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KR101689336B1 - 유기 전계 발광 표시장치 - Google Patents

유기 전계 발광 표시장치 Download PDF

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KR101689336B1
KR101689336B1 KR1020100062880A KR20100062880A KR101689336B1 KR 101689336 B1 KR101689336 B1 KR 101689336B1 KR 1020100062880 A KR1020100062880 A KR 1020100062880A KR 20100062880 A KR20100062880 A KR 20100062880A KR 101689336 B1 KR101689336 B1 KR 101689336B1
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red light
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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 풀 컬러를 구현하면서도, 발광 영역의 유기막의 두께를 균일하게 할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역으로 정의되며, 하부 전극, 유기막 및 상부 전극의 적층 구조로 이루어지는 다수의 화소를 포함하고, 상기 청색 및 녹색 발광 영역은 공진 구조로 형성되며, 상기 적색 발광 영역은 비공진 구조로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다. 이때, 상기 청색 및 녹색 발광 영역의 하부 전극은 제1 투명 도전막, 반투과 금속막 및 제2 투명 도전막의 적층 구조로 이루어지고, 상기 적색 발광 영역의 하부 전극은 투명 도전막으로 이루어진다.

Description

유기 전계 발광 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 풀 컬러를 구현하면서도, 발광 영역의 유기막의 두께를 균일하게 할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치 중 전계 발광 소자는 형광체에 일정 이상의 전기장이 걸리면 빛이 발생하는 전계 발광(electro luminescence: EL) 현상을 이용한 것으로서, 발광층 형성 물질에 따라 무기 EL 소자와 유기 EL 소자로 구분되며, 유기 전계 발광 소자가 청색을 비롯한 가시광선의 모든 영역의 빛이 나오므로 표시 소자로서 주목받고 있으며, 높은 휘도와 낮은 구동 전압 특성을 갖는다.
유기 전계 발광 소자는 다수개의 스캔 라인과 이와는 수직인 방향으로 형성되는 다수개의 데이터 라인에 의하여 정의되는 화소 영역이 각각 적색, 녹색, 청색을 구현함으로써 풀 컬러(Full-color) 평판 표시 장치를 구성할 수 있다.
일반적인 유기 전계 발광 소자는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 구현하도록 각각 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역을 구비하고 있는 기판 상부에 각각 소정의 패턴의 제1 전극층이 형성되어 있다.
제1 전극층 상부에는 발광층을 포함하는 유기막이 형성되며, 유기막은 발광층 이외에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함할 수 있다. 유기막 상부에는 기판 전면에 걸쳐 제2 전극층이 형성된다.
이때, 유기막을 형성하는 방법으로서, 증착법, 잉크젯 방식, 레이저 열전사 방법 등이 있다.
한편, 대면적에서의 색 재현율을 높이기 위해 약공진을 시키는데, 이때, 제1 전극을 ITO/Ag/ITO 구조로 형성하여 일부만 투과하고 일부는 공진시키는 방법을 사용하고 있다.
이때, 적색 영역이 청색 및 녹색 영역보다 장파장의 광을 방출하므로, 공진을 시키기 위해서는, 청색 및 녹색 영역의 유기막 두께보다 적색 영역의 유기막 두께가 두껍게 형성되어야 하는 문제점이 발생한다. 따라서, 각 발광 영역에 형성된 유기막의 두께가 불균일하게 된다.
본 발명은 풀 컬러를 구현하면서도, 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역의 유기막의 두께를 균일하게 할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 본 발명의 목적은 기판 상에 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역으로 정의되며, 하부 전극, 유기막 및 상부 전극의 적층 구조로 이루어지는 다수의 화소를 포함하고, 상기 청색 및 녹색 발광 영역은 공진 구조로 형성되며, 상기 적색 발광 영역은 비공진 구조로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 목적은 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역으로 정의되는 다수의 발광 영역을 구비하는 기판, 상기 청색 및 녹색 발광 영역에 형성되며, 제1 투명 도전막, 반투과 금속막 및 제2 투명 도전막의 적층 구조로 이루어지는 하부 전극, 상기 적색 발광 영역에 형성되며, 투명 도전막으로 이루어지는 하부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치에 의해서도 달성된다.
본 발명에 따르면, 청색 및 녹색 발광 영역은 공진 구조로 형성하고, 적색 발광 영역은 비공진 구조로 형성함으로써, 적색 발광 영역의 유기막의 두께를 청색 발광 영역 및 녹색 발광 영역의 두께와 균일하도록 조절하여, 풀 컬러를 구현하면서도, 각 발광 영역의 유기막의 두께를 균일하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 단면도이다.
