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KR101125762B1 - 반도체용 접착필름 및 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

반도체용 접착필름 및 이를 이용한 반도체 장치 Download PDF

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KR101125762B1
KR101125762B1 KR1020097022227A KR20097022227A KR101125762B1 KR 101125762 B1 KR101125762 B1 KR 101125762B1 KR 1020097022227 A KR1020097022227 A KR 1020097022227A KR 20097022227 A KR20097022227 A KR 20097022227A KR 101125762 B1 KR101125762 B1 KR 101125762B1
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semiconductors
resin
less
semiconductor
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히로유키 야스다
마사토 요시다
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스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
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Abstract

(A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름으로서, 상기 반도체용 접착 필름의 실온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도가 0.1Pa?s 이상 500Pa?s 이하이며, 또한 휘발분이 5.0% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 필름에 의해 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재를 보다 빈틈없이 보이드 발생을 억제하면서 접착할 수 있어 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공가능하게 한다.

Description

반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 장치{ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH}
본 발명은 반도체용 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
근래의 반도체 패키지에는 리드 프레임 대신에 비스말레이미드-트리아진 기판이나 폴리이미드 기판과 같은 유기 기판의 사용이 증가하고 있다.
상기 반도체 패키지는 반도체 소자, 반도체 소자 탑재용 지지 부재 및 봉지 재료를 구성 요소로 하지만, 이 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재를 접합하는데에 폴리이미드계 반도체용 접착 필름 등이 이용되고 있었다.
특허문헌 1: 일본 특개 평6-264035호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 2000-200793호 공보
특허문헌 3: 일본 특개 2003-96426호 공보
그러나 상기 문헌에 기재된 종래 기술은 아래와 같은 점에서 개선의 여지를 가지고 있었다.
종래 알려져 있던 반도체용 접착 필름을 이용하여 반도체 소자와 유기 기판이 접착된 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하면 크랙이 생기기 쉬운 등 신뢰성이 낮다고 하는 과제가 있었다.
본 발명에서는 실온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도를 0.1Pa?s 이상 500 Pa?s 이하로 하고, 또한 휘발분을 5.0% 이하로 함으로써 상기 반도체 장치의 신뢰성을 향상할 수 있음을 알아내었다.
본 발명은 (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름으로서, 상기 반도체용 접착 필름의 실온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도가 0.1Pa?s 이상 500Pa?s 이하이며, 또한 휘발분이 5.0% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 특정 온도 범위에서 특정 범위의 최저 용융 점도를 갖는다. 상기 온도 범위는 필름을 첩부할 때에 설정할 수 있는 온도이며, 상기 최저 용융 점도를 얻을 수 있는 부근의 온도에서 본 발명의 반도체용 접착 필름을 첩부하면 알맞게 낮은 용융 점도를 실현할 수 있어 회로 기판의 요철에 빈틈없이 접착제가 충전되어 간다. 또, 충전한 재료의 휘발분이 많으면 가스가 발생하여 크랙의 원인이 되기 때문에, 동시에 휘발분을 5.0% 이하로 함으로써 가스 발생에 의한 보이드 발생도 막을 수 있다.
본 발명의 반도체 접착 필름을 이용하면 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재, 특히 유기 기판을 보다 빈틈없이 보이드 발생을 억제하면서 접착할 수 있어 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 바람직한 형태
본 발명의 반도체용 접착 필름은 (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름으로서,
상기 반도체용 접착 필름의 실온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도가 0.1Pa?s 이상 500 Pa?s 이하이고, 또한 휘발분이 5.0% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 필름이다.
종래의 반도체용 접착 필름인 폴리이미드계 반도체 접착 필름을 이용하여 반도체 소자를 반도체 소자 탑재용 지지 부재에 접착하여 반도체 장치를 제작했을 경우, 접착 계면에 크랙이 발생기기 쉬운 등 신뢰성에 과제가 있었다. 발명자들은 종래의 반도체 장치를 단면 해석이나 주사형 초음파탐상기(SAT) 해석 등을 구사하여 예의 연구를 거듭한 결과, 종래의 반도체용 접착 필름을 이용했을 경우에는 반도체 장치 제작 직후의 상태에서 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재 사이에 틈이 발생했음을 발견하였다.
이 현상은 반도체 소자 탑재용 지지 부재로서 금속 배선이 표면에 설치되어 있는 유기 기판을 이용했을 때에 현저하였다. 유기 기판에 금속 배선이 설치되어 있으면 배선 두께에 의한 요철이 발생하여 반도체 소자와의 접착시에 반도체용 접착 필름에 의해 적절히 이 요철을 메울 수 없어 틈(보이드)으로 남아 버리는 점이 신뢰성을 악화시키는 원인이 되었을 것으로 생각된다.
