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KR101152562B1 - 염료감응 태양전지의 제조 방법 - Google Patents

염료감응 태양전지의 제조 방법 Download PDF

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KR101152562B1
KR101152562B1 KR1020100059896A KR20100059896A KR101152562B1 KR 101152562 B1 KR101152562 B1 KR 101152562B1 KR 1020100059896 A KR1020100059896 A KR 1020100059896A KR 20100059896 A KR20100059896 A KR 20100059896A KR 101152562 B1 KR101152562 B1 KR 101152562B1
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Abstract

본 발명의 염료감응 태양전지의 제조 방법은 제 1 전극이 형성된 하부 기판의 제 1 전극 상에 금속 산화물 입자들을 도포하고 적외선 열처리를 통해 소결하여 반도체층을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물 입자들의 표면에 염료를 흡착시키는 단계; 상부 기판의 제 2 전극이 상기 반도체층과 이격되도록 상부 기판을 하부 기판과 합착하는 단계; 및 상기 하부 기판 및 상부 기판 사이의 공간에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하며, 금속 산화물 입자의 열처리를 적외선 열처리를 통하여 수행함으로써, 저온 공정에서 단시간에 다공성 반도체층을 다공성 반도체층을 형성할 수 있다.

Description

염료감응 태양전지의 제조 방법{Method for fabricating dye-sensitized solar cell}
본 발명은 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 염료감응 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
염료감응 태양전지는 태양광의 특정 파장대역을 흡수하여 전자-홀 쌍을 생성할 수 있는 염료 분자, 생성된 전자를 제1 전극으로 전달하는 반도체 산화물, 및 생성된 홀을 제2 전극으로 전달하는 전해질을 구비한다. 이러한 염료감응 태양전지는 기존의 태양전지에 비해 전력당 제조원가가 저렴한 장점이 있다.
이러한 염료감응 태양전지는 상기 반도체 산화물을 형성하기 위하여 유기 용매를 사용하여 나노 사이즈의 반도체 산화물 입자를 분산시켜 도포한 후, 열처리 로에서 가열하여 반도체 산화물 입자들을 소결시키는 공정을 사용한다.
그러나, 열처리로를 사용하여 반도체 산화물 입자들을 소결하는 방법은 기본적으로 열처리로를 예열하기 위하여 1시간 이상의 예열 시간이 필요하며, 소결을 위한 열처리 시간도 30분 이상 걸리는 경우가 많아, 염료감응 태양전지의 단위 시간당 생산성이 낮추는 원인이 되었다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 적외선 열처리를 이용하여 단시간 저온 공정으로 다공성 반도체층을 형성하는 것이 가능한 염료감응 태양전지의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 염료감응 태양전지의 제조 방법은 제 1 전극이 형성된 하부 기판의 제 1 전극 상에 금속 산화물 입자들을 도포하고 적외선 열처리를 통해 소결하여 반도체층을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물 입자들의 표면에 염료를 흡착시키는 단계; 상부 기판의 제 2 전극이 상기 반도체층과 이격되도록 상부 기판을 하부 기판과 합착하는 단계; 및 상기 하부 기판 및 상부 기판 사이의 공간에 전해질을 주입하는 단계;를 포함한다.
상기 금속 산화물 입자들을 도포하는 것은 상기 제 1 전극 상에 상기 금속 산화물 입자들을 수용성 분산액에 분산시켜 도포하는 것이며, 상기 적외선 열처리는 도포된 상기 금속 산화물 입자들을 소결하는 것일 수 있다.
상기 적외선 열처리는 근적외선을 이용하며, 상기 적외선 열처리시 상기 하부 기판 상의 열유속은 1300W/㎡ 내지 1800W/㎡일 수 있다.
상기 적외선 열처리 시간은 30초 내지 5분일 수 있다.
상기 적외선 열처리는 적외선 램프를 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 본 발명은 금속 산화물 입자의 열처리를 적외선 열처리를 통하여 수행함으로써, 저온 공정에서 단시간에 다공성 반도체층을 다공성 반도체층을 형성할 수 있는 염료감응 태양전지의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 제조방법을 나타낸 단면도이며,
도 2a는 실험예 1 및 비교예, 도 2b는 실험예 2 및 비교예, 도 2c는 실험예 3 및 비교예에 따른 염료감응 태양전지의 전류-전압 그래프이다.
본 발명의 특징 및 작용들은 첨부도면을 참조하여 이하에서 설명되는 실시예들을 통해 명백하게 드러나게 될 것이다.
