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JP2002217550A - Laser processing method, laser processing device and manufacturing method of multilayer printed circuit board - Google Patents

Laser processing method, laser processing device and manufacturing method of multilayer printed circuit board

Info

Publication number
JP2002217550A
JP2002217550A JP2001007229A JP2001007229A JP2002217550A JP 2002217550 A JP2002217550 A JP 2002217550A JP 2001007229 A JP2001007229 A JP 2001007229A JP 2001007229 A JP2001007229 A JP 2001007229A JP 2002217550 A JP2002217550 A JP 2002217550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
metal layer
insulating resin
resin layer
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001007229A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryuichi Togawa
隆一 外川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001007229A priority Critical patent/JP2002217550A/en
Publication of JP2002217550A publication Critical patent/JP2002217550A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser boring method and a laser borer which can process a via hole for an insulation resin layer and a metal layer, forming a multilayer substrate successively with high efficiency and high yield in the same process. SOLUTION: Identical wavelength output from one unit of pulse laser oscillator 1 is used for a laser beam L emitted for irradiating metal layers 11a, 11b and insulation resin layers 12a, 12b. The metal layers 11a, 11b are processed, without the use of a uniform optical system 4 and a mask 5. The insulation resin layers 12a, 12b are processed by using the uniform optical system 4 and the mask 5. Different wavelengths output from two units of pulse laser oscillators 15, 16 are used for laser beams L1, L2, emitted for irradiating the metallic layers 11a, 11b and the insulation resin layers 12a, 12b. The metallic layers 11a, 11b and the insulation resin layers 12a, 12b are processed, by using the same uniform optical system 20 and mask 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、金属層と絶縁樹脂
層を重ね合わせた積層基板へのビアホールを形成するレ
ーザ孔あけ方法およびその装置並びにそれらを用いた多
層配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser drilling method and apparatus for forming a via hole in a laminated substrate in which a metal layer and an insulating resin layer are superposed, and a method for manufacturing a multilayer wiring board using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話やパソコンなどに使用される電
子部品を実装したプリント基板で、特に積層基板の製造
に際しては、積層された配線パターン間の電気的接続を
行うため、配線層間の絶縁樹脂層に孔(ビアホール)を
形成する必要がある。高密度に配線された積層基板で
は、一枚当りのビアホールの数が数千から数万になる。
そのため、積層基板の生産ラインでは孔あけ加工の高速
化が不可欠である。
2. Description of the Related Art A printed circuit board on which electronic components used for a cellular phone, a personal computer, and the like are mounted. Particularly, in the production of a laminated board, an insulating resin between wiring layers is used to make electrical connection between laminated wiring patterns. It is necessary to form holes (via holes) in the layer. In the case of a high-density laminated substrate, the number of via holes per substrate is in the range of thousands to tens of thousands.
Therefore, high-speed drilling is indispensable in the production line of the laminated substrate.

【0003】従来のビアホールの形成法としては、ドリ
ルによる機械加工やフォトリソグラフィによる方法が用
いられていたが、現状のドリル加工ではφ0.2mm以
下の孔あけは困難であることに加え、高密度配線基板で
は絶縁層厚さが100μm以下となり、この精度で深さ
制御を行うことが困難なため、ドリル加工では微細ビア
ホールの形成は不可能である。また、フォトリソグラフ
ィによる方法では工程が複雑になり生産性の向上には不
適当である。それらの事情と共に、より高密度に電子部
品を実装する積層基板の要求に伴い、より小径のビアホ
ールが形成できるレーザ加工が利用されるようになって
きている。
[0003] Conventionally, a method of forming a via hole by drilling or by photolithography has been used. However, in the current drilling, it is difficult to form a hole of φ0.2 mm or less. In a wiring board, the thickness of the insulating layer is 100 μm or less, and it is difficult to control the depth with this precision. Therefore, it is impossible to form a fine via hole by drilling. Further, the method using photolithography complicates the process and is not suitable for improving the productivity. Along with these circumstances, with the demand for a multilayer substrate on which electronic components are mounted at a higher density, laser processing capable of forming a via hole with a smaller diameter has been used.

【0004】レーザ加工を用いた従来の技術では、コン
フォーマル法と呼ばれる方法が用いられていた。この方
法では、最外層の金属層にエッチングにより孔を形成
し、絶縁樹脂層表面を露出させ、その後、露出した表面
にレーザ光を照射して絶縁樹脂層を加工している。絶縁
樹脂層の加工にはCOガスレーザ発振器による10μ
mのレーザ光が使用されている。
In a conventional technique using laser processing, a method called a conformal method has been used. In this method, holes are formed in the outermost metal layer by etching, the surface of the insulating resin layer is exposed, and then the exposed surface is irradiated with laser light to process the insulating resin layer. 10μ by CO 2 gas laser oscillator for processing of insulating resin layer
m laser light is used.

【0005】また、金属層と絶縁樹脂層を同一工程で加
工する方法としては、YAGレーザの第3高調波などの
紫外レーザ光を使用する方法が用いられることがある。
As a method of processing the metal layer and the insulating resin layer in the same step, a method using an ultraviolet laser beam such as a third harmonic of a YAG laser may be used.

【0006】通常、金属層は絶縁樹脂層に比べて加工に
必要なレーザ強度(フルエンス)が大きく、例えば、金
属層として銅箔を用いた場合にはフルエンスは3J/c
以上が必要である。また、形成したビアホールの底
面となる3層目の金属層はレーザの照射を受けても損傷
されないことも必要である。さらに、ビアホールの形成
後は、例えば、めっき処理により層間接続を行うために
ビアホールの底部は、所望の径で完全に絶縁樹脂が除去
されている必要がある。
Usually, the metal layer has a higher laser intensity (fluence) required for processing than the insulating resin layer. For example, when a copper foil is used as the metal layer, the fluence is 3 J / c.
m 2 or more is required. Further, it is necessary that the third metal layer serving as the bottom surface of the formed via hole is not damaged by laser irradiation. Further, after the formation of the via hole, it is necessary that the insulating resin is completely removed at a desired diameter at the bottom of the via hole in order to perform interlayer connection by plating, for example.

