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KR101076725B1 - Voltage regulator and rfid apparatus using the same - Google Patents

Voltage regulator and rfid apparatus using the same Download PDF

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KR101076725B1
KR101076725B1 KR1020090059875A KR20090059875A KR101076725B1 KR 101076725 B1 KR101076725 B1 KR 101076725B1 KR 1020090059875 A KR1020090059875 A KR 1020090059875A KR 20090059875 A KR20090059875 A KR 20090059875A KR 101076725 B1 KR101076725 B1 KR 101076725B1
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Abstract

본 발명의 일측면은, 전원단의 전압 크기를 감지하여 상기 전원단의 전압 크기에 따른 기준전압과 상기 전원단의 전압 크기에 따라 기설정된 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력하는 전원전압 감지부와, 상기 전원전압 감지부에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경하는 풀-다운(pull down) 제어부, 및 상기 풀-다운 제어부의 출력신호에 의해 전원단에서 접지단으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어하는 풀-다운(pull down) 구동부를 포함하는 전압 조정기 및 이를 이용한 RFID 장치를 제공할 수 있다.

Figure R1020090059875

전압 조정기(voltage regulator), 기준전압(reference voltage), 풀-다운(pull Down)

One side of the present invention, by detecting the voltage level of the power supply terminal to detect the power supply voltage to amplify and output a voltage difference between the reference voltage according to the voltage level of the power supply and a predetermined sensing voltage according to the voltage level of the power supply terminal And a pull-down controller for buffering the signal output from the power supply voltage sensing unit to a CMOS level, and an output signal of the pull-down control unit from the power supply terminal to the ground terminal. A voltage regulator including a pull-down driver for controlling the flow of a pull-down current and an RFID device using the same can be provided.

Figure R1020090059875

Voltage regulator, reference voltage, pull-down

Description

전압 조정기 및 이를 이용한 RFID 장치{VOLTAGE REGULATOR AND RFID APPARATUS USING THE SAME}VOLTAGE REGULATOR AND RFID APPARATUS USING THE SAME

본 발명은, 전압 조정기 및 이를 이용한 RFID 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 안정적으로 전압을 제공할 수 있는 전압 조정기 및 이를 이용한 RFID 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a voltage regulator and an RFID device using the same, and more particularly, to a voltage regulator capable of providing a stable voltage and an RFID device using the same.

전압 조정기란, 특정한 전기회로에서 소정의 범위로 출력 신호 레벨을 제한하는 회로이다. 최근들어 LSI(large Scale Integraion) 내의 디바이스의 소형화 및 고집적화에 따라, 저전압으로 동작하는 회로의 수가 증가하고 있다. 또한, 상이한 동작 전원을 갖는 몇몇 회로가 종종 하나의 LSI 에 탑재될 수 있다. 이런 경우에, 특정 동작 전압 이상의 과전압이 저전압으로 동작하는 회로에 인가된다면, 그 회로를 통해 과전류가 흐르기 때문에 그 회로가 파괴될 수 있다. 따라서, 고전압으로 동작하는 회로로부터 저전압으로 동작하는 회로로 신호를 출력하는 경우에 출력전압의 전압 레벨은 전압 조정기(Voltage Regulator)에 의해 제한될 필요가 있다. The voltage regulator is a circuit that limits the output signal level to a predetermined range in a specific electric circuit. In recent years, with the miniaturization and integration of devices in large scale integration (LSI), the number of circuits operating at low voltage is increasing. In addition, several circuits with different operating power sources can often be mounted in one LSI. In this case, if an overvoltage above a certain operating voltage is applied to a circuit operating at a low voltage, the circuit may be destroyed because an overcurrent flows through the circuit. Therefore, in the case of outputting a signal from a circuit operating at a high voltage to a circuit operating at a low voltage, the voltage level of the output voltage needs to be limited by a voltage regulator.

RFID(Radio Frequency Identification)는 스마트 태그라고도 불리며, 각종 물품에 소형 칩을 부착하여 사물의 정보와 주변 환경정보를 무선주파수로 전송하고 처리하는 비접촉식 인식 시스템이다. RFID 시스템을 구성하는 요소로서 RFID 태그 내부의 회로는 내부 전원 없이 판독기의 전파신호로부터 에너지를 공급받아 동작할 수 있다. 상기 RFID 태그에서도 회로소자에 과도한 전압이 제공되는 것을 방지하기 위해 전압 조정기를 사용하고 있다. RFID 태그에 장착되는 회로소자의 경우 작은 전압차에 의해서도 민감하게 반응하거나 훼손될 수 있으므로, 안정적인 전압을 공급할 수 있는 전압 조정기가 필요하다. 또한, 전압 조정기 자체에서 소모되는 전력을 최소화하는 것이 필요하다. RFID (Radio Frequency Identification), also called a smart tag, is a non-contact recognition system that transmits and processes information of objects and surrounding environment information at a radio frequency by attaching a small chip to various items. As an element constituting the RFID system, a circuit inside the RFID tag may operate by receiving energy from a radio signal of a reader without an internal power source. The RFID tag also uses a voltage regulator to prevent excessive voltage from being provided to the circuitry. In the case of a circuit element mounted on an RFID tag, even a small voltage difference may be sensitively reacted or damaged, and thus a voltage regulator capable of supplying a stable voltage is needed. It is also necessary to minimize the power dissipated in the voltage regulator itself.

상기한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 보다 안정적인 전압을 제공하며, 전력 소모를 최소화 할 수 있는 전압 조정기 및 이를 이용한 RFID 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a voltage regulator that can provide a more stable voltage, minimize the power consumption and an RFID device using the same.

본 발명의 일측면은, 전원단의 전압 크기를 감지하여 상기 전원단의 전압 크기에 따른 기준전압과 상기 전원단의 전압 크기에 따라 기설정된 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력하는 전원전압 감지부와, 상기 전원전압 감지부에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경하는 풀-다운(pull down) 제어부, 및 상기 풀-다운 제어부의 출력신호에 의해 전원단에서 접지단으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어하는 풀-다운(pull down) 구동부를 포함하는 전압 조정기를 제공할 수 있다.One side of the present invention, by detecting the voltage level of the power supply terminal to detect the power supply voltage to amplify and output a voltage difference between the reference voltage according to the voltage level of the power supply and a predetermined sensing voltage according to the voltage level of the power supply terminal And a pull-down controller for buffering the signal output from the power supply voltage sensing unit to a CMOS level, and an output signal of the pull-down control unit from the power supply terminal to the ground terminal. A voltage regulator can be provided that includes a pull-down driver that controls the flow of pull-down current.

상기 전원전압 감지부는, 전원단과 접지단 사이에 형성되어 기준전압을 출력하는 기준전압 생성부와, 상기 전원단의 전압에 따라 다르게 설정된 센싱전압을 출력하는 센싱부, 및 상기 기준전압 및 센싱전압을 각각 입력받아 그 차이를 증폭하여 출력하는 증폭부를 포함할 수 있다. The power supply voltage detection unit may include a reference voltage generation unit formed between a power supply terminal and a ground terminal to output a reference voltage, a sensing unit that outputs a sensing voltage differently set according to the voltage of the power supply terminal, and the reference voltage and the sensing voltage. Each input unit may include an amplifier for amplifying and outputting the difference.

