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KR101531688B1 - 투명도전막 식각용액 - Google Patents

투명도전막 식각용액 Download PDF

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KR101531688B1
KR101531688B1 KR1020080112176A KR20080112176A KR101531688B1 KR 101531688 B1 KR101531688 B1 KR 101531688B1 KR 1020080112176 A KR1020080112176 A KR 1020080112176A KR 20080112176 A KR20080112176 A KR 20080112176A KR 101531688 B1 KR101531688 B1 KR 101531688B1
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film
etching
transparent conductive
molybdenum
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박충우
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솔브레인 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정 표시장치 등의 평판디스플레이 표시장치의 박막트랜지스터 제조공정에서 미세 패턴으로 형성된 투명도전막의 식각용액 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 함할로겐 화합물 0.05 ~15 중량%, 보조 산화제 0.1 ~ 20중량%, 식각조절제 0.05 ~ 15중량%, 잔사억제제 0.1 ~ 15중량%, 부식억제제 0.3 ~ 10중량% 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물로 구성되어 있으며, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 침해 현상이 없도록 하는 투명도전막 식각조성물에 관한 것이다.
본 발명의 투명도전막 식각조성물은 부식억제제와 경시변화억제제를 함유하고 있는 수용액으로서 종래의 투명도전막 식각조성물에서 발생되는 측면 식각현상, 경시변화현상, 식각시 잔사 발생현상, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 침해 현상 등의 단점을 완전히 제거하여 준다. 특히 본 발명은 종래의 투명도전막 식각조성물의 주요 문제점인 식각 시 잔사 발생현상과 구리막, 구리막구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 침해하는 현상을 제거하여 투명도전막의 선택적 패턴 식각이 가능하다.
또한 본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물은 적당한 식각 속도와 적당한 경사각을 제공할 수 있으며, 증발량을 현저히 감소시켜 식각조성물의 성분량의 변 동을 감소시키고, 그로 인한 흄(fume)발생량을 줄여 대기 환경오염을 막을 수 있는 장점을 가지고 있다.
본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물은 미세 패턴으로 형성된 투명도전막의 패턴 식각을 위하여 적용할 경우 종래의 투명도전막 식각조성물과 달리 박막 트랜지스터의 전극재료로 주로 사용되는 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 침해 현상이 거의 없기 때문에 원가 절감과 공정 수율을 향상 시킬 수 있는 장점이 있다.
투명도전막, 인듐산화주석막, 인듐산화아연막, 산화아연막, 식각조성물

Description

투명도전막 식각용액{Etchant for transparent conductive ITO films}
본 발명은 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 제조공정의 투명전극용 미세 패턴인 투명도전막의 식각 조성물에 관한 것이다.
투명도전막은 박막트랜지스터 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널표시장치, 일렉트로 루미네센스 표시장치 등에 폭넓게 사용되고 있는 박막으로서, 상기 평판디스플레이용 표시장치에 투명도전막을 형성하기 위해서는 원하는 미세패턴을 형성시키는 식각공정이 필요하다.
이때 사용되는 투명 전극막으로서는 산화인듐주석막, 산화인듐아연막, 산화아연막이 사용되고 있으며, 상기 산화인듐주석막, 산화인듐아연막, 산화아연막의 사용은 보호막 위에 산화인듐주석막, 산화인듐아연막, 산화아연막을 형성시킨 다음 포토레지스터를 마스크로서 도포한 후 산화인듐주석막, 산화인듐아연막, 산화아연막을 식각 시킨다.
기존의 투명도전막 식각용액으로는 염산ㆍ질산 혼합수용액(왕수), 염산ㆍ초산혼합 수용액, 염화제이철 수용액, 요소산 수용액, 인산 수용액, 옥살산(수산) 수용액 등이 사용되고 있지만, 이러한 종래의 투명도전막용 식각용액 들은 다음과 같 은 문제점을 내재하고 있다.
첫째, 염산ㆍ질산 혼합수용액(왕수), 염산ㆍ초산혼합 수용액은 식각 속도는 크고 안정되어 있지만, 염산이나 질산이 휘발하기 때문에 식각용액 조성물의 성분량의 변동이 심하고, 그로 인하여 흄(fume) 발생이 심하여 작업 환경을 오염 시키며, 박막 트랜지스터 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조공정에서 전극재료로 주로 사용되고 있는 구리 또는 구리 합금을 침해하는 단점이 있다.
