[go: up one dir, main page]

KR101539133B1 - 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101539133B1
KR101539133B1 KR1020120074865A KR20120074865A KR101539133B1 KR 101539133 B1 KR101539133 B1 KR 101539133B1 KR 1020120074865 A KR1020120074865 A KR 1020120074865A KR 20120074865 A KR20120074865 A KR 20120074865A KR 101539133 B1 KR101539133 B1 KR 101539133B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base film
weight
film
tensile
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120074865A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140015686A (ko
Inventor
김민정
조현주
서주용
이재관
김장순
Original Assignee
(주)엘지하우시스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)엘지하우시스 filed Critical (주)엘지하우시스
Priority to KR1020120074865A priority Critical patent/KR101539133B1/ko
Priority to CN201380036862.3A priority patent/CN104428874B/zh
Priority to TW102124687A priority patent/TWI560256B/zh
Priority to PCT/KR2013/006127 priority patent/WO2014010933A1/ko
Priority to JP2015521546A priority patent/JP6306581B2/ja
Publication of KR20140015686A publication Critical patent/KR20140015686A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101539133B1 publication Critical patent/KR101539133B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00—Presence of polyurethane
    • C09J2475/006—Presence of polyurethane in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름; 및 상기 기재필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름을 제공한다.
또한 본 발명은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 아크릴레이트 모노머를 포함하는 조성물을 마련하는 단계; 상기 조성물을 경화하여 기재필름을 형성하는 단계; 및 상기 기재필름상에 점착층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기재필름은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 것을 특징으로 하는 점착필름 제조방법을 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법{SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 상기 점착필름에 웨이퍼에 부착 후 절단시 발생하는 버(Burr)를 최소화하는 것을 특징으로 하는 점착필름에 관한 것이다.
최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 리드레스(leadless)화, 박형화 및 칩의 고집적화에 대한 요구도 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 요구 역시 증가하고 있다.
그러나, 대구경화의 진행에 따라 백그라인딩 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 웨이퍼 가공용 보호 필름의 역할이 더욱 중요시되고 있다.
한국 공개특허 제 10-2007-0019572호에서는 아크릴계 폴리머로 형성되는 중간층의 초기탄성율 및 손실정접, 겔분율 등을 한정하여 웨이퍼 표면의 요철의 고저차가 크더라도 그 요철에 추종할 수 있는 점착 시트를 제공하기는 하나, 공정 과정에서 웨이퍼의 절단 시에 절단성이 현저히 열악하다는 문제점을 여전히 가지고 있다. 이와 같이, 보호필름의 절단성이 떨어질 경우, 반도체 가공 공정 도중에 필름의 절단 불량 문제로 인해 반도체 가공 공정이 불연속적으로 행하여 질 수 밖에 없어서, 공정의 효율성이 저하되게 되는 바, 이에 대한 연구가 지속적으로 이루어 지고 있는 실정이다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름에 관한 것으로서, 점착필름이 포함하는 기재필름의 탄성과 인성을 조절하여 반도체 웨이퍼 표면에 점착필름을 접합하여 절단할 때에 점착필름의 절단 부스러기의 발생을 최소화 하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름; 및 상기 기재필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름을 제공한다.
또한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 아크릴레이트 모노머를 포함하는 조성물을 마련하는 단계; 상기 조성물을 경화하여 기재필름을 형성하는 단계; 및 상기 기재필름상에 점착층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기재필름은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 것을 특징으로 하는 점착필름 제조방법을 제공한다.
