region for emitting light of a first intensity and a second region for emitting light of a second intensity lower than the first intensity, and around the end edge of the object to be irradiated. The light emitted from the first region can be configured to be located inside the object to be irradiated more than the light emitted from the second region.
또한 제 1 영역으로부터 출사된 광은 피조사 대상물 위를 조사하도록 구성하는 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable to comprise so that light radiate | emitted from the 1st area | region may irradiate on the to-be-projected object.
또한 제 2 영역으로부터 출사된 광의 적어도 일부가 피조사 대상물의 외측을 조사하도록 구성하는 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable to comprise so that at least one part of the light radiate | emitted from the 2nd area may irradiate the outer side of an to-be-irradiated object.
또한 제 1 영역과 제 2 영역의 크기가 거의 동일하게 되도록 구성할 수 있다. In addition, the first region and the second region can be configured to have substantially the same size.
또한 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 대략 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 광 혼합기는 제 1 영역으로부터 출사된 광과, 제 2 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 글라스 로드로 구성할 수 있다. 또한 광 혼합기는 제 1 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 제 1 글라스 로드와, 제 2 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 제 2 글라스 로드를 갖는 구성으로 할 수도 있다. Moreover, it is preferable that the cross section which mixes and exits the light radiate | emitted from the light emission surface further includes a substantially rectangular light mixer. In this case, the light mixer may be configured of a glass rod that mixes the light emitted from the first region and the light emitted from the second region. Further, the light mixer may be configured to have a first glass rod for mixing light emitted from the first region and a second glass rod for mixing light emitted from the second region.
또한 광은 적어도 피조사 대상물에 도포된 레지스트층에 작용하는 광의 파장을 포함하는 것이 바람직하다. In addition, the light preferably includes at least a wavelength of light acting on the resist layer applied to the object to be irradiated.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서도, 회로 패턴 형성 영역과 웨이퍼의 끝 가장자리부 사이에서 가파르게 상승하는 조사 강도 분포를 갖는 광을 조사 가능한 주변 노광 장치용의 광 조사 장치가 실현된다. As described above, according to the present invention, a light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus capable of irradiating light having an irradiation intensity distribution that rises steeply between a circuit pattern formation region and a wafer end edge while suppressing occurrence of pattern collapse is provided. Is realized.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치가 탑재된 주변 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치에 구비된 라이트 가이드의 구성을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치에 구비된 라이트 가이드의 입사 끝면에 입사하는 광의 조사 강도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치에 구비된 제 1 글라스 로드 및 제 2 글라스 로드를 라이트 가이드의 출사 끝면측에서 보았을 때의 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치로부터 기판의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 광의 조사 패턴을 설명하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치로부터 기판의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 조사 패턴의 조사 강도 분포를 설명하는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광 조사 장치가 탑재된 주변 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광 조사 장치에 구비된 라이트 가이드의 구성을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광 조사 장치에 구비된 제 1 글라스 로드 및 제 2 글라스 로드를 라이트 가이드의 출사 끝면측에서 보았을 때의 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광 조사 장치로부터 기판의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 광의 조사 패턴을 설명하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 광 조사 장치가 탑재된 주변 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 광 조사 장치로부터 기판의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 광의 조사 패턴을 설명하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 광 조사 장치가 탑재된 주변 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 광 조사 장치의 내부 구성을 설명하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows schematic structure of the peripheral exposure apparatus with which the light irradiation apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention is mounted.
It is a figure explaining the structure of the light guide with which the light irradiation apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention was equipped.
3 is a graph showing the irradiation intensity distribution of light incident on the incident end surface of the light guide included in the light irradiation apparatus according to the first embodiment of the present invention.
It is a figure when the 1st glass rod and the 2nd glass rod with which the light irradiation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention were seen from the exit end surface side of a light guide.
It is a figure explaining the irradiation pattern of the light projected around the edge part of the board | substrate from the light irradiation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
It is a graph explaining irradiation intensity distribution of the irradiation pattern projected around the edge part of a board | substrate from the light irradiation apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
It is a figure which shows schematic structure of the peripheral exposure apparatus with which the light irradiation apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is mounted.
It is a figure explaining the structure of the light guide with which the light irradiation apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention was equipped.
It is a figure when the 1st glass rod and the 2nd glass rod with which the light irradiation apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention were seen from the exit end surface side of a light guide.
It is a figure explaining the irradiation pattern of the light projected around the edge part of the board | substrate from the light irradiation apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
It is a figure which shows schematic structure of the peripheral exposure apparatus in which the light irradiation apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention is mounted.
It is a figure explaining the irradiation pattern of the light projected around the edge part of the board | substrate from the light irradiation apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
It is a figure which shows schematic structure of the peripheral exposure apparatus with which the light irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention is mounted.
It is a figure explaining the internal structure of the light irradiation apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention.
(발명을 실시하기 위한 형태)(Form to carry out invention)
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent part in drawing, and the description is not repeated.
