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KR101514499B1 - 공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터 - Google Patents

공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터 Download PDF

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KR101514499B1
KR101514499B1 KR1020120026674A KR20120026674A KR101514499B1 KR 101514499 B1 KR101514499 B1 KR 101514499B1 KR 1020120026674 A KR1020120026674 A KR 1020120026674A KR 20120026674 A KR20120026674 A KR 20120026674A KR 101514499 B1 KR101514499 B1 KR 101514499B1
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coil
common mode
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coil pattern
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양주환
심원철
유영석
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 도전재로 이루어진 제1코일패턴에 대하여 전해도금을 수행하여, 상기 제1코일패턴 보다 단면적이 증가한 제2코일패턴을 형성하는 과정을 포함할 수 있으며, 소형화 요구에 부응하면서도 인덕턴스 및 직류저항 등의 특성이 향상된 공통모드필터를 구현할 수 있다.

Description

공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터{METHOD FOR MANUFACTURING COMMON MODE FILTER AND COMMON MODE FILTER}
본 발명은 공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터에 관한 것이다.
공통모드필터(Common Mode Filter ; CMF)는 각종 전자기기에서 공통모드 노이즈를 제거하기 위하여 널리 사용되고 있는 전자부품이다.
최근 전자제품들의 소형화, 슬림화 및 고기능화에 발맞추어 노이즈 제거성능을 향상시킴과 동시에 소형화 및 박막화가 가능한 공통모드필터 연구가 지속되고 있다.
이때, 공통모드필터의 인덕턴스 및 직류저항 등의 특성을 향상시키기 위하여 다양한 연구 및 시도가 경주되고 있으며, 일 예로써, 특허문헌1에 개시된 컷오프 주파수를 상승시키며, 임피던스 특성을 향상시킨 공통모드 필터 등을 들 수 있을 것이다.
한편, 도 1에는 현재 널리 적용되고 있는 포토레지스트 공법을 이용한 공통모드필터 제조방법이 개략적으로 예시되어 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 박막형 공통모드필터는 자성체 기판(10) 위에 금속씨드층(20)을 형성한 후, 금속씨드층(20) 상에 포토레지스트를 코팅 및 현상하여 포토레지스트패턴(30)을 형성하고, 포토레지스트패턴(30)에 의하여 노출된 영역에 구리 등의 도전재(40)를 채우는 방식으로 코일패턴을 형성할 수 있다.
도 2는 종래기술에 따른 공통모드필터의 단면을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 2를 참조하면, 공통모드필터를 이루는 제1코일패턴(50a)의 넓이 w, 높이 h, 인접한 코일패턴 사이의 이격거리 d의 관계를 이해할 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2에서 예시한 바와 같이, 종래의 일반적인 포토레지스트 공법으로 포토레지스트패턴을 형성할 경우 패턴의 넓이나 인접한 패턴들 사이의 간격을 좁히는 데에는 한계가 있었다. 이때, 공통모드필터의 전체 폭을 일정하게 유지하면서 코일패턴의 부피를 증가시키기 위해서는 인접한 코일들 사이의 이격거리(d)를 좁혀야 할 터이지만, 전술한 포토레지스트 공법 상의 한계로 인하여 인접한 코일들 사이의 이격거리(d)를 감소시키는데 한계가 있었기에 공통모드필터의 전체적인 크기 증가 없이 공통모드필터 특성을 향상시키는데 제약이 따른다는 문제점이 있었다.
특허문헌1 : 대한민국 공개특허 제10-2011-0082641호
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 창안된 본 발명은, 코일패턴의 부피를 증가시켜 인덕턴스 및 직류저항 등의 특성을 향상시킬 수 있는 공통모드필터 제조방법 및 공통모드필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 도전재로 이루어진 제1코일패턴에 대하여 전해도금을 수행하여, 상기 제1코일패턴 보다 단면적이 증가한 제2코일패턴을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1코일패턴에 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행하는 과정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 도전재로 이루어진 복수 개의 제1코일패턴들 각각의 일단과 전기적으로 연결되는 인입선에 전원을 인가하고 전해도금을 수행하여, 상기 복수 개의 제1코일패턴들 보다 단면적이 증가한 복수 개의 제2코일패턴들을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 제2코일패턴을 형성한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 더 수행하되, 상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행될 수 있다.
