[go: up one dir, main page]

KR101847705B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101847705B1
KR101847705B1 KR1020160045666A KR20160045666A KR101847705B1 KR 101847705 B1 KR101847705 B1 KR 101847705B1 KR 1020160045666 A KR1020160045666 A KR 1020160045666A KR 20160045666 A KR20160045666 A KR 20160045666A KR 101847705 B1 KR101847705 B1 KR 101847705B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
airflow
downward
unit
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160045666A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170117791A (ko
Inventor
육세진
이정석
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
Priority to KR1020160045666A priority Critical patent/KR101847705B1/ko
Publication of KR20170117791A publication Critical patent/KR20170117791A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101847705B1 publication Critical patent/KR101847705B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부의 상부에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATNG APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하강 기류가 형성된 공정 분위기에서 기판 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 화학상증착 공정 (chemical vapor deposition process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.
각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 포함된다.
일반적으로 세정 공정과 건조 공정은 수직 하강 기류가 형성된 클린룸 내에서 수행된다. 하강 기류는 공정 처리가 진행되는 동안, 그리고 공정 처리 후 기판이 다른 장치로 이송되기 전 시간 동안 클린 룸 내에 형성된다.
하강 기류는 팬의 구동으로 발생하며 필터를 거쳐 클린 룸 내로 공급된다. 하강 기류는 필터를 통과하지만, 필터에서 걸러지지 않은 미세 입자가 기류 내에 포함될 수 있다. 미세 입자가 포함된 하강 기류가 기판으로 공급될 경우, 미세입자가 침착되어 기판이 오염될 수 있다. 하강 기류에 의한 입자 오염은 공정 처리 후 기판이 이송 대기하는 동안 크게 발생한다.
본 발명은 클린 룸 내에서 하강 기류로 인한 입자 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부의 상부에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부를 포함한다.
또한, 상기 기류 변경부는 상기 기판보다 작은 면적을 갖는 판을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하강 기류의 온도보다 높거나 낮은 온도로 상기 기류 변경부의 온도를 조절하는 온도 조절부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기류 변경부에 전기장을 형성하는 전기장 인가부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암; 및 상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축을 포함하되, 상기 지지 암은 상기 기류 변경부와 상기 기판 사이 공간에서 이동하며, 상기 기류 변경부는 상기 기판의 상부에 고정 위치할 수 있다.
또한, 상기 기류 변경부는 상기 노즐이 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정과 상기 노즐이 상기 기판의 외측에서 대기하는 공정 동안 상기 기판의 상부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암; 상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축; 및 일단이 상기 기류 변경부와 연결되고, 타단이 상기 지지 암과 연결되는 연결 로드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기류 변경부는 상기 지지 암과 동일 높이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 기류 변경부는 상기 노즐이 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 동안 상기 기판의 외측에 위치하고, 상기 노즐이 상기 기판의 외측에서 대기하는 동안 상기 기판의 상부에 위치할 수 있다.
본 발명에 의하면, 하강 기류가 형성된 공정 분위기에서 하강 기류가 기판 표면으로 제공되는 것이 방지되므로, 기판의 입자 오염이 예방될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자 오염 방지부를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 입자 오염 방지부의 제공에 따른 기류의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 처리액 공급부에서 노즐이 대기 위치에 위치하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 7는 도 6의 처리액 공급부에서 노즐이 대기 위치에 위치하는 모습을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 반도체 제조 공정 중 기판(W)이 수직 하강 기류(F)에 노출되는 공정에서 기판(W) 처리를 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 하강 기류 형성부(130), 그리고 입자 오염 방지부(140)를 포함한다.
