[go: up one dir, main page]

KR101099059B1 - 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101099059B1
KR101099059B1 KR1020090047171A KR20090047171A KR101099059B1 KR 101099059 B1 KR101099059 B1 KR 101099059B1 KR 1020090047171 A KR1020090047171 A KR 1020090047171A KR 20090047171 A KR20090047171 A KR 20090047171A KR 101099059 B1 KR101099059 B1 KR 101099059B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
extraction
substrate
liquid
gap
substrate table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020090047171A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090123829A (ko
Inventor
크리스티안 게라르두스 노르베르투스 헨드리쿠스 마리에 클로인
니콜라스 텐 카테
니콜라스 루돌프 켐퍼
마르코 코에르트 스타벤가
에릭 헨리쿠스 에기디우스 카타리나 에움멜렌
미켈 리펜
올가 블라디미로브나 엘리세바
티예멘 빌프레드 마티스 군터
미카엘 크리스티안 반 데르 벡켄
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20090123829A publication Critical patent/KR20090123829A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101099059B1 publication Critical patent/KR101099059B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

테이블, 셔터 부재, 유체 핸들링 구조체 및 유체 추출 시스템을 포함하는 리소그래피 투영 장치가 개시된다. 유체 핸들링 구조체는 투영 시스템과 (ⅰ) 기판, 또는 (ⅱ) 테이블, 또는 (ⅲ) 셔터 부재의 표면, 또는 (ⅳ) (ⅰ) 내지 (ⅲ)으로부터 선택된 여하한의 조합 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성될 수 있다. 셔터 부재의 표면은 테이블의 표면과 인접하고, 같은 평면에 있을 수 있다. 셔터 부재 및 테이블의 표면들은 갭에 의해 떨어져 이격될 수 있다. 유체 추출 시스템은 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성될 수 있다.

