KR101714992B1

KR101714992B1 - Ｉｃ 카드

Info

Publication number: KR101714992B1
Application number: KR1020167004869A
Authority: KR
Inventors: 타츠야 후루야; 카츠노리 타카하라; 히로유키 모리오카
Original assignee: 소니 주식회사
Priority date: 2008-03-21
Filing date: 2008-12-24
Publication date: 2017-03-09
Anticipated expiration: 2028-12-24
Also published as: KR101616137B1; KR20100131454A; CN101978382B; WO2009116218A1; KR20160028500A; JP2009230313A; US20110018490A1; EP2256670A4; US8786250B2; EP2256670B1; CN101978382A; EP2256670A1; JP5181759B2

Abstract

두께의 증가를 초래하는 일 없이, 또한, 우수한 안전성을 갖는, 2차 전지를 구비하는 IC 카드를 제공한다. IC 카드는, 전자유도에 의해 전력을 유기하는 안테나 코일과, 안테나 코일에 의해 유기된 전력을 축적하는 박막 전지와, 안테나 코일로부터 박막 전지에의 전력의 축적을 제어하는 제어부를 구비한다. 박막 전지는, 정극과, 부극과, 정극 및 부극의 사이에 마련되는 고체 전해질층을 구비한다.

Description

ＩＣ 카드{IC CARD}

본 발명은, IC 카드에 관한 것이다. 상세하게는, 전원을 구비하는 IC 카드에 관한 것이다.

근래, 정보를 전자적으로 기억할 수 있는 집적 회로(IC : Integrated Circuit)와, 이 집적 회로와 접속되어, 전자파를 송수신 가능한 코일형상 안테나를 구비하는 비접촉형의 IC 카드가 널리 이용되고 있다. 이 비접촉형 IC 카드에서는, 리더/라이터로부터 전자파를 안테나에서 받아, 전자유도에 의해 얻어지는 전력을 이용하여 집적 회로를 구동함으로써, 리더/라이터와의 통신이 행하여진다.

그런데, 근래에는, 이와 같은 IC 카드로는, 유저가 좋아하는 때나 장소에서, IC 카드에 기억된 정보, 예를 들면 잔액이나 포인트 등을 표시하여 확인할 수 있도록 하는 것이 요망되게 되어 있다. 그래서, 이와 같은 요구에 응하기 위해, 일본 특개2007-280372호 공보에서는, IC 카드에 액계(液系) 2차 전지를 탑재하고, 이 2차 전지에 의해 표시 장치를 구동하고, 정보를 표시시키는 기술이 제안되어 있다. 또한, 일본 특개2003-273386호 공보에는, IC 카드에 태양전지를 탑재하고, 이 태양전지에 의해 표시 장치를 구동하는 기술이 제안되어 있다.

그러나, 일본 특개2007-280372호 공보에 기재된 기술에서는, 2차 전지의 전해질로서 액계(液系)의 전해질을 사용하기 때문에, IC 카드가 두꺼워지고, 박형, 또한 플렉시블이라는 IC 카드의 이점이 손상되어 버린다. 또한, 파손시에는 액 누출을 일으켜, 전기 회로나 전지의 쇼트를 초래할 우려가 있어서, 액계 2차 전지를 IC 카드에 탑재하는 것에는, 안전성의 점에서도 문제가 있다.

또한, 일본 특개2003-273386호 공보에 기재된 기술에서는, 충분한 광을 얻을 수가 없는 환경하에서는, 표시 장치에 잔액 등의 정보를 표시하는 것은 곤란하다. 따라서 IC 카드의 편리성을 높이기 위해서는, 2차 전지를 IC 카드에 탑재하는 것이 바람직하다.

일본 특개2007-280372호 일본 특개2003-273386호

따라서 본 발명의 목적은, 두께의 증가를 초래하는 일 없이, 또한, 우수한 안전성을 갖는, 2차 전지를 구비하는 IC 카드를 제공하는 것에 있다.

상술한 과제를 해결하기 위해, 제 1의 발명은,

전자유도에 의해 전력을 유기하는 안테나 코일과,

안테나 코일에 의해 유기된 전력을 축적하는 박막 전지와,

안테나 코일로부터 박막 전지에의 전력의 축적을 제어하는 제어부를

구비하는 IC 카드이다.

제 2의 발명은,

태양전지와,

태양전지에 의해 발전된 전력을 축적하는 박막 전지와,

태양전지로부터 박막 전지에 대한 전력의 축적을 제어하는 제어부를

구비하는 IC 카드이다.

제1의 발명에서는, IC 카드를 리더/라이터에 접근하면, 리더/라이터의 전자계에 의해, IC 카드 내의 안테나 코일에 기전력이 발생하고, 전류가 흐른다. 이와 같이 안테나 코일에 전류가 흐르면, 제어부는, 안테나 코일로부터 박막 전지에 대한 충전을 제어하고, 박막 전지에 전하를 축적한다. 그리고, 이와 같이 충전된 박막 전지를 전원으로 하여, 제어부는 표시부 등을 구동한다.

제 2의 발명에서는, 태양전지에 광이 조사되면, 태양전지가 광을 전력으로 변환한다. 이와 같이 태양전지가 발전하면, 제어부는, 태양전지로부터 박막 전지에 대한 충전을 제어하고, 박막 전지에 전하를 축적한다. 그리고, 이와 같이 충전된 박막 전지를 전원으로 하여, 제어부는 표시부 등을 구동한다.

또한, 제 1 및 제 2의 발명에서는, 박막 전지는, 얇고, 또한, 플렉시블성(性)에 우수하기 때문에, IC 카드의 두께의 증가나 플렉시블성을 손상시키는 일이 없다. 또한, 박막 전지는 액계의 전해질을 사용하지 않기 때문에, 파손시에 액 누출을 일으키는 일도 없다.

본 발명에 의하면, 두께의 증가를 초래하는 일 없이, 또한, 우수한 안전성을 갖는, 2차 전지를 구비하는 IC 카드를 얻을 수 있다.

