[go: up one dir, main page]

KR101482720B1 - 실리콘 압력센서의 패키지구조 - Google Patents

실리콘 압력센서의 패키지구조 Download PDF

Info

Publication number
KR101482720B1
KR101482720B1 KR1020127029137A KR20127029137A KR101482720B1 KR 101482720 B1 KR101482720 B1 KR 101482720B1 KR 1020127029137 A KR1020127029137 A KR 1020127029137A KR 20127029137 A KR20127029137 A KR 20127029137A KR 101482720 B1 KR101482720 B1 KR 101482720B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure sensor
silicon wafer
hole
cover substrate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020127029137A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130018857A (ko
Inventor
징순 저우
Original Assignee
어드밴스드 플래티넘 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어드밴스드 플래티넘 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 filed Critical 어드밴스드 플래티넘 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20130018857A publication Critical patent/KR20130018857A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101482720B1 publication Critical patent/KR101482720B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/145Housings with stress relieving means
    • G01L19/146Housings with stress relieving means using flexible element between the transducer and the support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0069Electrical connection means from the sensor to its support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/04Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

일종의 실리콘 압력센서의 패키지구조에 있어서, 덮개기판과 기저기판을 포함하고, 이 둘을 상호 연결하여 중앙 챔버를 형성하고, 상기 중앙 챔버 내부에는 밀봉패드와 압력센서 실리콘 웨어퍼를 설치하고, 밀봉패드는 압력센서 실리콘 웨이퍼 하부에 배열하고(lining), 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드는 덮개기판을 통해 외부 전기회로와 연결한다. 본 발명은 패키지구조 및 생산공정을 단순화하고, 재료 및 공정 원가를 모두 대폭 낮추었으며, 그리고 과부하 방지능력을 구비한다.

