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KR101462391B1 - 터미네이션부를 포함하는 알에프 소자 - Google Patents

터미네이션부를 포함하는 알에프 소자 Download PDF

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KR101462391B1
KR101462391B1 KR1020130069507A KR20130069507A KR101462391B1 KR 101462391 B1 KR101462391 B1 KR 101462391B1 KR 1020130069507 A KR1020130069507 A KR 1020130069507A KR 20130069507 A KR20130069507 A KR 20130069507A KR 101462391 B1 KR101462391 B1 KR 101462391B1
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electrode
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termination
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high frequency
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이한영
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전자부품연구원
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Abstract

본 발명은 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 관한 것으로, RF 소자와 터미네이션 소자를 별도로 제작한 후, 본딩 와이어를 통하여 서로 연결함으로 인해 발생되는 문제를 해소하기 위한 것이다. 본 발명은 베이스 기판과, 베이스 기판에 형성된 RF 회로부와, 베이스 기판에 형성되며 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극과, 베이스 기판에 형성되며 RF 회로부에서 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극, 및 베이스 기판에 형성되며 출력 전극에 연결되어 출력 전극으로 전달된 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 제공한다.

Description

터미네이션부를 포함하는 알에프 소자{RF device comprising termination unit}
본 발명은 알에프(RF) 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단(terminal)에서 반사되지 않도록 소진시키는 터미네이션부(termination unit)를 포함하는 RF 소자에 관한 것이다.
최근 인터넷, 주문형 비디오, HDTV, 데이터 저장 등으로 통신 백본망의 처리용량이 급격히 증가하고 있고, 이에 따라 대용량의 데이터를 처리하는 기술 또한 함께 발전하고 있다.
이러한 대용량의 데이터 처리 기술을 위한 초고속소자의 필요성과 동시에 저가격의 소자 공급을 위한 신소개 개발이 요구되고 있다.
전기광학소재 중 유기물소재의 가장 큰 경쟁소재로서 LiNbO3 결정질 소재는 현재 상용되는 대부분의 광학소자의 핵심 소재로 쓰이고 있다. 그러나 고가의 칩 가격과 공정비 및 패키징 비용 등으로 저가격화를 이루는데 한계가 있고 부분적으로 전계 흡수 반도체 소자를 이용한 EMI 변조기가 사용되고 있는 실정이다.
LiNbO3 이용한 소자 중 가장 큰 시장으로 광변조기를 들 수 있다. LiNbO3를 이용한 광변조기는 외부 전기장 변화에 대한 빠른 응답속도(1012/sec 이상)를 갖는 유기물 파이전자의 움직임에 의해 100 GHz 이상의 초고속 변조 혹은 스위치 구동이 가능한 장점을 갖고 있다.
이러한 LiNbO3를 이용한 광변조기에는, 도 1에 도시된 바와 같은, RF 소자(10)가 사용될 수 있다. 여기서 도 1은 종래 기술에 따른 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)가 본딩 와이어(30)로 연결된 구성을 보여주는 평면도이다.
RF 소자(10)는 베이스 기판(11)에 RF 회로부(12)가 형성되고, RF 회로부(12)에는 입력 전극(13)과 출력 전극(14)이 형성되어 있다. 출력 전극(14)은 출력 신호 전극(15)과 출력 접지 전극(16)을 포함한다. 고주파 전기 신호는 입력 전극(13)을 통하여 RF 회로부(12)로 전달된 후 출력 전극(16)으로 배출된다.
그리고 터미네이션 소자(20)는 RF 소자(10)의 출력 전극(16)에 본딩 와이어(30)를 매개로 연결되어, RF 소자(10)에 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단에서 RF 회로부(12)로 반사되지 않도록 소진시킨다. 이러한 터미네이션 소자(20)는 종단 기판(21)과, 종단 기판(21)에 형성되는 종단 전극(26)과, 종단 전극(26)을 연결하여 고주파 전기 신호를 소진하는 저항(22)을 포함한다. 이때 종단 전극(26)은 출력 신호 전극(14)에 연결되는 종단 신호 전극(24), 출력 접지 전극(15)에 연결되는 종단 접지 전극(25)을 포함한다.
이와 같이 기존에는 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)를 별도로 제작한 후, 본딩 와이어(30)를 통하여 서로 연결하기 때문에, 본딩 와이어(30)에 따른 RF 기생 성분이 발생하여 최종 소자, 예컨대 광변조기의 전기적 특성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다.
또한 별도의 터미네이션 소자(20)의 제작에 따른 시간 및 비용이 발생하고, 본딩 와이어(30)를 통하여 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)를 연결하여 최종 소자를 제조하기 때문에, 제조 공정 시간이 길어지는 문제점을 안고 있다.
더욱이 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)가 평면적으로 배치된 구조를 갖기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기가 커져 제품 크기의 소형화에 대응하는 데는 한계가 있다.
일본공개특허공보 특개2008-85699호(2008.04.10.)
따라서 본 발명의 목적은 RF 소자와 터미네이션 소자를 별도로 제작한 후, 본딩 와이어를 통하여 서로 연결함으로 인해 발생되는 문제를 해소할 수 있는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부와, 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극과, 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극, 및 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 입력 전극의 임피던스에 매칭되는 저항 소자이다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항일 수 있다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 출력 전극은 상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극과, 상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극을 포함한다. 이때 상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극을 연결하도록 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항일 수 있다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 출력 신호 전극을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극이 배치될 수 있다. 상기 터미네이션부는 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극 사이에 형성되어 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극을 연결할 수 있다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩일 수 있다.