도 2a는 청색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 2b는 녹색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 2c는 적색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 3 및 4는 적색 발광 영역이 비공진 구조로 형성된 경우의 색재현율을 설명하기 위한 CIE계 색좌표들이다.
이하, 바람직한 실시 예를 도시한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시장치를 설명한다. 이때, 본 실시 예에서는 기판 상에 청색, 녹색 및 적색 발광 영역으로 정의되는 다수의 화소가 형성되는 것을 중심으로 설명한다. 또한, 본 실시 예에서는 능동형 유기 전계 발광 표시장치를 예로 들어 설명하나, 수동형 유기 전계 발광 표시장치에도 동일하게 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 단면도이고, 도 2a는 청색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이고, 도 2b는 녹색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이고, 도 2c는 적색 발광 영역의 하부 전극 및 유기막의 구조를 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(200) 상의 전면에 버퍼층(210)을 형성하고, 버퍼층(210) 상에 PECVD, LPCVD 등의 증착 방법을 통하여 비정질 실리콘층을 형성한다. 이때, 기판(200)은 유리, 석영, 사파이어 등의 절연기판일 수 있으며, 버퍼층(210)은 기판(200)으로부터 확산된 불순물에 의해 비정질 실리콘층이 오염되는 것을 방지한다.
상기 비정질 실리콘층을 통상의 결정화 방법인 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) 등의 방법을 사용하여 결정화하고, 사진 식각 공정으로 패터닝하여 단위 화소 내의 박막 트랜지스터 영역에 반도체층(220)을 형성한다.
그리고 나서, 상기 반도체층(220)을 포함하는 기판(200) 전면에 게이트 절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(230)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 그 적층 구조로 형성될 수 있다.
그 다음, 상기 게이트 절연막(230) 상부에 게이트 전극 물질을 도포한 후, 식각하여 패터닝된 게이트 전극(240)을 형성하며, 게이트 전극(240)은 반도체층(220)과 일부 중첩되도록 형성되며, 게이트 전극(240)과 중첩되는 반도체층(220)의 영역은 채널 영역으로 정의된다.
게이트 전극 물질은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층으로 형성될 수 있다.
다음, 전체 표면 상부에 층간 절연막(250)을 형성한다. 일반적으로 층간 절연막(250)은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 사용할 수 있다.
다음, 층간 절연막(250) 상에 금속막(미도시)을 형성한 후, 패터닝하여, 소스/드레인 전극(260a, 260b)을 형성하며, 소스/드레인 전극(260a, 260b)은 게이트 절연막(230)과 층간 절연막(250)의 일부를 식각하여 형성된 콘택 홀을 통하여 반도체 층(220)의 소스 영역 및 드레인 영역과 접속된다.
상기 금속막은 Mo,W, MoW, AlNd, Ti, Cu, Cu 합금, Al, Al 합금, Ag 및 Ag 합금 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 단일층을 형성하거나, 배선 저항을 줄이기 위해 저저항물질인 Mo, Cu, Al 또는 Ag의 2층 구조 또는 그 이상의 다중막 구조로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 적층구조로 형성할 수 있다.
그리고 나서, 전체 표면 상부에 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 그 적층 구조를 소정 두께 증착하여 보호막(270)을 형성한 후, 상기 보호막(270) 상에 평탄화막(280)을 형성한다. 평탄화막(280)은 폴리아미드, 벤조사이클로부틴계 수지 및 아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그 다음, 상기 보호막(270)과 평탄화막(280)의 일부를 식각하여 소스/드레인 전극(260a, 260b) 중 어느 하나를 노출시키는 비아 홀을 형성하고, 평탄화막(280) 상에 형성되는 하부 전극(290)이 비아 홀을 통하여 노출되는 소스/드레인 전극(260a, 260b) 중 하나와 접속된다.
상기 하부 전극(290)은 청색 발광 영역(a), 녹색 발광 영역(b), 적색 발광 영역(c)에 각각 형성되며, 발광 영역이 형성되는 위치는 제한되는 것이 아니다.
하부 전극(290)의 상부에 개구부를 갖는 화소 정의막(295)을 형성하여, 개구부를 통하여 하부 전극(290)의 일부가 노출되도록 하고, 개구되어 있는 하부 전극(290) 상에 유기막(300)을 형성한다.
