KR101970779B1 - 표시 장치 - Google Patents
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 IX-IX'선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주변 영역의 일부의 단면도이다.
140: 제1 절연층 180: 제2 절연층
175: 신호 입력선 175p: 반도체층
174q: 금속층 235: 유기막
237: 제1 접촉 구멍 239: 제2 접촉 구멍
300: 표시판
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 신호선;
상기 기판 위에 형성되어 있고, 구동부와 연결되어 있는 신호 입력선;
상기 신호선과 상기 신호 입력선 사이에 형성되어 있는 제1 절연층;
상기 신호선, 상기 신호 입력선, 및 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 제2 절연층;
상기 제2 절연층 위에 형성되어 있는 유기막;
상기 신호선의 적어도 일부를 노출시키도록 상기 유기막 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 제1 접촉 구멍;
상기 신호 입력선의 적어도 일부를 노출시키도록 상기 유기막 및 상기 제2 절연층에 형성되어 있는 제2 접촉 구멍; 및,
상기 제1 접촉 구멍 및 상기 제2 접촉 구멍을 통해 상기 신호선과 상기 신호 입력선을 연결하도록 상기 유기막 위에 형성되어 있는 연결 부재를 포함하는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 신호 입력선은 반도체층 및 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 금속층으로 이루어진,
표시 장치.
- 제2 항에 있어서,
상기 유기막은 색필터, 블랙 매트릭스, 블랙 컬럼 스페이서, 및 투명 유기 절연 물질 중 어느 하나 이상으로 이루어진,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 절연층은 상기 신호선 위에 형성되고,
상기 신호 입력선은 상기 제1 절연층 위에 형성되는,
표시 장치.
- 제4 항에 있어서,
상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 실리콘 산화물(SiOX) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 무기 절연 물질로 이루어진,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 신호선은 클럭 신호를 전달하는,
표시 장치.
- 제6 항에 있어서,
상기 구동부는 상기 기판 위에 집적되어 있는,
표시 장치.
- 제7 항에 있어서,
상기 구동부는 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부로 이루어지는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 연결 부재는 ITO(Indium Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함하는 투명한 금속 물질로 이루어지는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 기판은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸도록 가장자리에 위치하는 주변 영역을 포함하고,
상기 신호선, 상기 구동부, 및 상기 신호 입력선은 상기 주변 영역에 형성되어 있는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 신호 입력선은 복수로 이루어지고,
상기 복수의 신호 입력선 중 적어도 하나의 신호 입력선은 상기 복수의 신호선 중 적어도 하나의 신호선과 중첩되는,
표시 장치.
- 제11 항에 있어서,
상기 제2 접촉 구멍은 상기 복수의 신호선 사이에 위치하는 신호 입력선의 적어도 일부를 노출시키도록 형성되는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 신호 입력선은 복수로 이루어지고,
상기 복수의 신호 입력선은 상기 복수의 신호선으로부터 떨어진 지점에 위치하는,
표시 장치.
- 제13 항에 있어서,
상기 제2 접촉 구멍은 상기 복수의 신호선에 가까운 신호 입력선의 가장자리에 형성되는,
표시 장치.
- 제14 항에 있어서,
상기 유기막의 적어도 일부는 상기 복수의 신호선 중 적어도 두 개의 신호선과 중첩되는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 유기막은 상기 신호 입력선의 개수와 동일한 수의 패턴으로 이루어지는,
표시 장치.
- 제16 항에 있어서,
상기 복수의 유기막 패턴들 중 적어도 일부는 상이한 길이로 이루어지는,
표시 장치.
- 제16 항에 있어서,
상기 복수의 유기막 패턴들은 모두 동일한 길이로 이루어지는,
표시 장치.
- 제18 항에 있어서,
상기 복수의 유기막 패턴들은
상기 복수의 신호선에 가까운 상기 신호 입력선의 가장자리 및 상기 복수의 신호선들과 중첩되도록 형성되는,
표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 유기막은
상기 복수의 신호선에 가까운 상기 신호 입력선의 가장자리 및 상기 복수의 신호들과 중첩되는 하나의 패턴으로 이루어지는,
표시 장치.
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CN104952879B (zh) * | 2015-05-05 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 采用coa技术的双栅极tft基板结构 |
CN106169482B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制作方法、电子器件 |
WO2018030298A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050196892A1 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3272212B2 (ja) | 1995-09-29 | 2002-04-08 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
KR100569272B1 (ko) | 1999-12-28 | 2006-04-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정표시장치의 제조방법 |
KR100686225B1 (ko) | 2000-02-25 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판의 제조 방법 |
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KR100704510B1 (ko) | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법 |
KR100816333B1 (ko) | 2001-08-30 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판및 이들의 제조 방법 |
KR100870701B1 (ko) | 2002-12-17 | 2008-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100905472B1 (ko) | 2002-12-17 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
WO2004068446A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイの製造方法 |
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KR101251997B1 (ko) * | 2006-01-05 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20080113596A (ko) | 2007-06-25 | 2008-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100960129B1 (ko) | 2008-02-21 | 2010-05-27 | 이성호 | 내로우 비엠을 갖는 액정표시장치 |
KR100960165B1 (ko) | 2008-03-21 | 2010-05-26 | 이성호 | 내로우 베젤을 갖는 액정표시장치 |
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KR101574097B1 (ko) | 2009-08-11 | 2015-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101599280B1 (ko) | 2009-12-28 | 2016-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판의 제조방법 |
KR101148557B1 (ko) | 2010-06-24 | 2012-05-25 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050196892A1 (en) | 2000-12-28 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
US20090243972A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140159068A1 (en) | 2014-06-12 |
US8981390B2 (en) | 2015-03-17 |
CN103871999A (zh) | 2014-06-18 |
CN103871999B (zh) | 2018-04-03 |
KR20140075103A (ko) | 2014-06-19 |
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Legal Events
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