도 1은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드의 한 구성례를 도시하는 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드의 한 구성례를 도시하는 블록도.
도 3은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드에 마련된 박막 전지의 한 구성례를 도시하는 사시도.
도 4는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드의 동작의 한 예를 설명하기 위한 개략도.
도 5는 리튬 이온 전도체 내에서 리튬 이온의 확산 경로를 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2의 실시 형태에 의한 박막 전지의 확대 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3의 실시 형태에 의한 박막 전지의 한 구성례를 도시하는 사시도.
도 8은 본 발명의 제 4의 실시 형태에 의한 박막 전지의 한 구성례를 도시하는 사시도.
도 9는 본 발명의 제 5의 실시 형태에 의한 IC 카드의 한 구성례를 도시하는 블록도.
도 10은 본 발명의 제 6의 실시 형태에 의한 IC 카드(1)의 외관의 한 예를 도시하는 평면도.
도 11은 본 발명의 제 6의 실시 형태에 의한 박막 전지의 한 구성례를 도시하는 사시도.

이하, 본 발명의 실시 형태에 관해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태의 전도에서는, 동일 또는 대응하는 부분에는 동일한 부호를 붙이다.

(1) 제 1의 실시 형태

도 1은, 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드의 한 구성례를 도시하는 분해 사시도이다. 이 IC 카드(1)는, 이른바 비접촉형 IC 카드이고, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기재(2)와, 기재(2)의 양면에 마련된 외장재(2a) 및 외장재(2b)를 구비한다. 또한, 기재(2) 상에는, 박막 전지(3)와, 안테나 코일(5)과, 표시부(6)와, IC 칩(4)과, 외부 접속 단자(7)를 구비한다. 안테나 코일(5)의 양단이 IC 칩(4)에 대해 접속되어 있다. 표시부(6) 및 박막 전지(3)가 IC 칩에 대해 접속되어 있다. 박막 전지(3)는, 외부 접속 단자(7)에 접속되고, 이 외부 접속 단자(7)에 대해 외부 전원이 접속 가능하게 된다.

기재(2)의 형상으로서는, 필름형상, 시트형상, 기판형상을 이용할 수 있지만, 특히 이들의 재료로 한정되는 것이 아니고, IC 카드(1)에서 요구되는 특성에 따라 임의로 선택하여 사용하는 것이 가능하다. 기재(2)의 재료로서는, 내구성이나 편리성 등의 관점에서, 플렉시블성을 갖는 수지 재료를 사용한 것이 바람직하다. 이와 같은 수지 재료로서는, 예를 들면, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), 폴리이미드(PI), 폴리에스테르를 사용할 수 있지만, 특히 이들의 재료로 한정되는 것은 아니고, 종래 공지의 수지 재료로부터 IC 카드(1)에 요구되는 특성에 따라 임의로 선택하여 사용하는 것이 가능하다.

외장재(2a, 2b)는, IC 카드(1)의 표면 및 이면을 구성하는 것이고, 예를 들면, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), PBT(폴리부틸테레프탈레이트), PEG(폴리에틸렌글리콜), 배향 PET 등의 고분자 재료를 주성분으로 하지만, 특히 이들의 재료로 한정되는 것이 아니고, 종래 공지의 수지 재료로부터 IC 카드(1)에 요구되는 특성에 따라 임의로 선택하여 사용하는 것이 가능하다.

안테나 코일(5)은, 기재(2) 상에 복수회 권회(卷回)되어 형성된 루프 코일 형상의 전자유도 코일이고, 그 양단은 IC 칩(4)에 접속되어 있다. 안테나 코일(5)은, 리더/라이터로부터 발하여지는 교류 자계(磁界)를 수신하여 교류 전압을 유기(誘起)하고, 그 교류 전압을 IC 칩(4)에 공급한다. 안테나 코일(5)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 권선(卷線) 공법, 매입권선 공법, 에칭 방식, 도금 방식, 스크린인쇄 방식 등을 이용할 수 있다.

표시부(6)로서는, 플렉시블성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 액정 디스플레이, 유기 전계 발광 디스플레이(Organic Electro Luminescence : OEL) 등을 이용할 수 있다. 표시부(6)는, 박막 전지(3)로부터 공급되는 전력에 의해 구동되고, IC 칩(4)에 기억된 정보 등이 표시된다. IC 카드(1)가 표시부(6)의 구동을 제어하는 버튼을 더 구비하고, 이 버튼을 유저가 누름에 의해 표시부를 구동하고, 이 표시부에 정보를 표시할 수 있는 구성으로 하여도 좋다.

IC 칩(4)은, 박막 전지(3) 또는 안테나 코일(5)로부터 공급되는 전력에 의해 구동하고, IC 카드(1) 내의 각 부분을 제어한다. 예를 들면, IC 칩(4)은, 안테나 코일(5)을 통하여 리더/라이터와 통신을 행한다. 구체적으로는, 리더/라이터와의 상호인증이나 데이터의 교환 등을 행한다. 또한, IC 칩(4)은, 외부 접속 단자(7)에 대해 접속된 외부 전원으로부터 2차 전지에 대한 충전의 제어나, 안테나 코일(5)로부터 박막 전지(3)에 대한 충전의 제어를 행한다.

박막 전지(3)는, 반복하여 충방전 가능한 박막 2차 전지이고, 외부 접속 단자(7)에 대해 접속된 외부 전원, 또는 안테나 코일(5)로부터 공급되는 전하를 축전한다. 또한, 박막 전지(3)는, CPU(14) 및/또는 표시부(6)에 전력을 공급한다.

도 2는, 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 IC 카드의 회로의 한 구성례를 도시하는 블록도이다.

IC 칩(4)은, 인터페이스(11)와, RAM(Random Access Memory)(12)과, ROM(Read Only Memory)(13)과, CPU(Central Processing Unit)(14)와, EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)(15)과, 전압 변환부(16)를 구비한다. 인터페이스(11)와, RAM(12)과, ROM(13)과, CPU(14)와, EEPROM(15)이 버스(17)에 대해 접속되어 있다. 또한, 박막 전지(3) 및 표시부(6)는, 인터페이스(11)를 통하여 버스(17)에 대해 접속되어 있다.