【0007】このため、金属層と絶縁樹脂層を同一工程
で連続的に加工するには、金属層の加工中と、絶縁樹脂
層の加工中でフルエンスを変更する手段が必要となると
ともに、絶縁樹脂を加工する場合には、レーザ光の強度
分布を平坦化し、ビアホール底部となる金属層を損傷さ
せないフルエンスで加工する必要がある。
[0007] Therefore, in order to continuously process the metal layer and the insulating resin layer in the same step, a means for changing the fluence during the processing of the metal layer and the processing of the insulating resin layer is required. When processing the resin, it is necessary to flatten the intensity distribution of the laser beam and to process with a fluence that does not damage the metal layer serving as the bottom of the via hole.

【0008】このようなレーザ加工装置としては、レー
ザ光の光路上にレーザパワーを制限するためのアッテネ
ータを挿入し、加工工程中にフルエンスを変化する方法
が用いられていることがある。
As such a laser processing apparatus, a method of inserting an attenuator for limiting a laser power on an optical path of a laser beam and changing a fluence during a processing step is sometimes used.

【0009】また、特開2000−190088号公報
には、2つ以上の波長を発生させるレーザ発振器から発
生したレーザ光を高調波発生装置またはビーム切替え装
置によって波長を選択して、孔あけ加工等の主加工を基
本波で行い、スミア除去のような従加工を高調波で行な
う技術が開示されている。
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-190088 discloses that a laser beam generated from a laser oscillator for generating two or more wavelengths is selected by a harmonic generator or a beam switching device to perform drilling or the like. A technique is disclosed in which the main processing is performed with a fundamental wave and the sub processing such as smear removal is performed with a harmonic.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
コンフォーマル法では、積層基板を形成している金属層
と絶縁樹脂層とに、別々の加工工程が必要となり、設備
が必要になり、また、別々の工程で加工するために生産
性の面で好ましくない。
However, in the above-mentioned conformal method, separate processing steps are required for the metal layer and the insulating resin layer forming the laminated substrate, and equipment is required. Processing in separate steps is not preferred in terms of productivity.

【0011】また、アッテネータを用いてレーザ光に対
してフルエンス制御を行った場合、積層基板の絶縁樹脂
層を加工する場合にはレーザエネルギを大きく損失する
ことになる。また、一般的にレーザの強度分布を平坦化
するための光学系を設置すると、エネルギ損失が大きく
なるため、金属層を加工する場合の加工速度も低下して
しまうという問題がある。
In addition, when fluence control is performed on laser light using an attenuator, when processing an insulating resin layer of a laminated substrate, laser energy is greatly lost. Further, generally, when an optical system for flattening the laser intensity distribution is installed, energy loss increases, and thus there is a problem in that the processing speed when processing the metal layer also decreases.

【0012】また、特開2000−190088号公報
に開示された技術では、孔あけ加工と孔あけ加工を施し
た際の、孔の底部銅箔上に残留したスミアの除去につい
て技術が開示されているに過ぎない。
Further, in the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-190088, there is disclosed a technique for removing a smear remaining on a bottom copper foil of a hole when the hole is formed and the hole is formed. It's just that.

【0013】本発明はこれらの事情にもとづいてなされ
たもので、積層基板を形成している金属層と絶縁樹脂層
とに、ビアホールを同一の工程で連続的に高効率で高い
歩留まりで加工できるレーザ孔あけ方法およびレーザ孔
あけ装置並びにそれらを用いた多層配線基板の製造方法
を提供することを目的としている。
The present invention has been made based on these circumstances, and via holes can be continuously formed in a metal layer and an insulating resin layer forming a laminated substrate in the same process with high efficiency and high yield. It is an object of the present invention to provide a laser drilling method, a laser drilling apparatus, and a method for manufacturing a multilayer wiring board using the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、絶縁樹脂層の表面に金属層が積層されて形
成された積層基板の前記金属層にレーザ光を照射して該
金属層と前記絶縁樹脂層とに連通した孔あけ加工を施す
レーザ加工方法において、前記金属層と前記絶縁樹脂層
へのレーザ光は、一台のパルスレーザ発振器から出力さ
れた同一波長を切換え自在な2つの光路を用いて行い、
前記金属層への加工は均一化光学系とマスクを用いない
一方の経路で行い、前記絶縁樹脂層への加工は前記均一
化光学系と前記マスクを用いる他方の光路で行なうこと
を特徴とするレーザ加工方法である。
According to the first aspect of the present invention, a metal layer is formed by laminating a metal layer on a surface of an insulating resin layer, and the metal layer is irradiated with a laser beam. In the laser processing method for performing a drilling process that communicates with a layer and the insulating resin layer, the laser light to the metal layer and the insulating resin layer can switch the same wavelength output from one pulse laser oscillator. Performed using two optical paths,
The processing on the metal layer is performed in one path without using the uniformizing optical system and the mask, and the processing on the insulating resin layer is performed in the other optical path using the uniforming optical system and the mask. This is a laser processing method.

【0015】また請求項2の発明による手段によれば、
前記パルスレーザ発振器から出力されるレーザ光は、Y
AGレーザの第三高調波であることを特徴とするレーザ
加工方法である。
According to the second aspect of the present invention,
The laser light output from the pulse laser oscillator is Y
A laser processing method characterized by being a third harmonic of an AG laser.

