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CN112189285A - 光模块以及光发送器 - Google Patents

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CN112189285A
CN112189285A CN201880093764.6A CN201880093764A CN112189285A CN 112189285 A CN112189285 A CN 112189285A CN 201880093764 A CN201880093764 A CN 201880093764A CN 112189285 A CN112189285 A CN 112189285A
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signal
metal
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CN201880093764.6A
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白崎昭生
冈田规男
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

光模块构成为具有半导体光调制元件(9)和板状的金属管座(1)，该半导体光调制元件(9)安装于在金属管座(1)的一面侧配备的电介体基板(8)，金属管座具有金属管座贯通部(30)，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚(2)与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部(30)在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件(3)，从金属管座(1)的另一面侧经由金属管座贯通部(30)而向并联地连接有终端匹配电路(200)的半导体光调制元件(9)供给用于调制的信号，终端匹配电路(200)由第二电阻(24)和电容(25)的并联体与第一电阻(23)的串联连接体构成。

Description

光模块以及光发送器
技术领域
本申请涉及搭载有半导体光调制元件的光模块。
背景技术
在中继站与用户之间的光通信系统即接入系统中，当前大多使用适用于低速调制的直接调制型半导体激光发送器(DML：Directly Modulated Laser)，但在进行10Gb/s或者更高的高速通信的情况下，集成有适用于高速调制的电场吸收型半导体光调制器(EAM：Electro-absorption Modulator)和分布反馈型半导体激光器(DFB-LD：DistributedFeedback Laser Diode)的半导体光集成元件即EAM-LD(Electro-absorption Modulatorintegrated Laser Diode)是适用的。
通过将以对光进行调制的频率反复通断的信号施加至EAM，从而能够对通过EAM的光(激光)进行调制。在高速通信中，施加通过DC电压而偏移后的高频信号。高频信号是大于或等于10GHz的高频，因此供电线使用同轴线路等考虑了高频特性的线路。
作为对用于调制的高频进行传输的结构，存在同轴型的半导体光调制装置(例如专利文献1、专利文献2)，该同轴型的半导体光调制装置构成为具有半导体光调制元件和板状的金属管座，该半导体光调制元件安装于在金属管座的一面侧配备的电介体基板，金属管座具有金属管座贯通部，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件，从金属管座的另一面侧经由金属管座贯通部而向并联连接有终端匹配电路的半导体光调制元件供给用于调制的高频。
专利文献1：国际公开第2010/140473号
专利文献2：日本特开2011-197360号公报
发明内容
在半导体光调制元件为EAM-LD的情况下，由于寄生电容、寄生电阻、键合导线的电感等的影响，随着频率变高，阻抗匹配变得难以进行。另外，金属管座的引线管脚贯通部由于玻璃直径和引线管脚直径的制约，线路阻抗为20Ω～30Ω左右，作为匹配电阻来说而无法与通常的50Ω进行匹配。在同轴型的情况下，该2个部位成为反射点，在由EAM反射后进一步由贯通金属管座的部分反射而再次返回EAM时，如果电信号的相位旋转180度，则抵消了增益，引起频带劣化。
