[go: up one dir, main page]

KR101305710B1 - 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법 - Google Patents

나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101305710B1
KR101305710B1 KR1020110139611A KR20110139611A KR101305710B1 KR 101305710 B1 KR101305710 B1 KR 101305710B1 KR 1020110139611 A KR1020110139611 A KR 1020110139611A KR 20110139611 A KR20110139611 A KR 20110139611A KR 101305710 B1 KR101305710 B1 KR 101305710B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanowire
composition
surfactant
transparent electrode
solvent
Prior art date
Application number
KR1020110139611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130072064A (ko
Inventor
이선영
문종운
강보라
유영선
채경훈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110139611A priority Critical patent/KR101305710B1/ko
Priority to US14/368,238 priority patent/US20140345921A1/en
Priority to PCT/KR2012/010810 priority patent/WO2013094926A1/en
Priority to TW101149114A priority patent/TWI513651B/zh
Publication of KR20130072064A publication Critical patent/KR20130072064A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101305710B1 publication Critical patent/KR101305710B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/045Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/16Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/22Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H01J11/26Address electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/02Details
    • H01J17/04Electrodes; Screens
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/778Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/783Organic host/matrix, e.g. lipid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

실시예에 따른 나노 와이어 조성물은, 금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고, 상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며, 상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4% 이다.
실시예에 따른 투명 전극 제조 방법은, 나노 와이어 조성물을 준비하는 단계; 상기 나노 와이어 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 나노 와이어 조성물을 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 나노 와이어 조성물은, 금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고, 상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며, 상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4%이다.

