KR101069567B1

KR101069567B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101069567B1
Application number: KR1020057021183A
Authority: KR
Inventors: 다다히로 오미; 마사키 히라야마
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤; 다다히로 오미
Priority date: 2003-05-08
Filing date: 2005-11-08
Publication date: 2011-10-05
Also published as: JP2004335790A; US7374620B2; KR20060003077A; TWI335052B; JP3940095B2; US20060213436A1; WO2004100248A1; TW200501266A

Abstract

마이크로파 플라즈마를 사용한 기판 처리 장치 (10A) 에 있어서, 처리 용기 (11) 내에 내부 격벽 (15) 을 형성하고, 상기 처리 용기 (11) 안은 피처리 기판을 포함하는 공간 (11A) 과 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 처리 용기 (11) 의 외벽에 의하여 획성되는 공간 (11B) 으로 분리되는 구조로 하였다. 이들의 구조로 함으로써, 시일 재료로부터 탈리된 가스로 인한 피처리 기판의 오염의 영향을 배제할 수 있고, 또한 이상 방전에 의한 피처리 기판의 오염 등의 문제를 억제하여, 상기 기판 처리 장치는 청정한 기판 처리를 가능하게 한다.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 일반적으로 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 특히 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.

플라즈마 처리 공정 및 플라즈마 처리 장치는 최근의 이른바 딥 서브 미크론 소자 또는 딥 서브 쿼터 미크론 소자라고 불리는 0.1μm 에 가깝거나, 또는 그 이하의 게이트 길이를 갖는 초미세화 반도체 장치의 제조나, 액정 표시 장치를 포함하는 고해상도 평면 표시 장치의 제조에 있어서, 불가결한 기술이다.

반도체 장치나 액정 표시 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 처리 장치로서는 종래부터 다양한 플라즈마의 여기 방식이 사용되고 있는데, 특히 평행 평판형 고주파 여기 플라즈마 처리 장치 또는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치가 일반적이다. 그러나 이들 종래의 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 형성이 불균일하고, 전자 밀도가 높은 영역이 한정되어 있기 때문에 빠른 처리 속도 즉 스루풋으로 피처리 기판 전체면에 걸친 균일한 프로세스를 행하기가 어렵다는 문제점을 갖고 있다. 이 문제는 특히 대직경의 기판을 처리하는 경우에 심각해진다. 더욱이 이들 종래의 플라즈마 처리 장치에서는 전자 온도가 높기 때문에 피처리 기판 상에 형성되는 반도체 소자가 대미지를 입고, 또한 처리실 벽의 스퍼터링에 의한 금속 오염이 크다는 등의 몇가지 본질적인 문제를 갖고 있다. 이 때문에, 종래의 플라즈마 처 리 장치에서는 반도체 장치나 액정 표시 장치의 더한층의 미세화 및 더한층의 생산성 향상에 대한 엄격한 요구를 만족시키기가 어려워지고 있다.

한편, 종래부터 직류 자장을 사용하지 않고 마이크로파 전계에 의해 여기된 고밀도 플라스틱을 사용하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치가 제안되어 있다. 예를 들어, 균일한 마이크로파를 발생하도록 배열된 다수의 슬롯을 갖는 평면 형상의 안테나 (래이디얼 라인 슬롯 안테나) 로부터 처리 용기 내로 마이크로파를 방사하고, 이 마이크로파 전계에 의해 진공 용기 내의 가스를 전리하여 플라즈마를 여기시키는 구성의 플라즈마 처리 장치가 제안되어 있다.

이러한 수법으로 여기된 마이크로파 플라즈마에서는 안테나 바로 밑의 넓은 영역에 걸쳐 높은 플라즈마 밀도를 실현할 수 있고, 단시간에 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있다. 또한 이러한 수법으로 형성된 마이크로파 플라즈마에서는 마이크로파에 의해 플라즈마를 여기하기 때문에 전자 온도가 낮고, 피처리 기판의 대미지나 금속 오염을 회피할 수 있다. 또한 대면적 기판 상에도 균일한 플라즈마를 용이하게 여기할 수 있기 때문에, 대구경 반도체 기판을 사용한 반도체 장치의 제조 공정이나 대형 액정 표시 장치의 제조에도 용이하게 대응할 수 있다.

도 1 은 종래의 기판 처리 장치인 플라즈마 처리 장치 (10) 의 구성을 나타낸다.

도 1 을 참조하면, 상기 플라즈마 처리 장치 (10) 는 내부에 공간 (11a) 을 규정하는 처리 용기 (11) 와, 상기 처리 용기 (11) 내에 형성되고, 피처리 기판 (12) 을 정전 척에 의해 유지하는 유지대 (13) 를 갖는다.