또한, 상기 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 더 수행하되,상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 기판 표면에 씨드금속층을 형성하는 단계; 상기 씨드금속층 상에 상기 씨드금속층의 표면 일부가 노출되도록 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 씨드금속층의 노출된 표면에 금속을 도금하는 단계; 상기 포토레지스트패턴 하방에 위치했던 상기 씨드금속층과 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 제1코일패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제1코일패턴에 전해도금을 수행하여, 상기 제1코일패턴보다 단면적이 증가한 제2코일패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제2코일패턴에 습식에칭을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 기판 표면에 씨드금속층을 형성하는 단계; 상기 씨드금속층 상에서 복수 개의 제1코일패턴들이 형성될 영역 및 상기 복수 개의 제1코일패턴들 각각의 일단과 전기적으로 연결되는 인입선이 형성될 영역이 노출되도록 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 씨드금속층의 노출된 표면에 금속을 도금하는 단계; 상기 포토레지스트패턴 하방에 위치했던 상기 씨드금속층과 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 상기 복수 개의 제1코일패턴들과 상기 인입선을 형성하는 단계; 및 상기 인입선에 전원을 인가해서 상기 복수 개의 제1코일패턴들에 전해도금을 수행하여, 상기 복수 개의 제1코일패턴들 보다 단면적이 증가한 복수 개의 제2코일패턴들을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 제2코일패턴들을 형성한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 더 수행하되, 상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행될 수 있다.
또한, 상기 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 더 수행하되, 상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터는, 자성체로 이루어진 기판상에 도전재로 이루어진 코일패턴이 구비되어 이루어지는 공통모드필터에 있어서, 상기 코일패턴은, 상기 기판에 대향하는 면은 평탄하고, 나머지 면은 타원형상으로 이루어진 단면형상을 가질 수 있다.
이때, 상기 코일패턴은, 상기 기판에 대향하는 면과 수평인 장축과, 상기 장축에 수직인 단축의 비율이 1.1 내지 2 : 1일 수 있다.
또한, 상기 코일패턴은, 상기 장축에서 상기 기판에 대향하는 면 까지의 최대 거리와, 상기 장축에서 상기 코일패턴의 상부면 까지의 최대거리의 비가 6.5 : 3.5 내지 5.5 : 4.5일 수 있다
또한, 상기 코일패턴은, 인접한 코일들 사이의 간격이 상기 코일패턴의 장축 길이의 0.15 내지 0.45 배일 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 포토레지스트 공법으로 제조할 경우 코일패턴의 단면적을 증가시키는 동시에 인접한 코일들 사이의 간격을 최소화 하는데 한계가 있었다는 종래의 문제점을 해결할 수 있다.
즉, 기 형성된 제1코일패턴에 대하여 전해도금을 추가로 실시하여 코일패턴의 단면적을 증가시키는 동시에 인접한 코일들 사이의 간격을 최소화 할 수 있다.
따라서, 소형화 요구에 부응하면서도 인덕턴스 및 직류저항 등의 특성이 향상된 공통모드필터를 제조할 수 있다는 유용한 효과를 제공한다.