반도체 제조 공정에서 절단성 및 부착성이 탁월하고 우수한 쿠션성을 가지는 본 발명의 점착필름을 사용함으로써, 웨이퍼 백그라인딩 등의 반도체 제조 공정에서 생산 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 제조방법에 의하여 생산된 점착필름을 사용함으로써, 웨이퍼에 상기 점착필름을 부착하고 절단할 때에 필름에서 이물이 발생되지 않고, 절단면이 깨끗하여 버(Burr)의 발생을 최소화 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 점착필름의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 박리필름을 포함하는 점착필름의 단면도를 나타낸 것이다.
도 3은 기재필름의 인장실험에서 얻어지는 인장곡선(elongation graph)을 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부로는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 본 발명에 대해서 상세히 설명한다.
점착필름
본 발명은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름; 및 상기 기재필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름을 제공한다.
항복강도는 기재필름의 인장시험에서 얻어지는 인장 곡선에서 탄성영역에서 소성역역으로의 전환점에서의 힘을 의미하고, 항복강도를 기준으로 인장길이 0에서 항복강도까지의 인장곡선 적분면적을 인장 탄성영역 면적이라 하고, 항복강도에서 일정 인장길이까지의 인장곡선 적분면적을 인장 소성영역 면적이라 한다. 이때 탄성영역은 물질에 하중을 주는 중에 하중을 제거할 경우 물질이 초기상태로 회복될 수 있는 영역이며, 소성영역은 탄성영역과 반대로 하중을 제거하더라도 물질이 원상태로 돌아오지 못하게 되는 영역을 의미한다.
본 발명의 경우 반도체 웨이퍼 절단시 버를 최소화 할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름을 제공하는 것을 목적으로 하는바, 이때 기재필름의 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하인 것을 특징으로 한다. 바람직하게는 상기 면적비가 0.005~0.015일 수 있다. 상기 면적비는 인장 탄성영역(B) 면적/ 인장 소성영역(A) 면적으로 계산하는바, 상기의 면적비가 0.015를 초과하는 경우 버가 많이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 버 발생의 최소화라는 점에서 인장 탄성영역 면적/ 인장 소성영역 면적으로의 면적비를 0.01이하로 할 수 있다.
보다 구체적으로, 반도체 웨이퍼에 적용하는 점착필름에 있어서, 상기 점착필름이 포함하는 기재필름의 인장실험시, 탄성영역이 소성영역보다 더 큰 경우 우수한 탄성을 유지할 수 있으나 웨이퍼 연마공정시 웨이퍼가 어느정도 휘어지는 현상, 즉 웨이퍼의 뒤틀림이 발생될 우려가 있고, 탄성영역이 소성영역보다 더 작은 경우 기재필름의 탄성이 떨어져 질척거리거나 물컹물컹한 상태로 유지되어 웨이퍼 절단 시 버를 적게 발생시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러므로 기재필름의 탄성영역과 소성영역의 비율은 일정한 점착력 및 형상을 유치하며, 버 발생을 최소화 시킬 수 있는 중요한 조절요인이 될 수 있다.
또한 상기 기재필름의 인장시험으로 측정된 연신율이 250%이상인 것을 특징으로 한다. 연신율 상한에 제한이 있는 것은 아니나, 바람직하게는 250~400% 이상일 수 있다. 상기 연신율은 인장시험 때 재료가 늘어나는 비율을 일컫는바, 기재필름의 연신율이 250%미만인 경우 웨이퍼 연마 공정시에 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있다.
상기 기재필름은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 30~70중량% 및 아크릴레이트 모노머 30~70중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 30중량% 미만인 경우 광중합성 조성물로의 경화 수축률이 증가하여 기재필름 구현이 어렵고, 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 70중량%를 초과하는 경우 작업 점도가 높아져 작업성에 문제가 있다.
또한, 상기 아크릴레이트 모노머가 30중량% 미만인 경우 기재필름의 초기 접착력이 저하될 우려가 있고, 70중량%를 초과하는 경우 응집력 저하로 인해 내구성에 문제가 발생할 우려가 있다.
상기 기재필름이 포함하는 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 폴리올 공중합체 및 이소시아네이트 화합물과 히드록시기를 가지는 아크릴레이트를 혼합하여 합성할 수 있다.
상기 폴리올 공중합체는 (-CH2CH2O-)m 또는 (-CH2CH(CH2CH3)O-)n (n,m=정수)의 반복 단위를 포함하는 것으로, 폴리올 공중합체의 바람직한 예로는, 폴리에스테르 폴리올(polyester polyol), 폴리에테르 폴리올(polyether polyol), 폴리카보네이트 폴리올(polycarbonate polyol), 폴리카프로락톤 폴리올 (polycaprolactone polyol) 또는 링 개환 테트라하이드로퓨란 프로필렌옥사이드 공중합체(tetrahydrofurane propyleneoxide ring opening copolymer) 등이 있다.
상기 폴리카보네이트 폴리올은 다른 폴리올과 비교하여 내가수분해성등 내구성 및 내열성이 우수한바, 본 발명의 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 형성함에 있어서도 인성(toughness)이 우수하다라는 점에서 바람직하다.