Description

나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법{NANO WIRE COMPOSITION AND METHOD FOR FABRICATION TRANSPATENT ELECTRODE}
본 기재는 나노 와이어 조성물 및 투명 전극 제조 방법에 관한 것이다.
최근 다양한 전자 제품에서 디스플레이 장치에 표시된 화상에 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치를 접촉하는 방식으로 입력을 하는 터치 패널이 적용되고 있다.
터치 패널은 크게 저항막 방식의 터치 패널과 정전 용량 방식의 터치 패널로 구분될 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 입력 장치의 압력에 의하여 유리와 전극이 단락되어 위치가 검출된다. 정전 용량 방식의 터치 패널은 손가락이 접촉했을 때 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 위치가 검출된다.
이러한 터치 패널의 전극으로 가장 널리 쓰이는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 가격이 비싸고, 전극 형성을 위해 고온 증착과 진공 공정이 필요하다. 또한, 기판의 굽힘과 휨에 의해 물리적으로 쉽게 타격을 받아 전극으로의 특성이 악화되고, 이에 의해 플렉시블(flexible) 소자에 적합하지 않다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 대체 전극에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다.
실시예는 분산성 및 코팅성이 향상된 나노 와이어 조성물 및 투과도가 높고 저항인 낮은 투명 전극을 제공한다.
실시예에 따른 나노 와이어 조성물은, 금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고, 상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며, 상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4% 이다.
실시예에 따른 투명 전극 제조 방법은, 나노 와이어 조성물을 준비하는 단계; 상기 나노 와이어 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 나노 와이어 조성물을 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 나노 와이어 조성물은, 금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고, 상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며, 상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4%이다.
실시예에 따른 나노 와이어 조성물은 나노 와이어, 유기 바인더 및 첨가제로서 계면활성제를 포함한다. 따라서, 상기 유기 바인더에 의해 기판 등에 코팅시 분산성을 향상시킬 수 있고, 또한, 상기 플루오르계 계면활성제에 의해 표면 장력을 낮추어 코팅성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 투명 전극 제조 방법을 통해 제조된 전극은 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛ 인 나노 와이어를 사용하고, 유기 바인더 및 플루오르계 계면활성제가 첨가된다. 이에 따라, 상기 제조 방법을 통해 제조된 투명 전극은 높은 전도도를 가지면 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈를 가진다. 또한, 상기 전극은 면저항이 작아 상기 전극이 적용되는 터치 패널 및 액정표시장치 등의 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 투명 전극 제조 방법의 공정 흐름을 도시한 공정흐름도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
실시예에 따른 나노 와이어 조성물은, 금속 나노 와이어, 유기 바인더, 계면활성제 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함할 수 있다. 상기 나노 와이어는 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다.
상기 나노 와이어의 제조 방법은, 용매를 가열하는 단계, 용매에 캡핑제를 첨가하는 단계, 용매에 촉매를 첨가하는 단계, 용매에 금속 화합물을 첨가하는 단계, 용매에 상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계 및 나노 와이어를 정제하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 단계들은 모두 필수적인 것은 아니며 제조 방법에 따라 일부 단계가 수행되지 않을 수 있으며 각 단계의 순서가 바뀔 수도 있다. 상술한 각 단계를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
용매를 가열하는 단계에서는, 용매를 금속 나노 와이어의 형성에 적합한 반응 온도로 가열한다.
용매로는 폴리올(polyol)을 사용할 수 있다. 이러한 폴리올은 다른 물질들을 혼합하는 용매로서의 역할과 함께, 약한 환원제(mile reducing agent)의 역할을 함께 수행하여 금속 나노 와이어 형성을 도울 수 있다. 이러한 폴리올로는 일례로 에틸렌글라이콜(EG), 프로필렌글라이콜(PG), 글리세린, 글리세롤, 글루코스 등을 들 수 있다. 반응 온도는 용매, 금속 화합물의 종류 및 특성을 고려하여 다양하게 조절될 수 있다
이어서, 용매에 캡핑제를 첨가하는 단계에서는, 와이어 형성을 유도하는 캡핑제를 용매에 첨가한다. 나노 와이어 형성을 위한 환원이 너무 빠르게 이루어지면 금속들이 응집되면서 와이어 형상을 이루기 어려운바, 이러한 캡핑제는 용매 내의 물질 들이 적절하게 분산되도록 하여 응집을 방지하는 역할을 한다.
캡핑제로는 다양한 물질을 사용할 수 있는데, 일례로, 폴리비닐필롤리딘(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC), 폴리아크릴아마이드(PAA) 등을 사용할 수 있다.
이어서, 용매에 촉매를 첨가하는 단계에서는, 천일염, 정제염 또는 AgCl, PtCl2, PdCl2, AuCl3과 같은 할로겐 금속을 촉매로 첨가한다. 이러한 촉매는 다양한 금속 또는 할로겐 원소를 구비하여 금속 나노 와이어 형성을 위한 시드(seed) 형성 및 금속 나노 와이어 형성의 반응을 촉진하는 역할을 한다.
이어서, 용매에 금속 화합물을 첨가하는 단계에서는 용매에 금속 화합물을 첨가하여 반응 용액을 형성한다.
이때, 금속 화합물은 별도의 용매에 녹인 상태로 캡핑제 및 촉매가 첨가된 용매에 첨가될 수 있다. 별도의 용매로는 최초로 사용한 용매와 동일한 물질 또는 다른 물질을 사용할 수 있다. 그리고, 금속 화합물은 촉매를 첨가한 후에 일정 시간이 지난 후에 첨가될 수 있다. 이는 온도를 적절한 반응 온도로 안정화하기 위한 것이다.
