KR101560378B1

KR101560378B1 - Laser Processing Apparatus and Method

Info

Publication number: KR101560378B1
Application number: KR1020140052456A
Authority: KR
Inventors: 김준래; 이근행; 지영수
Original assignee: 참엔지니어링(주)
Priority date: 2014-04-30
Filing date: 2014-04-30
Publication date: 2015-10-20
Anticipated expiration: 2034-04-30
Also published as: JP6423294B2; TW201541771A; JP2015211982A; TWI553981B; CN105014245A; CN105014245B

Abstract

The present invention relates to a laser processing device and a processing method thereof. The laser processing device comprise: a laser unit for generating and dividing a laser beam; a scanner unit providing a route through which the laser beam passes, and equipped with a plurality of scanners for adjusting a traveling direction of the laser beam; a guide unit for selectively guiding the divided laser beams to the scanners, and arranged between the laser unit and the scanner unit; an irradiation unit for irradiating the laser beam, which has passed the scanner unit, to a substrate; and a photographing unit for photographing the substrate. Accordingly, the substrate can be monitored and the wavelength of a laser can be selectively used.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] LASER PROCESSING APPARATUS AND METHOD [

본 발명은 레이저 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 모니터링할 수 있고, 레이저의 파장을 선택적으로 사용할 수 있는 레이저 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and a processing method, and more particularly, to a laser processing apparatus and a processing method capable of monitoring a substrate and selectively using the wavelength of the laser.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 또는 액정디스플레이(LCD) 등 평판 디스플레이에는 회로 등의 다양한 패턴이 형성된다. 예를 들어, 평판 디스플레이는 어레이 기판과, 대향 기판, 액정층 등으로 구성되는데, 이 중 어레이 기판에는 매트릭스 형상으로 배열되는 복수의 화소 전극, 복수의 화소 전극의 행을 따라 배치되는 복수의 주사선과 열을 따라 배치되는 복수의 신호선이 형성된다.In general, various patterns such as circuits are formed on a flat panel display such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display (LCD). For example, a flat panel display is composed of an array substrate, an opposing substrate, a liquid crystal layer, and the like. In the array substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, a plurality of scanning lines arranged along a row of the plurality of pixel electrodes, A plurality of signal lines arranged along the column are formed.

한편, 어레이 기판의 제조 과정에서 전기적 신호선이 중첩되는 등 결함이 발생할 수 있는데, 결함이 발생하면 올바른 화상을 형성할 수 없다. 따라서, 중첩된 신호선을 절단하여 상호 중첩되지 않도록 하여야 하는데, 이 과정을 '리페어'라고 한다.On the other hand, in the manufacturing process of the array substrate, defects such as overlapping of electric signal lines may occur. If a defect occurs, a correct image can not be formed. Therefore, the overlapping signal lines are cut so that they do not overlap with each other. This process is called repair.

종래의 리페어 장치는 결함을 발견하는 경우에 기판을 스테이지에 안착시키고, 외부의 검사 장치에 의해 입력된 결함 영역 정보에 따라 기판 상에 레이저 빔을 조사하여 결함 영역의 일정 부분을 절단하면서 리페어 작업을 수행하였다. 그런 다음, 작업자가 별도의 이미지 유닛을 통해 리페어된 영역을 확인하였다.A conventional repair apparatus places a substrate on a stage when a defect is found and irradiates a laser beam onto the substrate in accordance with the defective area information input by an external inspection apparatus to cut a certain portion of the defective area to perform a repair operation Respectively. The operator then confirmed the repaired area through a separate image unit.

그러나 종래의 경우 작업자가 리페어 작업 후에야 기판의 리페어된 영역을 확인할 수 있기 때문에, 리페어 장치가 결함이 없는 영역을 잘못 리페어할 때 이를 즉각적으로 확인할 수 없어 신속하게 조처를 취하기가 어렵다. 또한, 리페어 작업을 수행하기 위해서는 기판 또는 기판 상 패턴의 재질에 따라 파장이 다른 레이저 빔을 사용해야 한다. 따라서, 종래의 리페어 장치를 이용할 경우 파장이 다른 레이저 빔들을 선택적으로 사용할 수 없어 리페어 작업을 수행할 수 있는 기판 또는 기판의 패턴이 한정될 수 있다. However, in the conventional case, since the operator can confirm the repaired area of the substrate only after the repair work, it is difficult to promptly take measures to repair the defective area when the repairer fails to repair the defective area immediately. Further, in order to perform the repair work, a laser beam having a different wavelength should be used depending on the material of the substrate or the pattern on the substrate. Therefore, when using a conventional repair apparatus, laser beams having different wavelengths can not be selectively used, so that a pattern of a substrate or a substrate capable of performing a repair operation can be limited.

한국공개특허공보 2013-0034474Korean Patent Publication No. 2013-0034474

본 발명은 레이저의 파장을 선택적으로 사용할 수 있는 레이저 처리장치 및 처리방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus and a processing method that can selectively use the wavelength of a laser.

본 발명은 기판을 실시간으로 모니터링할 수 있는 레이저 처리장치 및 처리방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus and a processing method capable of monitoring a substrate in real time.

본 발명은 기판에 대한 정밀한 작업을 수행할 수 있고 작업의 효율을 향상시킬 수 있는 레이저 처리장치 및 처리방법을 제공한다.The present invention provides a laser processing apparatus and a processing method capable of performing precise work on a substrate and improving work efficiency.

본 발명은 기판을 처리하는 레이저 장치로서, 레이저 빔을 발생시키고 상기 레이저 빔을 분기하는 레이저부와, 상기 레이저 빔의 진행방향을 조절하는 복수개의 스캐너를 구비하고 상기 레이저 빔의 통과하는 경로를 제공하는 스캐너부, 상기 레이저부와 상기 스캐너부 사이에 배치되고 분기된 레이저 빔들을 선택적으로 상기 스캐너로 안내하는 안내부, 상기 스캐너부를 통과한 레이저 빔을 상기 기판에 조사하는 조사부, 및 상기 기판을 촬영하는 촬영부를 포함한다.The present invention provides a laser apparatus for processing a substrate, comprising: a laser unit for generating a laser beam and for branching the laser beam; and a plurality of scanners for adjusting the traveling direction of the laser beam, A guide portion for guiding the branched laser beams selectively to the scanner, an irradiating portion for irradiating the substrate with the laser beam passed through the scanner portion, and an irradiation portion for irradiating the substrate with the laser beam, And the like.

상기 스캐너부는, 상기 레이저 빔 중 적어도 일부 파장의 레이저 빔 진행방향을 조절하는 제1 스캐너와, 상기 제1 스캐너에 의해 진행방향이 조절되는 레이저 빔과 파장이 다른 레이저 빔의 진행방향을 조절하는 제2 스캐너를 포함한다.The scanner unit includes a first scanner for adjusting a laser beam traveling direction of at least a part of the laser beam, a second scanner for adjusting a traveling direction of the laser beam having a different wavelength from the laser beam whose traveling direction is controlled by the first scanner, 2 scanner.

상기 제1 스캐너 또는 상기 제2 스캐너 중 적어도 어느 하나는 파장이 다른 복수 파장 레이저 빔들의 진행방향을 조절한다.At least one of the first scanner and the second scanner adjusts the traveling direction of the plurality of wavelength laser beams having different wavelengths.

상기 안내부는 상기 레이저 빔이 분기되는 개수만큼 구비되고 상기 레이저 빔의 이동경로를 개폐하는 차단기와, 상기 차단기와 상기 제1 스캐너 사이 및 상기 차단기와 상기 제2 스캐너 사이에 구비되고 상기 차단기를 통과한 레이저 빔을 상기 스캐너로 안내하는 레이저 미러를 포함한다.Wherein the guide unit is provided for the number of times the laser beam is branched and opens and closes the path of movement of the laser beam, and a guide unit which is provided between the breaker and the first scanner and between the breaker and the second scanner, And a laser mirror for guiding the laser beam to the scanner.

상기 조사부는 상기 레이저 빔을 상기 기판에 포커싱시키는 대물렌즈를 포함한다.The irradiation unit includes an objective lens for focusing the laser beam onto the substrate.

상기 촬영부는 상기 기판을 촬영하는 카메라, 상기 기판에 조명을 비추는 조명기, 및 상기 카메라의 초점을 보정하는 자동초점기를 포함한다.The photographing section includes a camera for photographing the substrate, an illuminator for illuminating the substrate, and an autofocuser for correcting the focus of the camera.

상기 레이저부를 작동시키고, 상기 기판 또는 상기 기판 상 패턴의 재질에 따라 상기 안내부의 작동을 제어하며, 상기 안내부를 통과한 레이저 빔의 파장에 따라 상기 스캐너부에서 사용할 스캐너를 선택하는 제어부를 포함한다.And a control unit for operating the laser unit and controlling the operation of the guide unit according to the material of the pattern on the substrate or the substrate and selecting a scanner to be used in the scanner unit according to the wavelength of the laser beam passed through the guide unit.

상기 제어부는 상기 기판 상 패턴의 미세화 정도에 따라 상기 카메라의 촬영배율을 조절한다.The control unit adjusts a photographing magnification of the camera according to a degree of fineness of the pattern on the substrate.

상기 카메라는 상기 제어부에 의해 상기 기판 리뷰 시 상기 기판에 대한 촬영배율을 5~20배 확대하고, 상기 기판 처리작업 시 상기 기판에 대한 촬영배율을 20~50배 확대한다.The camera magnifies the imaging magnification of the substrate with respect to the substrate by 5 to 20 times by the control unit and magnifies the imaging magnification with respect to the substrate by 20 to 50 times during the substrate processing operation.