RAM(12)은, CPU(14)의 워크 메모리로서 이용된다. EEPROM(15)에는, IC 카드(1)에 차지(charge)한 전자 머니의 잔액이나 이력 등 정보가 기억된다. 전압 변환부(16)는, 안테나 코일(5)로부터 공급되는 교류 전압을 직류 전압으로 변환한다. 전압 변환부(16)에 의해 변환된 직류 전압은, 박막 전지(3)에 공급된다.

CPU(14)는, ROM(13)에 미리 기억된 동작 프로그램에 따라 동작하고, 리더/라이터와의 사이에서 행하여지는 통신 동작의 제어 등을 행한다. CPU(14)는, ROM(13)에 미리 기억된 동작 프로그램에 따라 동작하고, 표시부(6)에 정보를 표시한다. CPU(14)는, ROM(13)에 미리 기억된 동작 프로그램에 따라 동작하고, 인터페이스(11)를 통하여 박막 전지(3)의 충방전을 제어한다. 예를 들면, 외부 접속 단자(7)에 대해 외부 전원이 접속된 경우에는, 외부 전원으로부터 박막 전지(3)에 대한 충전을 제어한다. 또한, 안테나 코일(5)에 교류 전류가 유기된 경우에는, 안테나 코일(5)로부터 박막 전지(3)에 대한 충전을 제어한다.

도 3은, 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 박막 전지(3)의 한 구성례를 도시한다. 이 박막 전지(3)는, 전(全) 고체 박막 2차 전지이고, 도 3에 도시하는 바와 같이, 정(正)극(21)과, 부(負)극(25)과, 정극(21) 및 부극(25)의 사이에 마련된 고체 전해질층(24)을 구비한다.

정극(21)은, 정극 집전체(22)와, 이 정극 집전체(22)의 한 주면(主面)에 마련된 정극 활물질층(23)을 구비한다. 또한, 정극(21)은, 그 일단에 정극 단자(22a)를 갖는다. 정극 단자(22a)는, 예를 들면, 정극 집전체(22)에 사용되는 재료와 같은 금속재료 등을 주성분으로 한다. 정극 단자(22a)는, 정극 집전체(22)와 일체가 되어 형성되어 있어도 좋고, 정극 집전체(22)의 단부에 접속되어 있어도 좋다.

정극 집전체(22)는, 양호한 화학적 안정성, 및 전기 전도성을 갖는 재료를 주성분으로 하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄, 니켈, 스테인레스 스틸, 구리, 백금, 금, 은, 등의 금속재료, 인듐과 주석의 산화물(Indium Tin Oxde, 이하 ITO라고 칭한다) 등을 들 수 있다. 정극 집전체(22)로서는, 전자 전도성을 가지며, 또한 정극 활물질층(23)과 반응하지 않는 재료라면 좋고, 상기 재료로 한정되는 것이 아니다.

정극 활물질층(23)은, 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 정극 활물질을 주성분으로 하고 있다. 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 정극 활물질로서는, 예를 들면, 화학식 Li_xMO₂(식 중, M은 천이금속 중의 어느 일종 또는 복수 종의 화합물을 나타낸다. x는, 전지의 충방전 상태에 의해 다르고, 통상 0.05 이상 1.10 이하이다)를 주체로 하는, 리튬과 천이금속과의 복합 산화물을 사용할 수 있다. 리튬 복합 산화물을 구성하는 천이금속으로서는, 예를 들면, 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn) 등을 사용할 수 있다.

이와 같은 리튬 복합 산화물로서, 구체적으로는, LiCoO₂, LiNiO₂, Li_xNi_yCo₁ _-yO₂(x, y는 전지의 충방전 상태에 의해 다르고, 통상 0<x<1, 0.7<y<1.02이다) 등의 층상 구조의 리튬 복합 산화물이나, LiMn₂O₄ 등으로 나타내는 스피넬형 리튬·망간 복합 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 천이금속 원소의 일부를 다른 원소로 치환한 고용체도 사용 가능하다. 이들의 리튬 복합 산화물은, 고전압을 발생할 수 있고, 에너지 밀도에 우수한 것이다. 또한, 리튬 복합 산화물로서는, 예를 들면, 일반식 LiMPO₄로 표시되는 올리빈형 구조 금속 산화물을 사용할 수 있다. 여기서, 식 중, M은, Fe, Mn, Co, 및 Ni로부터 선택되는 적어도 일종이다. 구체적으로는, 예를 들면 LiFePO₄, LiMnPO₄, LiCoPO₄, LiNiPO₄ 등을 들 수 있다.

정극 활물질로서 층상 구조의 리튬 복합 산화물을 사용하는 경우, 리튬 복합 산화물이, 고체 전해질층(24)의 주면(主面)에 대해, 리튬 복합 산화물을 구성하는 층이 수직으로 되도록 배향하고 있는 것이 바람직하다. 박막 전지(3)의 방전시에는, 부극(25)으로부터 방출된 리튬은 리튬 복합 산화물의 층 사이에 삽입되기 때문에, 리튬이 이동하기 쉬워지고, 정극 활물질층(23)의 저항을 저하시킬 수 있기 때문이다.

또한, 정극 활물질로서, TiS₂, MoS₂, NbSe₂, V₂O₅ 등의 리튬을 함유하지 않는 금속 황화물, 금속 산화물, 또는 폴리아닐린 또는 폴리티오펜 등의 특정한 폴리머 등을 사용하여도 좋다. 그리고, 정극 활물질층(23)의 재료로서는, 상술한 리튬 복합 산화물, 금속 황화물, 및 금속 산화물 등 중의 어느 쪽이나 일종 또는 복수 종을 혼합한 재료를 사용하는 것도 가능하다.

부극(25)은, 부극 집전체(26)와, 이 부극 집전체(26)의 한 주면에 마련된 부극 활물질층(27)을 구비한다. 또한, 부극(25)은, 그 일단에 부극 단자(26a)를 갖는다. 부극 단자(26a)는, 예를 들면, 부극 집전체(26)에 사용된 재료와 같은 금속재료 등을 주성분으로 한다. 부극 단자(26a)는, 부극 집전체(26)와 일체가 되어 형성되어 있어도 좋고, 부극 집전체(26)의 단부에 접속되어 있어도 좋다.

