[go: up one dir, main page]

KR101678753B1 - 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기 - Google Patents

대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR101678753B1
KR101678753B1 KR1020147020892A KR20147020892A KR101678753B1 KR 101678753 B1 KR101678753 B1 KR 101678753B1 KR 1020147020892 A KR1020147020892 A KR 1020147020892A KR 20147020892 A KR20147020892 A KR 20147020892A KR 101678753 B1 KR101678753 B1 KR 101678753B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amplifier
doherty power
power amplifier
dpa
peaking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020147020892A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140116439A (ko
Inventor
양. 제이. 양
린타오 에이. 리우
시앙구앙 구오
카이지에 진
정더 에이. 양
치우 에이. 종
Original Assignee
알까뗄 루슨트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN201110458925.7A external-priority patent/CN103187929B/zh
Application filed by 알까뗄 루슨트 filed Critical 알까뗄 루슨트
Publication of KR20140116439A publication Critical patent/KR20140116439A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101678753B1 publication Critical patent/KR101678753B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/04—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
    • H03F1/06—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
    • H03F1/07—Doherty-type amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/36—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising means for increasing the bandwidth
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21139—An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 도허티 전력 증폭기의 새로운 구조를 제공한다. 본 발명은 1/4 파장 선로들의 사용을 감소시키고, 도허티 전력 증폭기의 Q 점을 낮춘다. 본 방법은 더 단순하고 더 편리한 설계에 의해서 DPA 대역폭을 확장하고, 작은 크기의 설계를 용이하게 한다.