첨부된 도면과 연관하여 이하에서 개시되는 상세한 설명은 발명의 바람직한 실시예들을 설명할 의도로서 행해진 것이고, 발명이 실행될 수 있는 형태들만을 나타내는 것은 아니다. 본 발명의 사상이나 범위에 포함된 동일한 또한 등가의 기능들이 다른 실시예들에 의해서도 달성될 수 있음을 주지해야 한다. 또한, 도면에 개시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대한 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다. 그리고, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1a을 참조하면, 하부 기판(10)이 제공된다. 상기 하부 기판(10)은 광투과성 기판으로서, 그 재질은 유리 또는 광투과성 폴리머일 수 있다. 상기 광투과성 폴리머는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET;polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN;polyethylene naphathalate), 폴리이미드(Polyimides), 중합성 탄화수소류(Polymeric hydrocarons), 셀룰로오스(Celluloses), 플라스틱(Plastic), 폴리카보네이트, 폴리스티렌 및 이의 등가물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
상기 하부 기판(10) 상에 제 1 전극(20)을 형성한다. 상기 제1 전극(20)은 광투과성 전극으로서, 폴리아닐린 등의 전도성 고분자막일 수 있으며, ITO(indium tin oxide), FTO(F-doped SnO2), 또는 ITO 위에 ATO(antimony tin oxide)나 FTO가 코팅된 전도성 산화물 박막일 수 있다.
상기 제 1 전극(20)을 형성한 후, 상기 제 1 전극(20) 상에 반도체층을 형성한다. 상기 반도체층은 적층된 금속 산화물 입자들(30)을 구비할 수 있다. 상기 금속 산화물 입자(30)가 구형인 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 상기 금속 산화물 입자(30)는 튜브형, 와이어형 또는 막대형일 수 있고, 적어도 한 방향의 길이가 1000㎚ 미만인 나노 물질일 수 있다. 상기 금속 산화물은 티타늄 산화물(예를 들어, TiO2), 주석 산화물(예를 들어, SnO2), 텅스텐 산화물(예를 들어, WO3), 아연 산화물(예를 들어, ZnO), 지르코늄 산화물(예를 들어, ZrO2), 스트론튬 산화물(예를 들어, SrO) 또는 니오븀 산화물(예를 들어, Nb2O5)일 수 있다.
한편, 상기 반도체층은 제 1 전극(20) 상에 금속 산화물 입자들(30)을 도포하고 적외선 열처리를 수행하여 금속 산화물 입자들(30)을 소결하여 형성되며, 상기 금속 산화물 입자들(30)이 소결된 상기 반도체층의 두께는 15㎛이하, 바람직하게는 3㎛ 내지 10㎛일 수 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 금속 산화물 입자들(30)을 수용성 분산액에 분산시킨 용액을 상기 제 1 전극(20) 상에 도포한다. 상기 분산액은 물, 알콜, 물과 알콜의 혼합물 및 이의 등가물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 수용성 분산용매를 포함하며, 소량의 첨가제, 예를 들어 계면 활성제 또는 수용성 바인더를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같은 분산액, 즉, 수용성 분산용매 및/또는 수용성 바인더를 포함하는 분산액을 사용하는 경우는, 열처리로를 사용하지 않고 적외선 열처리를 이용하여 비교적 단시간 내에 소결을 수행하여 두께가 15㎛ 이하, 바람직하게는 두께가 3㎛ 내지 10㎛인 다공성의 반도체층을 형성하는 것이 가능하다.
이와 같은 분산액 제조를 위한 분산용매로서는 에탄올이 사용되며, 에탄올 단독으로 사용되기보다는 에탄올보다 유전상수(dielectric constant)가 작으면서 비점(boiling point)이 80 내지 150 ℃인 용매, 바람직하게는 부탄올, 특히 3급 부탄올을, 전체 혼합용매의 중량 대비 25wt% 내지 75wt%로 혼합시킨 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 혼합용매를 분산용매로서 사용하면, 금속 산화물 입자들(30)은 다공성 구조로 적층된다. 분산용매로서 에탄올만을 단독으로 사용할 경우, 금속 산화물 입자들(30)이 부분적으로만 다공성 구조로 형성되고 대부분 나노입자상으로 제 1 전극(20) 상에 축적되는 반면에, 부탄올을 적어도 25wt% 이상 함유한 에탄올을 사용하게 되면, 금속 산화물 입자들(30)은 대부분 다공성 구조로 제 1 전극(20) 상에 적층되며, 부탄올의 함량이 증대할수록 기공의 분포도 균일해지게 된다. 또한, 상기 금속 산화물 입자들(30)을 포함하는 분산액의 도포 방법은 스핀 코팅(spin coating)법, 딥 코팅(dip coating)법, 잉크젯 프린팅(ink-jet printing)법, 스프레이 코팅(spray coating)법, 스크린 프린팅(screen printing)법, 드롭 캐스팅(drop casting)법 및 닥터 블레이드(doctor blade)법 중 어느 하나의 방법일 수 있다.
