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KR101847705B1 - Substrate treatng apparatus - Google Patents

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KR101847705B1
KR101847705B1 KR1020160045666A KR20160045666A KR101847705B1 KR 101847705 B1 KR101847705 B1 KR 101847705B1 KR 1020160045666 A KR1020160045666 A KR 1020160045666A KR 20160045666 A KR20160045666 A KR 20160045666A KR 101847705 B1 KR101847705 B1 KR 101847705B1
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육세진
이정석
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한양대학교 산학협력단
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부의 상부에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부를 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a processing chamber for providing a processing space; A downward flow forming unit forming a downward flow in the processing space; A substrate support positioned within the process chamber and supporting the substrate; And an air flow changing unit located at a position spaced a predetermined distance from the substrate at an upper portion of the substrate supporting unit and changing the flow of the downward air stream so that the downward air stream is not provided on the upper surface of the substrate but outside the substrate do.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATNG APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATNG APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하강 기류가 형성된 공정 분위기에서 기판 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of a substrate in a process atmosphere in which a downward flow is formed.

평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 화학상증착 공정 (chemical vapor deposition process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.Various processes such as photoresist coating process, developing process, etching process, chemical vapor deposition process, and ashing process can be used for manufacturing flat panel display devices and semiconductor manufacturing processes. The process is carried out.

각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 포함된다.In each step, a wet cleaning process using chemical or deionized water and a drying process (drying process) to remove the remaining chemical or pure water ) Process.

일반적으로 세정 공정과 건조 공정은 수직 하강 기류가 형성된 클린룸 내에서 수행된다. 하강 기류는 공정 처리가 진행되는 동안, 그리고 공정 처리 후 기판이 다른 장치로 이송되기 전 시간 동안 클린 룸 내에 형성된다.In general, the cleaning process and the drying process are performed in a clean room in which a vertical downward flow is generated. The downward draft is formed in the clean room during the processing process and for a period of time before the substrate is transferred to another apparatus after the processing.

하강 기류는 팬의 구동으로 발생하며 필터를 거쳐 클린 룸 내로 공급된다. 하강 기류는 필터를 통과하지만, 필터에서 걸러지지 않은 미세 입자가 기류 내에 포함될 수 있다. 미세 입자가 포함된 하강 기류가 기판으로 공급될 경우, 미세입자가 침착되어 기판이 오염될 수 있다. 하강 기류에 의한 입자 오염은 공정 처리 후 기판이 이송 대기하는 동안 크게 발생한다.The downward airflow is generated by the driving of the fan and is supplied into the clean room through the filter. The downward flow passes through the filter, but fine particles that are not filtered in the filter can be contained in the airflow. When a downward flow containing fine particles is supplied to the substrate, fine particles may be deposited and contaminate the substrate. Particulate contamination due to the downward airflow occurs largely while the substrate is waiting to be transferred after the process.

본 발명은 클린 룸 내에서 하강 기류로 인한 입자 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing occurrence of particle contamination due to a down stream in a clean room.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부의 상부에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber for providing a processing space; A downward flow forming unit forming a downward flow in the processing space; A substrate support positioned within the process chamber and supporting the substrate; And an air flow changing unit located at a position spaced a predetermined distance from the substrate at an upper portion of the substrate supporting unit and changing the flow of the downward air stream so that the downward air stream is not provided on the upper surface of the substrate but outside the substrate do.

또한, 상기 기류 변경부는 상기 기판보다 작은 면적을 갖는 판을 포함할 수 있다.In addition, the airflow changing portion may include a plate having a smaller area than the substrate.

또한, 상기 하강 기류의 온도보다 높거나 낮은 온도로 상기 기류 변경부의 온도를 조절하는 온도 조절부를 더 포함할 수 있다.The air conditioner may further include a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the airflow changing unit to a temperature higher or lower than the temperature of the lowering airflow.

또한, 상기 기류 변경부에 전기장을 형성하는 전기장 인가부를 더 포함할 수 있다.The airflow changing unit may further include an electric field applying unit for forming an electric field in the airflow changing unit.

또한, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암; 및 상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축을 포함하되, 상기 지지 암은 상기 기류 변경부와 상기 기판 사이 공간에서 이동하며, 상기 기류 변경부는 상기 기판의 상부에 고정 위치할 수 있다.A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate; A support arm supported at one end thereof with the nozzle; And a support shaft supporting the other end of the support arm and moving the support arm such that the nozzle moves between an upper region and an outer region of the substrate, And the airflow changing portion may be fixedly positioned on the upper portion of the substrate.