【0016】また請求項3の発明による手段によれば、
絶縁樹脂層の表面に金属層が積層されて形成された積層
基板の前記金属層にレーザ光を照射して該金属層と前記
絶縁樹脂層とに連通した孔あけ加工を施すレーザ加工方
法において、前記金属層と前記絶縁樹脂層へ照射するレ
ーザ光は、2台のパルスレーザ発振器から出力されたそ
れぞれの異なった波長を用いて行なうことを特徴とする
レーザ加工方法である。
According to the third aspect of the present invention,
In a laser processing method of irradiating a laser beam to the metal layer of the laminated substrate formed by laminating a metal layer on the surface of the insulating resin layer and performing a drilling process communicating with the metal layer and the insulating resin layer, The laser processing method is characterized in that the laser light applied to the metal layer and the insulating resin layer is performed using different wavelengths output from two pulse laser oscillators.

【0017】また請求項4の発明による手段によれば、
前記2台のパルスレーザ発振器から出力されるレーザ光
は紫外光であることを特徴とするレーザ加工方法であ
る。
Further, according to the means of the present invention,
The laser processing method is characterized in that the laser light output from the two pulse laser oscillators is ultraviolet light.

【0018】また請求項5の発明による手段によれば、
前記金属層への加工と前記絶縁樹脂層への加工は同一工
程で行なうことを特徴とするレーザ加工方法である。
According to the fifth aspect of the present invention,
The laser processing method is characterized in that the processing on the metal layer and the processing on the insulating resin layer are performed in the same step.

【0019】また請求項6の発明による手段によれば、
レーザ発振器と、このレーザ発振器の出力側の光軸上の
前方に設けられている可動自在なミラーの切換えにより
被加工体を照射する2つの光路が形成されるレーザ加工
装置において、前記光路の一方には均一化光学系とマス
クが配置され、かつ、その光軸上の前方に配置されてい
るf-θレンズは他方の光路と共有していることを特徴
とするレーザ加工装置である。
Further, according to the means of the invention of claim 6,
A laser oscillator, and a laser processing apparatus in which two optical paths for irradiating a workpiece are formed by switching a movable mirror provided in front of an optical axis on an output side of the laser oscillator; Is a laser processing apparatus in which a uniforming optical system and a mask are arranged, and an f-θ lens arranged in front of the optical axis is shared with the other optical path.

【0020】また請求項7の発明による手段によれば、
2つのレーザ発振器と、この2つのレーザ発振器の出力
側の共通の光路の光軸上の前方に設けられているダイク
ロイックミラーにより被加工体を照射する2つの光路が
形成されるレーザ加工装置において、前記ダイクロイッ
クミラーの光軸上の前方には均一化光学系とマスクとf
−θレンズとが配置されていることを特徴とするレーザ
加工装置である。
According to the means of the invention of claim 7,
In a laser processing apparatus in which two laser oscillators and two optical paths for irradiating a workpiece with a dichroic mirror provided on the optical axis of a common optical path on the output side of the two laser oscillators are formed, In front of the dichroic mirror on the optical axis, a uniforming optical system, a mask and f
A laser processing apparatus, wherein a -θ lens is disposed.

【0021】また請求項8の発明による手段によれば、
絶縁層とその表面に形成された導電層とを貫通する貫通
孔の形成に、上記のレーザ加工方法を用いたことを特徴
とする多層配線基板の製造方法である。
According to the means of the invention of claim 8,
A method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the above-described laser processing method is used for forming a through hole penetrating an insulating layer and a conductive layer formed on a surface thereof.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】図1は、本発明のレーザ加工装置の一例で
あるレーザ孔あけ装置を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a laser drilling apparatus which is an example of a laser processing apparatus according to the present invention.

【0024】レーザ孔あけ装置は、紫外レーザを発生す
るパルスレーザ発振器1の光軸上の前方には、順次、出射
したレーザ光Lを反射させる反射ミラー2、反射ミラー
2で反射したレーザ光Lの光路を選択的に変更するため
の第一スキャンミラー3と、この第一スキャンミラー3
の選択的に変更された一方の光路には、レーザ光Lの強
度分布を平坦化するための均一化光学系4と、レーザ光
Lの透過を一部制限し、加工点において所望の孔形状を
実現するためのマスク5と、レーザ光Lを加工点で操作
させるための一対の第二スキャンミラー6a、6bと、
この第二スキャンミラー6a、6bから出射したレーザ
光Lを加工点で集光するためのf−θレンズ8が配置さ
れている。
The laser drilling device includes a reflection mirror 2 for reflecting the emitted laser light L, and a laser light L reflected by the reflection mirror 2 in front of an optical axis of a pulse laser oscillator 1 for generating an ultraviolet laser. Scan mirror 3 for selectively changing the optical path of the first scan mirror 3
In one of the selectively changed optical paths, a uniforming optical system 4 for flattening the intensity distribution of the laser light L, and a part of the transmission of the laser light L, and a desired hole shape at the processing point. A pair of second scan mirrors 6a and 6b for operating the laser beam L at the processing point;
An f-θ lens 8 for condensing the laser light L emitted from the second scan mirrors 6a and 6b at a processing point is provided.

【0025】また、第一スキャンミラー3の選択的に変
更された他方の光路には、反射ミラー9を介して第三ス
キャンミラー7が設けられている。この第三スキャンミ
ラー7は、一方の第二スキャンミラー6bと共動して、
出射したレーザ光Lをf−θレンズ8に入射する。
A third scan mirror 7 is provided on the other optical path of the first scan mirror 3 selectively changed via a reflection mirror 9. This third scan mirror 7 cooperates with one second scan mirror 6b,
The emitted laser light L enters the f-θ lens 8.