상기 금속 산화물 입자들(30)을 수용성 분산액에 분산시킨 용액을 상기 제 1 전극(20) 상에 도포한 후, 적외선 열처리를 수행하여, 상기 금속 산화물 입자(30)들을 건조와 동시에 소결하여 다공성 구조의 반도체층을 형성한다.
이때, 상기 적외선 열처리는 적외선 램프(L)를 이용하여 수행될 수 있으며, 근적외선, 중적외선 및 원적외선 중 어느 하나를 이용하여 수행되는 적외선 열처리일 수 있다. 바람직하게는 상기 적외선 열처리는 온열효과가 큰 근적외선을 이용한 적외선 열처리일 수 있다. 또한, 상기 적외선 열처리는 상기 금속 산화물 입자(30)가 충분히 소결되어 다공성 구조의 반도체층을 형성하며, 상기 하부 기판(10)의 변형을 방지할 수 있도록 적절히 수행된다. 이에 따른 적외선 열처리 조건은 하부 기판(10) 상의 열유속은 1300W/㎡ 내지 1800W/㎡의 범위, 적외선 열처리 시간은 30초 내지 5분간에서 선택될 수 있으며, 상기 하부 기판(10) 상의 열유속이 높을수록 적외선 열처리 시간은 단축되며, 상기 하부 기판(10) 상의 열유속이 낮을수록 적외선 열처리 시간이 길어질 수 있다.
이는 열유속이 1300W/㎡ 미만이거나, 적외선 열처리 시간이 30초 미만인 경우에는 금속 산화물 입자들(30)의 소결을 위한 충분한 에너지를 공급하지 못하기 때문이다. 또한, 열유속이 1800W/㎡ 초과이거나, 적외선 열처리 시간이 5분 초과인 경우에는 상기 금속 산화물 입자들(30)의 소결을 위해 공급되는 에너지가 유리 또는 폴리머 재질의 상기 하부 기판(10)에 전달되어 하부 기판(10)의 변형을 발생할 수 있기 때문이다.
따라서, 상기와 같이, 수용성 분산용매를 사용하여 금속 산화물 입자들(30)을 적층시킨 후, 적외선 열처리를 통하여 수용성 분산용매를 증발시키는 건조 및 상기 금속 산화물 입자들(30)의 소결을 수행하는 방법은 금속 산화물 입자들(30)을 분산시키기 위하여 유기 분산용매를 사용하고, 열처리를 위하여 열처리로를 사용하는 방법에 비하여 단시간의 저온 공정임을 알 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 금속 산화물 입자들(30)을 적층시킨 후, 상기 금속 산화물 입자들(30)의 표면에 염료(35) 입자를 흡착시킨다. 상기 염료(35)는 태양광을 흡수하여 전자-홀 쌍을 생성할 수 있는 물질로서, 예를 들면, 유기 염료 또는 양자점 무기 염료일 수 있다. 상기 유기 염료는 루테늄계 유기금속화합물 또는 유기화합물일 수 있으며, 양자점 무기 염료는 InP 또는 CdSe일 수 있다. 이중 루테늄계 유기금속화합물은 중심금속인 루테늄 주위에 피리딘계 리간드들, 또는 피리딘계 리간드들/SCN 리간드들이 배위된 염료일 수 있다. 상기 루테늄계 유기금속화합물 중 가장 대표적인 것은 루테늄 주위에 바이피리딘 리간드 두 개와 SCN 리간드 두 개가 배위된 N3 염료이다. 이러한 N3 염료의 흡수도(absorbance)가 최대값을 나타내는 파장 즉, 최대 흡수파장(λmax)은 약 518nm인 것으로 알려져 있다.
또한, 상기 염료(35)의 흡착 방법은 상기 루테늄계 유기금속화합물은 에탈올 용액에 용해되어, 상기 적층된 금속 산화물 입자들(30)이 형성된 기판(10)을 12시간 이상 함침시켜, 금속 산화물 입자들(30)의 표면에 흡착시킨 후, 에탈올로 세척 및 건조하는 방법을 이용하여 수행될 수 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 염료(35)를 금속 산화물 입자들(30)의 표면에 흡착시킨 후, 상기 기판(10)의 테두리부에 상기 반도체층의 높이보다 일정 높이 이상으로 봉지재(70)를 형성한다.