둘째, 염화제이철 수용액은 식각 속도는 크고 안정되어 있지만. 상대적으로 측면 식각량이 크고 철의 오염을 유발시키는 단점이 있다.
셋째, 요소산수용액은 측면 식각량이 적고 양호한 식각 특성을 가지지만. 액의 경시변화가 큰 단점이 있다.
넷째, 인산 수용액은 전극재료로 주로 사용되는 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하고, 투명도전막 중 인듐산화주석막막의 식각을 방해하는 단점이 있다.
다섯째, 옥살산(수산)수용액은 식각 특성이 안정되어 있고 액의 경시변화도 일어나지 않아 양호하지만 식각시 잔사가 발생하기 쉬우며, 식각 장비에서 식각 용액을 사용한 후 장치 내벽에 잔유물(옥살산 결정)이 발생하는 단점을 가지고 있다.
본 발명은 기존의 투명도전막 식각조성물인 염산ㆍ질산 혼합수용액(왕수), 염산ㆍ초산혼합 수용액, 염화제이철 수용액, 요소산 수용액, 인산 수용액, 옥살산(수산) 수용액 사용 시 발생되는 측면 식각현상, 경시변화현상, 식각시 잔사 발생현상, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 침해 현상 등의 단점을 해결할 수 있는 투명도전막용 선택적 식각조성물을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 투명도전막 식각조성물은 부식억제제와 경시변화억제제를 함유하고 있는 수용액으로서 종래의 투명도전막 식각조성물의 단점을 완전히 제거하여 준다. 특히 본 발명은 종래의 투명도전막 식각조성물의 주요 문제점인 식각시 잔사 발생현상과 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하는 현상을 제거하여 투명도전막의 선택적 패턴 식각을 가능하게 한 것이다.
상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 함할로겐 화합물, 보조 산화제, 식각 조절제, 잔사 조절제, 부식억제제, 경시변화억제제 및 물을 함유하는 투명도적막 식각조성물로서, 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 제조공정의 투명전극용 미세 패턴인 투명도전막의 선택적 식각용액 조성물에 관한 것이다.
보다 구체적으로 본 발명은 박막트랜지스터의 전극재료로 주로 사용되는 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막의 식각시키는 현상을 제거하여 투명도전막의 선택적 패턴 식각을 하기위한 식각조성물을 제공한다.
그리고 상기 각각의 금속막 두께는 서로 제한되지 않으며, 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 보다 구체적으로, 상기 구리막은 대략 1000~5000Å 두께를 갖도록 증착할 수 있다. 상기 몰리브데늄 합금막은 텅스텐, 티타늄, 니오비늄, 크롬, 탄탈륨 등 몰리브데늄과 합금을 이룰 수 있는 금속성분을 함유한 몰리브덴막을 의미하며, 그 예로서 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)등을 들 수 있다. 상기 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막은 100~500Å의 두께를 갖도록 증착할 수 있다.
본 발명은, 함할로겐 화합물 0.05 ~15 중량%, 보조 산화제 0.1 ~ 20중량%, 식각조절제 0.05 ~ 15중량%, 잔사억제제 0.1 ~ 15중량%, 부식억제제 0.3 ~ 10중량% 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물로 구성되어, 보다 구체적으로 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막에 대한 침해 현상이 없도록 하는 투명도전막 식각조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각조성물에 포함되는 함할로겐 화합물을 투명도전막을 식각하는 주요 산화제로서의 기능을 한다. 상기 함할로겐 화합물은 특별히 한정되지 않고 용액 내에서 할로겐 이온 또는 다원자 할로겐 이온으로 해리될 수 있는 화합물이면 사용가능하며, 구체적으로 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다.
화학식1
AXm
(상기 A는 수소이온(H+), 암모늄이온(NH4+), 철이온(Fe2+,Fe3+), 알루미늄이온(Al3+) 또는 산화수가 1내지 3가인 알킬금속이온이며 X는 할로겐 원소이고, m은 A의 산화수이다)
구체적으로 상기 함할로겐 화합물은 할로겐화수소,암모늄할라이드,할로겐화철 또는 알카리할라이드등이 있으며, 보다 구체적인 예시로써 염화수소(HCl), 염화알루미늄(AlCl3), 암모늄플로라이드(NH4F), 요오드화칼륨(KI), 염화칼륨(KCl) 및 염화암모늄(NH4Cl)로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택될 수 있다.