상기 기준전압 생성부는, 일단이 전원단에 연결되는 풀업 저항과, 상기 풀업 저항의 타단에 소스가 연결되고, 드레인은 접지단에 연결되는 제 1 트랜지스터, 및 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되고, 게이트가 상기 전원단에 연결되며, 소스가 상기 풀업 저항의 타단에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하며, 상기 풀업 저항의 타단이 상기 증폭부에 연결될 수 있다. The reference voltage generator includes a pull-up resistor having one end connected to a power supply terminal, a source connected to the other end of the pull-up resistor, a drain connected to a ground terminal, and a drain connected to a gate of the first transistor. And a second transistor having a gate connected to the power supply terminal, a source connected to the other end of the pullup resistor, and the other end of the pullup resistor connected to the amplifier.

상기 센싱부는, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 n 개(n은 양의 정수)의 분압저항과, 상기 n개의 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결되는 n-1 개의 센싱 트랜지스터와, 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 중 적어도 두 개의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치, 및 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 두 개를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부를 포함할 수 있다. The sensing unit is connected between a power supply terminal and a ground terminal in series, n divided voltage resistors having the same resistance value (n is a positive integer), and n-1 voltage sources connected between each of the n divided voltage resistors. A first power connected to a sensing transistor and a gate of each of the n-1 sensing transistors to turn on between a source and a drain of at least two sensing transistors of the n-1 sensing transistors according to a voltage of the power terminal; An on device and a drain of each of the n-1 sensing transistors, and selecting two of the sensing transistors turned on by the first power-on device to output a preset sensing voltage according to the voltage of the power terminal; It may include a sensing voltage output unit.

또한, 상기 센싱부는, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 2n 개(n은 양의 정수)의 분압저항과, 상기 2n 개의 분압저항 중 n 번째 분압저항과 n+1 번째 분압저항 사이에 소스가 연결되는 중앙 센싱 트랜지스터 및 상기 중앙 센싱 트랜지스터를 기준으로 서로 쌍을 이루도록 배치되어 상기 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결된 복수개의 센싱 트랜지스터를 포함하는 2n-1 개의 센싱 트랜지스터와, 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 중앙 센싱트랜지스터 및 적어도 하나의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치, 및 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 상기 중앙 센싱 트랜지스터 및 하나의 센싱 트랜지스터를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부를 포함할 수도 있다.The sensing unit may be connected in series between a power supply terminal and a ground terminal, and may have 2n voltage divider resistors having the same resistance value (n is a positive integer), and nth voltage divider resistors and n + 1th voltages among the 2n voltage divider resistors. 2n-1 sensing transistors including a plurality of sensing transistors having a source coupled between the divided resistors and a plurality of sensing transistors connected to each other based on the central sensing transistors; A first power-on device connected to a gate of each of the 2n-1 sensing transistors and turning on a source and a drain of the central sensing transistor and at least one sensing transistor according to a voltage of the power supply terminal, and the 2n− A center sense of the sensing transistors connected to the drain of each of the sensing transistors and turned on by the first power-on device; It may comprise a transistor and a select transistor to sense the power supply output voltage sensing stage for outputting a sensing voltage in accordance with a predetermined portion of a voltage.

상기 센싱 트랜지스터는, 동일한 스레스홀드 전압을 갖거나 또는 서로 다른 스레스홀드 전압을 가질 수 있다. The sensing transistor may have the same threshold voltage or different threshold voltages.

상기 증폭부는, 상기 기준전압 및 센싱전압을 입력으로 받는 차동 증폭기와, 상기 차동 증폭기와 상기 전원단 사이에 형성되는 제1 저항, 및 상기 차동 증폭기와 상기 접지단 사이에 형성되는 제2 저항을 포함할 수 있다. The amplifier includes a differential amplifier receiving the reference voltage and the sensing voltage as an input, a first resistor formed between the differential amplifier and the power supply terminal, and a second resistor formed between the differential amplifier and the ground terminal. can do.

상기 풀-다운 제어부는, 상기 전원전압 감지부의 출력신호를 입력받는 CMOS 인버터와, 드래인이 상기 CMOS 인버터와 연결되고, 소스가 전원단에 연결되는 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터와, 소스가 상기 CMOS 인버터에 연결되고, 드래인이 접지단에 연결되는 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터, 및 상기 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터의 게이트 및 상기 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터를 온(On)시키는 제2 파워온 장치를 포함할 수 있다. The pull-down control unit may include a CMOS inverter configured to receive an output signal of the power voltage detection unit, a drain connected to the CMOS inverter, a first transistor for pull-down control connected to a power source, and a source of the A second transistor for pull-down control connected to a CMOS inverter and having a drain connected to a ground terminal, and a gate of the first transistor for pull-down control and a gate of the second transistor for pull-down control connected to the power supply; And a second power-on device for turning on the pull-down control first and second transistors according to the voltage of the stage.

상기 풀-다운 구동부는, 게이트가 상기 풀-다운 제어부에 연결되고, 소스가 전원단에 연결되고, 드레인이 접지단에 연결되는 풀-다운 구동용 트랜지스터를 포함할 수 있다. The pull-down driving unit may include a pull-down driving transistor having a gate connected to the pull-down controller, a source connected to a power supply terminal, and a drain connected to a ground terminal.

상기 전압 조정기는, 상기 풀-다운 제어부와 풀-다운 구동부 사이에 연결되는 적어도 하나의 인버터를 더 포함할 수 있다. The voltage regulator may further include at least one inverter connected between the pull-down controller and the pull-down driver.

본 발명의 다른 일측면은, RF 신호를 입력받아 전원 전압을 출력하는 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier)와, 상기 전원 전압 크기를 감지하여 상기 전원 전압 크기에 따른 기준전압과 상기 전원 전압 크기에 따라 기설정된 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력하는 전원전압 감지부와, 상기 전원전압 감지부에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경하는 풀-다운(pull down) 제어부, 및 상기 풀-다운 제어부의 출력신호에 의해 전원단에서 접지단으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어하는 풀-다운(pull down) 구동부를 포함하는 전압 조정기, 및 상기 전압 조정기에 의해 조절된 전원 전압을 입력받아 디지털 블럭을 제어하기 위한 클럭 신호를 발생시키는 클럭 제너레이터를 포함하는 RFID 장치를 제공할 수 있다. Another aspect of the present invention, the voltage multiplier (Voltage Multiplier) for receiving the RF signal and outputs the power supply voltage, and detects the power supply voltage magnitude according to the reference voltage and the power supply voltage magnitude according to the power supply voltage magnitude. A power supply voltage detector for amplifying and outputting a voltage difference between the set sensing voltages, a pull-down controller for buffering a signal output from the power supply voltage detector to a CMOS level, and the pull-down controller A voltage regulator including a pull-down driver for controlling the flow of a pull-down current flowing from the power supply terminal to the ground terminal by an output signal of the -down controller, and a power supply voltage regulated by the voltage regulator It is possible to provide an RFID device including a clock generator that receives and generates a clock signal for controlling the digital block.