본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극에 각각 종단 금속 범프를 매개로 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩일 수 있다.
본 발명은 또한, 강유전체 소재의 베이스 기판, RF 회로부 및 터미네이션 칩을 포함하는 RF 소자를 제공한다. 여기서 상기 RF 회로부는 상기 베이스 기판에 형성되며, 한쪽에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극을 구비하고, 다른 쪽에 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극을 구비한다. 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극이 형성된 상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 저항을 구비한다.
본 발명에 따르면, RF 소자의 베이스 기판에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 별도의 터미네이션 소자를 사용할 필요가 없다.
따라서 본 발명에 따른 RF 소자는 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.
또한 RF 소자 내에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다. 특히 RF 소자 내에 터미네이션부가 반도체 제조 공정을 통하여 집적화되는 경우, 별도의 터미네이션 소자의 제작하는 것과 비교하여 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
또한 RF 소자 내에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.
또한 RF 소자는 소자 내에 반도체 제조 공정을 통해 터미네이션부를 집적화할 수 있기 때문에, 터미네이션부로 구현되는 박막 저항의 디멘젼 변화를 통해 원하는 입력 전극의 임피던스값으로 터미네이션부의 임피던스값을 쉽게 매칭시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 RF 소자와 터미네이션 소자가 본딩 와이어로 연결된 구성을 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 4-4 선 단면도이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 소자 내에 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단에서 반사되지 않도록 소진시키는 터미네이션부(120)가 형성된 구조를 갖는다. 이러한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 베이스 기판(111)과, 베이스 기판(111)에 형성된 RF 회로부(112)와, 베이스 기판(111)에 형성되며 RF 회로부(112)에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극(113)과, 베이스 기판(111)에 형성되며 RF 회로부(112)에서 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극(116), 및 베이스 기판(111)에 형성되며 출력 전극(116)에 연결되어 출력 전극(116)으로 전달된 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부(120)를 포함한다.
이때 베이스 기판(111)으로 강유전체 소재의 기판이 사용될 수 있다. 강유전체 소재로는 LiNbO3 또는 LiTaO3가 사용될 수 있다.
입력 전극(113)과 출력 전극(116)은 RF 회로부(112)에 연결되게 베이스 기판(111)에 형성된다. 이때 RF 회로부(112)의 한 쪽에 입력 전극(113)이 형성되고, RF 회로부(112)의 다른 쪽에 출력 전극(116)이 형성된다. 이때 입력 전극(113)과 출력 전극(116)은 전기전도성이 양호한 소재로 형성될 수 있으며, 예컨대 Al, Ti 또는 Al 등으로 형성될 수 있다.
출력 전극(116)은 RF 회로부(112)에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극(115)과, 출력 신호 전극(114)을 포함한다. 출력 신호 전극(114)은 출력 접지 전극(115)에 이웃하게 배치되며, RF 회로부(112)로부터 고주파 전기 신호가 출력된다. 제1 실시예에서는 출력 신호 전극(114)을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극(115)이 배치된 예를 개시하였다.
그리고 터미네이션부(120)는 입력 전극(113)의 임피던스에 매칭되는 저항 소자로서, 출력 접지 전극(115)과 출력 신호 전극(114)을 연결하도록 베이스 기판(111)에 형성된다. 즉 출력 신호 전극(114)을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극(115)이 배치되고, 터미네이션부(120)는 출력 신호 전극(114)과 출력 접지 전극(115) 사이에 형성되어 출력 신호 전극(114)과 출력 접지 전극(115)을 연결하도록 형성된다.
제1 실시예에서는 터미네이션부(120)가 박막 저항으로 구현된 예를 개시하였다. 박막 저항은 RF 소자(100)를 제조하는 공정, 예컨대 통상적인 반도체 제조 공정에 사용되는 금속을 증착하고, 사진 공정 등을 통하여 패터닝하는 공정을 통하여 형성할 수 있다. 즉 박막 저항은 RF 소자(100)를 제조하는 공정에서 함께 일괄적으로 형성할 수 있다. 예컨대 박막 저항으로 구현된 터미네이션부(120)의 소재로는 Ni, Cr, Ni-Cr 합금이 사용될 수 있으며, 그 외 저항으로 사용할 수 있는 소재가 사용될 수 있음은 물론이다.
터미네이션부(120)의 저항값, 즉 임피던스값은 박막 저항의 크기, 두께 및 재질 등을 통해 제어할 수 있다. 예컨대 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)의 입력 전극(13)의 임피던스가 50Ω인 경우에, 터미네이션부(120)는 임피던스가 50Ω이 되게 박막 저항으로 형성될 수 있다.
물론 RF 소자(100)의 입력 전극(13)의 임피던스가 50Ω이 아닌 다른 임피던스값을 가지더라도, 터미네이션부(120)는 박막 저항으로 형성되기 때문에, 반도체 제조 공정을 통해 박막 저항의 디멘젼 변화를 통해 원하는 임피던스값으로 쉽게 매칭시킬 수 있다.