【0026】第一から第三の各スキャンミラー3、6
a、6b、7は、それぞれ図示しないミラー駆動装置に
装着されており、ミラー駆動装置は後述するコントロー
ラにより制御されて、各スキャンミラー3、6a、6
b、7が光軸に対する角度を変更することが可能なよう
に構成されている。
First to third scan mirrors 3 and 6
Reference numerals a, 6b, and 7 are mounted on mirror driving devices (not shown), respectively. The mirror driving devices are controlled by a controller described later, and each of the scan mirrors 3, 6a, and 6 is controlled.
b and 7 are configured to be able to change the angle with respect to the optical axis.

【0027】f−θレンズ8の前方には、スキャンミラ
ー6bによる加工範囲を移動させるとともに、積層基板
等の被加工体14のワーキングディスタンスを変更する
ためのX−Y−Zテーブル9が設けられている。なお、
X−Y−Zテーブル9の動作は、X−Y−Zテーブル9
の駆動部(不図示)が接続されているコントローラによ
り制御されている。
An XYZ table 9 is provided in front of the f-θ lens 8 for moving the working range of the scan mirror 6b and changing the working distance of the work 14 such as a laminated substrate. ing. In addition,
The operation of the XYZ table 9 is based on the XYZ table 9
Are controlled by a controller connected to the drive unit (not shown).

【0028】パルスレーザ発振器1は例えば、YAGレ
ーザの第三高調波(波長355nm)が用いられる。ま
た、均一化光学系4としては、例えば、アレイレンズ
群、カライドスコープ、光ファイバなどを用いている。
また、マスク5は、例えば、銅板からなり、加工する形
状に合わせて、例えば、円形の孔5aが形成されてい
る。
As the pulse laser oscillator 1, for example, the third harmonic (wavelength: 355 nm) of a YAG laser is used. Further, as the uniformizing optical system 4, for example, an array lens group, a kaleidoscope, an optical fiber, or the like is used.
The mask 5 is made of, for example, a copper plate, and has, for example, a circular hole 5a according to the shape to be processed.

【0029】次に、これらの構成による被加工体である
積層基板への加工について説明する。図2は被加工体1
4である積層基板の断面図で、金属層11a、11bと
絶縁樹脂層12a、12bとが交互に積層されて形成さ
れている。また、積層基板には本発明の孔あけ方法によ
りビアホール13が順次形成さる。
Next, a description will be given of processing on a laminated substrate which is a workpiece to be processed by these configurations. FIG. 2 shows the workpiece 1
4 is a cross-sectional view of the laminated substrate, in which metal layers 11a and 11b and insulating resin layers 12a and 12b are alternately laminated. Further, via holes 13 are sequentially formed in the laminated substrate by the hole forming method of the present invention.

【0030】パルスレーザ発振器1から出射されたレー
ザ光Lは、まず、積層基板14の金属層11aを加工す
るために、第一スキャンミラー3によって光路を変更さ
れ、均一化光学系4およびマスク5を経由せずに、第三
スキャンミラー7と一方の第二スキャンミラー6bによ
りf−θレンズ8に導入され、X−Y−Zテーブル9に
載置されている積層基板(被加工体14)に集光され
て、積層基板の金属層11aの表面に対して所定パルス
を照射し、金属層11aの孔あけ加工を行なう。
The laser beam L emitted from the pulse laser oscillator 1 is first changed in optical path by the first scan mirror 3 in order to process the metal layer 11 a of the laminated substrate 14, and the uniform optical system 4 and the mask 5 Without passing through, the third scan mirror 7 and one of the second scan mirrors 6b are introduced into the f-θ lens 8 by the second scan mirror 6b, and are mounted on the XYZ table 9 (workpiece 14). Then, a predetermined pulse is applied to the surface of the metal layer 11a of the laminated substrate, and a hole is formed in the metal layer 11a.

【0031】続いて、金属層11aの孔あけ加工が終了
後に、絶縁樹脂層12aに対しての孔あけ加工を行な
う。その際には、パルスレーザ発振器1から出射された
レーザ光Lは、第一スキャンミラー3によって均一化光
学系4およびマスク5へ導入され、第二スキャンミラー
6a、6bによりf−θレンズ8へ導入され、積層基板
14aの金属層11aの照射位置と等しい位置で、絶縁
樹脂層12aを照射する。
Subsequently, after the drilling of the metal layer 11a is completed, the drilling of the insulating resin layer 12a is performed. At that time, the laser light L emitted from the pulse laser oscillator 1 is introduced into the homogenizing optical system 4 and the mask 5 by the first scan mirror 3, and is transmitted to the f-θ lens 8 by the second scan mirrors 6a and 6b. The insulating resin layer 12a is introduced at a position equal to the irradiation position of the metal layer 11a on the laminated substrate 14a.

【0032】これらの加工に際して、f−θレンズ8に
より、マスク5の円形の孔5aを通過したレーザ光L
は、1/10〜1/20の倍率で積層基板の金属層11
aの表面の加工点に結像される。
At the time of these processings, the laser beam L passing through the circular hole 5a of the mask 5 by the f-θ lens 8
Is the metal layer 11 of the laminated substrate at a magnification of 1/10 to 1/20.
An image is formed at a processing point on the surface a.

【0033】また、金属層11aを加工するために第一
スキャンレンズ3により光路を変更されたレーザ光L
は、加工点で3J/cm以上の強度となり、また絶縁
樹脂層12aを加工するために均一化光学系4およびマ
スク5を通過したレーザ光Lは、均一化光学系4での反
射または吸収によるエネルギ損失、マスク5による損失
により加工点で3J/cm未満の強度となるように設
定されている。
The laser beam L whose optical path has been changed by the first scan lens 3 for processing the metal layer 11a.
Is equal to or more than 3 J / cm 2 at the processing point, and the laser light L that has passed through the uniformizing optical system 4 and the mask 5 for processing the insulating resin layer 12a is reflected or absorbed by the uniformizing optical system 4. The intensity is set to be less than 3 J / cm 2 at the processing point due to the energy loss caused by the mask 5 and the loss caused by the mask 5.