또한, 상기 기류 변경부는 상기 노즐이 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정과 상기 노즐이 상기 기판의 외측에서 대기하는 공정 동안 상기 기판의 상부에 위치할 수 있다.Further, the airflow changing portion may be located above the substrate during the process in which the nozzle supplies the processing liquid to the substrate and the process in which the nozzle waits outside the substrate.

또한, 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐; 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암; 상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축; 및 일단이 상기 기류 변경부와 연결되고, 타단이 상기 지지 암과 연결되는 연결 로드를 포함할 수 있다.A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate; A support arm supported at one end thereof with the nozzle; A support shaft supporting the other end of the support arm and moving the support arm such that the nozzle moves between an upper region and an outer region of the substrate; And a connection rod having one end connected to the airflow changing portion and the other end connected to the support arm.

또한, 상기 기류 변경부는 상기 지지 암과 동일 높이에 위치할 수 있다.Further, the airflow changing portion may be located at the same height as the support arm.

또한, 상기 기류 변경부는 상기 노즐이 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 동안 상기 기판의 외측에 위치하고, 상기 노즐이 상기 기판의 외측에서 대기하는 동안 상기 기판의 상부에 위치할 수 있다.Further, the airflow changing portion may be located on the outside of the substrate during the process of supplying the processing liquid to the substrate, and may be located on the substrate while the nozzle waits outside the substrate.

본 발명에 의하면, 하강 기류가 형성된 공정 분위기에서 하강 기류가 기판 표면으로 제공되는 것이 방지되므로, 기판의 입자 오염이 예방될 수 있다.According to the present invention, since the downward flow is prevented from being provided to the substrate surface in the process atmosphere where the downward flow is formed, particle contamination of the substrate can be prevented.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자 오염 방지부를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 입자 오염 방지부의 제공에 따른 기류의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 처리액 공급부에서 노즐이 대기 위치에 위치하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.
도 7는 도 6의 처리액 공급부에서 노즐이 대기 위치에 위치하는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a particle contamination preventing unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the flow of airflow according to the provision of the particle contamination preventing portion of the present invention.
4 is a view showing a particle contamination preventing unit and a treatment liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a view showing a state in which the nozzles are positioned at the standby position in the treatment liquid supply unit of Fig. 4; Fig.
6 is a view showing a particle contamination preventing portion and a treatment liquid supply portion according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a state in which the nozzles are positioned at the standby position in the processing liquid supply unit of FIG. 6;

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term "connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 반도체 제조 공정 중 기판(W)이 수직 하강 기류(F)에 노출되는 공정에서 기판(W) 처리를 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 기판 지지부(120), 하강 기류 형성부(130), 그리고 입자 오염 방지부(140)를 포함한다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 may perform a substrate W process in a process in which a substrate W is exposed to a vertical downward flow F during a semiconductor manufacturing process. The substrate processing apparatus 100 includes a process chamber 110, a substrate supporting unit 120, a downward flow forming unit 130, and a particle contamination preventing unit 140.

공정 챔버(110)는 내부에 공간이 형성되며, 공정 처리가 수행되는 처리 공간(111)을 제공한다.The process chamber 110 has a space formed therein and provides a processing space 111 where process processing is performed.

기판 지지부(120)는 처리 공간(111)에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(120)는 스핀 헤드(121), 지지 핀(122), 척킹 핀(123), 스핀들(124), 그리고 회전 부재(125)를 포함한다.The substrate support 120 is located in the processing space 111 and supports the substrate W. [ The substrate support 120 includes a spin head 121, a support pin 122, a chuck pin 123, a spindle 124, and a rotating member 125.

스핀 헤드(121)는 소정의 두께를 갖는 원판 형상을 갖는다. 스핀 헤드(121)의 상면은 기판(W)보다 큰 반경을 갖는다. 실시 예에 의하면, 스핀 헤드(121)의 저면은 상면보다 작은 반경을 가지며, 측면은 상면으로부터 저면으로 갈수록 점점 반경이 작아진다.The spin head 121 has a disk shape having a predetermined thickness. The upper surface of the spin head 121 has a larger radius than the substrate W. [ According to the embodiment, the bottom surface of the spin head 121 has a radius smaller than that of the top surface, and the radius gradually decreases from the top surface to the bottom surface.