상기 함할로겐 화합물은 전체 조성물의 총 중량에 대하여 0.05 ~ 15중량%로 함유할 수 있다. 상기 함할로겐 화합물의 함량이 지나치게 높아지면, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하는 현상이 나타날 수 있으며, 함량이 낮아지면 투명 도전막의 식각 속도를 느리게 하는 단점이 있을 수 있다.
본 발명의 식각조성물에 포함되는 보조 산화제는 투명도전막의 식각을 보조하는 기능을 한다. 상기 보조 산화제는 전체 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 ~20 중량%를 함유할 수 있으며, 함량이 지나치게 높아지면 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 식각시키는 현상이 나타날 수 있으며, 함량이 낮아지면, 투명도전막의 식각 속도를 느리게 하는 단점이 있다. 상기 보조 산화제는 질산암모늄(NH4NO3), 질산칼륨(KNO3), 질산(HNO3), 질산구리(CuNO3) 및 질산나트륨(NaNO3)으로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물을 사용할 수 있으며, 용액 내에서 질산이온(NO3 -)로 해리될 수 있는 화합물을 모두 사용가능하다.
본 발명의 식각조성물에 포함되는 식각조절제로는 황산 및 황산염 화합물을 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로 황산(H2SO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4), 중황산암모늄(NH4SO4H), 황산나트륨(NaSO4H), 중황산칼륨(KSO4H), 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 및 과황산칼륨(K2S2O8)으로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물을 사용할 수 있으며, 용액 내 에서 황산이온(SO4 -)으로 해리 될 수 있는 화합물은 모두 사용 가능하다.
상기 식각조절제는 전체 조성물의 총 중량에 대하여 0.05 ~15중량%의 양으로 첨가되며, 함량이 지나치게 높아지면 식각속도가 빨라지며, 또한 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하는 현상이 나타낼 수 있으며, 식각 조절제를 함유하지 않거나 낮아지면, 투명 도전막의 식각 속도를 느리게 하는 단점이 있다.
본 발명의 식각조성물에 포함되는 잔사 억제제는 식각조성물의 젖음성을 향상시켜 투명 도전막의 원활한 식각을 도와 잔사를 억제하는 역할을 한다. 잔사 억 제제는 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1 ~ 15중량%의 양으로 첨가되며, 상기 범위에서 잔사를 억제시켜, 식각조성물을 사용한 후에도 잔유물이 발생하지 않으며, 경시변화가 일어나지 않는 효과가 있다. 잔사 억제제는 수용성 아세트기를 가지고 있는 모든 화합물 등이 사용가능 하며, 구체적으로는 하기 화학식 2의 구조를 가질 수 있다.
화학식2
B(CH3COO)n
(상기 B는 수소이온(H+), 암모늄이온(NH4+), 철이온(Fe2+,Fe3+), 알루미늄이온(Al3+) 또는 산화수가 1내지 3가인 알킬금속이온이며, n은 B의 산화수이며, 보다 구체적으로 1내지 3의 정수이다.)
상기 잔사억제제는 보다 구체적으로 아세트산(acetic acid), 포타슘아세테이트(potassium acetate), 암모늄아세테이트(ammonium acetate), 쇼듐아세테이트(sodium acetate), 마그네슘아세테이트(magnesium acetate), 망간아세테이트(manganese acetate) 및 아연아세테이트(zinc acetate)로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물을 사용할 수 있다
본 발명의 식각조성물에 포함되는 부식억제제는 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하는 현상을 억제시키는 기능을 한다. 상기 부식억제제는 전체 조성물의 총 중량에 대하여 0.3 ~ 10중량%의 양으로 함유할 수 있으며, 함량이 지나치게 높아지면 투명도전막의 식각속도 를 느리게 하는 현상이 나타나며, 함량이 낮아지면, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막을 침해하는 현상이 나타날 수 있다.