공정 챔버(110)는 내부에 공간이 형성되며, 공정 처리가 수행되는 처리 공간(111)을 제공한다.
기판 지지부(120)는 처리 공간(111)에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(120)는 스핀 헤드(121), 지지 핀(122), 척킹 핀(123), 스핀들(124), 그리고 회전 부재(125)를 포함한다.
스핀 헤드(121)는 소정의 두께를 갖는 원판 형상을 갖는다. 스핀 헤드(121)의 상면은 기판(W)보다 큰 반경을 갖는다. 실시 예에 의하면, 스핀 헤드(121)의 저면은 상면보다 작은 반경을 가지며, 측면은 상면으로부터 저면으로 갈수록 점점 반경이 작아진다.
스핀 헤드(121)의 상면에는 지지 핀(122)과 척킹 핀(123)이 제공된다. 지지 핀(122)은 복수 개 제공되며, 스핀 헤드(121)의 상면으로부터 소정 높이로 돌출된다. 지지 핀(122)의 상단에는 기판(W)이 놓인다.
척킹 핀(123)은 복수 개 제공되며, 스핀 헤드(121)의 상면 가장자리영역에서 상부로 소정 높이로 돌출된다. 척킹 핀(123)들은 링 형상으로 배치된다. 척킹 핀(123)들은 기판(W)의 측면을 척킹한다. 척킹 핀(123)들은 스핀 헤드(121)가 회전될 때 원심력에 의해 기판(W)이 측 방향으로 이탈되는 것을 방지한다.
스핀들(124)은 스핀 헤드(121)의 저면 중앙으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상단이 스핀 헤드(121)에 고정된다. 스핀들(124)은 그 내부가 비어 있는 중공 축(hollow shaft) 형태를 가진다. 스핀들(124)은 스핀 헤드(121)를 지지한다.
회전 부재(125)는 스핀들(124)을 회전시키며, 스핀들(124)의 회전으로 스핀 헤드(121)가 함께 회전한다. 상세하게 도시하지 않았지만, 회전 부재(125)는 회전력을 발생하는 구동부와, 발생된 회전력을 스핀들(124)로 전달하는 동력 전달부를 포함할 수 있다.
하강 기류 형성부(130)는 처리 공간(111) 내에 하강 기류(F)를 형성한다. 하강 기류 형성부(130)는 팬(131)과 필터(132)를 포함할 수 있다.
팬(131)은 공정 챔버(110)의 상단에 위치하며, 구동하여 하강 기류(F)를 형성한다.
필터(132)는 팬(131)의 하부에 위치하며, 팬(131)에서 형성된 하강 기류(F)가 통과한다. 하강 기류(F)는 필터(132)를 통과하여 처리 공간(111) 내로 하강한다.
입자 오염 방지부(140)는 기판 지지부(120)의 상부에서 기판(W)과 소정 거리 이격된 지점에 위치한다. 입자 오염 방지부(140)는 하강 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 공급되는 것을 방지한다. 하강 기류(F)에는 필터(132)에서 걸러지지 않은 미세 입자가 포함될 수 있는데, 하강 기류(F)가 기판(W)으로 직접 공급될 경우 미세 입자가 기판(W)의 처리면에 침착되어 기판(W)을 오염시킬 수 있다. 이러한 입자 오염을 방지하기 위해 입자 오염 방지부(140)는 하강 기류(F)의 경로를 변경하여 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 제공되는 것을 방지한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자 오염 방지부를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 입자 오염 방지부의 제공에 따른 기류의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 입자 오염 방지부(140)는 기류 변경부(141)를 포함한다. 기류 변경부(141)는 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하여 기판(W)의 상부에 위치한다. 기류 변경부(141)는 중심이 기판(W)의 중심과 동일 선상에 위치할 수 있다. 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 두께가 얇은 디스크 판으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 도 3과 같이 기판(W)의 상부에서 제공되는 하강 기류(F)를 차단하고, 기류(F) 경로가 기판(W)의 외측 영역에 형성되도록 기류(F) 흐름을 변경한다. 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 제공되지 않으므로 기류(F)에 포함된 미세 입자로부터 기판(W) 오염을 방지할 수 있다.
기류 변경부(141)는 상술한 경로로 기류(F) 경로를 변경할 수 있는 다양한 형태로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 원형, 타원형, 사각형 등 다양한 형상의 판으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 기류 변경부(141)는 밑면이 기판(W)과 마주하도록 배치되는 입체형으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 원뿔형, 원통형 등으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)의 재질은 다양하게 적용될 수 있다. 기류 변경부(141)는 금속 또는 비금속 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 입자 오염 방지부(140)는 온도 조절부(142)를 더 포함할 수 있다. 온도 조절부(142)는 기류 변경부(141)의 온도를 조절한다.
온도 조절부(142)는 하강 기류(F)의 온도보다 낮은 온도로 기류 변경부(141)를 온도 조절할 수 있다. 이러한 온도 조절은 기류 변경부(141) 주변에 저온 분위기를 형성하며, 기류 변경부(141) 주변을 흐르는 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자를 이끌어 기류 변경부(141)에 포집되도록 한다. 기류 변경부(141)에서의 미세 입자 포집으로 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자 수가 감소되므로, 기판(W) 오염 발생이 최소화된다.