그런 다음, 일면에 제 2 전극(50)이 형성된 상부 기판(60)을 준비하고, 상기 제 2 전극(50)이 상기 금속 산화물 입자들(30)을 향하도록 상부 기판(60)을 배치한다. 그리고, 상기 상부 기판(60)의 테두리부를 상기 봉지재(70)에 밀착시키고, 합착하여, 상기 제 2 전극(50) 및 상기 반도체층이 일정 간격 이격되어 공간을 형성할 수 있도록 한다. 즉, 상기 상부 기판(60) 및 하부 기판(10) 사이에 공간이 마련된다.
이때, 상기 상부 기판(60)은 상기 하부 기판(10)과 마찬가지로, 광투과성 기판일 수 있으며, 그 재질은 유리 또는 광투과성 폴리머일 수 있다.
그리고, 상기 제 2 전극(50)은 상기 상부 기판(60)의 일면 상에 형성된 광투과성 도전성 박막 및 이후에 상기 상부 기판(60) 및 하부 기판(10) 사이의 공간에 주입되는 전해질의 환원 반응을 촉진할 수 있는 백금 전극을 포함할 수 있다. 이때, 상기 광투과성 도전성 박막은 폴리아닐린 등의 전도성 고분자막일 수 있으며, ITO(indium tin oxide), FTO(F-doped SnO2), 또는 ITO 위에 ATO(antimony tin oxide)나 FTO가 코팅된 전도성 산화물 박막일 수 있다 .
상기 상부 기판(60)을 합착한 후, 상기 밀봉재(70)의 일측에 미리 형성된 전해질 주입구(도면상에는 미도시)를 통하여 전해질(40)을 주입하여 상기 상부 기판(60) 및 하부 기판(10) 사이의 공간을 충진시키며, 이후에 상기 전해질 주입구를 밀봉하여 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지(100)를 제조한다.
이때, 상기 전해질(40)은 상기 다공성 반도체층 내로 도입될 수 있으며, 상기 다공성 반도체층에서의 확산이 용이하도록 액체 전해질일 수 있다. 상기 액체 전해질은 매질로서 아세토니트릴(acetonitrile)과 같은 액체를 함유할 수 있고, 또한 산화-환원종으로서 I-/I3 -를 함유할 수 있다. 상기 I-의 소오스로는 LiI, NaI, 또는 이미다졸리윰 요오드가 사용될 수 있으며, I3 -는 I2를 매질에 녹여 생성할 수 있다.
상기 하부 기판(10)을 통해 입사된 태양광(Li)의 전체 파장대역 중 특정 파장대역은 상기 염료(35)에 의해 흡수되고, 상기 광에너지를 흡수한 염료(35)는 유기 염료인 경우 MLCT(Metal to Ligand Charge Transfer)에 의해 전자-홀 쌍을 생성할 수 있다. 상기 생성된 전자는 상기 금속 산화물 입자(30)를 통해 상기 제1 전극(20)으로 전달된다. 상기 전해질 내의 I-는 I3 -으로 산화되면서, 산화된 염료(35)에 전자를 전달하고, 염료(35)는 다시 환원된다. I3 -는 상기 제2 전극(50)으로부터 전자를 받아 I-로 다시 환원될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1>
투명 유리 재질의 하부 기판 상에 FTO 재질의 전극을 형성하고, FTO 상에 닥터 블레이드법을 이용하여 이산화티탄(TiO2) 재질의 금속 산화물 입자를 포함하는 분산액을 도포하였다. 그런 다음, 제논 램프(Xenon lamp, Oriel)를 이용하여 상기 하부 기판 상의 열유속이 1310.97W/㎡인 조건에서 5분간 열처리하여, 분산액을 증발시키고 금속 산화물 입자를 소결하고, 루테늄계 N719 염료 용액(Dyesol사 제조)에 24시간 동안 함침하여 금속 산화물 입자에 염료를 흡착시켜 3.5㎛의 다공성 반도체층을 형성하였다.
다공성 반도체층을 형성한 후, 투명 유리 재질의 상부 기판을 준비하고, 그 일면 상에 FTO를 증착하고, 상기 FTO 상 백금층을 형성하여 FTO/백금층의 전극을 형성하였다.