Description

실리콘 압력센서의 패키지구조{PACKAGE STRUCTURE FOR SILICON PRESSURE SENSOR}
본 발명은 압력센서에 관한 것이며, 특히 실리콘 압력센서의 패키지구조에 관한 것이다.
압력센서는 통상적으로 압력변화에 대해 검출과 대응이 필요한 곳에 배치되어 사용한다. 예를 들어, 자동차, 항공우주, 상업, 공업 등 다양한 응용방면에 사용한다.
실리콘 MEMS(마이크로 전자기계 시스템)기술로 제작한 민감 소자는 압력센서의 핵심소자이고, 핵심소자의 패키지구조는 압력센서 성능에 대해 중요한 영향을 끼친다. 종래의 부식성 기체 또는 액체 매질에 대한 민감 소자의 패키지구조는 도1에 도시한 바와 같으며, 우선 MEMS 기술로 가공한 실리콘 웨이퍼(107)(즉 민감 소자)와 유리 기저기판(108)을 함께 결합한 후 케이스(109) 내부 챔버에 접착하고, 이어서 관통적극(102)을 유리분말(103)로 케이스(109)의 리드선 구멍에 소결하고, 금선(104)으로 실리콘 웨이퍼(107)상의 랜드와 관통전극(102)의 일단을 납땜하고, 관통적극(102)의 타 단은 PCB보드(101)에 연결하고, 케이스(109) 내부 챔버에는 실리콘 오일(105)을 충진하고, 마지막에 물결막(106)과 납땜한다.
이러한 패키지구조를 사용하여, 일단 부식성 매질이 물결막(106)에 접촉하면, 실리콘 오일(015)을 통해 실리콘 웨이퍼(107)에 압력이 전달되고, 이로서 압력전달과 동시에 부식방지의 목적을 구현한다. 그러나 상기 패키지의 구조와 생산 공정이 복잡하여, 원가가 비교적 높아, 실리콘 압력센서의 대량생산과 응용에 만족하기 어렵다.
종래의 복잡한 패키지구조와 생산공정, 비교적 높은 원가 등 결점에 대해, 본 출원인은 연구를 통해 개선하여, 구조 및 생산공정을 단순화 하고, 재료 및 공정 원가를 모두 대폭 낮추고, 그리고 과부하 방지기능을 지닌 하나의 새로운 실리콘 압력센서의 패키지구조를 제공한다.
본 발명의 기술 방안을 다음과 같다:
일종의 실리콘 압력센서의 패키지구조에 있어서, 덮개기판과 기저기판을 포함하고, 이 둘을 상호 연결하여 중앙 챔버를 형성하고, 상기 중앙 챔버 내부에는 밀봉패드와 압력센서 실리콘 웨어퍼를 설치하고, 밀봉패드는 압력센서 웨이퍼 하부에 배열하고(lining), 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드는 덮개기판을 통해 외부 전기회로와 연결한다.
바람직한 기술방안1: 상기 덮개기판은 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드와 대응하는 위치에 관통구멍을 구비하고, 상기 관통구멍에 전도성 접착제를 충진한다.
바람직한 기술방안2: 상기 덮개기판은 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드와 대응하는 위치에 관통구멍을 구비하고, 상기 관통구멍의 구멍벽면 및 위아래 가장자리에 전도층을 설치한다.
바람직한 기술방안3: 상기 덮개기판은 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드와 대응하는 위치에 관통구멍을 구비하고, 상기 관통구멍의 구멍벽면 및 위아래 가장자리에 전도층을 설치하고, 상기 관통구멍에 전도성 접착제를 충진한다.
바람직한 기술방안4: 상기 덮개기판 안에 관통하는 도선을 설치하고, 압력센서 실리콘 웨이퍼의 랜드와 상기 도선을 연결한다.
더 나아간 기술방안은: 상기 덮개기판 상층에 전기회로를 제작하고, 상기 전기회로와 신호조정 칩을 전기적으로 연결한다.
그리고, 더 나아간 기술방안은: 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼 상부와 덮개기판 하부 사이에 지지 패드를 설치하고, 상기 지지 패드는 압력센서 실리콘 웨이퍼 상부 또는 덮개기판 하부에 설치하고, 그리고 압력센서 실리콘 웨이퍼의 중심 변형구역 주변에 설치한다.
그리고, 더 나아간 기술방안은: 상기 밀봉 패드는 연질 재료로 작성된다.
본 발명의 유익한 기술 효과는 다음과 같다:
(1) 본 발명은 결합공정을 취소하고, 또한 실리콘 오일을 충진하고 물결 막으로 격리할 필요가 없으므로, 패키지구조 및 생산공정을 단순화하고, 재료 및 공정 원가를 모두 대폭 낮추었다.
(2) 본 발명의 덮개기판 상층에 전기회로를 제작하여, 동시에 PCB기판 기능을 구비하고 신호조정 칩과 전기적으로 연결하여, 표준 신호 출력을 지닌 압력변화 송출모듈을 편리하게 제작하였다.
(3) 본 발명은 연질의 밀봉패드를 사용하여, 압력센서 실리콘 웨이퍼가 세라믹 챔버 내부에서 부동 상태에 놓이도록 하였으므로, 하드 패키지에서 초래되는 패키지 응력을 받지 않는다.
(4) 압력센서 실리콘 웨이퍼 상부 주변 또는 덮개기판 하부에 일정 두께의 지지 패드를 구비함으로써, 압력센서 실리콘 웨이퍼의 손상방지의 목적을 충분히 달성하고, 그리고 열 배 이상의 압력 과부하를 저항할 수 있어, 과부하 방지능력을 구비한다.
도1은 종래의 실리콘 압력센서의 패키지구조의 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예1의 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예2의 단면도이다.
도4는 본 발명의 실시예3의 단면도이다.
도5는 본 발명의 실시예4의 단면도이다.
도6은 본 발명의 실시예5의 단면도이다.
도7은 본 발명의 실시예6의 단면도이다.
도8은 지지패드의 형상과 위치의 확대 설명도이며, 압력센서 실리콘 웨이퍼의 상부에서 내려다 본 것이다.
주석: 도2내지 도7은 도8의 A-A방향의 단면도이다.
이하에서 도면을 참조하여, 실시예를 통해 본발명에 대해 구체적으로 설명한다.
실시예1:
도2는 본 발명의 실시예1의 설명도이다. 도2에서 도시한 바와 같이, 덮개기판(201)과 기저기판(202)을 함께 접착 결합하여 운반체를 만들고, 그리고 중앙 챔버를 형성하고, 챔버 내부에 밀봉패드(203)와 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)를 장착하고, 밀봉패드(203)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 하부에 배열한다(lining). 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드는 덮개기판(201)을 통해 외부 전기회로와 연결하고자 한다. 그 바람직한 실시 방식은, 덮개기판(201)은 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 미리 제작한 관통구멍이 있고, 전도성 접착제(205)로 구멍을 충진하고, 그러므로 랜드의 신호를 덮개기판(201) 상층까지 인출하고, 이어서 외부 전기회로와 연결한다. 본 발명의 밀봉패드(203)는 연질재료(예, 고무)로 작성되며, 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)가 챔버 내부에서 부동 상태에 놓이도록 하여, 하드 패키지에서 초래되는 패키지 응력을 받지 않는다.
실시예2:
도3에서 도시한 바와 같이, 그 바람직한 실시 방식은, 덮개기판(201)은 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 미리 제작한 관통구멍이 있고, 구멍의 벽면 및 위아래 가장자리에 전도층(206)을 설치한다. 전도층(206)을 통해 랜드의 신호를 덮개기판(201)의 상층까지 인출하고, 이어서 외부 전기회로와 연결한다.
실시예3:
도4에서 도시한 바와 같이, 그 바람직한 실시 방식은, 덮개기판(201)은 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 미리 제작한 관통구멍이 있고, 구멍의 벽면 및 위아래 가장자리에 전도층(206)을 설치한고, 그리고 관통구멍 내부에 전도성 접착제(205)를 충진한다. 전도층(206)과 전도성 접착제(205)을 통해 랜드의 신호를 덮개기판(201)의 상층까지 인출하고, 이어서 외부 전기회로와 연결한다.
실시예4:
도5에서 도시한 바와 같이, 그 바람직한 실시 방식은, 덮개기판(201) 안에 관통하는 도선(207)을 설치하고, 도선(207) 양단에 전도편을 연결하고, 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 도선(207) 일단의 전도편과 연결하고, 전도편 및 도선(207)을 통해 랜드의 신호를 덮개기판(201)의 상층까지 인출하고, 이어서 외부 전기회로와 연결한다.
위에서 서술한 4가지 실시예에 기초하여, 다음과 같이 더 나아간 실시방안이 있을 수 있다.
실시예5:
도6에서 도시한 바와 같이, 그 더 나아간 바람직한 실시 방식은, 덮개기판(201) 상층에 후막 또는 박막 공정으로 전기회로를 작성하고, 동시에 PCB기판 기능을 구비하고, 신호조정 칩(208)과 전기적으로 연결을 구현하여, 이와 같이 표준 신호 출력은 구비한 실리콘 압력센서의 패키지구조를 작성한다.
실시예6:
도7과 도8에서 도시한 바와 같이, 그 더 나아간 바람직한 실시 방식은, 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부와 덮개기판(201) 사이에 지지패드(209)를 설치하고, 지지패드(209)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부에 설치할 수 있고, 또는 덮개기판(201) 하부에 설치할 수도 있고, 그리고 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부 및 덮개기판(201) 하부 모두 지지패드(209)를 설치할 수도 있으며, 지지패드(209)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 중심 변형구역(210) 이외의 구역에 설치한다. 지지패드(209)의 형상과 위치는 지지효과를 보증한다는 전제하에 설계요구에 따라 선택할 수 있으며, 예로 지지패드(209)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부 4각에 설치할 수 있고, 동시에 지지패드(209)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드일 수도 있다. 지지패드(209)는 종래의 후막 또는 박막 공정으로 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 상부 또는 덮개기판(201)의 하부에 직접 부착할 수 있다. 여기에서, 지지패드(209)를 설치하였기 때문에, 도7의 덮개기판(201)은 도2내지 도6처럼 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부의 상응하는 부위에 개구할 필요가 없다.
지지패드(209)는 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 중심 변형구역(210)과 덮개기판(201) 하부 평면 사이의 일정 틈새를 형성하도록 하여, 상기 틈새는 등급 압력보다 클 때 압력센서 실리콘 웨이퍼의 수직방향 변형량이며, 압력이 과부하일 때 상기 틈새는 사라지고, 민감한 실리콘 웨이퍼(204)의 변형구역(210)의 계속적인 변형을 제한하여, 손상 방지를 달성하며, 열 배 이상의 압력 과부하를 저항할 수 있다.
이상 설명은 본 발명에 대한 해석이고, 본 발명에 대한 제한이 아니며, 본 발명에서 한정하는 범위는 권리요구를 참조하고, 본 발명의 사상을 벗어나지 않은 상황에서, 본 발명의 어떤 형식의 수정도 실시할 수 있다.