본 발명은 기판을 레이저로 처리하는 레이저 처리방법으로서, 레이저 빔을 발생시키는 과정과, 상기 레이저 빔의 파장을 선택하는 과정, 상기 기판을 촬영하며 상기 기판에 상기 레이저 빔을 조사하여 처리하고 상기 기판을 모니터링하는 과정, 및 상기 기판 처리에 불량이 발생하면 레이저 처리작업을 중단하는 과정을 포함한다.A laser processing method for processing a substrate with a laser, comprising the steps of generating a laser beam, selecting a wavelength of the laser beam, photographing the substrate, irradiating the substrate with the laser beam, And stopping the laser processing operation when a failure occurs in the substrate processing.

상기 레이저 빔의 파장을 선택하는 과정은, 상기 기판 또는 기판 상 패턴의 재질에 따라 상기 레이저 빔을 선택한다.The process of selecting the wavelength of the laser beam selects the laser beam according to the material of the substrate or the pattern on the substrate.

상기 기판을 촬영하는 과정은, 상기 기판 상 패턴의 미세화 정도에 따라 촬영배율을 조절한다.The step of photographing the substrate adjusts the photographic magnification according to the degree of fineness of the pattern on the substrate.

상기 기판을 촬영하는 과정은, 상기 기판에 대한 작업 종류에 따라 촬영배율을 조절한다.The step of photographing the substrate adjusts the photographing magnification according to the type of work on the substrate.

상기 기판 처리에 불량이 발생하면 레이저 처리작업을 중단하는 과정은, 상기 기판의 위치를 조절하고 재처리하는 과정을 포함한다.The step of stopping the laser processing operation when the substrate processing is defective includes a step of adjusting the position of the substrate and reprocessing the substrate.

상기 기판 패턴 재질이 금속막이면 제1 파장 레이저 빔을 선택하고, 유기막 또는 산화인듐주석막이면 상기 제1 파장 레이저 빔보다 파장이 작은 제2 파장 레이저 빔을 선택한다.A first wavelength laser beam is selected if the substrate pattern material is a metal film, and a second wavelength laser beam having a wavelength smaller than that of the first wavelength laser beam is selected if the substrate film is an organic film or an indium tin oxide film.

상기 기판을 처리하는 것은,Processing the substrate may comprise:

상기 기판 상에 형성된 패턴의 불량을 리페어하는 것을 포함한다.And repairing defects of the pattern formed on the substrate.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판을 촬영하는 촬영부를 구비하여 작업자가 기판과 기판이 처리되는 과정을 실시간으로 확인할 수 있다. 따라서, 기판 처리에 불량이 발생하더라도 작업자가 이를 실시간으로 확인하여 즉각적으로 대응할 수 있기 때문에 작업의 효율이 향상될 수 있다. 또한, 촬영부는 기판 패턴의 미세화 정도 또는 작업 종류에 따라 촬영배율을 조절할 수 있기 때문에, 세밀한 부분을 확대하여 정밀한 작업을 수행하기가 용이해질 수 있다. According to the embodiments of the present invention, a photographing unit for photographing a substrate is provided, so that a process of a substrate and a substrate being processed by an operator can be confirmed in real time. Therefore, even if a defect occurs in the substrate processing, the worker can check it in real time and respond immediately, so that the efficiency of the work can be improved. Further, since the photographing unit can adjust the photographing magnification according to the degree of fineness of the substrate pattern or the type of the operation, it is possible to enlarge a fine portion and make it easy to perform a precise operation.

그리고, 본 발명의 실시 예에 따르면, 레이저 빔의 파장을 선택적으로 사용할 수 있다. 이에, 기판 또는 기판 상 패턴의 재질에 맞게 레이저 빔의 파장을 선택할 수 있어 작업을 안정적으로 수행할 수 있다. 또한, 여러 파장의 레이저 빔들을 선택적으로 사용하므로 설비 간소화가 가능하다.According to the embodiment of the present invention, the wavelength of the laser beam can be selectively used. Accordingly, the wavelength of the laser beam can be selected in accordance with the material of the pattern on the substrate or the substrate, and the operation can be stably performed. In addition, since the laser beams of various wavelengths are selectively used, facilities can be simplified.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치를 나타내는 개념도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치의 구조를 도시한 구조도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 촬영부가 기판 처리 작업에 따라 촬영배율을 조절하는 모습을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 촬영부가 기판 상 패턴의 미세화 정도에 따라 촬영배율을 조절하는 모습을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판에 대한 레이저 처리방법을 나타내는 플로우 차트.1 is a conceptual diagram showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a structural view showing a structure of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a state in which the photographing unit adjusts the photographing magnification according to the substrate processing operation according to the embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state in which a photographing unit according to an embodiment of the present invention adjusts a photographing magnification according to the degree of fineness of a pattern on a substrate.
5 is a flowchart illustrating a laser processing method for a substrate according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치를 나타내는 개념도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치의 구조를 도시한 구조도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 촬영부가 기판 처리 작업에 따라 촬영배율을 조절하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 촬영부가 기판 상 패턴의 미세화 정도에 따라 촬영배율을 조절하는 모습을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판에 대한 레이저 처리방법을 나타내는 플로우 차트이다. FIG. 1 is a conceptual diagram showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a structural view showing the structure of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, 4 is a view showing a state in which the photographing unit according to the embodiment of the present invention adjusts the photographing magnification according to the degree of fineness of the pattern on the board, Is a flowchart showing a laser processing method for a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 1 또는 도 2를 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치(100)는 기판(10)을 처리하는 레이저 장치로서, 레이저 빔을 발생시키고 상기 레이저 빔을 분기하는 레이저부(110)와, 상기 레이저 빔의 진행방향을 조절하는 복수개의 스캐너를 구비하고 상기 레이저 빔의 통과하는 경로를 제공하는 스캐너부(130), 상기 레이저부(110)와 상기 스캐너부(130) 사이에 배치되고 분기된 레이저 빔들을 선택적으로 상기 스캐너로 안내하는 안내부(120), 상기 스캐너부(130)를 통과한 레이저 빔을 상기 기판(10)에 조사하는 조사부(140), 및 상기 기판(10)을 촬영하는 촬영부(150)를 포함한다. 또한, 레이저 처리장치(100)는 레이저부(110)와, 안내부(120), 스캐너부(130), 조사부(140), 및 촬영부(150)를 제어하는 제어부(160)를 포함할 수 있다. 1 or 2, a laser processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a laser unit 110 for generating a laser beam and for branching the laser beam, A scanner unit 130 having a plurality of scanners for adjusting the traveling direction of the laser beam and providing a path through which the laser beam is passed; a scanner unit 130 disposed between the laser unit 110 and the scanner unit 130, An irradiation unit 140 for irradiating the substrate 10 with a laser beam having passed through the scanner unit 130 and an irradiation unit 140 for irradiating the substrate 10 with the laser beam, And a photographing unit 150 for photographing. The laser processing apparatus 100 may include a laser section 110 and a control section 160 for controlling the guide section 120, the scanner section 130, the irradiating section 140 and the photographing section 150 have.

이때, 레이저 처리장치(100)는, 기판(10) 상에 형성된 패턴의 불량을 리페어하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 기판(10)의 불량 여부를 판단하는 기준은 기판(10)에 포함된 불량 셀의 개수일 수 있다. 불량 셀은 휘점 셀과 암점 셀로 나눌 수 있는데, 허용되는 휘점 셀의 개수가 암점 셀의 개수보다 엄격한다. 이에, 휘점 셀을 암점화하여 기판의 수율을 높일 수 있다. 따라서, 이물질에 의한 휘점 셀을 암점화하여 기판(10)을 리페어하는 경우 레이저를 블랙 매트릭스에 조사하여 녹이고, 녹은 블랙 매트릭스 물질을 이물질 쪽으로 유도하여 휘점 셀을 암점화할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 레이저 처리작업에 사용될 수 있다.At this time, the laser processing apparatus 100 may be a device for repairing defects of a pattern formed on the substrate 10. [ For example, the criterion for determining whether the substrate 10 is defective may be the number of defective cells included in the substrate 10. A defective cell can be divided into a bright spot cell and a dark spot cell, and the number of bright spot cells allowed is strict than the number of dark spot cells. Thus, the yield of the substrate can be increased by igniting the bright spot cells. Therefore, when repairing the substrate 10 by firing the spot-shaped cells due to the foreign substance, the laser is irradiated to the black matrix and melted, and the melted black matrix material is guided to the foreign substance to ignite the spotted cells. However, the present invention is not limited thereto and can be used for various laser processing operations.

기판(10)을 처리하는 경우 기판(10)은 스테이지(1) 상에 올려진다. 레이저 처리장치(100)는 겐트리(미도시)에 의해 지지되어 이동하면서 스테이지(1) 상의 기판(10)을 처리한다. 또는, 스테이지(1)가 이동가능한 경우 스테이지(1)가 레이저 처리장치(100) 하측에서 이동하면서 기판(10)을 레이저가 조사되는 영역으로 이동시켜 기판(10)을 처리할 수도 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 기판(10) 또는 레이저 처리장치(100)를 이동시켜 기판(10)을 처리할 수 있다.When the substrate 10 is processed, the substrate 10 is placed on the stage 1. The laser processing apparatus 100 is supported by a gantry (not shown) and moves to process the substrate 10 on the stage 1. Alternatively, the stage 1 may be moved under the laser processing apparatus 100 while the stage 1 is movable, and the substrate 10 may be moved to the laser irradiation area to process the substrate 10. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 10 can be processed by moving the substrate 10 or the laser processing apparatus 100 by various methods.