本申请公开了用于解决上述问题的技术，其目的在于在具有半导体光调制元件的光模块中，直至高的频率为止抑制由多重反射引起的频带劣化而供给调制用高频信号。
本申请所公开的光模块构成为，具有：板状的金属管座；以及半导体光调制元件，其安装于在金属管座的一面侧配备的电介体基板，金属管座具有金属管座贯通部，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件，从金属管座的另一面侧经由金属管座贯通部而向并联地连接有终端匹配电路的半导体光调制元件供给用于调制的信号，终端匹配电路由第二电阻和电容的并联体与第一电阻的串联连接体构成。
发明的效果
根据本申请所公开的光模块，具有能够提供以下光模块的效果，该光模块能够直至高的频率为止抑制由多重反射引起的频带劣化而供给调制用高频信号。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的光模块的结构的斜视图。
图2是将实施方式1涉及的光模块的主要部分进行放大而示出的俯视图。
图3是表示实施方式1涉及的光模块的结构的电路图。
图4是表示实施方式1涉及的光模块的金属管座贯通部的结构的侧视图。
图5是用于对实施方式1涉及的光模块的金属管座贯通部的特性例进行说明的曲线图。
图6是表示对比例的光模块的结构的电路图。
图7是用于对实施方式1涉及的光模块的终端匹配电路的作用进行说明的曲线图。
图8是用于与对比例进行对比而对实施方式1涉及的光模块的效果进行说明的频率特性图。
图9是将实施方式2涉及的光模块的主要部分进行放大而示出的俯视图。
图10是将实施方式3涉及的光模块的主要部分进行放大而示出的俯视图。
图11是将实施方式4涉及的光模块的主要部分进行放大而示出的俯视图。
图12是将实施方式4涉及的光模块的频率特性与实施方式1～3涉及的光模块的频率特性进行对比而示出的图。
图13是表示实施方式5涉及的在光模块的外部设置的驱动器的例子的电路图。
图14是表示实施方式5涉及的在光模块的外部设置的驱动器的另一个例子的电路图。
图15是对实施方式5涉及的在光模块的外部设置的驱动器的效果进行说明的频率特性图。
具体实施方式
图1是表示实施方式1涉及的光模块的结构的斜视图。图2是将图1所示的光模块的主要部分的结构进行放大而示出的俯视图。在图1、图2中，金属管座1的金属管座贯通部30由引线管脚2和玻璃材料3构成，该引线管脚2被与贯通孔同轴地插入至在金属管座1形成的该贯通孔，该玻璃材料3是在引线管脚2的外周以将贯通孔填埋的方式设置的电介体部件，引线管脚2经由玻璃材料3被固定至金属管座1。根据该结构，金属管座贯通部30通过金属管座1的贯通孔内周和引线管脚2而形成为同轴线路状，并且成为气密封装构造。金属管座1以及引线管脚2的材料例如能够使用铜、铁、铝或者不锈钢等金属，也可以在表面形成金镀层或者镍镀层等。
另外，在金属管座1之上安装有温度控制模块4以及支撑块5。这里，温度控制模块4由帕尔贴元件4a、对帕尔贴元件4a进行夹持的散热面4b和冷却面4c构成。在支撑块5的一面安装有电介体基板6，并且在温度控制模块4的冷却面4c之上安装有支撑块7。在支撑块7的一面安装有电介体基板8，在电介体基板8之上安装有半导体光调制元件9。作为半导体光调制元件9，例如能够使用将使用了InGaAsP类或者AlInGaAs类量子阱吸收层的电场吸收型光调制器和分布反馈型激光二极管单块地集成后的调制器集成型激光器(EAM-LD)。作为光调制器，也能够使用半导体MZ(Mach-Zehnder)光调制器等。此外，在图1中，金属管座1的近端侧、即安装有各种部件的部分例如被氮等封装，但在图1中，省略了金属管座贯通部30以外的封装的构造。在金属管座1的相反侧配置有柔性印刷基板18等，该柔性印刷基板18安装有用于对半导体光调制元件9进行调制的、输出例如大于或等于10GHz的高频信号的驱动器等。
在电介体基板6之上形成信号导体10。通过在将信号导体10与接地导体11以及接地导体12之间的间隔保持恒定的状态下形成于电介体基板6上的整面，从而能够构成共面线路。另外，接地导体11以及接地导体12也可以经由在电介体基板6形成的通孔、齿形结构或者侧面的金属而与支撑块5电连接。
另外，在电介体基板8之上形成有信号导体14、信号导体15、信号导体16以及接地导体13。此外，接地导体13与信号导体14隔开规定的间隔而形成于电介体基板8之上。通常，在电介体基板8的背面也形成有与接地导体13相同的接地电位的导体。另外，接地导体13也可以还形成于电介体基板8的侧面。