발명자들은 요철이 적절히 메워지지 않는 것은 접착시의 반도체용 접착 필름의 용융 점도가 높은 것이 원인이라고 생각하고 종래의 반도체용 접착 필름인 폴리이미드계 반도체 접착 필름의 용융 점도를 조사한 바 첩부 온도에서의 용융 점도는 4000Pa?s정도였다.
본 발명에서는 접착시의 반도체용 접착 필름의 용융 점도를 종래의 용융 점도보다 충분히 낮은 0.1Pa?s 이상 500Pa?s 이하로 설정하고, 나아가 휘발분을 5.0% 이하로 억제함으로써 보다 알맞게 상기 틈을 충전하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있음을 발견하였다. 또, 해당 용융 점도를 실현하는 온도를 종래의 접착 온도보다 비교적 낮은 50℃ 이상 180℃ 이하로 설정함으로써 반도체 소자의 열 손상을 막을 수 있다.
본 발명에서 실온에서 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도를 측정하고, 그 값이 0.1 Pa?s 이상 500Pa?s 이하이면 그 최저 용융 점도 부근의 온도를 접착 온도로서 채택함으로써 적절한 접착 온도를 설정하는 것이 가능해진다.
본 발명에서의 용융 점도는 예를 들어 점탄성 측정장치인 레오미터(rheometer)를 이용하여 필름 상태의 샘플에 10℃/분의 승온 속도에서 주파수 1Hz의 전단력을 부여하여 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체용 접착 필름의 온도에 대한 용융 점도의 관계의 일례를 모식적으로 나타낸 것이다. 세로축은 용융 점도(η), 가로축은 온도(t)를 나타내고 있다. 본 발명의 반도체용 접착 필름은 도 1에 나타내는 바와 같이 이 반도체용 접착 필름을 25℃로부터 10℃/분의 승온 속도로 용융 상태까지 승온했을 때에 초기에는 용융 점도가 감소하고(도면 중 화살표 A), 소정 온도(t1)에서 최저 용융 점도(η1)에 도달한 후 다시 상승(도면 중 화살표 B)하는 특성을 갖는다. 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용한 반도체 장치의 일례를 도 2에 나타낸다. 도 2에 나타내는 바와 같이 반도체 소자(2)와 반도체 소자 탑재용 지지 부재(3)가 반도체용 접착 필름(1)에 의해 접착되어 있다.
이때 반도체용 접착 필름의 50℃로부터 180℃의 영역에서 최저 용융 점도는 0.1Pa?s 이상 500Pa?s 이하가 되도록 설계한다. 또한, 상기 용융 점도는 1Pa?s 이상 100Pa?s 이하가 바람직하고, 특히 5Pa?s 이상 50Pa?s 이하가 바람직하다. 500Pa?s 이하이면 열압착시에 유동성이 향상되어, 유기 기판에 설치된 회로와의 사이의 틈을 충전하는 것이 가능해진다. 0.1Pa?s 이상이면 필요 이상으로 반도체용 접착 필름이 플로우하는 것을 억제할 수 있기 때문에 반도체 소자를 오염시킬 위험이 낮아져 반도체용 접착 필름을 더욱 가열 경화시키는 경우에 반도체용 접착 필름이 유기 기판으로부터 발생하는 가스 성분을 끌어들이는 것으로 인한 보이드 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
상기 최저 용융 점도는 (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제로 구성되며, (B) 에폭시 수지 또는 (C) 경화제에 유동성이 높은 25℃에서 액상인 저분자 모노머를 사용하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 이때 25℃에서 고형인 모노머를 병용하면 최저 용융 점도를 이 범위로 설계하면서 반도체용 접착 필름의 실온에서의 점착성(tackiness)이 증대하는 것을 억제하여 작업성을 올릴 수 있다.
또는 예를 들어 분자 내에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 모노머와 같은 (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제와 반응성을 보이지 않는 25℃에서 액상인 성분을 첨가하는 방법을 들 수 있다. 구체적인 예로는 아크릴계 화합물을 주성분으로 하는 자외선 경화성 수지, 우레탄 아크릴레이트 올리고머 또는 폴리에스테르 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주성분으로 하는 자외선 경화성 수지, 에폭시계 수지, 비닐페놀계 수지의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 주성분으로 하는 자외선 경화성 수지 등을 들 수 있다.