Claims (8)

  1. 실리콘 압력센서의 패키지구조에 있어서,
    덮개기판(201)과 기저기판(202)을 포함하고, 이 둘을 상호 연결하여 중앙 챔버를 형성하고, 상기 중앙 챔버 내부에는 밀봉패드(203)와 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)를 설치하고, 상기 밀봉패드(203)는 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 하부에 배열하고(lining), 상기 기저기판(202) 상에 통로를 형성하고, 상기 밀봉패드(203) 상에 제1 관통구멍을 형성하며, 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드는 상기 덮개기판(201)에 관통된 제2 관통구멍의 전도편을 외부 전기회로와 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 덮개기판(201)은 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 상기 제2 관통구멍을 구비하고, 상기 제2 관통구멍에 전도성 접착제(205)를 충진하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 덮개기판(201)은 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 상기 제2 관통구멍을 구비하고, 상기 제2 관통구멍의 구멍 벽면 및 위아래 가장자리에 전도층(206)을 설치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 덮개기판(201)은 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 대응하는 위치에 상기 제2 관통구멍을 구비하고, 상기 제2 관통구멍의 구멍 벽면 및 위아래 가장자리에 전도층(206)을 설치하고, 상기 제2 관통구멍에 전도성 접착제(205)를 충진하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 덮개기판(201) 안에 관통하는 도선(207)을 설치하고, 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 랜드와 상기 도선(207)을 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  6. 제1항내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개기판(201) 상층에 전기회로를 제작하고, 상기 전기회로와 신호조정 칩(208)을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  7. 제1항내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부와 상기 덮개기판(201) 하부 사이에 지지 패드(209)를 설치하고, 상기 지지 패드(209)는 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204) 상부 또는 상기 덮개기판(201) 하부에 설치하고, 그리고 상기 압력센서 실리콘 웨이퍼(204)의 중심 변형구역(210) 주변에 설치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
  8. 제1항내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉 패드(203)는 연질 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 실리콘 압력센서의 패키지구조.
KR1020127029137A 2010-04-21 2011-01-24 실리콘 압력센서의 패키지구조 Active KR101482720B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010156192.7 2010-04-21
CN201010156192.7A CN101799344B (zh) 2010-04-21 2010-04-21 硅压力传感器的封装结构
PCT/CN2011/070528 WO2011131045A1 (zh) 2010-04-21 2011-01-24 硅压力传感器的封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130018857A KR20130018857A (ko) 2013-02-25
KR101482720B1 true KR101482720B1 (ko) 2015-01-14