여기서, 금속 화합물은 제조를 원하는 금속 나노 와이어를 형성하기 위한 금속을 포함한 화합물이다. 은 나노 와이어를 형성하고자 할 경우에는 금속 화합물로AgCl, AgNO3 또는 KAg(CN)2 등을 사용할 수 있다.
이와 같이 캡핑제 및 촉매가 첨가된 용매에 금속 화합물을 첨가하면 반응이 일어나면서 금속 나노 와이어의 형성이 시작된다.
상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계는 반응이 시작된 용매에 상온의 용매를 추가로 첨가한다. 이러한 상온의 용매는 최초로 사용한 용매와 동일한 물질 또는 다른 물질을 사용할 수 있다.
반응이 시작된 용매는 일정한 반응 온도 유지를 위하여 지속적으로 가열하는 것에 의하여 반응 중에 온도가 상승될 수 있는데, 상술한 바와 같이 반응이 시작된 용매에 상온의 용매를 첨가하여 용매의 온도를 일시적으로 떨어뜨려 반응 온도를 좀더 일정하게 유지시킬 수 있다.
상온의 용매를 추가로 첨가하는 단계는 반응 시간, 반응 용액의 온도 등을 고려하여 한 번 또는 여러 번 수행될 수 있다.
이어서, 나노 와이어를 정제하는 단계는 반응 용액에서 금속 나노 와이어를 정제하여 수거한다.
상기 단계들에 의해 형성된 나노 와이어는 30㎚ 내지 50㎚의 직경을 가질 수 있고, 약 15㎛ 내지 40㎛의 길이를 가질 수 있다.
상기 나노 와이어는 상기 나노 와이어 조성물 전체에 대해 0.01 중량% 내지 0.4 중량% 만큼 포함될 수 있다. 즉, 상기 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4%일 수 있다. 상기 나노 와이어가 상기 나노 와이어 조성물 전체에 대하여 0.01 중량% 미만으로 포함될 경우 전기전도도가 떨어질 수 있다. 또한, 상기 나노 와이어가 상기 전극 물질에 대하여 0.4 중량% 초과하여 포함될 경우, 상기 나노 와이어끼리 응집하여 투과도가 저하될 수 있다.
상기 유기 바인더는 분자량이 10만 이상인 수계 셀룰로오스를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 유기 바인더는 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스(hydroxy propyl methyl cellulose), 하이드록시 프로필 셀룰오오스(hydroxy propylcellulose), 크산탄 검(xanthan gum), 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol), 카르복시 메틸 셀룰로오스(carboxyl methyl cellulose) 또는 하이드록시 에틸 셀룰로오스(hydroxy ethyl cellulose)를 포함할 수 있다.
상기 유기 바인더는 상기 나노 와이어 조성물 전체에 대해 0.01 중량 % 내지 0.5 중량 % 만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 유기 바인더는 상기 나노 와이어와 동일한 양만큼 포함될 수 있다.
상기 계면활성제는 실리콘계 계면활성제 또는 플루오르계 계면활성제를 포함할 수 있다. 상기 실리콘계 계면 활성제는 비교적 적은 첨가로 높은 습윤 효과 및 레벨링(leveling) 효과를 가져올 수 있다. 또한, 상기 플루오르계 계면활성제는 플루오르 카본 사슬을 소수기로 하는 계면활성제로서 탄화수소계 계면활성제에 비해 조성물의 표면 장력을 현저하게 감소시킬 수 있는 특징이 있으며, 소량의 첨가에 의해 높은 계면활성을 나타낼 수 있다. 또한 플루오르화탄소사슬이 화학적 및 열적으로 안정하기 때문에 내약품성과 내열성이 우수하다는 특징이 있다.
실시예에 따른 나노 와이어 조성물은 상기 계면활성제가 상기 나노 와이어 조성물 전체에 대해 0.000001 중량% 내지 0.001 중량% 만큼 포함될 수 있다. 또한, 상기 계면활성제는 상기 나노 와이어에 대해 0.0002 중량% 내지 10 중량% 만큼 포함될 수 있다.
상기 용매는 물 또는 폴리올(polyol)을 사용할 수 있다. 이러한 폴리올은 다른 물질들을 혼합하는 용매로서의 역할을 할 수 있다. 이러한 폴리올로는 일례로 에틸렌글라이콜(EG), 프로필렌글라이콜(PG), 글리세린, 글리세롤, 글루코스 등을 들 수 있다.
상기 용매의 중량 백분율은 99.1 중량% 내지 99.98중량% 만큼 포함될 수 있다.
상기 나노 와이어 조성물은 기판 또는 글래스 상에 코팅되어 투명 전극을 형성할 수 있다. 즉, 상기 나노 와이어 조성물을 사용하여 투명 전극이 형성된 투명 도전성 기재를 제조할 수 있다. 또한, 상기 투명 도전성 기재 상에 오버 코팅층을 더 형성하여 보호층의 역할 및 광투과도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 투명 전극 제조방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 보다 명확한 설명을 위해, 앞서 설명한 나노 와이어 조성물의 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 투명 전극 제조 방법은 나노 와이어 조성물을 준비하는 단계(ST10); 상기 나노 와이어 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계(ST20); 및 상기 기판을 열처리하는 단계(ST30)를 포함할 수 있다.
상기 나노 와이어 조성물을 준비하는 단계(ST10)에서는, 나노 와이어, 유기 바인더, 계면활성제 및 용매를 포함하는 나노 와이어 조성물을 준비할 수 있다. 상기 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함할 수 있고, 상기 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛ 일 수 있으며, 상기 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4% 일 수 있다.
또한, 상기 유기 바인더는 하이드록시프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 크산탄 검, 폴리비닐 알코올, 카르복시 메틸 셀룰로오스 또는 하이드록시 에틸 셀룰로오스를 포함할 수 있고, 상기 유기 바인더의 중략 백분율은 0.01% 내지 0.5% 일 수 있다.
또한, 상기 계면활성제는 플루오르계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있고, 중량 백분율은 0.000001% 내지 0.001% 일 수 있다.
또한, 용매는 물 또는 프로필렌글라이콜(PG)을 포함할 수 있으며, 상기 용매의 중량백분율은 99.1 중량% 내지 99.98중량% 일 수 있다.
이어서, 상기 나노 와이어 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계(ST20)에서는, 상기 나노 와이어 조성물을 상기 기판 상에 코팅할 수 있다.