此外，支撑块5以及支撑块7的材料例如能够使用铜、铁、铝或者不锈钢等金属。或者，作为支撑块5以及支撑块7，也可以使用将金属包覆于陶瓷或者树脂等绝缘体的构造。电介体基板6以及电介体基板8的材料例如能够使用AlN或者氧化铝等陶瓷。另外，也能够使用环氧树脂等树脂。此外，优选支撑块5配置于引线管脚2的旁边。另外，优选支撑块7配置于电介体基板6的旁边。
并且，引线管脚2的一端与信号导体10的一端经由粘接剂17而彼此连接。引线管脚2的另一端与柔性印刷基板18(有时也称为PCB18)连接，该柔性印刷基板18安装有输出用于对半导体光调制元件9进行调制的高频信号的驱动器等。另外，信号导体10的另一端与信号导体14的一端经由键合导线19而彼此连接。另外，接地导体11以及接地导体12与接地导体13经由键合导线20以及键合导线21而彼此连接。所有的键合导线都不限制根数。另外，也可以并非是具有键合导线20和键合导线21这两者，而是仅具有某一者的结构。另外，半导体光调制元件9经由键合导线22而与信号导体14以及信号导体15连接。
在信号导体15与信号导体16之间连接有第一电阻23，在信号导体16与接地导体13之间连接有第二电阻24。并且，在信号导体16与接地导体13之间连接有电容25。电容25例如能够使用MIM电容器。电容25只要是由导体夹着电介体部件的结构即可，能够如在后述的实施方式2或者实施方式3中说明的那样，采用各种结构。
图3示出图1以及图2所示的实施方式1涉及的光模块的电路图。如图3所示的那样，在实施方式1涉及的光模块中，与半导体光调制元件9并联地连接有终端匹配电路200。终端匹配电路200是将第二电阻24和电容25的并联体与第一电阻23串联连接而成的结构。从在PCB18安装的驱动器300至半导体光调制元件9之间，通过由以下部分构成的线路而连接，将高频的信号供给至半导体光调制元件9，即：在PCB 18之上形成的信号线路301、将PCB 18的信号线路301与金属管座贯通部30之间连接的信号线路302、金属管座贯通部30、由信号导体10、接地导体12以及接地导体11构成的共面线路即信号线路100、键合导线19、由信号导体14和接地导体13构成的共面线路即信号线路140、以及键合导线22。此外，在本申请中，将包含金属管座1和图1中示出的金属管座1的近端侧即安装有各种部件的部分在内的部分，即，由图3的标号500示出的部分称为光模块500，将包含驱动器的在图3中示出的整体称为光发送器600。
接下来对动作进行说明。在半导体光调制元件9存在寄生电容成分、寄生电阻成分、与电极连接的键合导线的寄生电感成分，随着输入信号的频率成为高频，无法实现阻抗匹配。另一方面，就金属管座1的金属管座贯通部30而言，从气密性、可靠性的观点出发，引线管脚2的直径为Φ0.3～0.4，玻璃材料3的直径为Φ0.7～0.8左右，玻璃的相对介电常数εr＝5.5～7.0左右，阻抗为20～30Ω。
图5是将金属管座贯通部30进行放大而示出的图。金属管座贯通部30的特性阻抗Z由下式表示。
z＝SQRT(μ/ε)×(1/2×π)×Log(b/a)
这里，μ是引线管脚2的磁导率，ε是金属管座贯通部封装材料即电介体部件3的介电常数，a是引线管脚2的直径，b是金属管座贯通部的直径(贯通孔的内径＝电介体部件3的外径)。
图6示出将引线管脚的磁导率设为1，将电介体部件3的相对介电常数和金属管座贯通部的直径b相对于引线管脚直径a的比b/a设为参数的情况下的金属管座贯通部30的特性阻抗的模拟结果。只要保证封装件内部的气密，则金属管座贯通部的电介体部件3也可以使用玻璃以外的电介体材料。通常，大多将线路阻抗设为50Ω而设计电路，但如图6所示的那样，如果考虑到气密封装而选择电介体部件的材料以及b/a，则难以将金属管座贯通部30的特性阻抗设为50Ω，特性阻抗成为25Ω左右。
与在图4的电路图中示出的对比例的光模块的动作进行对比而对在图3的电路图中示出的实施方式1涉及的光模块的动作进行说明。图4的电路图是在图1以及图2的结构中，将终端匹配电路200设为仅由例如电阻值50Ω的电阻240构成的终端匹配电路210，该终端匹配电路200是将第二电阻24和电容25的并联体与第一电阻23串联连接而成的结构。在以通常的50Ω系统进行设计的情况下，作为半导体光调制元件9的终端匹配电路而设置的终端电阻如图4的电阻240所示，为了有效地确保电压振幅而被调整为50Ω左右。另外，分别与图3的驱动器300、信号线路301、信号线路302、信号线路100、信号线路140相当的驱动器400、信号线路401、信号线路402、信号线路101、信号线路141也将阻抗调整为50Ω。但是，在这种情况下，随着信号的频率变高，无法实现与金属管座贯通部30之间的阻抗匹配。因此，电信号的高频成分由半导体光调制元件9反射一部分而返回至金属管座贯通部30侧，由金属管座贯通部30再次反射一部分而返回。