상기 부식억제제는 크게 제한받지 않지만 벤조트리아졸(Benzotriazole), 아미노테트라졸(aminotetrazole), 5-아미노-1-페닐테트라졸(5-amino-1-phenyltetrazole), 5-아미노-1-(1-나프틸)테트라졸(5-amino-1-(1-naphthyl)tetrazole, 1-메틸-5-아미노테트라졸(1-methyl-5-aminotetrazole), 1,5-디아미노테트라졸(1,5-diaminotetrazole), 이미다졸 (imidazole), 인돌 (indole), 푸린 (purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘 (pyrrolidine), 피롤린(pyrroline), 2차 아민(secondary amine)계 화합물 및 아미노산(amino acid)계 화합물로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택될 수 있다.
본 발명의 식각조성물에 포함되는 경시변화 억제제는 식각 조성물의 증발량을 감소시켜 식각조성물의 성분량의 변동을 감소시키고 그로인한 흄(fume)발생량을 줄어들게 한다. 상기 경시변화억제제는 전체 조성물의 총 중량에 대하여 0 ~ 50중량%의 양으로 더 첨가될 수 있다. 상기 경시변화 억제제는 함량이 지나치게 높아지면 투명도전막의 식각 속도를 느리게 하는 현상이 나타날 수 있으며, 에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 , 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 및 폴리테트라메틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택되어 사용할 수 있고 이에 크게 제한 받는 것은 아니다.
본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물은 평판디스플레이용 투명 전극을 형성하기 위하여 사용할 수 있다. 이때 사용되는 투명 전극막으로는 인듐산화주석막, 인듐산화아연막, 산화아연막 등을 사용 할 수 있으며, 상기 인듐산화주석막, 인듐산화아연막, 산화아연막의 사용은 보호막 위에 인듐산화주석막, 인듐산화아연막, 산화아연막을 형성시킨다음 포토레지스터를 마스크로서 도포한 후 인듐산화주석막, 인듐산화아연막, 산화아연막을 식각시킬 수 있다.
본 발명의 투명도전막 식각조성물은 부식억제제와 경시변화억제제를 함유하고 있는 수용액으로서 종래의 투명도전막 식각조성물에서 발생되는 측면 식각현상, 경시변화현상, 식각시 잔사 발생현상, 구리 또는 구리 합금과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 금속막의 침해 현상 등의 단점을 완전히 제거하여 준다. 특히 본 발명은 종래의 투명도전막 식각조성물의 주요 문제점인 식각 시 잔사 발생현상과 구리 또는 구리 합금의 박막을 침해하는 현상을 제거하여 투명도전막의 선택적 패턴 식각이 가능하다.
또한 본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물은 적당한 식각 속도와 적당한 경사각을 제공할 수 있으며, 증발량을 현저히 감소시켜 식각조성물의 성분량의 변동을 감소시키고, 그로 인한 흄(fume)발생량을 줄여 대기 환경오염을 막을 수 있는 장점을 가지고 있다.
본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물은 미세 패턴으로 형성된 투명도전막의 패턴 식각을 위하여 적용할 경우 종래의 투명도전막 식각조성물과 달리 박막 트 랜지스터의 전극재료로 주로 사용되는 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막 또는 이들이 적층된 다중막에 대한 침해 현상이 거의 없기 때문에 원가 절감과 공정 수율을 향상 시킬 수 있는 장점이 있다.
이하, 실시 예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들로 인하여 한정되는 식으로 해석되어서는 안된다.
[실시예1]
식각용액제조
NH4Cl 5중량%, HNO3 13중량%, K2SO4 5중량%, 암모늄아세테이트 3중량%, 아미노테트라졸 2중량%, 에틸렌글리콜 15중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물로 구성되는 식각 조성물을 제조하였다.
본 발명에서 사용된 식각막 시료는 유리기판(100mm X 100mm)에 인듐산화주석막, 구리막/몰리브데늄티탄합금막, 인듐산화주석막/구리막/몰리브데늄티탄합금막을 증착한 것으로 증착된 막의 두께는 이하 표1과 같다.
[표1]
Figure 112008078231430-pat00001
인듐산화주석막식각
상기 인듐산화주석막 시료에 사진 현상 공정을 진행하여 식각 시료를 준비한 후 본 실시예에서 제조한 식각조성물을 사용하여 스프레이 방식으로 식각공정을 수행하였다. 식각 공정 시 식각 용액의 온도는 40℃로 유지하였고, 각각의 총 식각 시간은 식각 종료시간으로부터 70% 초과된 시간이며, 식각 후 결과를 표 2, 도 1,도 2에 나타내었다.