이와 달리 온도 조절부(142)는 하강 기류(F)의 온도보다 높은 온도로 기류 변경부(141)의 온도를 조절할 수 있다. 이러한 온도 조절은 기류 변경부(141) 주변에 고온 분위기를 형성한다. 고온 분위기는 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자가 기류 변경부(141)에서 멀어지도록 미세 입자를 밀어낸다. 이로 인해 미세 입자는 기판(W)으로부터 멀리 떨어진 경로를 따라 이동하므로 기판(W) 오염 발생이 예방된다.
다른 실시 예에 의하면, 입자 오염 방지부(140)는 전기장 인가부(143)를 더 포함할 수 있다. 전기장 인가부(143)는 기류 변경부(141)에 전기장을 인가한다. 기류 변경부(141)에 생성된 전기장은 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자의 전기적 성질에 따라 미세 입자와 인력 또는 척력이 작용되므로, 미세 입자는 기류 변경부(141)에 포집되거나 기류 변경부(141)에서 멀어지는 경로를 따라 이동하게 된다. 이로 인해 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자의 수가 감소하고, 미세 입자들이 기판(W)으로부터 멀리 떨어진 경로로 이동하므로 기판(W) 오염 발생이 예방된다.
다시 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리액 공급부(150)를 더 포함할 수 있다. 처리액 공급부(150)는 기판(W)으로 처리액을 공급한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 처리액 공급부(150)는 노즐(151), 지지 암(152), 그리고 지지 축(153)을 포함한다.
노즐(151)은 하단에 토출구가 형성되며, 처리액을 토출한다. 노즐(151)은 지지 암(152)의 일 단에 지지된다.
지지 암(152)은 소정 길이를 갖는 암으로, 기판 지지부(120)의 상부에 위치한다. 지지 암(152)의 타단에는 지지 축(153)이 결합된다. 지지 축(153)은 지지 암(152)의 길이 방향에 수직하게 배치되며, 지지 암(152)을 지지한다.
지지 축(153)은 구동부의 구동으로 회전하며, 지지 암(152)을 스윙 이동시킨다. 지지 암(152)은 노즐(151)이 공정 위치와 대기 위치에 위치하도록 스윙 이동될 수 있다. 공정 위치는 도 4와 같이 노즐(151)이 기판(W)으로 처리액을 토출하는 위치로 기판(W)의 상부영역에 해당한다. 대기 위치는 도 5와 같이 노즐(151)이 대기 하는 위치로 기판(W)의 외측영역에 해당한다.
기류 변경부(141)는 공정 위치에서 지지 암(152)의 상부에 위치한다. 기류 변경부(141)는 연결 로드(145)를 통해 지지 축(153)과 연결되되, 지지 암(152)과 달리 회전이 제한된다. 이에 의해 기류 변경부(141)는 노즐(151)의 위치와 무관하게 항상 기판(W) 상부에 위치한다. 공정 처리 시간 동안, 그리고 공정 대기 시간 동안 기류 변경부(141)는 기판(W) 상부에 위치하여 기류(F) 경로를 변경하므로 기판(W)의 입자 오염이 예방된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 처리액 공급부(150)는 도 5의 구성과 동일하게 제공될 수 있다.
기류 변경부(141)는 연결 로드(147)를 통해 지지 암(152)에 지지된다. 상부에서 바라볼 때, 연결 로드(147)는 지지 암(152)의 길이 방향에 수직하게 배치되며, 일단이 지지 암(152)의 일 측부와 결합하고, 타단이 기류 변경부(141)와 연결된다. 이와 달리, 연결 로드(147)은 그 길이 방향이 지지 암(152)의 길이 방향과 소정 각도를 이루도록 배치될 수 있다. 연결 로드(147)와 지지 암(152)의 배치 각도는 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 동일 높이에 위치할 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 다른 높이에 위치할 수 있다. 기류 변경부(141)는 지지 암(152)보다 높거나 낮은 높이에 위치할 수 있다. 연결 로드(147)는 기류 변경부(141)의 높이에 따라 다양한 형상으로 변경될 수 있다.
기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 함께 이동한다. 노즐(151)이 공정 위치에 위치하는 동안, 기류 변경부(141)는 도 6과 같이 기판(W)의 외측에서 대기한다. 그리고 도 7과 같이 노즐(151)이 기판(W)의 외측에서 대기하는 동안 기류 변경부(141)는 기판(W)의 상부에 위치한다. 하강 기류(F)는 공정 처리가 진행되는 동안 기판(W)으로 제공되고, 공정 처리 완료 후 기판(W)이 대기하는 동안 기류 변경부(141)에 의해 기판(W)으로 제공되지 않는다. 본 실시 예는 공정 처리 완료 후 하강 기류(F)로 인한 기판(W)의 입자 오염 발생을 예방할 수 있다.
상술한 실시 예들에서는 기판 처리 장치(100)가 반도체 제조용 기판, 즉 웨이퍼(wafer)를 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 디스플레이 제조용 기판 처리에 제공될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)는 카메라 모듈, 의약품 등의 제조 공정 중 하강 기류가 형성된 처리 공간 내에서 대상물을 처리하는 공정에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10: 기판 처리 장치
110: 공정 챔버
111: 처리 공간
120: 기판 지지부
121: 스핀 헤드
122: 지지 핀
123: 척킹 핀
124: 스핀들
125: 회전 부재
130: 하강 기류 형성부
131: 팬
132: 필터
140: 입자 오염 방지부
141: 기류 변경부
142: 온도 조절부
143: 전기장 인가부
150: 처리액 공급부
151: 노즐
152: 지지 암
153: 지지 축

