KR101804573B1 - 식각액 조성물 - Google Patents
식각액 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101804573B1 KR101804573B1 KR1020100098368A KR20100098368A KR101804573B1 KR 101804573 B1 KR101804573 B1 KR 101804573B1 KR 1020100098368 A KR1020100098368 A KR 1020100098368A KR 20100098368 A KR20100098368 A KR 20100098368A KR 101804573 B1 KR101804573 B1 KR 101804573B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- aluminum
- weight
- film
- metal film
- based metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 title description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- ZWOQODLNWUDJFT-UHFFFAOYSA-N aluminum lanthanum Chemical compound [Al].[La] ZWOQODLNWUDJFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 4
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 4
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UZQSJWBBQOJUOT-UHFFFAOYSA-N alumane;lanthanum Chemical class [AlH3].[La] UZQSJWBBQOJUOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910020794 La-Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- DHKVCYCWBUNNQH-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(1,4,5,7-tetrahydropyrazolo[3,4-c]pyridin-6-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)C=NN2 DHKVCYCWBUNNQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(1,4,6,7-tetrahydropyrazolo[4,3-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=C2 AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N N-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethyl]-2-oxo-3H-1,3-benzoxazole-6-carboxamide Chemical compound C1CN(CCN1CCNC(=O)C2=CC3=C(C=C2)NC(=O)O3)C4=CN=C(N=C4)NC5CC6=CC=CC=C6C5 NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 과산화수소 1 내지 15 중량%; 무기산 0.1 내지 10 중량%; 함불소 화합물 0.01 내지 5 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
평판표시장치에서 기판 상에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링에 의해 금속막을 형성하는 공정, 금속막 상에 포토레지스트를 도포하고 노광하고 현상하여 선택적인 영역에 포토레지스트를 형성하는 공정 및 금속막을 식각하는 공정으로 구성된다. 또한, 개별적인 단위 공정 전후의 세정공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 사용하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미한다. 식각공정으로는 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식 식각, 또는 식각액을 이용하는 습식 식각이 사용된다.
한편, 평판표시장치에서 화소전극으로 인듐계 금속막인 투명전도막이 주로 사용된다. 또한, 소스/드레인 전극으로는 알루미늄 란탄계 합금막 즉, Al-La-X (X= Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Mo, Pt, C에서 선택되는 금속) 형태의 알루미늄 합금막이 주로 사용된다. 또한, 소스/드레인 전극 하부에는 소스/드레인 전극과 절연막의 접착을 위하여 접착막으로 티타늄을 포함하는 금속막이 주로 사용된다.
종래에는 평판표시장치의 화소전극, 소스/드레인 전극 및 접착막을 식각하기 위해서 각 전극마다 다른 식각액 조성물을 사용해야만 했다. 이로 인해 식각공정이 복잡해지고, 비경제적이었다.
본 발명의 목적은 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 효율적으로 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 1 중량% 내지 15 중량%; 무기산 0.1 중량% 내지 10 중량%; 함불소 화합물 0.01 중량% 내지 5 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물을 제공한다.
바람직하게는, 본 발명은 과산화수소 2 중량% 내지 12 중량%; 무기산 1 중량% 내지 7 중량%; 함불소 화합물 0.1 중량% 내지 2 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막 각각에 대한 식각특성이 우수하다. 또한 본 발명의 식각액 조성물은 알루미늄-란타늄계 합금막의 식각특성이 우수하여 Al-La계 합금막 상부의 말림현상 등이 발생하지 않으므로 인듐계 투명전도막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 효율적으로 일괄 식각할 수 있다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물을 이용하면 식각 공정이 상당히 단순화되므로 생산량을 크게 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 식각액 조성물은 과산화수소, 무기산, 함불소 화합물 및 물을 포함한다.
본 발명에서 과산화수소는 주산화의 역할을 한다. 상기 과산화수소는 조성물 총 중량에 대하여 1 중량% 내지 15 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 2 중량% 내지 12 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막의 표면을 용이하게 산화시킬 수 있다.
또한 본 발명에서 무기산은 보조산화제의 역할을 한다. 상기 무기산은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 1 중량% 내지 7 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 상기 과산화수소와 더불어 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막의 표면을 보다 용이하게 산화시킬 수 있다. 또한 식각속도, 사이드 에치 및 테이퍼 각을 조절하기가 용이해진다.
상기 무기산은 이에 제한되는 것은 아니나 질산, 황산 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 1종인 것이 바람직하다.
본 발명에서 함불소 화합물은 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막의 표면을 식각하는 역할을 한다.
상기 함불소 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.01 중량% 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 중량% 내지 2 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상술한 범위로 포함되면, 산화된 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막의 표면을 용이하게 그리고 적정량을 식각할 수 있다.
이 때, 상기 함불소 화합물은 바람직하게는 용해상태에서 불소 이온 또는 다원자 불소이온으로 해리될 수 있는 화합물이다. 예컨대 상기 함불소 화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨, 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상일 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 탈이온수를 의미한다. 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다. 상기 물은 조성물 총 중량에 대하여 본 발명의 식각액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다.
