KR101645142B1 - 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 231
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 83
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Images
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
도 2는 투영 노광 장치의 결상 광학 시스템의 실시예의 자오 단면도이다.
도 3은 도 2를 따르는 결상 광학 시스템의 물체 필드의 확대도이다.
도 4는 선택된 필드점들의 결상 광선을 관통한, 그리고 그 물체면의 영역 내에서 도 2를 따르는 결상 광학 시스템의 광축을 관통한 단면이다.
도 5는 도 2의 평면(V-V)를 관통하는 도 4를 따르는 결상 광선들을 관통하는 단면이다.
도 6은 도 2의 평면(VI-VI)를 관통하는, 도 4를 따르는 결상 광선들을 관통하는 단면이다.
도 7은 도 2를 따르는 결상 광학 시스템에서, 구조 이미지의 부분적으로 일관된 공간 영상(aerial image) 계산의 결과를, 결상 광선들의 상대 강도를 결상 광학 시스템의 이미지 필드 내의 변위의 함수로서 보여주는 다이어그램의 형태로 도시한다.
도 8은 도 7과 비교하여 더 작은 구조적인 두께를 갖는 구조 이미지의 부분적으로 일관된 공간 영상 계산의 결과의 도 7과 유사한 도면이다.
도 9는 도 1을 따르는 투영 노광 장치를 위한 결상 광학 시스템의 다른 실시예의 도 2와 유사한 도면이다.
도 10은 도 9를 따르는 결상 광학 시스템의 선택된 필드점들의 결상 광선들의 투과점들의 도 4와 유사한 도면이다.
도 11은 도 9에서 평면(XI-XI)을 관통하는 도 10을 따르는 결상 광선들을 관통하는 단면도이다.
도 12는 도 9에서 평면(XII-XII)를 관통하는 도 10을 따르는 결상 광선들을 관통하는 단면도이다.
도 13은 도 1을 따르는 투영 노광 장치를 위한 결상 광학 시스템의 또 다른 실시예의 도 2와 유사한 도해이다.
도 14는 도 1을 따르는 투영 노광 장치를 위한 결상 광학 시스템의 또 다른 실시예의 도 2와 유사한 도해이고,
도 15 및 도 16은 위에서 도시된 실시예들과 비교하여, 물체측 상에 차폐되지 않은 다른 미러 그룹들에 의해 연장되는 결상 광학 시스템을 통하는 결상 광경로들을 도식화한다.
Claims (20)
- 물체면(5)의 물체 필드(4)를 이미지면(9)의 이미지 필드(8)로 결상하는, 다수의 미러들(M1 내지 M6;M1 내지 M8;M1 내지 M10)을 갖는 결상 광학 시스템(7)으로서,
-상기 결상 광학 시스템(7)의 비 차폐 미러들(M1,M2;M1 내지 M4;M1 내지 M6) 사이의 광경로 내의 결상 광선들(15)이, 물체면(5)에 평행하게 그리고/또는 이미지면(9)에 평행하게 배치되는 이격된 평면들 사이에 적어도 하나의 다중 패스-스루 영역(61;62,63;67,68,69)을 수회 통과하고,
-적어도 하나의 동공면(17,23;66,17,23;76,77,78,17)을 구비하며,
모든 동공면들(17,23;66,17,23;76,77,78,17)이 상기 비 차폐 미러들(M1,M2;M1 내지 M4;M1 내지 M6) 사이의 상기 다중 패스-스루 영역들(61;62,63;67,68,69) 외부에 배치되며,
다수의 비 차폐 미러 그룹들(64,65;72 내지 75) 사이에서, 각 경우에 하나의 동공면(66;76 내지 78)이 결상 광경로 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 물체 필드(4)는,
-동일한 반경(R)을 갖고 거리(YS)만큼 서로 평행하게 변위되는 2개의 분도원들(27,28);
-양쪽 분도원들(27,28)의 2개의 단부들을 각각 연결하는 2개의 경계선들(29,30)에 의해 한정되는 원호 필드의 형상을 갖고,
상기 원호 필드(4)의 방위각(α)이 75°보다 큰 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 물체면(5)의 물체 필드(4)를 이미지면(9)의 이미지 필드(8)로 결상하는, 다수의 미러들(M1 내지 M6;M1 내지 M8;M1 내지 M10)을 갖는 결상 광학 시스템(7)으로서,
-광축(18)을 구비하고;
-상기 결상 광학 시스템의 경계면들의 다음의 유형의 사이들 중 하나의 사이에 공간적으로 배치되는 적어도 하나의 비 차폐 미러 그룹(19;64,65;72 내지 75)을 구비하는 것인 결상 광학 시스템.
