[go: up one dir, main page]

KR101904953B1 - 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101904953B1
KR101904953B1 KR1020120134655A KR20120134655A KR101904953B1 KR 101904953 B1 KR101904953 B1 KR 101904953B1 KR 1020120134655 A KR1020120134655 A KR 1020120134655A KR 20120134655 A KR20120134655 A KR 20120134655A KR 101904953 B1 KR101904953 B1 KR 101904953B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic
substrate
scattering layer
reaction chamber
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120134655A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140073611A (ko
Inventor
조남성
이정익
황주현
주철웅
한준한
박승구
문제현
조두희
신진욱
추혜용
안성덕
허진우
이명기
서경수
유병곤
Original Assignee
한국전자통신연구원
주식회사 유니텍스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원, 주식회사 유니텍스 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020120134655A priority Critical patent/KR101904953B1/ko
Priority to US14/020,471 priority patent/US20140145160A1/en
Publication of KR20140073611A publication Critical patent/KR20140073611A/ko
Priority to US14/860,659 priority patent/US9349992B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101904953B1 publication Critical patent/KR101904953B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0247—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of voids or pores
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층의 제조 방법은 반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고, 기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것, 상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것, 상기 이송가스와 상기 기화된 유기물 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것, 및 상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 유기 산란층을 형성하는 것을 포함한다.