상기 폴리올 공중합체는, 경우에 따라 솔비탄 지방산 에스테르(sorbitan fatty acid ester), 폴리옥시에틸렌 솔비탄 지방산 에스테르(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester) 또는 이들의 혼합물과 혼합하여 함께 사용될 수 있다.
상기 이소시아네이트 화합물은 1 내지 3개의 이소시아네이트기를 갖는 것이 바람직하며, 바람직한 예로는 2,4-톨리엔다이이소시아네이트(2,4-tolyene diisocyanate), 1,5-나프탈렌다이이소시아네이트(1,5-Naphthalenediisocyanate), 2,6-톨리엔다이이소시아네이트, 1,3-크실렌다이이소시아네이트(1,3-Xylenediisocyanate), 1,4-크실렌다이이소시아네이트, 1,6-헥산다이이소시아네이트 (1,6-hexanediisocyanate), 이소포론다이이소시아네이트 (isophoronediisocyanate; IPDI) 및 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 히드록시기를 가지는 아크릴레이트는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트 등을 포함할 수 있다.
또한 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머에는 우레탄 반응 촉매, 중합개시제 등이 첨가될 수 있다. 상기 우레탄 반응촉매는 우레탄 반응 중에 소량 첨가되는 촉매로서, 이의 바람직한 예로는 구리 나프티네이트(copper naphthenate), 코발트 나프티네이트, 아연 나프테이트, n-부틸틴라우레이트(butyltinlaurate), 트리스틸아민 (tristhylamine) 또는 2-메틸트리에틸렌디아마이드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 중합개시제의 바람직한 예로는 디부틸틴라울레이트(DBTDL), 하이드로퀴논(hydroquinone), 하이드로퀴논모노메틸에테르, 파라-벤조퀴논, 페노티아진 및 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 중량평균 분자량이 5,000~50,000일 수 있다. 상기 우레탄 아크릴레이트의 중량평균 분자량이 5,000미만인 경우 신율이 낮아질 우려가 있고, 50,000을 초과하는 경우 높은 점도로 인해 작업성에 문제점이 있다.
상기 기재필름이 포함하는 상기 아크릴레이트 모노머의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 알킬 아크릴레이트를 사용할 수 있다. 이 때, 모노머에 포함되는 알킬기가 지나치게 장쇄가 되면, 점착제의 응집력이 저하되고, 유리전이온도(Tg) 또는 점착성의 조절이 어려워질 우려가 있으므로, 탄소수가 1 내지 12인 알킬기를 갖는 알킬 아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 모노머의 예로는 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, sec-부틸 아크릴레이트, 펜틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 2-에틸부틸 아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 이소노닐 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 페놀 아크릴레이트 및 테트라데실 아크릴레이트를 들 수 있으며, 상기 중 하나 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이 때, 상기 기재필름이 점착층과 상용 가능한 점착력을 가지면서도 우수한 내수성을 가지게 된다는 점에서 이소보닐 아크릴레이트 또는 2-하이드록시에틸 아크릴레이트를 포함시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서 상기 아크릴레이트 모노머를 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 혼합할 경우, 웨이퍼의 보호 필름으로의 적용 시에, 웨이퍼 표면으로의 젖음성, 내수성 및 재박리성이 보다 우수하여 버 발생을 최소화하는 기재필름을 얻을 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 기재필름은 일정함량의 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 아크릴레이트 모노머를 포함하고, 0.01~5.0중량%의 광개시제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 광개시제가 0.01중량% 미만을 포함하는 경우 경화속도가 현저히 낮아 경화효율이 떨어질 우려가 있고, 상기 광개시제가 5.0중량%를 초과하여 포함되는 경우 잔존 성분으로 인한 물성 저하의 문제점이 있다.
상기 광개시제로는 상업적으로 수득 가능한 시바가이기(Ciba Geigy)사의 이가큐어(Irgacure)#184(하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (hydroxycyclohexyl phenylketone)), 이가큐어(Irgacure)#907(2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on)), 이가큐어(Irgacure)#500 (하이드록시케톤과 벤조페논(hydroxy-ketones and benzo phoenone)), 이가큐어(Irgacure)#651 (벤질디메틸케톤(benzildimethyl-ketone)), 다로큐어(Darocure)#1173(2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one)), 다로큐어(Darocure)#116, CGI#1800 (비스아
실포스핀옥사이드(bisacylphosphineoxide)) 또는 CGI#1700 (비스아실포스핀 옥사이드와 벤조페논(bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone))을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 기재필름에는 기타 첨가제로써 통상의 소포제, 레벨링제 또는 부착 증강제 등을 효과량 사용될 수 있으며 바람직하게는 0.1~1중량%를 추가로 사용할 수 있다.