如果将行波设为Y0而将振幅标准化，则由下式表示。
Y0＝sin(ωt)
如果将半导体光调制元件9处的反射率设为ρ1，将金属管座贯通部30处的反射率设为ρ2，则反射波Y1表示为
Y1＝ρ1×ρ2×sin(ωt-Φ)
，合成波Y2表示为
Y2＝Y0+Y1＝sin(ωt)+ρ1×ρ2×sin(ωt-Φ)
＝A×sin(ωt+Θ)
。其中，
A＝[[1+ρ1×ρ2×cos(Φ)]2+[ρ1×ρ2×sin(Φ)]2]1/2
TanΘ＝-[ρ1×ρ2×sin(Φ)]/[1+ρ1×ρ2×cos(Φ)]。
另外，如果将半导体光调制元件9与金属管座贯通部30之间的长度设为L，将频率设为f，将传输路径中的信号速度设为c'，则反射波的相位Φ表示为
Φ＝2L×(f/c')×2π。
根据上述的式子，可知合成波的振幅A大幅地依赖于反射率和半导体光调制元件9与金属管座贯通部30之间的有效的电气长度，具有频率依赖性。单纯地从使截止频率宽带化这一观点出发，优选使终端匹配电路以及线路的阻抗匹配于金属管座贯通部30的特性阻抗，但DC增益下降，因此导致输入信号的振幅劣化。
在实施方式1的光模块中，目的在于抑制向半导体光调制元件9输入了高频率的信号时的反射率ρ1的降低和DC增益的劣化。将图4所示的对比例的由50Ω的电阻构成的终端匹配电路210设为图3所示的终端匹配电路200、即将第二电阻24和电容25的并联体与第一电阻23串联连接而成的结构，由此随着输入信号的频率变高，终端匹配电路200的合成阻抗变得与第一电阻23的值相等。终端匹配电路200的合成阻抗由下式表示。
Z＝R1+1/((1/R2)+(jωC))
这里，R1是第一电阻23的电阻值，R2是第二电阻24的电阻值，C是电容25的电容。图7示出将第一电阻23以及第二电阻24的电阻值分别设为25Ω，将电容25的值设为0.01pF～5.00pF时的终端匹配电路200的合成阻抗。
此时，为了抑制在半导体光调制元件9与金属管座贯通部30之间产生的多重反射，优选将信号线路100以及信号线路140的线路阻抗、从柔性印刷基板18至金属管座贯通部30为止的信号线路310以及信号线路302的线路阻抗、以及第一电阻23的电阻值设为与金属管座贯通部30的特性阻抗同等的值。该同等的值意味着即使并非准确地与金属管座贯通部30的特性阻抗相等，只要在具有抑制多重反射的效果的范围内设定为实质上相等的值即可。例如，优选在金属管座贯通部30的特性阻抗的0.8～1.2倍的范围进行设定。并且，从DC增益的观点出发，优选第二电阻24的电阻值也设定为与金属管座贯通部30的特性阻抗实质上相等的值。
图8A以及图8B是表示基于图3以及作为对比例的图4所示的终端匹配电路构成的光模块的频率特性的模拟结果的图。图8A以及图8B示出将图3以及图4的由A示出的位置设为端口1、由B示出的位置设为端口2的、S参数中的S11(反射成分)以及S21(透过成分)的频率特性。该模拟结果中的由实线示出的本实施例示出将图3所示的第一电阻23以及第二电阻24的电阻值都设为25Ω，将电容25设为0.1pF的实施例的高频响应特性。另外，作为对比例涉及的50ohm匹配而示出的虚线是将图4所示的终端匹配电路210的终端电阻240设为50Ω的情况下的特性，作为25ohm匹配而示出的虚线是将图4所示的终端电阻240设为25Ω、将各信号线路的阻抗也设为25Ω的情况下的特性。根据这些图可知，根据本实施例，终端匹配电路200的阻抗在DC侧是50Ω，在高频侧是25Ω，因此抑制了DC增益的劣化，并且在高频时降低了由多重反射带来的影响，频率响应特性得到改善。
如以上所说明的这样，就实施方式1涉及的光模块而言，在经由金属管座贯通部30而将用于调制的信号供给至半导体光调制元件9的结构中，将与半导体光调制元件9并联连接的终端匹配电路200设为第二电阻24和电容25的并联体与第一电阻23的串联连接体，因而具有抑制DC增益的劣化，并且在高频时降低由多重反射带来的影响，改善频率响应特性的效果。另外，将第一电阻23以及第二电阻24的电阻值设为与金属管座贯通部30的特性阻抗实质上相等的值，由此效果特别明显。
实施方式2.