(제 1 실시형태)(1st embodiment)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 광 조사 장치(100)가 탑재된 주변 노광 장치(1)의 주요부의 개략 구성을 도시하는 도면으로, 도 1(a)는 주변 노광 장치(1)의 평면도이며, 도 1(b)는 주변 노광 장치(1)의 측면도이다. 본 실시형태의 주변 노광 장치(1)는, 원반 형상의 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 광을 조사하여 끝 가장자리부의 불필요 레지스트를 제거하기 위한 노광을 행하는 장치이며, 주로 기판(W)을 회전시키는 회전기구(10)와, 광의 조사를 행하는 광 조사 장치(100)를 구비하고 있다. 또한, 도 1에는, 설명의 편의를 위해, 기판(W)의 표면(즉, 수평면)과 평행하고, 또한 서로 직교하는 2축을 X축 및 Y축으로 하고, X축 및 Y축에 직교하는 축을 Z축으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 첨부하여, 이하 적당히 XYZ 직교 좌표계를 사용하여 설명한다. FIG. 1: is a figure which shows schematic structure of the principal part of the
회전 기구(10)는 스핀 모터(12), 모터축(14) 및 스핀 척(16)을 구비하고 있다. 스핀 척(16)은 모터축(14)을 통하여 스핀 모터(12)와 연결되어, 모터축(14)의 회전을 따라 회전하는 원반 형상의 부재이며, 기판(W)의 중심(C)이 스핀 모터(12)의 회전축(AX) 위에 배치되도록 기판(W)을 이면에서 진공 흡착하여 대략 수평 자세로 유지하고 있다. 따라서, 스핀 모터(12)의 회전 동작은 모터축(14)을 통하여 스핀 척(16)에 전달되고, 스핀 척(16)에 유지된 기판(W)은 XY 평면 내에서 회전한다.The
광 조사 장치(100)는 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 광을 조사하는 장치로서, 광원 유닛(110)과, 라이트 가이드(120)와, 조사 헤드(130)를 구비하고 있다. The
광원 유닛(110)은 방전램프(112)와, 방전램프(112)로부터 방사된 광(L)을 반사하는 타원 미러(114)와, 방전램프(112) 및 타원 미러(114)를 수용하는 케이스(116)를 구비하고 있다. 또한 케이스(116)의 전면 패널(116a)에는, 라이트 가이드(120)의 제 1 커넥터(122)(후술)와 연결하고, 라이트 가이드(120)의 기단부측(입사 끝면(120a)측)을 지지, 고정하는 고정 부재(118)가 부착되어 있다. The
방전램프(112)는 수은이나 희가스 등으로 이루어지는 방전 매체가 봉입되고, 자외선 파장 영역에 발광 스펙트럼을 갖는 소위 UV 램프이며, 방전램프(112)의 아크 휘점이 타원 미러(114)의 제 1 초점 위치와 대략 일치하도록 배치되어 있다. The
타원 미러(114)는 방전램프(112)로부터 방사된 광(L)을 라이트 가이드(120)를 향하여 반사하는 공기형의 미러이며, 본 실시형태에서는, 타원 미러(114)에 의해 반사된 광(L)이 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a) 위에서 대략 원형으로 집광되도록 구성되어 있다. The
라이트 가이드(120)는 방전램프(112)로부터 방사된 광(L)을 X축 방향을 따라 도광하는 도광 부재이며, n개(예를 들면, 500개)의 광파이버 소선(121)이 묶여 구성되어 있다. 라이트 가이드(120)(즉, n개의 광파이버 소선(121))의 외주면은 도시하지 않은 튜브에 의해 덮여 있고, 라이트 가이드(120)의 기단부측(입사 끝면(120a)측)의 외주면에는, 고정 부재(118)에 연결 가능한 제 1 커넥터(122)가 부착되어 있다. 또한 라이트 가이드(120)의 선단부측(출사 끝면(120b)측)의 외주면에는, 조사 헤드(130)에 연결 가능한 제 2 커넥터(124)가 부착되어 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 제 1 커넥터(122)가 고정 부재(118)에 연결되면, 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)이 케이스(116) 내에 수용되어 타원 미러(114)의 제 2 초점에 배치되고, 타원 미러(114)에 의해 반사된 광(L)이 라이트 가이드(120)(즉, n개의 광파이버 소선(121)) 내에 입사된다. The
도 2는 본 실시형태의 라이트 가이드(120)에서의 광파이버 소선(121)의 레이아웃을 설명하는 도면으로, 도 2(a)는 입사 끝면(120a)을 방전램프(112)측에서 보았을 때의 도면이며, 도 2(b)는 출사 끝면(120b)을 조사 헤드(130)측에서 보았을 때의 도면이다. FIG. 2 is a view for explaining the layout of the
도 2(a)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)에서는, n개의 광파이버 소선(121)이 대략 원형 형상으로 묶여 있고, 대략 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)이 중심부(A1)(예를 들면, 입사 끝면(120a)의 중심으로부터 반경 3mm의 부분)에 배치되고, 대략 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)이 주변부(A2)(도 2(a)에서 그레이로 나타내는 부분)에 배치되어 있다. As shown in Fig. 2 (a), on the
또한 도 2(b)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 라이트 가이드(120)의 출사 끝면(120b)에서는, n개의 광파이버 소선(121)이 대략 직사각형 형상으로 묶여 있고, 입사 끝면(120a)에서 중심부(A1)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)이 직사각형의 제 1 영역(B1)에 랜덤 믹스 배열로 배치되고, 입사 끝면(120a)에서 주변부(A2)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)이 직사각형의 제 2 영역(B2)(도 2(b)에서 그레이로 나타내는 부분)에 랜덤 믹스 배열로 배치되어 있다. In addition, as shown in Fig. 2 (b), on the
이와 같이, 본 실시형태의 라이트 가이드(120)에서는, 입사 끝면(120a)에서 중심부(A1)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)과, 입사 끝면(120a)에서 주변부(A2)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)이 출사 끝면(120b)에서 상이한 영역(즉, 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2))으로 반분되어 배치되어 있다. As described above, in the