상기 기재필름의 두께는 50~300㎛인 것을 특징으로 한다. 상기 기재필름의 두께가 50㎛미만인 경우 웨이퍼 연마 공정 중 충격 흡수를 못하여 웨이퍼 변형의 우려가 있고, 300㎛를 초과하는 경우 연마 가공 후 얇은 웨이퍼에서 접착 필름을 제거할 때 굽힘응력(bending stress)에 의해서 웨이퍼가 파손될 우려가 존재한다.
본 발명은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름(10) 및 상기 기재필름(10) 상에 형성된 점착층(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름을 제공한다. 이 때 상기 점착층(20)은 실리콘계 점착제, 합성 고무계 접착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 점착층에는 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서, 상기 성분에 추가로 점착성 부여 수지, 저분자량체, 에폭시 수지, 경화제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 조색제, 보강제, 소포제, 계면 활성제, 발포제, 유기염, 증점제 및 난연제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 기재필름 상에 형성된 점착층의 두께는 0.5~50㎛인 것이 바람직하고, 1~30㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 점착층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 균일한 점착층을 얻기 어려워 필름의 물성이 불균일해 질 우려가 있다. 보다 구체적으로 점착층의 두께가 0.5㎛미만인 경우 점착력 저하의 우려가 있고, 50㎛를 초과하는 경우 접착력의 증가로 점착필름 제거시 웨이퍼에 잔존할 문제점이 있다.
본 발명의 점착 필름에서는 기재필름 및 점착층 이외에 상기 점착층 상에 형성된 박리 필름을 추가로 포함할 수 있다. 상기와 같은 박리 필름의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 또는 올레핀계 필름 등의 일면 또는 양면을 실리콘 또는 알키드 계열의 이형제로 이형처리한 필름을 사용할 수 있다. 상기와 같은 박리필름의 두께는 그 용도에 따라 적절히 설정되는 것으로 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10~70㎛의 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
본 발명의 점착 필름은, 반도체 웨이퍼 이면 연삭 시의 보호 필름 등의 반도체 가공용 필름으로 이용될 수 있다. 이와 같은 본 발명의 점착 필름은 전술한 바와 같은 특징적인 물성을 만족하는 기재 필름의 사용으로 인해, 우수한 절단성, 부착성, 완충성 및 쿠션성을 나타내서, 웨이퍼의 이면 연삭 등의 공정에서 제품의 양산 효율을 향상시킬 수 있다.
점착필름 제조방법
본 발명은 또한 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 아크릴레이트 모노머를 포함하는 조성물을 마련하는 단계; 상기 기재필름 조성물을 경화하여 기재필름을 형성하는 단계; 및 상기 기재필름상에 점착제층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기재필름은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 것을 특징으로 하는 점착필름 제조방법을 제공한다.
본 발명의 점착필름 제조방법은 전술한 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 아크릴레이트 모노머를 포함하는 조성물을 마련하는 단계를 포함한다. 이 때, 상기 조성물은, 통상의 방법, 예를 들면 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 아크릴레이트 모노머 및 광개시제등을 순서대로 첨가하여 상온에서 1000rpm 이상의 균일한 속도로 교반하여 얻을 수 있다.
상기 조성물에 광조사에 의한 UV경화를 수행함으로써 기재필름을 형성할 수 있고, 경화된 상기 기재필름 상에 점착층을 형성할 수 있다. 이 때, 상기 기재필름 상에 점착층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.
예를 들면, 상기 기재필름 표면에 직접 바코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 점착제 코팅액을 도포 및 건조시키는 방법, 점착제 코팅액을 박리성 기재 표면에 도포 및 건조시킨 후 상기 박리성 기재 표면에 형성된 점착제층을 기재필름 표면에 전사하고 숙성시키는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 점착필름은 반도체 웨이퍼 표면보호를 위함인바, 반도체 웨이퍼의 일면에 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름; 및 상기 기재필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착필름을 부착하는 단계; 및 상기 점착필름이 부착된 반도체 웨이퍼를 가공하는 단계를 통하여 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다.
이 때, 상기 반도체 웨이퍼의 가공이 백그라인딩 또는 다이싱 공정을 포함할 수 있고, 상기 점착필름을 프레스법 또는 핫 롤 라미네이트법 등의 수단으로 웨이퍼에 합판하고, 이를 연마기와 같은 연삭 공구에 고정시킨 후 백그라인딩 공정을 수행할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 점착 필름은 일정한 인장 탄성영역 및 인장 소성영역의 면적비 및 연신율을 가지는 기재필름을 포함함으로써, 웨이퍼 절단시 발생할 수 있는 버를 최소화하고, 나아가 웨이퍼에 대한 젖음성, 박리성 및 내수성 등이 우수하여 백그라인딩 공정에 효과적으로 적용될 수 있고, 상기 백그라인딩 공정을 수행한 후, 웨이퍼의 다이싱, 다이본딩, 와이어 본딩 및 몰딩 등과 같은 일반적인 반도체 패키징 공정을 연속하여 수행할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해서 판단되어야 할 것이다.
