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KR101421026B1 - 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101421026B1
KR101421026B1 KR1020120062738A KR20120062738A KR101421026B1 KR 101421026 B1 KR101421026 B1 KR 101421026B1 KR 1020120062738 A KR1020120062738 A KR 1020120062738A KR 20120062738 A KR20120062738 A KR 20120062738A KR 101421026 B1 KR101421026 B1 KR 101421026B1
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thin film
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김서현
백일희
윤근상
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Abstract

본 발명은 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 광추출 효율 향상을 통해 유기발광소자가 채용된 디스플레이 및 조명의 휘도를 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 기저층; 상기 기저층 상에 형성되되, 상기 기저층으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기로 이루어진 제1 텍스처링(texturing)부; 및 상기 제1 돌기의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기로 이루어진 제2 텍스처링부를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법{LIGHT EXTRACTION LAYER SUBSTRATE FOR OLED AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}
본 발명은 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 광추출 효율 향상을 통해 유기발광소자가 채용된 디스플레이 및 조명의 휘도를 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광소자(organic emitting diode; OLED)는 애노드(anode), 발광층 및 캐소드(cathode)를 포함하여 형성된다. 여기서, 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 유기 발광층 내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 유기 발광층 내로 주입된다. 이때, 유기 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 유기 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
한편, 이러한 유기 전계 발광소자로 이루어진 유기 전계 발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M개의 화소들을 구동하는 방식에 따라, 수동 매트릭스(passive matrix)방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다.
여기서, 능동 매트릭스 방식의 경우 단위화소 영역에는 발광영역을 정의하는 화소전극과 이 화소전극에 전류 또는 전압을 인가하기 위한 단위화소 구동회로가 위치하게 된다. 이때, 단위화소 구동회로는 적어도 하나의 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT)를 구비하며, 이를 통해, 화소수와 상관없이 일정한 전류의 공급이 가능해져 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 그리고 이와 아울러, 능동 매트릭스 방식의 유기 전계 발광표시장치는 전력소모가 적어, 고해상도 및 대형디스플레이의 적용에 유리하다는 장점을 갖고 있다. 그리고 수동 매트릭스 방식은 각 화소에 들어가는 전류를 직접 구조로, 능동 매트릭스 방식에 비해 간단하지만, 고화소 디스플레이에는 적합하지 않아 소형 디스플레이와 조명용으로 주로 쓰인다.
그런데 상용화 단계에 이른 유기발광소자는 아직까지 굴절률 차이로 인해 소자를 구성하는 박막 층과 기판 사이의 계면에서 빛 손실이 발생하게 되어, 광추출 효율이 대략 20%로 제한되어 있는 문제점을 가지고 있다. 즉, 유기발광소자는 광추출 효율에 대한 개선 없이는 고효율을 달성하기 어려운 실정이다.
이를 해결하기 위해, 광효율을 향상시키는 광추출층을 유기발광소자에 형성하는 방법이 제안되었다. 하지만, 종래에는 이러한 광추출층을 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 형성하였는데, 이 경우, 고가의 장비 사용으로 인해 비용이 증가하게 되고, 공정이 복잡한 문제가 있었다.
또한, 종래에는 고분자 플라스틱 필름에 패턴을 형성한 다음 유기발광소자에 부착하는 방식으로 광추출층을 형성하였다. 하지만, 고분자 플라스틱 물질은 굴절률 상승에 제한이 있을 뿐만 아니라, 물질 자체의 기계적, 열적 내구성에도 제한이 있다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 대한민국 등록특허공보 제10-0709655호(2007.04.13.)에 개시되어 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 광추출 효율 향상을 통해 유기발광소자가 채용된 디스플레이 및 조명의 휘도를 향상시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 기저층; 상기 기저층 상에 형성되되, 상기 기저층으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기로 이루어진 제1 텍스처링(texturing)부; 및 상기 제1 돌기의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기로 이루어진 제2 텍스처링부를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판을 제공한다.
여기서, 상기 산화물 또는 질화물 박막은 상기 기판보다 상대적으로 큰 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 상기 산화물 또는 질화물 박막은 1 ~ 12㎛ 두께로 형성될 수 있다.
이때, 상기 기저층의 두께는 상기 제1 텍스처링부의 두께 대비 25% 미만일 수 있다.