도 1은 종래기술에 따른 공통모드필터 제조방법을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 1a는 기판을 제공하는 단계, 도 1b는 씨드금속층을 형성하는 단계, 도 1c는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 도 1d는 코일패턴을 형성하는 단계, 도 1e는 포토레지스트패턴을 제거하는 단계, 도 1f는 씨드금속층을 제거하는 단계를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 2는 종래기술에 따른 공통모드필터의 단면을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 3a는 기판을 제공하는 단계, 도 3b는 씨드금속층을 형성하는 단계, 도 3c는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 도 3d는 포토레지스트패턴에 의하여 노출된 씨드금속층에 금속을 도금하는 단계, 도 3e는 포토레지스트패턴을 제거하는 단계, 도 3f는 씨드금속층을 제거하여 제1코일패턴을 형성하는 단계, 도 3g는 제1코일패턴을 전해도금하여 제2코일패턴을 형성하는 단계를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통모드필터 제조방법을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 4a는 기판을 제공하는 단계, 도 4b는 씨드금속층을 형성하는 단계, 도 4c는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계, 도 4d는 포토레지스트패턴에 의하여 노출된 씨드금속층에 금속을 도금하는 단계, 도 4e는 포토레지스트패턴을 제거하는 단계, 도 4f는 씨드금속층을 제거하여 제1코일패턴을 형성하는 단계, 도 4g는 제1코일패턴을 전해도금하는 단계, 도 4h는 전해도금의 결과물을 습식에칭하여 제2코일패턴을 형성하는 단계를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통모드필터의 단면촬영 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터의 단면을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 7a는 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법 중 복수 개의 제2코일패턴들이 인입선으로 연결된 상태를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 7b는 도 7a의 V 부분의 확대도이다.
도 7c는 도 7b의 다이싱 라인(DL)에 따라 다이싱 공정이 수행된 상태를 개략적으로 예시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 3a는 기판(10)을 제공하는 단계, 도 3b는 씨드금속층(20)을 형성하는 단계, 도 3c는 포토레지스트패턴(30)을 형성하는 단계, 도 3d는 포토레지스트패턴(30)에 의하여 노출된 씨드금속층(20)에 금속을 도금하는 단계, 도 3e는 포토레지스트패턴(30)을 제거하는 단계, 도 3f는 씨드금속층(20)을 제거하여 제1코일패턴(50, 50a)을 형성하는 단계, 도 3g는 제1코일패턴(50, 50a)을 전해도금하여 제2코일패턴(150, 150a)을 형성하는 단계를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법은, 도전재(40)로 이루어진 제1코일패턴(50, 50a)에 대하여 전해도금을 수행하여 제2코일패턴(150, 150a)을 형성하는 것을 특징으로 하여 구성된다.
이때, 제2코일패턴(150, 150a)은 제1코일패턴(50, 50a)에 비하여 단면적이 증가된 코일패턴이다. 즉, 인쇄, 도금 등 다양한 방식에 의하여 기판(10)상에 제1코일패턴(50, 50a)이 형성된 이후에, 제1코일패턴(50, 50a)에 전원을 인가하여 전해도금을 수행함으로써 단면적이 증가되는 동시에 인접한 코일들 사이의 이격거리가 감소될 수 있도록 하는 것이다.
도 3을 참조하여, 포토레지스트 공법으로 공통모드필터를 제작하는 경우에 적용될 수 있는 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
도 3a에서 예시하고 있는 기판(10)을 제공하는 단계에서는 공통모드필터 제작을 위해 필요한 각종 자성체 기판(10)들이 제공될 수 있다.
다음으로, 도 3b에서 예시하고 있는 씨드금속층(20)을 형성하는 단계는, 후속 도금공정을 수행하기 위한 씨드 물질을 스퍼터링(Sputtering)등의 방식으로 기판(10)의 표면에 형성하는 방식으로 수행될 수 있다.
다음으로, 도 3c에서 예시하고 있는 포토레지스트패턴(30)을 형성하는 단계에서는, 포토레지스트물질을 씨드금속층(20) 상에 도포한 뒤 도금될 영역을 제거하여 포토레지스트패턴(30)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3d에서 예시하고 있는 도금공정에서는, 직전 단계에서 형성된 포토레지스트패턴(30)에 의하여 노출된 씨드금속층(20)의 일 영역에 도전재(40)가 도금될 수 있다.
다음으로, 도 3e에서 예시한 바와 같이 포토레지스트패턴(30)을 제거하고, 도 3f에서 예시한 바와 같이 포토레지스트패턴(30)의 하방에 위치했던 씨드금속층 부분(41)을 제거함으로써 제1코일패턴(50, 50a)을 형성할 수 있게 된다.