레이저부(110)는 하나의 소스로 파장이 다른 레이저 빔을 동시에 발진할 수 있다. 레이저부(110)는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기(미도시)와, 발생한 레이저 빔을 분기하여 파장이 다른 레이저 빔들을 발진하는 레이저 발진기(미도시)를 포함한다. 예를 들어, 본 실시 예에서는 적외선(IR:Infrared Ray) 레이저 빔(파장범위 780nm이상)을 가시광선(Visible) 레이저(파장범위 380~780nm)와 자외선(UV:Ultraviolet) 레이저 빔(파장범위 380nm이하)으로 분기하여 세 종류의 레이저가 동시에 발진할 수 있다. 따라서, 파장이 다른 레이저 빔들을 선택적으로 사용할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 레이저부(110)는 다양한 레이저 소스를 구비할 수도 있다. 또한, 분기되는 레이저 빔의 종류나 발진되는 레이저 빔의 개수도 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The laser unit 110 can simultaneously oscillate laser beams having different wavelengths as one source. The laser unit 110 includes a laser generator (not shown) that generates a laser beam and a laser oscillator (not shown) that diverges the generated laser beam and oscillates laser beams having different wavelengths. For example, in this embodiment, an infrared (IR) laser beam (wavelength range of 780 nm or more) is irradiated with a visible laser (wavelength range 380 to 780 nm) and an ultraviolet (UV) laser beam Or less) so that three kinds of laser can oscillate at the same time. Therefore, laser beams having different wavelengths can be selectively used. However, the present invention is not limited thereto, and the laser unit 110 may have various laser sources. The kind of the branched laser beam and the number of oscillated laser beams are not limited to this, and may vary.

안내부(120)는 레이저 빔의 이동경로를 차단하는 차단기(122)를 포함한다. 또한, 안내부(120)는 감쇠기(121)와, 차단기(122)를 통과한 레이저 빔을 스캐너부(130)로 반사시키는 레이저 미러(123), 및 사이즈 조절기(124)를 포함할 수 있다.The guide unit 120 includes a breaker 122 for blocking the path of movement of the laser beam. The guide unit 120 may include an attenuator 121, a laser mirror 123 that reflects the laser beam passed through the breaker 122 to the scanner unit 130, and a size adjuster 124.

차단기(122)는 발진되는 레이저 빔의 개수만큼 또는 레이저 빔이 분기되는 개수만큼 구비된다. 예를 들어, 본 실시 예에서 차단기(122)는 적외선 레이저 빔의 이동경로에 배치되는 제1 차단기(122a)와, 가시광선 레이저 빔의 이동경로에 배치되는 제2 차단기(122b), 및 자외선 레이저 빔의 이동경로에 배치되는 제3 차단기(122c)를 포함할 수 있다. 차단기(122)가 레이저 빔을 통과시키는 경우 레이저 빔이 스캐너부(130)로 안내되어 기판(10) 상에 조사되고, 차단기(122)가 레이저 빔의 이동경로를 차단하는 경우 레이저 빔이 스캐너부(130)에 도달하지 못해 기판에 조사되지 못한다. The breaker 122 is provided as many times as the number of laser beams to be oscillated or as many as the number of laser beams to be branched. For example, in this embodiment, the breaker 122 includes a first breaker 122a disposed in the path of movement of the infrared laser beam, a second breaker 122b disposed in the path of movement of the visible light laser beam, And a third circuit breaker 122c disposed in the movement path of the beam. When the breaker 122 passes the laser beam, the laser beam is guided to the scanner unit 130 and irradiated onto the substrate 10, and when the breaker 122 blocks the movement path of the laser beam, The substrate 130 is not irradiated to the substrate.

예를 들어, 기판(10) 상 패턴이 금속막인 경우 적외선 레이저 빔 또는 가시광선 레이저 빔을 사용하고, 기판(10) 상 패턴이 유기막인 경우 자외선 레이저 빔을 사용하고, 기판(10) 상 패턴이 ITO(Indium Tin Oxide)막인 경우 극자외선(DUV: Deep Ultraviolet) 레이저 빔(파장범위 300nm이하)을 선택해서 사용할 수 있다. 만약, 기판(10) 상 패턴이 금속막이고 이에 적외선 레이저 빔을 선택하여 사용하는 경우, 제1 차단기(122a)로 적외선 레이저 빔의 이동경로를 개방하고, 제2 차단기(122b)와 제3 차단기(122c)로 가시광선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔의 이동경로를 폐쇄할 수 있다. 그러면, 적외선 레이저 빔만 스캐너부(130)에 도달하여 기판(10) 상에 조사되어 기판(10) 상 패턴의 재질에 따라 레이저 빔을 선택해서 기판(10)을 처리할 수 있다. 그러나, 구비되는 차단기(122)의 개수는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.For example, an infrared laser beam or a visible light laser beam is used when the pattern on the substrate 10 is a metal film, and an ultraviolet laser beam is used when the pattern on the substrate 10 is an organic film. If the pattern is an indium tin oxide (ITO) film, a deep ultraviolet (DUV) laser beam (wavelength range of 300 nm or less) can be selected and used. If the pattern on the substrate 10 is a metal film and the infrared laser beam is selected and used, the path of the infrared laser beam is opened by the first circuit breaker 122a, and the second circuit breaker 122b and the third circuit breaker The movement path of the visible light laser beam and the ultraviolet laser beam can be closed by the light guide 122c. Then, only the infrared laser beam reaches the scanner unit 130 and is irradiated onto the substrate 10 to process the substrate 10 by selecting the laser beam according to the material of the pattern on the substrate 10. However, the number of the circuit breakers 122 provided is not limited to this and may vary.

감쇠기(121)는 레이저 빔의 이동경로에 배치되어 레이저부(110)에서 발진되는 레이저 빔의 출력을 조절할 수 있다. 감쇠기(121)는 발진되는 레이저 빔의 개수만큼 또는 레이저 빔이 분기되는 개수만큼 구비된다. 예를 들어, 본 실시 예에서 감쇠기(121)는 제1 차단기(122a)와 레이저부(110) 사이에 배치되는 제1 감소기(121a), 제2 차단기(122b)와 레이저부(110) 사이에 배치되는 제2 감쇠기(121b), 및 제3 차단기(122c)와 레이저부(110) 사이에 배치되는 제3 감쇠기(121c)를 포함할 수 있다. 이에, 레이저 빔이 각각의 감쇠기(121)를 통과하면서 출력이 조절될 수 있다.The attenuator 121 may be disposed in a movement path of the laser beam to adjust the output of the laser beam emitted from the laser unit 110. The attenuator 121 is provided as many times as the number of laser beams to be oscillated or as many as the number of laser beams to be branched. For example, in the present embodiment, the attenuator 121 includes a first reducer 121a disposed between the first circuit breaker 122a and the laser section 110, a second reducer 121b disposed between the second circuit breaker 122b and the laser section 110, And a third attenuator 121c disposed between the third circuit breaker 122c and the laser unit 110. The second attenuator 121b may be disposed on the second interrupter 122c. Thus, the output can be adjusted while the laser beam passes through each attenuator 121. [

레이저 미러(123)는 차단기(122)와 스캐너부(130) 사이에 배치되어 차단기(122)를 통과한 레이저 빔을 스캐너부(130)로 안내하는 역할을 한다. 예를 들어, 본 실시 예에서 레이저 미러(123)는 제1 차단기(122a)와 후술될 제1 스캐너(131a) 사이에 배치되는 제1 레이저 미러(123a), 제2 차단기(122b)와 후술될 제2 스캐너(131b) 사이에 배치되는 제2 레이저 미러(123b), 제3 차단기(122c)와 제2 스캐너(131b) 사이 또는 제2 레이저 미러(123b)와 제2 스캐너(131b) 사이에 배치되는 제3 레이저 미러(123c)를 포함할 수 있다. 제1 레이저 미러(123a)는 적외선 레이저 빔을 제1 스캐너(131a)로 안내할 수 있다. 제2 레이저 미러(123b)와 제3 레이저 미러(123c)는 가시광선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔을 제2 스캐너(131b)로 안내할 수 있다. 이때, 제3 레이저 미러(123c)는 자외선 레이저 빔은 반사시키면서 제2 레이저 미러(123b)에서 반사된 레이저 빔은 투과시켜 제2 스캐너(131b)로 안내되게 하는 하프미러일 수 있다. 그러나, 구비되는 레이저 미러(123)의 개수나 배치되는 위치 및 미러의 종류는 이에 한정되지 않고 레이저 처리장치(100)의 구조에 따라 다양할 수 있다.The laser mirror 123 is disposed between the circuit breaker 122 and the scanner unit 130 and guides the laser beam passed through the circuit breaker 122 to the scanner unit 130. For example, in this embodiment, the laser mirror 123 includes a first laser mirror 123a, a second circuit breaker 122b, and a second laser mirror 123a disposed between the first circuit breaker 122a and a first scanner 131a A second laser mirror 123b disposed between the second scanner 131b and a second scanner 123b disposed between the third shutter 122c and the second scanner 131b or between the second laser mirror 123b and the second scanner 131b And a third laser mirror 123c. The first laser mirror 123a can guide the infrared laser beam to the first scanner 131a. The second laser mirror 123b and the third laser mirror 123c can guide the visible light laser beam and the ultraviolet laser beam to the second scanner 131b. At this time, the third laser mirror 123c may be a half mirror that reflects the ultraviolet laser beam and transmits the laser beam reflected by the second laser mirror 123b to be guided to the second scanner 131b. However, the number of the laser mirrors 123, the position in which the laser mirrors 123 are provided, and the type of the mirrors are not limited to this, and may vary depending on the structure of the laser processing apparatus 100.