상기 하부 기판의 전극 및 상부 기판의 전극을 대향하도록 배치하고, SURLYN(Du Pont사 제조)으로 이루어지는 약 60㎛두께의 봉지재를 형성한 후, 130도 오븐에 넣어 2분 동안 유지하여 하부 기판 및 상부 기판을 부착하여 밀봉하였다.
그런 다음, 액체 전해질을 주입한 뒤, 투명마킹 테잎으로 밀봉하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
<실험예 2>
제논 램프를 조절하여 열유속이 1760.45W/㎡인 조건에서 30초간 열처리한 것을 제외하고, 상기 실험예 1과 동일한 방법을 사용하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
<실험예 3>
60초간 열처리한 것을 제외하고, 상기 실험예 2와 동일한 방법을 사용하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
<비교예>
열처리로(furnace)를 이용하여 150℃에서 30분간 열처리하는 것을 제외하고, 상기 실험예 1과 동일한 방법을 사용하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
한편, 상기의 실험예 1 내지 3 및 비교예에 사용된 제논 램프의 태양 조건은 AM 1.5였으며, 표준 태양전지를 사용하여 보정하였다.
도 2a는 실험예 1 및 비교예, 도 2b는 실험예 2 및 비교예, 도 2c는 실험예 3 및 비교예에 따른 염료감응 태양전지의 효율 특성 비교를 설명하기 위한 전류-전압 그래프이다.
또한, 표 1은 상기 실험예 1 내지 3 및 비교예에 의하여 측정된 개방 전압(Voc), 단락 전류(Isc), 단락 전류 밀도(Jsc), 필팩터(Fill Factor) 및 태양전지의 효율을 측정한 결과이다.
이때, 태양전지의 효율은 하기 수학식 1을 이용하여 계산한 값이다.
[수학식 1]
Figure 112010040599754-pat00001
(단, PIN=100㎽/㎠)
구분 열처리
기구		 가열 조건 열처리
시간		 Voc(V) Isc(A) Jsc(㎃/
㎠)		 Fill
Factor(%)		 효율(%)
실험예 1 제논 램프 1310.97 W/㎡ 5분 0.6089 0.00197 7.874 64.48 3.09
실험예 2 제논 램프 1760.45
W/㎡		 30초 0.6695 0.00199 7.946 65.09 3.46
실험예 3 제논 램프 1760.45
W/㎡		 60초 0.6507 0.00233 9.332 64.05 3.89
비교예 열처리 로 150℃ 30분 0.6566 0.00216 8.642 65.75 3.73
도 2a 내지 도 2c 및 표 1을 참조하면, 실험예 1 내지 실험예 3은 비교예 1에 비하여 염료감응 태양전지의 효율이 큰 차이가 없음을 알 수 있다. 즉, 금속 산화물 입자의 소결에 적외선 열처리를 적용하는 것이 가능함을 알 수 있다. 특히, 실험예 3과 같이 하부 기판 상의 열유속이 1700W/㎡ 이상인 조건에서 60초간 적외선 열처리를 수행하여 반도체층을 형성한 염료감응 태양전지의 경우, 열처리를 위하여 장시간이 필요했던 열처리로에서 열처리를 수행하여 반도체층을 형성한 염료감응 태양전지보다 효율이 우수함을 알 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.
10; 하부 기판 20; 제 1 전극
30; 금속 산화물 입자 35; 염료
40; 전해질 50; 제 2 전극
60; 상부 기판 70; 봉지재
100; 염료감응 태양전지

Claims (6)

  1. 제 1 전극이 형성된 하부 기판의 제 1 전극 상에 금속 산화물 입자들을 도포하고 적외선 열처리를 통해 소결하여 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 금속 산화물 입자들의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;
    상부 기판의 제 2 전극이 상기 반도체층과 이격되도록 상부 기판을 하부 기판과 합착하는 단계; 및
    상기 하부 기판 및 상부 기판 사이의 공간에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하고,
    상기 적외선 열처리 시간은 30초 내지 5분인 염료감응 태양전지의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자들을 도포하는 것은 상기 제 1 전극 상에 상기 금속 산화물 입자들을 수용성 분산액에 분산시켜 도포하는 것이며,
    상기 적외선 열처리는 도포된 상기 금속 산화물 입자들을 소결하는 것인 염료감응 태양전지의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 적외선 열처리는 근적외선을 이용하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 적외선 열처리시 상기 하부 기판 상의 열유속은 1300W/㎡ 내지 1800W/㎡인 염료감응 태양전지의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 적외선 열처리는 적외선 램프를 이용하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
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