<실시예 및 비교예>
제조예 A
폴리카보네이트 폴리올 53중량%와 이소포론디이소시아네이트를 27중량%를 80?에서 반응시킨 후 하이드록시에틸아크릴레이트 20중량% 첨가하여 반응시켜 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하였다.
제조예 B
폴리카보네이트 폴리올 68중량%, 이소포론디이소시아네이트 22중량% 및 하이드록시에틸아크릴레이트 10중량%를 사용하여 상기 제조예 A같이 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하였다.
제조예 C
폴리에테르 폴리올 70중량%, 이소포론디이소시아네이트 20중량% 및 하이드록시에틸아크릴레이트 10중량%를 사용하여 상기 제조예 A와 같이 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하였다.
제조예 D
폴리에테르 폴리올 81중량%, 이소포론디이소시아네이트 10중량% 및 하이드록시에틸아크릴레이트 9중량%를 사용하여 상기 제조예 A와 같이 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하였다.
폴리올 공중합체 폴리이소시아네이트 분자량
A 폴리카보네이트 폴리올 53중량% 이소포론다이이소시아네이트 27중량% 5,200
B 폴리카보네이트 폴리올 68중량% 이소포론다이이소시아네이트 22중량% 14,800
C 폴리에테르 폴리올 70중량% 이소포론다이이소시아네이트 20중량% 15,500
D 폴리에테르 폴리올 81중량% 이소포론다이이소시아네이트 10중량% 45,000
상기 표1에 나타난 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 하기 표2에 나타난 아크릴레이트 모노머를 상온에서1500rpm 의 균일한 속도로 교반하여 실시예 및 비교예의 조성물을 얻었고, 상기 조성물을 UV경화하여 두께 160㎛의 기재필름을 형성하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
우레탄 아크릴레이트 올리고머 A - - - - - - 59.5 59.5
올리고머 B 59.5 59.5 - - - - - -
올리고머 C - - 59.5 59.5 - - - -
올리고머 D - - - - 59.5 59.5 - -
아크릴레이트
모노머		 이소보닐아크릴레이트 10 10 20 20 20 20 10 10
2-HEA 10 20 5 5 - 5 - 20
2-EHA - 10 - 15 - 15 10 10
페놀아크릴레이트 20 - 15 - 20 - 20 -
광개시제 Irgacure 651 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
< 실험예 >- 인장시험을 통한 버 발생정도 측정
측정 기기(XP plus, TA(제))의 기계 방향으로 10mm, 기계 방향과 직교하는 방향 80mm의 크기로 기재 필름을 재단하여 시편을 제조한 후, 시편의 세로 방향(기계 방향과 직교하는 방향)으로 상단과 하단에 각각 20mm의 길이만큼 테이프로 시편을 감싼다. 그 후, 측정 기기로 시편의 상단 및 하단에 테이핑(taping)된 부분(20 mm)을 고정시키고, 300mm/min의 인장 속도의 조건으로 인장하면서, 시편이 절단될 때까지의 거리(distance)에 따라 측정된 하중(force)의 그래프(X축: distance, Y축: force)를 필름의 넓이 및 두께를 적용해 연신율(elongation)과 인장 강도(tensile strength)의 그래프(X축: elongation, Y축: tensile strength)로 나타내었다.
1) 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A) = 항복강도를 기준으로 인장길이 0에서 항복강도까지의 인장곡선 적분면적/항복강도에서 일정 인장길이까지의 인장곡선 적분면적
2) 연신율 = (파단시 길이―초기 길이)/초기길이X100
3) 버(Burr) = 속도를 10m/min로 하여 상기 실시예 및 비교예의 기재필름 100m를 슬리팅 시 버(Burr)의 개수가 50개 이하인 경우 O, 50 - 200개 Δ, 200개 이상인 경우 X로 표시함.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
연신율 (%) 304 290 260 255 350 330 205 180
B/A 면적비 0.012 0.013 0.014 0.015 0.018 0.016 0.03 0.027
버 (Burr) O O △ △ X X X X
상기 측정한 연신율, 인장 소성영역(A)에 대한 인정 탄성영역(B) 면적비(B/A) 및 버의 발생 여부를 상기 표 3에 정리하여 기재하였다. 실험결과를 참고하면, 실시예 1 내지 4의 경우 기재필름의 연신율이 250%이상으로, 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하로 측정되었다. 또한 기재필름을 슬리팅 하여 버의 발생여부도 측정하였는바, 모두 버의 개수가 50개 이하로써 최소한의 버를 발생시킨 것으로 나타났다.
특히 우레탄 아크릴레이트 올리고머 형성에 있어서 폴리올 공중합체를 포함하는바, 폴리카보네이트 폴리올을 사용하여 제조된 실시예 1 및 2의 경우가 폴리에테르 폴리올을 사용하여 제조된 실시예 3 및 4의 경우보다 버 발생의 효과가 더 우수함을 알 수 있었다.
이와 비교하여 기재필름의 연신율이 250%이하이거나, 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이상로 측정된 비교예 1 내지 4의 경우, 슬리팅 시 버의 개수가 50개를 초과하여 200개 이상까지 발생함을 나타내었다.
100 : 점착필름
10 : 기재필름
20 : 점착층
30 : 박리필름