도 3은 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)에 입사하는 광(L)의 조사 강도 분포를 나타내는 그래프이며, 가로축은 입사 끝면(120a)의 중심을 0mm로 하는 거리(mm)이고, 세로축은 최대 강도를 1.0으로 했을 때의 상대강도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)에 입사하는 광(L)은 입사 끝면(120a)의 중심을 피크로 하는 산형의 조사 강도 분포를 가지고 있기 때문에, 입사 끝면(120a)의 중심부(A1)(입사 끝면(120a)의 중심으로부터의 거리가 3mm 이내의 부분)에 배치된 광파이버 소선(121)에는, 상대강도가 0.5 이상의 광(L)이 입사되고, 입사 끝면(120a)의 주변부(A2)(입사 끝면(120a)의 중심으로부터의 거리가 3mm보다 떨어진 부분)에 배치된 광파이버 소선(121)에는, 상대강도가 0.5 이하의 광(L)이 입사된다. 따라서, 라이트 가이드(120)의 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)으로부터는 각각 상이한 조사 강도의 광(L)이 출사된다. 3 is a graph showing the irradiation intensity distribution of the light L incident on the
조사 헤드(130)는 라이트 가이드(120)의 제 2 커넥터(124)와 연결되고, 라이트 가이드(120)의 선단부측(출사 끝면(120b)측)을 수용하고, 출사 끝면(120b)으로부터 출사되는 광(L)을 기판(W)의 끝 가장자리부 주변으로 도광하여 투영하는 부재이다(도 1). 도 1에 도시하는 바와 같이, 조사 헤드(130)는 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1)으로부터 출사되는 광(L)을 도광하는 제 1 글라스 로드(131)와, 출사 끝면(120b)의 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)을 도광하는 제 2 글라스 로드(132)와, 제 1 글라스 로드(131) 및 제 2 글라스 로드(132)로부터 출사되는 광(L)을 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영하는 렌즈(133, 134)와, 렌즈(133)와 렌즈(134) 사이에 배치되어, 렌즈(133)로부터 출사되는 광(L)의 광로를 90도 꺾는 반사 미러(135)를 구비하고 있다. 또한, 본 실시형태의 조사 헤드(130)는 도시하지 않은 암에 의해 기판(W)의 상방에 고정 설치되어 있다. 또한 본 실시형태에서는, 조사 헤드(130)와 기판(W) 사이에, 직사각형 형상의 슬릿(도시하지 않음)이 형성된 슬릿 마스크(20)가 배열 설치되어 있고, 조사 헤드(130)로부터 출사된 광(L)이 슬릿 마스크(20)에 형성된 직사각형 형상의 슬릿(도시하지 않음)을 통과함으로써, 미광 등이 제거되어, 소정의 직사각형 형상의 조사 패턴(PA)이 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되게 되어 있다(도 4). The
도 4는 본 실시형태의 제 1 글라스 로드(131) 및 제 2 글라스 로드(132)를 라이트 가이드(120)의 출사 끝면(120b)측에서 보았을 때의 도면이다. 도 1(b) 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 제 1 글라스 로드(131)는 그 단면이 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1)과 대략 동일한 형상을 갖는 사각기둥 형상의 글라스 로드이며, 제 1 영역(B1)으로부터 출사되는 광(L)을 혼합하면서 X축 방향을 따라 도광하고, 렌즈(133)를 향하여 출사한다. 또한 제 2 글라스 로드(132)는 그 단면이 출사 끝면(120b)의 제 2 영역(B2)과 대략 동일한 형상을 갖는 사각기둥 형상의 글라스 로드이며, 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)을 혼합하면서 X축 방향을 따라 도광하고, 렌즈(133)를 향하여 출사한다. 4 is a view when the
도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 렌즈(133)를 투과한 광(L)은 반사 미러(135)에 의해 Z축 방향(즉, 도 1(b)에서 하향)으로 반사되고, 렌즈(134), 슬릿 마스크(20)의 직사각형 형상의 슬릿(도시하지 않음)을 통과하여, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영된다. 본 실시형태의 렌즈(133, 134)는 소위 투영 광학계를 구성하는 렌즈이며, 제 1 글라스 로드(131) 및 제 2 글라스 로드(132)로부터 출사된 광(L)의 광속을 소정의 배율로 확대(또는 축소)하여, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영한다. 또한, 도 1(b)에서는, 본 실시형태의 렌즈(133, 134)는 각각 양쪽 볼록 렌즈로서 나타내고 있지만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니고, 양쪽 볼록 렌즈, 평볼록 렌즈, 메니스커스 렌즈 등을 조합한 렌즈군으로 구성할 수도 있다. As shown in FIG. 1B, the light L transmitted through the
또한, 전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 미광 등을 제거할 목적으로 조사 헤드(130)와 기판(W) 사이에 슬릿 마스크(20)를 배열 설치하고 있지만, 미광 등의 불필요한 광이 문제가 되지 않는 경우에는 슬릿 마스크(20)는 불필요하며, 렌즈(134)를 투과한 광(L)(즉, 직사각형 형상의 광속)을 직접 기판(W)에 투영하는 구성으로 할 수도 있다. As described above, in the present embodiment, the
도 5는 본 실시형태의 광 조사 장치(100)로부터 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 광(L)의 조사 패턴(PA)을 설명하는 도면이다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 라이트 가이드(120)의 출사 끝면(120b)으로부터 출사된 광(L)이 제 1 글라스 로드(131) 및 제 2 글라스 로드(132)를 통과하여, 소정의 배율로 확대(또는 축소)되고, 슬릿 마스크(20)의 직사각형 형상의 슬릿(도시하지 않음)을 통과하여 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되기 때문에, 도 5에 도시하는 바와 같이, 슬릿 마스크(20)의 슬릿(도시하지 않음)과 대략 동일한 크기의 직사각형 형상의 조사 패턴(PA)이 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영된다. 또한, 상기한 바와 같이, 조사 패턴(PA)은 제 1 글라스 로드(131)를 통과한 광(L)과 제 2 글라스 로드(132)를 통과한 광(L)이 합쳐져서 형성되는 것이지만, 렌즈(133)를 통과하여 X축 방향을 따라 진행되는 광(L)은 반사 미러(135)에 의해 하향(즉, Z축 방향)으로 꺾여지기 때문에, 제 1 글라스 로드(131)를 통과한 광(L)(즉, 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1)으로부터 출사된 광(L))에 의해 형성되는 제 1 조사 패턴(PA1)이 제 2 글라스 로드(132)를 통과한 광(L)(즉, 출사 끝면(120b)의 제 2 영역(B2)으로부터 출사된 광(L))에 의해 형성되는 제 2 조사 패턴(PA2)보다도 기판(W)의 내측에 위치하게 된다. 그리고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제 1 조사 패턴(PA1)과 제 2 조사 패턴(PA2)의 경계선이 기판(W)의 접선과 거의 일치하여, 제 1 조사 패턴(PA1)이 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)과 기판(W)의 끝 가장자리부 사이에 위치하도록, 조사 헤드(130)가 기판(W)의 상방에 위치 결정되어 고정되어 있다. FIG. 5: is a figure explaining the irradiation pattern PA of the light L projected from the