본 발명에 따르면, 보다 안정적인 전압을 제공하며, 전력 소모를 최소화 할 수 있는 전압 조정기 및 RFID 를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a voltage regulator and RFID that can provide a more stable voltage and minimize power consumption.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 전압 조정기의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a voltage regulator according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시형태에 따른 전압 조정기(10)는, 전원전압 감지부(100), 풀-다운 제어부(200), 및 풀-다운 구동부(300)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the voltage regulator 10 according to the present embodiment may include a power supply voltage detector 100, a pull-down controller 200, and a pull-down driver 300.

상기 전원전압 감지부(100)는, 입력되는 전원전압의 크기를 감지하여 기준전압과 기설정된 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력할 수 있다. The power supply voltage detecting unit 100 may detect the magnitude of the input power supply voltage to amplify and output a voltage difference between the reference voltage and the preset sensing voltage.

본 실시형태에서, 상기 전원전압 감지부(100)는, 전원단(VDD)과 접지단(GND) 사이에 형성되어 기준전압을 출력하는 기준전압 생성부(110), 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱부(120), 및 상기 기준전압 및 센싱전압을 각각 입력받아 그 차이를 증폭하여 출력하는 증폭부(130)을 포함할 수 있다. In the present embodiment, the power supply voltage detector 100 is formed between the power supply terminal VDD and the ground terminal GND to output a reference voltage, and outputs a preset sensing voltage. The sensing unit 120 and the amplifying unit 130 for receiving the reference voltage and the sensing voltage, respectively, amplifies the difference and outputs.

상기 기준전압 생성부(110)는, 일단이 전원단에 연결되는 풀업 저항(111), 상기 풀업 저항의 타단에 소스가 연결되고 드레인은 접지단에 연결되는 제 1 트랜지스터(112), 상기 제1 트랜지스터(112)의 게이트에 드레인이 연결되고 게이트가 전원단에 연결되며, 소스가 상기 풀업 저항(111)의 타단에 제2 트랜지스터(113)를 포함할 수 있다. 상기 풀업 저항(111)의 타단은 증폭부(130)에 연결될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 및 제2 트랜지스터(112, 113)는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 상기 제1 및 제2 트랜지스터(112, 113)의 게이트와 소스 사이에는 소정의 스레스홀드 전압(Vth)이 발생될 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 전원단(VDD)의 전원전압이 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 스레스홀드 전압보다 작은 경우에는 상기 제1 및 제2 트랜지스터(112, 113) 각각의 소스와 드래인 사이는 오프(off)상태로 되어, 상기 전원단(VDD)의 전압이 기준전압 생성부에서 출력되는 기준전압이 될 수 있다. 또한, 상기 전원전압이 상기 스레스홀드 전압보다 큰 경우에는 상기 제1 및 제2 트랜지스터(112, 113) 각각의 소스와 드래인 사이는 온(on) 상태로 되어 상기 제2 트랜지스터(113)의 스레스홀드 전압이 상기 기준전압이 될 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 풀업 저항(111)에 걸리는 전압이 상기 제1 트랜지스터(112)의 스레스홀드 전압보다 크게하면 상기 풀업 저항(111)에서의 전압 드롭이 커져 상기 기준전압이 상기 제2 트랜지스터(113)의 스레스홀드 전압으로 될 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 제1 및 제2 트랜지스터(112, 113)를 NMOS 형태로 설명하였으나, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 PMOS 형태로 대체될 수 있다. The reference voltage generator 110 may include a pull-up resistor 111 having one end connected to a power supply terminal, a first transistor 112 having a source connected to the other end of the pull-up resistor, and a drain connected to a ground terminal; A drain may be connected to a gate of the transistor 112, a gate may be connected to a power supply terminal, and a source may include a second transistor 113 at the other end of the pull-up resistor 111. The other end of the pull-up resistor 111 may be connected to the amplifier 130. In the present embodiment, the first and second transistors 112 and 113 may be NMOS transistors. A predetermined threshold voltage Vth may be generated between the gate and the source of the first and second transistors 112 and 113. In the present embodiment, when the power supply voltage of the power supply terminal VDD is smaller than the threshold voltages of the first and second transistors, between the source and the drain of each of the first and second transistors 112 and 113. In the off state, the voltage of the power supply terminal VDD may be a reference voltage output from the reference voltage generator. In addition, when the power supply voltage is greater than the threshold voltage, the source and the drain of each of the first and second transistors 112 and 113 are turned on to turn on the second transistor 113. The threshold voltage may be the reference voltage. In the present embodiment, when the voltage applied to the pull-up resistor 111 is greater than the threshold voltage of the first transistor 112, the voltage drop at the pull-up resistor 111 is increased, so that the reference voltage is equal to the second transistor ( 113 may be the threshold voltage. In the present embodiment, the first and second transistors 112 and 113 are described in the form of NMOS, but the first and second transistors may be replaced with the PMOS form.

상기 센싱부(120)는, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 2n개(n은 양의 정수)의 분압저항(121a ~ 121n)과, 상기 2n 개의 분압저항 중 n 번째 분압저항과 n+1 번째 분압저항 사이에 소스가 연결되는 중앙 센싱 트랜 지스터(N1) 및 상기 중앙 센싱 트랜지스터를 기준으로 서로 쌍을 이루도록 배치되어 상기 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결된 복수개의 센싱 트랜지스터(N2 와 N2', Nn 과 Nn') 를 포함하는 2n-1 개의 센싱 트랜지스터(122a ~ 122n)와, 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 중앙 센싱트랜지스터 및 적어도 하나의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치(Power On Level 1)(123), 및 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 상기 중앙 센싱 트랜지스터 및 하나의 센싱 트랜지스터를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부(124)를 포함할 수 있다. The sensing unit 120 is connected in series between a power supply terminal and a ground terminal, and has 2n voltage divider resistors 121a to 121n having the same resistance value as each other and nth of the 2n voltage divider resistors. A plurality of sensing transistors having a source coupled between the voltage divider and the n + 1th voltage divider to be paired with each other based on the center sensing transistor N1 and the center sensing transistor; 2n-1 sensing transistors 122a to 122n including (N2 and N2 ', Nn and Nn'), and the gates of the 2n-1 sensing transistors, respectively, and are connected to the center of the power terminal according to the voltage of the power supply terminal. A first power-on device (123) for turning on a sensing transistor and a source and a drain of at least one sensing transistor, and a drain of each of the 2n-1 sensing transistors; 1 power May include sensing the voltage output section 124 for outputting the sensing voltage on the sensing of the preset transistor according to a voltage of said power stage by selecting the central sensing transistor and a sensing transistor by a device.

본 실시형태에서, 상기 분압 저항(121a ~ 121n)에 의해 상기 전원단과 접지단 사이의 전압은 동일한 크기의 복수 전압으로 분압될 수 있다. In the present embodiment, the voltage between the power supply terminal and the ground terminal may be divided into a plurality of voltages having the same magnitude by the voltage divider 121a to 121n.