【0034】これにより、金属層11aの加工でエネル
ギーロスを抑え、効率的に加工することができ、絶縁樹
脂層12aは形成するビアホール13の底面の金属層1
1bの表面に損傷を与えない加工ができる。
Thus, the processing of the metal layer 11a can suppress energy loss and can be processed efficiently, and the insulating resin layer 12a is formed on the bottom of the via hole 13 in the metal layer 1a.
1b can be processed without damaging the surface.

【0035】なお、金属層11aを加工する場合には、
所望の径で加工するために、X−Y−Zテーブル9のZ
軸(不図示)を移動させてデフォーカスして加工する
か、第一スキャンミラ−3と第二スキャンミラー6bと
によりビームを円形に走査しながら加工を行う。
When processing the metal layer 11a,
In order to work with a desired diameter, the Z of the XYZ table 9
Defocusing is performed by moving an axis (not shown), or processing is performed while the beam is circularly scanned by the first scan mirror-3 and the second scan mirror 6b.

【0036】コントローラ10は、レーザ発振パルス
数、スキャナによる光路変更、加工点におけるレーザ光
Lの走査、加工領域移動およびデフオーカスのためのX
−Y−Zテーブル9の移動を制御する。
The controller 10 controls the number of laser oscillation pulses, the change of the optical path by the scanner, the scanning of the laser beam L at the processing point, the movement of the processing area, and the X for the defocus.
-Control the movement of the YZ table 9.

【0037】このように、本実施の形態では金属層を加
工する際にエネルギー効率を高くでき、絶縁樹脂層12
aを加工する際には、底面の金属層11bの損傷が無い
ため、金属層11aと絶縁樹脂層12aとを、同一工程
で加工効率よく高い歩留まりで行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the energy efficiency can be increased when the metal layer is processed, and the insulating resin layer 12
When processing a, since the metal layer 11b on the bottom surface is not damaged, the metal layer 11a and the insulating resin layer 12a can be formed in the same step with high processing efficiency and high yield.

【0038】次に本発明に係わる第2の実施形態を示
す。図3は本発明に係わる第2の実施形態を示すレーザ
孔あけ装置を示す模式図である。
Next, a second embodiment according to the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic view showing a laser drilling apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【0039】このレーザ孔あけ装置は、紫外レーザ光L
を発生する第一パルスレーザ発振器15と、第一パル
スレーザ発振器15よりも高い出力が得られ、波長が異
なる第二パルスレーザ発振器16の2つのレーザ発振器
を具えている。
This laser drilling device uses an ultraviolet laser beam L
1 and two laser oscillators, a second pulse laser oscillator 16 having a higher output than the first pulse laser oscillator 15 and different wavelengths.

【0040】第一パルスレーザ発振器15の出力側の光
路上の前方には反射ミラー17が設けられ、その前方に
は、ダイクロイックミラー18が設けられている。この
ダイクロイックミラー18は、透過光と反射光に対して
の波長選択性を具えており、第一パルスレーザ発振器1
5からレーザ光Lを出力している際には、レーザ光L
の波長を透過し、第二パルスレーザ発振器16からレ
ーザ光Lを出力している際には、レーザ光Lの波長
を反射させて出力する。したがって、このダイクロイッ
クミラー18の作用により、ダイクロイックミラー18
以降の2つのレーザ発振器15、16から出力されたレ
ーザ光L、Lは、同一光軸となる。
Light on the output side of the first pulse laser oscillator 15
A reflection mirror 17 is provided in front of the road, and
Is provided with a dichroic mirror 18. this
The dichroic mirror 18 is used for transmitted light and reflected light.
1st pulsed laser oscillator 1
5 to laser light L1Is output, the laser light L
1And the laser beam from the second pulse laser oscillator 16
The light L2Is output, the laser light L2Wavelength of
Is reflected and output. Therefore, this dichroic
The operation of the dichroic mirror 18
The lasers output from the following two laser oscillators 15 and 16
The light L1, L2Have the same optical axis.

【0041】ダイクロイックミラー18の光軸上の前方
には反射ミラー19が設けられ、さらにその前方には、順
次、レーザ光L、Lの強度分布を均一にする均一化
光学系20と、ビーム形状を成形するためのマスク21
と、加工点でレーザを走査するためのスキャンミラー2
2a、22bと、第一パルスレーザ発振器15からのレ
ーザ光Lおよび第2レーザ発振器16のレーザ光L
に対し色収差を補正したf−θレンズ23が配置されて
いる。
A reflecting mirror 19 is provided in front of the dichroic mirror 18 on the optical axis, and further in front thereof, a uniforming optical system 20 for making the intensity distribution of the laser beams L 1 and L 2 uniform, and Mask 21 for shaping the beam shape
And a scan mirror 2 for scanning a laser at a processing point
2a, a 22b, the laser beam L 2 of the laser beam L 1 and the second laser oscillator 16 from the first pulse laser oscillator 15
An f-θ lens 23 having corrected chromatic aberration is disposed.

【0042】スキャンミラー22a、22bは、図示し
ないミラー駆動装置に装着されており、ミラー駆動装置
は後述するコントローラにより制御されて、スキャンミ
ラー22a、22bが光軸に対する角度を変更すること
が可能なように構成されている。
The scan mirrors 22a and 22b are mounted on a mirror driving device (not shown), and the mirror driving device is controlled by a controller described later so that the scan mirrors 22a and 22b can change the angle with respect to the optical axis. It is configured as follows.