상기 나노 와이어 조성물은 상기 유기 바인더 및 상기 계면활성제를 포함하므로, 분산 안전성을 향상시킬 수 있고, 또한, 나노 와이어 조성물의 표면 장력을 낮출 수 있어 상기 나노 와이어가 서로 뭉치지 않고 균일하게 분산된 상태로 상기 기판에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 나노 와이어를 포함하는 투면 전극의 투과성을 향상시킬 수 있고, 저항을 낮출 수 있다.
상기 나노 와이어 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계(ST20)에서는, 슬롯 다이(slot die) 코팅 방법이 이루어질 수 있다. 슬롯 다이는 코팅 방법의 한 종류이며, 유동을 가지고 있는 액상의 유체 등을 슬롯 다이라고 하는 리올로지(rheology)에 의해 금형 내부 설계 및 가공되어진 상하의 금형판 사이로 공급하여, 액공급 파이프로부터 공급받은 유체를 기판 등에 진행방향의 폭방향으로 일정하고 균일한 두께로 코팅하는 방법을 말한다.
그러나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 나노 와이어 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계(ST20)에서는, 스핀(spin) 코팅, 플로우(flow) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 딥(dip) 코팅 및 롤(roll) 코팅 등의 다양한 코팅 방법으로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 기판을 열처리하는 단계(ST30)에서는, 코팅된 상기 기판을 열처리할 수 있다.
구체적으로, 상기 나노 와이어 조성물을 상기 기판 상에 코팅 후에 상기 기판을 대기하에서 건조시킨 후 승온시킬 수 있다. 이어서, 50℃ 내지 150℃의 온도에서 1분 내지 10분 동안 열처리할 수 있다.
상기 나노 와이어 조성물을 코팅하는 단계(ST20) 이후에는 상기 나노 와이어 상에 오버 코팅(over coating)층을 형성하는 공정이 추가로 수행될 수 있다. 상기 오버 코팅은 상기 기판 상에 코팅된 금속 나노 와이어의 보호막 역할을 하여 상기 금속 나노 와이어의 산화를 방지할 수 있다. 이러한 오버코팅은 아크릴 계열 또는 우레탄 계열의 폴리머로 코팅될 수 있으며, 상기 코팅은 롤 코팅 또는 슬롯 다이 코팅 등 다양한 방법에 의해 오버 코팅될 수 있다. 그러나, 상기 오버 코팅을 하는 단계는 필수적인 것은 아니며, 상기 오버코팅을 하지 않고 바로 코팅된 기판을 열처리할 수 있다
실시예에 따른 투명 전극 제조 방법을 통해 제조된 전극은 높은 투과도를 유지시킬 수 있다. 또한, 상기 전극은 반사율이 적고 높은 전도도를 가지며 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈를 가진다. 또한, 상기 전극은 면저항이 작아 상기 전극이 적용된 터치 패널 또는 액정표시장치 등의 성능을 향상시킬 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것에 불과하며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
은 나노와이어 0.3 중량%와, 유기 바인더로서 12만의 분자량을 가지는 하이드록시 메틸 셀룰로오스 0.2 중량%와, 계면활성제로서 DIC사의 F410 0.001 중량%와, 용매로서 물을 포함하는 은 나노 와이어 조성물을 제조한다.
이어서, 상기 은 나노 와이어 조성물을 슬롯 다이(slot-die) 방법으로 기판 상에 코팅하였다.
이어서, 100℃의 온도에서 10분간 열처리하여 용매를 건조하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
이때, 은 나노 와이어의 직경은 40㎚ 이고, 길이는 30㎛ 이었다.
실시예 2
은 나노 와이어 조성물이, 은 나노 와이어를 0.5 중량% 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 3
은 나노 와이어 조성물이, 유기 바인더로서 100만의 분자량을 가지는 하이드록시프로필 셀룰로오스 0.2 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 4
은 나노 와이어 조성물이, 은 나노 와이어를 0.5 중량% 포함하고, 유기 바인더로서 100만의 분자량을 가지는 하이드록시프로필 셀룰로오스 0.5 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 5
은 나노 와이어 조성물이, 유기 바인더로서 12만의 분자량을 가지는 카르복실 메틸 셀룰로오스 0.2 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 6
은 나노 와이어 조성물이, 은 나노 와이어를 0.5 중량%, 유기 바인더로서 12만의 분자량을 가지는 카르복실 메틸 셀룰로오스 0.5 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 7
은 나노 와이어 조성물이, 유기 바인더로서 100만의 분자량을 가지는 하이드록시 에틸 셀룰로오스 0.3 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 8
은 나노 와이어 조성물이, 은 나노 와이어를 0.5 중량%, 유기 바인더로서 100만의 분자량을 가지는 하이드록시프로필 셀룰로오스 0.3 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
실시예 9
은 나노 와이어 조성물이, 은 나노 와이어를 0.4 중량%, 유기 바인더로서 130만의 분자량을 가지는 카르복실 에틸 셀룰로오스 0.3 중량%를 포함한다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 기판 상에 투명 전극을 형성하였다.
상기 실시예1 내지 실시예9를 통해 제조된 투명 전극의 특성을 각각 측정하였다. 상기 실시예1 내지 실시예 9에 대하여 분산도, 코팅성, 헤이즈(haze), 투과도 및 저항을 각각 측정하여 표 1 에 그 결과를 나타내었다.
분산도 코팅성 헤이즈(%) 투과도(%) 저항(Ω/□)
실시예 1 8 8 1.16 90.08 59
실시예 2 8 9 1.85 88.67 39
실시예 3 8 8 1.06 90.32 107
실시예 4 8 7 1.68 89.04 45
실시예 5 10 4 1.34 90.25 200
실시예 6 10 2 2.39 88.25 57
실시예 7 10 4 1.29 90.36 120
실시예 8 10 2 2.48 88.19 154
실시예 9 4 6 1.80 89.28 55
(표 1에서 분산도는, 10(100% 분산된 상태) ~ 1(분산이 전혀 되지않은 상태이고, 코팅성은 10(100% 균일하게 코팅된 상태) ~ 1(코팅이 전혀 되지않은 상태)임)