스핀 헤드(121)의 상면에는 지지 핀(122)과 척킹 핀(123)이 제공된다. 지지 핀(122)은 복수 개 제공되며, 스핀 헤드(121)의 상면으로부터 소정 높이로 돌출된다. 지지 핀(122)의 상단에는 기판(W)이 놓인다.On the upper surface of the spin head 121, a support pin 122 and a chucking pin 123 are provided. A plurality of support pins 122 are provided and protrude to a predetermined height from the upper surface of the spin head 121. A substrate W is placed on the upper end of the support pin 122.

척킹 핀(123)은 복수 개 제공되며, 스핀 헤드(121)의 상면 가장자리영역에서 상부로 소정 높이로 돌출된다. 척킹 핀(123)들은 링 형상으로 배치된다. 척킹 핀(123)들은 기판(W)의 측면을 척킹한다. 척킹 핀(123)들은 스핀 헤드(121)가 회전될 때 원심력에 의해 기판(W)이 측 방향으로 이탈되는 것을 방지한다.A plurality of chucking pins 123 are provided and protrude upward from the upper edge area of the spin head 121 to a predetermined height. The chucking pins 123 are arranged in a ring shape. The chucking pins 123 chuck the side of the substrate W. The chucking pins 123 prevent the substrate W from being displaced laterally by the centrifugal force when the spin head 121 is rotated.

스핀들(124)은 스핀 헤드(121)의 저면 중앙으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상단이 스핀 헤드(121)에 고정된다. 스핀들(124)은 그 내부가 비어 있는 중공 축(hollow shaft) 형태를 가진다. 스핀들(124)은 스핀 헤드(121)를 지지한다.The spindle 124 extends downward from the bottom center of the spin head 121, and the upper end is fixed to the spin head 121. The spindle 124 has a hollow shaft shape in which its interior is hollow. The spindle 124 supports the spin head 121.

회전 부재(125)는 스핀들(124)을 회전시키며, 스핀들(124)의 회전으로 스핀 헤드(121)가 함께 회전한다. 상세하게 도시하지 않았지만, 회전 부재(125)는 회전력을 발생하는 구동부와, 발생된 회전력을 스핀들(124)로 전달하는 동력 전달부를 포함할 수 있다.The rotating member 125 rotates the spindle 124, and the rotation of the spindle 124 causes the spin head 121 to rotate together. Although not shown in detail, the rotating member 125 may include a driving unit that generates a rotational force and a power transmitting unit that transmits the generated rotational force to the spindle 124. [

하강 기류 형성부(130)는 처리 공간(111) 내에 하강 기류(F)를 형성한다. 하강 기류 형성부(130)는 팬(131)과 필터(132)를 포함할 수 있다.The downward flow forming unit 130 forms a downward flow F in the process space 111. The downward flow forming unit 130 may include a fan 131 and a filter 132.

팬(131)은 공정 챔버(110)의 상단에 위치하며, 구동하여 하강 기류(F)를 형성한다.The fan 131 is positioned at the top of the process chamber 110 and is driven to form a downward flow F.

필터(132)는 팬(131)의 하부에 위치하며, 팬(131)에서 형성된 하강 기류(F)가 통과한다. 하강 기류(F)는 필터(132)를 통과하여 처리 공간(111) 내로 하강한다.The filter 132 is positioned below the fan 131 and passes through a downward flow F formed by the fan 131. [ The downward flow F passes through the filter 132 and falls into the processing space 111.