Family

ID=42595116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127029137A Active KR101482720B1 (ko) 2010-04-21 2011-01-24 실리콘 압력센서의 패키지구조

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8704318B2 (ko)
EP (1) EP2562524A4 (ko)
JP (1) JP2013525766A (ko)
KR (1) KR101482720B1 (ko)
CN (1) CN101799344B (ko)
WO (1) WO2011131045A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101799344B (zh) * 2010-04-21 2014-07-09 无锡莱顿电子有限公司 硅压力传感器的封装结构
EP2840375A1 (en) * 2013-08-19 2015-02-25 Sensirion AG Device with a micro- or nanoscale structure
EP2871456B1 (en) 2013-11-06 2018-10-10 Invensense, Inc. Pressure sensor and method for manufacturing a pressure sensor
EP2871455B1 (en) 2013-11-06 2020-03-04 Invensense, Inc. Pressure sensor
EP3076146B1 (en) 2015-04-02 2020-05-06 Invensense, Inc. Pressure sensor
CN105181231A (zh) * 2015-08-12 2015-12-23 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种封装结构的压力传感器及其制备方法
CN105067186A (zh) * 2015-09-14 2015-11-18 苏州感芯微系统技术有限公司 一种压力传感器
CN106289634A (zh) * 2016-08-23 2017-01-04 太仓市威士达电子有限公司 一种用于压力传感器封装的金属外壳组合
DE102017200162A1 (de) * 2017-01-09 2018-07-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauteils und Wafer-Anordnung
CN107063527A (zh) * 2017-06-07 2017-08-18 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 一种无源无线多路压力监测系统
CN108871654A (zh) * 2018-08-15 2018-11-23 陕西易用电子科技有限公司 硬质平膜悬浮式压力传感器
US11225409B2 (en) 2018-09-17 2022-01-18 Invensense, Inc. Sensor with integrated heater
CN113785178B (zh) 2019-05-17 2024-12-17 应美盛股份有限公司 气密性改进的压力传感器
US11118990B2 (en) 2019-06-21 2021-09-14 Honeywell International Inc. Micro-molded fluid pressure sensor housing
CN110243501B (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 华中科技大学 一种金刚石氮空位色心的量子压力传感器及制备方法
CN115243149B (zh) * 2021-04-23 2025-06-06 深圳市韶音科技有限公司 一种振动传感装置
CN114348952B (zh) * 2022-03-16 2022-05-20 东南大学 一种mems压力传感器封装结构
CN117213700A (zh) * 2023-05-07 2023-12-12 武汉飞恩微电子有限公司 压力芯体单元、压力传感器、压力芯体组件及压差传感器
CN117213698A (zh) * 2023-05-07 2023-12-12 武汉飞恩微电子有限公司 压力芯体单元、压力感测组件及压力传感器
CN117213699A (zh) * 2023-05-07 2023-12-12 武汉飞恩微电子有限公司 压力芯体组件、压力感测组件及压差传感器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0979928A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Nagano Keiki Seisakusho Ltd 半導体圧力センサ装置
JP2005091166A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JP2005345300A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Nagano Keiki Co Ltd 圧力測定器
JP2007057455A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Seiko Epson Corp 圧力センサ及び圧力センサの製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4658651A (en) * 1985-05-13 1987-04-21 Transamerica Delaval Inc. Wheatstone bridge-type transducers with reduced thermal shift
DE4040821A1 (de) * 1990-12-20 1992-06-25 Bosch Gmbh Robert Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen aufbau
FR2738340B1 (fr) * 1995-08-28 1997-11-21 Europ Propulsion Architecture d'integration d'un element sensible dans un capteur de pression
JPH109981A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサチップの計測装置
JPH10274584A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JP3567740B2 (ja) * 1998-07-02 2004-09-22 オムロン株式会社 半導体センサ及び実装構造
DE19929028A1 (de) * 1999-06-25 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
JP2002082009A (ja) * 2000-06-30 2002-03-22 Denso Corp 圧力センサ
JP2004177343A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Fujikura Ltd 圧力センサ