상기 제1 파워온 장치(123)에 의해 복수개의 센싱 트랜지스터 중 중앙 센싱 트랜지스터 및 적어도 하나의 소스와 드래인 사이가 온 상태로 될 수 있다. The first power-on device 123 may turn on the center sensing transistor and at least one source and the drain of the plurality of sensing transistors.

상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터는 각각 다른 스레스 홀드 전압을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 전원단의 전압 레벨에 따라 온 되는 센싱 트랜지스터가 달라질 수 있다. 이 경우에는 상기 센싱 전압 출력부(124)에서는, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 상태로 된 센싱 트랜지스터 중 두 개를 선택하여 사전에 설정된 센싱 전압을 출력할 수 있다. 여기서 사전에 설정된 센싱 전압은 전원단의 전압에 따라 미리 설정해 놓은 전압일 수 있다.The 2n-1 sensing transistors may have different threshold voltages. In this case, the sensing transistor turned on according to the voltage level of the power supply terminal may vary. In this case, the sensing voltage output unit 124 may select two of the sensing transistors turned on by the first power-on device to output a preset sensing voltage. The preset sensing voltage may be a voltage preset according to the voltage of the power supply terminal.

또한, 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터는 모두 동일한 스레스 홀드 전압을 가질 수 있다. 이 경우에는 상기 전원단의 전압 레벨이 일정한 크기가 되면 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터가 모두 온 상태로 될 수 있다. 이 경우에는, 상기 센싱 전압 출력부(124)에서는, 미리 설정된 센싱 전압에 맞게 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 상태로 된 센싱 트랜지스터 중 두 개를 선택하여 사전에 설정된 센싱 전압을 출력할 수 있다. 본 실시형태에서는, 상기 중앙 센싱 트랜지스터(N1)의 전압을 기준전압으로 하여 다른 하나의 센싱 트랜지스터를 선택하여 미리 설정된 센싱 전압을 출력할 수 있다. In addition, the 2n-1 sensing transistors may have the same threshold voltage. In this case, when the voltage level of the power supply terminal reaches a constant size, all of the 2n-1 sensing transistors may be turned on. In this case, the sensing voltage output unit 124 may select two of the sensing transistors turned on by the first power-on device to output a preset sensing voltage according to a preset sensing voltage. . In the present exemplary embodiment, another sensing transistor may be selected by using the voltage of the central sensing transistor N1 as a reference voltage to output a preset sensing voltage.

상기 증폭부(130)는, 상기 기준전압 및 센싱전압을 입력으로 받는 차동 증폭기(131)와, 상기 차동 증폭기와 상기 전원단 사이에 형성되는 제1 저항(132), 및 상기 차동 증폭기와 상기 접지단 사이에 형성되는 제2 저항(133)을 포함할 수 있다. The amplifier 130 includes a differential amplifier 131 receiving the reference voltage and the sensing voltage as an input, a first resistor 132 formed between the differential amplifier and the power supply terminal, and the differential amplifier and the ground. It may include a second resistor 133 formed between the stages.

상기 차동 증폭기(131)는, 정입력단(+)으로 상기 기준전압 생성부(110)에서 출력되는 기준전압을 입력받고, 부입력단(-)으로 상기 센싱부(120)에서 출력되는 센싱전압을 입력받아 상기 기준전압과 센싱전압의 차를 증폭하여 출력할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 차동 증폭기는 두 개의 트랜지스터가 연결된 형태로 구현될 수 있다. The differential amplifier 131 receives a reference voltage output from the reference voltage generator 110 through a positive input terminal (+), and inputs a sensing voltage output from the sensing unit 120 to a negative input terminal (-). In response, the difference between the reference voltage and the sensing voltage may be amplified and output. In the present embodiment, the differential amplifier may be implemented in a form in which two transistors are connected.

상기 제1 및 제2 저항(132, 133)은, 각각 상기 차동 증폭기(131)와 전원단(VDD) 및 상기 차동 증폭기(131)와 접지단(GND) 사이에 형성되어 상기 증폭부에 서의 전류 소모를 줄이기 위해 고저항 성분으로 구현될 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 제1 저항 및 제2 저항은 상기 차동 증폭기를 이루는 두 개의 트랜지스터에 각각 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 저항(132, 133)은 각각 전압 레벨을 안정화시키는 역할을 하여 상기 증폭부(130)에서의 전류소모를 줄일 수 있다. The first and second resistors 132 and 133 are formed between the differential amplifier 131 and the power supply terminal VDD and the differential amplifier 131 and the ground terminal GND, respectively. It can be implemented with a high resistance component to reduce current consumption. In the present embodiment, the first resistor and the second resistor may be respectively connected to two transistors forming the differential amplifier. The first and second resistors 132 and 133 serve to stabilize voltage levels, respectively, to reduce current consumption in the amplifier 130.

상기 풀-다운 제어부(200)는 상기 전원전압 감지부(100)에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경할 수 있다. The pull-down controller 200 may buffer the signal output from the power supply voltage detector 100 to change the CMOS level.

본 실시형태에서 상기 풀-다운 제어부(200)는, 상기 전원전압 감지부의 출력신호를 입력받는 CMOS 인버터(210)와, 드래인이 상기 CMOS 인버터와 연결되고 소스가 전원단에 연결되는 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터(231)와, 소스가 상기 CMOS 인버터에 연결되고 드래인이 접지단에 연결되는 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터(232), 및 상기 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터의 게이트 및 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터를 온(On)시키는 제2 파워온 장치(220)를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the pull-down control unit 200 includes a CMOS inverter 210 that receives an output signal of the power voltage detection unit, a pull-down in which a drain is connected to the CMOS inverter and a source is connected to a power supply terminal. A control first transistor 231, a pull-down control second transistor 232 having a source connected to the CMOS inverter and a drain connected to a ground terminal, and gates and pull-downs of the pull-down control first transistor. And a second power-on device 220 connected to the gate of the second control transistor for turning on the pull-down control first and second transistors according to the voltage of the power supply terminal.

상기 CMOS 인버터(210)는, NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 CMOS 인버터(210)는 상기 전원 전압감지부(100)의 차동 증폭기(131)에서 출력되는 신호에 따라 상기 NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터가 작동할 수 있다. 즉, 상기 차동 증폭기(131)에서 출력되는 신호가 저(Low) 이면 상기 PMOS 트랜지스터가 온 되어 상기 CMOS 인버터(210)의 출력신호는 고(High)일 수 있다. 차동 증폭기(131)에서 출력되는 신호가 고(High) 이면 상기 NMOS 트랜지스터가 온 되어 상기 CMOS 인버터(210)의 출력신호는 저(Low)일 수 있다. The CMOS inverter 210 may include an NMOS transistor and a PMOS transistor. In the present embodiment, the CMOS inverter 210 may operate the NMOS transistor or the PMOS transistor according to a signal output from the differential amplifier 131 of the power supply voltage sensing unit 100. That is, when the signal output from the differential amplifier 131 is low, the PMOS transistor is turned on so that the output signal of the CMOS inverter 210 may be high. When the signal output from the differential amplifier 131 is high, the NMOS transistor is turned on so that the output signal of the CMOS inverter 210 may be low.