상기 처리 용기 (11) 내의 공간 (11a) 은 상기 유지대 (13) 를 둘러싸도록 등간격으로, 즉 유지대 (13) 상의 피처리 기판 (12) 에 대하여 대략 축대칭인 관계로 적어도 2개소, 바람직하게는 3개소 이상에 형성된 배기 포트 (11D) 를 통해 진공 펌프 등의 배기 수단에 의해, 배기·감압된다.

상기 처리 용기 (11) 의 외벽 중 상기 피처리 기판 (12) 에 대응하는 부분에는 마이크로파를 투과하는 마이크로파 투과 창 (17) 이 설치되고, 또한 상기 마이크로파 투과 창 (17) 과 상기 처리 용기 (11) 사이에는 상기 처리 용기 (11) 내에 플라즈마 가스를 도입하는 플라즈마 가스 공급 링 (20) 이 삽입되어, 각각 상기 처리 용기 (11) 의 외벽을 규정하고 있다.

상기 마이크로파 투과 창 (17) 은 그 주연부에 단차 형상을 갖고, 당해 단차 형상부가 상기 플라즈마 가스 공급 링 (20) 에 형성된 단차 형상에 걸어맞춰지고, 또 시일 링 (16A) 에 의해 상기 처리 공간 (11a) 내의 기밀이 유지되는 구조로 되어 있다.

상기 플라즈마 가스 공급 링 (20) 에는 플라즈마 가스 도입구 (20A) 로부터 플라즈마 가스가 도입되고, 대략 고리형으로 형성된 가스 홈 (20B) 속으로 확산된다. 상기 가스 홈 (20B) 내의 플라즈마 가스는 상기 가스 홈 (20B) 에 연통되는 복수의 플라즈마 가스 구멍 (20C) 에서 상기 공간 (11a) 으로 공급된다.

상기 마이크로파 투과 창 (17) 상에는, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 에 밀접하여, 다수의 슬롯이 형성된 디스크 형상의 슬롯판 (18) 과, 상기 슬롯판 (18) 을 유지하는 디스크 형상의 안테나 본체 (22) 와, 상기 슬롯판 (18) 과 상기 안테나 본체 (22) 사이에 협지된 Al₂O₃, SiO₂ 또는 Si₃N₄ 의 저손실 유전체 재료로 이루어지는 지상판 (19) 에 의해 구성된 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 가 형성되어 있다. 또한, 상기 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 와 상기 마이크로파 투과 창 (17) 의 걸어맞춤부에서는 시일 링 (16B) 에 의해서 기밀이 유지되는 구조로 되어 있다.

상기 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 는 상기 처리 용기 (11) 상에 상기 플라즈마 가스 공급 링 (20) 을 통해 장착되어 있고, 상기 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 에는 동축 도파관 (21) 을 통해 외부의 마이크로파원 (도시하지 않음) 으로부터 주파수 2.45GHz 의 마이크로파가 공급된다.

공급된 마이크로파는 상기 슬롯판 (18) 상의 슬롯으로부터 상기 마이크로파 투과 창 (17) 을 통해 상기 처리 용기 (11) 속에 방사되고, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 바로 밑의 공간 (11a) 에 있어서, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (20) 으로부터 공급된 플라즈마 가스 속에 플라즈마를 여기한다.

상기 동축 도파관 (21) 중, 외측의 도파관 (21A) 은 상기 디스크 형상의 안테나 본체 (22) 에 접속되고, 중심 도체 (21B) 는 상기 지파판 (19) 에 형성된 개구부를 통해 상기 슬롯판 (18) 에 접속되어 있다. 그래서 상기 동축 도파관 (21A) 에 공급된 마이크로파는 상기 안테나 본체 (22) 와 슬롯판 (18) 사이를 직경 방향으로 진행하면서, 상기 슬롯으로부터 방사된다.

상기 플라즈마 처리 장치 (10) 에서는 플라즈마 산화 처리, 플라즈마 질화 처리, 플라즈마 산질화 처리, 플라즈마 CVD 처리를 할 수 있고, 또한, 상기 유지대 (13) 에 고주파 전원 (13A) 으로부터 고주파 전압을 인가함으로써, 상기 피처리 기판 (12) 에 대하여 반응성 이온 에칭을 행할 수도 있다.

이러한 플라즈마 처리 장치는 예를 들어, 일본 공개특허공보 2002-299330호에 기재되어 있다.

그러나, 예를 들어 상기 플라즈마 처리 장치 (10) 에 있어서, 기판 처리시에 오염 물질이 혼입되어 상기 피처리 기판 (12) 을 오염시키는 경우가 있다.

예를 들어, 전형적으로는 불소 고무 등을 주성분으로 하는 시일 링 (16A 및 16B) 으로부터 발생되는 가스가, 상기 피처리 기판 (12) 의 오염의 원인이 되는 경우가 있다.