또한 (A) 열가소성 수지에 대해, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제의 함유율을 높게 하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 구체적으로는 (A) 열가소성 수지의 함유량을 a 중량부, (B) 에폭시 수지의 함유량을 b 중량부, (C) 경화제의 함유량을 c 중량부로 했을 경우, 0.1≤a/(a+b+c)≤0.5로 함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름의 휘발분은 5.0% 이하이다. 휘발분으로는 반도체용 접착 필름을 열처리에 의해 경화시킬 때 반도체용 접착 필름에 포함되는 열경화성 수지로 반응하지 않았던 것 및 그 분해물 또는 열경화 반응에 기여하지 않는 원료 및 그 분해물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 특히 열경화 반응에 기여하지 않는 원료를 포함하지 않음으로써 휘발분을 5.0% 이하로 할 수 있다. 휘발분의 구체적인 예로는 예를 들어 (메타)아크릴기를 가지는 화합물 등의 자외선 경화성 수지, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 벤조산 메틸, 벤조인 벤조산, 벤조인 메틸 에테르, 벤질 페닐 술피드, 벤질, 디벤질, 디아세틸 등의 자외선 경화개시제 등을 들 수 있다.
본 발명의 휘발분은 예를 들어 50㎜×50㎜의 정사각형으로 절단한 반도체용 접착 필름을 200℃/2h로 가열 처리했을 경우에 가열 전후의 중량 감소분을 휘발분으로서 측정한다. 본 발명에서 휘발분은 바람직하게는 5.0% 이하, 특히 바람직하게는 3.0% 이하이다. 이렇게 함으로써 반도체용 접착 필름을 열처리에 의해서 경화시킬 때 반도체용 접착 필름의 용융 점도가 저하했을 때에 필름으로부터 가스 성분이 발생하지 않아 보이드를 발생시키지 않고 반도체용 접착 필름을 경화시킬 수 있기 때문에 반도체 장치를 기판에 실장시킬 때에 리플로우 로(爐)에 의해 고온 상태가 되었을 경우에 필름 내 보이드의 열팽창에서 기인하는 크랙의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름의 접착 후 다이 쉐어(die-shear) 강도는 바람직하게는 1MPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 2MPa 이상이다. 이렇게 함으로써 반도체 장치를 기판에 실장시킬 때에 리플로우 로에 의해 고온 상태로 되었을 경우에 접착력 저하로 인한 박리가 억제되어 박리에서 기인되는 리플로우 크랙을 억제할 수 있다.
다이 쉐어 강도는 반도체용 접착 필름을 4×4㎜ 크기의 두께 550㎛의 실리콘칩과 솔더 레지스트(타이요 잉크제조(주)사제: 상품명: AUS308)를 코팅한 비스말레이미드-트리아진 기판의 사이에 끼우고, 130℃, 5N, 1초간으로 열압착하고, 열처리에 의해 경화시킨 샘플을 260℃의 열반(hot plate) 상에 20초간 유지한 후 실리콘 칩 측으로부터 0.5㎜/분의 속도로 전단응력을 가했을 때의 전단 강도로 측정된다.
본 발명은 (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름이다. 이하에 본 발명의 반도체용 접착 필름의 각 성분에 대해 설명한다. 또한, 아래 내용은 예시이며 본 발명은 전혀 아래 내용으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용하는 (A) 열가소성 수지란 열소성을 가지는 것으로, 대표적으로는 주쇄 골격이 선상인 화학 구조를 가지는 고분자 수지를 의미한다. 구체적으로는 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 등의 폴리이미드계 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 등의 폴리아미드계 수지, 아크릴산 에스테르 공중합체 등의 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 아크릴계 수지가 바람직하다. 아크릴계 수지는 유리 전이 온도가 낮기 때문에 초기 밀착성을 향상시킬 수 있다. 여기에서 초기 밀착성이란 반도체용 접착 필름으로 반도체 소자와 지지 부재를 접착했을 때의 초기 단계에서의 밀착성으로 즉 반도체용 접착 필름을 경화 처리하기 전의 밀착성을 의미한다.
아크릴계 수지는 아크릴산 및 그 유도체를 주성분 원료 모노머로 하는 수지를 의미한다. 구체적으로는 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸 등의 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸 등의 메타크릴산 에스테르, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등의 중합체 및 다른 단량체와의 공중합체 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 에폭시기, 수산기, 카르복실기, 니트릴기 등을 가지는 화합물을 가지는 아크릴계 수지(특히, 아크릴산 에스테르 공중합체)가 바람직하다. 이에 의해 반도체 소자 등의 피착체에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다. 상기 관능기를 가지는 화합물로서 구체적으로는 글리시딜 에테르기를 가지는 글리시딜 메타크릴레이트, 수산기를 가지는 히드록시 메타크릴레이트, 카르복실기를 가지는 카르복실메타크릴레이트, 니트릴기를 가지는 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 니트릴기를 가지는 화합물을 포함하는 아크릴산 에스테르 공중합체가 바람직하다. 이에 의해 피착체에 대한 밀착성을 특히 향상시킬 수 있다.
상기 관능기를 가지는 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않으나 상기 아크릴계 수지 전체의 0.5 중량% 이상 40 중량% 이하가 바람직하고 특히 5 중량% 이상 30 중량% 이하가 바람직하다. 함유량이 0.5 중량% 이상이면 밀착성을 향상시키는 효과가 높아지고, 40 중량% 이하이면 점착력을 억제할 수 있기 때문에 작업성을 향상시키는 효과가 높아진다.