본 발명의 식각액 조성물은 상기에 언급된 성분들 외에 공지의 첨가제, 예를 들면 식각조절제, 계면활성제 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
한편 본 발명에서 인듐계 금속막은 투명도전막으로서, 인듐아연산화막(IZO) 또는 인듐주석산화막(ITO)인 것을 의미한다. 또한, 상기 알루미늄-란타늄계 합금막은 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄-란타늄 합금막인 것을 의미한다. 보다 상세하게는 상기 알루미늄-란타늄계 합금막은 알루미늄 90원자% 이상, La 10원자% 이하 및 다른 금속(X) 잔량을 포함하는 Al-La 또는 Al-La-X를 의미한다. 여기에서 상기 다른 금속(X)은 Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 티타늄계 금속막은 티타늄을 주성분으로 하는 티타늄막 또는 티타늄 합금막인 것을 의미한다.
이하에서, 실시예 및 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기의 실시예 및 시험예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예1 내지 실시예7, 비교예1 내지 비교예6: 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 식각액 조성물이 180kg이 되도록 제조하였다.
| 과산화수소(중량%) | 질산(중량%) | NH4FHF(중량%) | 물(중량%) | |
| 실시예1 | 10 | 1 | 0.3 | 잔량 |
| 실시예2 | 10 | 2 | 0.2 | 잔량 |
| 실시예3 | 10 | 2 | 0.1 | 잔량 |
| 실시예4 | 7 | 3 | 0.3 | 잔량 |
| 실시예5 | 7 | 2 | 0.2 | 잔량 |
| 실시예6 | 12 | 1 | 0.2 | 잔량 |
| 실시예7 | 12 | 2 | 0.1 | 잔량 |
| 비교예1 | 20 | 1 | 0.3 | 잔량 |
| 비교예2 | 10 | 12 | 0.3 | 잔량 |
| 비교예3 | 10 | 1 | 0 | 잔량 |
| 비교예4 | 10 | 2 | 6.0 | 잔량 |
| 비교예5 | 0 | 2 | 0.1 | 잔량 |
| 비교예6 | 10 | 0 | 0.1 | 잔량 |
시험예: 식각액 조성물의 특성 평가
<식각특성평가>
시험용 기판으로는 SiNx층 위에 a-ITO/Al-La-Ni/Ti 삼중막이 증착되어 있고 일정한 형태의 모양으로 포토레지스트가 패터닝된 것을 사용하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조, 모델명: ETCHER(TFT)) 내에 상기 실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 넣고 온도를 30℃로 세팅하여 가온하였다. 그 후, 온도가 30±0.1℃에 도달한 후, 식각 공정을 수행하였다. 총 에칭 시간을 EPD를 기준으로 30%로 주어 실시하였다. 시편을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風) 건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM: HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 식각 프로파일의 경사각, 사이드 에치(CD: critical dimension) 손실, 식각 잔류물 및 하부막 손상을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 기판 | 식각프로파일 | 하부막손상 | 잔사 | |
| 실시예1 | a-ITO/Al-La-Ni/Ti |
◎ | 없음 | 없음 |
| 실시예2 | ◎ | 없음 | 없음 | |
| 실시예3 | ◎ | 없음 | 없음 | |
| 실시예4 | ○ | 없음 | 없음 | |
| 실시예5 | ○ | 없음 | 없음 | |
| 실시예6 | ○ | 없음 | 없음 | |
| 실시예7 | ○ | 없음 | 없음 | |
| 비교예1 | × | 없음 | 없음 | |
| 비교예2 | × | 있음 | 없음 | |
| 비교예3 | × | Unetch | ||
| 비교예4 | × | 있음 | 없음 | |
| 비교예5 | × | 없음 | 있음 | |
| 비교예6 | × | 없음 | 있음 | |
[식각 프로파일의 평가 기준]
◎: 매우 우수(CD Skew: ≤1㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)
○: 우수(CD Skew: ≤1.5㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)
△: 양호(CD Skew: ≤2㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)
×: 불량(금속막 소실 및 잔사 발생)
표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 7의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수하며, 하부막 손상 및 잔사가 발생되지 않아서, a-ITO/Al-La-Ni/Ti 삼중막에 대한 우수한 식각특성을 가짐을 확인할 수 있었다.
그러나 과산화수소가 과량 들어간 비교예 1의 식각액 조성물의 경우는, Al-La-Ni 박막의 과식각에 의해 식각프로파일이 매우 불량하였다. 또한, 질산이 과량으로 함유된 비교예 2의 식각액 조성물의 경우는, 과식각에 의한 식각프로파일 불량과 하부막 손상이 관찰되었다. 함불소화합물이 들어가지 않은 비교예 3의 식각액 조성물의 경우는, 상부 a-ITO의 언에치가 발생되었다. 비교예 4의 식각액 조성물의 경우에는, 과량의 함불소화합물에 의하여 하부막 손상이 매우 크게 나타났다. 또한, 과산화수소 또는 질산이 들어가지 않은 비교예 5와 비교예 6의 식각액 조성물의 경우에는, 식각 속도가 매우 느리고 잔사와 불량 식각 프로파일이 관찰되었다.