【0043】また、f−θレンズ23の前方には、被加
工体14である積層基板を載置してスキャンミラー22
bによるレーザ光L、Lの走査範囲を移動させるた
めのX−Yテーブル24が設けられている。なお、第一
パルスレーザ発振器15および第二パルスレーザ発振器
16の発振と、スキャンミラー22a、22bと、X−
Yテーブル24の動作は、それぞれコントローラ25に
より制御されている。
In front of the f-θ lens 23, a laminated substrate, which is the object to be processed 14, is placed and a scan mirror 22 is mounted.
X-Y table 24 for moving the scanning range of the laser beam L 1, L 2 are provided by b. The oscillations of the first pulse laser oscillator 15 and the second pulse laser oscillator 16, the scan mirrors 22a and 22b, and the X-
The operation of the Y table 24 is controlled by the controller 25, respectively.

【0044】第一パルスレーザ発振器15には、紫外光
を発生するたとえばYAGレーザ第三高調波(波長35
5nm)が用いられる。また、第二パルスレーザ発振器
16は、第一パルスレーザ発振器に対して高い出力の得
られる例えばYAGレーザ基本波(波長1064nm)
やYAGレーザ第二高調波(波長532nm)が用いら
れる。なお、第一パルスレーザ発振器15にYAGレー
ザ第3高調波を用いる場合、第3高調波発生に付随する
基本波または第2高調波を第二レーザ光Lとして利用す
ることが望ましい。
The first pulsed laser oscillator 15 has, for example, a third harmonic of a YAG laser (wavelength 35
5 nm) is used. Further, the second pulse laser oscillator 16 is, for example, a YAG laser fundamental wave (wavelength 1064 nm) that can obtain a higher output than the first pulse laser oscillator.
Or a YAG laser second harmonic (wavelength 532 nm). When a YAG laser third harmonic is used for the first pulse laser oscillator 15, it is desirable to use a fundamental wave or a second harmonic accompanying the generation of the third harmonic as the second laser light L.

【0045】これらの構成により、上述の被加工体14
と同様に、図2で示した積層基板に対して孔あけ加工を
行なう場合、まず、積層基板の金属層11aを加工する
ために第二パルスレーザ発振器16を発振させる。この
場合、第二パルスレーザ発振器16と同時に第一パルス
レーザ発振器15を発振させてもよい。発振されたレー
ザ光LまたはLは均一化光学系20、マスク21を
通過し、スキャンミラー22bにより位置決めされて、
金属層11aの表面上の所定個所にf−θレンズ23を
介して結像されて積層基板の金属層11aに対して所定
の加工を施す。
With these configurations, the work piece 14
Similarly to the above, in the case of performing the drilling process on the laminated substrate shown in FIG. 2, first, the second pulse laser oscillator 16 is oscillated to process the metal layer 11a of the laminated substrate. In this case, the first pulse laser oscillator 15 may be oscillated simultaneously with the second pulse laser oscillator 16. The laser beam L 1 or L 2 which is oscillated uniformizing optical system 20, passes through the mask 21, is positioned by the scanning mirror 22b,
An image is formed at a predetermined location on the surface of the metal layer 11a via the f-θ lens 23, and a predetermined process is performed on the metal layer 11a of the laminated substrate.

【0046】次に、金属層11aの加工が終了し、絶縁
樹脂層12aの加工を行なう際には、第二パルスレーザ
発振器16からのレーザ光Lは停止され、第一パルス
レーザ発振器からのレーザ光Lのみが絶縁樹脂層12
aに照射される。
Next, processing of the metal layer 11a is completed, when performing processing of the insulating resin layer 12a, the laser beam L 2 from the second pulse laser oscillator 16 is stopped, from the first pulse laser oscillator only the laser light L 1 is the insulating resin layer 12
a.

【0047】第一パルスレーザ発振器15からのレーザ
光Lは加工点で3J/cm以下の強度になるように
設定されており、f−θレンズ23は第一パルスレーザ
発振器15からのレーザ光Lおよび第二パルスレーザ
発振器16からのレーザ光L に対し色収差を補正し、
金属層11aおよび絶縁樹脂層12aを同一の形状で加
工する。
Laser from first pulse laser oscillator 15
Light L1Is 3J / cm at the processing point2So that it has the following strength
F-θ lens 23 is the first pulse laser
Laser light L from oscillator 151And second pulse laser
Laser light L from oscillator 16 2To correct chromatic aberration,
The metal layer 11a and the insulating resin layer 12a are added in the same shape.
Work.

【0048】このように、本実施の形態では金属層を加
工する際に出力の高いレーザ発振器で加工するため、加
工速度を速くでき、絶縁樹脂層を加工する際には、底面
の金属層の損傷が無い加工ができ、金属層と絶縁樹脂層
の同一工程での加工を効率よく、高い歩留まりで行うこ
とができる。
As described above, in this embodiment, since the metal layer is processed by the laser oscillator having a high output, the processing speed can be increased, and when the insulating resin layer is processed, the metal layer on the bottom surface is processed. Processing without damage can be performed, and processing of the metal layer and the insulating resin layer in the same step can be performed efficiently and with high yield.

【0049】また、図4は上述の第2の実施の形態の変
形例を示すレーザ孔あけ装置を示す模式図である。な
お、図4においては図3と同一機能部分については同一
符号を付して、個々のその説明を主略する。
FIG. 4 is a schematic view showing a laser drilling apparatus showing a modification of the above-described second embodiment. In FIG. 4, the same reference numerals are given to the same functional portions as in FIG. 3, and the individual description thereof is omitted.

