KR101383984B1 - 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 실시형태에 있어서 웨이퍼상에 형성되는 원호 형상의 실효 노광 영역과 광축과 위치 관계를 도시한 도면,
도 3은 본 실시형태의 제 1 실시예에 있어서의 경계 렌즈와 웨이퍼 사이의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 4는 본 실시형태의 제 2 실시예에 있어서의 경계 렌즈와 웨이퍼 사이의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 본 실시형태의 제 1 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 6은 제 1 실시예에 있어서의 횡수차를 도시한 도면,
도 7은 본 실시형태의 제 2 실시예에 따른 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 8은 제 2 실시예에 있어서의 횡수차를 도시한 도면,
도 9는 제 3 실시형태에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 10은 제 4 실시형태에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 11은 제 3 및 제 4 실시예에 따른 웨이퍼상의 노광 영역을 도시한 도면,
도 12는 제 3 실시예에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 메리디오날(meridional) 방향 및 사지탈(sagittal) 방향에 있어서의 횡수차를 도시하는 횡수차도(橫收差圖),
도 13은 제 4 실시예에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 메리디오날 방향 및 사지탈 방향에 있어서의 횡수차를 도시하는 횡수차도,
도 14는 제 5 실시형태에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 15는 제 6 실시형태에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 16은 제 7 실시형태에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 렌즈 구성을 도시한 도면,
도 17은 제 5 실시예에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 메리디오날 방향 및 사지탈 방향에 있어서의 횡수차를 도시하는 횡수차도,
도 18은 제 6 실시예에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 메리디오날 방향 및 사지탈 방향에 있어서의 횡수차를 도시하는 횡수차도,
도 19는 제 7 실시예에 따른 반사 굴절 투영 광학계의 메리디오날 방향 및 사지탈 방향에 있어서의 횡수차를 도시하는 횡수차도,
도 20은 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 흐름도,
도 21은 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 때의 수법의 흐름도.
R: 레티클
WST: 웨이퍼 스테이지
RST, RS: 레티클 스테이지
EL: 노광광
CONT: 제어 장치
AR: 수차 보정 영역
ER: 유효 결상 영역
AX: 광축
Lb: 경계 렌즈
G1: 제 1 결상 광학계
G2: 제 2 결상 광학계
CM1: 제 1 오목면 반사경
CM2: 제 2 오목면 반사경
1: 액체 공급 장치
2: 액체 회수 장치
3: 공급관
4: 공급 노즐
5: 회수 노즐
6: 회수관
7: 선단면
20: 회수 장치
50: 액체
51: Z 스테이지
52: XY 스테이지
56: 공간
60: 렌즈
100: 광원
Claims (17)
- 광으로 조명되는 패턴의 축소 상을, 액체를 통해서 투영하는 투영 광학계로서,
제 1 및 제 2 오목 거울을 포함하고, 상기 패턴으로부터의 상기 광에 의해 상기 패턴의 중간 상을 형성하는 제 1 결상 광학계와,
개구 조리개를 포함하고, 상기 중간 상으로부터의 상기 광 중 상기 개구 조리개를 통과 가능한 광에 의해 상기 패턴의 상기 축소 상을 형성하는 제 2 결상 광학계를 구비하고,
상기 제 1 및 제 2 결상 광학계에 포함되는 각 광학 소자의 광축은, 단일 광축 상에 마련되고,
상기 제 2 결상 광학계는, 상기 광의 광로 중 상기 제 1 결상 광학계와 상기 개구 조리개 사이의 광로에 배치된 복수의 렌즈를 포함하고, 상기 단일 광축을 포함하지 않는 영역에 상기 축소 상을 형성하며,
상기 제 1 및 제 2 오목 거울의 반사면은, 상기 패턴으로부터의 상기 광 중 상기 개구 조리개를 통과 가능한 광을 반사시키기 위해서 필요한 반사 영역이 상기 단일 광축과 교차하지 않도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 렌즈는, 상기 광의 광로 중 상기 제 1 결상 광학계와 상기 개구 조리개 사이의 광로에 배치된 2 장의 오목 렌즈와, 상기 2 장의 오목 렌즈와 상기 개구 조리개 사이의 광로에 배치된 복수의 볼록 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 2 항에 있어서,