Description

리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A METHOD OF OPERATING THE APPARATUS}
본 발명은 침지 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으 로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 침지시키는 것이 제안되었다. 일 실시예에서, 상기 액체는 증류수이지만, 또 다른 액체가 사용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체에 관하여 설명될 것이다. 하지만, 또 다른 유체, 특히 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적절할 수 있다. 가스를 배제한 유체들이 특히 바람직하다. 이것의 요점은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처들의 이미징을 가능하게 한다는 것이다[또한, 액체의 효과는 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키는 것으로 간주될 수 있으며, 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다]. 그 안에 고체 입자(예를 들어, 석영)가 부유(suspend)하고 있는 물, 또는 나노-입자 부유물(예를 들어, 최대 치수가 10 nm까지인 입자들)을 갖는 액체를 포함한 다른 침지 액체들이 제안되었다. 부유된 입자들은, 그것들이 부유하고 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 적절할 수 있는 다른 액체들로는 방향족화합물(aromatic)과 같은 탄화수소, 플루오르화탄화수소(fluorohydrocarbon), 및/또는 수용액을 포함한다.
기판 또는 기판과 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 미국 특허 제 US 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광시 대량의 액체(large body of liquid)가 가속화되어야 한다는 것을 의미한다. 이는 강력한 추가 또는 더 많은 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.
제안된 구성들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템을 이용하여 기판의 국부화된 영역 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 PCT 특허 출원 공개공보 제 WO 99/49504호에 개시되어 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 적어도 1 이상의 유입구(IN)에 의해 기판 상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 액체가 공급된다. 액체는 투영 시스템 아래로 통과한 이후에 적어도 1 이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에서 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압 소스에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하며, 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 설명된다. 도 3에서, 직사각형 부분들을 벗어나도록 지향되는 화살표들로 나타낸 바와 같이 액체가 공급된다. 직사각형 부분들을 향해 지향되는 화살표로 나타낸 바와 같이 액체가 제거된다.
국부화된 액체 공급 시스템을 이용하는 또 다른 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PS)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN)에 의해 액체가 공급되고(도 4에서 화살표로 나타냄), 유입구들(IN)의 반경방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT)에 의해 제거된다(도 4에서 화살표로 나타냄). 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는 그 중심에 홀(hole)을 갖고, 그것을 통해 투영 빔이 투영되는 플레이트(plate) 내에 배치될 수 있다. 액체가 투영 시스템(PS)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PS)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 박막의 액체 흐름(flow of a thin film of liquid)을 야기한다. 사용할 유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 어떠한 조합을 선택하는가는, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다[유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 활동하지 않음].
본 명세서에서 그 전문이 각각 인용참조되는 유럽 특허 출원 공개공보 제 EP 1420300호 및 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0136494호에, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 테이블이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서의 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되고, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서의 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 하나의 테이블만을 갖는다.
PCT 특허 출원 공개공보 제 WO 2005/064405호는 침지 액체가 한정되지 않는 모든 습식 구성을 개시한다. 이러한 시스템에서는, 기판의 전체 최상면이 액체로 덮인다. 이는 기판의 전체 최상면이 실질적으로 동일한 조건들로 노광되기 때문에 유리할 수 있다. 이는 기판의 온도 제어 및 처리에 대한 이점을 가질 수 있다. 제 WO 2005/064405호에서, 액체 공급 시스템은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 갭에 액체를 제공한다. 그 액체는 기판의 나머지 부분에 걸쳐 누출되게 된다. 기판 테이블의 에지에서의 방벽이, 제어되는 방식으로 액체가 기판 테이블의 최상면으로부터 제거될 수 있도록 새는 것을 방지한다. 이러한 시스템은 기판의 온도 제어 및 처리를 개선하지만, 침지 액체의 증발은 여전히 일어날 수 있다. 상기 문제점을 완화하도록 돕는 한가지 방식이 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2006/0119809호에서 설명된다. 모든 위치에서 기판(W)을 덮고, 상기 부재와 기판 및/또는 기판을 유지하는 기판 테이블의 최상면 사이에서 침지 액체가 연장되도록 배치되는 부재가 제공된다.
침지 시스템은 유체 핸들링 시스템 또는 장치일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 침지 유체 또는 액체를 공급하므로, 유체 또는 액체 공급 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 유체 또는 액체를 한정하므로, 유체 또는 액체 한정 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 유체 또는 액체에 대한 방벽을 제공하므로, 방벽 부재일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 시스템은 예를 들어 액체를 핸들링하는데 도움이 되는 가스의 흐름을 생성하거나 사용할 수 있다. 일 실시예에서, 침지 유체보다는 침지 액체가 사용된다. 그 경우, 유체 핸들링 시스템은 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 유체 핸들링 시스템은 투영 시스템 및 기판 테이블 사이에 위치된다.
침지 리소그래피 장치에서의 기판의 노광 이후에, 기판 테이블은 기판의 노광 위치에서 기판이 제거되고 다른 기판으로 교체될 수 있는 위치로 이동된다. 이는 기판 교환(swap)으로서 알려져 있다. 2 스테이지 리소그래피 장치 예를 들어 ASML의 "twinscan" 기계에서는, 기판 테이블들이 위치를 교환하여, 기판 테이블들 중 하나가 투영 시스템 아래에서 또 다른 기판 테이블의 자리를 차지하게 한다. 예를 들어, 기판이 처리되고 그 기판 테이블이 또 다른 기판 테이블과 교환되는 경우, 기판이 제거되고 교체되며, 즉 기판이 교환된다.
기판 및/또는 기판 테이블 교환 시, 유체 핸들링 시스템 내에서 흐르는 침지 액체를 유지하는 것이 바람직하다. 하지만, 기판 테이블이 이동되는 경우, 유체 핸들링 시스템으로부터 액체를 손실할 위험이 존재할 수 있다. 액체의 손실을 방지하기 위해, 유체 핸들링 시스템의 액체 한정 구조체 아래에 셔터 부재(shutter member)가 위치될 수 있다. 셔터는 도 7에 나타낸 바와 같이 테이블의 기판 홀더로부터 떨어져 있는 기판 테이블의 일부분일 수 있다. 셔터 부재는 기판을 지지하지 않는 측정 테이블과 같은 별도의 테이블일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 셔터 부재는 폐쇄 디스크(closing disk)와 같은 폐쇄 부재일 수 있다. 폐쇄 디스크는 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체 아래에 임시로 장착되며, 기판 교환이 완료되면 해제된다. 폐쇄 디스크의 예시들을 위해 도 8 및 도 9를 참조한다.
기판 및/또는 기판 테이블 교환 이전에, 폐쇄 디스크가 기판 테이블 상에 위 치되고, 예를 들어 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체의 메카니즘에 의해 들어올려지도록 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체 아래에서 조작(maneuver)된다. 일 실시예에서, 폐쇄 디스크는 앞선 기판의 노광이 종료된 시점과 다음 기판의 노광이 시작하는 시점 사이에 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체에 의해 유지될 수 있다. 이 시간 주기 동안 이용가능한 시간은 4 초 정도일 수 있다. 교환하는 동안, 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체를 통하는 액체 및 가스 흐름[예를 들어, 추출 하압력(extracting under-pressure) 및 가스 나이프 흐름]은 폐쇄 디스크를 들어올리기에 적합하다. 하지만, 바람직하지 않게 액체 및 가스 공급의 변화들은 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체의 온도 변화들을 야기하여, 오버레이에 영향을 줄 수 있다.
또한, 폐쇄 디스크와 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체의 물리적 접촉이 바람직하지 않을 수 있으며, 회피될 수 있다. 몇몇 접촉이 여전히 일어날 수 있으며, 이러한 접촉은 입자 오염과 같은 오염을 야기하여 처리된 웨이퍼 상에 결점들을 초래할 수 있다.
"교환 브릿지(swap bridge)"(SWB)라고도 알려진 2 개의 기판 테이블들 사이의 수축식 확장부(retractable extension) 또는 브릿지는 셔터 부재의 또 다른 형태이다. 이는, 예를 들어 투영 시스템 아래에서 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체와 셔터 부재 간의 물리적 접촉 없이 기판 테이블들이 위치들을 교환할 수 있게 하는 기판 테이블의 일시적 확장부이다. 브릿지의 최상면은 기판 테이블의 최상면과 인접하며, 같은 평면(co-planar)에 있다. 수축식 브릿지는 유체 핸들 링 시스템 또는 액체 한정 구조체의 유체 흐름이 유지될 수 있게 한다. 예시를 위해 도 10 및 도 11을 참조한다. 따라서, 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체의 오염 및 온도 변동들의 원인들이 더 감소되며, 바람직하게는 최소화된다. 수축식 브릿지를 이용함에 있어서, 침지 시스템의 결함 및 오버레이 성능이 개선될 수 있다. 이 구성에서는 폐쇄 디스크를 들어올리고 내려놓을 필요가 없기 때문에, 계속적인 기판들의 노광들 사이의 기판 교환에 대한 시간 주기가 감소될 수 있다. 그러므로, 스루풋이 증가할 수 있다.
수축식 브릿지는, "브릿지 데크(bridge deck)"라고도 알려진 지지 표면, 도킹 시스템(docking system) 및 리프트 시스템(lift system)을 포함한다. 지지 표면은 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체로부터 액체가 손실되는 것을 방지하는 표면이다. 도킹 시스템은, 실질적으로 기판 테이블의 표면의 평면 내에 있는 지지 표면이 기판 교환 시 기판 테이블에 연결된 상태를 유지하도록 구성된다. 리프트 시스템은 수축식 브릿지를 기판 교환을 위한 위치로 이동시키도록, 즉 확장 및 수축시키도록 구성되고 배치된다.
수축식 브릿지가 수축가능하고 기판 테이블들 사이의 갭을 폐쇄하도록 돕기 때문에, 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체를 마주하는 표면 내의 상이한 부분들, 예를 들어 지지 표면과 기판 테이블 사이에 1 이상의 작은 갭들이 존재할 수 있다. 이 갭들은 수축식 브릿지와 기판 테이블 사이의 직접적인 접촉을 방지하기 위해 존재한다. 이 구성요소들 또는 실제로 (2 개의 기판 테이블들 또는 기판 테이블과 측정 테이블과 같은) 상기 테이블들 사이의 직접적인 접촉은 기계 손상 및/또는 위치 오차들의 원인이다. 이 갭들을 통해, 물과 같은 침지 액체가 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체에 의해 제공되거나 그 안에 한정된 액체로부터 손실될 수 있다. 손실된 액체는 갭을 통해 구성요소들 아래로 떨어질 수 있다. 손실된 액체는 이 구성요소들에 손상 및 오염을 야기할 수 있다.
액체 핸들링 시스템 또는 한정 구조체에 의해 제공되거나 그 안에 한정된 액체가 통과하여야 하는 다른 갭들이 존재한다. 예를 들어, 수축식 확장부 또는 브릿지를 사용하지 않고 투영 시스템 및 액체 핸들링 시스템 또는 한정 구조체 아래에서 한 테이블에 뒤이어 또 다른 테이블을 이동시킴으로써 기판 교환이 발생할 수 있다. 예를 들어, 2 개의 테이블들 사이에 여하한의 (이동가능한) 구조체 없이 제 1 기판 테이블 다음에 제 2 기판 테이블 또는 측정 테이블이 바로 뒤이을 수 있다. 또 다른 갭은 기판 테이블의 최상면과 기판 자체 사이에 존재할 수 있다. 기판이 기판 테이블의 최상면 내의 후퇴부 내에 수용되어, 기판 테이블의 최상면이 기판의 최상면과 실질적으로 같은 평면에 있는 것이 통상적이다. 기판 크기의 변동들(즉, 공차)을 설명하기 위해, 후퇴부는 기판의 폭보다 약간 더 큰 폭을 갖는다. 그러므로, 기판 테이블의 최상면과 기판의 최상면 사이에 갭이 존재한다.
유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체에서, 액체는 예를 들어 한정 구조체의 몸체, 아래 놓인 표면(예를 들어, 기판 테이블, 기판 테이블 상에 지지된 기판, 셔터 부재 및/또는 측정 테이블) 및 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체와 아래 놓인 구조체 사이의 액체 메니스커스(meniscus)에 의한 한정 구조체 내의 공간에 한정된다. 예를 들어, 기판 교환 시 수축식 브릿지를 포함한 아래 놓 인 표면은 메니스커스 아래에서 그에 대해 이동한다. 이러한 이동 시, 예를 들어 수축식 브릿지의 구성요소들 옆의 갭들로부터 유입된 가스로부터 기포들이 메니스커스에 의해 둘러싸이게 될 수 있다.
그러므로, 예를 들어 액체 핸들링 시스템 또는 한정 구조체 아래에서 침지 장치 내의 액체 핸들링 시스템 또는 한정 구조체에 대해 지나가는 갭의 상태를 처리하는 시스템을 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 및/또는 기판 테이블 교환 시 액체 한정 구조체와 아래 놓인 표면 간의 상대 이동의 속도를 유지하거나 속도의 감소를 최소화하는 것이 바람직하다. 속도를 낮추는 것은 스루풋을 감소시킬 수 있다. 메니스커스에 의해 둘러싸인 기포들의 크기 및/또는 개수를 감소시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에서: 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블; 최상면을 갖는 셔터 부재- 사용시, 상기 최상면은 기판 테이블의 표면과 실질적으로 같은 평면에 있으며, 셔터 부재 및 기판 테이블의 표면들은 갭에 의해 떨어져 이격됨 -; 투영 시스템과 (ⅰ) 기판, 또는 (ⅱ) 기판 테이블, 또는 (ⅲ) 셔터 부재의 표면, 또는 (ⅳ) (ⅰ) 내지 (ⅲ)으로부터 선택된 여하한의 조합 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체; 및 셔터 부재 및/또는 기판 테이블의 측벽 표면 내의 추출 개구부(extraction opening)를 통해 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성된 유체 추출 시스템을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블; 기 판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 기판, 또는 기판 테이블, 또는 기판과 기판 테이블 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체; 및 기판과 기판 테이블 사이의 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성되고, 액체를 추출하는 복수의 추출 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템- 상기 개구부들은 갭의 표면 내에 정의됨 -을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블; 기판 상의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함함 -; 및 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성되고 배치되며, 패턴 내에 배치된 복수의 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 투영 시스템; 제 1 대상물; 제 2 대상물; 및 투영 시스템 아래에서 제 1 대상물이 제 2 대상물로 교체되는 경우에 두 대상물들이 항상 실질적으로 동일한 방향으로 이동하고, 투영 시스템 아래에서 제 2 대상물이 제 1 대상물로 교체되는 경우에 두 대상물들이 항상 실질적으로 동일한 방향으로 이동하도록 리소그래피 장치 내에서 제 1 및 제 2 대상물들의 이동을 제어하도록 구성된 제어기를 포함한 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향 하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함함 -; 및 패턴 내에 배치된 복수의 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템을 이용하여 갭으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함함 -; 및 유체 핸들링 구조체 아래로 갭을 2 회 이상 이동시키는 단계- 상기 이동시키는 단계는 제 1 방향으로만 이동함 -를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서, 수축식 브릿지와 사용된 유체 추출 시스템은 기판 교환 시 누출의 문제를 해결할 수 있다. 유체 추출 시스템은 기판 교환 시 유체 핸들링 구조체에 의해 한정된 침지 액체 내에 기포들의 포획(entrapment)을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라 는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 투영 시스템의 타입들로는: 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함할 수 있다. 투영 시스템의 선택 또는 조합은 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하게 이루어진다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과한다. 투영 시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크 기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 장치는 소위 국부화된 침지 시스템(IH)이다. 이 시스템에서는, 기판의 국부화된 영역에만 액체가 제공되는 액체 핸들링 시스템이 사용된다. 액체로 채워진 공간은 기판의 최상면보다 평면이 더 작고, 액체로 채워진 영역은 기판(W)이 상기 영역 밑에서 이동하는 동안 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지 상태로 유지된다. 4 개의 상이한 형태의 국부화된 액체 공급 시스템들이 도 2 내지 도 5에 예시된다. 도 2 내지 도 4에 예시된 액체 공급 시스템들은 앞서 설명되었다.