【0050】この場合は、第1パルスレーザ発振器15
の光路と第2パルスレーザ発振器16との光路を分離し
ている。第2パルスレーザ発振器16の光路は、図3で
示した光路と同様であるが、第1パルスレーザ発振器1
5の光路は、独立の光路を設けたので、均一化光学系2
0、マスク21およびスキャンミラー22aは経由しな
い。そのため、反射ミラー17の位置が図3とは異な
る。また、反射ミラー17の前方にはスキャンミラー2
2bと連動する可動反射ミラー29を設けている。
In this case, the first pulse laser oscillator 15
And the optical path of the second pulse laser oscillator 16 are separated. The optical path of the second pulse laser oscillator 16 is the same as the optical path shown in FIG.
The optical path 5 is provided with an independent optical path.
0, the mask 21 and the scan mirror 22a do not pass. Therefore, the position of the reflection mirror 17 is different from that in FIG. The scan mirror 2 is located in front of the reflection mirror 17.
A movable reflection mirror 29 interlocked with 2b is provided.

【0051】これらの構成により、第1パルスレーザ発
振器15から出力したレーザ光Lは、スキャンミラー
22bまで独立の光路を進み、それ以降はスキャンミラ
ー22bにより位置決めされて、金属層11aの表面上
の所定個所にf−θレンズ23を介して結像されて加工
を施す。
[0051] With these configurations, the laser beam L 1 output from the first pulse laser oscillator 15 proceeds the optical path independent until the scan mirror 22b, is positioned by the scanning mirror 22b later, on the surface of the metal layer 11a Is processed through the f-θ lens 23 at a predetermined position.

【0052】次に、本発明のレーザ加工方法による多層
配線基板のビアホール形成を用いた多層配線基板の製造
方法について説明する。
Next, a description will be given of a method of manufacturing a multilayer wiring board using the formation of via holes in the multilayer wiring board by the laser processing method of the present invention.

【0053】絶縁層の表裏両面だけでなく、内面にも導
体パターンを形成したプリント配線基板である多層プリ
ント配線基板は、電子機器の小型化、高密度実装化に伴
い電子計算機等で導体層が4層板(導体パターンが銅箔
層で4層重ね合せて形成されているもの)、6層板、8
層板或いはそれ以上のもの(例えば、44層板)まで実
用化されており、各銅箔層にはそれぞれ、電気回路に応
じた導体パターンが形成されている。各銅箔層間の導通
は、めっきスルーホール(貫通バイヤホールやインター
スティションバイヤホール)を用いることによって得ら
れている。
A multilayer printed wiring board, which is a printed wiring board in which a conductor pattern is formed not only on the front and back surfaces of the insulating layer but also on the inner surface, has been developed by a computer or the like in accordance with the miniaturization and high-density mounting of electronic devices. 4-layer plate (conductor pattern formed by laminating four copper foil layers), 6-layer plate, 8
Laminated plates or more (for example, 44-layered plates) have been put into practical use, and each copper foil layer is formed with a conductor pattern corresponding to an electric circuit. The continuity between the copper foil layers is obtained by using plated through holes (through via holes or interstitial via holes).

【0054】このめっきスルーホールは、絶縁樹脂上に
導体層が形成された各層ごとの所定位置に、それぞれ、
本発明のレーザ加工方法で貫通孔を加工し、その後、貫
通孔にめっき処理を施してめっきスルーホールを形成す
る。その後、それらを正確に位置合せして貼り合せ、多
層配線基板を製造している。
The plated through-holes are provided at predetermined positions on each of the conductive layers formed on the insulating resin.
The through hole is processed by the laser processing method of the present invention, and thereafter, the through hole is plated to form a plated through hole. After that, they are accurately aligned and bonded to produce a multilayer wiring board.

【0055】なお、多層配線基板の製造方法は、通常、
3層板〜8層板については、その積層工程を銅張積層板
メーカが行っているマスラミネーション(Mass l
amination)方式が主流で、10層板以上の積
層になると、全ての工程をプリント配線板メーカが行う
ピンラミネーション(Pin lamination)
方式が採用されている。
The method of manufacturing a multilayer wiring board is usually
Regarding the three-layer board to the eight-layer board, the lamination process is performed by mass lamination (Massl) performed by a copper-clad laminate manufacturer.
a lamination method is the mainstream, and when lamination of 10 or more layers is performed, all the processes are performed by a printed wiring board maker.
The method is adopted.

【0056】どちらの方式でも、各内層パターンを形成
した後に、各層間の位置関係を正確に一致させた状態で
接着して多層配線基板を製造している。
In either method, after each inner layer pattern is formed, bonding is performed in a state where the positional relationship between the respective layers is accurately matched to manufacture a multilayer wiring board.

【0057】[0057]

【発明の効果】本発明によれば、レーザ光を用いて積層
基板の金属層を高速に加工することができ、また、絶縁
樹脂層の加工の際にはビアホール底面の金属層表面を損
傷させない品質の高い加工を行なうことができる。
According to the present invention, the metal layer of the laminated substrate can be processed at a high speed by using a laser beam, and the metal layer surface on the bottom surface of the via hole is not damaged when the insulating resin layer is processed. High quality processing can be performed.

【0058】また、金属層と絶縁樹脂層を同一工程で効
率よく高い歩留まりで加工することが可能である。
Further, it is possible to efficiently process the metal layer and the insulating resin layer in the same step with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のレーザ孔あけ装置の模式図。FIG. 1 is a schematic view of a laser drilling apparatus according to the present invention.

【図2】積層基板の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a laminated substrate.

【図3】本発明の別のレーザ孔あけ装置の模式図。FIG. 3 is a schematic view of another laser drilling device of the present invention.