상기 화소 정의막(295)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spon on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 기판(200) 전면에 상부 전극(310)을 형성하여 유기 전계 발광 소자를 완성한다. 상기 상부 전극(310)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 청색 발광 영역(a)에 형성되는 상기 하부 전극(290)은 제1 투명 도전막(290a), 반투과 금속막(290c) 및 제2 투명 도전막(290b)을 순차적으로 적층하여 형성되고, 상기 유기막(300)이 상기 하부 전극(290) 상에 형성된다.
상기 제1 및 제2 투명 도전막(290a, 290b)은 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), To(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1 투명 도전막(290a)은 실질적으로 애노드 전극으로서 역할을 하며, 제2 투명 도전막(290b)은 일함수를 맞추어 주고 하부 전극(290)을 완성한다.
상기 제1 투명 도전막(290a)은 50 내지 150nm의 두께 내에서 청색, 녹색, 적색의 광 효율이 좋으므로, 제1 투명 도전막(290a)은 50 내지 150nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2 투명 도전막(290b)은 애노드 전극의 역할을 충분히 수행할 수 있도록 10nm 이상으로 형성하고 유기발광층에서 발생하는 광의 공진 효과를 최대화하기 위하여 유기막의 두께와 함께 고려되므로 바람직하게 30nm 이하로 형성한다.
상기 반투과 금속막(290c)은 Ag, Al, Ni, Pt 및 Pd 중 선택되는 어느 하나로 이루어지며, 너무 얇으면 금속 전극으로서의 역할을 수행하기에 어려움이 있고, 너무 두꺼우면 광의 투과에 어려움이 있으므로 바람지하게 5 내지 20nm의 두께로 형성한다.
상기 유기막(300)은 청색 발광층(303a)을 포함하며, 청색 발광층(303a) 이외에 하부 전극(290)과 청색 발광층(303a) 사이에 위치하는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302) 및 청색 발광층(303a) 상에 위치하는 정공 억제층(304) 및 전자 주입층(305)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기막(300)은 발광 휘도와 색재현율을 고려하여 50 내지 60nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 하부 전극(290)과 청색 발광층(303a) 사이의 정공 주입층(301)과 정공 수송층(302)의 두께는 공진 효과를 최대화시켜 청색의 발광 휘도와 색재현율을 높이기 위하여 19 내지 36nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 2b를 참조하면, 녹색 발광 영역(b)에 형성되는 하부 전극(290)은 제1 투명 도전막(290a), 반투과 금속막(290c) 및 제2 투명 도전막(290b)을 순차적으로 적층하여 하부 전극(290)을 형성되고, 하부 전극(290) 상에 유기막(300)을 형성한다.
상기 제1 및 제2 투명 도전막(290a, 290b)은 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), To(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1 투명 도전막(290a)은 실질적으로 애노드 전극으로서 역할을 하며, 제2 투명 도전막(290b)은 일함수를 맞추어 주고 하부 전극(290)을 완성한다.
제1 투명 도전막(290a)은 50 내지 150nm의 두께 내에서 청색, 녹색, 적색의 광 효율이 좋으므로, 제1 투명 도전막(290a)은 50 내지 150nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
제2 투명 도전막(290b)은 애노드 전극의 역할을 충분히 수행할 수 있도록 10nm 이상으로 형성하고 유기발광층에서 발생하는 광의 공진 효과를 최대화하기 위하여 유기막의 두께와 함께 고려되므로 바람직하게 30nm 이하로 형성한다.
상기 반투과 금속막(290c)은 Ag, Al, Ni, Pt 및 Pd 중 선택되는 어느 하나로 이루어지며, 너무 얇으면 금속 전극으로서의 역할을 수행하기에 어려움이 있고, 너무 두꺼우면 광의 투과에 어려움이 있으므로 바람지하게 5 내지 20nm의 두께로 형성한다.
상기 유기막(300)은 녹색 발광층(303b)을 포함하며, 청색 발광층(303b) 이외에 하부 전극(290)과 청색 발광층(303b) 사이에 위치하는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302) 및 녹색 발광층(303b) 상에 위치하는 정공 억제층(304) 및 전자 주입층(305)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기막(300)은 발광 휘도와 색재현율을 고려하여 50 내지 60nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 하부 전극(290)과 녹색 발광층(303b) 사이의 정공 주입층(301)과 정공 수송층(302)의 두께는 공진 효과를 최대화시켜 녹색의 발광 휘도와 색재현율을 높이기 위하여 19 내지 36nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 2c를 참조하면, 적색 발광 영역(c)에 형성되는 하부 전극(290)은 투명 도전막으로 형성되며, 하부 전극(290) 상에 유기막(300)을 형성한다. 상기 하부 전극(290)은 투명 도전막의 단일층 또는 다중막 구조로 형성될 수 있고, 상기 투명 도전막은 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), To(Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나로 형성될 수 있으며, 상기 하부 전극(290)은 애노드 전극으로서 역할을 한다.