图9是表示实施方式2涉及的光模块的主要部分的俯视图。使在图3的电路图中示出的电容25由搭载有半导体光调制元件9的电介体基板8的电介体材料和导体26构成。电容由下式表示。
C＝ε0×εr×A/d
此时，ε0示出真空介电常数，εr示出电介体材料的相对介电常数，A示出导体的面积，d示出电介体材料的厚度。
在导体26与接地导体13之间夹着电介体基板8的电介体材料，由此得到与平行平板电容器相同的效果。另外，导体26和接地导体13还作为共面线路起作用，因此在正反面间的电容的基础上，还要加上表面上的电容。通过设为这样的结构，从而能够廉价地附加电容成分。
实施方式3.
图10是表示实施方式3涉及的光模块的主要部分的俯视图。使在图3的电路图中示出的电容25由在信号导体16与接地导体13之间夹着薄膜电介体27而构成，构成所谓的MIM电容器。例如，在信号导体16的背面或者接地导体13的与信号导体16相对的面通过厚度0.3um左右的SiO2等而形成薄膜电介体27，由此能够实现电容25。SiO2的相对介电常数εr为4.0～4.5左右，因而参照上述的电容的式子，能够以30um□左右的面积而附加0.1pF左右的电容，能够省空间地构成。
实施方式4.
图11是表示实施方式4涉及的光模块的主要部分的俯视图。使电介体基板由将在实施方式1中说明过的电介体基板6和电介体基板8一体化后的电介体基板45构成。设为经由在电介体基板45之上形成的信号导体110通过键合导线22而从引线管脚2向半导体光调制元件9供电的结构。因此，能够省略在实施方式1至实施方式3的结构中所需的将电介体基板6与电介体基板8之间连接的键合导线19～21。就该结构而言，从引线管脚2至键合导线22为止，作为由信号导体110和接地导体13构成的共面线路，能够将共面线路的特性阻抗构成为例如与金属管座贯通部30的特性阻抗匹配的25Ω。
图12A以及图12B示出由在实施方式1至实施方式3中示出的具有键合导线19～21的结构构成的光模块，以及省略了键合导线19～21，使从金属管座贯通部30至向半导体光调制元件9的键合导线22为止由一个共面线路构成的实施方式4的结构的光模块的高频响应特性。作为例子，示出第一电阻23以及第二电阻24都是25Ω，电容25是0.1pF的模拟结果。根据本实施方式4，可知通过省略键合导线19～21，从而导线电感的影响消失，因此与实施方式1至实施方式3相比，能够进一步改善截止频率。
实施方式5.