사이즈 조절기(124)는 레이저 미러(123)와 스캐너부(130) 사이에 배치될 수 있고, 레이저 미러(123)에서 반사된 레이저 빔의 빔 사이즈를 조절하는 역할을 한다. 사이즈 조절기(124)는 스캐너(131)가 구비되는 개수만큼 구비될 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에서 사이즈 조절기(124)는 제1 차단기(122a)와 제1 스캐너(131a) 사이에 배치되는 제1 사이즈 조절기(124a), 제2 차단기(122b)와 제2 스캐너(131b) 사이 또는 제3 차단기(122c)와 제2 스캐너(131b) 사이에 배치되는 제2 사이즈 조절기(124b)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 안내부(120)의 구성요소들은 다양하게 배치되거나 조합하여 사용될 수 있다.The size adjuster 124 may be disposed between the laser mirror 123 and the scanner unit 130 and may adjust the beam size of the laser beam reflected by the laser mirror 123. The size adjuster 124 may be provided as many as the number of the scanner 131 is provided. For example, in this embodiment, the size adjuster 124 may include a first size adjuster 124a, a second breaker 122b, and a second scanner 122a disposed between the first breaker 122a and the first scanner 131a And a second size adjuster 124b disposed between the third interrupter 122c and the second scanner 131b. However, the present invention is not limited thereto, and the components of the guide unit 120 may be variously arranged or used in combination.

스캐너부(130)는 레이저 빔의 진행방향을 조절하는 복수개의 스캐너(131)와 스캐너(131)를 지난 레이저 빔이 후술될 조사부(140) 대물렌즈(141)의 인식범위에 있도록 안내하는 릴레이 렌즈(133)를 포함한다. 또한, 스캐너부(130)는 포커스 렌즈(132)와, 스캐너 미러(134)를 포함할 수 있다.The scanner unit 130 includes a plurality of scanners 131 for adjusting the traveling direction of the laser beam and a relay lens 140 for guiding the laser beam from the scanner 131 to the recognition range of the irradiation unit 140 and the objective lens 141, (133). In addition, the scanner unit 130 may include a focus lens 132 and a scanner mirror 134.

스캐너(131)는 레이저 빔을 원하는 경로로 유도한다. 스캐너(131)는 레이저 빔을 반사시키는 미러일 수 있는데, 미러의 각도를 조절하여 레이저 빔의 진행방향을 임의로 변경할 수 있다. 즉, 스캐너(131)는 레이저 빔을 다양한 각도로 반사시켜 기판(10)을 처리할 수 있다.The scanner 131 guides the laser beam to a desired path. The scanner 131 may be a mirror for reflecting the laser beam, and the direction of the laser beam may be arbitrarily changed by adjusting the angle of the mirror. That is, the scanner 131 can process the substrate 10 by reflecting the laser beam at various angles.

본 발명의 실시 예에서 스캐너(131)는 레이저 빔 중 적어도 일부 파장의 레이저 빔 진행방향을 조절하는 제1 스캐너(131a)와 상기 제1 스캐너(131a)에 의해 진행방향이 조절되는 레이저 빔과 파장이 다른 레이저 빔의 진행방향을 조절하는 제2 스캐너(131b)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 스캐너(131a) 또는 제2 스캐너(131b) 중 적어도 어느 하나는 파장이 다른 복수 파장 레이저 빔들의 진행방향을 조절할 수 있다. In the embodiment of the present invention, the scanner 131 includes a first scanner 131a for adjusting the laser beam traveling direction of at least a part of the laser beam, a laser beam whose traveling direction is controlled by the first scanner 131a, And a second scanner 131b for adjusting the traveling direction of the other laser beam. Also, at least one of the first scanner 131a and the second scanner 131b may adjust the traveling direction of the plurality of wavelength laser beams having different wavelengths.

예를 들어, 제1 스캐너(131a)에는 적외선 레이저 빔을 반사할 수 있는 코팅층이 형성되고, 제2 스캐너(131b)에는 가시광선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔에 모두 반사할 수 있는 코팅층이 형성될 수 있다. 따라서, 적외선 레이저 빔을 사용하는 경우 안내부(120)에서 적외선 레이저 빔을 제1 스캐너(131a)로 안내하고, 가시광선 레이저 빔 또는 자외선 레이저 빔을 사용하는 경우 안내부(120)에서 가시광선 레이저 빔 또는 자외선 레이저 빔을 제2 스캐너(131b)로 안내할 수 있다. For example, a coating layer capable of reflecting an infrared laser beam may be formed on the first scanner 131a, and a coating layer capable of reflecting both the visible laser beam and the ultraviolet laser beam may be formed on the second scanner 131b have. Therefore, when the infrared laser beam is used, the infrared ray laser beam is guided to the first scanner 131a by the guide unit 120, and when the visible ray laser beam or the ultraviolet laser beam is used, Beam or ultraviolet laser beam to the second scanner 131b.

스캐너(131)에 형성되는 코팅층은 반사시킬 수 있는 레이저 빔의 파장 범위가 한정된다. 즉, 적외선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔은 파장 차이가 크기 때문에 하나의 코팅층에서 반사할 수 없고, 가시광선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔은 상대적으로 파장 차이가 작기 때문에 하나의 코팅층에서 반사할 수 있다. 따라서, 파장 차이가 큰 레이저 빔들을 선택적으로 사용하는 경우 복수개의 스캐너(131)를 구비하여 레이저 빔들의 이동경로를 조절할 수 있다. 또한, 하나의 스캐너가 파장 차이가 적은 복수개의 레이저 빔들을 반사시킬 수 있기 때문에, 각각의 파장에 따른 레이저 빔을 반사시키는 스캐너들을 모두 구비할 때보다 구비되는 스캐너의 개수를 감소시킬 수 있어 설비의 간소화가 가능하다. 그러나 이에 한정되지 않고 사용하는 레이저 빔들의 파장 차이에 따라 구비되는 스캐너(131)의 개수는 다양할 수 있다.The coating layer formed on the scanner 131 has a limited range of the wavelength of the laser beam that can be reflected. That is, since the infrared laser beam and the ultraviolet laser beam can not be reflected by one coating layer because of a large wavelength difference, and the visible light laser beam and the ultraviolet laser beam are relatively small in wavelength difference, they can be reflected from one coating layer. Accordingly, when the laser beams having a large wavelength difference are selectively used, a plurality of scanners 131 can be provided to adjust the movement path of the laser beams. In addition, since one scanner can reflect a plurality of laser beams with a small wavelength difference, the number of scanners provided can be reduced compared with the case where all scanners that reflect laser beams according to respective wavelengths are provided, Simplification is possible. However, the present invention is not limited to this, and the number of scanners 131 may vary depending on wavelengths of laser beams used.

포커스 렌즈(132)는 안내부(120)와 스캐너(131) 사이에 배치된다. 포커스 렌즈(132)는 상하로 이동가능하게 설치되어 상하로 이동하면서 레이저 빔이 기판 상에 포커스되는 크기를 조절할 수 있다. 즉, 포커스 렌즈(132)는 레이저 미러(134)에 반사된 레이저 빔을 가공에 적합한 세밀한 레이저 빔으로 만들어주는 역할을 한다. 포커스 렌즈(132)는 스캐너(131)가 구비되는 개수만큼 구비될 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에서 포커스 렌즈(132)는 안내부(120)와 제1 스캐너(131a) 사이에 배치되는 제1 포커스 렌즈(132a), 안내부(120)와 제2 스캐너(131b) 사이에 배치되는 제2 포커스 렌즈(132b)를 포함할 수 있다. The focus lens 132 is disposed between the guide portion 120 and the scanner 131. The focus lens 132 is vertically movable and can adjust the size of the focus of the laser beam on the substrate while moving up and down. That is, the focus lens 132 serves to make the laser beam reflected by the laser mirror 134 into a fine laser beam suitable for processing. The focus lens 132 may be provided as many as the scanner 131 is provided. For example, in this embodiment, the focus lens 132 includes a first focus lens 132a disposed between the guide unit 120 and the first scanner 131a, a guide unit 120 and a second scanner 131b, And a second focus lens 132b disposed between the first focus lens 132a and the second focus lens 132b.