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 4의 경우 기판의 분산도, 코팅성이 모두 우수하고, 헤이즈가 적으며 투과도가 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 5 내지 실시예 8의 기판의 경우 분산도는 우수하나 코팅성이 떨어지는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 은 나노 와이어의 함량이 0.3 중량% 내지 0.5 중량%이고, 상기 유기 바인더의 함량이 0.1 중량% 이상일 때, 상기 나노 와이어 조성물의 분산도 및 코팅성이 우수하고, 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈를 가지는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 전극은 면저항이 작아 상기 전극이 적용된 디바이스의 성능을 향상시킬 수 있다.
즉, 실시예에 따른 나노 와이어 조성물 및 상기 나노 와이어 조성물을 통해 제조된 전극 구조체는 높은 분산도 및 코팅성을 가질 수 있고, 높은 투과도를 유지시킬 수 있다. 상기 전극 구조체는, 반사율이 적고, 높은 전도도를 가지며 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈를 가진다. 또한, 상기 전극은 면저항이 작아 상기 전극이 적용된 디바이스의 성능을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고,
    상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며,
    상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4% 이고,
    상기 유기 바인더의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.5% 인 나노 와이어 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 계면활성제는 플루오르계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 포함하는 나노 와이어 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함하는 나노 와이어 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 하이드록시프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 크산탄 검, 폴리비닐 알코올, 카르복시 메틸 셀룰로오스 또는 하이드록시 에틸 셀룰로오스를 포함하는 나노 와이어 조성물.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노 와이어와 상기 유기 바인더의 중량 백분율은 동일한 나노 와이어 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 계면 활성제의 중량 백분율은 0.000001% 내지 0.001% 인 나노 와이어 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 계면 활성제는, 상기 금속 나노 와이어에 대해 0.0002 중량% 내지 10 중량% 만큼 포함되는 나노 와이어 조성물.
  9. 나노 와이어 조성물을 준비하는 단계;
    상기 나노 와이어 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및
    상기 나노 와이어 조성물을 열처리하는 단계를 포함하고,
    상기 나노 와이어 조성물은,
    금속 나노 와이어; 유기 바인더; 계면활성제; 및 용매를 포함하고,
    상기 금속 나노 와이어는 직경이 30㎚ 내지 50㎚, 길이가 15㎛ 내지 40㎛이며,
    상기 금속 나노 와이어의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.4%이 고,
    상기 유기 바인더의 중량 백분율은 0.01% 내지 0.5% 인 투명 전극 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 계면활성제는 플루오르계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 포함하는 투명 전극 제조 방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 금속 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함하는 투명 전극 제조 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 하이드록시프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 크산탄 검, 폴리비닐 알코올, 카르복시 메틸 셀룰로오스 또는 하이드록시 에틸 셀룰로오스를 포함하는 투명 전극 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 계면 활성제의 중량 백분율은 0.000001% 내지 0.001% 인 투명 전극 제조 방법.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 계면 활성제는, 상기 금속 나노 와이어에 대해 0.0002 중량% 내지 10 중량% 만큼 포함되는 투명 전극 제조 방법.
  16. 제 9항에 있어서,
    상기 열처리 온도는 50℃ 내지 150℃인 투명 전극 제조 방법.
  17. 제9항에 있어서,
    오버 코팅(over coating)층을 형성하는 단계를 더 포함하는 투명 전극 제조 방법.
  18. 제 1항 내지 제 4항 및 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 나노 와이어 조성물을 사용하여 투명 전극이 형성된 투명 도전성 기재.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 투명 도전성 기재는 오버 코팅층을 포함하는 투명 도전성 기재.
KR1020110139611A 2011-12-21 2011-12-21 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법 KR101305710B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139611A KR101305710B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법
US14/368,238 US20140345921A1 (en) 2011-12-21 2012-12-12 Nano wire composition and method for fabrication transparent electrode
PCT/KR2012/010810 WO2013094926A1 (en) 2011-12-21 2012-12-12 Nano wire composition and method for fabrication transparent electrode
TW101149114A TWI513651B (zh) 2011-12-21 2012-12-21 奈米線合成物及透明電極之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139611A KR101305710B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130072064A KR20130072064A (ko) 2013-07-01
KR101305710B1 true KR101305710B1 (ko) 2013-09-09