본 발명에서 이용되는 (A) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 10만 이상이 바람직하고, 특히 15만~100만이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 이 범위 내이면 특히 반도체용 접착 필름의 제막성을 향상시킬 수 있다. 또한, 중량 평균 분자량이 이 범위 내이면 열가소성 수지 중에 열경화성의 관능기를 포함하고 있는 경우에도 열처리에 의해 수지 단독으로 경화 거동을 나타내는 일은 거의 없다.
본 발명에서 이용되는 (A) 열가소성 수지의 유리 전이 온도는 특별히 한정되지 않으나, -20℃ 이상 60℃ 이하가 바람직하고, 특히 -10℃ 이상 50℃ 이하가 바람직하다. 유리 전이 온도가 -20℃ 이상이면 반도체용 접착 필름의 점착력을 억제할 수 있기 때문에 작업성을 향상시키는 효과가 높아진다. 유리 전이 온도가 60℃ 이하이면 저온 접착성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 이용되는 (A) 열가소성 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않으나 (A) 열가소성 수지 a 중량부, (B) 에폭시 수지 b 중량부, (C) 경화제 c중량부로 했을 경우 0.1≤a/(a+b+c)≤0.5가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15≤a/(a+b+c)≤0.4이며, 0.2≤a/(a+b+c)≤0.3이 특히 바람직하다. 0.1 이상이면 수지 조성물의 성막성이 향상되고, 반도체용 접착 필름의 인성(靭性)이 향상된다. 0.5 이하이면 필름상 접착제의 첩부시 유동성이 향상되어, 열압착했을 때에 유기 기판의 회로 단차에 필름상 접착제를 충전시킬 수 있다.
본 발명에서 사용하는 (B) 에폭시 수지는 모노머, 올리고머 및 폴리머 중 어느 하나를 말한다. 예를 들어 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지방족형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 변성 페놀형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리아진핵 함유 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기 (B) 에폭시 수지의 함유량은 상기 (A) 열가소성 수지 10 중량부에 대해 10 중량부 이상, 특히 20 중량부 이상이 바람직하다. 이렇게 함으로써 첩부시의 유동성이 향상된다. 또 (B) 에폭시 수지의 함유량은 상기 (A) 열가소성 수지 10 중량부에 대해 100 중량부 이하가 바람직하고, 특히 50 중량부 이하가 바람직하다. 이렇게 함으로써 반도체용 접착 필름의 인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 사용하는 (C) 경화제는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이면 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 (C) 경화제의 구체적인 예로는 예를 들어 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 메타크실릴렌디아민 등의 지방족 폴리아민, 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 폴리아민, 디시안디아미드, 유기산 디히드라지드 등을 포함하는 폴리아민 화합물 등의 아민계 경화제, 헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산 등의 지방족산 무수물, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 벤조페논테트라카르복시산 등의 방향족산 무수물 등의 산무수물계 경화제, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아랄킬(페닐렌, 비페닐렌 골격을 포함함) 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 비스(모노 또는 디-t-부틸페놀)프로판, 메틸렌비스(2-프로페닐)페놀, 프로필렌비스(2-프로페닐)페놀, 비스[(2-프로페닐옥시)페닐]메탄, 비스[(2-프로페닐옥시)페닐]프로판, 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-(2-프로페닐)페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-(1-페닐에틸)페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-히드록시메틸페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-(2-프로페닐)페놀], 4,4'-(1-메틸테트라데실리덴)비스페놀 등의 페놀계 경화제 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 25℃에서 점도가 30Pa?s(30,000cps) 이하인 액상의 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 25℃에서 점도가 10Pa?s(10,000cps) 이하인 액상 경화제가 바람직하다. 본 발명에서 이용되는 경화제의 25℃에서의 점도를 일정값 이하로 함으로써 초기 첩부성이나 신뢰성이 향상된다.
본 발명에서 사용하는 (C) 경화제로서 바람직하게는 액상 페놀 화합물을 들 수 있다. 액상 페놀 화합물의 구체적인 예로는 비스(모노 또는 디-t-부틸페놀)프로판, 메틸렌비스(2-프로페닐)페놀, 프로필렌비스(2-프로페닐)페놀, 비스[(2-프로페닐옥시)페닐]메탄, 비스[(2-프로페닐옥시)페닐]프로판, 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-(2-프로페닐)페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-(1-페닐에틸)페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-히드록시메틸페놀], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)비스[2-메틸-6-(2-프로페닐)페놀], 4,4'-(1-메틸테트라데실리덴)비스페놀을 들 수 있다. 이러한 액상 페놀 화합물 점도는 핵체수 n이나 벤젠환 치환기의 종류에 의해 제어할 수 있다.