Description

유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법{Method of fabricating an organic scattering layer and an organic light emitting diode having the scattering layer and the method of fabricating the same}
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 유기물 기상 증착 장치를 이용한 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있다. 그 중 평면표시소자 중의 하나로서 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 있다. 유기발광 다이오드는 고효율 디스플레이로서 높은 색 재현성과 투명한 특성을 가지고 있다. 또한 유기발광 다이오드는 얇은 박막 형태로 제조가 가능하여 유연한 디스플레이로 주목을 받고 있다. 유기발광 다이오드는 현재 디스플레이용으로 휴대기기의 정보전달 매체로 이용되고 있으며 단기간 안에 대형 TV에 적용되어 소비자가 제품으로 접할 수 있을 것이다.
하지만, 유기발광 다이오드는 전체 발광량 중의 약 20% 정도 소자의 외부로 방출되고 나머지 약 80% 정도 소자의 내부에 고립되어 손실되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 저온에서 형성 가능한 유기 산란층의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 효율이 보다 향상된 유기발광 다이오드를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 효율이 보다 향상된 유기발광 다이오드의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층의 제조 방법은 반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고, 기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것, 상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것, 상기 이송가스와 상기 기화된 유기물 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것, 및 상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 유기 산란층을 형성하는 것을 포함한다.
상기 증착 장치는 유기물 기상 증착 장치일 수 있다.
상기 반응 챔버 내의 압력은 1.6Torr로 유지될 수 있다.
상기 반응 챔버에 배치된 상기 샤워해드의 온도는 200°C 내지 310°C로 유지할 수 있다.
상기 유기 산란층을 형성하는 것은 상기 반응 챔버 내에 희석 가스를 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 기판의 증착온도는 0°C일 수 있다.
상기 유기 입자들은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 다이오드의 제조 방법은 제 1 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 것, 상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 것, 상기 유기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것, 제 2 기판 상에 청구항 1항 내지 6항의 방법을 사용하여 유기 산란층을 형성하는 것, 및 상기 유기 산란층과 상기 캐소드 전극이 접촉되도록 상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키는 것을 포함한다.
상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키기 전에 상기 캐소드 전극 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 애노드 전극을 상기 제 1 기판의 일면 상에 형성하기 전에, 상기 제 1 기판의 타면 상에 상기 유기 산란층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 산란층은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 형성된 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 형성된 캐소드 전극, 및 상기 캐소드 전극 상에 형성된 유기 산란층을 포함하되, 상기 유기 산란층은 유기 입자들로 이루어져 있으며 불균일한 표면을 갖는다.
상기 유기 산란층은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다.
상기 캐소드 전극과 상기 유기 산란층 사이에 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층은 유기물 기상 증착 장치를 사용하여 형성할 수 있다. 상기 유기 산란층을 형성할 동안 이송가스의 온도를 약 50°C 이하로 유지하기 때문에 상기 유기 산란층은 저온공정에서 형성될 수 있다. 이에 따라, 저비용으로 상기 유기 산란층을 형성할 수 있다. 상기 저온공정에서 형성된 상기 유기 산란층은 유기 발광 다이오드의 보호층 상에 형성되어 상기 유기 발광 다이오드의 광전효율을 향상시킬 수 있다.
도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 1b는 보 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드를 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층의 제조 방법을 설명하기 위한 유기물 기상 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기물 기상 증착 장치로 형성된 유기 산란층을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기물 기상 증착 장치로 형성된 유기 산란층의 투과도를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 산란층을 갖는 유기발광 다이오드를 나타낸 단면도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 제 1 기판(11)을 준비한다.(S10) 상기 제 1 기판(11)은 광 투과 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제 1 기판(11)은 예를 들어, 유리 기판, 플라스틱 기판, 또는 고분자 기판과 같은 투명한 기판일 수 있다.