릴레이 렌즈(133)는 스캐너(131)에서 반사된 레이저 빔이 퍼지지 않고 정확하게 원하는 방향으로 진행할 수 있도록 반사된 레이저 빔을 유도한다. 즉, 릴레이 렌즈(133)는 스캐너(131)를 통과한 레이저 빔이 후술될 대물렌즈(141)의 입사 범위에 있도록 한다. 기존의 경우 스캐너(131)를 통해 반사된 레이저 빔이 바로 대물렌즈(141)로 입사했다. 이로 인해 스캐너(131)와 대물렌즈(141) 사이의 물리적 제약 때문에 후술될 촬영부(150)가 배치될 수 있는 공간이 형성될 수 없었다. 그러나, 본 실시 예에서는 스캐너(131)와 대물렌즈(141) 사이에 공간을 형성하기 위해 거리가 멀어지더라도 릴레이 렌즈(133)가 스캐너(131)에서 반사된 레이저 빔을 대물렌즈(141)의 인식 범위에 있도록 할 수 있어 촬영부(150)가 배치될 수 있는 공간을 형성할 수 있다.The relay lens 133 guides the reflected laser beam so that the laser beam reflected by the scanner 131 can be moved in a desired direction accurately without spreading. That is, the relay lens 133 allows the laser beam passed through the scanner 131 to be in the incident range of the objective lens 141, which will be described later. In the conventional case, the laser beam reflected through the scanner 131 directly enters the objective lens 141. Due to the physical constraint between the scanner 131 and the objective lens 141, a space in which the photographing unit 150 to be described later can be arranged can not be formed. However, in this embodiment, even if the distance between the scanner 131 and the objective lens 141 is increased, the relay lens 133 can move the laser beam reflected by the scanner 131 toward the objective lens 141 So that it is possible to form a space in which the photographing unit 150 can be arranged.

또한, 릴레이 렌즈(133)는 스캐너(131)가 구비되는 개수만큼 구비될 수 있다. 예를 들어, 본 실시 예에서 릴레이 렌즈(133)는 제1 스캐너(131a)와 대물렌즈(141) 사이에 배치되는 제1 릴레이 렌즈(133a)와, 제2 스캐너(131b)와 대물렌즈(141) 사이에 배치되는 제2 릴레이 렌즈(133b)를 포함할 수 있다. 이에 각각의 릴레이 렌즈(133)가 스캐너(131)에 반사된 레이저 빔을 대물렌즈(141) 입사 범위로 안내한다.Also, the number of relay lenses 133 may be equal to the number of the scanner 131. For example, in the present embodiment, the relay lens 133 includes a first relay lens 133a disposed between the first scanner 131a and the objective lens 141, a second relay lens 133b disposed between the second scanner 131b and the objective lens 141 And a second relay lens 133b disposed between the first relay lens 133a and the second relay lens 133b. Each of the relay lenses 133 guides the laser beam reflected by the scanner 131 to the incident range of the objective lens 141.

스캐너 미러(134)는 스캐너부(130) 내의 레이저 빔을 반사시키는 역할을 한다. 예를 들어, 본 실시 예에서 스캐너 미러(134)는 안내부(120)와 제1 스캐너(131a) 사이에 배치되는 제1 스캐너 미러(134a), 안내부(120)와 제2 스캐너(131b) 사이에 구비되는 제2 스캐너 미러(134b), 제2 스캐너(131b)와 제2 릴레이 렌즈(133b) 사이에 배치되는 제3 스캐너 미러(134c)를 포함할 수 있다. 제1 스캐너 미러(134a)는 안내부(120)를 통과한 레이저 빔을 제1 스캐너(131a)로 반사시키고, 제2 스캐너 미러(134b)는 안내부(120)를 통과한 레이저 빔을 제2 스캐너(131b)로 반사시키고, 제3 스캐너 미러(134c)는 제2 스캐너(131b)에서 반사된 레이저 빔을 제2 릴레이 렌즈(133b) 측으로 반사시킬 수 있다. 그러나, 구비되는 스캐너 미러(134)의 개수나 배치되는 위치는 이에 한정되지 않고 레이저 처리장치(100)의 구조에 따라 다양할 수 있다. 또한, 스캐너부(130)의 구성요소들도 이에 한정되지 않고 다양하게 배치되거나 조합하여 사용될 수 있다.The scanner mirror 134 serves to reflect the laser beam in the scanner unit 130. For example, in this embodiment, the scanner mirror 134 includes a first scanner mirror 134a disposed between the guide unit 120 and the first scanner 131a, a guide unit 120 and a second scanner 131b, A second scanner mirror 134b provided between the second scanner 131b and the second relay lens 133b and a third scanner mirror 134c disposed between the second scanner 131b and the second relay lens 133b. The first scanner mirror 134a reflects the laser beam that has passed through the guide 120 to the first scanner 131a and the second scanner mirror 134b reflects the laser beam that has passed through the guide 120 to the second And the third scanner mirror 134c can reflect the laser beam reflected by the second scanner 131b toward the second relay lens 133b. However, the number of the scanner mirrors 134 and the position of the scanner mirrors 134 are not limited to this, and may vary depending on the structure of the laser processing apparatus 100. In addition, the components of the scanner unit 130 are not limited thereto, and may be used in various ways or in combination.

조사부(140)는 레이저 빔을 기판(10)에 포커싱시키는 대물렌즈(141)를 포함한다. 대물렌즈(141)는 레이저 빔이 높은 에너지 밀도를 갖도록 압축할 수 있다. 이에, 스캐너부(130)를 통과한 레이저 빔은 대물렌즈(141)에 의해 압축되어 기판(10)에 포커싱되면서 기판(10)에 대한 처리작업을 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 레이저 빔을 기판(10)에 조사할 수 있는 다양한 렌즈가 사용될 수 있다.The irradiating unit 140 includes an objective lens 141 for focusing the laser beam onto the substrate 10. The objective lens 141 can compress the laser beam to have a high energy density. The laser beam having passed through the scanner unit 130 is compressed by the objective lens 141 and is focused on the substrate 10 to perform a processing operation on the substrate 10. However, the present invention is not limited thereto, and various lenses capable of irradiating the substrate 10 with the laser beam can be used.

촬영부(150)는 릴레이 렌즈(133)와 대물렌즈(141) 사이에 배치되고, 기판(10)을 촬영하는 카메라(151), 기판(10)에 조명을 비추는 조명기(153), 및 카메라(151)의 초점을 보정하는 자동초점기(154)를 포함한다. 또한, 촬영부(150)는 컷필터(156), 이미지 결상기(152), 촬영 미러(155)를 포함할 수 있다.The photographing unit 150 is disposed between the relay lens 133 and the objective lens 141 and includes a camera 151 for photographing the substrate 10, an illuminator 153 for illuminating the substrate 10, 151 for correcting the focus of the image. In addition, the photographing unit 150 may include a cut filter 156, an image combining unit 152, and a photographing mirror 155.

카메라(151)로 CCD 카메라(Charge-Coupled Device Camera)가 사용될 수 있고, 스테이지(1) 상의 기판(10) 또는 기판(10)이 처리되는 과정을 촬영한다. 즉, 조명기(153)가 빛을 발생시키면 조명광이 기판(10)에 유도되고, 기판(10)에 반사된 조명광이 이미지 결상기(152)에 의해 카메라(151)로 유도되어 기판(10)을 촬영할 수 있다. 또한, 카메라(151)는 기판(10)에 대한 촬영배율을 조절할 수 있다. 이에, 작업자가 기판(10)을 실시간으로 모니터링할 수 있어 기판 처리작업 중 문제가 발생하더라도 이를 즉각적으로 확인하여 조처를 취할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 카메라가 사용될 수 있다.A CCD camera (Charge-Coupled Device Camera) can be used as the camera 151 and photographs the process of processing the substrate 10 or the substrate 10 on the stage 1. That is, when the illuminator 153 generates light, the illumination light is guided to the substrate 10, and the illumination light reflected on the substrate 10 is guided to the camera 151 by the imaging element 152, You can shoot. In addition, the camera 151 can adjust the shooting magnification of the substrate 10. Accordingly, the operator can monitor the substrate 10 in real time, so that even if a problem occurs during the substrate processing operation, the operator can immediately check the substrate 10 and take measures. However, the present invention is not limited to this, and various cameras can be used.

자동초점기(154)는 촬영부(150)의 초점이 정확히 작업하고자 하는 기판(10) 표면에 위치하도록 촬영부(150)의 초점을 보정시킨다. 즉, 기판(10)의 표면이 평평하지 못한 경우 기판(10)의 촬영되는 영역을 이동시키면 이동 전 촬영하던 영역과 이동 후 촬영하는 영역의 높이가 달라 촬영부(150)의 초점이 달라질 수 있다. 이에, 자동초점기(154)가 촬영부(150)의 초점을 보정해주어 작업자가 촬영부(150)를 통해 기판(10)을 모니터링할 수 있다.The autofocusing unit 154 corrects the focus of the photographing unit 150 so that the focal point of the photographing unit 150 is located on the surface of the substrate 10 to be accurately operated. That is, if the surface of the substrate 10 is not flat, if the region to be photographed by the substrate 10 is moved, the height of the region to be photographed before movement and the region to be photographed after the movement are different, . Accordingly, the autofocuser 154 can correct the focus of the photographing unit 150, and an operator can monitor the substrate 10 through the photographing unit 150. [

컷필터(156)는 카메라(151)와 이미지 결상기(152) 사이에 배치되고 카메라(151)로 들어올 수 있는 레이저의 파장을 커팅하는 역할을 한다.The cut filter 156 is disposed between the camera 151 and the image pick-up device 152 and cuts the wavelength of the laser that can enter the camera 151.