Family

ID=48668760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110139611A KR101305710B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140345921A1 (ko)
KR (1) KR101305710B1 (ko)
TW (1) TWI513651B (ko)
WO (1) WO2013094926A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
US11274223B2 (en) 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
KR101518875B1 (ko) * 2013-12-31 2015-05-12 주식회사 효성 다가지형 은 나노와이어, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명 도전성 필름
KR20150107091A (ko) * 2014-03-13 2015-09-23 주식회사 에이든 헤이즈 및 전기전도도가 개선된 은 나노와이어를 이용한 투명 도전체
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
CN205015856U (zh) * 2014-05-07 2016-02-03 Lg伊诺特有限公司 包括网格结构图案的触摸面板
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
WO2016024793A2 (ko) * 2014-08-11 2016-02-18 주식회사 엔앤비 다단 광조사를 이용한 투명 전도성 막의 제조방법
KR101595895B1 (ko) 2014-08-11 2016-02-19 주식회사 엔앤비 광소결로 접합된 은 나노와이어를 포함하는 투명전극용 필름, 광소결을 이용한 은 나노와이어 접합용 분산액 및 은 나노와이어의 접합 방법
US10535792B2 (en) 2014-10-28 2020-01-14 N&B Co., Ltd. Transparent conductor and preparation method for same
CN104525966B (zh) * 2015-01-14 2016-10-26 河南大学 一种黄原胶-银纳米复合材料及其制备方法
CN109181499A (zh) * 2015-12-07 2019-01-11 重庆普强电子科技有限公司 无污染电子产品用涂料
CN109206965A (zh) * 2015-12-07 2019-01-15 叶旭东 用于电子产品的导电涂料
CN105750559A (zh) * 2016-01-13 2016-07-13 深圳市东方亮化学材料有限公司 一种银纳米线及其透明导电膜的制备方法
KR102179698B1 (ko) * 2019-02-22 2020-11-17 율촌화학 주식회사 투명 전극 제조방법 및 이에 따라 제조된 투명 전극