또한, 상기 기저층은 상기 제1 텍스처링부에 비해 상대적으로 조밀한 결정 구조를 이룰 수 있다.
또한, 상기 산화물 또는 질화물 박막은 ZnO, TiO2, SnO2, SrTiO3, VO2, V2O3, SrRuO3, Si3N4, SiN, TiN 및 SiO2로 이루어진 물질군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 혼합물로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 산화물 또는 질화물 박막은 Mg, Cd, S, Se, Te, F, Ga, Al, F, Mn, Co, Cu, Nb, Nd, Sr, W 및 Fe을 포함하는 금속군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 도펀트를 포함할 수 있다.
또한, 380 ~ 800㎚ 파장대의 평균 투과율이 40% 이상일 수 있다.
한편, 본 발명은, 상압화학기상증착 공정을 통해 기판 상에 기저층, 기저층으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기로 이루어진 제1 텍스처링부 및 상기 제1 돌기의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기로 이루어진 제2 텍스처링부를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 광추출층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 상압화학기상증착 공정 전에 상기 기판을 플라즈마 또는 화학 처리할 수 있다.
또한, 상기 상압화학기상증착 공정 후에 형성된 상기 광추출층을 플라즈마 또는 화학 처리할 수 있다.
본 발명에 따르면, 크기와 형태가 다른 텍스처링의 적층 구조로 광추출층 기판을 형성함으로써, 광추출 효율을 향상시킬 수 있고, 이를 통해, 유기발광소자가 채용된 디스플레이 및 조명의 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상압화학기상증착(APCVD) 반응 공정으로 형성되는 광추출층의 표면에 텍스처링을 자연 형성시킴으로써, 종래보다 제조 공정을 간소화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 저가이면서 고효율의 유기발광소자를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판을 구비한 유기발광소자를 개략적으로 나타낸 구성도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판의 표면 형상을 도식화한 도면.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판의 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 전체 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 기저층 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 제1 텍스처링부의 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판에 대한 파장대별 투과율 및 헤이즈값 변화를 나타낸 그래프.
도 11 및 도 12는 종래 기술에 따른 광추출층 기판에 대한 파장대별 투과율 및 헤이즈값 변화를 나타낸 그래프.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판은 유기발광소자(10)를 채용한 디스플레이 혹은 조명의 휘도 향상을 위해 유기발광소자(10)의 광추출 효율을 향상시키는 기능성 박막 기판으로, 유기발광소자(10)의 전면에 배치되어, 유기 발광소자(10)를 외부 환경으로부터 보호함과 동시에 유기 발광소자(10)로부터 발생된 광을 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판은 텍스처링(texturing)이 형성된 표면 형상을 갖는다. 그리고 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판은 산화물 또는 질화물 박막 기판으로 형성될 수 있는데, 특히, 크기가 2.8eV 이상인 와이드 밴드갭을 갖는 산화물 또는 질화물 박막 기판으로 형성될 수 있다. 이는, 밴드갭의 크기가 클수록 산화물 또는 질화물 박막의 투명도가 증가하게 되기 때문이다. 이러한 와이드 밴드갭을 가지는 산화물 또는 질화물 박막은 ZnO, TiO2, SnO2, SrTiO3, VO2, V2O3, SrRuO3 및 SiO2로 이루어진 물질군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 혼합물로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 산화물 또는 질화물 박막은 Mg, Cd, S, Se, Te, F, Ga, Al, F, Mn, Co, Cu, Nb, Nd, Sr, W 및 Fe을 포함하는 금속군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 도펀트를 포함할 수 있다. 가령, 산화물이 ZnO인 경우 도펀트로는 Mg, Cd, S, Ga, Al, F, Mn, Co, Cu 등과 같은 금속, 전이금속 및 할로겐 원소가 사용될 수 있다. 또한, 산화물이 TiO2인 경우 도펀트로는 Nb, Nd, Sr이 사용될 수 있고, 산화물이 SnO2인 경우 도펀트로는 F가 사용될 수 있으며, 산화물이 SrTiO3인 경우 도펀트로는 Nd가 사용될 수 있다. 그리고 산화물이 VO2인 경우 도펀트로는 W가 사용될 수 있고, 산화물이 SrRuO3인 경우 도펀트로는 Fe, Co 등의 전이금속이 사용될 수 있다. 이때, 해당 도펀트들은 각 산화물 또는 질화물의 밴드갭, 굴절률 조절 및 표면 형상 제어 즉, 텍스처링의 형상 제어를 위해, 단독 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있고, 이때, 산화물 또는 질화물의 함량대비 10wt% 이하의 비율로 첨가되는 것이 바람직하다. 그리고 이러한 도펀트는 공정 조건에 따라 광추출층(100)을 형성하는 중에 도핑되거나 광추출층(100)을 형성한 후에 도핑될 수 있다. 그리고 이와 같은 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어지는 광추출층(100)은 광추출 효율을 증가시키기 위해 기판(11)보다 상대적으로 큰 굴절률을 가지는 것이 바람직하다.