부극 집전체(26)는, 정극 집전체(22)와 마찬가지로, 양호한 화학적 안정성, 및 전기 전도성을 갖는 재료에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄, 니켈, 스테인레스 스틸, 구리, 백금, 금, 은 등의 금속재료, ITO 등을 들 수 있다. 부극 집전체(26)로서는, 전자 전도성을 가지며, 또한 부극 활물질층(27)과 반응하지 않는 재료라면 좋고, 상기 재료로 한정되는 것이 아니다.

부극 활물질층(27)은, 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 부극 활물질을 주성분으로서 포함하고 있다. 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 부극 활물질로서는, 예를 들면, 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 탄소 재료, 또는 금속계 재료와 탄소계 재료의 복합 재료, 리튬을 합금화 가능한 재료 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 탄소 재료로서는, 그래파이트, 난흑연화 탄소, 이흑연화 탄소 등을 사용할 수 있고, 보다 구체적으로는, 열분해 탄소류, 코크스류(피치 코크스, 니들 코크스, 석유 코크스), 흑연류, 글라스상 탄소류, 유기 고분자 화합물 소성체(페놀 수지, 푸란 수지 등을 적당한 온도에서 소성하여 탄소화한 것), 탄소 섬유, 활성탄 등의 탄소 재료를 사용할 수 있다.

또한, 부극 활물질로서 그래파이트 등의 층상 구조를 갖는 재료를 사용하는 경우, 부극 활물질이, 고체 전해질층(24)의 주면에 대해, 그래파이트 등을 구성하는 층이 수직이 되도록 배향하고 있는 것이 바람직하다. 박막 전지(3)의 충전시에는, 그래파이트 등을 구성하는 층과 층의 사이에 리튬이 흡장되기 때문에, 리튬이 이동하기 쉬워지고, 부극 활물질층(27)의 저항을 저하시킬 수 있기 때문이다.

리튬을 합금화 가능한 재료로서는, 다양한 종류의 금속 원소, 반금속 원소가 사용 가능하지만, 이들은 단체(單體)라도 합금이라도 화합물이라도 좋고, 또한 이들의 1종 또는 2종 이상의 상(相)을 적어도 일부에 갖는 것이라도 좋다. 또한, 본 발명에 있어서, 합금에는 2종 이상의 금속 원소로 이루어지는 것에 더하여, 1종 이상의 금속 원소와 1종 이상의 반금속 원소를 포함하는 것도 포함한다. 또한, 비금속 원소를 포함하고 있어도 좋다. 그 조직(組織)에는 고용체, 공정(공융 혼합물), 금속간 화합물 또는 그들 중의 2종 이상이 공존하는 것이 있다.

이와 같은 금속 원소 또는 반금속 원소로서는, 구체적으로는, 마그네슘(Mg), 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 팔라듐(Pd) 또는 백금(Pt) 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 이와 같은 원소로서는 장주기형 주기표에 있어서의 14족의 금속 원소 또는 반금속 원소를 구성 원소로서 포함하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 규소 및 주석의 적어도 한쪽을 구성 원소로서 포함하는 것이다. 규소 및 주석은, 리튬을 흡장 및 방출하는 능력이 크고, 높은 에너지 밀도를 얻을 수 있기 때문이다. 구체적으로는, 예를 들면, 규소의 단체, 합금, 또는 화합물, 또는 주석의 단체, 합금, 또는 화합물, 또는 이들의 1종 또는 2종 이상의 상을 적어도 일부에 갖는 재료를 들 수 있다.

또한, 주석(Sn), 코발트(Co) 및 탄소(C)를 포함하는 합금 등도 사용할 수 있다. 또한, 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 재료로서, 폴리아세틸렌, 폴리피롤 등의 고분자나 SnO₂ 등의 산화물 등을 사용하여도 좋다. 그리고, 부극 활물질층(27)에서는, 부극 활물질로서, 상기한 리튬을 흡장 및 방출하는 것이 가능한 부극재료 등 중의 어느 일종 또는 복수 종을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.

고체 전해질층(24)은, 예를 들면, 리튬 이온 도전성을 갖는 무기 고체 전해질을 주성분으로 하고 있다. 리튬 이온 도전성을 갖는 무기 고체 전해질로서는, 예를 들면, Li의 질화물, 할로겐화물, 산화물, 황화 인(燐) 화합물 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, Li₃N, LiI, Li₃N-LiI-LiOH, LiSiO₄, LiSiO₄-LiI-LiOH, Li₃PO₄-Li₄SiO₄, Li₂SiS₃, La₂ _/3- _xLi_3xTiO₃, LiSr₂TiTaO₆ 등을 들 수 있다. 무기 고체 전해질을 사용한 고체 전해질층(24)은, 전해액 등의 가연성(可燃性)의 유기 용매를 사용하지 않기 때문, 액 누출 등의 문제가 없고, 안전성이 우수하다.

또한, 리튬 이온 도전성을 갖는 무기 고체 전해질로서, 예를 들면, 리튬과 티탄을 함유하는 인산 티탄산 리튬(LiTi₂(PO₄)₃)을 사용할 수도 있다. 인산 티탄산 리튬은 NASICON형 구조를 갖고 있고, 높은 이온 전도성을 얻을 수 있다.

이 박막 전지(3)는, 전압 변환부(16) 또는 외부 접속 단자(7)로부터 직류 전압이 공급되면 충전된다. 충전시에는, 예를 들면, 정극 활물질층(23)으로부터 리튬 이온이 방출되고, 고체 전해질층(24)을 통하여 부극 활물질층(27)에 흡장된다. 박막 전지(3)는, 전자유도 방식에 의해 얻어지는 전력에 의해 충전할 수 있기 때문에, IC 카드(1)의 사용과 동시에 충전도 행할 수 있다. 따라서 번거로운 충전 작업의 수고를 줄일 수 있다.