상기 제 1 기판(11) 상에 애노드 전극(12)을 형성한다.(S20) 상기 애노드 전극(12)은 투명전극 또는 반사전극으로 형성될 수 있다. 상기 애노드 전극(12)이 투명전극인 경우 예를 들어, 인듐 주석 옥사이드(ITO), 인듐 아연 옥사이드(IZO), 또는 주석 옥사이드을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 애노드 전극(12)이 반사전극인 경우 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 백금(Pt), 또는 팔라듐(Pd)을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 애노드 전극(12) 상에 유기 발광층(13)을 형성한다.(S30) 상기 유기 발광층(13)은 빛을 방출하는 영역이다. 상기 유기 발광층(13)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층(13) 상에 캐소드 전극(14)을 형성한다.(S40) 상기 캐소드 전극(14)은 금속물질을 포함할 수 있다. 상기 캐소드 전극(14)은 예를 들어, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag), 바륨(Ba) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 캐소드 전극(14)은 광을 투과할 수 있을 정도로 얇게 형성될 수 있다. 상기 캐소드 전극 상에 보호층(15)을 더 형성할 수 있다.
제 2 기판(17) 상에 유기 산란층(16)을 형성할 수 있다.(S50) 상기 유기 산란층(16)은 유기물 기상 증착 장치를 이용하여 균일반응이 일어나는 공정조건에서 형성될 수 있다. 상기 유기 산란층(16)은 유기 입자들로 이루어진 박막일 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 산란층(16)은 상기 유기 입자들에 의하여 불균일한 표면을 가질 수 있다. 상기 유기 입자들은 약 수 마이크로미터의 크기를 가질 수 있다. 상기 유기 입자들은 Alq3입자일 수 있다. 상기 제 2 기판(17)은 상기 유기 산란층(16)을 형성하기 위하여 사용된 증착 기판일 수 있다. 상기 제 2 기판(17)은 유리기판, SiO2 기판 또는 고분자 기판일 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 유기 산란층(16)은 상기 캐소드 전극(14) 상에 직접 형성될 수 있다. 보다 자세한 상기 유기 산란층(16)의 형성방법은 도 4에서 설명되도록 한다.
상기 제 2 기판(17)을 상기 캐소드 전극(14)와 접합시킨다.(S60) 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 2 기판은 상기 보호층(15)과 상기 유기 산란층(16)이 접촉되도록 접합될 수 있다.
상기 유기 발광층(13)에서 발광하는 광은 상기 유기 산란층(16)에 포함된 상기 유기 입자들에 의해 산란되어 물질들의 경계면 사이의 굴절률 차이로 인하여 내부로 전반사되지 않고 외부로 쉽게 광추출될 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광층(13)을 포함한 유기발광 다이오드(100)는 기존의 유기발광 다이오드보다 외부로 방출되는 광의 양이 증가하여 광전효율이 향상될 수 있다.
아울러, 저온공정에서 상기 유기 산란층(16)이 형성 가능하여 저비용으로 제조가 가능한 상기 유기 산란층(16)을 포함하는 유기발광 다이오드(100)를 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유기발광 다이오드(200)는 제 1 기판(21)의 일면 상에 차례로 애노드 전극(22), 유기 발광층(23), 캐소드 전극(24), 보호층(25), 제 1 유기 산란층(26), 및 제 2 기판(27)이 배치될 수 있다.
상기 애노드 전극(22)은 투명 전극일 수 있다. 상기 애노드 전극(22)은 예를 들어, 인듐 주석 옥사이드(ITO), 인듐 아연 옥사이드(IZO), 또는 주석 옥사이드을 사용하여 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 애노드 전극(22)이 투명전극일 경우, 상기 유기 발광층(23)에서 형성된 광은 상기 애노드 전극(22) 및 캐소드 전극(24) 방향으로 방출될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 기판(21)의 타면 상에 제 2 유기 산란층(28)이 더 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 산란층의 제조 방법을 설명하기 위한 유기물 기상 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 유기물 기상 증착 장치(300)는 반응 챔버(311)를 포함한다. 상기 반응 챔버(311)는 유기 산란층(36)을 형성하는 곳이다. 상기 반응 챔버(311) 내에 기판(31)을 지지하는 기판 지지부(33), 상기 기판 지지부(33)에 설치되어 상기 기판(31)의 온도를 조절하는 온도 조절부(35), 상기 기판 지지부(33)와 대향되게 배치되어 상기 기판(31) 상에 유기물 소스를 균일하게 분사하는 샤워해드(shower head)(38)를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(31)은 상기 반응 챔버(311) 내에 제공된다. 상기 기판(31)의 증착 온도는 약 0°C로 유지될 수 있다. 상기 샤워해드(38)의 온도는 약 200°C 내지 약 310°C로 유지될 수 있다.