Description

대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기{BANDWIDTH-EXTENDED DOHERTY POWER AMPLIFIER}
본 발명은 전력 증폭기에 관한 것인데, 보다 상세하게는, 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기에 관한 것이다.
효율적 DPA(Doherty power amplifier)가 통신 시스템에서 점점 더 인기를 얻고 있다. 그러나, DPA는 매우 협소한 대역폭 및 큰 크기라는 결점들을 갖는다. DPA의 협대역 속성은 주로 협대역 믹서의 협대역 속성으로 인한 것이다. 출력 믹서가 일반적으로 더 높은 Q 점을 갖는 한편, 더 높은 Q 점은 더 좁은 대역폭을 초래한다. 예로서 평형 형(balance-type) DPA에 대해, Q 점은 0.76에 달한다. 그러나, 큰 크기 속성은 DPA 출력 믹서가 두 개의 1/4 파장 선로(λ/4)를 이용한다는 사실에 기인한다. 특히 900MHz 시스템에 대해, PCB 재료로서 로저스의 고주파 인쇄 회로 기판(PCB) 재료 RO4350B를 사용할 때, 1/4 파장 선로의 길이는 약 47mm이다; 따라서, 크기 설계는 그 규모가 축소될 수 없다.
작금에, DPA에 대해 대역폭을 확장하기 위한 방식은 도 1에 도시된 바와 같이 제안되었다. 이 방식에서, 35.3 Ohm의 1/4 파장 선로(101)가 레이아웃상에 도허티 믹서의 1/4 파장 선로를 갖는 미러를 형성하도록 접지된다. DPA가 비교적 낮은 입력 전력으로 작동할 때, 피킹 증폭기(peaking amplifier)가 닫히고, 반송파 증폭기(carrier amplifier)는 고 저항 상태에서(일반적으로 100 Ohm에서) 작동할 것이다. 35.3 Ohm의 1/4 파장 선로(101)를 갖는 DPA에 대해, 저항 산포(resistance dispersion)는 고 임피던스에서 작동하는 반송파 증폭기를 구비한 보통 DPA의 그것보다 더 수렴될 것이다. 그러므로, 대역폭 확장된 DPA의 대역폭은 도 2에 도시된 바와 같이, 대역폭 비확장된 DPA의 그것보다 훨씬 넓을 것이다.
그러나, 요즈음 소형 설계가 유행하고 있다. 상기 방식이 광대역 DPA를 설계하기 위한 아이디어를 제공하기는 하지만, 추가의 35.3 Ohm 1/4 파장 선로는 더 많은 공간을 차지한다. 이는 전력 증폭기의 PCB(printed circuit board) 설계에 대해 문제가 된다.
종래 기술의 상기 단점을 해결하기 위해, 본 발명은 Q 점을 낮추고 1/4 파장 도선들의 사용을 감축하기 위해서 도허티 전력 증폭기의 신규 구조를 제공한다. 본 방법은 더 단순하고 더 편리한 설계에 의해 DPA 대역폭을 확장하고 또한 축소된 크기의 설계를 용이하게 한다.
특정하게는, 본 발명의 일 실시예에 따라 도허티 전력 증폭기가 제공되는데, 이 증폭기는, 도허티 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 입력 전력 분배기 -입력 전력 분배기의 한 출력은 반송파 증폭기에 연결되고, 입력 전력 분배기의 다른 출력은 제1의 1/4 파장 선로에 연결되고, 제1의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결되고, 반송파 증폭기의 한 말단은 제2의 1/4 파장 선로에 연결되고, 제2의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결됨-; 및 도허티 전력 증폭기의 신호 출력 지점으로서 제2의 1/4 파장 선로와 피킹 증폭기 사이의 접합 지점(junction point)을 포함한다.
본 발명의 하나의 양호한 실시예에 따라, 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스
Figure 112014069865597-pct00001
은 하기 수학식에 의해 결정된다.
Figure 112014069865597-pct00002
,
여기서,
Figure 112014069865597-pct00003
는 전력비이다.
본 발명의 하나의 양호한 실시예에 따라, 피킹 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00004
는 하기 수학식에 의해 결정된다:
Figure 112014069865597-pct00005
,
여기서,
Figure 112014069865597-pct00006
는 전력비이다.