입자 오염 방지부(140)는 기판 지지부(120)의 상부에서 기판(W)과 소정 거리 이격된 지점에 위치한다. 입자 오염 방지부(140)는 하강 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 공급되는 것을 방지한다. 하강 기류(F)에는 필터(132)에서 걸러지지 않은 미세 입자가 포함될 수 있는데, 하강 기류(F)가 기판(W)으로 직접 공급될 경우 미세 입자가 기판(W)의 처리면에 침착되어 기판(W)을 오염시킬 수 있다. 이러한 입자 오염을 방지하기 위해 입자 오염 방지부(140)는 하강 기류(F)의 경로를 변경하여 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 제공되는 것을 방지한다.The particle contamination prevention portion 140 is located at a position spaced a predetermined distance from the substrate W in the upper portion of the substrate supporting portion 120. The particle contamination prevention portion 140 prevents the downward flow F from being supplied to the upper surface of the substrate W. [ When the downward flow F is directly supplied to the substrate W, the fine particles are deposited on the processing surface of the substrate W, so that the downward flow F may include fine particles not filtered by the filter 132, (W). In order to prevent such particle contamination, the particle contamination prevention part 140 changes the path of the downward flow F to prevent the airflow F from being provided on the upper surface of the substrate W.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자 오염 방지부를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 입자 오염 방지부의 제공에 따른 기류의 흐름을 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a view showing a particle contamination preventing unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view showing a flow of an airflow according to the provision of the particle contamination preventing unit of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 입자 오염 방지부(140)는 기류 변경부(141)를 포함한다. 기류 변경부(141)는 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하여 기판(W)의 상부에 위치한다. 기류 변경부(141)는 중심이 기판(W)의 중심과 동일 선상에 위치할 수 있다. 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 두께가 얇은 디스크 판으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 도 3과 같이 기판(W)의 상부에서 제공되는 하강 기류(F)를 차단하고, 기류(F) 경로가 기판(W)의 외측 영역에 형성되도록 기류(F) 흐름을 변경한다. 기류(F)가 기판(W)의 상면으로 제공되지 않으므로 기류(F)에 포함된 미세 입자로부터 기판(W) 오염을 방지할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the particle contamination prevention unit 140 includes an airflow changing unit 141. The airflow changing portion 141 is located at an upper portion of the substrate W by a predetermined distance from the substrate W. [ The air flow changing portion 141 may be positioned on the same line as the center of the substrate W. [ According to the embodiment, the airflow changing portion 141 can be provided as a thin disk plate. The air flow changing unit 141 cuts off the downward flow F provided on the upper portion of the substrate W as shown in FIG. 3 and flows the air flow F so that the air flow F is formed in the area outside the substrate W . Since the airflow F is not provided on the upper surface of the substrate W, contamination of the substrate W from the fine particles contained in the airflow F can be prevented.

기류 변경부(141)는 상술한 경로로 기류(F) 경로를 변경할 수 있는 다양한 형태로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 원형, 타원형, 사각형 등 다양한 형상의 판으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 기류 변경부(141)는 밑면이 기판(W)과 마주하도록 배치되는 입체형으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)는 원뿔형, 원통형 등으로 제공될 수 있다. 기류 변경부(141)의 재질은 다양하게 적용될 수 있다. 기류 변경부(141)는 금속 또는 비금속 재질로 제공될 수 있다.The airflow changing unit 141 may be provided in various forms in which the airflow F path can be changed by the above-described path. The airflow changing portion 141 may be provided in various shapes such as a circle, an ellipse, and a square. Alternatively, the air flow changing portion 141 may be provided in a three-dimensional shape in which the bottom surface is disposed to face the substrate W. [ The airflow changing portion 141 may be provided in a conical shape, a cylindrical shape, or the like. The material of the airflow changing portion 141 may be variously applied. The airflow changing portion 141 may be made of a metal or a non-metal material.

일 실시 예에 의하면, 입자 오염 방지부(140)는 온도 조절부(142)를 더 포함할 수 있다. 온도 조절부(142)는 기류 변경부(141)의 온도를 조절한다.According to one embodiment, the particle contamination prevention unit 140 may further include a temperature control unit 142. The temperature regulating unit 142 regulates the temperature of the airflow changing unit 141.

온도 조절부(142)는 하강 기류(F)의 온도보다 낮은 온도로 기류 변경부(141)를 온도 조절할 수 있다. 이러한 온도 조절은 기류 변경부(141) 주변에 저온 분위기를 형성하며, 기류 변경부(141) 주변을 흐르는 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자를 이끌어 기류 변경부(141)에 포집되도록 한다. 기류 변경부(141)에서의 미세 입자 포집으로 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자 수가 감소되므로, 기판(W) 오염 발생이 최소화된다.The temperature regulating unit 142 can adjust the temperature of the airflow changing unit 141 to a temperature lower than the temperature of the downward airflow F. [ This temperature control forms a low-temperature atmosphere around the airflow changing portion 141 and draws the fine particles contained in the downward airflow F flowing around the airflow changing portion 141 to be collected by the airflow changing portion 141. The number of fine particles contained in the down stream F is reduced by the fine particle collection in the airflow changing portion 141, so that the occurrence of contamination of the substrate W is minimized.