Claims (9)

  1. 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 기재필름; 및 상기 기재필름 상에 형성된 점착층을 포함하고,
    상기 기재필름은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 30~70중량% 및 아크릴레이트 모노머 30~70중량%를 포함하며,
    상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 폴리카보네이트 폴리올, 이소시아네이트 화합물, 히드록시기를 가지는 아크릴레이트 및 우레탄 반응 촉매를 반응시켜 얻은 반응 결과물인 것을 특징으로 하는 점착필름.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 중량평균 분자량이 5,000~50,000인 것을 특징으로 하는 점착필름.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름은 광개시제 0.01~5.0중량%를 추가로 포함하는 점착필름.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기재필름의 두께가 50~300㎛인 것을 특징으로 하는 점착필름.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층은 실리콘계 점착제, 합성 고무계 접착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층의 두께가 0.5~50㎛인 것을 특징으로 하는 점착필름.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층 상에 형성된 박리 필름을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 점착필름.
  9. 폴리카보네이트 폴리올, 이소시아네이트 화합물, 히드록시기를 가지는 아크릴레이트 및 우레탄 반응 촉매를 반응시켜 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 형성하는 단계;
    상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머 30~70 중량% 및 아크릴레이트 모노머 30~70 중량%를 포함하는 조성물을 마련하는 단계;
    상기 조성물을 경화하여 기재필름을 형성하는 단계; 및
    상기 기재필름상에 점착층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기재필름은 인장 소성영역(A)에 대한 인장 탄성영역(B) 면적비(B/A)가 0.015이하이고, 연신율이 250% 이상인 것을 특징으로 하는 점착필름 제조방법.
KR1020120074865A 2012-07-10 2012-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법 Active KR101539133B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074865A KR101539133B1 (ko) 2012-07-10 2012-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
CN201380036862.3A CN104428874B (zh) 2012-07-10 2013-07-10 半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法
TW102124687A TWI560256B (en) 2012-07-10 2013-07-10 Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and method manufacturing the same
PCT/KR2013/006127 WO2014010933A1 (ko) 2012-07-10 2013-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
JP2015521546A JP6306581B2 (ja) 2012-07-10 2013-07-10 半導体ウエハー表面保護粘着フィルム及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074865A KR101539133B1 (ko) 2012-07-10 2012-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140015686A KR20140015686A (ko) 2014-02-07
KR101539133B1 true KR101539133B1 (ko) 2015-07-23