도 6은 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 조사 패턴(PA)의 X축 방향의 조사 강도 분포를 나타내는 그래프이며, 가로축은 제 1 조사 패턴(PA1)과 제 2 조사 패턴(PA2)의 경계선(즉, 기판(W)의 접선)의 위치를 0mm로 하는 X축 방향의 거리(mm)이며, 세로축은 최대강도를 1.0으로 했을 때의 상대강도이다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)의 중심부(A1)에 배치된 광파이버 소선(121)에는 상대강도가 0.5 이상의 광(L)이 입사되고, 주변부(A2)에 배치된 광파이버 소선(121)에는 상대강도가 0.5 이하의 광(L)이 입사되기 때문에, 라이트 가이드(120)의 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1)으로부터 출사되는 광(L)의 조사 강도는 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)의 조사 강도보다도 높아진다. 따라서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 제 1 영역(B1)으로부터 출사되는 광(L)에 의해 형성되는 제 1 조사 패턴(PA1)의 조사 강도(즉, 도 6의 거리 0mm으로부터 2mm의 범위의 조사 강도)는 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)에 의해 형성되는 제 2 조사 패턴(PA2)의 조사 강도(즉, 도 6의 거리 -2mm로부터 -0.2mm의 범위의 조사 강도)보다도 높아져, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부(도 5)에 상당하는 위치에서(즉, 도 6의 거리 2mm의 위치에서) 가파르게 상승하는 조사 강도 분포로 되어 있다. 6 is a graph showing the irradiation intensity distribution in the X-axis direction of the irradiation pattern PA projected around the edge of the substrate W, and the horizontal axis represents the first irradiation pattern PA1 and the second irradiation pattern PA2. Is the distance in the X-axis direction where the boundary line (ie, the tangent of the substrate W) is 0 mm, and the vertical axis is the relative strength when the maximum intensity is 1.0. As described above, in the present embodiment, light L having a relative intensity of 0.5 or more is incident on the
또한 상기한 바와 같이, 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)에 배치되는 광파이버 소선(121)은 각각 랜덤 믹스 배열되어 있기 때문에, 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)의 조사 강도는 평균화된다. 따라서, 제 1 영역(B1)로부터 출사되는 광(L)에 의해 형성되는 제 1 조사 패턴(PA1)의 조사 강도는 X축 방향 및 Y축 방향에서 거의 균일하게 되고, 마찬가지로, 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)에 의해 형성되는 제 2 조사 패턴(PA2)의 조사 강도도 X축 방향 및 Y축 방향에서 거의 균일하게 된다. As described above, since the optical
또한, 본 실시형태에서는, 제 2 조사 패턴(PA2)의 조사 강도는 제 1 조사 패턴(PA1)의 조사 강도에 대하여 약 0.3배의 강도로 되어 있지만, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변의 불필요 레지스트를 제거하기 위하여 최저한 필요한 조사 강도로 설정되어 있다. In addition, in this embodiment, although the irradiation intensity of 2nd irradiation pattern PA2 is about 0.3 times the intensity | strength with respect to the irradiation intensity of 1st irradiation pattern PA1, it is unnecessary in the periphery of the edge part of the board | substrate W. In order to remove the resist, the minimum required irradiation intensity is set.
이와 같이, 본 실시형태의 광 조사 장치(100)에서는, 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)에서 중심부(A1)에 배치되어 있는 광파이버 소선(121)과, 입사 끝면(120a)에서 주변부(A2)에 배치되어 있는 광파이버 소선(121)을, 출사 끝면(120b)에서 상이한 영역(즉, 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2))으로 반분하여 배치함으로써, 기판(W)의 내측에서 조사 강도가 높고, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포의 조사 패턴(PA)을 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영하고 있다. 이 때문에, 회로 패턴 형성 영역(CA)의 레지스트를 정확하게 남기면서, 기판(W)의 끝 가장자리부의 레지스트를 정확하게 제거할 수 있다. Thus, in the
또한 기판(W)의 외측에 위치하는 제 2 조사 패턴(PA2)의 조사 강도는 기판(W)의 끝 가장자리부 주변의 불필요 레지스트를 제거하기 위하여 최저한 필요한 조사 강도로 설정되어 있기(즉, 억제되어 있기) 때문에, 광학 부품이나 레지스트면에서의 반사 등에 의한 의도하지 않은 미광의 발생이 억제되어, 소위 패턴 붕괴의 발생도 억제된다. In addition, the irradiation intensity of the second irradiation pattern PA2 located outside the substrate W is set to the minimum necessary irradiation intensity in order to remove the unnecessary resist around the edge of the substrate W (that is, suppression). Therefore, unintended generation of stray light due to reflection on the optical component or resist surface is suppressed, and the occurrence of so-called pattern collapse is also suppressed.