촬영 미러(155)는 카메라(151)와 대물렌즈(141) 사이 또는 제1 릴레이 렌즈(133a)와 대물렌즈(141) 사이에 배치되는 제1 촬영 미러(155a), 후술될 제3 촬영 미러(155c)와 대물렌즈(141) 사이 또는 제1 촬영 미러(155a)와 대물렌즈(141) 사이에 배치되는 제2 촬영 미러(155b), 후술될 제4 촬영 미러(155d)와 제2 촬영 미러(155b) 사이 또는 제2 릴레이 렌즈(133b)와 제2 촬영 미러(155b) 사이에 배치되는 제3 촬영 미러(155c), 제3 촬영 미러(155c)와 조명기(153) 사이 또는 제3 촬영 미러(155c)와 자동초점기(154) 사이에 배치되는 제4 촬영 미러(155d)를 포함할 수 있다. The photographing mirror 155 includes a first photographing mirror 155a disposed between the camera 151 and the objective lens 141 or between the first relay lens 133a and the objective lens 141, A second photographic mirror 155b disposed between the first photographic mirror 155a and the objective lens 141 or between the first photographic mirror 155a and the objective lens 141, a fourth photographic photographic mirror 155d and a second photographic mirror 155b A third photographic mirror 155c disposed between the second relay lens 133b and the second photographic mirror 155b or between the third photographic mirror 155c and the illuminator 153 or between the second photographic mirror 155b and the second photographic mirror 155b, 155c and a fourth photographic mirror 155d disposed between the auto focus device 154 and the auto focus device 154. [

제1 촬영 미러(155a)는 조명기(153)의 빛에 의해 기판(10)에서 반사된 반사광을 카메라(151)로 안내하고 제1 릴레이 렌즈(133a)를 통과한 레이저 빔은 투과시켜 대물렌즈(141)로 안내할 수 있다. 제2 촬영 미러(155b)는 제1 촬영 미러(155a)를 투과한 레이저 빔을 대물렌즈(141)로 투과시키거나 제3 촬영 미러(155c)를 투과한 레이저 빔 또는 제3 촬영 미러(155c)에서 반사되는 조명광을 대물렌즈(141)로 반사킬 수 있다. The first photographing mirror 155a guides the reflected light reflected by the substrate 10 to the camera 151 by the light of the illuminator 153 and transmits the laser beam passing through the first relay lens 133a to the objective lens 141). The second photographing mirror 155b transmits the laser beam transmitted through the first photographing mirror 155a to the objective lens 141 or the laser beam transmitted through the third photographing mirror 155c or the third photographing mirror 155c, The objective lens 141 may reflect the illumination light.

제3 촬영 미러(155c)는 제2 릴레이 렌즈(133b)를 통과한 레이저 빔을 제2 촬영 미러(155b)로 투과시커나 제4 촬영 렌즈(155d)에서 반사되는 조명광을 제2 촬영 렌즈(155b)로 반사시킬 수 있다. 제4 촬영 미러(155d)는 조명기(153)의 조명광을 제3 촬영 렌즈(155c)로 반사시키거나 기판(10)에서 반사되는 반사광을 자동초점기(154)로 투과시킬 수 있다. 그러나, 구비되는 촬영 미러(155)의 개수나 배치되는 위치는 이에 한정되지 않고 레이저 처리장치(100)의 구조에 따라 다양할 수 있다. 또한, 촬영부(150)의 구성요소들도 이에 한정되지 않고 다양하게 배치되거나 조합하여 사용될 수 있다.The third photographing mirror 155c transmits the laser beam having passed through the second relay lens 133b to the second photographing mirror 155b or the illumination light reflected from the fourth photographing lens 155d to the second photographing lens 155b . &Lt; / RTI > The fourth photographic mirror 155d can reflect the illumination light of the illuminator 153 to the third photographic lens 155c or transmit the reflected light reflected from the substrate 10 to the auto focus device 154. [ However, the number of the photographic mirrors 155 and the position of the photographic mirrors 155 may vary depending on the structure of the laser processing apparatus 100. Also, the components of the photographing unit 150 are not limited thereto, and may be used in various ways or in combination.

제어부(160)는 레이저부(110)를 작동시키고, 기판(10) 또는 기판(10) 상 패턴의 재질에 따라 안내부(120)의 작동을 제어하며, 안내부(120)를 통과한 레이저 빔의 파장에 따라 스캐너부(130)에서 사용할 스캐너(131)를 선택할 수 있다.The control unit 160 operates the laser unit 110 to control the operation of the guide unit 120 according to the material of the pattern on the substrate 10 or the substrate 10, It is possible to select the scanner 131 to be used in the scanner unit 130 according to the wavelength of the laser beam.

예를 들어, 제어부(160)에 의해 레이저부(110)는 파장이 다른 적외선 레이저 빔, 가시광선 레이저 빔, 자외선 레이저 빔을 동시에 발진할 수 있다. 기판(10) 상 패턴의 재질이 ITO인 경우, 레이저 빔 중 자외선 레이저 빔을 선택할 수 있다. 즉, 제어부(150)는 안내부(120)의 적외선 레이저 빔 이동경로의 제1 차단기(122a)와 가시광선 레이저 빔 이동경로의 제2 차단기(122b)를 작동시켜 이들 레이저 빔의 이동경로를 차단할 수 있다. 그리고, 자외선 레이저 빔 이동경로의 제3 차단기(122c)는 개방하여 자외선 레이저 빔을 반사시킬 수 있는 제2 스캐너(131b)로 안내하여 사용할 스캐너(131)를 선택할 수 있다.For example, the control unit 160 may cause the laser unit 110 to oscillate an infrared laser beam, a visible light laser beam, or an ultraviolet laser beam having different wavelengths at the same time. When the material of the pattern on the substrate 10 is ITO, the ultraviolet laser beam among the laser beams can be selected. That is, the control unit 150 operates the first circuit breaker 122a of the infrared laser beam travel path of the guide unit 120 and the second circuit breaker 122b of the visible light laser beam travel path to block the movement path of the laser beams . Then, the third circuit breaker 122c of the ultraviolet laser beam moving path can be opened to select the scanner 131 to be used by guiding it to the second scanner 131b capable of reflecting the ultraviolet laser beam.

카메라(151)는 제어부(160)에 의해 작업의 종류에 따라 촬영배율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 리뷰 시 기판(10)에 대한 촬영배율을 5~20배로 자동 확대하고, 기판(10) 처리작업 시 기판(10)에 대한 촬영배율을 20~50배로 자동 확대할 수 있다. 기판(10)을 리뷰하는 기판(10) 상에 레이저 빔을 조사하지 않고 기판(10) 상의 결함 등을 찾는 것일 수 있고, 기판(10) 처리작업은 기판(10) 상에 레이저 빔을 조사하여 리페어 등의 작업을 수행하는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 리뷰 시 기판(10)을 촬영하는 영역(A)과 기판(10) 처리 시 기판(10)을 촬영하는 영역이 차이가 있을 수 있다. 즉, 리뷰 시에는 기판(10)의 저배율로 더 많은 영역을 촬영하기 때문에 촬영배율을 크게 하여 좁은 영역을 촬영할 때보다 작업자가 기판(10) 상 결함이 있는 영역을 신속하게 찾을 수 있다. 한편, 레이저 빔(R)으로 기판(10) 처리 시에는 기판(10)의 좁은 영역을 배율을 더 크게 해서 촬영하기 때문에 작업이 진행되는 과정을 자세하게 관찰할 수 있어 정밀한 작업을 수행할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 작업의 종류는 다양할 수 있고, 작업의 종류에 따라 조절되는 촬영배율도 다양할 수 있다.The camera 151 can adjust the photographing magnification according to the type of work by the control unit 160. For example, when the substrate 10 is reviewed, the imaging magnification for the substrate 10 is automatically enlarged to 5 to 20 times and the imaging magnification for the substrate 10 is automatically enlarged to 20 to 50 times for the substrate 10 processing operation . It may be to find defects on the substrate 10 without irradiating the substrate 10 with the laser beam on the substrate 10 to be reviewed and the processing of the substrate 10 may be performed by irradiating the substrate 10 with a laser beam Repair, and so on. Referring to FIG. 3, there may be a difference between an area A for photographing the substrate 10 during review and an area for photographing the substrate 10 during the processing of the substrate 10. That is, at the time of review, since more regions are photographed at a low magnification of the substrate 10, the photographing magnification is enlarged and the operator can quickly find the defective region on the substrate 10 than when photographing the narrow region. On the other hand, when the substrate 10 is processed by the laser beam R, the narrow region of the substrate 10 is photographed with a larger magnification, so that the process of the operation can be observed in detail, and a precise operation can be performed. However, the present invention is not limited to this, and the types of work may be various, and the magnifications of shooting that are adjusted depending on the type of work may vary.

제어부(160)는 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도에 따라 기판(10) 촬영하는 카메라(151)의 촬영배율을 자동으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 패턴의 미세화가 복잡한 기판(10)을 촬영하는 영역(C)과 패턴의 미세화가 간단한 기판(10)을 촬영하는 영역(D)이 차이가 있을 수 있다. 즉, C영역에는 큰 패턴이 형성되어 미세화가 비교적 간단하고, D영역에는 세밀한 패턴이 형성되어 미세화 비교적 복잡할 수 있다. 패턴의 미세화가 간단하면 기판(10)의 더 많은 촬영하고, 패턴의 미세화가 복잡하면 기판(10)의 좁은 영역을 배율을 더 크게 해서 촬영할 수 있다. 이에, 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도에 따라 촬영배율을 자동으로 조절하여 정밀한 작업을 수행할 수 있다.The control unit 160 can automatically adjust the photographing magnification of the camera 151 that photographs the substrate 10 according to the degree of fine patterning of the pattern on the substrate 10. [ For example, referring to FIG. 4, there may be a difference between the region C where the pattern of the substrate 10 is complicated and the region D where the pattern of the substrate 10 is easily photographed. That is, a large pattern is formed in the C region, so that miniaturization is relatively simple, and a detailed pattern is formed in the D region, which can make the miniaturization relatively complex. If the pattern can be easily miniaturized, the substrate 10 can be photographed with a larger magnification even if the substrate 10 is photographed more and the pattern is finer. Accordingly, the photographing magnification can be automatically adjusted in accordance with the degree of fineness of the pattern on the substrate 10, so that a precise operation can be performed.