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110099523A (ko) * 2010-03-02 2011-09-08 삼성전기주식회사 대화면 터치 스크린
KR20110129612A (ko) * 2010-05-26 2011-12-02 웅진케미칼 주식회사 나노와이어를 포함하는 투명 도전체의 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050196707A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Eastman Kodak Company Patterned conductive coatings
CN101971354B (zh) * 2007-04-20 2012-12-26 凯博瑞奥斯技术公司 高对比度的透明导体及其形成方法
JP5429192B2 (ja) * 2009-01-16 2014-02-26 コニカミノルタ株式会社 パターン電極の製造方法及びパターン電極
JP2010250109A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5561714B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-30 日本写真印刷株式会社 ディスプレイ電極用透明導電膜
WO2011077896A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー及びその製造方法、並びに透明導電体及びタッチパネル
SG10201500798UA (en) * 2010-02-05 2015-03-30 Cambrios Technologies Corp Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same
TWI549900B (zh) * 2010-03-23 2016-09-21 坎畢歐科技公司 奈米結構透明導體之圖案化蝕刻
JP2013016455A (ja) * 2011-01-13 2013-01-24 Jnc Corp 透明導電膜の形成に用いられる塗膜形成用組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110099523A (ko) * 2010-03-02 2011-09-08 삼성전기주식회사 대화면 터치 스크린
KR20110129612A (ko) * 2010-05-26 2011-12-02 웅진케미칼 주식회사 나노와이어를 포함하는 투명 도전체의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013094926A1 (en) 2013-06-27
TW201332883A (zh) 2013-08-16
US20140345921A1 (en) 2014-11-27
KR20130072064A (ko) 2013-07-01
TWI513651B (zh) 2015-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101305710B1 (ko) 나노 와이어 조성물 및 투명전극 제조 방법
KR101305705B1 (ko) 터치 패널 및 전극 제조 방법
Jia et al. Silver nanowire transparent conductive films with high uniformity fabricated via a dynamic heating method
US20130323411A1 (en) Low Haze Transparent Conductive Electrodes and Method of Making the Same
CN102938262A (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法
JP2012003900A (ja) 導電膜及びその製造方法、並びにタッチパネル及び集積型太陽電池
CN104299723A (zh) 一种高性能金属纳米线透明导电薄膜的制备方法
JP2011119142A (ja) 透明導電基材の製造方法
KR102375891B1 (ko) 투명전극 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102172464B1 (ko) 나노 박막의 제조 방법
KR20150107091A (ko) 헤이즈 및 전기전도도가 개선된 은 나노와이어를 이용한 투명 도전체
CN103996453B (zh) 一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法
KR101550481B1 (ko) 패턴 시인성이 개선된 터치 패널, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
Yang et al. Multilayer ordered silver nanowire network films by self‐driven climbing for large‐area flexible optoelectronic devices
WO2018221896A1 (ko) 나노와이어 투명 전극 및 이의 제조 방법
KR101328427B1 (ko) 금속나노와이어 또는 탄소나노튜브를 이용한 복합 도전성 박막 및 그의 제조 방법
CN107345096B (zh) 一种纳米银线-银络合物复合导电墨水及其透明导电膜的制备方法
CN205334442U (zh) 一种复合型纳米银线柔性透明导电电极结构
TWI500048B (zh) 透明導電膜組合物及透明導電膜
CN103996456B (zh) 一种高耐磨纳米金属透明导电膜的制造方法
KR101272713B1 (ko) 2층 구조의 하이브리드 투명 전극 및 그 제조 방법
KR20130063891A (ko) 탄소나노튜브를 포함하는 저저항 고투과율 플렉서블 fto 투명 전도막 제조방법
KR20150080370A (ko) 투명전극용 금속 잉크 및 그 제조방법
KR20190063990A (ko) 투명 도전막 및 그 제조방법
KR102147466B1 (ko) 전도성 잉크 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20111221

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130304

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130821

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130902

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130902

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160805

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160805

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170804

Start annual number: 5

End annual number: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20190613