또한, 박막 전지(3)의 방전시에는, 예를 들면 부극 활물질층(27)으로부터 리튬 이온이 방출되고, 고체 전해질층(24)을 통하여 정극 활물질층(23)에 흡장된다. 이와 같이 박막 전지(3)의 방전이 이루어지면, 인터페이스(11)를 통하여 CPU(14)나 표시부(6) 등이 구동된다.

도 4는, 상술한 구성을 갖는 IC 카드(1)의 동작의 한 예를 설명한다.

우선, 리더/라이터(40)의 안테나 코일(41)로부터 발생되는 교류 자계(42) 중에 IC 카드(1)를 덮어 가리면, IC 카드(1)의 안테나 코일(5)에 교류 전압이 유기된다. 이 교류 전압은, IC 카드(1)의 전압 변환부(16)에 의해 직류 전압으로 변환되고, CPU(14)의 제어에 의거하여, 박막 전지(3)에 대해 충전이 이루어진다. 또한, 전압 변환부(16)에 의해 변환된 직류 전압이 CPU(14)에 공급되어, CPU(14)가 구동되도록 하여도 좋다.

이 제 1의 실시 형태에 의하면, IC 카드(1)를 리더/라이터에 접근하여, 리더/라이터의 교류 자계에 의해, IC 카드(1) 내의 안테나 코일(5)에 교류 전압을 유기하고, 이 교류 전압을 전압 변환부(16)에 의해 직류 전압으로 변환하고, 박막 전지(3)에 공급한다. 따라서 IC 카드(1)를 리더/라이터에 접근하는 것만으로, 박막 전지(3)에 간단하게 충전할 수 있다. 또한, 유저는, IC 카드(1)에 구비된 버튼 등을 눌러서, 박막 전지(3)의 전력에 의해 표시부(6)를 구동하고, EEPROM(15)에 기억된 정보 등을 표시할 수 있다. 즉, 유저가 좋아하는 때나 장소에서 각종 정보를 확인할 수 있다.

또한, 얇고, 또 플렉시블성에 우수한 박막 전지(3)를 2차 전지로서 기재(2) 상에 형성하고 있기 때문에, IC 카드(1)의 두께의 증가나 플렉시블성을 손상시키는 일이 없다. 또한, 박막 전지(3)는 액계의 전해질을 사용하지 않기 때문에, 파손시에는 액 누출을 일으키는 일도 없다.

(2) 제 2의 실시 형태

이 제 2의 실시 형태에 의한 IC 카드는, 박막 전지(3)의 고체 전해질층(24)이, 하기한 식(1) 또는 식(2)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체를 주성분으로 하는 점에서, 제 1의 실시 형태와 다르다.

Li_1+xM1_xTi_2-x(PO₄)₃ … (1)

(식 중, M1은 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 인듐(In), 철(Fe), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 이트륨(Y), 및 란탄(La)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. x의 값은, 0≤x≤2.0의 범위 내이다)

Li_1+2xM2_xTi_2-x(PO₄)₃ … (2)

(식 중, M2는 아연(Zn), 규소(S), 망간(Mn), 게르마늄(Ge), 네오디뮴(Nd), 스트론튬(Sr), 및 바나듐(V)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타내고, M2의 가수는 2가이다. x의 값은, 0≤x≤2.0의 범위 내이다)

우선, 도 5를 참조하여, 식(1) 또는 식(2)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체 내의 리튬 이온의 확산 경로에 관해 설명한다. 도 5의 A는, 3차원 시각화(視覺化)시킨 원자핵 밀도 분포를 도시한다. 도 5의 B는, 2차원 시각화시킨 (010)면의 원자핵 밀도 분포를 도시한다. 도 5의 C는, 도 5의 A에 도시하는 원자핵 밀도 분포에 있어서, 원자의 위치를 동시에 도시하는 도면이다.

도 5의 B 중의 화살표(a)는 (100)방향, 즉 결정축의 a축 방향을 나타내고, 화살표(c)는 (001)방향, 즉 c축 방향을 나타낸다. 또한, 도 5의 B 중의 흰 화살표는, 리튬 이온의 확산 경로를 나타낸다. 또한, 도 5의 B 및 도 5의 C에서, 「Li1」 및 「Li2」는 리튬의 위치를 나타내고, 「Ti/Al」은 티탄 또는 알루미늄의 위치를 나타낸다. 또한, 「P」는 인의 위치를 나타내고, 「O」는 산소의 위치를 나타낸다.

상술한 도 5에 도시하는 원자핵 밀도 분포는, 이하와 같이 하여 구할 수 있다.

우선, 식(1)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체로서, 인산 티탄산 리튬(LiTi₂(PO₄)₃)의 티탄의 일부를 예를 들면 알루미늄으로 치환한 Li₁ ₊ _xAl_xTi₂ _-x(PO₄)₃(0≤x≤2)의 다결정의 분말을 시료로 사용하고, 중성자 회절 실험에 의해 결정 구조를 조사한다. 다음에, 중성자 회절 실험에 의해 얻어진 데이터를, 리트벨드(Rietveld) 해석에 의해, 결정 구조 파라미터 및 격자 정수를 정밀화하여 해석을 행한다. 리트벨드 해석으로부터 다시 정보 이론에 의거한 최대 엔트로피법에 의한 해석을 행하여, 원자핵 밀도 분포를 구한다. 구하여진 원자핵 밀도 분포를 3차원 시각화시켜, 리튬 이온의 거동을 관측한다.

도 5로부터, 식(1)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체는, 리튬 이온이 흐르는 방향이 정해져 있다, 즉 이방성을 갖고 있음을 알 수 있다. 구체적으로는, Li₁ ₊ _xAl_xTi₂ _-x(PO₄)₃ 내에서, 리튬 이온은 결정 축방향에 따라 흐르고, 특히 c축 방향에 따라 흐르는 것을 알 수 있다. 또한, 도 5에서는 티탄의 일부를 알루미늄으로 치환한 예에 관해 나타내고 있지만, 티탄의 일부를 식 1 중의 M1, 또는 식 2 중의 M2로 나타내는 바와 같은 다른 금속 원소로 치환한 경우에도, 리튬 이온의 경로는 마찬가지가 된다.