【図4】本発明の別のレーザ孔あけ装置の変形例の模式
図。
FIG. 4 is a schematic view of a modified example of another laser drilling device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…パルスレーザ発振器、3…第一スキャンミラー、
4、20…均一光学系、5…マスク、6a、6b…第二
スキャンミラー、7…第三スキャンミラー、8…f−θ
レンズ、11a、11b…金属層、12a、12b…絶
縁樹脂層、13…ビアホール、14…積層基板、15…
第一パルスレーザ発振器、16…第二パルスレーザ発振
器、17…、18…切換えミラー、21…マスク、23
…f−θレンズ
1 ... pulse laser oscillator, 3 ... first scan mirror,
4, 20: uniform optical system, 5: mask, 6a, 6b: second scan mirror, 7: third scan mirror, 8: f-θ
Lens, 11a, 11b: metal layer, 12a, 12b: insulating resin layer, 13: via hole, 14: laminated substrate, 15:
1st pulse laser oscillator, 16 ... second pulse laser oscillator, 17 ..., 18 ... switching mirror, 21 ... mask, 23
… F-θ lens

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁樹脂層の表面に金属層が積層されて
形成された積層基板の前記金属層にレーザ光を照射して
該金属層と前記絶縁樹脂層とに連通した孔あけ加工を施
すレーザ加工方法において、前記金属層と前記絶縁樹脂
層へのレーザ光は、一台のパルスレーザ発振器から出力
された同一波長を切換え自在な2つの光路を用いて行
い、前記金属層への加工は均一化光学系とマスクを用い
ない一方の経路で行い、前記絶縁樹脂層への加工は前記
均一化光学系と前記マスクを用いる他方の光路で行なう
ことを特徴とするレーザ加工方法。
1. A laser beam is applied to the metal layer of a laminated substrate formed by laminating a metal layer on the surface of an insulating resin layer to perform a drilling process communicating with the metal layer and the insulating resin layer. In the laser processing method, the laser light to the metal layer and the insulating resin layer is performed using two optical paths that can switch the same wavelength output from one pulse laser oscillator, and the processing into the metal layer is performed. A laser processing method, wherein the laser processing method is performed in one path without using the uniformizing optical system and the mask, and the processing on the insulating resin layer is performed in the other optical path using the uniformizing optical system and the mask.
【請求項2】 前記パルスレーザ発振器から出力される
レーザ光は、YAGレーザの第三高調波であることを特
徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
2. The laser processing method according to claim 1, wherein the laser light output from the pulse laser oscillator is a third harmonic of a YAG laser.
【請求項3】 絶縁樹脂層の表面に金属層が積層されて
形成された積層基板の前記金属層にレーザ光を照射して
該金属層と前記絶縁樹脂層とに連通した孔あけ加工を施
すレーザ加工方法において、前記金属層と前記絶縁樹脂
層へ照射するレーザ光は、2台のパルスレーザ発振器か
ら出力されたそれぞれの異なった波長を用いて行なうこ
とを特徴とするレーザ加工方法。
3. A laser beam is applied to the metal layer of a laminated substrate formed by laminating a metal layer on the surface of an insulating resin layer to perform a drilling process communicating with the metal layer and the insulating resin layer. In the laser processing method, a laser beam applied to the metal layer and the insulating resin layer is performed using different wavelengths output from two pulse laser oscillators.
【請求項4】 前記2台のパルスレーザ発振器から出力
されるレーザ光は紫外光であることを特徴とする請求項
3記載のレーザ加工方法。
4. The laser processing method according to claim 3, wherein the laser light output from the two pulse laser oscillators is ultraviolet light.
【請求項5】 前記金属層への加工と前記絶縁樹脂層へ
の加工は同一工程で行なうことを特徴とする請求項1乃
至請求項4のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
5. The laser processing method according to claim 1, wherein the processing on the metal layer and the processing on the insulating resin layer are performed in the same step.
【請求項6】 レーザ発振器と、このレーザ発振器の出
力側の光軸上の前方に設けられている可動自在なミラー
の切換えにより被加工体を照射する2つの光路が形成さ
れるレーザ加工装置において、前記光路の一方には均一
化光学系とマスクが配置され、かつ、その光軸上の前方
に配置されているf-θレンズは他方の光路と共有して
いることを特徴とするレーザ加工装置。
6. A laser processing apparatus in which two optical paths for irradiating a workpiece are formed by switching between a laser oscillator and a movable mirror provided in front of an optical axis on the output side of the laser oscillator. Laser processing, wherein a homogenizing optical system and a mask are arranged in one of the optical paths, and an f-θ lens arranged in front of the optical axis is shared with the other optical path. apparatus.
【請求項7】 2つのレーザ発振器と、この2つのレー
ザ発振器の出力側の共通の光路の光軸上の前方に設けら
れているダイクロイックミラーにより被加工体を照射す
る2つの光路が形成されるレーザ加工装置において、前
記ダイクロイックミラーの光軸上の前方には均一化光学
系とマスクとf−θレンズとが配置されていることを特
徴とするレーザ加工装置。
7. Two optical paths for irradiating a workpiece are formed by two laser oscillators and a dichroic mirror provided on the optical axis of a common optical path on the output side of the two laser oscillators. A laser processing apparatus, wherein a homogenizing optical system, a mask, and an f-θ lens are disposed in front of the dichroic mirror on an optical axis.
【請求項8】 絶縁層とその表面に形成された導電層と
を貫通する貫通孔の形成に、請求項1乃至請求項5のい
ずれか1項に記載されたレーザ加工方法を用いたことを
特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. The use of the laser processing method according to claim 1 for forming a through hole penetrating an insulating layer and a conductive layer formed on the surface of the insulating layer. A method for manufacturing a multilayer wiring board, which is characterized in that:
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