Claims (5)
- 조성물 총 중량에 대하여,
과산화수소 1 중량% 내지 15 중량%;
무기산 0.1 중량% 내지 10 중량%;
함불소 화합물 0.01 중량% 내지 5 중량%; 및
물 잔량을 포함하고,
상기 함불소 화합물은 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨 및 중불화칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 일괄 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여,
과산화수소 2 중량% 내지 12 중량%;
무기산 1 중량% 내지 7 중량%;
함불소 화합물 0.1 중량% 내지 2 중량%; 및
물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 일괄 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 무기산은 질산, 황산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 일괄 식각액 조성물.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 알루미늄-란타늄계 합금막은, 알루미늄 90원자% 이상, La 10원자% 이하 및 다른 금속 X 잔량을 포함하는 Al-La 또는 Al-La-X로 표시되는 알루미늄-란타늄계 합금막이고, 여기에서 상기 다른 금속 X는 Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐계 금속막, 알루미늄-란타늄계 합금막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 일괄 식각액 조성물.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100098368A KR101804573B1 (ko) | 2009-10-29 | 2010-10-08 | 식각액 조성물 |
| PCT/KR2010/006953 WO2011052909A2 (ko) | 2009-10-29 | 2010-10-12 | 식각액 조성물 |
| CN201080049723.0A CN102753652B (zh) | 2009-10-29 | 2010-10-12 | 蚀刻液组成物 |
| JP2012536649A JP5706434B2 (ja) | 2009-10-29 | 2010-10-12 | エッチング液組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090103732 | 2009-10-29 | ||
| KR20090103732 | 2009-10-29 | ||
| KR1020100098368A KR101804573B1 (ko) | 2009-10-29 | 2010-10-08 | 식각액 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110047130A KR20110047130A (ko) | 2011-05-06 |
| KR101804573B1 true KR101804573B1 (ko) | 2017-12-06 |
Family
ID=43922758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100098368A Active KR101804573B1 (ko) | 2009-10-29 | 2010-10-08 | 식각액 조성물 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5706434B2 (ko) |
| KR (1) | KR101804573B1 (ko) |
| CN (1) | CN102753652B (ko) |
| WO (1) | WO2011052909A2 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102092687B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2020-03-24 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR102092352B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2020-03-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| CN114305069A (zh) * | 2020-10-09 | 2022-04-12 | 武汉苏泊尔炊具有限公司 | 一种烹饪器具及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000028119A (ko) * | 1998-10-30 | 2000-05-25 | 윤종용 | 반도체 제조장비 세정액 |
| JP2001339072A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
| US6488767B1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | High surface quality GaN wafer and method of fabricating same |
| KR101337263B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2013-12-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
| KR100742276B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 저유전율 유전막을 제거하기 위한 식각 용액 및 이를이용한 저유전율 유전막 식각 방법 |
| JP5010873B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2012-08-29 | 関東化学株式会社 | チタン、アルミニウム金属積層膜エッチング液組成物 |
-
2010
- 2010-10-08 KR KR1020100098368A patent/KR101804573B1/ko active Active
- 2010-10-12 WO PCT/KR2010/006953 patent/WO2011052909A2/ko active Application Filing
- 2010-10-12 CN CN201080049723.0A patent/CN102753652B/zh active Active
- 2010-10-12 JP JP2012536649A patent/JP5706434B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102753652A (zh) | 2012-10-24 |
| WO2011052909A2 (ko) | 2011-05-05 |
| CN102753652B (zh) | 2014-12-10 |
| KR20110047130A (ko) | 2011-05-06 |
| JP2013509702A (ja) | 2013-03-14 |
| WO2011052909A3 (ko) | 2011-09-01 |
| JP5706434B2 (ja) | 2015-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101805187B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR102009250B1 (ko) | 표시장치의 제조방법 및 이에 이용되는 구리계 금속막/금속 산화물막의 식각액 조성물 | |
| KR101766488B1 (ko) | 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 | |
| KR102137013B1 (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20110120422A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR101804572B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR101804573B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR101693383B1 (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR20170047952A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20170066299A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR101728542B1 (ko) | 몰리브덴용 식각액 조성물 | |
| KR102269325B1 (ko) | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101341708B1 (ko) | 티타늄 또는 티타늄 합금막, 및 알루미늄 또는 알루미늄합금막을 포함하는 다층막 식각액 조성물 | |
| KR20160099525A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| KR102310093B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101602499B1 (ko) | 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 | |
| KR20130018531A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102680504B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102310094B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20110016724A (ko) | 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 | |
| KR102092927B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102412260B1 (ko) | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101805186B1 (ko) | 구리 배선의 형성을 위한 식각액 조성물 | |
| KR102169571B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102310096B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20101008 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20130826 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150914 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20101008 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20170523 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20171113 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20171128 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20171128 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201102 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211027 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221025 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231023 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241022 Start annual number: 8 End annual number: 8 |