이상이 본 실시형태의 설명이지만, 본 발명은 상기의 구성에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 여러 변형이 가능하다. Although the above is description of this embodiment, this invention is not limited to said structure, A various deformation | transformation is possible within the scope of the technical idea of this invention.
예를 들면, 본 실시형태의 주변 노광 장치(1)는 원반 형상의 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 광을 조사하는 것으로서 설명했지만, 기판(W)은 오리엔테이션·플랫부를 갖는 형상이어도 되고, 또한 액정 등에 사용되는 직사각형 형상의 기판이어도 된다. 또한, 기판(W)이 직사각형 형상인 경우에는, 기판(W)을 회전시키는 회전기구(10) 대신에, 기판(W)을 XY 평면 내에서 이동시키는 XY 스테이지를 사용하여, 조사 헤드(130)로부터 출사된 광(L)이 기판(W)의 끝 가장자리부를 따라 상대적으로 이동하도록 XY 스테이지를 이동시키면 된다. For example, although the
또한 본 실시형태의 라이트 가이드(120)에서는, 라이트 가이드(120)의 입사 끝면(120a)에서 중심부(A1)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)을 출사 끝면(120b)의 제 1 영역(B1)에 반분하고, 입사 끝면(120a)에서 주변부(A2)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(121)을 출사 끝면(120b)의 제 2 영역(B2)에 반분하는 구성으로 했지만, 이러한 반분에 한정되는 것은 아니며, 기판(W)의 내측에서 조사 강도가 가장 높아지고, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포의 조사 패턴(PA)이 형성되도록 반분하면 된다. In addition, in the
(제 2 실시형태)(2nd embodiment)
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광 조사 장치(200)가 탑재된 주변 노광 장치(2)의 주요부의 개략 구성을 나타내는 도면으로, 도 7(a)는 주변 노광 장치(2)의 평면도이며, 도 7(b)는 주변 노광 장치(2)의 측면도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 주변 노광 장치(2)는 조사 헤드(230) 및 회전기구(10)가 Y축 방향을 따라 나열되고, 조사 헤드(230)로부터 출사되는 광(L)이 기판(W)의 Y축 방향의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 점에서 제 1 실시형태의 주변 노광 장치(1)와 상이하다. 또한 조사 헤드(230)로부터 출사되는 광(L)의 투영 위치가 상이함에 따라, 라이트 가이드(220) 및 조사 헤드(230)의 구성이 제 1 실시형태의 라이트 가이드(120) 및 조사 헤드(130)와 상이하다. 이하, 제 1 실시형태와 상이한 점에 대하여 상세하게 설명한다. FIG. 7: is a figure which shows schematic structure of the principal part of the
도 8은 본 실시형태의 라이트 가이드(220)에서의 광파이버 소선(221)의 레이아웃을 설명하는 도면으로, 도 8(a)는 입사 끝면(220a)을 방전램프(112)측에서 보았을 때의 도면이며, 도 8(b)는 출사 끝면(220b)을 조사 헤드(230)측에서 보았을 때의 도면이다. 또한 도 9는 본 실시형태의 조사 헤드(230)의 제 1 글라스 로드(231) 및 제 2 글라스 로드(232)를 라이트 가이드(220)의 출사 끝면(220b)측에서 보았을 때의 도면이다. FIG. 8 is a view for explaining the layout of the optical
도 8(a)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 라이트 가이드(220)는, 제 1 실시형태의 라이트 가이드(120)와 마찬가지로, 입사 끝면(220a)에서, n개의 광파이버 소선(221)이 대략 원형 형상으로 묶여 있고, 대략 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(221)이 중심부(A1)(예를 들면, 입사 끝면(220a)의 중심으로부터 반경 3mm의 부분)에 배치되고, 대략 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(221)이 주변부(A2)(도 8(a)에서 그레이로 나타내는 부분)에 배치되어 있다. As shown in FIG. 8A, in the
그렇지만, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 라이트 가이드(220)의 출사 끝면(220b)에서는, 입사 끝면(220a)에서 중심부(A1)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(221)이 랜덤 믹스 배열로 배치되는 제 1 영역(B1)과, 입사 끝면(220a)에서 주변부(A2)에 배치되어 있는 약 n/2개(즉, 대략 250개)의 광파이버 소선(221)이 랜덤 믹스 배열로 배치되는 제 2 영역(B2)(도 8(b)에서 그레이로 나타내는 부분)이 좌우 방향(즉, Y축 방향)으로 나열되어 배치되어 있는 점에서, 제 1 실시형태의 라이트 가이드(120)와는 상이하다. However, as shown in Fig. 8 (b), in the
그리고, 도 7(a) 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 제 1 글라스 로드(231) 및 제 2 글라스 로드(232)도, 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)의 배치에 맞추어, 좌우 방향(즉, Y축 방향)으로 나열되어 배치되어 있다. And as shown to FIG. 7 (a) and FIG. 9, the