또한, Li₁ ₊ _xAl_xTi₂ _-x(PO₄)₃에 있어서, x의 값이 0보다 큰 경우에 증가한 리튬은, c축 방향의 리튬 이온의 확산 경로 중에 존재하는 것을 알 수 있다. 이 증가한 리튬에 의해, 리튬 이온 전도도를 보다 향상시키는 것이 가능해진다.

다음에, 이와 같은 확산 경로를 갖는 리튬 이온 전도체를, 고체 전해질 재료로서 가장 효율적으로 사용하는 방법에 관해, 구체적으로 설명한다.

도 6에, 박막 전지(3)의 한 구성례를 도시한다. 이 박막 전지(3)는, 고체 전해질층(24)이 식(1) 또는 식(2)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체를 주성분으로 하는 점에서, 제 1의 실시 형태와는 다르다. 식(1) 또는 식(2)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체는, 단결정 또는 다결정인 것이 바람직하고, 특히 단결정이 바람직하다. 단결정 또는 다결정을 사용함으로써, 리튬 이온의 확산 경로에 따라 리튬 이온을 효율적으로 흘릴 수 있고, 고체 전해질층(24)의 재료로서 효율적으로 사용할 수 있다.

또한, 리튬 이온은 특히 결정의 c축 방향에 따라 흐르기 때문에, 정극(21) 및 부극(25)의 주면에 대해, 고체 전해질층(24)에 포함되는 단결정 또는 다결정의 c축 방향이 수직하게 배향하고 있는 것이 바람직하다. 즉, 정극(21) 및 부극(25)의 주면과, 고체 전해질층(24)에 포함되는 단결정 또는 다결정의 c축 방향을 직교시킴에 의해, 리튬 이온을 보다 효율 좋게 흘릴 수 있기 때문이다.

여기서, 식(1) 및 식(2)에 있어서 x의 값은 0≤x≤2.0의 범위 내이지만, x의 값이 이 범위 내에서 커질수록, 리튬의 농도가 증가하여 리튬 이온 전도체 내의 공극률을 저하시킬 수 있다. 또한, 증가한 리튬은 리튬 이온의 확산 경로 중에 존재하여 리튬 이온의 이동을 중계한다. 그 결과, 리튬 이온이 결정 내를 이동하기 쉬워지고, 이온 전도도를 높일 수 있다. 따라서 x의 값은 클수록 바람직하고, 구체적으로는, 이온 전도도의 향상 및 제조상의 용이성의 관점에서, x의 범위는 0.1≤x≤0.5의 범위 내인 것이 바람직하다.

또한, 식(1)에서, M1은 알루미늄인 것이 바람직하다. 알루미늄은 티탄에 비하여 이온 반경이 작기 때문에, 도 5의 B중의 속이 흰 화살표로 나타내는 바와 같은 리튬 이온의 경로를 더 단축할 수 있고, 이온 전도도의 향상에 이어지기 때문이다.

또한, 식(1) 및 식(2)에서, M1 및 M2는 2가(價), 또는 M1 및 M2는 1가의 원소인 것이 바람직하다. M1 및 M2를 2가, 또는 M1 및 M2를 1가의 원소로 함으로써, 리튬 이온 전도체에 있어서 리튬의 농도를 증가시킬 수 있고, 이온 전도도를 향상시킬 수 있기 때문이다.

단결정을 포함하는 고체 전해질층(24)의 제작 방법으로서는, 예를 들면, 단결정으로 이루어지는 기재를 사용하여, 필요에 응하여 기재에 온도를 걸으면서 레이저 어브레이전이나 스퍼터링법 등에 의해 증착시키는 방법, CVD 등에 의한 기상 합성법 등에 의해 기재에 적층시키는 방법을 들 수 있다. 또한, 식(1) 또는 식(2)으로 나타나는 리튬 이온 전도체의 다결정 시료를, 여러 가지의 공지의 수법에 의해 용융하고, 단결정의 벌크재를 얻은 후, 잘라내는 방법 등을 이용하여도 좋다.

이 제 2의 실시 형태에 있어서, 상기 이외에 관한 것은 제 1의 실시 형태와 마찬가지이다.

이 제 2의 실시 형태에 의하면, 고체 전해질층(24)이 식(1) 또는 식(2)으로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체를 주성분으로 하고 있기 때문에, 고체 전해질층(24)에 있어서의 리튬 이온의 전도성을 제 1의 실시 형태에 비하여 향상할 수 있다. 특히, 정극(21) 및 부극(25)에 대해, 고체 전해질층(24)의 c축을 수직하게 배향시킴에 의해, 리튬 이온의 확산 경로를 정극(21)부터 부극(25)을 향하는 방향으로 할 수 있다. 또한, 이 박막 전지(3)는, 리튬 이온을 효율적으로 흘릴 수 있기 때문에, 급속 충전이 가능해진다. 또한, 고체 전해질층(24)의 저항이 낮기 때문에, 발열의 위험성을 저하시킬 수 있다.

(3) 제 3의 실시 형태

이 제 3의 실시 형태에 의한 IC 카드는, 복수의 박막 전지(3)가 적층되고, 이들의 박막 전지(3)가 병렬로 접속되어 있는 점에서, 제 1의 실시 형태와는 다르다.

도 7에, 본 발명의 제 3의 실시 형태에 의한 박막 전지(3)의 한 구성례를 도시한다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 이 박막 전지(3)는, 제 1의 박막 전지(3₁)와 제 2의 박막 전지(3₂)가 절연층(28)을 통하여 적층된 구성을 갖는다. 제 1의 박막 전지(3₁) 및 제 2의 박막 전지(3₂)는, 병렬로 접속된다. 절연층(28)의 재료로서는, 예를 들면, Si₃N₄, SiO₂ 등의 절연 재료를 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있지만, 절연층(28)으로서 소망하는 기능을 얻을 수 있는 것이면 좋고, 특히 상기 재료로 한정되는 것이 아니다.