한편, 도시한 바와 같이, 광추출층 기판이 일면에 형성되는 유기발광소자(10)는 광추출층 기판을 구성하는 기판(11)을 전면 기판으로 하고, 이와 서로 대향되게 배치되는 후면 기판(15)과, 이들 기판 사이에 배치되는 제1 및 2 전극층(12, 14)과 제1 및 제2 전극층(12, 14) 사이에 배치되는 유기 발광층(13) 및 한 쌍의 기판(11, 15)의 테두리 또는 이들 기판(11, 15)의 사이 공간에 형성되어 제1 및 제2 전극층(12, 14)과 유기 발광층(13)을 외부로부터 보호하는 실링재(16)를 포함하여 형성될 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판은 기판(11)과 광추출층(100)을 포함하여 형성된다. 이때, 광추출층(100)은 기저층(110), 제1 텍스처링부(120) 및 제2 텍스처링부(130)를 포함하여 형성된다.
기판(11)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예를 들어, 기판(11)은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름인 폴리머 계열의 물질이나 화학강화유리인 소다라임유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있으며, 이중 Na의 양은 용도에 따라 조절될 수 있다. 이때, 유기 발광소자(10)가 조명용인 경우 소다라임유리가 사용될 수 있고, 유기 발광소자(10)가 디스플레이용인 경우 알루미노실리케이트유리가 사용될 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 기판(11)으로는 두께 1.5㎜ 이하의 박판 유리가 사용될 수 있는데, 이러한 박판 유리는 퓨전(fusion) 공법 또는 플로팅(floating) 공법을 통해 제조될 수 있다.
도 3 내지 도 5에서 보여지는 바와 같이, 기저층(110)은 기판(11)과 맞닿는 광추출층(100)의 하부층이다. 이러한 기저층(110)은 내부의 전반사 현상을 없애주어 광추출 효율을 높이는 역할을 한다. 이를 위해, 기저층(110)은 이의 상부에 형성되는 제1 텍스처링부(120)에 비해 상대적으로 조밀한 결정 구조를 이룬다. 이는, 기저층(110)의 결정 구조가 조밀하지 않아 공기에 의한 보이드(void)가 발생하게 되면, 전반사 현상이 일어날 확률이 증가되기 때문이다. 이러한 기저층(110)은 제1 텍스처링부(120)에 비해 상당히 얇은 두께, 예를 들어, 제1 텍스처링부(120)의 두께 대비 대략 25% 미만의 두께를 갖는다. 하기의 표 1에 나타낸 바와 같이, 기저층(110)은 0.01 ~ 1.0㎛의 두께(a1)로 형성될 수 있다.
도 3 내지 도 5에서 보여지는 바와 같이, 제1 텍스처링부(120)는 광추출층(100)의 상부층으로 기저층(110) 상에 형성된다. 또한, 제1 텍스처링부(120)는 기저층(110)으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기(121)로 이루어진다. 이때, 제1 텍스처링부(120)를 이루는 제1 돌기(121)는 예컨대, 나뭇잎형, 막대형, 헥사곤형, 랜덤형, 적층 육각형 및 육각 프리즘형 중 선택된 어느 하나의 형태로 이루어질 수 있다. 하기의 표 1에 나타낸 바와 같이, 제1 돌기(121)는 높이(b1) 0.05 ~ 10㎛, 이웃하는 제1 돌기(121) 간의 거리(b2) 0 ~ 10㎛, 가로 폭(b3; 도면기준) 0.05 ~ 10㎛, 세로 폭(d1; 도면기준) 0.05 ~ 50㎛로 형성될 수 있다. 이러한 제1 텍스처링부(120)는 기저층(110)에 의해 전반사 없이 추출된 빛을 외부로 끌어 올리는 역할을 하며, 크기에 따라 그 빛을 외부로 산란시키는 역할을 한다.