Family

ID=49916304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120074865A Active KR101539133B1 (ko) 2012-07-10 2012-07-10 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6306581B2 (ko)
KR (1) KR101539133B1 (ko)
CN (1) CN104428874B (ko)
TW (1) TWI560256B (ko)
WO (1) WO2014010933A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101932489B1 (ko) * 2014-07-30 2018-12-27 주식회사 엘지화학 광경화성 점접착제 조성물, 점접착 필름 및 점접착 필름의 제조 방법
KR102345923B1 (ko) * 2017-05-18 2022-01-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼를 프로세싱하는데 사용하기 위한 보호 시팅, 웨이퍼에 대한 핸들링 시스템, 및 웨이퍼 및 보호 시팅의 조합체
KR102155493B1 (ko) * 2017-05-29 2020-09-14 주식회사 엘지화학 다층 마킹 필름
US11261288B2 (en) 2017-08-22 2022-03-01 Arkema France Allyl functional urethane oligomers and related compositions for coatings and adhesives
KR102465207B1 (ko) 2018-09-19 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 보호 필름 및 그것을 포함하는 전자 기기
KR102473246B1 (ko) * 2020-09-29 2022-12-02 주식회사 연우 방수테이프 및 이의 제조방법
KR102280585B1 (ko) * 2021-01-15 2021-07-23 씰테크 주식회사 반도체 패키지용 이형 필름 및 그 제조 방법
CN117597408A (zh) * 2021-06-29 2024-02-23 华为技术有限公司 光学胶及其制备方法、显示屏与终端设备
CN115340830B (zh) * 2022-09-20 2023-07-25 威士达半导体科技(张家港)有限公司 一种半导体材料加工用切割胶带