도 10은 본 실시형태의 광 조사 장치(200)로부터 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 광(L)의 조사 패턴(PA)을 설명하는 도면이다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 라이트 가이드(220)의 출사 끝면(220b)의 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)이 Y축 방향으로 나열되고, 또한 제 1 글라스 로드(231) 및 제 2 글라스 로드(232)도 Y축 방향으로 나열되어 있기 때문에, 도 10에 도시하는 바와 같이, 제 1 글라스 로드(231)를 통과한 광(L)(즉, 출사 끝면(220b)의 제 1 영역(B1)으로부터 출사된 광(L))에 의해 형성되는 제 1 조사 패턴(PA1) 및 제 2 글라스 로드(232)를 통과한 광(L)(즉, 출사 끝면(220b)의 제 2 영역(B2)으로부터 출사된 광(L))에 의해 형성되는 제 2 조사 패턴(PA2)도 Y축 방향으로 나열된다. 그리고, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 제 1 조사 패턴(PA1)이 제 2 조사 패턴(PA2)보다도 기판(W)의 내측에 위치하고, 제 1 조사 패턴(PA1)과 제 2 조사 패턴(PA2)의 경계선이 기판(W)의 접선과 대략 일치하고, 제 1 조사 패턴(PA1)이 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)과 기판(W)의 끝 가장자리부 사이에 위치하게 되어 있다. FIG. 10: is a figure explaining the irradiation pattern PA of the light L projected from the
따라서, 본 실시형태의 구성에 의해서도, 기판(W)의 내측에서 조사 강도가 높고, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포의 조사 패턴(PA)를 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영할 수 있다. 이 때문에, 회로 패턴 형성 영역(CA)의 레지스트를 정확하게 남기면서, 기판(W)의 끝 가장자리부의 레지스트를 정확하게 제거할 수 있다. Therefore, according to the structure of this embodiment, irradiation intensity distribution is high inside the board | substrate W, and the irradiation intensity distribution which rises steeply (that is, there is few sag) at the edge part of the circuit pattern formation area | region CA of the board | substrate W is small. Irradiation pattern PA can be projected around the edge of the end of the substrate W. For this reason, the resist of the edge part of the board | substrate W can be removed correctly, leaving the resist of the circuit pattern formation area | region CA correctly.
(제 3 실시형태)(Third embodiment)
도 11은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 광 조사 장치(300)가 탑재된 주변 노광 장치(3)의 주요부의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다. 본 실시형태의 광 조사 장치(300)는 조사 헤드(330)가 1개의 글라스 로드(331)를 구비하고, 라이트 가이드(220)의 출사 끝면(220b)의 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)이 글라스 로드(331)에 의해 도광되도록 구성되어 있는 점에서 제 2 실시형태의 광 조사 장치(200)와는 상이하다. FIG. 11: is a top view which shows schematic structure of the principal part of the
도 12는 본 실시형태의 광 조사 장치(300)로부터 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영되는 조사 패턴(PA)(도 10)의 Y축 방향의 조사 강도 분포를 나타내는 그래프이며, 가로축은 제 1 조사 패턴(PA1)과 제 2 조사 패턴(PA2)의 경계선(즉, 기판(W)의 접선)의 위치를 0mm로 하는 Y축 방향의 거리(mm)이며, 세로축은 최대강도를 1.0으로 했을 때의 상대강도이다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 라이트 가이드(220)의 출사 끝면(220b)의 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)을 1개의 글라스 로드(331)에 의해 도광하기 때문에, 제 1 영역(B1)으로부터 출사되는 광(L)과 제 2 영역(B2)으로부터 출사되는 광(L)이 글라스 로드(331)의 내부에서 혼합되지만, 도 12에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 구성에 의해 투영되는 조사 패턴(PA)도, 기판(W)의 내측에서 조사 강도가 가장 높고, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부에 상당하는 위치에서(즉, 도 12의 거리 2mm의 위치에서) 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포로 되어 있다. 이 때문에, 제 1 및 제 2 실시형태와 같이 회로 패턴 형성 영역(CA)의 레지스트를 정확하게 남기면서, 기판(W)의 끝 가장자리부의 레지스트를 정확하게 제거할 수 있다. 12 is a graph showing the irradiation intensity distribution in the Y-axis direction of the irradiation pattern PA (FIG. 10) projected from the
(제 4 실시형태)(4th Embodiment)