상기 2 장의 오목 렌즈는, 서로 이웃하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 3 항에 있어서,
상기 2 장의 오목 렌즈는, 양요 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 렌즈는, 상기 광의 광로 중 상기 제 1 결상 광학계와 상기 2 장의 오목 렌즈 사이의 광로에 배치된 적어도 1 장의 볼록 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 렌즈는, 상기 광의 광로 중 상기 제 1 결상 광학계와 상기 개구 조리개 사이의 광로에 배치된 양요 렌즈와, 상기 양요 렌즈와 상기 개구 조리개 사이의 광로에 배치된 복수의 볼록 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 6 항에 있어서,
상기 복수의 렌즈는, 상기 광의 광로 중 상기 제 1 결상 광학계와 상기 양요 렌즈 사이의 광로에 배치된 적어도 1 장의 볼록 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 오목 거울은, 상기 패턴으로부터의 상기 광을 연속해서 반사하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 결상 광학계는,
복수의 볼록 렌즈를 포함하는 상기 패턴으로부터의 광에 의해 상기 패턴의 제 1 중간상을 형성하는 제 1 광학계와,
상기 제 1 및 제 2 오목 거울을 포함하는 상기 제 1 중간상으로부터의 상기 광에 의해 상기 패턴의 제 2 중간상을 형성하는 제 2 광학계를 포함하고,
상기 제 2 결상 광학계는, 상기 제 2 중간상으로부터의 상기 광에 의해 상기 패턴의 상기 축소 상을 형성하는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 결상 광학계는, 평면 볼록 렌즈를 포함하고,
상기 평면 볼록 렌즈의 평면 형태의 투과면은, 상기 액체에 접촉 가능하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
투영 광학계. - 마스크 상의 패턴으로부터의 광에 의해 액체를 통해서 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 기판을 지지하는 스테이지와,
상기 패턴으로부터의 상기 광에 의해 상기 패턴의 축소 상을, 상기 스테이지에 지지된 상기 기판에 상기 액체를 통해서 투영하는 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 투영 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는
노광 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 패턴을 S편광 상태의 광으로 조명하는 조명 광학계를 구비하고,
상기 투영 광학계는, 상기 조명 광학계에 의해 조명된 상기 패턴의 축소 상을, 상기 액체를 통해서 상기 기판에 투영하는 것을 특징으로 하는
노광 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 투영 광학계와 상기 스테이지에 지지된 상기 기판의 사이에서 상기 광의 광로에 상기 액체를 공급하기 위한 액체 공급 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는
노광 장치. - 마스크 상의 패턴으로부터의 광에 의해 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
상기 기판을 스테이지에 의해 지지하는 것과,
상기 스테이지에 지지된 상기 기판 상에 액체를 공급하는 것과,
청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 투영 광학계를 이용해서, 상기 패턴으로부터의 상기 광에 의해 상기 패턴의 축소 상을, 상기 기판 상에 공급된 상기 액체를 통해서 상기 기판에 투영하는 것을 포함하는
노광 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 패턴을 S편광 상태의 광으로 조명하는 것을 포함하고,
상기 패턴의 축소 상은, 상기 S편광 상태의 광에 의해 상기 기판에 투영되는 것을 특징으로 하는
노광 방법. - 제 11 항에 기재된 노광 장치를 이용해서, 마스크 상의 패턴으로부터의 광에 의해 기판을 노광하는 것과,
상기 패턴으로부터의 상기 광에 의해 노광된 상기 기판을 현상하는 것을 포함하는
디바이스 제조 방법. - 제 14 항에 기재된 노광 방법을 이용해서, 마스크 상의 패턴으로부터의 광에 의해 기판을 노광하는 것과,
상기 패턴으로부터의 상기 광에 의해 노광된 상기 기판을 현상하는 것을 포함하는
디바이스 제조 방법.