본 발명의 하나의 양호한 실시예에 따라, 입력 신호가 낮을 때, 피킹 증폭기는 닫히고, 반송파 증폭기는 고 임피던스 상태로 작동하고, 여기서 반송파 증폭기의 임피던스는 하기 수학식에 의해 결정된다:
Figure 112014069865597-pct00007
,
여기서,
Figure 112014069865597-pct00008
는 전력비이다.
본 발명의 기타 목적 및 효과는 본 발명의 더 철저한 이해를 위해 첨부 도면과 연계하여 취해진 하기 설명을 통해 더 명확해지고 이해하기에 쉬워질 것이다.
도 1a 및 도 1b는 제각기 기존의 대역폭 확장된 DPA의 원리 다이어그램 및 레이아웃 다이어그램를 보여준다.
도 2a 및 도 2b는 제각기 기존 대역폭 확장된 DPA의 임피던스 산포 특성 및 대역폭을 보여준다.
도 3a 및 도 3b는 제각기 본 발명의 실시예에 따른 대역폭 확장된 DPA의 원리 다이어그램 및 레이아웃 다이어그램을 보여준다.
도 4a 및 도 4b는 제각기 본 발명의 실시예에 따른 대역폭 확장된 DPA의 임피던스 산포 특성 및 대역폭을 보여준다.
도 5는 대역폭 확장된 DPA가 소 신호 입력에서 작동할 때 본 발명의 일 실시예에 따른 대역폭 확장된 DPA의 등가 회로 다이어그램을 보여준다.
도 6은 대역폭 확장된 DPA가 대 신호 입력에서 작동할 때 본 발명의 실시예에 따른 대역폭 확장된 DPA의 등가 회로 다이어그램를 보여준다.
도 7은 MD7IC2755NR1을 이용하는 평형 형 DPA에서 채택된 전통적 방식과 본 발명의 해결책 사이의 성능 비교를 보여준다.
도 8은 MRF8S21120HR3 및 MRF8S21201HR3을 이용하는 비평형 형 DPA에서 채택된 전통적 설계와 본 발명의 해결책 사이의 성능 비교를 보여준다.
이상의 첨부 도면들 전부에서, 유사한 참조 번호들은 동일하거나, 유사하거나 대응하는 특징들 또는 기능들을 가리킨다.
본 발명의 실시예들이 첨부 도면들을 참조하여 상세히 기술된다.
본 발명의 대역폭 확장된 DPA 설계에서, 1/4 파장 선로들의 사용이 감소된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기는, 도허티 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 입력 전력 분배기 -입력 전력 분배기의 한 출력은 반송파 증폭기에 연결되고, 입력 전력 분배기의 다른 출력은 제1의 1/4 파장 선로에 연결되고, 제1의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결되고, 반송파 증폭기의 한 말단은 제2의 1/4 파장 선로에 연결되고, 제2의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결됨-; 및 도허티 전력 증폭기의 신호 출력 지점으로서 제2의 1/4 파장 선로와 피킹 증폭기 사이의 접합 지점을 포함한다.
본 발명에서, 제2의 1/4 파장 선로(201)의 특성 임피던스
Figure 112014069865597-pct00009
및 피킹 증폭기(202)의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00010
가 결정되어야 한다.
제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스
Figure 112014069865597-pct00011
는 하기 수학식에 의해 결정된다:
Figure 112014069865597-pct00012
여기서,
Figure 112014069865597-pct00013
는 DPA의 전력비이다.
피킹 증폭기(202)의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00014
는 하기 수학식에 의해 결정된다:
Figure 112014069865597-pct00015
여기서
Figure 112014069865597-pct00016
는 DPA의 전력비이다.
전력비 1:1을 갖는 평형 형 DPA에 대해,
Figure 112014069865597-pct00017
=1,
Figure 112014069865597-pct00018
는 70.7 Ohm이고, 피킹 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00019
는 100 Ohm에 매칭된다. 전력비 1:2를 갖는 비평형 형 DPA에 대해, =2,
Figure 112014069865597-pct00021
는 86.6 Ohm이고, DPA의 피킹 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00022
는 75 Ohm이다.