본 발명에서 이용되는 (C) 경화제의 첨가량은 에폭시 당량과 경화제의 당량비를 계산해서 정할 수 있다. (B) 에폭시 수지의 에폭시 당량과 (C) 경화제의 관능기의 당량(예를 들어 페놀 수지라면 수산기 당량)의 비가 0.5 이상, 특히 0.7 이상이 바람직하다. 이렇게 함으로써 반도체용 접착 필름의 내열성이 향상된다. 또 1.5 이하가 바람직하고, 특히 1.3 이하가 바람직하다. 이렇게 함으로써 반도체용 접착 필름의 보존성이 향상된다.
본 발명에서 사용되는 (C) 경화제는 바람직하게는 식 (1)으로 표시되는 것이다. 식 (1)로 표시되는 화합물은 알릴페놀을 포름알데히드로 중축합한 것이며, 바람직한 구체적인 예로는 2-(2-프로페닐)페놀의 중축합물이다.
Figure 112009065034191-pct00001
(식 중, p, q, r은 1~3의 정수를 나타낸다. R1, R2, R3은 알릴기를 나타낸다.
본 발명에서는 (C) 경화제로서 고형 페놀 수지를 첨가하는 것도 가능하다. 고형 페놀 수지를 병용함으로써 실온에서의 반도체용 접착 필름의 점착성을 경감하여 작업성을 향상시킬 수 있다. 또, 이 고형 페놀 수지는 상기 (B) 에폭시 수지와 경화 반응을 하여 가교 구조를 형성할 수 있는 25℃ 상압에서 고체 상태인 적어도 2개 이상의 페놀성 수산기를 가지는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반을 가리키며 예를 들어 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아랄킬(페닐렌, 비페닐렌 골격을 포함함) 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 뿐만 아니라 복수로 이용해도 된다.
상기 수지 조성물은 경화 반응을 촉진시키기 위해 필요에 따라서 경화 촉진제를 포함해도 된다. 경화 촉진제의 구체적인 예로는 이미다졸류, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센 등 아민계 촉매, 트리페닐포스핀 등 인계 촉매를 들 수 있다.
본 발명의 필름상 접착제층은 필요에 따라서 추가로 커플링제를 포함할 수 있다. 이에 따라 수지와 피착체 및 수지의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
커플링제로는 실란계, 티탄계, 알루미늄계 등을 들 수 있지만 그 중에서도 실란계 커플링제가 바람직하다. 커플링제로는 예를 들어 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 커플링제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만 상기 아크릴산에스테르 공중합체 100 중량부에 대해 0.01 중량부 이상, 특히 0.1 중량부 이상이 바람직하다. 이렇게 함으로써 밀착성이 향상되는 효과가 높아진다. 또, 배합량은 10 중량부 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써 아웃가스나 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
상기 수지 조성물은 필요에 따라 다른 성분으로서 시아네이트기를 가지는 유기 화합물을 포함해도 된다. 이에 의해 피착체에 대한 밀착성과 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 시아네이트기를 가지는 유기 화합물로는 예를 들어 비스페놀 A 디시아네이트, 비스페놀 F 디시아네이트, 비스(4-시아나토페닐)에테르, 비스페놀 E 디시아네이트, 시아나토노볼락 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 필름은 예를 들어 상기 수지 조성물을 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 톨루엔, 디메틸포름알데히드 등의 용제에 용해하고 바니시 상태로 한 후 콤마 코터, 다이 코터, 그라비아 코터 등을 이용하여 이형 시트에 도공하여 건조시킨 후 이형 시트를 제거함으로써 얻을 수 있다.
상기 반도체용 접착 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으나 3㎛ 이상 100㎛ 이하가 바람직하고, 특히 5㎛ 이상 70㎛ 이하가 바람직하다. 두께가 상기 범위 내이면 특히 두께 정밀도 제어를 용이하게 할 수 있다.
상술한 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은 아래에서 말하는 바람직한 실시의 형태 및 그에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 분명해진다.
도 1은 본 발명의 반도체용 접착 필름의 온도에 대한 용융 점도의 관계를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 일례를 모식적으로 나타낸 반도체 장치의 단면도이다.
우선 반도체용 접착 필름의 실시예 및 비교예에 대해 설명한다.