Claims (8)

  1. 처리 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판 지지부의 상부에 위치하며, 상기 기판 지지부 측으로 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부;
    상기 하강 기류 형성부와 상기 기판 지지부 사이에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부;
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐;
    상기 기류 변경부와 동일한 높이에 위치하며, 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암;
    상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축; 및
    상기 지지 암의 길이방향과 소정 각도로 배치되며, 일단이 상기 기류 변경부와 연결되고, 타단이 상기 지지 암과 연결되는 연결 로드를 포함하되,
    상기 노즐이 상기 기판의 상부에서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 동안 상기 기류 변경부는 상기 기판의 외측 영역에 위치하고,
    상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 대기하는 동안, 상기 기류 변경부는 상기 기판의 상부 영역에 위치하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기류 변경부는 상기 기판보다 작은 면적을 갖는 판을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하강 기류의 온도보다 높거나 낮은 온도로 상기 기류 변경부의 온도를 조절하는 온도 조절부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기류 변경부에 전기장을 형성하는 전기장 인가부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020160045666A 2016-04-14 2016-04-14 기판 처리 장치 Active KR101847705B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045666A KR101847705B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045666A KR101847705B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170117791A KR20170117791A (ko) 2017-10-24
KR101847705B1 true KR101847705B1 (ko) 2018-04-11

Family

ID=60299577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160045666A Active KR101847705B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101847705B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170117791A (ko) 2017-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5567702B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN100592475C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP5139844B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102652667B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20070125405A1 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP5486708B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005294835A (ja) 基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法
JP2006148069A (ja) 基板を処理するための装置および方法
CN106132564B (zh) 用于旋转涂布中的缺陷控制的盖板
CN111066128A (zh) 衬底干燥方法及衬底干燥装置
JP5114252B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20190004652A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
WO2020054424A1 (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
JP2010129809A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008034428A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US8375963B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN107887302A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US20110117283A1 (en) Spray coating system
JP6111282B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP5736017B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2018055843A1 (ja) 基板処理装置
KR102325059B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101847705B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009158564A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160414

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170919

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20171227

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20170919

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20171227

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20171117

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20180402

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20180226

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20171227

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20171117

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180404

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20180404

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210419

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220404

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240403

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250402

Start annual number: 8

End annual number: 8