본 실시형태에서 상기 CMOS 인버터(210)에 연결된 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터(231) 및 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터(232)는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터(231, 232) 각각의 게이트는 제2 파워온 장치(220)에 연결될 수 있다. 상기 제2 파워온 장치(220)의 작동에 의해 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터(231, 232) 각각의 소스와 드래인 사이의 온 오프 동작이 제어될 수 있다. 상기 제2 파워온 장치(220)는 전원단(VDD)에서 안정적인 전압이 입력될 때에 동작하여 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터 각각의 소스와 드래인 사이를 온 시킬 수 있다. 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터(231, 232)는 고저항 성분일 수 있다. 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터(231, 232)는 상기 CMOS 인버터(210)가 고(high) 또는 저(low)로 온 될 때 그 레벨을 안정화시킴으로서 상기 풀-다운 제어부(200)에서의 전류 소모를 줄일 수 있다. 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터로 대체될 수도 있다. In the present embodiment, the pull-down control first transistor 231 and the pull-down control second transistor 232 connected to the CMOS inverter 210 may be NMOS transistors. Gates of the first and second transistors 231 and 232 for the pull-down control may be connected to the second power-on device 220. By the operation of the second power-on device 220, the on-off operation between the source and the drain of each of the pull-down control first and second transistors 231 and 232 may be controlled. The second power-on device 220 may operate when a stable voltage is input from the power supply terminal VDD to turn on the source and the drain of each of the first and second transistors for the pull-down control. The first and second transistors 231 and 232 for pull-down control may be high resistance components. The pull-down control first and second transistors 231 and 232 stabilize the level when the CMOS inverter 210 is turned on high or low, thereby controlling the pull-down control unit 200. This reduces the current consumption at. The first and second transistors for pull-down control may be replaced with PMOS transistors.

상기 풀-다운 구동부(300)는, 상기 풀-다운 제어부(200)의 출력신호에 의해 전원단(VDD)에서 접지단(GND)으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 풀-다운 구동부(300)는 게이트가 상기 풀-다운 제어부(200)에 연결되고, 소스가 전원단(VDD)에 연결되고, 드레인이 접지단(GND)에 연결되는 풀-다운 구동용 트랜지스터(310)를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서, 상기 풀-다운 구동용 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터일 수 있다. 그러나, 상기 풀-다운 구동용 트랜지스터는 PMOS 형태로 구현될 수도 있다.The pull-down driving unit 300 may control the flow of the pull-down current flowing from the power supply terminal VDD to the ground terminal GND by the output signal of the pull-down control unit 200. In the present embodiment, the pull-down driving unit 300 includes a pull-gate having a gate connected to the pull-down control unit 200, a source connected to a power supply terminal VDD, and a drain connected to a ground terminal GND. The down driving transistor 310 may be included. In this embodiment, the pull-down driving transistor may be an NMOS transistor. However, the pull-down driving transistor may be implemented in the form of a PMOS.

상기 CMOS 인버터(210)의 출력신호가 고(High) 상태로 상기 풀-다운 구동용 트랜지스터(310)의 게이트에 입력되면 상기 풀-다운 구동용 트랜지스터(310)의 소스와 드래인 사이가 온 상태로 되어 상기 전원단(VDD)에서 접지단(GND)으로 제어전류가 흐를 수 있다. 따라서, 상기 전원단(VDD)과 접지단(GND) 사이의 전압을 일정하게 유지시킬 수 있다. When the output signal of the CMOS inverter 210 is input to the gate of the pull-down driving transistor 310 in a high state, the source and drain of the pull-down driving transistor 310 are turned on. The control current may flow from the power supply terminal VDD to the ground terminal GND. Therefore, the voltage between the power supply terminal VDD and the ground terminal GND can be kept constant.

본 실시형태에 따른 전압 조정기(10)는, 상기 풀-다운 제어부(200)와 풀-다운 구동부(300) 사이에 연결되는 적어도 하나의 인버터(400)를 더 포함할 수 있다. 본 실시형태에서 직렬로 연결된 제1 인버터(410) 및 제2 인버터(420)는 상기 풀-다운 제어부(200)에서 출력되는 신호를 기설정된 시간만큼 딜레이시켜 상기 풀-다운 구동부(300)로 입력시킬 수 있다. The voltage regulator 10 according to the present embodiment may further include at least one inverter 400 connected between the pull-down control unit 200 and the pull-down driving unit 300. In the present exemplary embodiment, the first inverter 410 and the second inverter 420 connected in series delay the signal output from the pull-down controller 200 for a predetermined time and input the same to the pull-down driving unit 300. You can.

도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 전압 조정기의 각 노드에서 검출되는 전압을 나타낸 것이다. 2 shows the voltage detected at each node of the voltage regulator according to one embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전원단의 전압(a), 센싱부에서 출력되는 센싱전압(c), 기준전압 생성부에서 출력되는 기준전압(d), 및 풀-다운 구동부로 입력되는 풀다운 신호(b)를 나타내고 있다.Referring to FIG. 2, the voltage (a) of the power supply terminal, the sensing voltage (c) output from the sensing unit, the reference voltage (d) output from the reference voltage generator, and the pull-down signal (b) input to the pull-down driving unit ).

상기 전원단의 전압(a)이 일정 전압 이상이 될 때 까지는 상기 기준전압(d)이 센싱 전압(c)보다 커서 상기 풀-다운 신호가 저(low) 상태를 유지할 수 있다. 이 경우에는 상기 도 1에서 풀-다운 구동부의 트랜지스터(310)가 오프 상태로 되어 상기 전원단의 전압이 상기 전압 조정기에서 출력되는 전압이 될 수 있다. Until the voltage (a) of the power supply terminal is equal to or greater than a predetermined voltage, the reference voltage (d) is greater than the sensing voltage (c) so that the pull-down signal may maintain a low state. In this case, in FIG. 1, the transistor 310 of the pull-down driving unit is turned off so that the voltage of the power terminal may be a voltage output from the voltage regulator.

상기 전원단의 전압(a)이 일정 전압 이상이 된 이후에는 상기 센싱전압(c)이 기준전압(d)보다 커지게 된다. 이 때 상기 풀-다운 신호는 고(High) 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 상기 도 1에서 풀-다운 구동부의 트랜지스터(310)가 온 상태로 되어 상기 전원단의 전압이 상기 일정 전압보다 더 커지더라도 상기 전원단과 접지단 사이에 일정 전압을 유지할 수 있다. 따라서, 상기 전압 조정기에서 출력되는 전압은 일정한 전압을 유지할 수 있다.After the voltage (a) of the power supply terminal reaches a predetermined voltage or more, the sensing voltage (c) becomes larger than the reference voltage (d). At this time, the pull-down signal may be in a high state. In this case, the transistor 310 of the pull-down driving unit is turned on in FIG. 1 to maintain a constant voltage between the power supply terminal and the ground terminal even when the voltage of the power supply terminal is greater than the predetermined voltage. Therefore, the voltage output from the voltage regulator can maintain a constant voltage.