(실시예 1)
(1) 반도체용 접착 필름 수지 바니시의 조제
(A) 열가소성 수지로서 아크릴산 에스테르 공중합체(부틸아크릴레이트-아크 릴로니트릴-에틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트 공중합체, 나가세 켐텍스(주)제, SG-80HDR, Tg: 10℃, 중량 평균 분자량: 350,000) 100 중량부와, 경화성 수지로서 에폭시 수지(EOCN-1020-80(오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 97 중량부와, NC6000(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 146 중량부, 액상 페놀 화합물(MEH-8000H, 수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 110 중량부, 고형 페놀 수지(PR-HF-3, 수산기 당량 104g/OH기, 스미토모 베이클라이트(주)제) 47 중량부, 경화 촉진제로서 이미다졸 화합물(2P4MHZ-PW, 시코쿠 화성(주)제) 0.75 중량부, 커플링제로서 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM403E, 신에츠 화학(주)제) 1.3 중량부를 메틸 에틸 케톤(MEK)에 용해하여 수지 고형분 49%의 수지 바니시를 얻었다.
Figure 112009065034191-pct00002
(2) 반도체용 접착 필름의 제조
콤마 코터를 이용하여 위에서 기술한 수지 바니시를 기재 필름(I)인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(미츠비시 화학 폴리에스테르 필름(주)사제, 품번 MRX50, 두께 50㎛)에 도포한 후 90℃, 5분간 건조하여 두께 25㎛의 반도체용 접착 필름을 얻었다.
(3) 기재 필름(II) 및 점착제층의 제조
기재 필름(II)으로서 하이브라(HYBRAR) 60 중량부 폴리프로필렌 40 중량부로 이루어진 클리어텍 CT-H717(쿠라레 제)을 압출기로 두께 100㎛의 필름을 형성하고, 표면을 코로나 처리하였다. 다음으로, 아크릴산 2-에틸헥실 50 중량부와 아크릴산 부틸 10 중량부, 아세트산비닐 37 중량부, 메타크릴산 2-히드록시에틸 3 중량부를 공중합하여 얻어진 중량 평균 분자량 500,000의 공중합체를 박리 처리한 두께 38㎛의 폴리에스테르 필름에 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도공하고 80℃에서 5분간 건조하여 점착제층을 얻었다. 그 후 점착제층을 기재 필름(II)의 코로나 처리면에 라미네이트하여 기재 필름(II) 및 점착제층을 얻었다.
(4) 다이싱 시트 기능이 있는 다이 어태치 필름의 제조
앞서 말한 기재 필름(I)이 있는 필름상 접착제층에 보호 필름을 첩부하여 기재 필름(I) 및 필름상 접착제층을 하프 컷하고 앞서 말한 기재 필름 (II)상의 점착제층에 첩부하고 보호 필름을 벗김으로써 기재 필름(II), 점착제층, 기재 필름(I) 및 필름상 접착제층이 이 순서로 구성되는 다이싱 시트 기능이 있는 다이 어태치 필름을 얻었다.
(5) 반도체 장치의 제조
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 기능이 있는 다이 어태치 필름을 5인치 200㎛ 웨이퍼의 이면에 60℃로 첩부하고 다이싱 기능이 있는 다이 어태치 필름 부착 웨이퍼를 얻었다. 그 후 다이싱 기능이 있는 다이 어태치 필름 부착 웨이퍼를 다이싱 소를 이용하여 스핀들 회전수 30,000rpm, 절단 속도 50㎜/sec로 5㎜×5㎜ 정사각형의 반도체 소자 크기로 다이싱(절단)하고 뒤이어서 다이싱 시트 기능이 있는 다이 어태치 필름의 이면으로부터 밀어 올려 기재 필름(II) 및 필름상 접착제층 사이에서 박리하여 다이 어태치 필름이 접착한 반도체 소자를 솔더 레지스트(타이요 잉크제조(주)사제: 상품명: AUS308)를 코팅한 비스말레이미드-트리아진 수지 기판(회로 단차 5~10㎛)에 130℃, 5N, 1.0초간 압착하고 다이 본딩하여 120℃, 1시간 열처리를 실시하고 반도체 접착 필름을 반경화시킨 후 수지로 봉지해 175℃, 2시간 열처리를 실시하고, 봉지 수지를 경화시켜 10개의 반도체 장치를 얻었다.
이하에 본 발명의 반도체용 접착 필름의 평가 시험의 상세한 것에 대하여 설명한다.
(최저 용융 점도 측정 방법)
반도체용 접착 필름을 100㎛의 두께가 되도록 여러 장 겹친 것을 샘플로 하여 (주)HAAKE사제 레오스트레스 RS-150을 이용하여 승온 속도 10℃/분으로 주파수 1Hz의 전단력을 부여하여 측정하였다.
(휘발분 측정 방법)
50×50㎜ 크기의 반도체용 접착 필름을 샘플로 하고, 샘플 중량을 측정하여 M1로 하며, 샘플을 열풍 순환 항온조 안에서 200℃ 2시간 가열 후 칭량하여 M2로 하여 [(M2-M1)/M1]×100 = 휘발분(wt%)으로서 휘발분을 산출하였다.