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---|---|
US (1) | US9500943B2 (ko) |
EP (5) | EP2722704A3 (ko) |
KR (13) | KR20060009891A (ko) |
IL (3) | IL171745A (ko) |
SG (2) | SG10201405231YA (ko) |
WO (1) | WO2004107011A1 (ko) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
US7466489B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7463422B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
DE102004013886A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
KR101492266B1 (ko) | 2004-06-10 | 2015-02-11 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치를 위한 투영 대물렌즈 |
JP4954067B2 (ja) | 2004-07-14 | 2012-06-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物レンズ |
JP5600128B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2014-10-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物系 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
JP2006114839A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
WO2006081991A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with intermediate image |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
JP2006309220A (ja) | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影対物レンズ |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2660853B1 (en) * | 2005-05-12 | 2017-07-05 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus and exposure method |
KR101954588B1 (ko) | 2005-06-02 | 2019-03-05 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 대물 렌즈 |
EP1746463A2 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv |
WO2007025643A1 (en) | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Carl Zeiss Smt Ag | High-na projection objective with aspheric lens surfaces |
WO2007040254A1 (ja) | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法 |
US7433050B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
TW200721260A (en) | 2005-11-16 | 2007-06-01 | Nikon Corp | Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US7782442B2 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
US8953148B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
KR101296546B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI457977B (zh) | 2005-12-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | A pattern forming method and a pattern forming apparatus, and an element manufacturing method |
EP2963498B8 (en) | 2006-01-19 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2007094414A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2007094470A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP2813893A1 (en) | 2006-02-21 | 2014-12-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP3115844B1 (en) | 2006-02-21 | 2018-08-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
KR101346581B1 (ko) | 2006-02-21 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP1995768A4 (en) | 2006-03-13 | 2013-02-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7920338B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reduction projection objective and projection exposure apparatus including the same |
US7738188B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-06-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective and projection exposure apparatus including the same |
EP1852745A1 (en) | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Carl Zeiss SMT AG | High-NA projection objective |
EP2037487A4 (en) | 2006-06-09 | 2014-07-02 | Nikon Corp | APPARATUS WITH MOBILE BODY, APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES |
TWI609252B (zh) | 2006-08-31 | 2017-12-21 | Nikon Corp | Moving body driving system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, element manufacturing method, and determination method |
SG174737A1 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-28 | Nikon Corp | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TWI529501B (zh) | 2006-08-31 | 2016-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method |
TWI584082B (zh) | 2006-09-01 | 2017-05-21 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method |
KR20180085820A (ko) | 2006-09-01 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
WO2008038752A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Nikon Corporation | système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF |
WO2008056735A1 (fr) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Nikon Corporation | Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod |
US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8194232B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
EP2184768B1 (en) | 2007-07-24 | 2015-09-09 | Nikon Corporation | Mobile object driving method, mobile object driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US8867022B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
JP5088588B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-12-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN103278179B (zh) * | 2013-05-16 | 2015-08-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 空间相机场曲检测装置及检测方法 |
JP6887751B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2021-06-16 | 大塚電子株式会社 | 光学特性測定装置 |
JP6635904B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-01-29 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法 |
CN108254912B (zh) * | 2018-01-23 | 2020-03-27 | 电子科技大学 | 一种用于氮化物mocvd外延生长模式的实时显微监测系统 |
KR102575649B1 (ko) * | 2018-04-24 | 2023-09-06 | 삼성전자주식회사 | 투시형 디스플레이 장치 |
CN114967298B (zh) * | 2022-05-19 | 2023-06-20 | 南昌龙旗信息技术有限公司 | 激光投影组件和投影设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH07142338A (ja) | 1993-06-14 | 1995-06-02 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた露光装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JPH07307278A (ja) | 1994-04-30 | 1995-11-21 | Fujitsu Ltd | 投影露光装置 |
US6512631B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
US6631036B2 (en) | 1996-09-26 | 2003-10-07 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective |
US5852490A (en) | 1996-09-30 | 1998-12-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US6198576B1 (en) | 1998-07-16 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP4345232B2 (ja) | 1998-12-25 | 2009-10-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折結像光学系および該光学系を備えた投影露光装置 |
US6166865A (en) | 1999-05-19 | 2000-12-26 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
CA2372511C (en) | 1999-06-15 | 2011-11-22 | Genentech, Inc. | Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6350763B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-02-26 | Boehringer Ingelheim Pharmaceuticals, Inc. | Small molecules useful in the treatment of inflammation disease |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
EP1115019A3 (en) | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2002118058A (ja) | 2000-01-13 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び方法 |
WO2002044786A2 (en) | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
JP2005233979A (ja) * | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
JP2001343589A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
JP2002244035A (ja) | 2000-12-11 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002208551A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
US20030004757A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Haines Jack J. | Facility and a method of operating a facility for providing care |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP3971134B2 (ja) | 2001-07-09 | 2007-09-05 | オリンパス株式会社 | 対物レンズ |
JP2003114387A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
AU2003256081A1 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US7180576B2 (en) | 2003-02-11 | 2007-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Exposure with intensity balancing to mimic complex illuminator shape |
US8675276B2 (en) | 2003-02-21 | 2014-03-18 | Kla-Tencor Corporation | Catadioptric imaging system for broad band microscopy |
SG194246A1 (en) | 2003-04-17 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP2004333761A (ja) | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2005015316A2 (en) | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for microlithography |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
JP4954067B2 (ja) | 2004-07-14 | 2012-06-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | カタディオプトリック投影対物レンズ |
JP3870207B2 (ja) | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102005045862A1 (de) | 2004-10-19 | 2006-04-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für Ultraviolettlicht |
US7317507B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7215478B1 (en) | 2006-03-06 | 2007-05-08 | Olympus Corporation | Immersion objective optical system |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
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