입력 신호가 낮을 때 피킹 증폭기는 닫힌다.
이 시점에서, 반송파 증폭기는 도 5a에 도시된 대로 고 임피던스 상태에서 작동한다.
반송파 증폭기의 임피던스
Figure 112014069865597-pct00023
는 하기와 같이 계산된다:
Figure 112014069865597-pct00024
여기서
Figure 112014069865597-pct00025
는 DPA의 전력비이다.
전력비 1:1을 갖는 평형 형 DPA에 대해, 반송파 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00026
는 100 Ohm인 한편, 전력비 1:2를 갖는 비평형 형 DPA에 대해 반송파 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00027
는 150 Ohm이다.
입력 신호가 매우 클 때, 피킹 증폭기는 포화 상태에 도달할 것이고, 피킹 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00028
는 수학식 2에 보여진 바와 같다.
이 시점에서, 반송파 증폭기의 부하 임피던스는 50 Ohm이다. 제2의 1/4 파장 선로(201)를 통한 임피던스는
Figure 112014069865597-pct00029
Ohm으로 변환되고, 및 도 6에 도시된 대로 피킹 증폭기의 부하 임피던스
Figure 112014069865597-pct00030
, 즉 50 Ohm과 병렬로 연결된다.
입력 신호가 소 신호로부터 대 신호로 스위칭될 때, 반송파 증폭기의 부하 임피던스는 50 Ohm으로 축소되고, 피킹 증폭기의 부하 임피던스는
Figure 112014069865597-pct00031
로 축소된다.
이런 본 발명의 설계는 피킹 증폭기(202)의 특성 임피던스 및 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스를 수정하여, DPA 믹서의 임피던스가 50 Ohm에 유지되도록 한다. 믹서의 임피던스가 50 Ohm까지 상승하기 때문에, 입력 신호가 상대적으로 작고 피킹 증폭기가 작동하지 않을 때, 제2의 1/4 파장 선로(201)의 임피던스는 25 Ohm 대신에 50 Ohm으로부터 고 임피던스(일반적으로 100 Ohm)로 변환된다. 이런 방식으로, 도허티 믹서의 Q 점은 성공적으로 낮춰질 수 있다. 예를 들어, 평형 형 DPA에 대해 본 발명을 적용함으로써, Q 점은 0.33까지 낮춰질 수 있는 반면, 보통의 종래의 평형 형 DPA의 Q 점은 0.76이다.
도 4에 도시된 대로, 본 발명에 따른 새로운 대역폭 확장된 DPA의 임피던스 산포 특성 및 대역폭은 전통적 DPA의 것들에 대해 모두 우월하다. 또한, 믹서의 회로부는 하나의 1/4 파장 선로를 채택할 뿐이다. 그러므로, 더 작은 크기가 도 4b에 도시된 대로 달성된다. 다시 말하면, 본 발명을 적용함으로써, DPA의 출력 믹서는 하나의 1/4 파장 선로를 사용할 뿐인데, 이는 Q 값을 낮추고 또한 대역폭 확장과 크기 소형화라는 기술적 효과를 달성할 수 있게 한다.
또한, 본 발명은 전통적 해결책과 본 발명의 해결책의 기술적 효과들 사이의 비교를 제공한다.
도 7에 도시된 대로, MD7IC2755NR1 전력 증폭기를 이용하는 평형 형 DPA에서 전통적 해결책과 본원 발명 해결책을 적용하는 것 사이의 성능 비교는, 본 발명을 적용함으로써 DAP 드레인 효율이 전통적 설계와 비교하여 6% 향상될 수 있고, 드레인 효율 및 피킹 전력이 200 MHz의 대역폭 내에서 모두 매끄럽다는 것을 보여준다. 도 8에 도시된 대로, MRF8S21120HR3 및 MRF8S21201HR3 전력 증폭기를 이용하는 비평형 형 DPA에서 전통적 해결책과 본원 발명 해결책을 적용하는 것 사이의 성능 비교는, 본원 발명의 대역폭 확장된 DPA는 전통적 설계를 넘어서는 더 매끄러운 드레인 효율성 및 피킹 효율성을 획득할 수 있다는 것을 보여준다. 상기 MD7IC2755NR1, MRF8S21120HR3 및 MRF8S21201HR3는 전력 증폭기 장치의 모델들이다.
본원 발명은 LTE, WCDMA, WiMAX, 기타 등등을 포함하여, 임의의 시스템을 위한 전력 증폭기 설계에 적용될 수 있다.
변형들 및 변경들이 본 발명의 개념으로부터 벗어나지 않고서 본 발명의 제각기 실시예들에 대해 이루어질 수 있다는 것을 상기 기술로부터 이해해야 한다. 본 명세서의 기술은 예시적인 것이고, 제한하고자 하는 의도는 없다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (4)