다음으로, 도 3g에서 예시한 바와 같이, 제1코일패턴(50, 50a)에 전해도금을 수행하여 코일 단면적을 증가시킴으로써 제2코일패턴(150, 150a)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 인접한 코일간 이격거리가 감소되면서 코일 부피의 증가를 구현할 수 있는 공통모드필터를 제조할 수 있게 되는 것이며, 그 결과 전체적인 크기의 증가 없도 인덕턴스 및 직류저항 등의 특성이 향상된 공통모드필터의 구현이 가능해지는 것이다.
한편, 도면에 예시하지는 않았지만, 공통모드필터로 완성되기 위하여 복수의 절연층, 코일패턴층, 내부전극단자, 외부전극단자 및 하우징 등이 포함될 수 있으며, 이러한 사항은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술전문가라면 공지된 기술들로부터 쉽게 이해할 수 있을 것이므로 추가적인 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통모드필터 제조방법을 개략적으로 예시한 도면으로써, 도 4a는 기판(10)을 제공하는 단계, 도 4b는 씨드금속층(20)을 형성하는 단계, 도 4c는 포토레지스트패턴(30)을 형성하는 단계, 도 4d는 포토레지스트패턴(30)에 의하여 노출된 씨드금속층(20)에 금속을 도금하는 단계, 도 4e는 포토레지스트패턴(30)을 제거하는 단계, 도 4f는 씨드금속층(20)을 제거하여 제1코일패턴(50, 50a)을 형성하는 단계, 도 4g는 제1코일패턴(50, 50a)을 전해도금하는 단계, 도 4h는 전해도금의 결과물을 습식에칭하여 제2코일패턴(250, 250a)을 형성하는 단계를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4g는 전술한 도 3a 내지 도 3g와 동일하므로, 관련되는 사항의 중복설명을 생략한다.
도 4g 및 4h를 참조하여, 제2코일패턴(150, 150a)과 에칭된 제2코일패턴(250, 250a)의 단면적을 비교해 보면, 제2코일패턴(150, 150a)에 비하여 에칭된 제2코일패턴(250, 250a)의 단면적이 다소 작아짐을 이해할 수 있을 것이다.
즉, 도 4h에 예시한 도면은, 전해도금공정이 수행된 이후에 과산화수소와 황산 등을 이용하여 코일을 습식에칭한 후의 상태를 설명하기 위한 것으로, 전해도금 공정이 과도하게 진행되어 코일들이 접촉되거나, 최소한의 이격거리가 확보되지 않을 경우 습식에칭에 의하여 코일들 최소 이격거리를 확보하여 쇼트가 발생하는 문제를 방지할 수 있는 것이다.
또한, 전해도금만 수행된 상태에서는 코일의 표면이 비교적 거친 상태로 남아있을 수 있는데, 습식에칭공정을 통해서 코일 표면을 매끄럽게 할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통모드필터의 단면촬영 도면이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터의 단면을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터는 전체적으로 타원형상을 이루되, 기판(10)에 대향하는 면이 평탄한 단면형상을 갖는 제2코일패턴(150a)을 포함하여 이루어질 수 있다.
이때, 제2코일패턴(150a)의 높이(h)가 너무 높으면 다층으로 형성될 공통모드필터의 경우 슬림화에 불리하며, 제2코일패턴(150a)의 폭(w)이 너무 크면 제한된 폭의 공통모드필터에서 충분한 턴수를 확보하는데 문제가 될 수 있다.
따라서, 기판(10)에 대향하는 면과 수평인 장축과, 장축에 수직인 단축의 비율이 1.1 내지 2 : 1이 되도록 하는 범위 내에서 코일패턴의 단면형상이 이루어지도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 제2코일패턴(150a)과 기판(10)이 접촉되는 면의 면적이 너무 좁아지면 제2코일패턴(150a)이 기판(10)으로부터 분리되는 현상이 발생하여 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생할 수 있으며, 제2코일패턴(150a)과 기판(10)이 접촉되는 면의 면적이 너무 넓어지면 제2코일패턴(150a)의 단면적 및 부피가 오히려 감소될 수 있다.