구리막/몰리브데늄티탄합금막 식각
구리 또는 구리합금의 침해정도를 평가하기 위하여 유리기판에 증착된 적층 구조로 패터닝 된 상기 표1의 구리막/몰리브데늄티탄합금막을 상기와 동일한 식각조성물 500ml에 온도는 40℃내외로 유지하여 48시간 동안 담근(dipping)후 용액을 채취하여 ICP-MS(Inductively coupled plasma mass spectroscopy)로 녹아나온 구리 이온 농도를 측정하였다. 구리 또는 구리합금의 침해가 가장 적은 옥살산(5%) 수용액을 기준으로 하기 위해 상기와 동일한 방법으로 실시하였으며, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
도 1,도2 및 표 2에서 나타난 바와 같이 본 발명에 의한 투명도전막 식각조 성물이 식각속도가 빠르고 잔사도 없으며, 경사각이 40내외의 양호한 프로파일 결과를 나타내었다.
다층막시료인 인듐산화주석막/구리막/몰리브데늄티탄합금막 식각
상기와 표1과 같이 준비한 시료인 인듐산화주석막/구리막/몰리브데늄티탄합금막에 금속막인 구리막/몰리브데늄티탄합금막을 에칭하여 패턴을 형성한 후 실시예 1의 식각액으로 식각하였다. 그 결과를 도3에 나타내었고, 구리막/몰리브데늄티탄합금막은 식각되지 않는 것으로 확인하였다.
[실시예 2 ~ 12]
실시예 1과 동일하게 실시하되, 하기 표 2와 같이 함할로겐 화합물, 보조 산화제, 식각 조절제, 잔사억제제, 부식억제제 및 경시변화 억제제의 조성비를 변화시키거나, 함할로겐 화합물, 보조 산화제, 식각 조절제, 잔사억제제, 부식억제제, 경시변화 억제제의 종류를 변화시키고, 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 물을 첨가한 후 상기 실시예1과 동일하게 식각 공정을 수행하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
하기 표2는 실시예1 내지 12에서의 조성물에 대한 투명도전막(인듐산화주석막)의 식각속도 및 경사각의 결과를 나타낸 것이다. 그리고, 구리 또는 구리합금의 침해정도를 평가하기 위하여 유리기판에 증착된 적층 구조로 패터닝 된 상기 표1의 구리막/몰리브데늄티탄합금막을 상기와 동일한 식각액으로 식각하여 구리이온농도를 측정하여 하기 표2에 나타내었다.
각각의 총 식각 시간은 식각 종료시간으로부터 70% 초과된 시간이다. 표 2에 서 나타내고 있는 바와 같이 각 성분의 함량이 본 발명에 의한 투명도전막 식각조성물의 조성범위에 해당하므로, 식각 속도도 빠르고 잔사도 없으며, 경사각이 40이하인 양호한 프로파일 결과를 나타내었으며, 구리에 대한 침해 평가 결과도 옥살산 적용 결과 대비 양호한 특성을 나타내었다.
[표 2]
Figure 112008078231430-pat00002
[비교예 1 ~ 5]
실시예 1 ~12과 동일하게 진행하되 하기 표 3과 같이 함할로겐 화합물, 보조 산화제, 식각 조절제, 잔사 억제제, 부식억제제 및 경시변화 억제제의 조성비를 본 발명의 범위 밖에서 변화시키고 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 물을 첨가한후 실시예1 ~ 12와 같이 식각 공정을 수행하였다.
하기 표 3은 비교예 1 내지 5에 따른 투명도전막(인듐산화주석막)의 식각속도 및 경사각의 결과를 나타낸 것이다. 그리고, 구리 또는 구리합금의 침해정도를 평가하기 위하여 유리기판에 증착된 적층 구조로 패터닝 된 상기 표1의 구리막/몰리브데늄티탄합금막을 상기와 동일한 식각액으로 식각하여 구리이온농도를 측정하여 하기 표2에 나타내었다. 하기 표3의 결과로부터 알 수 있듯이 비교예 1 내지 3의 경우 식각속도가 너무 빨라 구리에 대한 선택성이 떨어지며, 비교예4의 경우 식각속도가 너무 느려서 경사각이 커지는 문제점이 발생하였다.