도 3 내지 도 5에서 보여지는 바와 같이, 제2 텍스처링부(130)는 제1 텍스처링부(120)를 이루는 제1 돌기(121)의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기(131)로 이루어진다. 제2 텍스처링부(130)를 이루는 제2 돌기(131)는 제1 돌기(121)와 마찬가지로, 나뭇잎형, 막대형, 헥사곤형, 랜덤형, 적층 육각형 및 육각 프리즘형 중 선택된 어느 하나의 형태로 이루어질 수 있다. 하기의 표 1에 나타낸 바와 같이, 제2 돌기(131)는 이웃하는 제2 돌기(131) 간의 거리(c1) 0.01 ~ 1㎛, 가로 폭(c2 ; 도면기준) 0.01 ~ 1㎛, 세로 폭(d2; 도면기준) 0.01 ~ 1㎛로 형성될 수 있다. 이러한 제2 텍스처링부(130)는 제1 텍스처링부(120)를 통해 구현되는 산란효과를 더욱 증대시키는 역할을 한다.
㎛
a1 0.01~1.0
b1 0.05~10
b2 0~10
b3 0.05~10
c1 0.01~1
c2 0.01~1
d1 0.05~50
d2 0.01~1
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판의 표면을 주사전자현미경으로 촬영한 사진으로, 기판(11) 상에 기저층, 제1 텍스처링부 및 제2 텍스처링부가 다양한 형태로 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
한편, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 전체 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프로, 광추출층의 두께 범위가 1 ~ 12㎛일 경우 광추출 효율이 대략 1.4배 이상 향상됨을 확인할 수 있다. 또한, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 기저층 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프로, 기저층의 두께가 대략 0.2㎛ 이상일 경우 광추출 효과가 나타남을 확인할 수 있다. 하지만, 기저층의 두께가 0.2㎛ 이상일 경우 두께 변화에 따라 광추출 효과 변화의 편차가 크지 않음을 확인할 수 있다. 즉, 기저층과 제1 텍스처링부로 이루어진 광추출층에서 기저층의 두께는 광추출 효율에 큰 영향을 미치지 않는 요소인 것을 확인할 수 있다. 그리고 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층의 제1 텍스처링부의 두께와 광추출 효율 간의 상관관계를 나타낸 그래프로. 제1 텍스처링부의 두께와 광추출 효율 간의 상관관계는 도 6의 광추출층의 전체 두께와 광추출 효율 간의 상관관계와 비슷한 분포를 보이는 것을 확인할 수 있다. 즉, 광추출층의 광추출 효과는 제1 텍스처링부 및 이의 두께에 따라 좌우된다는 것을 확인할 수 있다.
아울러, 도 9 및 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층 기판에 대한 파장대별 투과율 및 헤이즈값 변화를 나타낸 그래프이고, 도 11 및 도 12는 종래 기술에 따른 광추출층 기판에 대한 파장대별 투과율 및 헤이즈값 변화를 나타낸 그래프이다. 이들 그래프를 비교해 보면, 본 발명의 실시 예에 따른 광추출층은 가시광선 영역에서 상대적으로 높은 헤이즈 값을 나타내고, 가시광선 영역 즉, 380 ~ 800㎚ 파장대의 평균 투과율은 40% 이상인 것으로 관찰되었다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법에 대해 설명하기로 한다. 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법은 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법은 상압화학기상증착(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition; APCVD) 공정을 통해, 기저층(110), 제1 텍스처링부(120) 및 제2 텍스처링부(130)를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 광추출층(100)을 기판(11)에 형성한다. 여기서, 광추출층(100)을 상압화학기상증착 반응으로 형성하면, 이의 표면에 증착과정에서 자연 발생적으로 기저층(110), 제1 텍스처링부(120) 및 제2 텍스처링부(130)가 형성된다. 즉, 상압화학기상증착 반응으로 광추출층(100)을 형성하면, 인위적으로 텍스처링을 형성하는 공정을 생략할 수 있어, 제조공정을 줄일 수 있고, 이에 따라, 생산성이 증가되어 대량 양산이 가능해진다.