US7082835B2 (en) * 2003-06-18 2006-08-01 Honeywell International Inc. Pressure sensor apparatus and method
US7168326B2 (en) * 2004-03-17 2007-01-30 Denso Corporation Compact pressure sensor with high corrosion resistance and high accuracy
JP2006105639A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Hitachi Ltd 圧力センサシステム
JP4893123B2 (ja) * 2006-06-23 2012-03-07 株式会社デンソー 半導体式圧力センサおよびその製造方法
CN101657709A (zh) * 2007-04-13 2010-02-24 霍尼韦尔国际公司 压力传感器方法和设备
CN100587430C (zh) 2008-05-13 2010-02-03 上海芯敏微系统技术有限公司 一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构
CN101672710B (zh) * 2009-10-14 2011-01-12 西安交通大学 梁膜结合微压传感器
CN201680940U (zh) * 2010-04-21 2010-12-22 无锡莱顿电子有限公司 硅压力传感器的封装结构
CN101799344B (zh) * 2010-04-21 2014-07-09 无锡莱顿电子有限公司 硅压力传感器的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0979928A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Nagano Keiki Seisakusho Ltd 半導体圧力センサ装置
JP2005091166A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JP2005345300A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Nagano Keiki Co Ltd 圧力測定器
JP2007057455A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Seiko Epson Corp 圧力センサ及び圧力センサの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8704318B2 (en) 2014-04-22
CN101799344B (zh) 2014-07-09
JP2013525766A (ja) 2013-06-20
KR20130018857A (ko) 2013-02-25
EP2562524A1 (en) 2013-02-27
CN101799344A (zh) 2010-08-11
EP2562524A4 (en) 2016-04-13
WO2011131045A1 (zh) 2011-10-27
US20130069181A1 (en) 2013-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101482720B1 (ko) 실리콘 압력센서의 패키지구조
JP5763682B2 (ja) Mems及びasicを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法
US9846095B2 (en) 3D stacked piezoresistive pressure sensor
CN101852811B (zh) 传感器模块
CN101078663B (zh) 制造使用soi晶片的压力传感器的方法
JP5675653B2 (ja) センサモジュールとその製造方法
US20110156106A1 (en) Hermetic mems device and method for fabricating hermetic mems device and package structure of mems device
TWI518844B (zh) 封裝結構及其製法
TWI455265B (zh) 具微機電元件之封裝結構及其製法
CN102685657A (zh) 部件
US6420201B1 (en) Method for forming a bond wire pressure sensor die package
CN101337652A (zh) 传感器元件接触表面的封装及其封装方法
CN101663748A (zh) 功能元件封装及其制造方法
CN201680940U (zh) 硅压力传感器的封装结构
TWI750542B (zh) 感測器及其封裝組件
CN114739571B (zh) 一种mems压力传感器的封装装置
KR100620810B1 (ko) Mems 소자 패키지 및 그 제조방법
CN103395735B (zh) 微机电系统器件的封装结构
JP2007322191A (ja) 半導体加速度センサ
KR101981831B1 (ko) 공동 패키지 디자인
CN106935561A (zh) 防止导通孔电性断裂的半导体封装构造
TW202125726A (zh) 可降低半導體晶粒上應力之積體電路封裝
CN219807781U (zh) 芯片结构和压力传感器
JP6051975B2 (ja) 圧力センサ
CN215726531U (zh) 防水测压装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20121106

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20131209

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140611

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20141215

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150108

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150109

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171124

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171124

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181206

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181206

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201119

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221124

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231101

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241104

Start annual number: 11

End annual number: 11