도 13은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 광 조사 장치(400)가 탑재된 주변 노광 장치(4)의 주요부의 개략 구성을 나타내는 측면도이다. 본 실시형태의 주변 노광 장치(4)는 직사각형 형상의 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 광을 조사하여 끝 가장자리부(예를 들면, 기판(W)의 끝부로부터 70mm의 폭의 프레임 형상의 영역)의 불필요 레지스트를 제거하기 위한 노광을 행하는 장치이며, 회전기구(10) 대신에 XY 스테이지(10a)를 구비하는 점에서, 제 1 내지 제 3 실시형태의 주변 노광 장치(1, 2, 3)와 상이하다. 또한 본 실시형태의 광 조사 장치(400)는 복수의 LED(Light Emitting Diode)(402)를 광원으로서 구비하고, LED(402)로부터 출사되는 광에 의해 조사 패턴(PA)을 형성하고, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 투영하는 점에서 제 1 내지 제 3 실시형태의 광 조사 장치(100, 200, 300)와 상이하다. FIG. 13: is a side view which shows schematic structure of the principal part of the
XY 스테이지(10a)는, 기판(W)의 대향하는 2쌍의 변이 각각 X축 방향 및 Y축 방향을 향하도록 기판(W)을 유지하고, 기판(W)을 XY 평면 내에서 이동시키는 기구이다. 본 실시형태의 XY 스테이지(10a)는 광 조사 장치(400)로부터 출사된 광(L)이 기판(W)의 끝 가장자리부를 따라 상대적으로 이동하도록 기판(W)을 XY 평면 내에서 이동시킨다. The
도 14는 본 실시형태의 광 조사 장치(400)의 내부 구성을 설명하는 도면이며, 도 14(a)는 광 조사 장치(400)를 Y축 방향에서 보았을 때의 도면이고, 도 14(b)는 광 조사 장치(400)를 Z축 방향에서 보았을 때(즉, 도 14(a)의 하측에서 보았을 때)의 도면이다. FIG. 14: is a figure explaining the internal structure of the
도 14에 도시하는 바와 같이, 광 조사 장치(400)는 X축 방향 및 Y축 방향에 평행한 직사각형 형상의 회로기판(401)과, 25개의 LED(402)와, 각 LED(402)의 광축 위에 배치된 제 1 렌즈(403), 제 2 렌즈(404), 제 3 렌즈(405)와, 도광 미러(410)를 구비하고 있다. As shown in FIG. 14, the
LED(402)는 5개(X축 방향)×5개(Y축 방향)의 2차원 정방 격자 형상으로 회로기판(401) 위에 배치되고, 회로기판(401)과 전기적으로 접속되어 있다. 회로기판(401)은 도시하지 않은 LED 구동 회로에 접속되어 있고, 각 LED(402)에는 회로기판(401)을 통하여 LED 구동 회로로부터의 구동 전류가 공급되게 되어 있다. 각 LED(402)에 구동 전류가 공급되면, 각 LED(402)로부터는 구동 전류에 따른 광량의 자외광(예를 들면, 파장 365nm)이 출사된다. The
제 1 렌즈(403), 제 2 렌즈(404) 및 제 3 렌즈(405)는 도시하지 않은 렌즈 홀더에 유지되며, 각 LED(402)의 광축 위에 배치되어 있다. 제 1 렌즈(403)는, 예를 들면, 실리콘 수지의 사출 성형에 의해 형성된, LED(402)측이 평면인 평볼록 렌즈이며, LED(402)로부터 입사되는 자외광의 퍼짐각을 좁히는 기능을 가지고 있다. 제 2 렌즈(404) 및 제 3 렌즈(405)는, 예를 들면, 실리콘 수지의 사출 성형에 의해 형성된, 입사면 및 출사면이 모두 볼록면인 양쪽 볼록 렌즈이며, 제 1 렌즈(403)로부터 입사되는 자외광을 대략 평행광으로 정형한다. 따라서, 각 제 3 렌즈(405)로부터는, 소정의 빔 직경을 갖은 대략 평행한 자외광이 출사된다. The
도광 미러(410)는 내면에 반사면이 형성된, 단면이 직사각형 중공의 부재이며, Z축 방향에서 보았을 때, 25개의 LED(402)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 따라서, 각 제 3 렌즈(405)를 통과한 자외광은 도광 미러(410)를 통과하여 출사되고, 슬릿 마스크(20)의 직사각형 형상의 슬릿(도시하지 않음)을 통과하여, 기판(W)의 끝 가장자리부 주변에 조사 패턴(PA)을 투영한다(도 13). The
또한, 본 실시형태의 구성에 의해 투영되는 조사 패턴(PA)도 기판(W)의 내측에서 조사 강도가 가장 높고, 기판(W)의 회로 패턴 형성 영역(CA)의 끝부에 상당하는 위치에서 가파르게 상승하는(즉, 늘어짐이 적은) 조사 강도 분포가 되도록, 기판(W)의 내측에 배치되는 LED(402)일수록 출사 광량이 높아지도록 구성되어 있지만, 본 실시형태에서는, 기판(W)의 이동에 따라, 각 LED(402)와 기판(W)의 상대적인 위치 관계가 상이하기 때문에, 기판(W)의 이동 방향 및 조사 위치에 따라 각 LED(402)에 공급되는 구동 전류를 변경하고 있다. 구체적으로는, 기판(W)의 X축 방향 부측의 1변 주변을 노광할 때에는, X축 방향 정측에 위치하는 LED(402)일수록 출사 광량이 높아지도록 구동 전류를 흘리고, 기판(W)의 X축 방향 정측의 1변 주변을 노광할 때에는, X축 방향 부측에 위치하는 LED(402)일수록 출사 광량이 높아지도록 구동 전류를 흘리고, 기판(W)의 Y축 방향 부측의 1변 주변을 노광할 때에는, Y축 방향 정측에 위치하는 LED(402)일수록 출사 광량이 높아지도록 구동 전류를 흘리고, 기판(W)의 Y축 방향 정측의 1변 주변을 노광할 때에는, Y축 방향 부측에 위치하는 LED(402)일수록 출사 광량이 높아지도록 구동 전류를 흘린다. 이와 같이, 본 실시형태의 구성에 의하면, 제 1 내지 제 3 실시형태와 마찬가지로, 회로 패턴 형성 영역(CA)의 레지스트를 정확하게 남기면서, 기판(W)의 끝 가장자리부의 레지스트를 정확하게 제거할 수 있다. Moreover, irradiation pattern PA projected by the structure of this embodiment also has the highest irradiation intensity inside the board | substrate W, and steeply in the position corresponded to the edge part of the circuit pattern formation area CA of the board | substrate W. Moreover, as shown in FIG. Although the
또한, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는, 상기한 설명이 아니고, 특허청구범위에 의해 나타내어지며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. The scope of the present invention is shown not by the above description but by the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and range equivalent to the claims.