이러한 상압화학기상증착 반응 공정은 먼저, 공정 챔버(미도시)에 기판(11)을 장입한 후 이를 소정의 온도로 가열한다. 그 다음 상압화학기상증착 반응을 위해 전구체 가스와 산화제 가스를 공정 챔버(미도시) 내부로 분사한다. 이때, 전구체 가스와 산화제 가스가 공정 챔버(미도시) 내부로 유입되기 전 미리 혼합되는 것을 방기 하기 위해 각각의 가스 공급 경로를 다르게 제어하는 것이 바람직하고, 화학 반응을 활성화시키기 위해 전구체 가스와 산화제 가스를 미리 가열하여 공급할 수 있다. 그리고 전구체 가스는 질소, 헬륨, 아르곤과 같은 비활성 가스로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공정 챔버(미도시) 내부로 운반될 수 있다.
여기서, 상압화학기상증착 반응 공정으로 광추출층(100) 증착 시 광추출층(100)의 표면에 생성되는 텍스처링 즉, 제1 텍스처링부(120) 및 제2 텍스처링부(130) 각각의 제1 돌기(121) 및 제2 돌기(131)의 형상 제어를 위해 상압화학기상증착 반응 공정 전 기판(11)의 표면을 플라즈마 또는 화학처리하여 표면개질을 실시할 수 있다. 또한, 상압화학기상증착 반응 공정으로 광추출층(100) 증착 시 광추출층(100)의 표면에 생성되는 제1 텍스처링부(120) 및 제2 텍스처링부(130) 각각의 제1 돌기(121) 및 제2 돌기(131)의 형상 제어를 위해 상압화학기상증착 반응 공정 후 형성된 광추출층(100)의 표면을 플라즈마 또는 화학처리하여 표면개질을 실시할 수 있다.
이와 같이, 상압화학기상증착 공정이 완료되면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자용 광추출층 기판이 제조된다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 광추출층 110: 기저층
120: 제1 텍스처링부 121: 제1 돌기
130: 제2 텍스처링부 131: 제2 돌기
10: 유기발광소자 11: 기판
12: 제1 전극층 13: 유기 발광층
14: 제2 전극층 15: 후면 기판
16: 실링재

Claims (11)

  1. 일면에 유기발광소자가 배치되는 기판;
    상기 기판의 타면에 형성되는 기저층;
    상기 기저층 상에 형성되되, 상기 기저층으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기로 이루어진 제1 텍스처링(texturing)부; 및
    상기 제1 돌기의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기로 이루어진 제2 텍스처링부;
    를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화물 또는 질화물 박막은 상기 기판보다 상대적으로 큰 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화물 또는 질화물 박막은 1 ~ 12㎛ 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기저층의 두께는 상기 제1 텍스처링부의 두께 대비 25% 미만인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기저층은 상기 제1 텍스처링부에 비해 상대적으로 조밀한 결정 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 산화물 또는 질화물 박막은 ZnO, TiO2, SnO2, SrTiO3, VO2, V2O3, SrRuO3, Si3N4, SiN, TiN 및 SiO2로 이루어진 물질군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 산화물 또는 질화물 박막은 Mg, Cd, S, Se, Te, F, Ga, Al, F, Mn, Co, Cu, Nb, Nd, Sr, W 및 Fe을 포함하는 금속군 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  8. 제1항에 있어서,
    380 ~ 800㎚ 파장대의 평균 투과율이 40% 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판.
  9. 상압화학기상증착 공정을 통해 기판의 일면에 기저층, 기저층으로부터 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제1 돌기로 이루어진 제1 텍스처링부 및 상기 제1 돌기의 외주면에 연속 또는 불연속적으로 돌출되는 복수개의 제2 돌기로 이루어진 제2 텍스처링부를 포함하는 산화물 또는 질화물 박막으로 이루어진 광추출층을 형성하고,
    상기 기판의 타면에 유기발광소자를 배치하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상압화학기상증착 공정 전에 상기 기판을 플라즈마 또는 화학 처리하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 상압화학기상증착 공정 후에 형성된 상기 광추출층을 플라즈마 또는 화학 처리하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출층 기판 제조방법.
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