--필드면(5)과, 그 직하류에 배치되는 동공면(17;66)의 사이
--제 1 동공면(66)과, 그 직하류 측에 배치되는 제 2 동공면(17)의 사이
- 청구항 3에 있어서,
상기 비 차폐 미러 그룹(19;64,65;72 내지 75)은, 결상광의 빔 경로내에 연속적으로 배치된 비 차폐 미러들(M1,M2;M1 내지 M4;M1,M2;M3 내지 M6,M1,M2;M3,M4;M5,M6;M7,M8)을 갖는 결상 광학 시스템.
- 청구항 3에 있어서,
중앙 물체 필드점으로부터 진행하고, 상기 결상 광학 시스템(7)의 동공면들(17;66) 내의 동공들의 중심을 통과하는 주광선(16)이,
-광축(18)이 놓이고;
-중앙 물체 필드점으로부터 광축(18)까지의 법선(26)에 수직인;
주 분리면(25)을 투과하지 않도록,
상기 결상 광학 시스템(7)의 적어도 하나의 비 차폐 미러 그룹(19;64,65;72 내지 75)의 미러들(M1,M2;M1 내지 M4;M1,M2,M3 내지 M6) 사이의 자오 단면 내에서 진행하는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 5에 있어서,
중앙 동공 차폐, 즉 결상 광선들(15)의 통과가 가능한 다른 영역에 의하여 둘러싸이는 동공면(17) 영역을 결상 광선들(15)이 통과하지 못하도록 하는 배치를 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
상기 물체 필드(4) 및 상기 이미지 필드(8)가 광축(18)으로부터 거리를 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
-비 차폐 미러들(M1,M2) 사이의 광경로에서는, 물체면(5)에 평행하게 그리고/또는 이미지면(9)에 평행하게 배치되는 이격된 평면들 사이에 적어도 하나의 다중 패스-스루 영역(61)을 결상 광선들(15)이 수회 통과하고,
-자오 단면에서는, 상기 다중 패스-스루 영역(61)을 한정하는 이 평면들 사이의 주 분리면(25)을 결상 광선들이 통과하지 않는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
원호 필드(4)의 방위각(α)이 75°보다 큰 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
적어도 4개의 미러들(M1 내지 M6)을 포함하고 그 중 적어도 2개의 미러들(M1,M2)이 비 차폐되고, 상기 비 차폐 미러들 중 하나의 비 차폐 미러(M2)가 구형 미러인 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 삭제
- 청구항 1 내지 청구항 6 및 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
결상광(3)이 통과하도록 하는 관통-개구(20)를 갖는 적어도 하나의 차폐된 미러(M3 내지 M6;M5 내지 M8;M7 내지 M10)를 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 12에 있어서,
상기 결상 광학 시스템(7)이 정확히 6개의 미러들(M1 내지 M6)을 구비하고 그 중 적어도 3개의 미러들이 차폐되는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 13에 있어서,
상기 결상 광학 시스템(7)이 정확히 8개의 미러들(M1 내지 M8)을 구비하고 그 중 적어도 3개의 미러들이 차폐되는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 청구항 13에 있어서,
상기 결상 광학 시스템(7)이 정확히 10개의 미러들(M1 내지 M10)을 구비하고 그 중 적어도 3개의 미러들이 차폐되는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- 물체면(5)의 물체 필드(4)를 이미지면(9)의 이미지 필드(8)로 결상하는 다수의 미러들(M1 내지 M6;M1 내지 M8;M1 내지 M10)을 갖는 결상 광학 시스템(7)으로서,
-상기 결상 광학 시스템(7)의 비 차페 미러들(M1,M2;M1 내지 M4;M1 내지 M6) 사이의 광경로내의 결상 광선들(15)이, 물체면(5)에 평행하게 그리고/또는 이미지면(9)에 평행하게 배치되는 이격된 평면들 사이에 적어도 하나의 다중 패스-스루 영역(61;62,63;67,68,69)을 수회 통과하고,
상기 다중 패스-스루 영역들(61;62,63;67,68,69)에서의 상기 이격된 평면들 상의 결상 광경로의 단면들이,
-아치형이고,
-동일 방향으로 굽어져 있으며,
-겹치지 않는 것을 특징으로 하는 결상 광학 시스템.