따라서, 장축에서 상기 기판(10)에 대향하는 면 까지의 최대 거리와, 장축에서 상기 코일패턴의 상부면 까지의 최대거리의 비가 6.5 : 3.5 내지 5.5 : 4.5가 되도록 하는 범위 내에서 코일패턴의 단면형상이 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 인접한 코일들은 절연성을 확보하기 위한 최소한의 이격거리를 만족해야 하는 동시에, 이격거리가 작을 수록 코일패턴의 부피를 더 많이 증가시킬 수 있다.
따라서, 인접한 코일들 사이의 간격이 상기 코일패턴의 장축 길이의 0.15 내지 0.45 배가 되도록 하는 범위 내에서 코일패턴의 단면형상이 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 도 6에서 예시한 바와 같이, 제2코일패턴(150a)은 기판(10)상에 추가로 구비되는 산화막(11) 등에 접촉되도록 구현될 수 있다. 페라이트 계열의 자성기판(10)에는 철(Fe) 성분이 함유될 수 있는데, 이때, 코일들 사이의 간격이 좁은 경우 이러한 철 등의 성분에 의하여 통전 현상이 유발될 수 있는 바, 이러한 현상을 방지하기 위하여 절연층으로써 산화막(11) 등을 구비할 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법 중 복수 개의 제2코일패턴(150, 150a)들이 인입선(VL)으로 연결된 상태를 개략적으로 예시한 도면이고, 도 7b는 도 7a의 V 부분의 확대도이며, 도 7c는 도 7b의 다이싱 라인(DL)에 따라 다이싱 공정이 수행된 상태를 개략적으로 예시한 도면이다.
일반적으로, 공통모드필터는 제조효율을 확보하기 위하여, 도 7a에서 예시한 바와 같이 하나의 공통모드필터를 구현하기 위한 코일패턴들이 한층에 복수 개 형성될 수 있도록 하여 공정이 진행된다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 공통모드필터 제조방법에서는 기 형성된 제1코일패턴(50, 50a)에 전원을 인가하여 전해도금을 수행하게 된다.
이때, 동일한 층에 형성된 각각의 코일패턴들에 전원을 인가하고자 한다면, 한 층에 형성된 코일패턴들의 수와 동일한 수의 전원인가선이 필요하게 되며, 이러한 전원인가선을 각각의 코일패턴들에 일일이 접촉시켜야 하므로 제조설비가 복잡해질 뿐만 아니라, 제조효율이 낮아지게 된다.
이러한 문제점들을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 복수 개의 코일패턴들 각각의 일단과 전기적으로 연결되는 인입선(VL)을 이용하여 전원이 인가되도록 하였다.
도 7b를 참조하면, 코일패턴의 외부에서 코일패턴으로부터 소정의 거리가 이격된 상태에서 코일패턴을 둘러싸고 있는 인입선(VL)이 코일패턴과 함께 구비될 수 있다.
이러한 인입선(VL)은 씨드금속층(20) 상에 형성되는 포토레지스트패턴(30)이 제1코일패턴(50, 50a)과 함께 인입선(VL)이 형성될 영역을 노출하도록 한 후, 후속 공정을 수행함으로써, 제조공정의 추가나 제조효율의 감소 없이 구현될 수 있다.
또한, 도 7b에 예시한 바와 같은 인입선(VL)을 이용하여 전해도금을 수행함으로써 인입선(VL)이 없는 경우에 비하여 전해도금을 보다 효율적으로 수행할 수 있게 되는 것이다.