하부 전극(290)의 두께는 발광 휘도와 색재현율을 높이기 위하여, 유기막(300)의 두께와 함께 고려되어 결정된다.
유기막(300)은 적색 발광층(303c)을 포함하며, 이외에 하부 전극(290)과 적색 발광층(303c) 사이에 위치하는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302) 및 적색 발광층(303c) 상에 위치하는 정공 억제층(304) 및 전자 주입층(305)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 유기막(300)은 발광 휘도, 색재현율, 청색 발광 영역 및 녹색 발광 영역의 유기막의 두께 등을 고려하여 50 내지 60nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하나, 적색 발광 영역은 적색 발광층만 포함하더라도 충분히 색재현율을 만족할 수 있으므로, 적색 발광층의 두께 내지 60nm의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 다만 상기 적색 발광층은 33.6 내지 35.6nm로 하였을 때 발광 효율과 색재현율이 우수하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 하부 전극(290)과 적색 발광층(303c) 사이의 정공 주입층(301)과 정공 수송층(302)의 두께는 공진 효과를 최대화시켜 청색의 발광 휘도와 색재현율을 높이기 위하여 19 내지 36nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 2a 내지 2c를 참조하여 전술한 바에 따르면, 청색 발광 영역과 녹색 발광 영역에 형성되는 하부 전극은 제1 투명 도전막/반투과 금속막/제2 투명 도전막의 구조를 가지나, 적색 발광 영역에 위치하는 하부 전극은 투명 도전막으로 이루어진다. 즉, 청색 발광 영역 및 녹색 발광 영역에서는 공진 효과를 갖는 공진 구조가 형성되나, 적색 발광 영역에서는 비공진 구조가 형성된다.
따라서, 종래 기술에 따르면, 공진 구조를 형성하기 위해서는 적색 발광 영역의 유기막의 두께가 청색 발광 영역 및 녹색 발광 영역의 유기막의 두께보다 두꺼워져야 했으나, 상기 실시 예에서와 같이, 적색 발광 영역이 비공진 구조를 형성하게 되면, 적색 발광 영역의 유기막의 두께를 조절하여 청색 발광 영역 및 녹색 발광 영역의 유기막의 두께와 균일하게 할 수 있다.
도 3 및 4는 적색 발광 영역이 비공진 구조로 형성된 경우의 색재현율을 설명하기 위한 CIE계 색좌표들로서, 도 3은 CIEXYZ 1931에 따른 색좌표계를 나타낸 것이고, 도 4는 CIELUV 1976에 따른 색좌표계를 나타낸 것이다.
하기 표 1은 도 3의 색좌표계에서 적색 발광 영역을 비공진 구조로 형성한 경우의 색좌표, 색재현 면적 및 색재현율을 NTSC와 비교하여 나타낸 것이고, 하기 표 2는 도 4의 색좌표계에서 적색 발광 영역을 비공진 구조로 형성한 경우의 색좌표, 색재현 면적 및 색재현율을 NTSC와 비교하여 나타낸 것이다.
색좌표(x, y) 색재현 면적 색재현율
청색 녹색 적색
비교예 (0.140, 0.080) (0.210, 0.710) (0.670, 0.330) 0.158 100％
실시예 (0.144, 0.077) (0.210, 0.717) (0.668, 0.329) 0.159 100.7％
색좌표(u´, v´) 색재현 면적 색재현율
청색 녹색 적색
비교예 (0.152, 0.196) (0.076, 0.576) (0.477, 0.528) 0.074 100％
실시예 (0.159, 0.190) (0.075, 0.577) (0.476, 0.528) 0.075 101.4％
상기 표 1 및 2에서, 색재현 면적은 색 표현 범위를 나타낸 것으로, 숫자가 높을수록 색 표현 범위가 넓다는 것을 의미하고, 색재현율은 NTSC 기준을 100％로 하여, 실시예의 색재현율을 상대적으로 표현하였다.