CPU(14)는, 제 1의 박막 전지(3₁) 및 제 2의 박막 전지(3₂)의 충방전을 제어한다. CPU(14)는, 예를 들면, 제 1의 박막 전지(3₁) 및 제 2의 박막 전지(3₂)중 한쪽에 충전하고, 다른 쪽의 전지를 방전하도록 하여도 좋다.

이 제 3의 실시 형태에 있어서, 상기 이외에 관한 것은 제 1의 실시 형태와 마찬가지이다.

이 제 3의 실시 형태에 의하면, 복수의 박막 전지(3)를 적층하고, 이들의 박막 전지(3)를 병렬로 접속하고 있기 때문에, 제 1의 실시 형태에 비하여 고용량을 얻을 수 있다.

(4) 제 4의 실시 형태

이 제 4의 실시 형태에 의한 IC 카드는, 복수의 박막 전지(3)가 적층되고, 이들의 박막 전지(3)가 직렬로 접속되어 있는 점에서, 제 1의 실시 형태와는 다르다.

도 8에, 본 발명의 제 4의 실시 형태에 의한 박막 전지(3)의 한 구성례를 도시한다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 이 박막 전지(3)는, 제 1의 박막 전지(31)와 제 2의 박막 전지(32)가 도전층(29)을 통하여 적층된 구성을 갖는다. 제 1의 박막 전지(31) 및 제 2의 박막 전지(32)는, 도전층(29)에 의해 직렬로 접속된다. 도전층(29)의 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄, 니켈, 구리, 백금, 금, 은 등의 금속재료를 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있지만, 도전층(29)으로서 소망하는 기능을 얻을 수 있는 것이면 좋고, 특히 상기 재료로 한정되는 것이 아니다.

이 제 4의 실시 형태에 있어서, 상기 이외에 관한 것은 제 1의 실시 형태와 마찬가지이다.

이 제 4의 실시 형태에 의하면, 복수의 박막 전지(3)를 적층하고, 이들의 박막 전지(3)를 직렬로 접속하고 있기 때문에, 제 1의 실시 형태에 비하여 고전압을 얻을 수 있다.

(5) 제 5의 실시 형태

도 9는, 본 발명의 제 5의 실시 형태에 의한 IC 카드의 한 구성례를 도시하는 블록도이다. 제 5의 실시 형태에 의한 IC 카드는, 태양전지(51)를 더 구비하는 점에서, 제 1의 실시 형태와는 다르다.

태양전지(51)는, 박막 전지(3)에 대해 접속되고, CPU(14)의 제어에 의거하여, 태양전지(51)로부터 박막 전지(3)에 대한 충전이 행하여진다. 태양전지(51)로서는, 예를 들면, 박막 실리콘 태양전지, CIGS계 박막 태양전지, 색소 증감 태양전지, 유기 박막 태양전지를 이용할 수 있다.

또한, IC 카드는, 안테나(8)를 구비하고, 이 안테나(8)가 인터페이스(11)에 대해 접속되어 있다. 안테나(8)로서는, 예를 들면, 상술한 제 1의 실시 형태와 같은 안테나 코일을 이용할 수 있다. 또한, 안테나(8)로서, 마이크로 스트립 안테나 등을 이용하도록 하여도 좋다.

이 제 5의 실시 형태에 있어서, 상기 이외에 관한 것은 제 1의 실시 형태와 마찬가지이다.

(6) 제 6의 실시 형태

도 10은, 제 6의 실시 형태에 의한 IC 카드(1)의 외관을 도시하는 평면도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 이 IC 카드(1)는, 충전 상태에 의해 색이 변화하는 박막 전지(3)와, 이 박막 전지(3)의 색의 상태를 외부에서 보기 위한 잔량 표시부(61)를 구비하는 점에서, 제 1의 실시 형태와는 다르다.

또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, IC 카드(1)는, 잔량 표시부(61)의 부근에, 박막 전지(3)의 잔용량을 확인하는 눈금(62)을 또한 구비하는 것이 바람직하다. 이 눈금(62)은, 각 충전 상태에 있어서의 박막 전지(3)의 색이 나타나 있다. 구체적으로는, 눈금(62)은, 박막 전지(3)에서의 각 충전 상태에 있어서의 색을 그러데이션으로 나타내고 있고, 이 그러데이션의 일단의 색은 만충전 상태의 박막 전지(3)와 같은 색의 색이고, 타단의 색은 최종 방전 전압에서 박막 전지(3)와 같은 색의 색으로 되어 있다. 유저는, 눈금(62)의 색과 잔량 표시부(61)의 색을 대비시킴으로써, 박막 전지(3)의 잔(殘) 용량을 용이하게 판별할 수 있다.

도 11은, 박막 전지(3)의 한 구성례를 도시하는 단면도이다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 이 박막 전지(3)는, 정극 집전체(22), 정극 활물질층(23), 고체 전해질층(24), 및 부극(25)이 순차적으로 적층된 구성을 갖는다. 정극 집전체(22)의 재료로서는, 예를 들면, ITO 등의 투명 도전체를 주성분으로 하는 재료를 사용할 수 있다. 정극 활물질층(23)에 사용된 정극 재료로서는, 예를 들면, LiMn₂O₄를 주성분으로 하는 재료를 사용할 수 있다. 고체 전해질층(24)의 재료로서는, 예를 들면, Li₃PO₄를 주성분으로 하는 재료를 사용할 수 있다. 부극(25)의 재료로서는, 예를 들면, ITO 등의 투명 도전체를 주성분으로 하는 재료를 사용할 수 있다.

이와 같은 구성을 갖는 박막 전지(3)에서는, 충방전에 의해 리튬이 전극 사이로 이동하면, 박막 전지(3)의 색이 변화한다. 예를 들면, 충전에 의해 리튬 이온이 정극(21)으로부터 부극(25)에 이동하면, 박막 전지(3)의 색이 흑(黑)으로 변화한다. 이것은, 투명 도전체인 부극(25)에 리튬이 들어가고, 또는 부극(25)이 리튬과 분해 반응함에 의해 박막 전지(3)의 색이 변색하기 때문이라고 생각된다.