제안된 또 다른 구성은 액체 공급 시스템에 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장되는 액체 한정 부재를 제공하는 것이다. 이러한 구성은 도 5에 예시되어 있다.
도 5는 방벽 부재(12)를 갖는 국부화된 액체 공급 시스템을 개략적으로 도시한다. 방벽 부재는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간의 경계의 전체 또는 일부분을 따라 연장된다(또한, 본 명세서에서 기판(W)의 표면에 대한 다음 언급은 별도로 분명히 설명되지 않는 경우, 추가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면을 칭한다는 것을 유의한다). 방벽 부재(12)는 Z 방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지 상태이다. 일 실시예에서, 방벽 부재와 기판(W)의 표면 사이에 시일이 형성되고, 시일은 유체 시일, 바람직하게는 가스 시일과 같은 무접촉 시일일 수 있다.
방벽 부재(12)는, 전체적으로 또는 부분적으로 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 포함한다. 기판(W)에 대한 무접촉 시일(16) 은, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PS)의 최종 요소 사이의 공간 내에 액체가 한정되도록 투영 시스템의 이미지 필드 주위에 형성될 수 있다. 상기 공간은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에, 그리고 그것을 둘러싸서 위치된 방벽 부재(12)에 의해 전체 또는 부분적으로 형성된다. 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템 밑의 공간 및 방벽 부재(12) 내의 공간으로 액체가 유입된다. 상기 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 방벽 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨이 상기 최종 요소 위로 솟아올라 액체의 버퍼(buffer)가 제공된다. 일 실시예에서, 방벽 부재(12)는, 상단부(upper end)에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 그러한 경우인 것은 아니다.
일 실시예에서, 사용시 방벽 부재(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 시일(16)에 의해 액체가 공간(11) 내에 포함된다. 가스 시일은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기(synthetic air)에 의해 형성되지만, 일 실시예에서는 N2 또는 또 다른 비활성 기체(inert gas)에 의해 형성된다. 가스 시일 내의 가스는 압력을 받아 유입구(15)를 통해 방벽 부재(12)와 기판(W) 사이의 갭(gap)에 제공된다. 상기 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 유출구(14) 상의 진공 레벨 및 갭의 지오메트리(geometry)는, 안쪽에 액체를 한정시키는 고속 가스 흐름(high-velocity gas flow)이 존재하도록 배치된다. 방벽 부재(12)와 기판(W) 사이의 액체에 대한 가스의 힘이 공간(11) 내에 액체를 포함한다. 그 유입구/유출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형의 홈들일 수 있다. 환형의 홈들은 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 가스(16)의 흐름은 공간(11) 내에 액체를 포함하는데 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.
다른 구성들이 가능하며, 아래 설명으로부터 명백한 바와 같이 본 발명의 일 실시예는 액체 공급 시스템으로서 여하한 형태의 국부화된 액체 공급 시스템을 사용할 수 있다.
1 이상의 국부화된 액체 공급 시스템들은 액체 공급 시스템의 일부분과 기판(W) 사이를 밀폐시킨다. 액체 공급 시스템의 일부분과 기판(W) 사이에서 액체의 메니스커스에 의해 시일이 정의될 수 있다. 액체 공급 시스템의 그 부분과 기판(W)의 상대 이동은 시일, 예를 들어 메니스커스의 파손 및 이로 인한 액체의 누출을 초래할 수 있다. 상기 문제는 높은 스캐닝 속도에서 더 현저할 수 있다. 증가된 스캐닝 속도는 스루풋이 증가하기 때문에 바람직하다.
도 6은 액체 공급 시스템의 일부분인 방벽 부재(12)를 예시한다. 방벽 부재(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 주변부(예를 들어, 둘레) 주위로 연장되어, 방벽 부재(때때로, 시일 부재라 함)는 예를 들어 실질적으로 전체 형상이 환형이다. 투영 시스템(PS)은 원형이 아닐 수 있으며, 방벽 부재가 링형일 필요가 없도록 방벽 부재(12)의 외측 에지도 원형이 아닐 수 있다. 또한, 방벽은 투영 시스템(PS)의 최종 요소로부터 투영 빔이 통과할 수 있는 개구부를 갖기만 하면 다른 형상들일 수도 있다. 개구부는 중심에 위치될 수 있다. 따라서, 노광시 투영 빔이 방벽 부재의 개구부 내에, 또한 기판 상에 포함된 액체를 통과할 수 있다. 방벽 부재(12)는 예를 들어 실질적으로 직사각형일 수 있으며, 투영 시스템(PS)의 최종 요소가 방벽 부재(12)의 정점에 있기 때문에 반드시 동일한 형상은 아닐 수 있다.
방벽 부재(12)의 기능은, 투영 빔이 액체를 통과할 수 있도록 전체 또는 부분적으로 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간 내에 액체를 유지하거나 한정시키는 것이다. 방벽 부재(12)의 존재에 의해 액체의 최고 레벨이 간단히 포함된다. 공간 내에서의 액체의 레벨은 액체가 방벽 부재(12)의 최상부 위로 넘치지 않도록 유지된다.
방벽 부재(12)에 의해 공간(11)에 침지 액체가 제공된다(따라서, 방벽 부재는 유체 핸들링 구조체로 간주될 수 있음). 침지 액체에 대한 통로 또는 유동 경로는 방벽 부재(12)를 통과한다. 유동 경로의 일부는 챔버(chamber: 26)로 구성된다. 챔버(26)는 2 개의 측벽(28 및 22)을 갖는다. 액체는 제 1 측벽(28)을 통해 챔버(26) 내로 통과한 후, 제 2 측벽(22)을 통해 공간(11) 내로 통과한다. 복수의 유출구들(20)은 공간(11)에 액체를 제공한다. 액체는 공간(11)에 들어가기 전에 측벽들(28 및 22) 내의 관통홀들(through hole: 29 및 20)을 각각 통과한다. 관통홀들(20 및 29)의 위치는 불규칙할 수 있다.
방벽 부재(12)의 저부와 기판(W) 사이에는 시일이 제공된다(이 특징은 방벽 부재가 유체 핸들링 구조체일 수 있음을 나타냄). 도 6에서, 시일 디바이스는 무 접촉 시일을 제공하도록 구성되며, 수 개의 구성요소들로 이루어진다. 투영 시스템(PS)의 광학 축선으로부터 반경방향 바깥쪽에, 공간으로 연장되는(그렇지만, 투영 빔의 경로 내로는 아님) (선택적인) 유동 플레이트(flow plate: 50)가 제공되며, 이는 공간을 가로질러 유출구(20) 외부로 침지 액체의 실질적인 병렬 유동(parallel flow)을 유지하게 한다. 유동 제어 플레이트는, 투영 시스템(PS) 및/또는 기판(W)에 대한 방벽 부재(12)의 광학 축선 방향으로의 움직임에 대한 저항성을 감소시키기 위해, 그 안에 관통홀들(55)을 갖는다.
방벽 부재(12)의 저부 상의 유동 제어 플레이트(50)의 반경방향 바깥쪽으로 유입구(180)가 존재할 수 있다. 유입구(180)는 기판을 향하는 방향으로 액체를 제공할 수 있다. 이미징 시, 이는 기판(W)과 기판 테이블(WT) 사이의 갭을 액체로 채움으로써, 침지 액체 내에서의 기포 형성을 방지하는데 유용할 수 있다.
유입구(180)의 반경방향 바깥쪽으로는 방벽 부재(12)와 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 사이에서 액체를 추출하는 추출기 조립체(extractor assembly: 70)가 있을 수 있다. 추출기(70)는 아래에서 더 상세히 설명될 것이며, 방벽 부재(12)와 기판(W) 사이에 생성되는 무접촉 시일의 일부분을 형성한다. 추출기는 단상(single phase) 또는 2상(dual phase) 추출기로서 작동할 수 있다.
추출기 조립체(70)의 반경방향 바깥쪽으로는 후퇴부(recess: 80)가 있을 수 있다. 후퇴부는 유입구(82)를 통해 대기에 연결된다. 후퇴부는 유출구(84)를 통해 저압 소스에 연결된다. 유입구(82)는 유출구(84)에 대해 반경방향 바깥쪽으로 위치될 수 있다. 후퇴부(80)의 반경방향 바깥쪽으로는 가스 나이프(gas knife: 90)가 있을 수 있다. 추출기, 후퇴부 및 가스 나이프의 구성은 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2006/0158627호에 상세히 개시되어 있다. 하지만, 본 명세서에서 추출기 조립체의 구성은 다르다.
추출기 조립체(70)는, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되는 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2006-0038968호에 개시된 것과 같은 액체 제거 디바이스 또는 추출기 또는 유입구를 포함한다. 여하한 타입의 액체 추출기가 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 액체 제거 디바이스(70)는 단일-액상 액체 추출(single-liquid phase liquid extraction)을 가능하게 하기 위해, 가스로부터 액체를 분리하는데 사용되는 다공성 재료(porous material: 110)로 덮이는 유입구를 포함한다. 다공성 재료(110)의 하류(downstream)로의 챔버(120)는 약간의 하압력(under pressure)으로 유지되고 액체로 채워진다. 챔버(120) 내의 하압력은, 다공성 재료의 홀들에 형성된 메니스커스들이 액체 제거 디바이스(70)의 챔버(120) 내로 주변 가스(ambient gas)가 끌려가는 것을 방지하도록 구성된다. 하지만, 다공성 표면(110)이 액체와 접촉하게 되는 경우, 흐름을 제한하는 메니스커스는 존재하지 않으며, 액체가 액체 제거 디바이스(70)의 챔버(120) 내로 자유롭게 흐를 수 있다. 다공성 표면(110)은 (공간 주위뿐만 아니라) 방벽 부재(12)를 따라 반경방향 안쪽으로 연장된다. 다공성 표면(110)을 통하는 추출의 속도는 다공성 표면(110)이 액체에 의해 덮이는 정도에 따라 변한다.
다공성 재료(110)는 각각 치수, 예를 들어 5 내지 50 ㎛ 범위 내의 직 경(dhole)과 같은 폭을 갖는 다수의 작은 홀들을 갖는다. 다공성 재료는 액체가 제거될 표면, 예를 들어 기판(W)의 표면 위로 50 내지 300 ㎛ 범위 내의 높이에 유지될 수 있다. 일 실시예에서, 다공성 재료(110)는 적어도 약간 친수성(hydrophilic)이며, 즉 침지 액체 예를 들어 물에 대해 90°, 바람직하게는 85° 또는 바람직하게는 80°보다 작은 접촉각을 갖는다.
액체 제거 디바이스로 끌려가는 가스를 항상 방지할 수는 없지만, 다공성 재료(110)가 진동을 야기할 수 있는 매우 불규칙한 흐름을 방지할 것이다. 전기주조(electroforming), 포토에칭 및/또는 레이저 절단에 의해 구성된 마이크로-시브(micro-sieve)들이 다공성 재료(110)로서 사용될 수 있다. 적절한 시브들은 네덜란드, Eerbeek의 Stork Veco B.V.에 의해 제작된다. 구멍 크기가 사용된 적이 있는 압력 차로 메니스커스를 유지하기에 적절하다면, 다른 다공성 플레이트들 또는 다공성 재료의 고체 블록들이 사용될 수도 있다.
기판(W)의 스캐닝 시(기판이 방벽 부재(12) 및 투영 시스템(PS) 아래로 이동하는 동안), 기판(W)과 방벽 부재(12) 사이에 연장된 메니스커스(115)는 이동하는 기판에 의해 적용된 항력(drag force)에 의해 광학 축선을 향해 끌려가거나 광학 축선을 떠날 수 있다. 이는 앞서 설명된 액체의 증발, 기판의 냉각, 및 후속한 수축 및 오버레이 오차들을 유도할 수 있는 액체 손실을 초래할 수 있다. 또한, 또는 대안적으로 액체 방울들과 레지스트 광화학 간의 상호작용으로부터 후에 액체 얼룩들이 남겨질 수 있다.
도 6에 명확하게 예시되지는 않았지만, 액체 공급 시스템은 액체의 레벨의 변동들을 처리하는 구성을 갖는다. 이는, 투영 시스템(PS)과 방벽 부재(12) 사이에 형성되는 액체가 처리될 수 있고 흘러나오지 않도록 구성된다. 이러한 액체의 형성은 아래 설명되는 투영 시스템(PS)에 대한 방벽 부재(12)의 상대 이동 시 일어날 수 있다. 이 액체를 처리하는 한가지 방식은, 투영 시스템(PS)에 대한 방벽 부재(12)의 이동 시 방벽 부재(12)의 주변부(예를 들어, 둘레)에 걸쳐 압력 차(pressure gradient)가 거의 없도록 매우 큰 방벽 부재(12)를 제공하는 것이다. 대안적인 또는 추가적인 구성에서, 액체는 예를 들어 추출기(70)와 유사한 단상 추출기와 같은 추출기를 이용하여 방벽 부재(12)의 최상부로부터 제거될 수 있다. 대안적인 또는 추가적인 특징은 소액체성(liquidphobic) 또는 소수성 코팅이다. 코팅은 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소 주위에, 및/또는 개구부를 둘러싸는 방벽 부재(12)의 최상부 주위에 밴드(band)를 형성할 수 있다. 코팅은 투영 시스템의 광학 축선의 반경방향 바깥쪽으로 구성될 수 있다. 소액체성 또는 소수성 코팅은 침지 액체가 제 자리에 유지되도록 돕는다.
예를 들어, 기판(W)을 운반하는 제 1 기판 테이블(WT1) 및 제 2 기판 테이블(WT2)(또는 제 1 및 제 2 스테이지들)이 제공된 장치에서는, 투영 시스템(PS) 밑에서 하나의 기판 테이블을 투영 시스템(PS) 밑의 또 다른 기판 테이블로 교환하는 동안 어려움이 존재한다. 이는, 액체 핸들링 또는 공급 시스템(IH)으로부터의 액체가 상기 테이블들(WT1, WT2)을 교환하기 이전에 제거되는 경우, 투영 시스템의 최종 요소 상에 건조 얼룩(drying stain)이 나타날 수 있기 때문이다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 제안된 가능한 해결책은 더미 기판(dummy substrate)과 같은 셔터 부재(200), 또는 소위 폐쇄 디스크를 제공하는 것이다. 셔터 부재(200)는 도 8에 예시된 바와 같이 기판 테이블의 최상면 상에 위치될 수 있다. 기판(W)의 스캐닝 후, 기판 테이블(WT1)은 셔터 부재(200)가 투영 시스템(PS) 아래에 위치되도록 이동될 수 있다. 도 9에 예시된 바와 같이, 셔터 부재는 기판 테이블들의 교환 시 투영 시스템(PS) 아래에 위치될 수 있다. 셔터 부재(200)는 유체 핸들링 또는 액체 한정 구조체(IH)의 저부에 부착된다. 이러한 방식으로, 유체 핸들링 또는 액체 공급 시스템은 기판들의 교환 시 액체가 채워진 상태(예를 들어, on 상태)로 유지될 수 있으며, 건조 얼룩이 형성되지 않을 수 있다. 이러한 폐쇄 디스크, 예컨대 더미 기판은, 예를 들어 유럽 특허 출원 공보 제 EP-1,420,299호에 개시된다.
또 다른 형태의 셔터 부재에서, 제 2 기판 테이블(WT2)은 제 1 기판 테이블(WT1)에 인접하게 되어 있다. 2 개의 기판 테이블들은 투영 시스템 아래에서 동시에 이동된다. 2 개의 기판 테이블들 사이의 갭이 작은 경우[또는 그 밑에 배수부(drain)를 갖는 경우], 액체의 손실이 최소이어야 한다. 몇몇 경우들에서(예를 들어, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이), 하나 또는 두 개의 기판 테이블들(WT1, WT2)은 도개교(drawbridge)의 형태와 같이 수축가능하거나 회전가능할 수 있는 돌출부(300)에 의해 연장되는 최상면을 갖는다. 상기 돌출부는 기판 테이블(WT)에 대해 고정될 수 있다. 이러한 구성은 미국 특허 출원 공보 제 US 2007-0216881호에 개시되어 있다. 이 형태의 셔터 부재의 변형예에서는, 제 2 테이블이 제 2 기판 테이블(WT2)이 아니라, 그 표면이 기판 교환 시 셔터 부재로서 기능한다. 이러한 테이블은 측정을 위해 사용될 수 있으며, 측정 테이블이라 칭해질 수 있다. 제 1 또는 제 2 기판 테이블은, 예를 들어 노광을 위해 기판이 이용가능한 경우에, 다시 투영 시스템 아래로 이동된다. 이해되는 바와 같이, 셔터 부재는 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 기판 테이블 상에서의 기판 교환시 투영 시스템(PS)을 액체와 접촉 상태로 유지하기 위해 단일 기판 테이블 장치에서 사용될 수 있다.