따라서 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)의 입력 전극(113)으로 고주파 전기 신호가 입력되는 경우, 고주파 전기 신호는 입력 전극(113)을 통하여 RF 회로부(112)로 전달된다. RF 회로부(112)를 통과한 고주파 전기 신호는 출력 전극(116)으로 배출된다. 출력 전극(116)으로 배출된 고주파 전기 신호는 입력 전극(113)에 임피던스 매칭된 터미네이션부(120)를 통하여 소진된다. 이때 터미네이션부(120)는 출력 전극(116)과 함께 베이스 기판(111)에 집적화되어 있기 때문에, 출력 전극(116)으로 배출된 고주파 전기 신호가 RF 회로부(112)로 반사되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같이 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 베이스 기판(111)에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 별도의 터미네이션 소자를 사용할 필요가 없다.
또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 터미네이션부(120)가 베이스 기판(111)에 집적화되어 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.
또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다. 특히 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 반도체 제조 공정을 통하여 집적화되는 경우, 별도의 터미네이션 소자의 제작하는 것과 비교하여 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.
한편 제1 실시예에서는 터미네이션부(120)를 박막 저항으로 형성하여 베이스 기판(111) 내에 형성한 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 터미네이션부(220)를 칩 형태로 제작하여 베이스 기판(211) 내에 플립 칩 본딩으로 실장할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 터미네이션부(220)를 포함하는 RF 소자(200)를 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3의 4-4 선 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 베이스 기판(211) 상에 형성된 출력 전극(216)에 터미네이션부(220)가 플립 칩 본딩된 구조를 갖는다.
제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 터미네이션부(220)를 제외한 RF 소자 부분이 제1 실시예에 따른 RF 소자 부분과 동일하기 때문에, RF 소자 부분에 대한 상세한 설명은 생략하고 터미네이션부(220)를 중심으로 설명하겠다.
터미네이션부(220)는 출력 접지 전극(215)과 출력 신호 전극(214)에 각각 종단 금속 범프(226)를 매개로 플립 칩 본딩되는 터미네이션 칩으로 구현될 수 있다. 물론 터미네이션부(220)는 저항 칩이며, 일면에 종단 금속 범프(226)가 형성된 구조를 갖는다. 종단 금속 범프(226)는 출력 접지 전극(215)에 대응되는 위치에 형성된 종단 접지 범프(225)와, 출력 신호 전극(214)에 대응되는 위치에 형성된 종단 신호 범프(224)를 포함한다. 종단 금속 범프(226)의 소재로는 Au, Ni, 솔더 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
이러한 터미네이션부(220)는 베이스 기판(111)에 형성된 출력 전극(216)에 종단 금속 범프(226)를 정렬시킨 상태에서, 플립 칩 본딩 방법으로 접합한다.
이와 같이 제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 터미네이션부(220)가 베이스 기판(216)에 플립 칩 본딩된 구조를 갖기 때문에, 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.
또한 제2 실시예에 따른 RF 소자(200) 내에 터미네이션부(220)가 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다.
또한 제2 실시예에 따른 RF 소자(200) 내에 터미네이션부(220)가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.
여기서 제2 실시예에서는 터미네이션부(220)가 출력 전극(216)을 덮는 형태로 플립 칩 본딩된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 터미네이션부를 저항 칩 형태로 형성하여, 출력 신호 전극과 출력 접지 전극 사이에 개재하여 연결할 수도 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10, 100, 200 : RF 소자
11, 111, 121 : 베이스 기판
12, 112, 212 : RF 회로부
13, 113, 213 : 입력 전극
14, 114, 214 : 출력 신호 전극
15. 115. 215 : 출력 접지 전극
16, 116, 216 : 출력 전극
20 : 터미네이션 소자
24 : 종단 신호 전극
25 : 종단 접지 전극
26 : 종단 전극
120, 220 : 터미네이션부
224 : 종단 신호 범프
225 : 종단 접지 범프
226 : 종단 금속 범프

Claims (8)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부;를 포함하며,
    상기 출력 전극은,
    상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극;
    상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며, 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극;을 포함하며,
    상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극을 연결하도록 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 터미네이션부는 상기 입력 전극의 임피던스에 매칭되는 박막 저항인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 강유전체 소재의 기판인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 출력 신호 전극을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극이 배치되고, 상기 터미네이션부는 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극 사이에 형성되어 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극을 연결하는 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  6. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극;
    상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부;를 포함하며,
    상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 출력 전극은,
    상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극;
    상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며, 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극;을 포함하며,
    상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극에 각각 종단 금속 범프를 매개로 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.
  8. 삭제
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