  1. 삭제
  2. 도허티 전력 증폭기로서,
    상기 도허티 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 입력 전력 분배기 - 상기 입력 전력 분배기의 한 출력은 반송파 증폭기에 연결되고, 상기 입력 전력 분배기의 다른 출력은 제1의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제1의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결되고, 상기 반송파 증폭기의 한 말단은 제2의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제2의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 상기 피킹 증폭기에 연결됨 -; 및
    상기 도허티 전력 증폭기의 신호 출력 지점으로서 상기 제2의 1/4 파장 선로와 상기 피킹 증폭기 사이의 접합 지점을 포함하고,
    상기 접합 지점에 믹서가 배열되고,
    상기 도허티 전력 증폭기는 상기 피킹 증폭기의 특성 임피던스 및 상기 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스를 수정하여 상기 믹서의 임피던스가 일정한 값으로 유지되도록 구성되고, 상기 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스
    Figure 112016062353213-pct00032
    은,
    Figure 112016062353213-pct00033

    에 의해 결정되고,
    여기서,
    Figure 112016062353213-pct00034
    는 전력비인 도허티 전력 증폭기.
  3. 도허티 전력 증폭기로서,
    상기 도허티 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 입력 전력 분배기 - 상기 입력 전력 분배기의 한 출력은 반송파 증폭기에 연결되고, 상기 입력 전력 분배기의 다른 출력은 제1의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제1의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결되고, 상기 반송파 증폭기의 한 말단은 제2의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제2의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 상기 피킹 증폭기에 연결됨 -; 및
    상기 도허티 전력 증폭기의 신호 출력 지점으로서 상기 제2의 1/4 파장 선로와 상기 피킹 증폭기 사이의 접합 지점을 포함하고,
    상기 접합 지점에 믹서가 배열되고,
    상기 도허티 전력 증폭기는 상기 피킹 증폭기의 특성 임피던스 및 상기 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스를 수정하여 상기 믹서의 임피던스가 일정한 값으로 유지되도록 구성되고, 상기 피킹 증폭기의 부하 임피던스
    Figure 112016062353213-pct00035
    는,
    Figure 112016062353213-pct00036

    에 의해 결정되고,
    여기서,
    Figure 112016062353213-pct00037
    는 전력비인 도허티 전력 증폭기.
  4. 도허티 전력 증폭기로서,
    상기 도허티 전력 증폭기의 입력 신호가 입력되는 입력 전력 분배기 - 상기 입력 전력 분배기의 한 출력은 반송파 증폭기에 연결되고, 상기 입력 전력 분배기의 다른 출력은 제1의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제1의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 피킹 증폭기에 연결되고, 상기 반송파 증폭기의 한 말단은 제2의 1/4 파장 선로에 연결되고, 상기 제2의 1/4 파장 선로의 다른 말단은 상기 피킹 증폭기에 연결됨 -; 및
    상기 도허티 전력 증폭기의 신호 출력 지점으로서 상기 제2의 1/4 파장 선로와 상기 피킹 증폭기 사이의 접합 지점을 포함하고,
    상기 접합 지점에 믹서가 배열되고,
    상기 도허티 전력 증폭기는 상기 피킹 증폭기의 특성 임피던스 및 상기 제2의 1/4 파장 선로의 특성 임피던스를 수정하여 상기 믹서의 임피던스가 일정한 값으로 유지되도록 구성되고, 상기 입력 신호가 작을 때, 상기 피킹 증폭기는 닫히고, 상기 반송파 증폭기는 고 임피던스 상태로 작동하고, 상기 반송파 증폭기의 임피던스는,
    Figure 112016062353213-pct00038

    에 의해 결정되고,
    여기서,
    Figure 112016062353213-pct00039
    는 전력비인 도허티 전력 증폭기.
KR1020147020892A 2011-12-29 2012-12-12 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기 Active KR101678753B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110458925.7A CN103187929B (zh) 2011-12-29 带宽扩展的多尔蒂功率放大器
CN201110458925.7 2011-12-29
PCT/IB2012/002864 WO2013098639A1 (en) 2011-12-29 2012-12-12 Bandwidth-extended doherty power amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140116439A KR20140116439A (ko) 2014-10-02
KR101678753B1 true KR101678753B1 (ko) 2016-11-23

Family

ID=47989307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147020892A Active KR101678753B1 (ko) 2011-12-29 2012-12-12 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9450543B2 (ko)
EP (1) EP2798735B1 (ko)
JP (1) JP2015506615A (ko)
KR (1) KR101678753B1 (ko)
WO (1) WO2013098639A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110291717B (zh) 2017-02-17 2023-04-04 新唐科技日本株式会社 高频放大器
US10033335B1 (en) 2017-05-08 2018-07-24 City University Of Hong Kong Doherty power amplifier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035396A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Panasonic Corporation Appareil d'amplification de puissance