이제, 일 실시예에서 수축식 브릿지(300)의 구성요소 옆에 있는 갭(401)으로부터 액체를 제거하도록 구성된 유체 추출 시스템(400)이 설명될 것이다. 또한, 상기 유체 추출 시스템(400)은 "교환 브릿지 기포 추출 시일(swap bridge bubble extraction seal: SWBBES)"이라고도 알려져 있다. 상기 시스템은 기판 테이블(WT)과 브릿지(300) 사이의 침지 액체가 브릿지(300) 및/또는 기판 테이블(WT) 아래로 누출되는 것을 감소시킬 수 있으며, 바람직하게는 최소화하거나 실질적으로 방지할 수 있다. 유체 추출 시스템은 액체 한정 구조체에 의해 한정된 액체 저수부 내의 침지 액체에 의한 기포들의 포획을 감소시키거나 방지할 수 있다.
도 12a 및 도 12b(합쳐서 도 12)에 도시된 바와 같이, 유체 추출 시스템(400)은 기판 테이블(WT)의 측면 상에 배치된다. 유체 추출 시스템은 기판 테이블(WT)과 수축식 브릿지 몸체(301) 사이에 위치된 브릿지 헤드(250) 내에 배치될 수 있다. 상기 브릿지 헤드(250)는 수축식 브릿지 몸체(301)가 유체 핸들링 시스템(IH)을 통과하기 바로 전에 유체 핸들링 시스템(IH)을 통과하는 기판 테이블의 에지이다. 일 실시예에서, 유체 추출 시스템(400)은 수축식 브릿지(300) 내에 위치될 수 있다.
유체 추출 시스템(400)은 추출 채널(420)에 대한 1 이상의 각각의 개별 추출 개구부들(410)을 갖는 표면을 포함한다. 상기 추출 개구부들(410)은 서로 등거리로 이격될 수 있거나, 또는 그렇지 않을 수 있다. 비-등거리 간격을 갖게 하여 상이한 위치들에서 상이한 부하들을 고려하는 것도 바람직할 수 있다. 일 실시예에서, (풋프린트 외부에서와 달리) 유체 핸들링 시스템의 풋프린트 아래에서 추출 개구부들(410)의 더 큰 밀도가 존재할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 유체 추출 시스템(400)이 통과할 때, 유체 핸들링 시스템의 외측 폭 치수(예를 들어, 외경)에 대응하는 위치들에서 추출 개구부들(410)의 더 큰 밀도가 존재할 수 있다. 개별 추출 개구부들(410)을 갖는 표면(405)은 유체 추출 시스템(400)의 길이를 따라 제공된다. 일 실시예에서, 상기 표면(405)은 수직 표면(즉, 기판 테이블(WT)의 최상면에 실질적으로 수직인 표면)이다. 또 다른 실시예에서, 표면(405)은 기판 테이블(WT)의 최상면에 대해 소정 각도를 가질 수 있으며, 이는 이후 도 14a 및 도 14b를 참조하여 설명된다. 일 실시예는 상이한 위치들에서 상이한 각도로 표면(405)을 가질 수 있다. 상기 표면(405)은 수축식 브릿지 몸체(301)의 에지 표면(402)과 마주하며, 상기 2 개의 표면들(402, 405) 사이에 갭(401)이 형성된다. 이에 따라, 추출 개구부들(410)은 기판 테이블(WT)의 측벽 표면(402) 내에 형성된다. 추출 개구부들(410)은 수축식 브릿지 몸체(301)의 측벽 표면(402) 내에도 동일하게 형성될 수 있을 것이다. (기판 테이블(WT)의 최상면에 대해 평행한 표면과 달리) 측벽 표 면(402, 405) 내의 추출 개구부들(410)의 위치설정은 더 작은 공간이 사용되게 한다. 더욱이, 개구부(410)의 주어진 폭(예를 들어, 직경)에 대해 갭(401)의 부피가 최소화될 수 있다. 일 실시예에서, 갭(401)은 유체 핸들링 디바이스로부터의 유체(특히, 가스)와 갭(401) 저부의 상호작용을 회피하기 위해 소정 깊이[예를 들어, 최상면과 리지(ledge: 403)(이후에 설명됨) 사이의 거리]를 갖는 것이 바람직하다. 개구부들(410)이 갭(401)의 저부에 있다면, 개구부들(410)이 소정 폭(예를 들어, 직경)을 가질 수 있도록 갭이 소정 폭을 가져야 할 것이다. 개구부들(410)이 측벽 내에 있는 경우, 갭(401)의 폭이 더 좁게 만들어질 수 있다. 그 결과, 갭(401)의 부피가 작게 유지되어 갭에서 액체가 신속히 제거될 수 있음에 따라, 액체가 개구부들(410)로 들어갈 가능성이 감소하게 된다[예를 들어, 출입 슬릿(entering slit: 350)이 이하에 설명된다]. 또 다른 실시예에서, 갭(401)의 깊이는 가능한 한 얕아(기계가공될 수 있을 만큼 얕아), 갭(401) 내의 액체의 양이 가능한 한 현저히 감소된다. 이후에 설명되겠지만, 측벽 표면(402, 405)은 기판 테이블(WT)의 최상면에 대해 반드시 수직일 필요는 없다. 기판 테이블(WT)의 측벽 표면(405)은, 상기 표면(405)이 기판 테이블(WT)을 언더컷(undercut)하도록 기판 테이블의 최상면에 대해 소정 각도에 있을 수 있다. 적절한 각도 범위는 90°내지 0°, 바람직하게는 90°내지 30°또는 90°내지 50°이다. 유체 추출 시스템(400)의 길이는 실질적으로 수축식 브릿지 몸체(301)의 폭에 대응할 수 있다.
리지(403)는 추출 개구부들(410) 아래에 형성된다. 일 실시예에서, 리지(403)는 기판 테이블(WT)의 최상면에 대해 실질적으로 평행할 수 있는 수평 표면 을 포함한다. 개구부들(410)이 형성된 표면(405)과 리지(403) 사이의 각도는 거의 90°이다. 이후에 설명되겠지만, 상기 각도는 90°미만일 수 있다. 리지(403)는 갭(401) 안으로 액체가 유입되게 할 수 있으며, 상기 액체는 개구부들(410)을 통해 추출될 수 있다. 일 실시예에서, 리지(403)는 기판 테이블(WT)의 최상면에 대해 각도를 갖는다. 리지(403)는 개구부들(410) 아래쪽으로 각도를 갖는 것이 바람직하다. 기판 테이블의 최상면에 대해 평행한 표면으로부터 리지(403)의 각도는 45°미만, 또는 30°미만, 바람직하게는 10°미만, 또는 5°미만과 0°이상이다. 일 실시예에서, 상기 각도는 90°로 높을 수 있다. 그 경우, 상기 리지는 리지를 형성하는 돌출부처럼 보일 수 있다.
추출 채널들(420) 및 그 각각의 개구부들(410)은 2 개의 계면들, 예를 들어 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 또는 기판 테이블(WT)과 수축식 브릿지 몸체(301) 사이의 갭에 존재하는 침지 액체를 추출하도록 구성되고 위치된다. 복수의 개구부들(410)을 갖는 추출 채널들(420)의 사용은 슬릿-형상 개구부를 갖는 단일 추출 채널보다 오염에 덜 민감할 수 있다. 유체 추출 시스템(400)의 구성은 강건(robust)하게 설계될 수 있다.
사용 시, 추출 채널들(420)은 공지된 모세관 압력을 인가하여 액체를 추출한다. 작동 중에, 추출 채널들(420)은 가스 및 침지 액체를 포함하는 2 상 유체(two phase fluid)를 추출한다. 부연하면, 전체적으로 가스 및 침지 액체가 유체 추출 시스템(400)을 통해 추출되지만, 어느 한 순간에 단일 상 가스 또는 단일 상 액체가 1 이상의 추출 채널들(420)을 통해 추출될 수도 있다. 상기 추출 채널들(420) 은 치수, 예를 들어 직경 및 길이를 조절(즉, 선택)하였다. 상기 치수는, 수축식 브릿지 몸체의 실질적인 전체 폭에 걸친 2-상 유동에 대한 용량(capacity)이 동일하도록, 즉 균일하도록 선택된다.
추출 채널들(420) 폭(예를 들어, 직경: "d")은 추출 채널들(420)의 개구부들(410) 사이의 간격을 최적화하도록 선택된다. 오염에 의한 클로깅(clogging)을 회피하기 위해서, 가능한 한 직경이 큰 것이 바람직하다. 하지만, 상기 폭이 너무 크면, 추출의 균질성(homogeneity)이 감소될 수 있다. 상기 폭이 너무 크면, 콜렉터 채널(430)(이후에 상세히 설명됨)의 크기가 증가되어야 할 수 있다. 일 실시예에서, d는 바람직하게는 0.1 내지 1.5 mm 사이, 더 바람직하게는 0.3 내지 1.0 mm 사이, 바람직하게는 약 0.3 mm이거나 또는 그보다 크다. 따라서, 채널들의 클러터링(cluttering) 위험성이 최소화될 수 있다. 침지 액체가 2 개의 계면들 사이의 갭으로부터 바람직하게는 실질적으로 완전하게 제거되도록, 인접한 추출 채널들(420) 사이의 간격(211)이 선택된다. 상기 간격(211)은 0.1 내지 2 mm, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 mm, 또는 1.2 mm 또는 약 1.0 mm 미만의 범위 내에 있도록 치수화될 수 있다.
추출 채널들(420)은 추출된 유체를 콜렉터 채널(430)로 지향시킨다. 콜렉터 채널(430)은 적어도 2 이상의 추출 채널들(420)에 대해 공통이며, 바람직하게는 유체 추출 시스템(400)의 모든 추출 채널들(420)에 대해 공통이다. 콜렉터 채널(430)은 기판 테이블(WT) 내에, 특히 브릿지 헤드(250) 내에 있다. 콜렉터 채널(430)의 부피를 추출 채널들(420)의 부피에 비해 크게 선택함으로써, 유체 추출 시스템의 전체 길이, 예를 들어 수축식 브릿지 몸체의 폭에 걸쳐, 균질한 추출, 즉 압력이 생성될 수 있다. 본 명세서의 끝쪽에 수학적인 관계들이 제공된다.
추출 채널들(420)의 부피와 콜렉터 채널(430) 간의 관계는 추출 채널들(420)을 통한 가스 유동 속도에 영향을 줄 수 있다. 추출 채널(420)에서의 가스 속도는 콜렉터 채널(430)에서의 가스 속도의 3 배 이상일 수 있다. 매니폴드(manifold)에서, 추출 채널들(420)에 걸친 압력 강하(즉, 콜렉터 채널(430) 내의 압력과 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 사이의 갭(401) 내의 절대 압력의 차이)는 콜렉터 채널(430) 내의 압력에 대해 우세하여야 한다. 이러한 구성에서, 콜렉터 채널(430) 내의 압력은 더 균일하다. 추출 채널들(420)에 걸친 압력 강하와 콜렉터 채널(430) 내의 압력 간의 관계를 달성하기 위하여, 유체 유동에 수직인 콜렉터 채널(430)의 단면적은 추출 채널들(420)의 전체 단면적의 적어도 2 배 이상일 수 있다.
추출 채널(420)들에 걸친 압력 강하는 동적 압력, 즉 입구 및 출구 저항에 의해 결정될 수 있다. 추출 채널(420)의 길이 및 유체 점성은 압력 강하에 비례한다. 추출 채널들(420)의 짧은 길이로 인해, 이 파라미터는 추출 채널들(420)의 단면적만큼 중요하지 않다. 추출 채널들(420)의 폭(d)은 콜렉터 채널(430)의 단면과 강한 상관관계를 갖는데, 예를 들면 압력 강하는 폭(d)의 제곱에 역비례하기 때문이다. 가스 속도 기준이 중요할 수 있는데, 예를 들면 압력 강하는 가스 속도의 제곱에 비례적일 수 있기 때문이다. 예를 들어, 3의 팩터(factor)만큼 가스 속도의 증가는, 약 10(구체적으로는 9)의 팩터만큼 압력의 변화가 존재한다는 것을 의 미한다. 콜렉터 채널(430) 내의 압력은 홀들 내의 액체의 모세관 압력보다 더 낮아야 한다는 것을 유의한다(본 명세서 끝쪽의 공식을 참조).
유체 추출 시스템의 일 실시예에서, 상기 시스템에 의해 점유된 부피에 대한 한계가 존재할 수 있다. 적용가능한 부피는 최적의 작동 조건들을 달성하기 위해 요구되는 것보다는 작을 수 있다. 하지만, 추출 개구부들(410)이 존재하는 표면(405)에 대해 추출 채널들을 각도화(0°< α < 90°)하거나 비스듬하게(skewing) 함으로써, 추출 채널들(420)에 대한 콜렉터 채널(430)의 부피가 증가될 수 있다. 그러므로, 예를 들어 이러한 실시예에서는, 추출 채널들(420)이 유입구 표면(405)에 대해 수직(α= 90°)인 실시예에 비해, 유체 추출 시스템(400)의 동일한 총 부피에 대해서 다음이 성립된다: (ⅰ) 콜렉터 채널(430)의 부피는 증가될 수 있으며; 및 (ⅱ) 추출 채널들(420)의 길이는 동일할 수 있다.
추출 유동의 균질성이 개선되기 때문에, 더 큰 콜렉터 채널(430) 부피가 바람직하다. 각도화된 추출 채널들(420)은 실질적으로 동일한 치수의 비-각도화된(즉, 수직, α= 90°), 더 큰 단면적(즉, 갭에 대해 개방된 추출 개구부들(410))을 갖는 추출 채널들(420)보다 장점을 가질 수 있다. 따라서, 각각의 추출 채널 개구부(410)로부터의 압력은 증가된 유효 영역 상에 인가된다. 모든 추출 채널들(420)로부터 하압력이 인가된 영역은, 추출 개구부들(410)이 정의된 유체 추출 시스템(400)의 표면(405)에 수직인 추출 채널들(420)에 대해 증가된다. 각각의 추출 채널(420)을 각도화함으로써, 추출 채널들(420)의 유효 길이가 증가될 수 있다. 추출 채널(420)의 길이는 추출 채널(420)에 걸쳐 인가된 압력 강하에 대해 선형 관 계를 가지므로, 길이의 증가는 더 큰 압력 강하를 제공한다. 길이를 증가시킴으로써, 인가된 압력 및 침지 액체 추출 유동의 균일성이 개선될 수 있다. 하지만, 다른 곳에 언급되는 바와 같이, 폭의 변화는 압력 강하의 더 큰 변화를 제공한다.
추출 채널들(420)에 의해 이용된 모세관 압력은 각각의 추출 채널(420)의 추출 개구부(410)를 둘러싼 표면(표면(405) 및 리지(403) 표면)에 대한 침지 액체의 접촉 각도에 의존적일 수 있다. 침지 액체가 접촉하는 유체 추출 시스템(400)의 상이한 표면들이 상이한 접촉 각도를 갖게 하면, 액체가 그 위치에 대해 제어될 수 있다. 예를 들어, 접촉 각도 패터닝은 침지 액체가 유체 추출 시스템(400)의 소정 표면들에 한정되게, 즉 '벗어나지 않게(stick to)' 할 수 있다. 추출 개구부들(410) 주위에 이러한 표면들을 갖게 함으로써, 추출 채널 개구부들(410)은, 예를 들어 0 내지 5 mm 또는 5 mm 미만의 범위로 더 떨어져 이격될 수 있다.
도 12에 도시된 지오메트리는 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 사이에 피팅된(fitted) 유체 추출 시스템의 가능한 실시예이다. 이는 소정 치수 및 가능한 접촉 각도 패터닝을 나타낸다.
침지 액체의 추출 유동은: 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 사이의 거리(예를 들어, 갭(401) 폭(210)), 기판 테이블(WT)의 최상면으로부터 추출 개구부들(410)의 최상부까지의 거리(표면(205)의 추출 채널 변위), 그리고 갭(401)에서의 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면에서의 에지들(207, 208)의 지오메트리에 의해 결정된다. 일 실시예에서, 갭(401)은 완전히 2 개의 계면들로 분리된 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 사이의 공간이다. 이 러한 갭은 도 12에 도시된 바와 같은 연속된 갭이다. 도 12b로부터 알 수 있는 바와 같이, 갭(401)의 폭은 균일하다. 리지(403) 상에서 갭(401)은 소정 치수를 갖는다. 리지(403) 아래에는 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301) 사이에 슬릿(350)이 존재한다. 상기 리지(403) 아래의 슬릿(350)은 대기에 개방된다. 즉, 갭(401)은 추출 개구부들(410) 아래의 가스원에 개방된다. 이후에 설명되는 바와 같이, 이는 가스가 사용 시 리지(403) 아래의 슬릿(350)을 통해 배출되게 한다. 또 다른 실시예에서, 리지(403) 밑의 슬릿(350)은 밀폐될 수 있다. 슬릿(350)이 존재하는 경우, 슬릿(350)으로부터 갭(401)으로 가스 유동이 존재한다. 이 가스 유동은 침지 액체의 추출을 돕는다. 슬릿(350)을 통한 유동은 리지(403)의 외측 에지 상에 고정되거나 피닝될 수(pinned) 있는 액체를 완화시키는 상향력을 제공할 수 있다.
도 12에서, 리지(403)의 외측 에지는 갭(401)보다 낮은 슬릿(350)의 최상부에 존재할 수 있다. 상기 슬릿(350)은 갭(401)보다 더 좁을 수 있다. 슬릿(350)을 통한 유속 및 유동 방향은 슬릿(350)의 폭과 길이, 그리고 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면에 대한 그 각도(θ)를 최적으로 치수화함으로써 선택될 수 있다. 상기 슬릿(350)을 통한 유속 및 유동 방향은 추출 개구부들(410)이 위치된 표면으로부터 리지(403)가 얼마나 멀리 돌출되는지, 및/또는 기판 테이블의 최상면과 추출 개구부들(410)의 최상부 사이의 거리를 최적으로 치수화함으로써 선택될 수 있다. 상기 각도(θ)는 10 내지 30°사이, 예를 들어 20°일 수 있다. 이는 추출 채널의 길이 방향과, 추출 채널이 정의된 표면의 평면 간의 각도 변위이며, 실질적 으로 20°이다. 가스 유동은 침지 액체의 물방울이 슬릿(350)에 남아 있는, 즉 붙어 있는 것을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 슬릿(350)은 선택적이며, 본 발명의 작동에 필수적인 것은 아니다. 이는 수축식 브릿지 몸체(301)가 기판 테이블(WT)과의 직접적인 접촉을 회피하도록 구성되기 때문에 존재한다.
일 실시예에서, 갭(401) 및/또는 슬릿(350)의 모든 표면들은 소액체성(lyophobic), 바람직하게는 소수성 코팅(즉, 물과 같은 침지 액체에 대해 소수성인 표면)으로 코팅된다. 일 실시예에서, 추출 채널 개구부들(410) 주위의 영역에서 액체를 유지 또는 한정하는데 사용되는 추출 개구부들이 형성된 표면(205)과 리지(403)의 표면은 액체 친화성, 바람직하게는 친수성(즉, 침지 액체에 대해 친수성)이다. 여기서, 액체 친화성 표면은 90°미만, 실제로는 50°이상, 바람직하게는 60°이상 및/또는 70°미만의 접촉 각도를 갖는다. 액체 친화성 표면들(403, 205)과 인접한, 즉 개구부들에서 먼 표면들은 소액체성이다. 이러한 표면들은 슬릿(350) 표면, 각각의 브릿지 헤드(250) 및 수축식 브릿지 몸체(301)의 표면, 그리고 갭(401)의 다른 표면을 포함한다. 액체 친화성 표면들은 더 작은 부피의 물방울의 추출을 도울 수 있다. 도 13a 및 도 13b에 도시된 바와 같이, 액체 친화성인 물방울 베어링 표면(droplet bearing surface)은 더 적은 액체 친화성 또는 액체 불화성 표면보다 소정 크기(즉, 부피)의 어느 하나의 물방울과 더 큰 접촉 표면적을 갖는다. 도 13a는 개구부들(410)이 형성된 표면을 나타냄을 유의한다. 상기 표면(205)은 액체 불화성이며, 액체 물방울을 베어링한다. 도 13b는 물방울 베어링 표면(205)이 도 13a보다 더 액체 친화적이라는 것을 제외하고는 도 13a와 동일 한 구성을 나타낸다. 도 13b의 구성은 그 개구부(410)를 통한 도 13a의 구성보다 그 개구부(410)를 통한 액체의 제거를 달성할 수 있다. 도 13a에 도시된 구성의 실시예에서 물방울 베어링 표면(405) 상의 물방울이 추출되지 않으며, 도 13b에 도시된 구성의 액체 베어링 표면(205) 상의 유사한 물방울이 그 개구부(410)를 통해 추출된다.