[표 3]
Figure 112008078231430-pat00003
도 1은 본 발명에 따른 투명도전막 식각용액으로 습식 식각한 후의 인듐산화주석막의 프로파일을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.
도 2는 본 발명에 따른 투명도전막 식각용액으로 습식식각한 후의 인듐산화주석막의 잔사를 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.
도 3은 본 발명에 따른 투명도전막 식각용액으로 습식식각한 후에 구리막/몰리브데늄티탄합금막의 프로파일을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식1의 구조를 가지는 함할로겐 화합물 0.05 ~15 중량%;
    화학식1
    AXm
    (상기 A는 수소이온(H+), 암모늄이온(NH4+), 철이온(Fe2+,Fe3+), 알루미늄이온(Al3+) 또는 산화수가 1내지 3가인 알킬금속이온이며 X는 할로겐 원소이고, m은 A의 산화수이다)
    질산암모늄(NH4NO3), 질산칼륨(KNO3), 질산(HNO3), 질산구리(CuNO3) 및 질산나트륨(NaNO3)으로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택되는 보조 산화제 0.1 ~ 20중량%; 식각조절제 0.05 ~ 15중량%;
    하기 화학식2의 구조를 가지는 잔사억제제 0.1 ~ 15중량%;
    화학식2
    B(CH3COO)n
    (상기 B는 수소이온(H+), 암모늄이온(NH4+), 철이온(Fe2+,Fe3+), 알루미늄이온(Al3+) 또는 산화수가 1내지 3가인 알킬금속이온이며, n은 B의 산화수이다)
    벤조트리아졸(Benzotriazole), 아미노테트라졸(aminotetrazole), 5-아미노-1-페닐테트라졸(5-amino-1-phenyltetrazole), 5-아미노-1-(1-나프틸)테트라졸(5-amino-1-(1-naphthyl)tetrazole), 1-메틸-5-아미노테트라졸(1-methyl-5-aminotetrazole), 1,5-디아미노테트라졸(1,5-diaminotetrazole), 이미다졸 (imidazole), 인돌 (indole), 푸린 (purine), 피라졸(pyrazole), 피리딘(pyridine), 피리미딘(pyrimidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘 (pyrrolidine), 피롤린(pyrroline), 2차 아민(secondary amine)계 화합물 및 아미노산(amino acid)계 화합물로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택되는 부식억제제 0.3 ~ 10중량%; 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물; 로 구성된 투명도전막 식각조성물.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 함할로겐화합물은 염화수소(HCl), 염화알루미늄(AlCl3), 암모늄플로라이드(NH4F), 요오드화칼륨(KI), 염화칼륨(KCl) 및 염화암모늄(NH4Cl)로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물인 투명도전막 식각조성물.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 식각 조절제는 황산(H2SO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4), 중황산암모늄(NH4SO4H), 황산나트륨(NaSO4H), 중황산칼륨(KSO4H), 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 및 과황산칼륨(K2S2O8)으로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물인 투명도전막 식각조성물.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 잔사억제제는 아세트산(acetic acid), 포타슘아세테이트(potassium acetate),암모늄아세테이트(ammonium acetate), 쇼듐아세테이트(sodium acetate), 마그네슘아세테이트(magnesium acetate), 망간아세테이트(manganese acetate) 및 아연아세테이트(zinc acetate)로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 투명도전막 식각조성물.