또한, 제어부(160)는 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도와 작업에 따라 카메라(151)의 촬영배율을 자동으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 간단한 경우 리뷰 시에는 5~10배로 촬영배율을 조절하고, 기판(10) 처리 시에는 20~35배로 촬영배율을 조절할 수 있다. 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 복잡한 경우 리뷰 시에는 10~20배로 촬영배율을 조절하고, 기판(10) 처리 시에는 35~50배로 촬영배율을 조절할 수 있다. 이에, 기판(10)과 작업에 따라 촬영배율을 자동 조절하여 작업 진행 속도가 향상되고 정밀한 작업을 수행할 수 있다. 그러나, 기판(10)의 촬영배율은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
In addition, the control unit 160 can automatically adjust the pattern magnification of the camera 151 in accordance with the degree of fineness of the pattern on the substrate 10 and the operation. For example, when the degree of pattern fineness on the substrate 10 is simple, the imaging magnification may be adjusted by 5 to 10 times at the time of review, and the imaging magnification may be adjusted by 20 to 35 at the time of processing the substrate 10. When the degree of pattern fineness on the substrate 10 is complicated, the magnification can be adjusted 10 to 20 times at the time of review, and 35 to 50 times at the time of processing the substrate 10. Accordingly, the photographing magnification is automatically adjusted in accordance with the operation of the substrate 10, so that the operation progress speed is improved and a precise operation can be performed. However, the imaging magnification of the substrate 10 is not limited to this and may vary.

하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a laser processing method according to an embodiment of the present invention will be described.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법은 기판을 레이저로 처리하는 레이저 처리방법으로서, 레이저 빔을 발생시키는 과정(S100)과, 상기 레이저 빔의 파장을 선택하는 과정(S200), 상기 기판을 촬영하며 상기 기판에 상기 레이저 빔을 조사하여 처리하고 상기 기판을 모니터링하는 과정(S300), 및 상기 기판 처리에 불량이 발생하면 레이저 처리작업을 중단하는 과정(S400)을 포함한다. 이때, 기판을 처리하는 것은 기판 상에 형성된 패턴의 불량을 리페어하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 5, a laser processing method according to an embodiment of the present invention is a laser processing method of processing a substrate with a laser. The laser processing method includes a step of generating a laser beam S100, a step of selecting a wavelength of the laser beam S200 (S300) of irradiating the substrate with the laser beam and monitoring the substrate by photographing the substrate, and stopping the laser processing operation when a failure occurs in the substrate processing (S400) . At this time, the processing of the substrate may be to repair defects in the pattern formed on the substrate.

제어부(160)가 레이저부(110)를 작동시키면 레이저부(110)에서는 레이저 빔을 발생시키고 이를 분기하여 파장이 서로 다른 레이저 빔을 동시에 발진할 수 있다. 예를 들어 본 발명의 실시 예에서는 하나의 소스에서 적외선 레이저 빔, 가시광선 레이저 빔, 자외선 레이저 빔을 동시에 발진할 수 있다.When the control unit 160 operates the laser unit 110, the laser unit 110 generates a laser beam and branches the laser beam to oscillate laser beams having different wavelengths at the same time. For example, in an embodiment of the present invention, an infrared laser beam, a visible light laser beam, and an ultraviolet laser beam can be simultaneously emitted from one source.

다음으로, 제어부(160)는 기판(10) 또는 기판(10) 상 패턴의 재질에 따라 사용할 레이저 빔을 선택할 수 있다. 즉, 기판(10) 패턴 재질이 금속막이면 제1 파장 레이저 빔을 선택하고, 유기막 또는 산화인듐주석(ITO)막이면 상기 제1 파장 레이저 빔보다 파장이 작은 제2 파장 레이저 빔을 선택할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 상 패턴의 재질이 금속막이고 적외선 레이저 빔을 선택해서 사용하는 경우, 제어부(160)는 차단기(122)를 제어하여 적외선 레이저 빔이 이동하는 경로는 개방하고 가시광선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔이 이동하는 경로는 폐쇄할 수 있다. 제1 차단기(122a)를 통과한 적외선 레이저 빔은 제1 레이저 미러(123a)에 반사되어 제1 스캐너(131a)로 안내될 수 있다. 이때, 제어부(160)는 감쇠기(121), 사이즈 조절기(124)의 작동을 제어하여 레이저 빔의 출력이나 레이저 빔의 사이즈를 작업에 적합하게 조절할 수 있다.Next, the controller 160 can select a laser beam to be used according to the material of the pattern on the substrate 10 or the substrate 10. That is, if the pattern material of the substrate 10 is a metal film, a first wavelength laser beam is selected, and if it is an organic film or an indium tin oxide (ITO) film, a second wavelength laser beam having a wavelength smaller than that of the first wavelength laser beam can be selected have. For example, when the material of the pattern on the substrate 10 is a metal film and an infrared laser beam is selected and used, the control unit 160 controls the breaker 122 to open the path through which the infrared laser beam travels, The path along which the laser beam and the ultraviolet laser beam travel can be closed. The infrared laser beam having passed through the first breaker 122a may be reflected by the first laser mirror 123a and guided to the first scanner 131a. At this time, the controller 160 controls the operation of the attenuator 121 and the size adjuster 124 to adjust the output of the laser beam or the size of the laser beam appropriately for the operation.

한편, 기판(10) 패턴의 재질이 산화인듐주석막이면, 적외선 레이저 빔보다 파장이 작은 자외선 레이저 빔을 선택해서 사용할 수 있다. 그러면, 제어부(160)는 차단기(122)를 제어하여 자외선 레이저 빔이 이동하는 경로는 개방하고 적외선 레이저 빔과 자외선 레이저 빔이 이동하는 경로는 폐쇄할 수 있다. 이에, 자외선 레이저 빔이 제2 스캐너(131b)로 안내될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 기판(10) 패턴의 재질에 따라 다양한 파장의 레이저 빔이 선택되서 사용될 수 있다.On the other hand, if the substrate 10 is made of indium tin oxide, the ultraviolet laser beam having a wavelength smaller than that of the infrared laser beam can be selected and used. Then, the control unit 160 controls the breaker 122 to open the path through which the ultraviolet laser beam travels, and to close the paths through which the infrared laser beam and the ultraviolet laser beam move. Thus, the ultraviolet laser beam can be guided to the second scanner 131b. However, the present invention is not limited thereto, and laser beams having various wavelengths can be selected and used depending on the material of the substrate 10 pattern.

스캐너(131)는 반사시킬 수 있는 레이저 빔의 종류가 한정될 수 있다. 따라서, 다양한 레이저 빔들을 사용하는 경우 이를 반사시킬 수 있는 복수의 스캐너(131)를 구비해야 한다. 그리고, 레이저 빔의 파장에 따라 이를 반사시킬 수 있는 스캐너(131)로 레이저 빔을 안내하여 스캐너(131)를 선택해서 사용해야 한다. 스캐너(131)는 레이저 빔을 원하는 경로로 유도한다. 제어부(160)는 스캐너(131)의 각도를 조절하여 스캐너(131)에 반사되는 레이저 빔의 진행방향을 임의로 변경할 수 있다. 즉, 스캐너(131)는 레이저 빔을 다양한 각도로 반사시켜 기판(10) 상에 존재하는 결함을 리페어하는 등 다양한 레이저 처리작업을 수행할 수 있다. 또한, 제어부(160)는 포커스 렌즈(132)의 위치를 조절하여 레이저 빔을 가공에 적합한 세밀한 레이저 빔으로 만들어줄 수 있다.The type of the laser beam that can be reflected by the scanner 131 may be limited. Therefore, when using various laser beams, it is necessary to have a plurality of scanners 131 capable of reflecting the laser beams. The laser beam is guided by a scanner 131 capable of reflecting the laser beam according to the wavelength of the laser beam, and the scanner 131 must be selected and used. The scanner 131 guides the laser beam to a desired path. The control unit 160 can arbitrarily change the traveling direction of the laser beam reflected by the scanner 131 by adjusting the angle of the scanner 131. [ That is, the scanner 131 can perform various laser processing operations such as repairing defects existing on the substrate 10 by reflecting the laser beam at various angles. In addition, the control unit 160 may adjust the position of the focus lens 132 to make the laser beam into a fine laser beam suitable for processing.

스캐너(131)에 의해 반사된 레이저 빔은 릴레이 렌즈(133)를 통해 조사부(140)의 대물렌즈(141) 입사 범위에 있도록 안내된다. 대물렌즈(141)는 레이저 빔을 압축하고 레이저 빔을 기판(10)에 포커싱하여 기판(10)에 대한 처리 작업이 진행된다.The laser beam reflected by the scanner 131 is guided through the relay lens 133 so as to be in the incident range of the objective lens 141 of the irradiation unit 140. The objective lens 141 compresses the laser beam and focuses the laser beam on the substrate 10, thereby processing the substrate 10.