이와 달리 온도 조절부(142)는 하강 기류(F)의 온도보다 높은 온도로 기류 변경부(141)의 온도를 조절할 수 있다. 이러한 온도 조절은 기류 변경부(141) 주변에 고온 분위기를 형성한다. 고온 분위기는 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자가 기류 변경부(141)에서 멀어지도록 미세 입자를 밀어낸다. 이로 인해 미세 입자는 기판(W)으로부터 멀리 떨어진 경로를 따라 이동하므로 기판(W) 오염 발생이 예방된다.Alternatively, the temperature regulating unit 142 may regulate the temperature of the air flow changing unit 141 to a temperature higher than the temperature of the down stream F. This temperature control forms a high temperature atmosphere around the airflow changing portion 141. [ In the high-temperature atmosphere, the fine particles contained in the downward airflow F are pushed away from the airflow changing portion 141. As a result, the fine particles move along the path far from the substrate W, so that the contamination of the substrate W is prevented.

다른 실시 예에 의하면, 입자 오염 방지부(140)는 전기장 인가부(143)를 더 포함할 수 있다. 전기장 인가부(143)는 기류 변경부(141)에 전기장을 인가한다. 기류 변경부(141)에 생성된 전기장은 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자의 전기적 성질에 따라 미세 입자와 인력 또는 척력이 작용되므로, 미세 입자는 기류 변경부(141)에 포집되거나 기류 변경부(141)에서 멀어지는 경로를 따라 이동하게 된다. 이로 인해 하강 기류(F)에 포함된 미세 입자의 수가 감소하고, 미세 입자들이 기판(W)으로부터 멀리 떨어진 경로로 이동하므로 기판(W) 오염 발생이 예방된다.According to another embodiment, the particle contamination prevention unit 140 may further include an electric field application unit 143. The electric field application unit 143 applies an electric field to the airflow changing unit 141. [ Since the electric field generated in the airflow changing unit 141 acts on the fine particles and repulsive force or repulsive force according to the electrical properties of the fine particles included in the downward flow F, the fine particles are collected in the airflow changing unit 141, (141). This reduces the number of fine particles contained in the downward flow F and moves the fine particles away from the substrate W, thereby preventing the contamination of the substrate W. [

다시 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 처리액 공급부(150)를 더 포함할 수 있다. 처리액 공급부(150)는 기판(W)으로 처리액을 공급한다.Referring again to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 may further include a process liquid supply unit 150. The process liquid supply unit 150 supplies the process liquid to the substrate W.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a particle contamination preventing unit and a treatment liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 4를 참조하면, 처리액 공급부(150)는 노즐(151), 지지 암(152), 그리고 지지 축(153)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 4, the treatment liquid supply unit 150 includes a nozzle 151, a support arm 152, and a support shaft 153.

노즐(151)은 하단에 토출구가 형성되며, 처리액을 토출한다. 노즐(151)은 지지 암(152)의 일 단에 지지된다.The nozzle 151 has a discharge port formed at the lower end thereof, and discharges the process liquid. The nozzle 151 is supported at one end of the support arm 152.

지지 암(152)은 소정 길이를 갖는 암으로, 기판 지지부(120)의 상부에 위치한다. 지지 암(152)의 타단에는 지지 축(153)이 결합된다. 지지 축(153)은 지지 암(152)의 길이 방향에 수직하게 배치되며, 지지 암(152)을 지지한다.The support arm 152 is an arm having a predetermined length and is located at the top of the substrate support 120. A support shaft 153 is coupled to the other end of the support arm 152. The support shaft 153 is disposed perpendicular to the longitudinal direction of the support arm 152 and supports the support arm 152.

지지 축(153)은 구동부의 구동으로 회전하며, 지지 암(152)을 스윙 이동시킨다. 지지 암(152)은 노즐(151)이 공정 위치와 대기 위치에 위치하도록 스윙 이동될 수 있다. 공정 위치는 도 4와 같이 노즐(151)이 기판(W)으로 처리액을 토출하는 위치로 기판(W)의 상부영역에 해당한다. 대기 위치는 도 5와 같이 노즐(151)이 대기 하는 위치로 기판(W)의 외측영역에 해당한다.The support shaft 153 is rotated by driving the drive unit, and swings the support arm 152. The support arm 152 can be swung such that the nozzle 151 is positioned at the process position and the standby position. The process position corresponds to an upper region of the substrate W to a position where the nozzle 151 discharges the process liquid to the substrate W as shown in FIG. The standby position corresponds to an area outside the substrate W at a position where the nozzle 151 waits as shown in FIG.