- -청구항 1 내지 청구항 6, 청구항 10 및 청구항 16 중 어느 한 항에 기재된 결상 광학 시스템(17);
-조명 및 결상광(3)을 위한 광원(2);
-조명광(3)을 결상 광학 시스템(7)의 물체 필드(4)로 안내하기 위한 조명 광학계(6)를 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.
- 청구항 17에 있어서,
조명광(3)을 발생시키기 위한 상기 광원(2)은 5 와 30nm 사이의 파장으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
- -레티클(10) 및 웨이퍼(11)를 제공하는 단계,
-청구항 17에 기재된 투영 노광 장치에 의하여 레티클(10) 상의 구조를 웨이퍼(11)의 감광층에 투영하는 단계,
-웨이퍼(11) 상에 미세구조를 제조하는 단계를 포함하는 미세구조 요소의 제조 방법.
- 청구항 19에 기재된 방법에 의해 제조되는 미세구조 요소.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007051668.3 | 2007-10-26 | ||
DE102007051668 | 2007-10-26 | ||
PCT/EP2008/008886 WO2009053023A2 (en) | 2007-10-26 | 2008-10-21 | Imaging optical system and projection exposure apparatus for microlithography comprising an imaging optical system of this type |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107010270A Division KR101542272B1 (ko) | 2007-10-26 | 2008-10-21 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150024896A KR20150024896A (ko) | 2015-03-09 |
KR101645142B1 true KR101645142B1 (ko) | 2016-08-02 |
Family
ID=40254400
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107010270A Active KR101542272B1 (ko) | 2007-10-26 | 2008-10-21 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
KR1020157001537A Active KR101645142B1 (ko) | 2007-10-26 | 2008-10-21 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107010270A Active KR101542272B1 (ko) | 2007-10-26 | 2008-10-21 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8717538B2 (ko) |
JP (2) | JP5902884B2 (ko) |
KR (2) | KR101542272B1 (ko) |
DE (1) | DE102008043162A1 (ko) |
WO (1) | WO2009053023A2 (ko) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102819197B (zh) | 2007-10-26 | 2016-06-22 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统、投射曝光设备、微结构部件及其产生方法 |
DE102007051671A1 (de) | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102009046685A1 (de) | 2009-11-13 | 2011-05-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102011083888A1 (de) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik |
DE102012208793A1 (de) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
US10261296B1 (en) * | 2014-08-29 | 2019-04-16 | Wavefront Research, Inc. | Telecentric reflective imager |
CN106169178B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-01-11 | 北京大学 | 一种改善镜头渐晕的方法 |
DE102017205130A1 (de) | 2017-03-27 | 2017-07-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017207542A1 (de) | 2017-05-04 | 2017-06-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017210269A1 (de) | 2017-06-20 | 2017-08-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
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TWI812626B (zh) | 2017-07-26 | 2023-08-21 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 投射微影中用於成像光之光束導引的光學元件 |
DE102018200152A1 (de) | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie |
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2008
- 2008-10-21 JP JP2010530321A patent/JP5902884B2/ja active Active
- 2008-10-21 WO PCT/EP2008/008886 patent/WO2009053023A2/en active Application Filing
- 2008-10-21 KR KR1020107010270A patent/KR101542272B1/ko active Active
- 2008-10-21 KR KR1020157001537A patent/KR101645142B1/ko active Active
- 2008-10-24 DE DE102008043162A patent/DE102008043162A1/de not_active Withdrawn
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JP6146918B2 (ja) | 2017-06-14 |
WO2009053023A2 (en) | 2009-04-30 |
KR20100084652A (ko) | 2010-07-27 |
US8717538B2 (en) | 2014-05-06 |
WO2009053023A3 (en) | 2009-07-09 |
KR20150024896A (ko) | 2015-03-09 |
US20100231886A1 (en) | 2010-09-16 |
DE102008043162A1 (de) | 2009-04-30 |
KR101542272B1 (ko) | 2015-08-06 |
JP2011501448A (ja) | 2011-01-06 |
JP2014167655A (ja) | 2014-09-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20150120 Application number text: 1020107010270 Filing date: 20100510 |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150128 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20150414 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20160127 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20150414 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20160414 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20160127 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Appeal identifier: 2016101002214 Request date: 20160414 |
|
PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20160414 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20160414 Patent event code: PB09011R01I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20151013 Patent event code: PB09011R02I |
|
B701 | Decision to grant | ||
PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
Patent event date: 20160527 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PB07012S01D Patent event date: 20160517 Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial Patent event code: PB07011S01I |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20160727 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20160727 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190718 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190718 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200716 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240718 Start annual number: 9 End annual number: 9 |