브릿지 헤드(250)는 기판 테이블(WT)에 교체가능하게 부착될 수 있다. 이는 용이한 유지보수, 특히 여하한의 코팅들의 세정 및/또는 재생(renew)을 허용한다.
본 발명의 일 실시예는 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 내의 침지 액체에 기포의 형성을 방지할 수 있다. 상기 갭이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 아래로 가로질러 있기 때문에, 유체 추출 시스템(400)에 의해 생성된 하압력이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 내의 침지 액체의 메니스커스를 갭(401) 쪽으로 당긴다. 갭(401)이 메니스커스 아래에 가로질러 있기 때문에, 상기 메니스커스는 갭(401)의 브릿지 헤드(250)의 외측 에지(207) 및 (갭(401)에 대한) 수축식 브릿지 몸체(301)의 내측 에지로 피닝된다. 이에 따라, 하압력에 의한 당김은 메니스커스의 인장(stretching)을 감소시킨다. 그러므로, 유체 핸들링 시스템 또는 액체 추출 시스템 아래의 침지 층에 의한 가스의 포획이 감소될 수 있다.
브릿지 헤드(250)의 외측 에지(207) 및 갭(401)의 [갭(401)에 대한] 수축식 브릿지 몸체(301) 내측 에지(208)의 형상은 매니스커스의 피닝에 영향을 미친다. 적어도 특정 곡률 반경을 갖는 에지는 피닝을 감소시킨다. 이는, 본 명세서에서 도 19a 및 도 19b를 참조하여 기술된다. 곡률 반경을 갖는 에지는 매니스커스의 인장을 감소시킬 수 있다. 갭이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH)를 가로지르기 때문에, 매니스커스는 연속적으로 에지들과 만난다. 둥근 에지는 피닝을 감소시키기 때문에, 매니스커스와 만나는 제 1 에지는 둥근 것이 바람직하다. 제 2 에지는 매니스커스가 피닝될 수 있도록 하기 위해 작은 곡률 반경을 가져 보다 뾰족할 수 있다. 이러한 구성은 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체 아래를 지나갈 때 매니스커스가 갭을 신속하게 폐쇄하도록 함으로써 매니스커스의 인장을 감소시킬 수 있다. 상술된 바와 같이, 일 실시예에서 갭(401)은 수축식 브릿지 몸체(301)와 브릿지 헤드(250) 사이에 있을 수 있다. 일 실시예에서, 갭(401)은 수축식 브릿지(300)와 같은 기판 테이블들 사이의 임시 연장부와 기판 테이블(WT) 사이에 있을 수 있다.
도 18a 및 도 18b를 참조하여 유체 추출 시스템(400)이 항상 투영 시스템 아래에서 일 방향으로만 지나가는 일 실시예에 대해 후술된다. 이는, 유체 추출 시스템(400)이 이 방향으로의 이동에 최적화되거나 및/또는 코팅들이 (그들 위로의 적은 소통량으로 인해) 빨리 마모되지 않기 때문에 바람직하다.
이 구성은 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 내 공간(11)의 매니스커스가 침지 액체의 손실 없이 갭(410) 위로 롤링되도록 할 수 있다. 이는, 기반 최상면들 상의 표면(즉, 코팅)에 대한 침지 액체의 전진 접촉 각도 및 최상부에서의 갭(401)의 폭을 선택함으로써 달성될 수 있다. 기반 최상면들은 기판 테이블(WT) 및 수축식 브릿지 몸체(301)일 수 있다. 선택된 접촉 각도는 소수성 표면 을 나타낼 수 있으며, 예를 들어 대략 95° 보다 클 수 있다.
본 명세서에서는 유체 추출 시스템(400)이 갭(401) 내에서 작동할 수 있게 하는 가능한 형상들, 구조들, 명세사항들 및 제한들이 기술된다. 이들 구조들은 실질적으로 최소화되지 않는다면 유체 추출 시스템(400)의 작동을 통해 열 손실 및 냉각 효과를 감소시키도록 설계된다. 상기 구조들은 액체의 증발을 줄일 수 있다. 침지 액체를 포함하는 유체의 유동은 유체 추출 시스템(400), 예를 들어 추출 채널들(420)을 통해 최소화될 수 있다. 유체는 대략 100 l/min, 바람직하게는 대략 20 l/min보다 느린 것이 좋다. 바람직한 유속들의 범위는 갭(401) 최상부의 폭의 범위에 영향을 미칠 수 있다. 갭 크기의 선택은 달성가능한 유속을 결정할 수 있다. 유속은, 예를 들어 추출 채널 개구부들(410)의 수 및 유체 추출 시스템(400)의 크기에 종속적이다.
갭(401) 최상부의 폭은 대략 0.0 mm 내지 대략 1.0 mm 사이에 있다. 갭 폭은 대략 0 mm 내지 대략 0.5 mm의 범위 내, 바람직하게는 대략 0.3 mm인 것이 좋다. 액체의 누출이 존재하지 않도록 돕기 위해, 슬릿(350)은 대략 0 mm 내지 대략 0.5 mm의 폭 범위, 바람직하게는 대략 0.1 mm의 폭을 갖는다. 일 실시예에서, 슬릿(350)은 갭(401)과 같은 폭, 예를 들어 대략 0.1 mm의 폭을 갖는다. 도 12에 따른 이러한 실시예에서, 레지(403)의 크기는 0 또는 실질적으로 0일 수 있다[즉, 레지(403)는 존재하지 않는다]. 추출 개구부(410)를 통한 유체의 유동은 실질적으로 브릿지 헤드(250)와 수축식 브릿지 몸체(301)의 내부 에지 사이에 형성되는 갭(401)을 통한 유동 및 슬릿(350)을 통한 유동의 합일 수 있다. 일 실시예에서, 슬릿(350)을 통한 유량은 실질적으로 갭(401)의 상단부를 통한 유동보다 3 배 적다.
일 실시예에서, 레지(403)는 추출 개구부들(410)이 형성되는 표면(205) 아래에 배치된다. 즉, 표면(205)은 갭(401)이 기판 테이블(WT)의 최상면으로부터 들어갈 때 갭(401) 보다 넓어지도록 각이 형성된다. 즉, 표면(205)은 각이 진 오버행(overhang)을 형성한다. 최상부의 갭(401)의 폭 및 슬릿(350)의 폭이 실질적으로 같은 경우, 레지(403)의 크기는 실질적으로 0보다 클 수 있다.
표면들(205 및 403)이 소수성인 경우, 추출 채널들(420)은 갭으로 들어가는 실질적으로 모든 액체를 추출할 수 있다.
브릿지 헤드(250)의 외측 에지(207) 및 갭(401)의 [갭(401)에 대한] 수축식 브릿지 몸체(301)의 내측 에지(208)[즉, 갭(401)의 상부 에지들(207, 208)]은 대략 0 mm 내지 대략 1 mm의 반경으로 둥글게 이루어질 수 있다. 에지들은 모따기(chamfer)될 수 있다. 이러한 특징들 중 하나의 이용은 상술된 바와 같이 매니스커스의 피닝 거동을 감소시킨다.
추출 채널 개구부들(410)은 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면의 대략 1 mm 아래에 있을 수 있다[즉, 추출 채널 개구부들(410)의 깊이는 대략 1 mm이다). 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면에 대한 추출 채널의 깊이는 유체 추출 시스템이 짧은 시간 내에 갭 내로 벗어나는 실질적으로 모든 침지 액체를 제거할 수 있도록 한다. 이 구성은, 갭(401)의 상부 부분의 볼륨을 감소시키며, 바람직하게는 실질적으로 최소화시킨다[즉, 갭(401)을 슬릿(350)보다 작게 한다]. (유량과 같은 특 정 파라미터들에 대하여) 갭(401) 상부 부분의 볼륨이 임계 크기보다 크다면, 갭(401)으로부터 침지 액체를 제거하는데에 오랜 시간이 걸린다. 이 경우, 침지 액체는 슬릿(350)을 벗어날 수 있으며, 예를 들어 갭(401)으로부터 최상면 상으로 거꾸로 벗어날 수도 있다.
상술된 바와 같이, 슬릿(350)은 갭(401) 개구부 및 추출 채널(420)에 대하여 각을 이루며, 이는 수축식 브릿지 몸체(301)의 최상면에 대하여 수평이거나 또는 평행할 수 있다. 도 14a는 설정된 수평 추출 채널(420)을 도시하고 있다. 추출 채널들(420)은 수평으로 배치될 수 있다. 슬릿(350)의 위치는 각도 β와 θ를 변경한 각을 이룰 수도 있다. 또한, 도 14a는 대략 60°인 기판 테이블(WT)의 최상면에 대한 각도의 표면(405)을 도시하고 있다. 상기 각도는 30 내지 90° 사이에 있을 수도 있다.
도 14b에는 대체로 수직하지 않은 갭(410) 및/또는 슬릿(350)의 기하학적 형상을 갖는 구성이 도시되어 있다. 일 실시예에서, 추출 채널(420)은 브릿지 헤드(250)의 표면에 대하여 각을 이룰 수 있다. 따라서, 일 실시예는 추출 채널(420)이 슬릿(350)에 대해 수직하지 않은 기하학적 형상을 가질 수 있다, 즉 그들은 서로에 대해 예각 또는 둔각을 이룬다. 추출 채널(420)의 각은 각 β와 θ를 변경함으로써 슬릿(350)에 대해 변경될 수도 있다. 각 β는 0 내지 180°, 바람직하게는 70 내지 125°의 범위에 있을 수 있으며, 각 θ는 0 내지 180°, 바람직하게는 70 내지 125°에 있을 수 있다. 일반적으로 β와 θ의 합은 대략 180°와 같다.
갭 및 유체 추출기의 기하학적 형상은 기판테이블 최상면의 평면의 어떠한 경계면에서도 사용될 수 있다. 예를 들어, 센서 에지, 기판 에지, 측정 테이블 에지 및 기판 테이블 에지 모두가 적합한 장소들이다. 개구부가 슬릿인 유체 추출 시스템들에 대한 장소들이 상술되었다는데 유의해야 하며, 새로운 특징들에는 시스템의 기하학적 구조, 코팅 위치들 및 단일 슬릿 아닌 개별 추출 채널들의 이용이 포함된다는 것을 이해해야 한다.
예를 들어, 기판(W) 에지에서 기판 테이블의 이행은 도 15를 참조한다. 기판 에지 유체 추출 시스템에 대하여 새로운 특징들은 다음과 같은 것들을 포함할 수 있다(이들로 제한되는 것은 아니다). 코팅은 추출 채널 개구부(410)를 넘어 추출 채널들(420)의 표면 상에 존재할 수 있다. 코팅은 기판 아래의 기판 테이블(WT) 표면(즉, 기판 지지부) 상에 존재할 수 있다. 기판(W)이 배치되는 후퇴부의 에지는 둥글 수 있으며, 예를 들어, 대략 0.5 mm보다 작은, 바람직하게는 대략 0.1 mm 내지 대략 0.2 mm에 속하지만 0 mm는 아닌 곡률 반경을 갖는다. 추출 채널 개구부(410)가 형성되는 표면(205)은, 예를 들어 최상부에서 최소 직경을 갖는 원뿔의 일부를 지는 원뿔대의 형상을 이루도록 경사질 수 있다. 예를 들어, 갭 부근의 기판 에지에서의 기판의 코팅은 소액체성 또는 친액체성일 수 있다. 소액체성 표면은 투영 시스템과 기판 간에 보다 빠른 상대적인 움직임, 즉 보다 빠른 스캔 속도를 가능하게 한다. 친액체성 표면은 침지 액체 내에 기포 함유의 우려가 저감될 수 있도록 하는 표면으로 보다 나은 기포 성능을 제공할 수 있다.
상술된 기하학적 구조 및/또는 접촉 각도 패터닝을 갖는 유체 추출 시스템은 두 테이블, 예를 들어 2 개의 기판 테이블 또는 기판 테이블과 측정 테이블의 경계면 사이의 갭(401)에 대해 실행될 수 있다. 유체 추출 시스템은 침지 액체가, 갭이 아래로 교차될 때 유체 또는 액체 핸들링 구조체에 포함되는 침지 액체 저장소를 벗어나지 않도록 하거나 기포들이 갭으로부터 저수부 내에 포함되지 않도록 하거나, 또는 이 두 가지 모두를 가능하게 수 있다. 유체 추출 시스템은 두 테이블의 마주하는 에지 측들에 존재할 수도 있다. 유체 추출 시스템은 테이블들이 함께 옮겨질 경우, 유체 추출 시스템이 에지들 중 적어도 하나, 바람직하게는 액체 한정 구조체의 경로 아래에 존재하도록 각 테이블의 에지에 존재할 수 있다. 도 16은 유체 추출 시스템이 인접한 기판 테이블들(WT) 상에 위치되는 실시예를 예시하고 있다. 대안적인 실시예에서는, 유체 추출 시스템이 기판 테이블들(WT) 중 하나 상에만 존재할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 기판 테이블들(WT) 중 하나는 측정 스테이지 또는 테이블로 교체될 수도 있다. 측정 스테이지 또는 테이블은, 기판을 지지할 수 없지만, 예를 들어 센서, 측정 툴들, 세정 스테이션 및 세정 툴들을 포함할 수 있도록 구성될 수 있다. 특히, 이러한 실시예에서, 복수의 개별 추출 개구부들(410) 및 추출 채널들(420)은 단일 슬릿으로 교체될 수 있다.
각각의 테이블(WT1, WT2)에서의 갭(401), 추출 개구부(410), 추출 채널들(420) 및 슬릿(420)의 구성은 상술된 실시예들 중 어느 실시예에서와 같이 구성될 수 있다. 도 16에는 일 실시예가 도시되어 있다. 추출 채널 개구부들은 기판 테이블(WT) 측의 후퇴부에 위치된다. 레지(403)는 도 12의 실시예서와 같이 존재한다. 유일한 차이는 돌출부(506)가 존재하지 않았으나 각 레지(403)의 외측 에지 에 이러한 돌출부(506)들이 존재한다는 것이다. 추출 채널 개구부들(410) 위의 기판 테이블(WT)의 에지는 복잡한 형상을 갖는다. 최상부로부터 에지의 표면은 수직이다. 중심부에서 에지는 안쪽으로, 하방향으로 추출 개구부들(410)을 향하여 경사진다. 끝 부분에서, 표면은 다시 수직이다.
수축식 브릿지와 기판 테이블 사이의 갭에 대한 유체 추출 시스템의 변형예들이 이들 다른 구성들 각각에 적용될 수도 있다는데 유의해야 한다.
추출 채널들을 통해 침지 액체를 추출하기 위하여, 이들 추출 채널들(420)에 걸쳐 특정한 압력 강하가 존재하는 것이 바람직하다. 압력 강하는, 도 17에 나타낸 바와 같이 추출 채널 벽의 상호작용들 및 침지 액체로부터 유도되는 저항을 극복할 수 있는 것이 바람직하다. 최소 가스 속도(v)는 추출 채널들(420)의 길이(l), 추출 채널(420)의 벽들과 침지 액체의 도 17에서의 접촉 각(θ), 액체의 표면장력(σ), 가스의 점성(μ) 및 직경(D)[또는 17에서의 반경(r)의 두 배]의 함수이다. 이들 파라미터들 간의 관계는 다음과 같은 방정식으로 나타난다:
Figure 112009032396961-pat00001
, 이는, 소위 "기포 포인트"를 결정함
Figure 112009032396961-pat00002
, 모세관 클로깅을 회피하기 위한 조건
Figure 112009032396961-pat00003
, 이는 추출 유동을 결정함
Figure 112009032396961-pat00004
, 홀들을 통한 균일한 추출을 위한 조건
추출 시스템은 모세관 효과의 영향에도 불구하고 모든 추출 채널들을 통해 유동이 보장되도록 이루어지는 것이 바람직하다.
홀이 액체로 채워진다면, 그에 걸친 압력 강하가 "기포 포인트"보다 작은 경우 비워질 수 없다. "기포 포인트"는 모세관 압력에 대하여 홀을 통해 액체를 당기는데 필요로 하는 압력이다. 이 관계는 위의 첫 번째 공식에 나타나 있다.
추출 채널의 차단을 피하기 위하여, 모든 채널들에 걸친 압력 강하는 위의 두 번째 공식에 정의된 바와 같이 모세관 압력보다 큰 것이 바람직하다. 즉, ΔPext로 정의되는 모든 추출 채널들(420)에 걸친 압력 강하는 추출 채널(420) 내에 존재하는 유체에 의하여 발생되는 모세관 압력보다 큰 것이 바람직하다. 이러한 경우, 추출 채널(420) 내의 유체는 콜렉터 채널(430) 내로 추출되어 추출 채널들(420) 중 어느 것도 액체와 영구적으로 차단되지 않도록 한다. 모든 추출 채널들(420)은 같은 추출 덕트, 즉 콜렉터 채널(430)에 연결되기 때문에, 그들 모두는 실질적으로 같은 압력 강하를 겪는다. 하나를 제외한 모든 추출 채널들이 가스를 포함하지만 액체로 채워지지 않는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 가스에 대한 유동 저항은 매우 작다. 이 경우, "기포 포인트" 아래로 강하하는 추출 채널들에서의 압력 강하의 위험이 존재한다. 이러한 경우, 액체를 포함하는 추출 채널들은 비워지지 않는다. 액체는 각각의 채워진 채널 내에서 유지된다.
기포 포인트 압력에 도달하는 것을 돕기 위해, 추출 채널들을 통한 가스의 유동은 압력 강하가 필요한 압력보다 크도록 충분히 커야 한다. 이는 위의 세 번째 공식에 나타나 있다.
위의 네 번째 공식은 모든 추출 채널(420)에 대해 균등한 조건들을 생성하기 위하여 콜렉터 채널(420)의 폭이 충분히 크도록 보장하기 위한 관계를 나타낸다. 즉, 이 공식은 추출 채널들(420)에 걸친 압력 강하가 콜렉터 채널(430)의 길이에 따른 압력 강하보다 크도록 보장한다. 다시 말해, 콜렉터 채널(430)로부터의 출구(들)에 대한 위치와는 무관하게 모든 추출 채널(420)에 걸친 압력 강하가 각각의 추출 채널(420)에 대한 모세관 힘보다 크다. 콜렉터(600)는 콜렉터 채널(430)로부터의 유동이 위의 조건들을 충족시키기에 충분히 크도록 보장하기 위해 제공된다.
상술된 바와 같이, 갭(401)은 유체 핸들링 시스템 아래에서 단지 한 방향으로만 통과하는 것이 유리하다. 갭(401)이 기판 테이블과 교환 브릿지 사이의 갭인 경우에 대하여, 이러한 시스템은 도 18a 및 18b에 개략적으로 예시되어 있다. 동일한 원리들이, 교환 브릿지 없이 유체 핸들링 시스템 아래에서 또 다른 기판 테이블(WT2)에 대한 일 기판 테이블(WT1)의 교환; 또는 유체 핸들링 시스템 아래에서 제 2 기판 테이블(WT2)과 제 1 기판 테이블(WT1)의 교환이 이어지는 측정 스테이지에 대한 제 1 기판 테이블(WT1)의 교환에 적용될 수 있다.
도 18a는 제 1 기판 테이블(WT1)이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 아래에 위치되는 제 1 상황을 예시하고 있다. 제 1 교환 브릿지(301a)는 기판 테이블(WT1)의 좌측의 측 상에 위치된다. 제 1 교환 브릿지(301a)는 제 1 기판 테이블(WT1)의 좌측의 측 또는 제 2 기판 테이블(WT2)의 우측의 측과 연관될 수 있다. 제 2 기판 테이블(WT2)은 제 1 교환 브릿지(301a)의 좌측에 대해 위치되고, 제 1 기판 테이블(WT1)은 교환 브릿지(301a)의 우측에 대해 위치된다. 제 1 및 제 2 기판 테이블들(WT1 및 WT2)과 교환 브릿지(301a)는 제 2 기판 테이블(WT2)이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 시스템(IH) 아래로 움직이도록 화살표(701)에 의하여 예시된 바와 같이 오른쪽으로 움직인다. 상술된 바와 같이, 유체 추출 시스템(400)은 제 1 교환 브릿지(301a)의 양 측 상의 어느 한 갭 또는 두 갭 모두에 존재할 수 있다.
그 다음, 제 1 기판 테이블(WT1)은 경로(740)를 이용하고 제 2 기판 테이블(WT2)의 좌측의 측으로 이동하기 전에 서비스(750)를 거쳐 이동할 수 있다.
기판 테이블(WT2)이 유체 핸들링 시스템 또는 유체 한정 구조체(IH) 아래로부터 교환되고 제 1 기판 테이블(WT1)으로 교체되도록 하기 위하여, 기판 테이블(WT1)은 도 18b에 예시된 바와 같이 유체 핸들링 시스템 또는 액체 한정 구조체(IH) 아래에 있는 기판 테이블(WT2)의 좌측에 대해 제공된다. 그 다음, 제 1 교환 브릿지(301a)와는 상이할 수 있는 제 2 교환 브릿지(301b)가 제공된다. 제 2 교환 브릿지(301b)는 제 2 기판 테이블(WT2)의 좌측의 측 또는 제 1 기판 테이블(WT1)의 우측의 측에 부착될 수 있다. 이는 도 18a의 교환 브릿지(301a)가 부착되는 쪽에 대해 대향되는 측이다. 그 다음, 제 1 기판 테이블 및 제 2 기판 테이블(WT1, WT2)과 제 2 교환 브릿지(301b)는 제 1 기판 테이블(WT1)이 유체 핸들링 구조체 또는 액체 한정 구조체(IH) 아래에 위치되도록 우측으로 이동한다. 이러한 방식으로, 기판 테이블들(WT1, WT2)과 교환 브릿지들(301a, 301b) 사이의 갭들 각각은 일 방향으로만 움직인다. 이는 유체 추출 디바이스(400)의 설계가 상기 특정 방향으로의 움직임에 대해 최적화될 수 있도록 한다.