(접착 후의 다이 쉐어 강도의 측정 방법)
반도체용 접착 필름을 4×4㎜ 크기의 실리콘 칩(두께 550㎛)과 솔더 레지스트(타이요 잉크제조(주)사제: 상품명: AUS308)를 코팅한 비스말레이미드-트리아진 기판의 사이에 끼우고, 130℃, 5N, 1초간으로 열압착하여, 120℃, 1시간, 추가로 175℃, 2시간 열처리를 실시한 샘플을 260℃의 열반 상에 20초간 유지한 후, 푸쉬 풀 게이지(push-pull gauge)로 0.5㎜/분의 속도로 전단 응력을 가했을 때의 전단 강도를 다이 쉐어 강도로 하였다.
(회로 충전성)
회로 충전성은 각 실시예 및 비교예에서 얻어지는 수지 봉지 전의 반도체 장치를 주사형 초음파 탐상기(SAT)에 의해 유기 기판 상의 회로 단차 내에 반도체용 접착 필름이 충전되어 있는 비율을 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.
◎: 충전율이 100％
○: 충전율이 80% 이상 100% 미만
△: 충전율이 40% 이상 80% 미만
×: 충전율이 40% 미만
이하에 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용하여 제작한 반도체 장치의 평가 시험의 상세 사항을 설명한다.
(흡습 처리 후의 접착성)
각 실시예 및 비교예에서 얻어지는 수지 봉지 전의 반도체 장치를 85℃/85%RH/168시간 흡습 처리를 한 후 반도체 소자와 유기 기판과의 260℃에서의 전단 강도를 평가하였다.
◎: 전단 강도가 1.0MPa 이상
○: 전단 강도가 0.75 이상 1.0MPa 미만
△: 전단 강도가 0.5 이상 0.75MPa 미만
×: 전단 강도가 0.5MPa 미만
(내크랙성)
내크랙성은 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체 장치를 85℃/85%RH/168시간 흡습 처리를 한 후 260℃의 IR 리플로우를 3회 실시하여 주사형 초음파 탐상기(SAT)로 평가하였다. 각 부호는 아래와 같다.
◎: 발생한 크랙이 10개 중 0개
○: 발생한 크랙이 10개 중 1개 이상 3개 이하
△: 발생한 크랙이 10개 중 4개 이상 9개 이하
×: 발생한 크랙이 10개 중 10개
실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체용 접착 필름의 물성, 각종 평가 결과, 해당 반도체용 접착 필름을 사용한 반도체 장치의 평가 결과의 상세 사항을 표 1에 나타내었다.
Figure 112009065034191-pct00003
(실시예 2)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 99 중량부, NC6000(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 148 중량부, 액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000H(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 92 중량부, 고형 페놀 수지로서 PR-HF-3(수산기 당량 104g/OH기, 스미토모 베이클라이트(주)제) 62 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000-4L(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 110 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
고형 페놀 수지로서 PR53647(수산기 당량 104g/OH기, 스미토모 베이클라이트(주)제) 47 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 200 중량부, 액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000H(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 141 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주) 제) 60 중량부, 액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000H(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 42 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 400 중량부, 액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000H(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 282 중량부를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 및 비교예에서 작성한 반도체용 접착 필름면을 5 인치, 200㎛의 반도체 웨이퍼 이면에 60℃, 0.1MPa, 50㎜/sec의 조건으로 라미네이트하고, 반도체용 접착 필름면을 다이싱 필름(스미라이트 FSL-N4003, 스미토모 베이클라이트(주)제)에 고정하였다. 그리고 다이싱 소를 이용하여 반도체용 접착 필름이 접합한 반도체 웨이퍼를 스핀들 회전수 30,000rpm, 절단 속도 50㎜/sec로 5㎜×5㎜ 정사각형의 반도체 소자의 크기로 다이싱(절단)하여 반도체용 접착 필름이 접합한 반도체 소자를 얻었다. 다음으로, 다이싱 필름의 광투과성 기재 측으로부터 자외선을 20초간 250mJ/㎠의 적산 광량을 조사한 후 반도체용 접착 필름에 접합해 있는 다이싱 필름을 박리하였다. 그리고 앞서 말한 반도체용 접착 필름이 접합한 반도체 소자를 솔더 레지스트(타이요 잉크(주)제, AUS308)로 피복된 비스말레이미드?트리아진을 주재료로 하는 유기 기판(회로 단차 5~10㎛)에 130℃, 5N, 1.0초간 압착하고 다이 본딩하며, 120℃, 1시간 열처리를 실시해 반도체 접착 필름을 반경화시킨 후 수지로 봉지하고, 175℃, 2시간 열처리를 실시해 봉지 수지를 경화시켜 반도체 장치를 얻었다. 얻어진 반도체 장치의 모식도를 도 2에 나타낸다. 이 반도체 장치는 각종 평가 시험에서 높은 신뢰성을 보이는 것이 확인되었다.