도 3은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 전압 조정기가 사용되는 RFID 태그의 구성도이다. 3 is a configuration diagram of an RFID tag in which a voltage regulator according to an embodiment of the present invention is used.

본 실시형태에 따른 RFID 태그(500)는, 안테나(501), 아날로그 블럭(510), 디지털 블럭(520) 및 FeRAM 블럭(530)을 포함할 수 있다.The RFID tag 500 according to the present embodiment may include an antenna 501, an analog block 510, a digital block 520, and a FeRAM block 530.

상기 안테나(501)에서는, 외부 리더(Reader)/라이터(Writer)와 데이터를 주고 받을 수 있다. The antenna 501 may exchange data with an external reader / writer.

상기 안테나(501)에서 RF 신호를 수신하면, 상기 아날로그 블럭(510) 내에서 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier)(511)에서 상기 RF 신호에 의해 RFID 의 구동전압인 전원전압(VDD)을 생성할 수 있다. 파워 온 리셋(Power On Reset)(515)은 상기 상기 전압 멀티플라이어(511)의 출력전압 VDD를 감지하여 리셋(Reset) 동작을 제어하기 위한 파워-온 리셋 신호를 상기 디지털 블럭(520)에 출력할 수 있다. 클럭 제너레이터(Clock Generator)(516)는 전압 멀티플라이어(511)의 출력 전압에 따라 디지털 블럭(520)을 제어하기 위한 클럭신호를 발생시킬 수 있다. 디모듈레이터(Demodulator)(514)는 전압 멀티플라이어(511)와 전압 조정기(512)의 출력전압에 따라 안테나로부터 인가되는 무선 주파수 신호에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호를 디지털 블럭(520)에 출력할 수 있다. 모듈레이터(Modulator)(513)는 디지털 블럭(520)으로부터 인가되는 응답신호를 모듈레이팅하여 안테나(501)에 전송할 수 있다. When the antenna 501 receives the RF signal, a voltage multiplier 511 may generate a power supply voltage VDD which is a driving voltage of the RFID by the RF signal in the analog block 510. have. A power on reset 515 senses the output voltage VDD of the voltage multiplier 511 and outputs a power-on reset signal to the digital block 520 for controlling a reset operation. can do. The clock generator 516 may generate a clock signal for controlling the digital block 520 according to the output voltage of the voltage multiplier 511. The demodulator 514 detects an operation command signal from a radio frequency signal applied from an antenna according to the output voltages of the voltage multiplier 511 and the voltage regulator 512 and outputs the command signal to the digital block 520. Can be. The modulator 513 may modulate the response signal applied from the digital block 520 and transmit the modulated response signal to the antenna 501.

전압 조정기(Voltage Regulator)(512)는 안테나(501)로부터 인가된 무선 주파수 신호에 의해 상기 전압 멀티플라이어(511)에서 출력되는 전원 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(514)와 클럭 제너레이터(516)에 출력할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 전압 조정기(512)는 상기 도 1에서 설명된 전압 조정기가 사용될 수 있다. The voltage regulator 512 limits the magnitude of the power voltage output from the voltage multiplier 511 by the radio frequency signal applied from the antenna 501 to the demodulator 514 and the clock generator 516. You can print In the present embodiment, the voltage regulator 512 may use the voltage regulator described in FIG. 1.

상기 디지털 블럭(520)은 상기 아날로그 블럭(510)과의 전원 및 데이터 전송을 위한 신호인 VDD, Response, POR, CLK, Command 등을 처리하여 FeRAM 블럭(530)과 교신하기 위한 어드레스 신호인 ADD, 데이터 버스 신호인 I/O, 제어 신호인 CTR, 클럭 신호인 CLK 를 입출력할 수 있다. 상기 FeRAM 블럭(530)은 불휘발성 강유전체 캐패시터 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블럭일 수 있 다. The digital block 520 processes the VDD, the response, the POR, the CLK, the command, etc., which are signals for power and data transmission with the analog block 510, and the address signal ADD, which communicates with the FeRAM block 530, I / O, a data bus signal, CTR, a control signal, and CLK, a clock signal, can be input and output. The FeRAM block 530 may be a memory block that reads / writes data using a nonvolatile ferroelectric capacitor.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따른 전압 조정기의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a voltage regulator according to an embodiment of the present invention.

도 2는, 본 발명의 일실시 형태에 따른 전압 조정기의 각 노드에서의 전압을 나타내는 그래프이다. 2 is a graph showing the voltage at each node of the voltage regulator according to the embodiment of the present invention.

도 3은, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 전압 조정기를 사용하는 RFID 태그의 구성도이다. 3 is a configuration diagram of an RFID tag using a voltage regulator according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>

100 : 전원 전압 감지부 200 : 풀-다운 제어부100: power supply voltage detection unit 200: pull-down control unit

300 : 풀-다운 구동부300: pull-down drive unit

Claims (22)