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002338936A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
US20070148916A1 (en) * 2003-11-12 2007-06-28 3M Innovative Properties Company Semiconductor surface protecting sheet and method
KR20120008270A (ko) * 2010-07-16 2012-01-30 (주)엘지하우시스 점착 시트, 그 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공 방법
KR101114358B1 (ko) * 2008-04-21 2012-03-14 주식회사 엘지화학 점착 필름 및 이를 사용한 백라인딩 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH024736A (ja) * 1988-06-22 1990-01-09 Hitachi Maxell Ltd ポリカーボネートポリオール、芳香族ポリカーボネートポリウレタン樹脂、コーティング材、キャストフィルム、磁気記録媒体
US5820958A (en) * 1997-07-01 1998-10-13 Swallow; Kevin W. Non-cracking, smooth, and flat patch for wall cracks
JPH11189762A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Nippon Kayaku Co Ltd 粘着シート基材用樹脂組成物、粘着シート用基材及びそれを用いた粘着シート
JP2000309615A (ja) * 1999-04-26 2000-11-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物及び光ファイバー用被覆材
JP5192622B2 (ja) * 2001-02-06 2013-05-08 アキレス株式会社 ダイシング用基体フィルム
KR100922226B1 (ko) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
JP5367990B2 (ja) * 2008-01-25 2013-12-11 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP5367996B2 (ja) * 2008-03-21 2013-12-11 リンテック株式会社 粘着シートの基材フィルムおよび粘着シート
TWI553083B (zh) * 2008-04-21 2016-10-11 Ｌｇ化學股份有限公司 壓敏性膠黏膜及使用彼之背面研磨法
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5548109B2 (ja) * 2010-11-30 2014-07-16 リンテック株式会社 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002338936A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
US20070148916A1 (en) * 2003-11-12 2007-06-28 3M Innovative Properties Company Semiconductor surface protecting sheet and method
KR101114358B1 (ko) * 2008-04-21 2012-03-14 주식회사 엘지화학 점착 필름 및 이를 사용한 백라인딩 방법
KR20120008270A (ko) * 2010-07-16 2012-01-30 (주)엘지하우시스 점착 시트, 그 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN104428874A (zh) 2015-03-18
KR20140015686A (ko) 2014-02-07
JP2015527439A (ja) 2015-09-17
CN104428874B (zh) 2017-04-05
TW201402770A (zh) 2014-01-16
JP6306581B2 (ja) 2018-04-04
WO2014010933A1 (ko) 2014-01-16
TWI560256B (en) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101539133B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
CN111675982B (zh) 增强薄膜
KR101191120B1 (ko) 점착제 조성물, 점착 시트 및 반도체 웨이퍼 이면연삭 방법
JP5049620B2 (ja) 粘着シート
KR102314242B1 (ko) 점착 시트
CN107207920B (zh) 半导体加工用粘合片
WO2018066480A1 (ja) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
KR102603367B1 (ko) 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법
CN115595073B (zh) 粘合片及其制造方法、以及图像显示装置
US11492520B2 (en) Reinforcing film
JP7326270B2 (ja) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
KR101454183B1 (ko) 점착 시트
JP2009138183A (ja) 粘着シート
KR101127152B1 (ko) 웨이퍼 가공용 기재
JP6528259B2 (ja) 表面保護フィルム
JP2004107644A (ja) 加工用粘着シートとその製造方法
KR20170109390A (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름
JP5548109B2 (ja) 粘着シート用基材フィルムの製造方法、粘着シート用基材フィルムおよび粘着シート
JP4991350B2 (ja) 粘着シート
JP4726405B2 (ja) 加工用粘着シートとその製造方法
KR101682720B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공 방법
JP2023118530A (ja) ワーク加工用保護シートおよびワーク個片化物の製造方法
TW202436402A (zh) 黏著片材之製造方法
CN119463727A (zh) 增强膜、器件的制造方法以及增强方法
CN119463726A (zh) 增强膜、器件的制造方法以及增强方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20120710

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20130719

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20120710

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20141205

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150716

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150717

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150717

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180619

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190625

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190625

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200618

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220622

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230627

Start annual number: 9

End annual number: 9