상기 기판(31)은 상기 반응 챔버(311) 내에 제공되기 전에 세척 공정이 수행될 수 있다. 상기 기판(31)은 유리 기판, SiO2 기판, 또는 고분자 기판일 수 있다. 상기 고분자 기판은 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 기판일 수 있다. 상기 기판(31)을 초음파 세척기를 이용하여 피라나 용액(piranha solution)에 10분 동안 세척한다. 그리고 나서, 상기 피라나 용액에 세척된 상기 기판(31)을 흐르는 물에 10분 정도 헹군다. 마지막으로, 아세톤(acetone) 및 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)로 각각 10분 동안 상기 기판(31)을 초음파 세척기로 세척한 다음 질소 건으로 건조시킨다.
상기 반응 챔버(311)는 진공펌프(315)와 진공 배출로(313)를 통하여 연결될 수 있다. 상기 진공펌프(315)는 상기 반응 챔버(311)에 어떤 일정한 수준의 진공을 유지하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 진공펌프(315)는 상기 반응 챔버(311)의 증착 압력이 약 1.6Torr가 유지되도록 수행될 수 있다.
상기 반응 챔버(311)에 기화된 유기물 소스 제공하기 위하여 소스 챔버(321)가 제공될 수 있다. 상기 소스 챔버(321)는 상기 반응 챔버(311)와 연결될 수 있다. 상세하게, 상기 소스 챔버(321)는 상기 샤워해드(38)와 연결될 수 있다. 상기 소스 챔버(321)는 상기 기판(31)에 증착하고자 하는 유기물 소스의 종류가 다수일 때 병렬로 설치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소스 챔버(321)에 포함되어 있는 유기물은 Alq3 -((Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)일 수 있다. 상기 소스 챔버(321)에 있는 상기 유기물 소스의 온도는 약 340°C로 유지될 수 있다.
상기 소스 챔버(321)는 이송가스 공급원(323)과 연결될 수 있다. 상기 이송가스 공급원(323)은 상기 소스 챔버(321)에 이송가스를 제공할 수 있다. 상기 소스 챔버(321)에 이송가스 흐름의 유량을 정밀하게 제어하기 위하여 상기 이송가스 공급원(323)과 상기 소스 챔버(321) 사이에 유량 조절계(325)가 배치될 수 있다. 상기 이송가스는 예를 들어, 불활성 기체인 질소, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 제논, 또는 네온일 수 있다. 상기 이송가스는 상기 소스 챔버(321)를 통과하며 상기 소스 챔버(321)에서 기화된 유기물 소스를 부양하여 상기 반응 챔버(311)로 이송할 수 있다. 상기 소스 챔버(321)는 증착될 상기 유기물 소스를 기화하여 유기물 기상을 발생시키고 상기 이송가스에 의하여 상기 유기물이 상기 반응 챔버(311)로 이송되도록 유도할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이송가스의 온도는 약 25°C 내지 약 50°C를 유지하여 상기 소스 챔버(321) 내에 제공될 수 있다. 또한, 상기 이송가스는 약 500sccm 내지 약 1000sccm의 유량으로 상기 반응 챔버 내에 공급될 수 있다. 상기 이송가스의 온도 및 유량은 증착하고자 하는 유기물 소스의 종류에 따라 달라질 수 있다.
상기 반응 챔버(311)는 희석 가스 공급원(327)과 연결될 수 있다. 상기 희석 가스 공급원(327)은 상기 기상의 유기물 소스가 상기 반응 챔버(311)에 제공될 때 희석 가스를 상기 반응 챔버(311) 내에 제공할 수 있다. 상기 희석 가스는 예를 들어, 질소 가소 또는 아르곤 가스일 수 있다.
상기 소스 챔버(321)에 공급된 상기 이송가스와 상기 기화된 유기물 소스는 상기 샤워헤드(38)를 통하여 상기 반응챔버(311)에 분사될 수 있다. 상기 반응챔버(311) 내에 분사된 상기 기화된 유기물 소스가 상기 반응챔버(311)내에 분자화되어 유기 입자들(36a)이 형성되고, 상기 유기 입자들(36a)이 상기 기판(31) 상에 증착되어 상기 유기 산란층(36)을 형성할 수 있다.
상기 유기 입자들(36a)은 균일반응(homogeneous)에 의하여 형성된다. 상기 균일반응은 기상 상태의 유기물 소스들이 분자화되어 대기 중에 유기 입자들이 형성되는 것이다. 대기 중에 형성된 상기 유기 입자들(36a)이 직접 상기 기판(31) 상에 증착되어 형성된 상기 유기 산란층(36)은 유기 입자들(36a)로 구성된 기공이 있는 조직이 특징이다. 이에 따라, 상기 유기 산란층(36)은 불균일한 표면을 가질 수 있다.
일반적으로 유기물 증착 장치를 사용하여 유기물 박막을 형성할 경우, 상기 유기물 증착 장치의 증착 조건은 상기 이송가스의 온도가 약 100°C 내지 약 200°C이다. 즉, 상기 유기물 박막은 고온공정을 통하여 형성된다.
이와 달리, 상기 유기물 기상 증착 장치(300)를 사용하여 상기 유기 산란층(36)를 형성할 경우, 상온의 상기 이송가스를 이용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 산란층(36)은 저온공정에서 형성 가능하여 저비용으로 제조가 가능할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기물 기상 증착 장치로 형성된 유기 산란층을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 4를 참조하면, 유기 산란층은 도 3에서 설명된 공정조건을 사용하여 유리 기판 상에 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)물질로 형성되었다. 상기 유기 산란층을 구성하는 유기 입자들(36a)은 상기 유리 기판 상에 약 1? 내지 약2?의 크기를 갖도록 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기물 기상 증착 장치로 형성된 유기 산란층의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 5를 참조하면, 상기 유기 산란층은 도 3에서 설명된 공정조건을 사용하여 형성된 Alq3 박막이다. 상기 유기 산란층의 투과도는 가시광역 영역에서 감소되는 것을 확인할 수 있으며, 이것은 상기 유기 산란층에 포함된 미세한 유기 입자들의 특성을 보여준다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
16, 36: 유기 산란층
26: 제 1 유기 산란층
28: 제 2 유기 산란층
36a: 유기 입자들
38: 샤워헤드
311: 반응챔버
315: 진공펌프
321: 소스챔버
323: 이송가스공급원