1, 2, 3, 4 주변 노광 장치 10 회전 기구
10a XY 스테이지 12 스핀 모터
14 모터축 16 스핀 척
20 슬릿 마스크 100, 200, 300, 400 광 조사 장치
110 광원 유닛 112 방전램프
114 타원 미러 116 케이스
116a 전면 패널 118 고정 부재
120, 220 라이트 가이드 120a, 220a 입사 끝면
120b, 220b 출사 끝면 121, 221 광파이버 소선
122 제 1 커넥터 124 제 2 커넥터
130, 230 조사 헤드 131, 231 제 1 글라스 로드
132, 232 제 2 글라스 로드 133, 134 렌즈
135 반사 미러 331 글라스 로드
401 회로기판 402 LED
403 제 1 렌즈 404 제 2 렌즈
405 제 3 렌즈 410 도광 미러
W 기판 PA 조사 패턴
PA1 제 1 조사 패턴 PA2 제 2 조사 패턴
CA 회로 패턴 형성 영역1, 2, 3, 4
14
20
110
114
116a
120, 220
120b,
122
130, 230
132, 232
135
401
403
405
W substrate PA irradiation pattern
PA1 First Irradiation Pattern PA2 Second Irradiation Pattern
CA circuit pattern formation area
Claims (20)
상기 광원은 상기 광을 방사하는 방전램프와, 상기 방전램프로부터의 광을 도광하는 복수의 광파이버 소선으로 이루어지는 라이트 가이드를 구비하고,
상기 라이트 가이드는 상기 복수의 광파이버 소선이 원형으로 묶여 상기 방전램프로부터의 광이 입사되는 광 입사면과, 상기 복수의 광파이버 소선이 직사각형 형상으로 묶여 상기 방전램프로부터 입사된 광을 출사하는 광 출사면을 갖고,
상기 광 출사면은 상기 광 입사면에서 중심부에 위치하는 상기 복수의 광파이버 소선의 일부가 배치된 제 1 영역과, 상기 광 입사면에서 주변부에 위치하는 상기 복수의 광파이버 소선의 일부가 배치된 제 2 영역으로 이루어지고,
상기 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서, 상기 제 1 영역으로부터 출사된 광이, 상기 제 2 영역으로부터 출사된 광보다도 상기 피조사 대상물의 내측에 위치하고,
상기 피조사 대상물의 끝 가장자리부 주변에서의 상기 광의 강도가 상기 피조사 대상물의 내측으로부터 외측을 향함에 따라 낮아지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.As a light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus provided with the light source which emits light, this light is irradiated to the periphery of the edge of a to-be-projected object, and this edge is exposed,
The light source includes a discharge lamp for emitting the light and a light guide including a plurality of optical fiber element wires for guiding light from the discharge lamp,
The light guide includes a light incidence surface in which the plurality of optical fiber element wires are enclosed in a circle, and the light from the discharge lamp is incident, and a light emission surface in which the plurality of optical fiber element wires are bundled in a rectangular shape and emit light incident from the discharge lamp. With
The light exit surface may include a first region in which a part of the plurality of optical fiber element wires disposed at the center of the light incident surface is disposed, and a second part of the plurality of optical fiber element wires located in the periphery of the light incidence surface. Consists of realms,
Light emitted from the first area is located inside the object to be irradiated from the light emitted from the second area around an edge portion of the object to be irradiated,
The light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized in that the intensity of the light around the end edge portion of the irradiated object is lowered from the inner side to the outer side of the irradiated object.
상기 복수의 광파이버 소선이 랜덤하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 1,
The plurality of optical fiber element wires are randomly arranged, The light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 제 1 영역으로부터 출사된 광은 상기 피조사 대상물 위를 조사하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method according to claim 1 or 2,
The light irradiating apparatus for the peripheral exposure apparatus characterized by irradiating the light radiate | emitted from the said 1st area on the said to-be-exposed object.
상기 제 2 영역으로부터 출사된 광의 적어도 일부가 상기 피조사 대상물의 외측을 조사하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method according to claim 1 or 2,
At least a part of the light emitted from the second area irradiates the outside of the irradiated object, the light irradiation apparatus for the peripheral exposure apparatus.
상기 제 2 영역으로부터 출사된 광의 적어도 일부가 상기 피조사 대상물의 외측을 조사하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 3, wherein
At least a part of the light emitted from the second area irradiates the outside of the irradiated object, the light irradiation apparatus for the peripheral exposure apparatus.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method according to claim 1 or 2,
The size of the said 1st area | region and the said 2nd area | region is the same, The light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatuses characterized by the above-mentioned.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 3, wherein
The size of the said 1st area | region and the said 2nd area | region is the same, The light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatuses characterized by the above-mentioned.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 4, wherein
The size of the said 1st area | region and the said 2nd area | region is the same, The light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatuses characterized by the above-mentioned.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 크기가 동일한 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 5,
The size of the said 1st area | region and the said 2nd area | region is the same, The light irradiation apparatus for peripheral exposure apparatuses characterized by the above-mentioned.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method according to claim 1 or 2,
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 3, wherein
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 4, wherein
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 5,
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 6,
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 7, wherein
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 8,
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 출사면으로부터 출사된 광을 혼합하여 출사하는 단면이 직사각형 형상의 광 혼합기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 9,
A light irradiation apparatus for a peripheral exposure apparatus, characterized by further comprising a rectangular light mixer having a cross section for mixing and exiting the light emitted from the light exit surface.
상기 광 혼합기는 상기 제 1 영역으로부터 출사된 광과, 상기 제 2 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 글라스 로드인 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 10,
And the light mixer is a glass rod for mixing light emitted from the first region and light emitted from the second region.
상기 광 혼합기는 상기 제 1 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 제 1 글라스 로드와, 상기 제 2 영역으로부터 출사된 광을 혼합하는 제 2 글라스 로드를 갖는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.The method of claim 10,
The light mixer has a first glass rod for mixing light emitted from the first region and a second glass rod for mixing light emitted from the second region. .
상기 광은 적어도 상기 피조사 대상물에 도포된 레지스트층에 작용하는 광의 파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 주변 노광 장치용의 광 조사 장치.
The method according to claim 1 or 2,
And the light includes at least a wavelength of light acting on the resist layer applied to the object to be irradiated.
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