图13以及图14是表示产生向实施方式1至4所公开的光模块的半导体光调制元件9供给的用于调制的高频信号的驱动器、即图3所示的驱动器300的例子的电路图(在图中，省略用于叠加DC电压的偏置电路、上拉电路)。作为在图13中示出的驱动器300的结构，示出了例如使用以单相驱动型的驱动器IC为代表的输出阻抗为50Ω的驱动器IC 310而构成的情况，该单相驱动型的驱动器IC被用于搭载了半导体光调制元件9的光模块的调制。在驱动器IC 310的一个输出端连接电阻值50Ω的电阻337，在另一个输出端同样地连接电阻值50Ω的电阻338，由此能够将驱动器IC 310的输出阻抗变换为25Ω，能够在金属管座贯通部30的特性阻抗为25Ω的情况下实现匹配。向从连接了电阻337的输出端经由信号线路328而连接的电容341连接图3所示的线路阻抗为25Ω的信号线路301。连接了电阻338的驱动器IC 310的另一个输出端经由信号线路330而连接电容342，电容342的另一端经由线路阻抗为25Ω的信号线路331而连接电阻值25Ω的电阻339。根据该结构，DC增益劣化，但能够改善截止频率。
图14示出所连接的驱动器IC使用了被用于直接调制型激光器(DML：DirectModulated Laser)的调制的差动驱动型驱动器IC的例子。在这种情况下，驱动器IC 320自身的输出阻抗为25Ω，因而向在一个输出端经由信号线路333而连接的电容343连接图3所示的线路阻抗为25Ω的信号线路301。在驱动器IC 320的另一个输出端经由信号线路335而连接电容344，电容344的另一端经由线路阻抗25Ω的信号线路336而连接有电阻值25Ω的电阻340。通常，通过将与DML光模块的差动线路连接的信号线路336以25Ω而终端化，从而能够抑制DC增益的劣化，并且改善截止频率。并且，能够应用DML所使用的驱动器IC，因此能够廉价地制造。
图15示出使用了图13以及图14所示的驱动器300的情况下的高频响应特性的模拟结果。示出了由图14所示的使用了输出阻抗为25Ω的驱动器IC 320的驱动器300抑制了DC增益的劣化，但截止特性都良好的情况。在上面，将金属管座贯通部30的特性阻抗设为25Ω，将驱动器300的输出阻抗设为25Ω进行了说明，但驱动器300的输出阻抗即使没有准确地与金属管座贯通部30的特性阻抗匹配，只要在取得上面所公开的效果的范围内设为与金属管座贯通部30的特性阻抗实质上相等的值即可，优选设为例如金属管座贯通部30的特性阻抗的0.8～1.2倍的范围的值。
在本申请中记载了各种例示性的实施方式及实施例，但1个或者多个实施方式所记载的各种特征、方案以及功能不限于特定的实施方式的应用，能够单独地、或者以各种组合应用于实施方式。因此，在本说明书所公开的技术的范围内，可想到未例示的无数变形例。例如，包含对至少1个结构要素进行变形的情况、进行追加的情况或者进行省略的情况，以及提取至少1个结构要素而与其它实施方式的结构要素进行组合的情况。
标号的说明
1金属管座，2引线管脚，3电介体部件，8、45电介体基板，9半导体光调制元件，13接地导体，23第一电阻，24第二电阻，25电容，26导体，30金属管座贯通部，200终端匹配电路，300驱动器，500光模块，600光发送器。

Claims (9)

1.一种光模块，其构成为，具有：
板状的金属管座；以及
半导体光调制元件，其安装于在所述金属管座的一面侧配备的电介体基板，
所述金属管座具有金属管座贯通部，向在所述金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与所述贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在所述引线管脚的外周设置有将所述贯通孔填埋的电介体部件，
从所述金属管座的另一面侧经由所述金属管座贯通部而向并联地连接有终端匹配电路的所述半导体光调制元件供给用于调制的信号，
该光模块的特征在于，
所述终端匹配电路由第二电阻和电容的并联体与第一电阻的串联连接体构成。
2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述第一电阻具有与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等的电阻值。
3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，
所述第二电阻具有与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等的电阻值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其特征在于，
构成为经由在所述电介体基板之上形成的信号线路而向所述半导体光调制元件供给所述信号。
5.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于，
所述信号线路的特性阻抗与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光模块，其特征在于，
所述金属管座贯通部的特性阻抗为25Ω。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光模块，其特征在于，
所述电容由在所述电介体基板之上形成的导体、接地导体和构成所述电介体基板的电介体材料构成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光模块，其特征在于，
所述金属管座贯通部是气密封装构造。
9.一种光发送器，其特征在于，具有：
权利要求1至8中任一项所述的光模块、以及输出向所述半导体光调制元件供给的用于调制的信号的驱动器，
所述驱动器的输出阻抗与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等。
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