유체 핸들링 시스템 아래의 테이블(예를 들어, 측정 테이블)의 상이한 타입/조합들을 스와핑하는데 유사한 체계가 이용될 수도 있다.
투영 시스템(PS) 아래에서 기판 테이블(WT1, WT2), 측정 테이블 등의 움직임을 제어하기 위해 동작 제어기(700)가 제공된다.
도 19a 및 19b는 매니스커스가 뾰족한 에지 및 곡선 에지에 걸쳐 지날 때의 거동의 차이를 예시하고 있다. 도 19a는 표면에서의 높이 스텝(100)으로서 나타나 있으며 도시된 바와 같이 돌출부(1010)를 가질 수 있는 뾰족한 에지에 걸쳐 움직이는 매니스커스의 거동을 나타내고 있다. 도 19a의 제 1 예시에서, 액체 한정 구조체(12)는 높이 스텝(1000) 위에 배치되어 있는 것으로 나타나 있다. 액체 한정 구조체(12)는 개구부(1020)를 가지며, 이를 통해 액체가 높이 스텝(1000)을 갖는 표면(이후 페이싱 표면이라 지칭됨)을 향하여 공급된다. 액체는 추출 개구부(1030)을 통해 2상의 유동으로 제거된다. 매니스커스(1040)는 상기 페이싱 표면 상에 배치된다. 액체 한정 구조체[및 이에 따른 매니스커스(1040) 및 공간(11) 내의 침지 액체]의 상대적인 움직임은 화살표(1050)에 의하여 나타난 바와 같이 높이 스텝(1000)을 향하여 도 19a에서의 좌측으로 움직이고 있다.
페이싱 표면에 걸쳐 움직이는 매니스커스(1040)의 단부는 돌출부(1010)에 도달하는 경우, 돌출부(1010)에 의하여 피닝된다. 이는 도 19a에서의 제 2 예시에 나타나 있다. 따라서, 액체 한정 구조체(12)가 돌출부로부터 좌측으로 계속해서 이격될 때, 매니스커스는 연장되거나 인장된다. 이는 도 19a의 제 3 예시에 나타나 있다. 매니스커스가 연장되며 더욱 취약해지며 불안정해질 수 있다. 매니스커 스는, 예를 들어 도 19a의 제 4 예시에 나타낸 바와 같이 페이싱 표면과 접촉하는 매니스커스의 두 단부 중간 포인트에 의하여 파손될 수 있다. 이는 침지 액체 내에 기포(1055)를 유발한다. 이러한 기포는 침지 액체 내에서 공간(11) 내로 이동하고 결함을 증가시켜 노광을 방해한다.
이 설명은 한정 구조체가 테이블 또는 기판(W)의 페이싱 표면에 걸쳐 움직일 때 전진하는 매니스커스에 적용될 수 있다. 매니스커스의 불안정성이 침지 액체로하여금, 예를 들어 물방울로서 공간(11)으로부터 벗어나도록 하는 후방(trailing) 매니스커스에서 이와 유사한 메카니즘이 일어날 수 있다. 물방울은, 예를 들어 증발 시 열 부하를 가하고, 증발 후 건조 얼룩을 남기고 및/또는 매니스커스(1040)와 재접촉 시 침지 공간(11) 내에 기포를 함유하게 할 위험을 제공함으로써 추가적인 결함의 원인이 될 수 있다.
도 19b의 특징들은 높이 스텝(1060)이, 예를 들어 적어도 특정 곡률 반경을 갖는 곡선 에지를 지닌다는 점을 제외하고 도 19a의 특징들과 같다. 곡률 반경을 갖는 에지는 매니스커스의 인장을 감소시킬 수 있다. 따라서, 매니스커스가 높이 스텝(1060)에 걸쳐 이동할 때, 도 19a에 나타낸 매니스커스보다 나은 안정성을 갖는다. 이러한 높이 스텝을 갖는 시스템은 전진하는 매니스커스 내에서의 기포 함유가 쉽게 유발되지 않고 후방 매니스커스로부터의 물방울의 형성을 쉽게 야기하지 않는다.
도 19a 및 19b의 설명은 높이 스텝에 대해 언급하고 있다. 높이 스텝은, 예를 들어 도 12a, 12b, 14a, 14b, 15 및 16에 나타낸 바와 같이 갭에서의 에지와 같 이 표면의 불연속성일 수 있다.
높이 스텝(1000, 1060)은 스티커와 같은 표면에 부착될 수 있는 제거가능한 구성요소(1070)의 에지일 수 있다. 제거가능한 구성요소(1070)는, 예를 들어 소액체성 표면인 안정적이고 지속적인 접촉 각도를 갖는 표면을 제공하거나 갭들을 덮는데 사용될 수 있다. 이러한 제거가능한 구성요소는 100 ㎛보다 작은, 바람직하게는 10 내지 50 ㎛ 범위 내의, 가령 15 내지 30 ㎛ 범위 내의, 바람직하게는 20 ㎛보다 작은 높이를 제공하는 두께를 가질 수 있다. 제거가능한 구성요소의 높이(즉, 두께)를 줄이는 것은 기포 함유 및 물방울 손실을 줄일 수 있다.
페이싱 표면 상에는, 기판과 기판 테이블 사이, 셔터 부재의 표면과 기판 테이블 사이, 테이블 상의 센서나 제거가능한 구성요소와 기판 테이블 사이에서와 같은 높이 스텝들을 효과적으로 제공하는 상이한 피처들이 존재할 수 있다. 매니스커스의 안정성에 영향을 미치는 빈도를 최소화하기 위하여 이러한 불연속성들 또는 높이 스텝들 사이의 간격이 최적화되고, 바람직하게는 최대화되는 것이 좋다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세 서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 셔터 부재, 유체 핸들링 구조체 및 유체 추출 시스템을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 기판 테이블은 기판을 지지하도록 구성된다. 셔터 부재는 최상면을 가지며, 사용시 상기 최상면은 기판 테이블의 표면과 실질적으로 같은 평면에 있으며, 셔터 부재 및 기판 테이블의 표면들은 갭에 의해 떨어져 이격된다. 유체 핸들링 구조체는 투영 시스템과 (ⅰ) 기판, 또는 (ⅱ) 기판 테이블, 또는 (ⅲ) 셔터 부재의 표면, 또는 (ⅳ) (ⅰ) 내지 (ⅲ)으로부터 선택된 여하한의 조합 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된다. 유체 추출 시스템은 셔터 부재 및/또는 기판 테이블의 측벽 표면 내의 추출 개구부를 통 해 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성된다.
셔터 부재는 제 2 테이블일 수 있다. 제 2 테이블은 제 2 기판 테이블일 수 있다. 제 2 테이블은 측정 테이블일 수 있다. 셔터 부재는 기판 테이블과 제 2 테이블 사이의 브릿지일 수 있다. 상기 브릿지는 수축식 브릿지일 수 있다.
유체 추출 시스템은 복수의 추출 개구부들을 포함할 수 있으며, 각각의 개구부는 측벽 표면 내에 정의된다. 개구부들을 둘러싸는 갭의 측벽 표면은 친액체성일 수 있다. 갭의 표면의 전체 또는 일부분은 소액체성일 수 있다. 일 실시예에서는, 갭의 실질적으로 모든 표면이 소액체성일 수 있다.
각각의 추출 개구부는 추출 채널의 개구부일 수 있다. 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널에 연결될 수 있으며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이다. 콜렉터 채널은 추출 개구부가 형성되는 기판 테이블 또는 셔터 부재 내에 구성될 수 있다. 콜렉터 채널의 부피는 추출 채널들의 조합된 부피보다 실질적으로 더 클 수 있다.
또한, 상기 장치는 각각의 추출 채널에 걸친 압력 강하가 추출 채널에 존재하는 유체에 의해 생성된 모세관 압력보다 더 크도록 콜렉터 채널 외부의 유속을 제어하도록 구성된 제어기를 포함할 수 있다. 제어기는 각각의 추출 채널들에 걸친 압력 강하가 콜렉터 채널에 걸친 압력 강하보다 5(five) 배 더 크도록 콜렉터 채널 외부의 유속을 제어하도록 구성될 수 있다.
갭의 상부 에지의 반경은 0.5 mm보다 작으며, 바람직하게는 0.1 mm 내지 0.3 mm이고, 0 mm보다 클 수 있다.
상기 장치는 유체 핸들링 구조체 아래에서 한 방향으로만 갭이 이동하도록 상기 장치에서 대상물의 이동을 제어하도록 구성된 제어기를 포함할 수 있다. 갭은 추출 개구부 아래에서부터 가스원에 대해 개방될 수 있다. 상기 장치는 갭 내에 레지를 포함할 수 있으며, 상기 레지는 기판 테이블의 최상면과 실질적으로 평행하고 추출 개구부 아래에 있는 표면을 정의한다. 레지는 측벽 표면으로부터 0.5 mm 내지 0 mm만큼, 바람직하게는 약 0.15 mm 내지 0.05 mm만큼 돌출할 수 있다. 추출 개구부의 저부는 레지와 같은 평면에 있을 수 있다.
상기 장치는 기판 테이블 또는 셔터 부재 또는 기판 테이블과 셔터 부재의 에지를 따라 패턴 내의 갭 내에 배치된 복수의 추출 개구부들을 포함할 수 있다. 패턴에서, 추출 개구부들은 등거리로 이격될 수 있다.
개구부를 지나는 갭은 슬릿일 수 있으며, 슬릿은 개구부에 대해 각도를 갖는다. 슬릿은 기판 테이블의 최상면에 대해 0 내지 180°, 바람직하게는 70 내지 125°의 각도를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 유체 핸들링 구조체 및 유체 추출 시스템을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 기판 테이블은 기판을 지지하도록 구성될 수 있다. 유체 핸들링 구조체는 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 기판, 또는 기판 테이블, 또는 기판과 기판 테이블 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성될 수 있다. 유체 추출 시스템은 기판과 기판 테이블 사이의 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성될 수 있고, 액체를 추출하는 복수의 추출 개구부들을 포함할 수 있으며, 상기 개구부들은 갭의 표면 내에 정의된 다.
개구부들을 둘러싸는 갭의 측벽 표면은 친액체성일 수 있다. 갭의 표면의 전체 또는 일부분은 소액체성일 수 있다. 각각의 개구부는 추출 채널의 어퍼처일 수 있다. 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과, 바람직하게는 모든 추출 채널들과 공통이다. 콜렉터 채널의 부피는 추출 채널들의 조합된 부피보다 실질적으로 더 클 수 있다. 개구부들은 기판 테이블 또는 셔터 부재 또는 기판 테이블과 셔터 부재의 에지를 따라 패턴 내의 갭 내에 배치될 수 있다. 개구부들을 지나는 갭은 슬릿일 수 있으며, 슬릿은 개구부들에 대해 각도를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블, 유체 핸들링 구조체 및 유체 추출 시스템을 포함한 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 기판 테이블은 기판을 지지하도록 구성된다. 유체 핸들링 구조체는 기판 상의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성되며, 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함한다. 유체 추출 시스템은 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성되고 배치되며, 패턴 내에 배치된 복수의 개구부들을 포함한다.
패턴은 선형 구성일 수 있다. 패턴은 반복적일 수 있다. 개구부들은 서로 등거리에 있을 수 있다. 아래 놓인 표면의 두 부분들은 기판 테이블 및 기판에 의해 각각 정의될 수 있다. 아래 놓인 표면의 두 부분들은 기판 테이블 및 셔터 부재에 의해 각각 정의될 수 있다. 복수의 개구부들은 두 부분들 중 하나의 측벽 표 면 내에 있을 수 있다.
일 실시예에서, 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함함 -; 및 패턴 내에 배치된 복수의 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템을 이용하여 갭으로부터 액체를 제거하는 단계를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
상기 방법은 유체 핸들링 구조체 아래로 갭을 2 회 이상 이동시키는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 이동시키는 단계는 한 방향으로만 이동한다. 복수의 개구부들은 두 부분들 중 적어도 1 이상의 측벽 표면 내에 있을 수 있다. 각각의 개구부는 추출 채널의 어퍼처일 수 있다. 각각의 개구부는 콜렉터 채널에 연결될 수 있으며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과, 바람직하게는 모든 추출 채널들과 공통이다. 콜렉터 채널이 부피는 콜렉터 채널에 개구부들을 연결하는 복수의 추출 채널들의 조합된 부피보다 실질적으로 더 클 수 있다. 콜렉터 채널의 추출 유속은 콜렉터 채널에 개구부들을 연결하는 복수의 추출 채널들 각각에 걸친 압력 강하가 각각의 추출 채널 내의 액체의 모세관 압력보다 더 크도록 구성될 수 있다. 콜렉터 채널은 개구부들이 존재하는 부분 내에 있을 수 있다.
일 실시예에서, 투영 시스템; 제 1 대상물; 제 2 대상물; 및 제어기를 포함한 리소그래피 장치가 제공된다. 제어기는 투영 시스템 아래에서 제 1 대상물이 제 2 대상물로 교체되는 경우에 두 대상물들이 항상 실질적으로 동일한 방향으로 이동하고, 투영 시스템 아래에서 제 2 대상물이 제 1 대상물로 교체되는 경우에 두 대상물들이 항상 실질적으로 동일한 방향으로 이동하도록 상기 장치 내에서 제 1 및 제 2 대상물들의 이동을 제어하도록 구성된다.
일 실시예에서, 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 부분들을 포함함 -; 및 유체 핸들링 구조체 아래로 갭을 2 회 이상 이동시키는 단계- 상기 이동시키는 단계는 제 1 방향으로만 이동함 -를 포함한 디바이스 제조 방법이 제공된다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계-판독가능한 명령어는 2 이상의 컴퓨터 프로그램들 내에서 구현될 수 있다. 2 이상의 컴퓨터 프로그램들은 1 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체 상에 저장될 수 있다.
앞서 설명된 제어기들은 신호들을 수신하고, 처리하며, 송신하는 여하한의 적절한 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 제어기는 앞서 설명된 방법들에 대한 기계-판독가능한 명령어들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 1 이상 의 프로세서를 포함할 수 있다. 제어기들은 이러한 컴퓨터 프로그램들을 저장하는 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하는 하드웨어를 포함할 수 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예는 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 앞서 언급된 형태들에 적용될 수 있지만 이에 국한되지는 않으며, 침지 액체가 배스의 형태로 제공되는지, 기판의 국부화된 표면적에 한정되는지, 또는 기판 및/또는 기판 테이블에 한정되지 않는지의 여부에 따라 적용될 수 있다. 한정되지 않는 구성에서, 침지 액체는 기판 및/또는 기판 테이블의 표면에 걸쳐 흐를 수 있으므로, 실질적으로 기판 테이블 및/또는 기판의 덮여있지 않은 전체 표면이 젖게 된다. 이러한 한정되지 않는 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있으며, 또는 실질적으로 침지 액체의 완전한 한정은 아니지만 침지 액체 한정의 부분을 제공할 수 있다.
본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 그것은 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메카니즘 또는 조합일 수 있다. 그것은 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유입구, 1 이상의 가스 유입구, 1 이상의 가스 유출구 및/또는 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유량 또는 액체의 여하한의 다른 특징들을 제어하 는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 소정 실시예들 및 예시들에 관하여 설명되지만, 당업자라면 본 발명이 특정하게 개시된 실시예들의 범위를 넘어 본 발명의 다른 대안적인 실시예들 및/또는 사용예들 및 명백한 수정예들 및 그 균등물들로 연장된다는 것을 이해할 것이다. 또한, 본 발명의 다수 변형예들이 상세하게 도시되고 설명되지만, 당업자라면 이 기재내용에 기초하여 본 발명의 범위 내에 있는 다른 수정예들을 쉽게 알 것이다. 예를 들어, 실시예들의 특정한 특징들 및 실시형태들의 다양한 조합 또는 하위조합들이 구성될 수 있으며, 여전히 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 생각된다. 따라서, 개시된 실시예들의 다양한 특징들 및 실시형태들이 개시된 발명의 여러가지 모드들을 형성하기 위하여 서로 조합되거나 바뀔 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 본 명세서에서 개시된 본 발명의 범위는 앞서 설명된 개시된 특정 실시예들에 의해 제한되는 것이 아니라, 다음 청구항들의 올바른(fair) 판독에 의해서만 결정되어야 하는 것으로 의도된다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 액체 공급 시스템으로서 유체 핸들링 구조체를 도시하는 도면;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 5는 액체 공급 시스템으로서 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 방벽 부재의 단면도;
도 6은 본 발명의 일 실시예와 사용될 수 있는 방벽 부재의 단면도;
도 7은 기판 테이블의 표면인 셔터 부재의 형태의 단면도;
도 8은 폐쇄 디스크의 형태인 셔터 부재의 단면도;
도 9는 기판 및/또는 기판 테이블 교환 시, 폐쇄 디스크의 형태인 셔터 부재의 단면도;
도 10은 수축식 브릿지의 형태인 셔터 부재의 일 실시예의 평면도;
도 11은 수축식 브릿지의 형태인 셔터 부재의 일 실시예의 평면도;
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템의 평면도 및 단면도;
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 일 실시예에서의 유체 추출 개구부들 주위의 코팅을 개략적으로 도시하는 도면;
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 추출 시스템의 단면도를 각각 예시하는 도면;
도 15는 본 발명의 일 실시예의 일 실시형태에 따르고, 기판의 에지에 구현된 유체 추출 시스템의 단면도;
도 16은 인접한 기판 테이블들에서의 유체 추출 시스템들의 단면도;
도 17은 추출 채널에서의 액체의 동작을 개략적으로 예시하는 도면;
도 18a 및 도 18b는 셔터 부재가 투영 시스템 아래에서 한 방향으로만 이동함에 의해 기판 교환이 발생되는 일 실시예의 평면도; 및
도 19a 및 도 19b는 뾰족한 에지 및 곡선 에지를 가로지르는 메니스커스의 동작을 예시하는 도면이다.