Claims (14)

  1. 반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고,
    기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것;
    상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것;
    상기 이송가스와 상기 기화된 유기물 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것; 및
    상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 갖는 유기 산란층을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 증착 장치는 유기물 기상 증착 장치이고,
    상기 기판의 증착온도는 0°C인 유기 산란층의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응 챔버 내의 압력은 1.6Torr로 유지되는 유기 산란층의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응 챔버에 배치된 상기 샤워해드의 온도는 200°C 내지 310°C로 유지하는 유기 산란층의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 산란층을 형성하는 것은 상기 반응 챔버 내에 희석 가스를 공급하는 것을 더 포함하는 유기 산란층의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 입자들은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 이루어진 유기 산란층의 제조 방법.
  8. 제 1 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 것;
    상기 애노드 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 것;
    상기 유기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 것;
    제 2 기판 상에 유기 산란층을 형성하는 것; 및
    상기 유기 산란층과 상기 캐소드 전극이 접촉되도록 상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키는 것을 포함하되,
    상기 유기 산란층을 형성하는 것은:
    반응 챔버와 소스 챔버를 포함하는 증착 장치를 제공하고,
    상기 제 2 기판을 상기 반응 챔버 내에 고정하는 것;
    상기 반응 챔버와 연결되며 기화된 유기물 소스를 공급하는 상기 소스 챔버에 챔버에 25°C 내지 50°C의 이송가스를 공급하는 것;
    상기 이송가스와 상기 기화된 유기믈 소스가 샤워해드를 통하여 상기 반응 챔버 내로 분사되는 것; 및
    상기 기화된 유기물 소스가 분자화되어 형성된 유기 입자들이 상기 제 2 기판 상에 증착되어 불균일한 표면을 갖는 유기 산란층을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 증착 장치는 유기물 기상 증착 장치이고,
    상기 기판의 증착온도는 0°C인 유기발광 다이오드의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 기판을 상기 캐소드 전극 상에 접합시키기 전에 상기 캐소드 전극 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 애노드 전극을 상기 제 1 기판의 일면 상에 형성하기 전에, 상기 제 1 기판의 타면 상에 상기 유기 산란층을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 유기 산란층은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)로 형성되는 유기발광 다이오드의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020120134655A 2012-11-26 2012-11-26 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법 Active KR101904953B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120134655A KR101904953B1 (ko) 2012-11-26 2012-11-26 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US14/020,471 US20140145160A1 (en) 2012-11-26 2013-09-06 Methods of forming an organic scattering layer, an organic light emitting diode with the scattering layer, and a method of fabricating the organic light emitting diode
US14/860,659 US9349992B2 (en) 2012-11-26 2015-09-21 Methods of forming an organic scattering layer, an organic light emitting diode with the scattering layer, and a method of fabricating the organic light emitting

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120134655A KR101904953B1 (ko) 2012-11-26 2012-11-26 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140073611A KR20140073611A (ko) 2014-06-17
KR101904953B1 true KR101904953B1 (ko) 2018-10-10

