KR101748334B1 - 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents
백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 웨이퍼 상에 형성된 다수의 반도체 발광 소자들의 패턴을 예시적으로 도시한다.
도 3은 웨이퍼 레벨에서 발광 소자의 발광면에 형광층을 형성하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 캐리어 필름 및 캐리어 필름 상에 배치된 웨이퍼를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도를 도시한다.
도 5는 도 3에 도시된 프린팅 마스크의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다.
도 6 내지 도 8은 프린팅 마스크의 다양한 예시적인 형태를 개략적으로 도시한다.
도 9는 발광 소자의 전극 패드 위에 형성된 형광체를 레이저 조사에 의해 제거하는 과정을 개략적으로 도시한다.
111.....발광면 112, 113.....전극 패드
114.....스크라이브 라인 120.....캐리어 필름
120a....베이스 필름 120b....점착층
121.....캐리어 프레임 130.....진공 테이블
135.....스퀴즈 140.....프린팅 마스크
141.....마스크 프레임 142.....프린팅 영역
143, 145, 146.....마스킹 부재 144.....개구부
150.....형광층 160.....형광체 페이스트
200.....레이저
Claims (27)
- 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계;
상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계;
상기 박막화된 웨이퍼를 캐리어 필름 위에 배치하는 단계; 및
상기 웨이퍼 위의 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 형광층을 형성하는 단계는,
상기 웨이퍼가 배치된 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계;
상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계;
상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및
상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 진공 테이블은 중앙부가 상부로 돌출되어 주변부보다 높게 형성된 단차 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 캐리어 필름의 둘레를 따라 캐리어 프레임이 설치되어 있으며, 상기 진공 테이블의 돌출된 중앙부의 직경은 상기 캐리어 프레임의 내경보다 작은 발광 소자의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 형광체 페이스트를 도포하는 단계는:
상기 웨이퍼 위로 프린팅 마스크를 배치시키는 단계;
상기 프린팅 마스크 위로 형광체 페이스트를 제공하는 단계; 및
스퀴즈를 이용하여 형광체 페이스트를 가압하면서 상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 균일하게 도포하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 프린팅 마스크는, 상기 프린팅 마스크를 지지하도록 상기 프린팅 마스크의 둘레에 형성된 마스크 프레임, 상기 웨이퍼 이외의 영역을 가리도록 형성된 제 1 마스킹 부재, 및 상기 웨이퍼 대응하는 프린팅 영역을 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 형광층이 형성된 후, 상기 웨이퍼를 상기 캐리어 필름으로부터 떼어내는 단계; 및
상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계;를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계;
상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계;
다이싱을 통해 상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계;
상기 분리된 다수의 발광 소자들을 캐리어 필름 위에 배열하는 단계; 및
상기 캐리어 필름 위에 배열된 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 형광층을 형성하는 단계는,
상기 발광 소자들이 배열되어 있는 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계;
상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계;
상기 발광 소자 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및
상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법. - 삭제
- 상부로 돌출된 중앙부와 상기 중앙부보다 낮도록 단차진 주변부를 포함하는 진공 테이블;
다수의 발광 소자들이 형성되어 있는 웨이퍼를 상면에 부착하기 위한 것으로, 상기 진공 테이블 위로 배치되는 캐리어 필름; 및
상기 웨이퍼 위에 형광체 페이스트를 균일하게 도포하기 위한 프린팅 마스크;를 포함하고,
상기 캐리어 필름은 상기 캐리어 필름의 둘레를 따라 설치되는 캐리어 프레임을 포함하며,
상기 진공 테이블에 진공 인가시 진공 흡입력에 의해, 상기 캐리어 프레임은 상기 진공 테이블의 주변부에 밀착 고정되며, 상기 캐리어 필름 위에 위치한 웨이퍼는 상기 진공 테이블의 중앙부 위에 밀착 고정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 장치. - 삭제
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Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110004530A KR101748334B1 (ko) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 |
US13/338,678 US8796050B2 (en) | 2011-01-17 | 2011-12-28 | Method and apparatus for manufacturing white light-emitting device |
US14/451,217 US9272300B2 (en) | 2011-01-17 | 2014-08-04 | Method and apparatus for manufacturing white light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110004530A KR101748334B1 (ko) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120083082A KR20120083082A (ko) | 2012-07-25 |
KR101748334B1 true KR101748334B1 (ko) | 2017-06-16 |
Family
ID=46491085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110004530A Active KR101748334B1 (ko) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8796050B2 (ko) |
KR (1) | KR101748334B1 (ko) |
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US20140338593A1 (en) | 2014-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110117 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20120808 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20160118 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20110117 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20161121 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20170530 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170612 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170613 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220525 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230524 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240527 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250522 Start annual number: 9 End annual number: 9 |