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480496B1 (ko) 2002-11-18 2005-04-07 학교법인 포항공과대학교 도허티 증폭기를 이용한 신호 증폭 장치
JP2004221646A (ja) 2003-01-09 2004-08-05 Nec Corp ドハ−ティ増幅器
JP2004222151A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Nec Corp ドハーティ増幅器
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
JP2006166141A (ja) 2004-12-08 2006-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドハティ増幅器
KR20060077818A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 학교법인 포항공과대학교 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치
JP4792273B2 (ja) * 2005-10-18 2011-10-12 株式会社日立国際電気 増幅器
WO2008136080A1 (ja) * 2007-04-20 2008-11-13 Fujitsu Limited 増幅装置
CN101836357A (zh) 2007-11-21 2010-09-15 富士通株式会社 功率放大器
KR20090071834A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 성균관대학교산학협력단 고조파 동조를 이용한 도허티 증폭기
KR100905948B1 (ko) * 2008-08-28 2009-07-06 (주)카이로넷 도허티 증폭기 및 이를 포함하는 신호 증폭 시스템, 신호 증폭 방법
JP2010226249A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 増幅装置
KR101709347B1 (ko) * 2009-12-16 2017-03-09 삼성전자주식회사 결합셀 도허티 전력 증폭 장치 및 방법
KR101091971B1 (ko) * 2010-06-01 2011-12-09 포항공과대학교 산학협력단 이중 도허티 전력증폭기
JP5483581B2 (ja) * 2010-07-20 2014-05-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 ドハティ増幅器および半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035396A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Panasonic Corporation Appareil d'amplification de puissance

Also Published As

Publication number Publication date
EP2798735A1 (en) 2014-11-05
KR20140116439A (ko) 2014-10-02
JP2015506615A (ja) 2015-03-02
WO2013098639A1 (en) 2013-07-04
EP2798735B1 (en) 2017-07-05
CN103187929A (zh) 2013-07-03
US20140347134A1 (en) 2014-11-27
US9450543B2 (en) 2016-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109672411B (zh) 一种适用于5G低频段全频段的非对称宽带Doherty功率放大器
US20240048103A1 (en) Symmetrical doherty power amplifier having improved efficiency
CN107231131B (zh) 一种可增大功率回退范围的多赫尔蒂功率放大器
JP5603893B2 (ja) 高周波半導体増幅器
CN109728783B (zh) 一种多赫蒂功率放大电路、功率放大器、终端及基站
WO2019069115A1 (en) HIGH PERFORMANCE POWER AMPLIFIER WITHOUT CHARGE MODULATION
CN105391417B (zh) 梯型滤波器以及双工器
WO2018142178A1 (en) 90-degree lumped and distributed doherty impedance inverter
CN107508560B (zh) 一种增强带宽性能的Doherty功率放大器及其实现方法
KR101678753B1 (ko) 대역폭 확장된 도허티 전력 증폭기
Watanabe et al. A broadband Doherty power amplifier without a quarter-wave impedance inverting network
Piazzon et al. A method for designing broadband Doherty power amplifiers
US20170373646A1 (en) Power Amplification Device
JP4643666B2 (ja) ２次高調波抑圧フィルタ
EP2117070A1 (en) Microwave device, high frequency device and high frequency apparatus
CN204130697U (zh) 一种用于无线终端的pcb天线
CN204407514U (zh) 基于可调匹配电路的手机天线
KR102224203B1 (ko) IMFET를 이용한 광대역 Class-J 전력증폭기
JP6523108B2 (ja) 高周波半導体増幅器
Greene et al. Design of a broadband L-band 160 W GaN power amplifier using SMT packaged transistors
JP5921823B2 (ja) 高調波抑圧回路
KR101654927B1 (ko) 광대역 도허티 전력 증폭기
CN103187929B (zh) 带宽扩展的多尔蒂功率放大器
JP4641285B2 (ja) マイクロ波増幅器
Narendra et al. PHEMT Distributed Power Amplifier Adopting Broadband Impedance Transformer.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20140724

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150828

Patent event code: PE09021S01D

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20160428

Patent event code: PE09021S02D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20161006

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20161116

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20161116

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191016

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191016

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201015

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211015

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221017

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231004

Start annual number: 8

End annual number: 8