(비교예 1)
(B) 에폭시 수지, 액상 페놀 화합물(C), 고형 페놀 수지, 경화 촉진제를 이용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 200 중량부, 고형 페놀 수지로서 PR-HF-3(수산기 당량 104g/OH기, 스미토모 베이클라이트(주)제) 104 중량부를 이용하고, 액상 페놀 화합물(C)을 이용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
(B) 에폭시 수지로서 EOCN-1020-80(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 200 중량부, 고형 페놀 수지로서 PR-HF-3(수산기 당량 104g/OH기, 스미토모 베이클라이트(주)제) 104 중량부를 이용하고, 방사선 중합성 모노머로서 1,6-헥산디올디메타크리레이트(1,6-HX, 제조업체: 쿄에이샤 화학(주))를 120 중량부 이용하고, 액상 페놀 화합물(C)을 이용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 4)
(B) 에폭시 수지로서 NC6000(에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주) 526 중량부, 액상 페놀 화합물(C)로서 MEH-8000H(수산기 당량 141g/OH기, 메이와 화성(주)제) 371 중량부를 이용하고, 고형 페놀 수지를 이용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 실험하였다. 배합 및 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 5)
(A) 열가소성 수지로서 폴리이미드 수지(디아민 성분으로서 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(미츠이 화학(주)제)APB) 43.85g(0.15몰)과, α,ω-비스(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산(평균 분자량 837)(후소 화학(주)제 G9) 125.55g(0.15몰)과, 산 성분으로서 4,4'-옥시디프탈산이무수물(마낙(주)제 ODPA-M) 93.07g(0.30몰)을 합성하여 얻어지는 폴리이미드 수지, Tg: 70℃, 중량 평균 분자량 30,000) 100 중량부, (B) 에폭시 수지로서 (EOCN-1020-80(오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지), 에폭시 당량 200g/eq, 닛폰 화약(주)제) 10 중량부, 커플링제로서 N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란(KBM573, 신에츠 화학(주)제) 5 중량부를 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)에 용해하여 수지 고형분 43%의 수지 바니시를 제작하고, 이것을 보호 필름인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(미츠비시 화학 폴리에스테르 필름(주)제, 품번 MRX-50, 두께 50㎛)에 도포한 후 180℃, 10분간 건조하여 두께 25㎛의 반도체용 접착 필름을 제작하고 이를 이용하여 평가를 실시하였다. 실험 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 기재된 바와 같이 실시예 1~7에서는 접착 필름 평가 결과, 반도체 장치의 평가 결과 모두 양호한 결과를 보였으나 비교예 1~5에서는 이들 모두에서 양호한 결과를 보이는 것은 없었다. 특히 비교예 4에서는 최저 용융 점도가 0.1 Pa?s 이하로 낮았기 때문에, 반도체칩 첩부시에 접착 필름이 첩부 부위로부터 흘러나와 반도체 칩을 적절히 첩부할 수 없었다.

Claims (12)

  1. (A) 열가소성 수지, (B) 에폭시 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 반도체용 접착 필름으로서,
    상기 반도체용 접착 필름의 실온으로부터 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때의 50℃ 이상 180℃ 이하의 범위에서의 최저 용융 점도가 0.1Pa?s 이상 500Pa?s 이하이며, 또한 휘발분이 5.0% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    접착 후의 다이 쉐어(die shear) 강도가 1MPa 이상인 반도체용 접착 필름.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (A) 열가소성 수지가 아크릴계 수지인 반도체용 접착 필름.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (A) 열가소성 수지가 에폭시기, 수산기, 카르복실기 및 니트릴기로부터 선택되는 적어도 하나의 기를 가지는 화합물인 반도체용 접착 필름.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (A) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량이 10만 이상 100만 이하인 반도체용 접착 필름.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (A）열가소성 수지의 유리 전이 온도가 -20℃ 이상 60℃ 이하인 반도체용 접착 필름.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (A) 열가소성 수지의 함유량을 a 중량부, 상기 (B) 에폭시 수지의 함유량을 b 중량부, 상기 (C) 경화제의 함유량을 c 중량부로 했을 경우, 0.1≤a/(a+b+c)≤0.5인 반도체용 접착 필름.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (B) 에폭시 수지의 함유량이 상기 (A) 열가소성 수지 10 중량부에 대해 10 중량부 이상 100 중량부 이하인 반도체용 접착 필름.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 (C) 경화제가 페놀 수지인 반도체용 접착 필름.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 9에 있어서,
    상기 페놀 수지가 25℃에서 액상인 반도체용 접착 필름.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 반도체용 접착 필름을 이용하여 반도체 소자와 피접착 부재를 접착한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    흡습 처리 후의 전단 강도가 1MPa 이상인 반도체 장치.
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