Claims (15)

  1. 침지 리소그래피 장치에 있어서:
    기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블;
    최상면을 갖는 셔터 부재(shutter member)- 사용 시, 상기 최상면은 상기 기판 테이블의 표면과 실질적으로 같은 평면(co-planar)에 있으며, 상기 셔터 부재 및 상기 기판 테이블의 표면들은 갭에 의해 떨어져 이격됨 -;
    투영 시스템과 (ⅰ) 상기 기판, 또는 (ⅱ) 상기 기판 테이블, 또는 (ⅲ) 상기 셔터 부재의 표면, 또는 (ⅳ) 상기 (ⅰ) 내지 상기 (ⅲ)으로부터 선택된 여하한의 조합 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체; 및
    상기 셔터 부재 및/또는 상기 기판 테이블의 측벽 표면 내의 추출 개구부(extraction opening)를 통해 상기 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성된 유체 추출 시스템
    을 포함하여 이루어지고,
    상기 유체 추출 시스템은 복수의 추출 개구부들을 포함하며, 각각의 개구부는 상기 측벽 표면 내에 정의되고,
    각각의 추출 개구부는 추출 채널의 어퍼처(aperture)이고, 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널(collector channel)에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이고, 상기 콜렉터 채널은 상기 추출 개구부가 형성되는 상기 기판 테이블 또는 상기 셔터 부재 내에 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 셔터 부재는 제 2 테이블이거나, 상기 기판 테이블과 상기 제 2 테이블 사이의 브릿지(bridge)인 침지 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 테이블은 제 2 기판 테이블인 침지 리소그래피 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 브릿지는 수축식 브릿지(retractable bridge)인 침지 리소그래피 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구부들을 둘러싸는 상기 갭의 상기 측벽 표면은 친액체성(lyophilic)인 침지 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 갭의 상기 측벽 표면 중 적어도 일부는 소액체성(lyophobic)인 침지 리소그래피 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 콜렉터 채널의 부피는 상기 추출 채널들의 조합된 부피보다 실질적으로 더 큰 침지 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 테이블, 또는 상기 셔터 부재, 또는 상기 기판 테이블과 상기 셔터 부재의 에지를 따라 서로 동일한 간격 또는 서로 동일하지 않은 간격으로 상기 갭 내에 배치된 복수의 추출 개구부들을 포함하는 침지 리소그래피 장치.
  11. 침지 리소그래피 장치에 있어서:
    기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 상기 기판, 또는 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판과 상기 기판 테이블 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체; 및
    상기 기판과 상기 기판 테이블 사이의 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성되고, 액체를 추출하는 복수의 추출 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템- 상기 개구부들은 상기 갭을 정의하는 측벽 표면 내에 정의됨 -
    을 포함하여 이루어지고,
    상기 복수의 추출 개구부들 각각은 추출 채널의 어퍼처(aperture)이고, 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널(collector channel)에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이고, 상기 콜렉터 채널은 상기 추출 개구부가 형성되는 상기 기판 테이블 내에 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  12. 침지 리소그래피 장치에 있어서:
    기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판 상의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인(underlying) 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 구성된 유체 핸들링 구조체- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 측벽 부분들을 포함함 -; 및
    상기 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성되고 배치되는 유체 추출 시스템
    을 포함하여 이루어지고,
    상기 유체 추출 시스템은, 서로 동일한 간격 또는 서로 동일하지 않은 간격으로 배치되고 상기 2 개의 측벽 부분들 중 적어도 하나 내에 정의되는 복수의 개구부들을 포함하고,
    상기 복수의 개구부들 각각은 추출 채널의 어퍼처(aperture)이고, 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널(collector channel)에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이고, 상기 콜렉터 채널은 상기 개구부가 형성되는 대상물 내에 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  13. 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 측벽 부분들을 포함함 -, 및
    서로 동일한 간격 또는 서로 동일하지 않은 간격으로 배치되며 상기 2 개의 측벽 부분들 중 적어도 하나 내에 정의된 복수의 개구부들을 포함한 유체 추출 시스템을 이용하여, 상기 갭으로부터 액체를 제거하는 단계
    를 포함하여 이루어지고,
    상기 복수의 개구부들 각각은 추출 채널의 어퍼처(aperture)이고, 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널(collector channel)에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이고, 상기 콜렉터 채널은 상기 개구부가 형성되는 대상물 내에 구성되는 디바이스 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 기판의 타겟부에 패터닝된 방사선 빔을 지향하도록 구성된 투영 시스템과 아래 놓인 실질적으로 평탄한 표면 사이에 액체를 공급하고 한정하도록 유체 핸들링 구조체를 이용하는 단계- 상기 아래 놓인 표면은 그 사이에 갭이 정의되어 있는 2 개의 측벽 부분들을 포함하고, 상기 2 개의 측벽 부분들 중 적어도 하나는 상기 갭으로부터 액체를 제거하도록 구성된 복수의 개구부들을 포함함 -, 및
    상기 갭을 형성하는 리소그래피 장치 내의 대상물들을 상기 유체 핸들링 구조체에 대해 상대적으로 이동시키도록 제어함에 의하여, 상기 유체 핸들링 구조체 아래로 상기 갭을 2 회 이상 이동시키는 단계
    를 포함하여 이루어지고,
    상기 갭은 상기 유체 핸들링 구조체 아래에서 단일 병진 자유도(single degree of translational freedom) 중 오직 하나의 방향으로만 이동하고,
    상기 복수의 개구부들 각각은 추출 채널의 어퍼처(aperture)이고, 각각의 추출 채널은 콜렉터 채널(collector channel)에 연결되며, 상기 콜렉터 채널은 적어도 2 이상의 추출 채널들과 공통이고, 상기 콜렉터 채널은 상기 개구부가 형성되는 대상물 내에 구성되는 디바이스 제조 방법.
KR1020090047171A 2008-05-28 2009-05-28 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법 Active KR101099059B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7196508P 2008-05-28 2008-05-28
US61/071,965 2008-05-28
US13603008P 2008-08-07 2008-08-07
US61/136,030 2008-08-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110038076A Division KR101299540B1 (ko) 2008-05-28 2011-04-22 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090123829A KR20090123829A (ko) 2009-12-02
KR101099059B1 true KR101099059B1 (ko) 2011-12-26