기류 변경부(141)는 공정 위치에서 지지 암(152)의 상부에 위치한다. 기류 변경부(141)는 연결 로드(145)를 통해 지지 축(153)과 연결되되, 지지 암(152)과 달리 회전이 제한된다. 이에 의해 기류 변경부(141)는 노즐(151)의 위치와 무관하게 항상 기판(W) 상부에 위치한다. 공정 처리 시간 동안, 그리고 공정 대기 시간 동안 기류 변경부(141)는 기판(W) 상부에 위치하여 기류(F) 경로를 변경하므로 기판(W)의 입자 오염이 예방된다.The airflow changing portion 141 is located at the upper portion of the support arm 152 in the process position. The airflow changing portion 141 is connected to the support shaft 153 through the connection rod 145, but rotation is restricted unlike the support arm 152. The airflow changing portion 141 is always located above the substrate W regardless of the position of the nozzle 151. [ During the process time and during the process wait time, the airflow changing portion 141 is located above the substrate W to change the air flow (F) path, so that particle contamination of the substrate W is prevented.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 입자오염 방지부와 처리액 공급부를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a particle contamination preventing portion and a treatment liquid supply portion according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 처리액 공급부(150)는 도 5의 구성과 동일하게 제공될 수 있다. Referring to FIG. 6, the processing solution supply unit 150 may be provided in the same manner as the configuration of FIG.

기류 변경부(141)는 연결 로드(147)를 통해 지지 암(152)에 지지된다. 상부에서 바라볼 때, 연결 로드(147)는 지지 암(152)의 길이 방향에 수직하게 배치되며, 일단이 지지 암(152)의 일 측부와 결합하고, 타단이 기류 변경부(141)와 연결된다. 이와 달리, 연결 로드(147)은 그 길이 방향이 지지 암(152)의 길이 방향과 소정 각도를 이루도록 배치될 수 있다. 연결 로드(147)와 지지 암(152)의 배치 각도는 다양하게 변경될 수 있다.The air flow changing portion 141 is supported on the support arm 152 via the connection rod 147. [ The connection rod 147 is disposed perpendicular to the longitudinal direction of the support arm 152 and has one end engaged with one side of the support arm 152 and the other end connected with the airflow changing portion 141 do. Alternatively, the connection rod 147 may be disposed such that its longitudinal direction is at a predetermined angle with the longitudinal direction of the support arm 152. The arrangement angle of the connection rod 147 and the support arm 152 can be variously changed.

일 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 동일 높이에 위치할 수 있다. According to one embodiment, the airflow changing portion 141 may be located at the same height as the support arm 152. [

다른 실시 예에 의하면, 기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 다른 높이에 위치할 수 있다. 기류 변경부(141)는 지지 암(152)보다 높거나 낮은 높이에 위치할 수 있다. 연결 로드(147)는 기류 변경부(141)의 높이에 따라 다양한 형상으로 변경될 수 있다.According to another embodiment, the air flow changing portion 141 may be located at a different height from the support arm 152. [ The air flow changing portion 141 may be located at a height higher or lower than the support arm 152. [ The connection rod 147 can be changed into various shapes according to the height of the airflow changing portion 141.

기류 변경부(141)는 지지 암(152)과 함께 이동한다. 노즐(151)이 공정 위치에 위치하는 동안, 기류 변경부(141)는 도 6과 같이 기판(W)의 외측에서 대기한다. 그리고 도 7과 같이 노즐(151)이 기판(W)의 외측에서 대기하는 동안 기류 변경부(141)는 기판(W)의 상부에 위치한다. 하강 기류(F)는 공정 처리가 진행되는 동안 기판(W)으로 제공되고, 공정 처리 완료 후 기판(W)이 대기하는 동안 기류 변경부(141)에 의해 기판(W)으로 제공되지 않는다. 본 실시 예는 공정 처리 완료 후 하강 기류(F)로 인한 기판(W)의 입자 오염 발생을 예방할 수 있다.The air flow changing portion 141 moves together with the support arm 152. [ While the nozzle 151 is positioned at the processing position, the airflow changing portion 141 waits outside the substrate W as shown in Fig. As shown in FIG. 7, the airflow changing portion 141 is positioned above the substrate W while the nozzle 151 waits outside the substrate W. The downward airflow F is supplied to the substrate W during the process process and is not provided to the substrate W by the airflow changing unit 141 while the substrate W is waiting after the process process is completed. This embodiment can prevent particle contamination of the substrate W due to the downward flow F after the completion of the process.