한편, 도 7b에 예시한 바와 같은 형상으로 인입선(VL)을 구현한 경우, 한 층의 제2코일패턴(150, 150a) 형성과정이 모두 종료된 이후에는 도 7b에 예시한 바와 같은 다이싱 라인(DL), 즉 복수 개의 제2코일패턴(150, 150a)들 각각의 일단으로부터 인입선(VL)이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인(DL)에 따라 다이싱 공정을 수행할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 기판
11 : 산화막
20 : 씨드금속층
30 : 포토레지스트패턴
40 : 도전재
50, 50a : 제1코일패턴
150, 150a : 제2코일패턴
250, 250a : 에칭된 제2코일패턴
VL : 인입선
DL : 다이싱 라인

Claims (14)

  1. 도전재로 이루어진 제1코일패턴에 대하여 전해도금을 수행하여, 상기 제1코일패턴 보다 단면적이 증가한 제2코일패턴을 형성하는 과정; 및
    상기 제1코일패턴에 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행하는 과정을 포함하는
    공통모드필터 제조방법.
  2. 삭제
  3. 도전재로 이루어진 복수 개의 제1코일패턴들 각각의 일단과 전기적으로 연결되는 인입선에 전원을 인가하고 전해도금을 수행하여, 상기 복수 개의 제1코일패턴들 보다 단면적이 증가한 복수 개의 제2코일패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 수행하는 단계;
    를 포함하는
    공통모드필터 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행되는
    공통모드필터 제조방법.
  5. 삭제
  6. 기판 표면에 씨드금속층을 형성하는 단계;
    상기 씨드금속층 상에 상기 씨드금속층의 표면 일부가 노출되도록 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;
    상기 씨드금속층의 노출된 표면에 금속을 도금하는 단계;
    상기 포토레지스트패턴 하방에 위치했던 상기 씨드금속층과 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 제1코일패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1코일패턴에 전해도금을 수행하여, 상기 제1코일패턴보다 단면적이 증가한 제2코일패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2코일패턴에 습식에칭을 수행하는 단계;
    를 포함하는
    공통모드필터 제조방법.
  7. 삭제
  8. 기판 표면에 씨드금속층을 형성하는 단계;
    상기 씨드금속층 상에서 복수 개의 제1코일패턴들이 형성될 영역 및 상기 복수 개의 제1코일패턴들 각각의 일단과 전기적으로 연결되는 인입선이 형성될 영역이 노출되도록 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;
    상기 씨드금속층의 노출된 표면에 금속을 도금하는 단계;
    상기 포토레지스트패턴 하방에 위치했던 상기 씨드금속층과 상기 포토레지스트패턴을 제거하여 상기 복수 개의 제1코일패턴들과 상기 인입선을 형성하는 단계;
    상기 인입선에 전원을 인가해서 상기 복수 개의 제1코일패턴들에 전해도금을 수행하여, 상기 복수 개의 제1코일패턴들 보다 단면적이 증가한 복수 개의 제2코일패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 전해도금을 수행한 결과물에 대하여 습식에칭을 수행한 후, 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각이 서로 분리되도록 다이싱 공정을 수행하는 단계;
    를 포함하는
    공통모드필터 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 다이싱 공정은 상기 복수 개의 제2코일패턴들 각각의 일단으로부터 상기 인입선이 분리되도록 설정되는 다이싱 라인에 따라 수행되는
    공통모드필터 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 자성체로 이루어진 기판상에 도전재로 이루어진 코일패턴이 구비되어 이루어지는 공통모드필터에 있어서,
    상기 코일패턴은, 상기 기판에 대향하는 면은 평탄하고, 나머지 면은 타원형상으로 이루어진 단면형상을 갖되, 상기 기판에 대향하는 면과 수평인 장축과, 상기 장축에 수직인 단축의 비율이 1.1 내지 2 : 1인 공통모드필터.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 코일패턴은,
    상기 장축에서 상기 기판에 대향하는 면 까지의 최대 거리와, 상기 장축에서 상기 코일패턴의 상부면 까지의 최대거리의 비가 6.5 : 3.5 내지 5.5 : 4.5인
    공통모드필터.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 코일패턴은,
    인접한 코일들 사이의 간격이 상기 코일패턴의 장축 길이의 0.15 내지 0.45 배인
    공통모드필터.
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