Family

ID=41379370

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090047171A Active KR101099059B1 (ko) 2008-05-28 2009-05-28 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
KR1020110038076A Active KR101299540B1 (ko) 2008-05-28 2011-04-22 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110038076A Active KR101299540B1 (ko) 2008-05-28 2011-04-22 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (3) US9176393B2 (ko)
EP (1) EP2128703A1 (ko)
JP (4) JP5097166B2 (ko)
KR (2) KR101099059B1 (ko)
CN (1) CN101598905B (ko)
SG (2) SG176490A1 (ko)
TW (1) TWI444783B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL2004305A (en) 2009-03-13 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5315100B2 (ja) * 2009-03-18 2013-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置
NL2004907A (en) 2009-06-19 2010-12-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004820A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow.
NL2005322A (en) 2009-09-11 2011-03-14 Asml Netherlands Bv A shutter member, a lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005126A (en) * 2009-09-21 2011-03-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method.
NL2005666A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2006127A (en) * 2010-02-17 2011-08-18 Asml Netherlands Bv A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus.
NL2006818A (en) 2010-07-02 2012-01-03 Asml Netherlands Bv A method of adjusting speed and/or routing of a table movement plan and a lithographic apparatus.
US9568828B2 (en) * 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
CN108292109B (zh) * 2015-12-15 2020-05-12 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
EP3455677A1 (en) * 2016-05-12 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Extraction body for lithographic apparatus
CN107561866B (zh) * 2016-06-30 2019-08-23 上海微电子装备（集团）股份有限公司 用于浸没式光刻机的双工件台装置以及浸没式光刻机
NL2024077A (en) * 2018-10-25 2020-05-13 Asml Netherlands Bv Target material supply apparatus and method
CN112650028B (zh) * 2020-12-25 2024-02-09 浙江启尔机电技术有限公司 一种改善浸没流场压力特性的浸液供给回收装置

Family Cites Families (255)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE224448C (ko)
DE221563C (ko)
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH065603A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Sony Corp 半導体装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPH0883753A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
JP3387075B2 (ja) 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
AU5067898A (en) * 1996-11-28 1998-06-22 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
AU1682899A (en) 1997-12-18 1999-07-05 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001241439A (ja) 2000-02-25 2001-09-07 Canon Inc 静圧軸受を備えた移動装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4405071B2 (ja) 2000-10-23 2010-01-27 パナソニック株式会社 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002289515A (ja) 2000-12-28 2002-10-04 Nikon Corp 製品の製造方法、露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
KR101013347B1 (ko) 2002-04-09 2011-02-10 가부시키가이샤 니콘 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571697A4 (en) 2002-12-10 2007-07-04 Nikon Corp EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
AU2003283717A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
USRE46433E1 (en) 2002-12-19 2017-06-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
JP4362862B2 (ja) 2003-04-01 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP4488004B2 (ja) 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
JP4775256B2 (ja) 2003-04-10 2011-09-21 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
KR101409565B1 (ko) 2003-04-10 2014-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP3352010A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
EP2172809B1 (en) 2003-04-11 2018-11-07 Nikon Corporation Cleanup method for optics in an immersion lithography apparatus, and corresponding immersion lithography apparatus
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
SG152078A1 (en) 2003-04-17 2009-05-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060009356A (ko) * 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
WO2004112108A1 (ja) * 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004114380A1 (ja) 2003-06-19 2004-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060027832A (ko) 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
JP4697138B2 (ja) 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101523180B1 (ko) * 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
DE60302897T2 (de) * 2003-09-29 2006-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP1685446A2 (en) 2003-11-05 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP2005150290A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Canon Inc 露光装置およびデバイスの製造方法
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10355301B3 (de) * 2003-11-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
EP1700163A1 (en) 2003-12-15 2006-09-13 Carl Zeiss SMT AG Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
KR101941351B1 (ko) 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101417706B1 (ko) 2004-01-14 2014-07-08 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
CN101726863B (zh) 2004-01-16 2012-08-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 偏振调制光学元件
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101135232B1 (ko) 2004-01-20 2012-04-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN100552879C (zh) 2004-02-02 2009-10-21 尼康股份有限公司 载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
CN101727021A (zh) 2004-02-13 2010-06-09 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US20070201010A1 (en) 2004-03-25 2007-08-30 Nikon Corporation Exposure Apparatus, Exposure Method, And Device Manufacturing Method
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170028451A (ko) 2004-05-17 2017-03-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1774405B1 (en) 2004-06-04 2014-08-06 Carl Zeiss SMT GmbH System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
KR101681101B1 (ko) * 2004-06-09 2016-11-30 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006030908A1 (ja) * 2004-09-17 2006-03-23 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP3046135B1 (en) 2004-10-15 2017-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100533662C (zh) * 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20190006097A (ko) * 2004-12-15 2019-01-16 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4844186B2 (ja) * 2005-03-18 2011-12-28 株式会社ニコン プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7349069B2 (en) * 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7405811B2 (en) 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US20070127135A1 (en) * 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7446859B2 (en) * 2006-01-27 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US7310132B2 (en) * 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027019B2 (en) * 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101385124B (zh) * 2006-05-23 2011-02-09 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
US20070273856A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Nikon Corporation Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a substrate
JPWO2007139017A1 (ja) 2006-05-29 2009-10-08 株式会社ニコン 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL1036924A1 (nl) * 2008-06-02 2009-12-03 Asml Netherlands Bv Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method.

Also Published As

Publication number Publication date
US12072635B2 (en) 2024-08-27
SG176490A1 (en) 2011-12-29
US9176393B2 (en) 2015-11-03
JP2012253389A (ja) 2012-12-20
EP2128703A1 (en) 2009-12-02
CN101598905A (zh) 2009-12-09
KR20110061526A (ko) 2011-06-09
JP6343320B2 (ja) 2018-06-13
JP2009290212A (ja) 2009-12-10
US11187991B2 (en) 2021-11-30
TW201007372A (en) 2010-02-16
JP5097166B2 (ja) 2012-12-12
CN101598905B (zh) 2013-03-20
US20090296065A1 (en) 2009-12-03
US20160011522A1 (en) 2016-01-14
KR101299540B1 (ko) 2013-08-23
JP2015166877A (ja) 2015-09-24
JP2016224470A (ja) 2016-12-28
JP6017618B2 (ja) 2016-11-02
KR20090123829A (ko) 2009-12-02
SG157342A1 (en) 2009-12-29
TWI444783B (zh) 2014-07-11
US20220082948A1 (en) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101099059B1 (ko) 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
US10649341B2 (en) Lithographic apparatus
KR100968234B1 (ko) 리소그래피 장치
KR101227636B1 (ko) 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101152832B1 (ko) 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR100759065B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR101116765B1 (ko) 유체 핸들링 디바이스, 침지 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2008010864A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010147466A (ja) 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP5503938B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20090528

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110223

Patent event code: PE09021S01D

A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20110422

Patent event code: PA01071R01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20110531

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20110223

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20110829

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20110531

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20111010

Appeal identifier: 2011101006173

Request date: 20110829

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20110927

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20110829

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20110422

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20111010

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20111006

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20111220

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20111221

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141212

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20141212

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151211

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151211

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161209

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161209

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171208

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171208

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201209

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221212

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231213

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241210

Start annual number: 14

End annual number: 14