Family

ID=50772454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120134655A Active KR101904953B1 (ko) 2012-11-26 2012-11-26 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20140145160A1 (ko)
KR (1) KR101904953B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9843012B2 (en) 2014-12-26 2017-12-12 Industrial Technology Research Institute Top emitting organic electroluminescent devices
TWI663759B (zh) * 2014-12-26 2019-06-21 財團法人工業技術研究院 上發光有機電激發光元件
DE102015101461A1 (de) * 2015-02-02 2016-08-04 Aixtron Se Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats
KR102188235B1 (ko) 2015-11-10 2020-12-10 한국전자통신연구원 유기 발광 소자의 제조 방법
CN105791309B (zh) * 2016-04-14 2019-09-17 北京小米移动软件有限公司 一种执行业务处理的方法、装置及系统
KR102285757B1 (ko) 2016-12-14 2021-08-06 한국전자통신연구원 입체 구조체 제조 장치 및 입체 구조체 제조 방법
US20180162050A1 (en) 2016-12-14 2018-06-14 Electronics And Telecommunications Research Institute System for and method of manufacturing three-dimensional structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075657A (ja) 2000-08-23 2002-03-15 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示素子および電子装置
US20070259502A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Parasitic particle suppression in growth of III-V nitride films using MOCVD and HVPE
US20070267966A1 (en) * 2004-05-26 2007-11-22 Nissan Chemical Industries Limited Planar Luminous Body
JP2009259792A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3902938B2 (ja) * 2000-10-31 2007-04-11 キヤノン株式会社 有機発光素子の製造方法及び有機発光表示体の製造方法、有機発光素子及び有機発光表示体
KR100473806B1 (ko) 2002-09-28 2005-03-10 한국전자통신연구원 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법
JP2007287486A (ja) 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子
KR101081499B1 (ko) 2009-08-19 2011-11-08 광주과학기술원 무반사 나노구조의 제조방법
TWI451611B (zh) * 2011-05-19 2014-09-01 Au Optronics Corp 有機發光裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075657A (ja) 2000-08-23 2002-03-15 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示素子および電子装置
US20070267966A1 (en) * 2004-05-26 2007-11-22 Nissan Chemical Industries Limited Planar Luminous Body
US20070259502A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Parasitic particle suppression in growth of III-V nitride films using MOCVD and HVPE
JP2009259792A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140145160A1 (en) 2014-05-29
US9349992B2 (en) 2016-05-24
US20160013448A1 (en) 2016-01-14
KR20140073611A (ko) 2014-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101904953B1 (ko) 유기 산란층의 제조 방법 및 유기 산란층을 갖는 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US10510990B2 (en) Groove structure for printing OLED display and manufacturing method for OLED display
KR101654360B1 (ko) 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
WO2018107535A1 (zh) Oled封装方法与oled封装结构
US8388398B2 (en) Method of manufacturing substrate and organic emitting display device having the substrate
TW201445787A (zh) 發光顯示裝置
CN104319351A (zh) Oled阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
WO2017181620A1 (zh) Oled及其制备方法、以及oled显示装置
JP2013077382A (ja) 電界発光表示装置
WO2019196629A1 (zh) Oled器件及其制作方法、显示装置
US20150200382A1 (en) Organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
WO2017000326A1 (zh) 一种制作柔性oled显示器件的方法
US9349994B2 (en) Light emitting device with improved internal out-coupling and method of providing the same
KR101861630B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
US20150364724A1 (en) Method for Producing an Organic Light-Emitting Component and Organic Light-Emitting Component
KR101604495B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법
CN104701466B (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
KR20130066965A (ko) 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20120005133A (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20110091197A (ko) 미세섬모를 가지는 접착시스템을 이용한 구조물의 상향식 가공방법 및 가공장치
KR101432924B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 장치와 방법
CN111584739B (zh) 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2019218558A1 (zh) Oled封装方法及oled封装结构
CN110993823A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
KR101286594B1 (ko) 광 추출이 고효율화된 유리기판 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20121126

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20170703

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20121126

Comment text: Patent Application

PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20180615

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20180913

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180928

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20181001

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210825

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220823

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240823

Start annual number: 7

End annual number: 7