이 제 6의 실시 형태에 의하면, 집전체로서 투명 도전체를 사용하고 있기 때문에, 유저는 잔량 표시부(61)를 통하여 박막 전지(3)의 색의 변화를 확인할 수 있다. 따라서 박막 전지(3)의 색의 변화를 전지 잔량 인디케이터로서 이용할 수 있다. 또한, 유저는 박막 전지(3)의 충전 상태를 한눈에 판단할 수 있다.

종래의 전지에서는, 전해질로서 액계의 전해질을 사용하고 있기 때문에, 전지를 포장 부재에 의해 패킹할 필요가 있고, 정극(21), 부극(25), 고체 전해질층(24) 등을 보는 것이 곤란하다. 즉, 집전체로서 투명 도전체를 이용하였다고 하여도, 충방전에 수반하는 전지의 색의 변화를 확인할 수가 없다. 이에 대해, 이 제 6의 실시 형태에 의한 박막 전지(3)에서는, 전해질로서 고체 전해질을 사용하고 있기 때문에, 전지를 포장 부재에 의해 패킹할 필요가 없고, 정극(21), 부극(25), 고체 전해질층(24) 등을 보는 것이 가능하다. 즉, 집전체로서 투명 도전체를 사용하면, 충방전에 수반하는 전지의 색의 변화를 확인할 수 있다.

또한, 종래의 전지에서는, 전지 잔량을 나타내는 인디케이터를 표시하기 위해서는, 전압을 관측하는 유닛이 필요하다. 이에 대해, 이 제 6의 실시 형태에 의한 박막 전지(3)에서는, 박막 전지(3)의 색의 변화를 확인함에 의해 충전 상태를 판단할 수 있기 때문에, 전압을 관측하는 유닛이 필요 없게 된다.

이상, 본 발명의 제 1 내지 제 6의 실시 형태에 관해 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은, 상술한 제 1 내지 제 6의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상에 의거한 각종의 변형이 가능하다.

예를 들면, 상술한 제 1 내지 제 6의 실시 형태에서 든 형상이나 구성은 어디까지나 예에 지나지 않고, 필요에 응하여 이것과 다른 수치를 이용하여도 좋다.

또한, 상술한 제 1 내지 제 6의 실시 형태의 각 구성은, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 한, 서로 조합시키는 것이 가능하다.

또한, 상술한 제 1 내지 제 6의 실시 형태에서는, 비접촉형 IC 카드에 대해 본 발명을 적용한 예에 관해 설명하였지만, 본 발명은 접촉형 IC 카드에 대해서도 적용 가능하다. 또한, 비접촉형 IC 카드와 접촉 형IC 카드의 양쪽의 기능을 구비하는 하이브리드 카드에 대해서도 본 발명은 적용 가능하다.

Claims

정극과, 부극과, 전해질을 포함하는 박막 전지와,
시각적으로 상기 박막 전지의 상태를 확인하기 위한 잔량 표시부와,
상기 전해질은 식 (1) 또는 식 (2)로 평균 조성이 표시되는 리튬 이온 전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
Li_1+xM1_xTi_2-x(PO₄)₃ … (1)
(식 중, M1은 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 인듐(In), 철(Fe), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 이트륨(Y), 및 란탄(La)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. x의 값은, 0≤x≤2.0의 범위 내이다)
Li_1+2xM2_xTi_2-x(PO₄)₃ … (2)
(식 중, M2는 아연(Zn), 규소(S), 망간(Mn), 게르마늄(Ge), 네오디뮴(Nd), 스트론튬(Sr), 및 바나듐(V)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타내고, M2의 가수는 2가이다. x의 값은, 0≤x≤2.0의 범위 내이다)
삭제
제 1항에 있어서,
상기 박막 전지는, 전(全) 고체 2차 전지인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
상기 박막 전지는 태양 전지인 것을 특징으로 하는 IC카드.
제 1항에 있어서,
상기 박막 전지는 직렬 및/또는 병렬로 복수 적층됨과 함께 접속되고,
상기 복수 적층된 박막 전지의 적어도 하나는 박막 전지인 것을 특징으로 하는 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
상기 박막 전지를 외부 전원에 접속하기 위한 접속 단자를 구비하고,
상기 외부 전원으로부터의 박막 전지의 충전을 제어하기 위한 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 6항에 있어서,
상기 제어부는, 박막 전지의 충전 및 방전을 위한 제어 프로그램을 동작시키는 것을 특징으로하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
전자 유도에 의해 전력을 유기하기 위한 안테나코일을 더 구비하고,
상기 박막 전지는 상기 안테나 코일에 의해 유도되는 전력을 저장하기 위한 안테나 코일에 접속되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
태양전지를 더 구비하고,
상기 박막 전지는 상기 태양전지에 의해 충전된 전력을 보존하기 위해 태양전지에 접속되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 4항에 있어서,
상기 태양 전지로부터 박막 전지의 충전을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 11항에 있어서,
상기 표시부는 태양전지 또는 안테나 코일로부터의 전력에 의해 전원이 공급되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 11항 또는 제 12항에 있어서,
상기 표시부는 플렉시블성인 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 13항에 있어서,
상기 표시부를 구동하기 위한 버튼을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 IC카드.
제 13항에 있어서,
상기 표시부에 표시되는 정보를 기억하는 기억부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC카드.
제 1항에 있어서,
기재를 더 구비하며,
상기 기재는 필름, 시트 또는 판의 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 16항에 있어서,
상기 기재의 재료는 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), PI(폴리이미드), 폴리에스테르 중 어느 하나인 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
IC 카드의 전면과 후면을 형성하는 외장재를 더 구비하는 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 18항에 있어서,
상기 외장재의 재료는, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), PBT(폴리부틸테레프탈레이트), PEG(폴리에틸렌글리콜), 배향 PET 중 어느 하나인 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
상기 정극과 부극 사이에 전해질을 구비하는 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 1항에 있어서,
상기 정극 및 상기 부극은 적어도 투명 도전체를 성분으로 하는 집전체를 포함하는 것을 특징을 하는 IC 카드.
제 21항에 있어서,
상기 투명 도전체는, 인듐과 주석의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제 8항에 있어서,
상기 안테나 코일로부터 박막 전지의 충전을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.