도 3 및 표 1을 참조하면, 적색 발광 영역을 비공진 구조로 한 경우, 색재현 면적이 0.159로서 NTSC(National Television System Committee) 기준인 0.158보다 높고, 색재현율이 100.7％로서, NTSC 기준보다 상대적으로 높다는 것을 알 수 있다.
또한, 도 4 및 표 2를 참조하면, 적색 발광 영역을 비공진 구조로 한 경우, 색재현 면적이 0.075로서 NTSC 기준인 0.074보다 높고, 색재현율이 101.4％로서, NTSC 기준보다 상대적으로 높다는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명과 같이, 적색 발광 영역이 비공진 구조를 가지더라도, 색재현율은 NTSC 기준을 만족하는 것을 확인할 수 있다.
한편, 도 1에서는 도시되지 않았으나, 적색 발광 영역의 색재현율을 높이기 위하여, 적색 발광 영역에 컬러 필터 또는 색변환층을 형성하는 것도 가능하다.
컬러 필터 또는 색변환층은 현재 표시장치 분야에서 일반적으로 사용되는 컬러 필터 또는 색변환층을 형성하는 방법을 적용하여 구현할 수 있으며, 적색 발광 영역의 상부 전극(310) 상에 형성될 수 있고, 도 1의 기판(200)과 합착되는 봉지 기판(미도시) 상에 적색 발광 영역과 대응되도록 형성될 수도 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다양한 변경 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
290 : 하부 전극 290a : 제1 투명 전도막
290b : 제2 투명 전도막 290c : 반투과 금속막
300 : 유기막 301 : 정공 주입층
302 : 정공 수송층 303a : 청색 발광층
303b : 녹색 발광층 303c : 적색 발광층
304 : 정공 억제층 305 : 전자 주입층

Claims (23)

  1. 기판 상에 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역으로 정의되며, 하부 전극, 유기막 및 상부 전극의 적층 구조로 이루어지는 다수의 화소를 포함하고,
    상기 청색 및 녹색 발광 영역은 공진 구조로 형성되며, 상기 적색 발광 영역은 비공진 구조로 형성되고,
    상기 적색 발광 영역의 상기 하부 전극은 투명 도전막의 단일층 또는 다중막 구조로만 형성되며, 상기 청색 및 녹색 발광 영역의 상기 하부 전극은 제1 투명 도전막, 반투과 금속막 및 제2 투명 도전막의 적층 구조로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전막은 50 내지 150nm의 두께로 형성되고, 상기 제2 투명 도전막은 10 내지 20nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반투과 금속막은 5 내지 20nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기막은 50 내지 60nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역에 형성되는 유기막은 각각 청색 발광층, 녹색 발광층 및 적색 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기막은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 정공 주입층과 정공 수송층은 19 내지 36nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 적색 발광 영역의 상기 유기막은 상기 적색 발광층의 두께 내지 60nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 발광 영역의 상기 상부 전극 상에 컬러 필터 또는 색변환층이 더 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 합착되며, 상기 적색 발광 영역과 대응되어 형성되는 컬러 필터 또는 색변환층을 포함하는 봉지 기판을 더 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  13. 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역으로 정의되는 다수의 발광 영역을 구비하는 기판;
    상기 청색 및 녹색 발광 영역에 형성되며, 제1 투명 도전막, 반투과 금속막 및 제2 투명 도전막의 적층 구조로 이루어지는 하부 전극;
    상기 적색 발광 영역에 형성되며, 투명 도전막으로 이루어지는 하부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하부 전극들 상에 유기막 및 상부 전극이 더 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전막은 50 내지 150nm의 두께로 형성되고, 상기 제2 투명 도전막은 10 내지 20nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 반투과 금속막은 5 내지 20nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기막은 50 내지 60nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 청색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 적색 발광 영역에 형성되는 유기막은 각각 청색 발광층, 녹색 발광층 및 적색 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유기막은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 정공 주입층과 정공 수송층은 19 내지 36nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 적색 발광 영역의 상기 유기막은 상기 적색 발광층의 두께 내지 60nm의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 적색 발광 영역의 상부 전극 상에 컬러 필터 또는 색변환층이 더 형성되는 유기 전계 발광 표시장치.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판과 합착되며, 상기 적색 발광 영역과 대응되어 형성되는 컬러 필터 또는 색변환층을 포함하는 봉지 기판을 더 포함하는 유기 전계 발광 표시장치.
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