전원단의 전압 크기를 감지하여, 상기 전원단의 전압 크기에 따라 결정되는 기준전압과 상기 전원단의 전압 크기에 따라 기 설정된 센싱전압을 생성하고, 상기 기준전압과 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력하는 전원전압 감지부;Detects the voltage level of the power supply terminal, generates a reference voltage determined according to the voltage level of the power supply terminal and a preset sensing voltage according to the voltage level of the power supply terminal, and amplifies the voltage difference between the reference voltage and the sensing voltage. A power supply voltage detector for outputting the power supply; 상기 전원전압 감지부에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경하는 풀-다운(pull down) 제어부; 및A pull-down controller configured to buffer the signal output from the power supply voltage detector and change the signal to a CMOS level; And 상기 풀-다운 제어부의 출력신호에 의해 전원단에서 접지단으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어하는 풀-다운(pull down) 구동부Pull-down driving unit for controlling the flow of the pull-down current flowing from the power supply terminal to the ground terminal by the output signal of the pull-down controller 를 포함하는 전압 조정기.Voltage regulator comprising a. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 2 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전원전압 감지부는,The power supply voltage detector, 전원단과 접지단 사이에 형성되어 기준전압을 출력하는 기준전압 생성부;A reference voltage generator formed between a power supply terminal and a ground terminal to output a reference voltage; 상기 전원단의 전압에 따라 다르게 설정된 센싱전압을 출력하는 센싱부; 및A sensing unit configured to output a sensing voltage differently set according to the voltage of the power terminal; And 상기 기준전압 및 센싱전압을 각각 입력받아 그 차이를 증폭하여 출력하는 증폭부An amplifier which receives the reference voltage and the sensing voltage and amplifies the difference and outputs the difference; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.Voltage regulator comprising a. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 3 was abandoned when the setup registration fee was paid. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 기준전압 생성부는,The reference voltage generator, 일단이 전원단에 연결되는 풀업 저항;A pull-up resistor, one end of which is connected to a power supply terminal; 상기 풀업 저항의 타단에 소스가 연결되고, 드레인은 접지단에 연결되는 제 1 트랜지스터; 및 A first transistor having a source connected to the other end of the pull-up resistor and a drain connected to a ground end; And 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되고, 게이트가 상기 전원단에 연결되며, 소스가 상기 풀업 저항의 타단에 연결되는 제2 트랜지스터A second transistor having a drain connected to a gate of the first transistor, a gate connected to the power supply terminal, and a source connected to the other end of the pull-up resistor 를 포함하며, 상기 풀업 저항의 타단이 상기 증폭부에 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.The voltage regulator of claim 1, wherein the other end of the pull-up resistor is connected to the amplifier. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 was abandoned when the registration fee was paid. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 센싱부는,The sensing unit, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 n 개(n은 3이상의 정수)의 분압저항;N voltage divider resistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal and having the same resistance value as each other (n is an integer of 3 or more); 상기 n개의 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결되는 n-1 개의 센싱 트랜지스터;N-1 sensing transistors having a source connected between each of the n voltage divider resistors; 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 중 적어도 두 개의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치; 및A first power-on device connected to a gate of each of the n-1 sensing transistors to turn on between a source and a drain of at least two sensing transistors of the n-1 sensing transistors according to a voltage of the power terminal; And 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 두 개를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부A sensing voltage output connected to a drain of each of the n-1 sensing transistors, and outputting a sensing voltage preset according to a voltage of the power supply terminal by selecting two of the sensing transistors turned on by the first power-on device part 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.Voltage regulator comprising a. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 5 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 센싱부는, The sensing unit, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 2n 개(n은 2이상의 정수)의 분압저항;2n voltage divider resistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal and having the same resistance value as each other (n is an integer of 2 or more); 상기 2n 개의 분압저항 중 n 번째 분압저항과 n+1 번째 분압저항 사이에 소스가 연결되는 중앙 센싱 트랜지스터 및 상기 중앙 센싱 트랜지스터를 기준으로 서로 쌍을 이루도록 배치되어 상기 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결된 복수개의 센싱 트랜지스터를 포함하는 2n-1 개의 센싱 트랜지스터;A center sensing transistor having a source connected between an nth voltage divider resistor and an n + 1th voltage divider resistor among the 2n voltage divider resistors is disposed to be paired with each other based on the center sensing transistor, and a source is connected between each of the voltage divider resistors. 2n-1 sensing transistors including a plurality of sensing transistors; 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 중앙 센싱트랜지스터 및 적어도 하나의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치; 및A first power-on device connected to a gate of each of the 2n-1 sensing transistors and turning on a source and a drain of the central sensing transistor and at least one sensing transistor according to a voltage of the power terminal; And 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 상기 중앙 센싱 트랜지스터 및 하나의 센싱 트랜지스터를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부The central sensing transistor and one sensing transistor selected from the sensing transistors turned on by the first power-on device, and are preset according to a voltage of the power supply terminal. Sensing voltage output unit for outputting voltage 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.Voltage regulator comprising a. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 6 was abandoned when the registration fee was paid. 제4항 또는 제5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 센싱 트랜지스터는,The sensing transistor, 동일한 스레스홀드 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.And a voltage regulator having the same threshold voltage. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 7 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제4항 또는 제5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 센싱 트랜지스터는,The sensing transistor, 서로 다른 스레스홀드 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.A voltage regulator comprising different threshold voltages. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 was abandoned when the registration fee was paid. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 증폭부는,The amplification unit, 상기 기준전압 및 센싱전압을 입력으로 받는 차동 증폭기; A differential amplifier receiving the reference voltage and the sensing voltage as inputs; 상기 차동 증폭기와 상기 전원단 사이에 형성되는 제1 저항; 및A first resistor formed between the differential amplifier and the power supply terminal; And 상기 차동 증폭기와 상기 접지단 사이에 형성되는 제2 저항A second resistor formed between the differential amplifier and the ground terminal 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 9 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 풀-다운 제어부는,The pull-down control unit, 상기 전원전압 감지부의 출력신호를 입력받는 CMOS 인버터;A CMOS inverter receiving the output signal of the power supply voltage detector; 드래인이 상기 CMOS 인버터와 연결되고, 소스가 전원단에 연결되는 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터;A pull-down control first transistor connected to a drain of the CMOS inverter and a source connected to a power supply terminal; 소스가 상기 CMOS 인버터에 연결되고, 드래인이 접지단에 연결되는 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터; 및A second transistor for pull-down control, a source connected to the CMOS inverter, and a drain connected to a ground terminal; And 상기 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터의 게이트 및 상기 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터를 온(On)시키는 제2 파워온 장치A first transistor connected to a gate of the first transistor for pull-down control and a gate of the second transistor for pull-down control to turn on the first and second transistors for pull-down control according to a voltage of the power supply terminal; 2 power-on unit 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.Voltage regulator comprising a. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 was abandoned upon payment of a setup registration fee. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 풀-다운 구동부는,The pull-down drive unit, 게이트가 상기 풀-다운 제어부에 연결되고, 소스가 전원단에 연결되고, 드레인이 접지단에 연결되는 풀-다운 구동용 트랜지스터A pull-down driving transistor having a gate connected to the pull-down controller, a source connected to a power supply terminal, and a drain connected to a ground terminal 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 11 was abandoned upon payment of a setup registration fee. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 풀-다운 제어부와 풀-다운 구동부 사이에 연결되는 적어도 하나의 인버터At least one inverter connected between the pull-down control unit and the pull-down driving unit 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.The voltage regulator further comprises. RF 신호를 입력받아 전원 전압을 출력하는 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier);A voltage multiplier for receiving an RF signal and outputting a power supply voltage; 상기 전압 멀티플라이어에서 출력되는 전원 전압의 크기를 감지하여 상기 전원 전압 크기에 따라 결정되는 기준전압과 상기 전원 전압 크기에 따라 기 설정된 센싱전압을 생성하고, 상기 기준전압과 센싱전압 사이의 전압차를 증폭하여 출력하는 전원전압 감지부와, 상기 전원전압 감지부에서 출력되는 신호를 버퍼링(buffering)하여 CMOS 레벨로 변경하는 풀-다운(pull down) 제어부, 및 상기 풀-다운 제어부의 출력신호에 의해 전원단에서 접지단으로 흐르는 풀-다운 전류의 흐름을 제어하는 풀-다운(pull down) 구동부를 포함하는 전압 조정기; 및Detects the magnitude of the power voltage output from the voltage multiplier to generate a reference voltage determined according to the power voltage magnitude and a preset sensing voltage according to the power voltage magnitude, and calculates a voltage difference between the reference voltage and the sensing voltage. A power supply voltage detector for amplifying and outputting a pull-down controller for buffering the signal output from the power supply voltage detector to a CMOS level, and an output signal of the pull-down controller A voltage regulator including a pull-down driver for controlling the flow of pull-down current flowing from the power stage to the ground stage; And 상기 전압 조정기에 의해 조절된 전원 전압을 입력받아 디지털 블럭을 제어하는 클럭 신호를 발생시키는 클럭 제너레이터A clock generator that receives the power supply voltage regulated by the voltage regulator and generates a clock signal for controlling the digital block. 를 포함하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 was abandoned upon payment of a registration fee. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전원전압 감지부는,The power supply voltage detector, 전원단과 접지단 사이에 형성되어 기준전압을 출력하는 기준전압 생성부;A reference voltage generator formed between a power supply terminal and a ground terminal to output a reference voltage; 상기 전원단의 전압에 따라 다르게 설정된 센싱전압을 출력하는 센싱부; 및A sensing unit configured to output a sensing voltage differently set according to the voltage of the power terminal; And 상기 기준전압 및 센싱전압을 각각 입력받아 그 차이를 증폭하여 출력하는 증폭부An amplifier which receives the reference voltage and the sensing voltage and amplifies the difference and outputs the difference; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 14 was abandoned when the registration fee was paid. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 기준전압 생성부는,The reference voltage generator, 일단이 전원단에 연결되는 풀업 저항;A pull-up resistor, one end of which is connected to a power supply terminal; 상기 풀업 저항의 타단에 소스가 연결되고, 드레인은 접지단에 연결되는 제 1 트랜지스터; 및 A first transistor having a source connected to the other end of the pull-up resistor and a drain connected to a ground end; And 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 드레인이 연결되고, 게이트가 상기 전원단에 연결되며, 소스가 상기 풀업 저항의 타단에 연결되는 제2 트랜지스터A second transistor having a drain connected to a gate of the first transistor, a gate connected to the power supply terminal, and a source connected to the other end of the pull-up resistor 를 포함하며, 상기 풀업 저항의 타단이 상기 증폭부에 연결되는 것을 특징으 로 하는 RFID 장치.And the other end of the pull-up resistor is connected to the amplifier. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 15 was abandoned upon payment of a registration fee. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 센싱부는,The sensing unit, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 n 개(n은 3이상의 정수)의 분압저항;N voltage divider resistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal and having the same resistance value as each other (n is an integer of 3 or more); 상기 n개의 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결되는 n-1 개의 센싱 트랜지스터;N-1 sensing transistors having a source connected between each of the n voltage divider resistors; 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 중 적어도 두 개의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치; 및A first power-on device connected to a gate of each of the n-1 sensing transistors to turn on between a source and a drain of at least two sensing transistors of the n-1 sensing transistors according to a voltage of the power terminal; And 상기 n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 두 개를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부A sensing voltage output connected to a drain of each of the n-1 sensing transistors, and outputting a sensing voltage preset according to a voltage of the power supply terminal by selecting two of the sensing transistors turned on by the first power-on device part 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 16 was abandoned upon payment of a setup registration fee. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 센싱부는, The sensing unit, 전원단과 접지단 사이에 직렬 연결되며, 서로 저항값이 동일한 2n 개(n은 2이상의 정수)의 분압저항;2n voltage divider resistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal and having the same resistance value as each other (n is an integer of 2 or more); 상기 2n 개의 분압저항 중 n 번째 분압저항과 n+1 번째 분압저항 사이에 소스가 연결되는 중앙 센싱 트랜지스터 및 상기 중앙 센싱 트랜지스터를 기준으로 서로 쌍을 이루도록 배치되어 상기 분압저항 각각의 사이에 소스가 연결된 복수개의 센싱 트랜지스터를 포함하는 2n-1 개의 센싱 트랜지스터;A center sensing transistor having a source connected between an nth voltage divider resistor and an n + 1th voltage divider resistor among the 2n voltage divider resistors is disposed to be paired with each other based on the center sensing transistor, and a source is connected between each of the voltage divider resistors. 2n-1 sensing transistors including a plurality of sensing transistors; 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 중앙 센싱트랜지스터 및 적어도 하나의 센싱 트랜지스터의 소스와 드래인 사이를 온 시키는 제1 파워온 장치; 및A first power-on device connected to a gate of each of the 2n-1 sensing transistors and turning on a source and a drain of the central sensing transistor and at least one sensing transistor according to a voltage of the power terminal; And 상기 2n-1 개의 센싱 트랜지스터 각각의 드래인에 연결되며, 상기 제1 파워온 장치에 의해 온 된 센싱 트랜지스터 중 상기 중앙 센싱 트랜지스터 및 하나의 센싱 트랜지스터를 선택하여 상기 전원단의 전압에 따라 기설정된 센싱전압을 출력하는 센싱전압 출력부The central sensing transistor and one sensing transistor selected from the sensing transistors turned on by the first power-on device, and are preset according to a voltage of the power supply terminal. Sensing voltage output unit for outputting voltage 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 17 has been abandoned due to the setting registration fee. 제15항 또는 제16항에 있어서,The method according to claim 15 or 16, 상기 센싱 트랜지스터는,The sensing transistor, 동일한 스레스홀드 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device having the same threshold voltage. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 18 was abandoned upon payment of a set-up fee. 제15항 또는 제16항에 있어서,The method according to claim 15 or 16, 상기 센싱 트랜지스터는,The sensing transistor, 서로 다른 스레스홀드 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device having different threshold voltages. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 19 was abandoned upon payment of a registration fee. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 증폭부는,The amplification unit, 상기 기준전압 및 센싱전압을 입력으로 받는 차동 증폭기; A differential amplifier receiving the reference voltage and the sensing voltage as inputs; 상기 차동 증폭기와 상기 전원단 사이에 형성되는 제1 저항; 및A first resistor formed between the differential amplifier and the power supply terminal; And 상기 차동 증폭기와 상기 접지단 사이에 형성되는 제2 저항A second resistor formed between the differential amplifier and the ground terminal 을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 20 was abandoned upon payment of a registration fee. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 풀-다운 제어부는,The pull-down control unit, 상기 전원전압 감지부의 출력신호를 입력받는 CMOS 인버터;A CMOS inverter receiving the output signal of the power supply voltage detector; 드래인이 상기 CMOS 인버터와 연결되고, 소스가 전원단에 연결되는 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터;A pull-down control first transistor connected to a drain of the CMOS inverter and a source connected to a power supply terminal; 소스가 상기 CMOS 인버터에 연결되고, 드래인이 접지단에 연결되는 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터; 및A second transistor for pull-down control, a source connected to the CMOS inverter, and a drain connected to a ground terminal; And 상기 풀-다운 제어용 제1 트랜지스터의 게이트 및 상기 풀-다운 제어용 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되어, 상기 전원단의 전압에 따라 상기 풀-다운 제어용 제1 및 제2 트랜지스터를 온(On)시키는 제2 파워온 장치A first transistor connected to a gate of the first transistor for pull-down control and a gate of the second transistor for pull-down control to turn on the first and second transistors for pull-down control according to a voltage of the power supply terminal; 2 power-on unit 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 21 has been abandoned due to the setting registration fee. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 풀-다운 구동부는,The pull-down drive unit, 게이트가 상기 풀-다운 제어부에 연결되고, 소스가 전원단에 연결되고, 드레인이 접지단에 연결되는 풀-다운 구동용 트랜지스터A pull-down driving transistor having a gate connected to the pull-down controller, a source connected to a power supply terminal, and a drain connected to a ground terminal 를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device comprising a. 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 22 is abandoned in setting registration fee. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 풀-다운 제어부와 풀-다운 구동부 사이에 연결되는 적어도 하나의 인버터At least one inverter connected between the pull-down control unit and the pull-down driving unit 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.RFID device further comprising.
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