  8. 삭제
  9. 제 1항, 제3항, 제5항 및 제7항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명도전막 식각조성물은 경시변화억제제를 전체 조성물에 대하여 50중량%까지 더 포함하는 투명도전막 식각조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 경시변화억제제는 에칠렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 , 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 및 폴리테트라메틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택되는 투명도전막 식각조성물.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101774484B1 (ko) * 2011-02-15 2017-09-05 삼성디스플레이 주식회사 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
KR101293628B1 (ko) * 2011-06-10 2013-08-13 솔브레인 주식회사 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액
KR102009250B1 (ko) * 2011-09-09 2019-08-12 동우 화인켐 주식회사 표시장치의 제조방법 및 이에 이용되는 구리계 금속막/금속 산화물막의 식각액 조성물
KR101349975B1 (ko) * 2011-11-17 2014-01-15 주식회사 이엔에프테크놀로지 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물
JP6135999B2 (ja) * 2012-04-10 2017-05-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法
KR101394133B1 (ko) * 2012-08-22 2014-05-15 주식회사 이엔에프테크놀로지 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물
JP6044337B2 (ja) * 2012-12-28 2016-12-14 三菱瓦斯化学株式会社 インジウムとガリウムおよび酸素、またはインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物のエッチング液およびエッチング方法
KR20150043569A (ko) * 2013-10-07 2015-04-23 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리 및 몰리브덴 함유 막의 식각액 조성물
CN103980905B (zh) * 2014-05-07 2017-04-05 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
KR102323942B1 (ko) 2015-01-22 2021-11-09 동우 화인켐 주식회사 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
JP6494349B2 (ja) * 2015-03-18 2019-04-03 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
JP6514578B2 (ja) * 2015-06-17 2019-05-15 東京応化工業株式会社 エッチング組成物及び伝導膜の製造方法
KR102471019B1 (ko) * 2015-09-02 2022-11-25 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR102384563B1 (ko) 2016-03-24 2022-04-08 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막용 식각 조성물
KR102384564B1 (ko) 2016-03-25 2022-04-08 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막 및 몰리브덴막용 식각 조성물
KR102362556B1 (ko) 2016-03-25 2022-02-14 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막용 식각 조성물
CN107236956B (zh) * 2016-03-28 2020-04-17 东友精细化工有限公司 用于铜基金属层的蚀刻剂组合物及用其制造显示设备的阵列基板的方法
KR102459686B1 (ko) 2016-06-24 2022-10-27 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
WO2018154775A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 富士技研工業株式会社 エッチング液とその使用
KR102007428B1 (ko) 2017-03-09 2019-08-05 코닝 인코포레이티드 글라스 지지체에 의하여 지지되는 금속 박막의 제조방법
KR102674217B1 (ko) * 2018-11-23 2024-06-11 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
CN112064027B (zh) * 2020-09-14 2022-04-05 深圳市志凌伟业光电有限公司 复合铜膜结构用蚀刻液
CN114361058A (zh) * 2020-10-12 2022-04-15 福建钧石能源有限公司 一种铜电极异质结电池的清洗方法
CN113322072B (zh) * 2021-06-25 2022-06-03 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种兼容性ito蚀刻液及制备方法
CN114740070B (zh) * 2022-05-18 2023-11-03 福州大学 一种检测酸性镀铜液中的铜离子浓度的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050066395A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법
KR20060003732A (ko) * 2004-07-07 2006-01-11 테크노세미켐 주식회사 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물
KR20060050581A (ko) * 2004-08-25 2006-05-19 삼성전자주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244539A (en) * 1992-01-27 1993-09-14 Ardrox, Inc. Composition and method for stripping films from printed circuit boards
JPH07286172A (ja) * 1994-04-20 1995-10-31 Asahi Glass Co Ltd エッチング液およびエッチング方法
KR100248113B1 (ko) * 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
JP3974305B2 (ja) * 1999-06-18 2007-09-12 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器
DE10331033B4 (de) * 2002-07-12 2010-04-29 Ekc Technology K.K. R&D Business Park Bldg. D-3F, Kawasaki Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und Reinigungszusammensetzung dafür
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
KR101026983B1 (ko) * 2004-10-28 2011-04-11 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물
JP4528164B2 (ja) * 2005-03-11 2010-08-18 関東化学株式会社 エッチング液組成物
KR100601740B1 (ko) * 2005-04-11 2006-07-18 테크노세미켐 주식회사 투명도전막 식각용액
KR101299131B1 (ko) * 2006-05-10 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각 조성물
JP5559956B2 (ja) * 2007-03-15 2014-07-23 東進セミケム株式会社 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物
KR101310310B1 (ko) * 2007-03-15 2013-09-23 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물
KR101507592B1 (ko) * 2008-09-12 2015-04-06 주식회사 동진쎄미켐 유기발광다이오드표시장치의 식각액 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050066395A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법
KR20060003732A (ko) * 2004-07-07 2006-01-11 테크노세미켐 주식회사 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물
KR20060050581A (ko) * 2004-08-25 2006-05-19 삼성전자주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

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