촬영부(150)는 기판(10) 또는 기판(10)이 처리되는 과정을 촬영할 수 있다. 촬영부(150)는 레이저 빔이 발생되기 전부터 기판(10)에 대한 촬영을 시작할 수 있고, 레이저 빔이 기판(10)에 조사될 때부터 기판(10)에 대한 촬영을 시작하거나 기판(10) 처리 후에 촬영을 시작할 수도 있다. 즉, 기판(10) 촬영하는 것과 레이저 처리 작업은 순차적으로 진행될 수도 있고 순서가 바뀌어 진행될 수도 있다. 이에, 작업자가 원하는 때에 기판(10)에 대한 모니터링을 시작할 수 있다.The photographing unit 150 can photograph the process of processing the substrate 10 or the substrate 10. The photographing unit 150 may start photographing the substrate 10 before the laser beam is generated and may start photographing the substrate 10 or irradiate the substrate 10 with the laser beam when the laser beam is irradiated to the substrate 10. [ The photographing may be started after processing. That is, the photographing of the substrate 10 and the laser processing operation may be sequentially performed or may be performed in a reversed order. Thus, the operator can start monitoring the substrate 10 at a desired time.

제어부(160)는 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도에 따라 카메라(151)의 촬영배율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 복잡한 패턴영역을 촬영할 때는 촬영배율을 자동으로 확대하여 정밀한 작업을 수행할 수 있고, 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 간단한 셀영역을 촬영할 때는 촬영배율을 패턴영역을 확대할 때보다는 작게 확대하여 더 넓은 영역을 모니터링할 수 있다. The control unit 160 can adjust the image capturing magnification of the camera 151 according to the degree of fine patterning of the pattern on the substrate 10. [ For example, when photographing a pattern area where the degree of pattern fineness on the substrate 10 is photographed, the photographing magnification can be automatically expanded to perform a precise operation, and a cell area with a degree of fine patterning of the pattern on the substrate 10 can be photographed In this case, the magnification can be enlarged smaller than when the pattern area is enlarged, so that a wider area can be monitored.

제어부(160)는 기판(10)에 대한 작업에 따라 촬영배율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 리뷰 시에는 기판(10)의 넓은 영역을 확대해서 보고, 기판(10) 처리 시에는 기판(10)의 좁을 영역을 확대해서 볼 수 있다. 이에, 리뷰 시에는 기판(10)의 결함을 신속하게 발견할 수 있고, 기판(10) 처리 시에는 정밀한 작업을 수행할 수 있다. The control unit 160 may adjust the photographing magnification according to the operation of the substrate 10. [ For example, at the time of reviewing the substrate 10, a large area of the substrate 10 may be enlarged, and at the time of processing the substrate 10, a narrow area of the substrate 10 may be enlarged. Therefore, defects on the substrate 10 can be detected quickly during reviewing, and precise work can be performed when the substrate 10 is processed.

또한, 제어부(160)는 기판 상 패턴의 미세화 정도와 작업에 따라 카메라(151)의 촬영배율을 자동으로 조절할 수 있다. 예를 들어, 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 간단한 경우 리뷰 시에는 5~10배로 촬영배율을 조절하고, 기판(10) 처리 시에는 20~35배로 촬영배율을 조절할 수 있다. 기판(10) 상 패턴의 미세화 정도가 복잡한 경우 리뷰 시에는 10~20배로 촬영배율을 조절하고, 기판(10) 처리 시에는 35~50배로 촬영배율을 조절할 수 있다. 이에, 기판(10)과 작업에 따라 촬영배율을 자동 조절하여 작업 진행 속도가 향상되고 정밀한 작업을 수행할 수 있다. 그러나, 기판(10)에 대한 촬영배율은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.In addition, the control unit 160 can automatically adjust the magnification of the pattern on the substrate and the imaging magnification of the camera 151 according to the operation. For example, when the degree of pattern fineness on the substrate 10 is simple, the imaging magnification may be adjusted by 5 to 10 times at the time of review, and the imaging magnification may be adjusted by 20 to 35 at the time of processing the substrate 10. When the degree of pattern fineness on the substrate 10 is complicated, the magnification can be adjusted 10 to 20 times at the time of review, and 35 to 50 times at the time of processing the substrate 10. Accordingly, the photographing magnification is automatically adjusted in accordance with the operation of the substrate 10, so that the operation progress speed is improved and a precise operation can be performed. However, the imaging magnification for the substrate 10 is not limited to this and may vary.

기판(10)의 위치가 잘못되거나 레이저 처리장치(100)에 기판(10) 패턴의 결함에 대한 잘못된 좌표 정보가 입력되면, 레이저 빔이 기판(10) 상의 결함이 없는 영역으로 잘못 조사되어 기판 처리에 불량이 발생할 수 있다. 작업자는 촬영부(150)를 통해 기판(10)을 모니터링하기 때문에 이를 즉각적으로 확인할 수 있다. 이에, 작업자는 레이저 처리작업을 중단시킬 수 있다. 그리고 기판(10)의 위치를 정위치로 조절하고 결함이 있는 부분에 레이저 빔을 조사하여 기판(10)을 재처리할 수 있다. 따라서, 기판(10) 처리에 불량이 발생하면 이에 신속하게 대처할 수 있어 불량률이 감소하고 작업의 효율이 향상될 수 있다.
If the position of the substrate 10 is wrong or incorrect coordinate information for defects of the pattern of the substrate 10 is input to the laser processing apparatus 100, the laser beam is erroneously irradiated to the defect- A failure may occur. Since the operator monitors the substrate 10 through the photographing unit 150, it can be confirmed immediately. Thus, the operator can stop the laser processing operation. Then, the substrate 10 can be reprocessed by adjusting the position of the substrate 10 to the correct position and irradiating the defective portion with a laser beam. Therefore, if a failure occurs in the processing of the substrate 10, it is possible to quickly cope with the defect, thereby reducing the defect rate and improving the efficiency of the work.

본 발명의 실시 예는 기판 패턴의 결함을 리페어하는 과정을 예시적으로 설명하였으나 이에 한정되지 않고 다양한 레이저 처리 과정에 적용될 수 있다.Although embodiments of the present invention have been described for repairing defects of a substrate pattern by way of example, the present invention is not limited thereto and can be applied to various laser processing processes.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

100: 레이저 처리장치 110: 레이저부
120: 안내부 130: 스캐너부
140: 조사부 150: 촬영부
160: 제어부100: laser processing device 110: laser part
120: guide unit 130: scanner unit
140: Inspection unit 150:
160:

Claims

1. A laser apparatus for processing a substrate,
A laser unit for generating a laser beam and for branching the laser beam;
A scanner unit having a plurality of scanners for adjusting a traveling direction of the laser beam and providing a path through which the laser beam passes;
A guiding unit disposed between the laser unit and the scanner unit and selectively guiding the branched laser beams to the scanner;
An irradiating unit for irradiating the substrate with the laser beam passed through the scanner unit; And
A photographing unit for photographing the substrate; The laser processing apparatus comprising:

The method according to claim 1,
The scanner unit includes a first scanner for adjusting a laser beam traveling direction of at least a part of the laser beam, a second scanner for adjusting a traveling direction of the laser beam having a different wavelength from the laser beam whose traveling direction is controlled by the first scanner, 2 < / RTI > scanner.

The method of claim 2,
Wherein at least one of the first scanner and the second scanner adjusts the traveling direction of the plurality of wavelength laser beams having different wavelengths.

The method of claim 3,
Wherein the guiding unit comprises a circuit breaker provided as many as the number of the laser beams to be branched and opening / closing the path of movement of the laser beam,
And a laser mirror disposed between the breaker and the first scanner and between the breaker and the second scanner and for guiding the laser beam passed through the breaker to the scanner.

The method according to claim 1,
Wherein the irradiation unit includes an objective lens for focusing the laser beam onto the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the photographing section includes a camera for photographing the substrate, an illuminator for illuminating the substrate, and an autofocusing device for correcting the focus of the camera.

The method according to any one of claims 1 to 6,
And a control unit for operating the laser unit and controlling the operation of the guide unit according to the material of the pattern on the substrate or the substrate and selecting a scanner to be used in the scanner unit according to the wavelength of the laser beam passed through the guide unit Processing device.

The method of claim 7,
Wherein the control unit adjusts an imaging magnification of the camera according to a degree of fine patterning of the pattern on the substrate.

The method of claim 8,
Wherein the camera magnifies an imaging magnification of the substrate with respect to the substrate by 5 to 20 times by the control unit and enlarges the imaging magnification with respect to the substrate by 20 to 50 times during the substrate processing operation.

A laser processing method for processing a substrate with a laser,
Generating laser beams having different wavelengths;
A step of opening the movement path of some of the laser beams according to the material of the pattern on the substrate or the substrate and closing the movement path of the other laser beam;
A step of irradiating the substrate with the laser beam having the path of movement opened to process the substrate and monitoring the substrate; And
And stopping the laser processing operation if a failure occurs in the substrate processing; Including,
Wherein the step of photographing the substrate includes automatically adjusting a photographing magnification of the substrate in accordance with the degree of fineness of the substrate and the type of operation with respect to the substrate.

delete

The method of claim 10,
And a step of stopping the laser processing operation when a failure occurs in the substrate processing,
And adjusting and re-processing the position of the substrate.

The method of claim 10,
Selecting a first wavelength laser beam when the substrate pattern material is a metal film and selecting a second wavelength laser beam having a wavelength smaller than that of the first wavelength laser beam when the substrate film material is an organic film or an indium tin oxide film.

The method of claim 10,
Processing the substrate may comprise:
And repairing defects of the pattern formed on the substrate.