상술한 실시 예들에서는 기판 처리 장치(100)가 반도체 제조용 기판, 즉 웨이퍼(wafer)를 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 디스플레이 제조용 기판 처리에 제공될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)는 카메라 모듈, 의약품 등의 제조 공정 중 하강 기류가 형성된 처리 공간 내에서 대상물을 처리하는 공정에 적용될 수 있다.In the above-described embodiments, the substrate processing apparatus 100 is described as processing a substrate for semiconductor manufacturing, that is, a wafer. However, the present invention is not limited to this and can be provided for substrate processing for producing a display. In addition, the substrate processing apparatus 100 can be applied to a process of processing an object in a processing space in which a down stream is formed during a manufacturing process of a camera module, a medicine, and the like.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

10: 기판 처리 장치
110: 공정 챔버
111: 처리 공간
120: 기판 지지부
121: 스핀 헤드
122: 지지 핀
123: 척킹 핀
124: 스핀들
125: 회전 부재
130: 하강 기류 형성부
131: 팬
132: 필터
140: 입자 오염 방지부
141: 기류 변경부
142: 온도 조절부
143: 전기장 인가부
150: 처리액 공급부
151: 노즐
152: 지지 암
153: 지지 축10: substrate processing apparatus
110: Process chamber
111: Processing space
120:
121: spin head
122: Support pin
123: Chucking pin
124: spindle
125: rotating member
130:
131: Fan
132: filter
140: particle pollution prevention part
141:
142:
143: Electric field application unit
150:
151: nozzle
152: Support arm
153: Support shaft

Claims (8)

처리 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부의 상부에 위치하며, 상기 기판 지지부 측으로 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부;
상기 하강 기류 형성부와 상기 기판 지지부 사이에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부;
상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐;
상기 기류 변경부와 동일한 높이에 위치하며, 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암;
상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축; 및
상기 지지 암의 길이방향과 소정 각도로 배치되며, 일단이 상기 기류 변경부와 연결되고, 타단이 상기 지지 암과 연결되는 연결 로드를 포함하되,
상기 노즐이 상기 기판의 상부에서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 동안 상기 기류 변경부는 상기 기판의 외측 영역에 위치하고,
상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 대기하는 동안, 상기 기류 변경부는 상기 기판의 상부 영역에 위치하는 기판 처리 장치.A process chamber providing a processing space;
A substrate support positioned within the process chamber and supporting the substrate;
A downward air flow forming unit positioned above the substrate supporting unit and forming a downward flow toward the substrate supporting unit;
The flow of the downward airflow is changed so that the downward airflow is not provided to the upper surface of the substrate and is provided to the outside of the substrate, the downward airflow being located at a position spaced a predetermined distance from the substrate between the downward airflow forming portion and the substrate supporting portion An airflow changing part;
A nozzle for supplying a treatment liquid to the substrate;
A support arm positioned at the same height as the airflow changing portion and having the nozzle supported at one end thereof;
A support shaft supporting the other end of the support arm and moving the support arm such that the nozzle moves between an upper region and an outer region of the substrate; And
And a connecting rod disposed at a predetermined angle with the longitudinal direction of the support arm and having one end connected to the airflow changing portion and the other end connected to the supporting arm,
Wherein the airflow changing portion is located in an outer region of the substrate during the process of supplying the processing liquid to the substrate from the top of the substrate by the nozzle,
Wherein the airflow changing portion is located in an upper region of the substrate while the nozzle is waiting in an outer region of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 기류 변경부는 상기 기판보다 작은 면적을 갖는 판을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the airflow changing portion includes a plate having a smaller area than the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 하강 기류의 온도보다 높거나 낮은 온도로 상기 기류 변경부의 온도를 조절하는 온도 조절부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a temperature regulator for regulating the temperature of the airflow changing part to a temperature higher or lower than the temperature of the downward airflow. 제 1 항에 있어서,
상기 기류 변경부에 전기장을 형성하는 전기장 인가부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an electric field applying unit for forming an electric field in the airflow changing unit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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