상기 시일 링 (16A 및 16B) 표면에는 수분이나 유기물, 나아가서는 금속 등이 부착되어 있고, 또한 내부에도 수분이나 유기물 등이 존재하고, 이들의 오염 물질이 시일 링으로부터 탈리되고, 이러한 탈리 가스가 기판 처리 중에 상기 피처리 기판 (12) 에 부착되면, 예를 들어 반도체의 제조 공정 등에서는 심각한 문제가 된다.

또한, 마이크로파를 도입하는 상기 플라즈마 처리 장치 (10) 에서는 예를 들어 상기 처리 용기 (11) 내에 있어서, 상기 처리 용기 (11) 내부에 형성된 코너부 등에 마이크로파의 전계가 집중되어 이상 방전이 생기는 경우가 있었다. 이러한 이상 방전이 발생하면, 기판 처리가 불안정해지고, 나아가서는 이상 방전에 의 해 예를 들어 금속을 포함하는 불순물이 발생되어 피처리 기판 (12) 을 오염시키는 문제를 일으키고 있었다.

또한, 상기 플라즈마 처리 장치 (10) 에 있어서, 막형성 처리를 한 경우에는 상기 처리 용기 (11) 내에 퇴적물이 퇴적된다. 상기 퇴적물은 클리닝 처리를 함으로써 제거하는데, 상기 처리 용기 (11) 내에서, 예를 들어 당해 처리 용기 (11) 내부의 구석 등 클리닝이 곤란한 개소가 존재하여, 퇴적물의 완전한 제거가 곤란해지고, 상기 처리 용기 (11) 내에 퇴적된 퇴적물이 박리된 파티클에 의해, 피처리 기판 (12) 을 오염시키는 문제를 일으키고 있었다.

본 발명에서는 상기 과제를 해결한, 피처리 기판의 오염을 배제한 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 통괄적 과제로 하고 있다.

본 발명의 구체적인 과제는 기판 처리 장치에 있어서의 시일 링 등의 시일 재료로부터 탈리되는 탈리 가스의 영향을 배제한 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 것이다.

본 발명의 다른 과제는 기판 처리 장치에 있어서의 이상 방전을 배제하여, 안정적이고 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 것이다

본 발명의 다른 과제는 기판 처리 장치에 있어서의 클리닝을 개선하여, 막형성 처리시의 퇴적물을 완전히 제거하여, 퇴적물의 박리의 영향이 없는 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 것이다.

발명의 개시

본 발명에 의하면, 마이크로파 플라즈마를 사용한 기판 처리 장치 (10A) 에 있어서, 처리 용기 (11) 내에 내부 격벽 (15) 을 형성하고, 상기 처리 용기 (11) 안은 피처리 기판을 포함하는 공간 (11A) 과 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 처리 용기 (11) 의 외벽에 의하여 규정되는 공간 (11B) 으로 분리되는 구조로 하였다. 이들의 구조로 함으로써, 시일 재료로부터 탈리된 가스로 인한 피처리 기판의 오염의 영향을 배제할 수 있고, 또한 이상 방전에 의한 피처리 기판의 오염 등의 문제를 억제하여, 퇴적물의 박리의 영향이 없는 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.

도 1 은 종래의 플라즈마 처리 장치의 개략을 나타내는 도면이다.

도 2 는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 개략을 나타내는 도면이다.

도 3 은 도 2 의 기판 처리 장치에서 사용되는 내부 격벽의 사시도이다.

도 4(A), (B) 는 도 2 의 기판 처리 장치에서 사용되는 플라즈마 가스 공급 링을 나타내는 평면도와 단면도이다.

도 5 는 도 2 의 기판 처리 장치에서 사용되는 내부 격벽을 플라즈마 가스 공급 링에 장착하는 장착 방법을 나타내는 사시도이다.

도 6 은 도 2 의 기판 처리 장치에서 사용되는 내부 격벽을 플라즈마 가스 공급 링에 장착한 상태를 나타내는 단면도이다.

도 7 은 도 2 의 기판 처리 장치에서 사용되는 시일 링으로부터 탈리된 가스 가 배기되는 상태를 나타내는 도면이다.

도 8 은 도 2 의 기판 처리 장치의 변경예-1 을 나타내는 도면이다.

도 9 는 도 2 의 기판 처리 장치의 변경예-2 를 나타내는 도면이다.

도 10 은 도 2 의 기판 처리 장치에서 막형성 처리가 행해진 후에 막이 퇴적된 상태를 나타내는 도면이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

다음으로, 본 발명에 있어서의 기판 처리 장치의 형태에 관하여 도면에 기초하여 구체적으로 설명한다.

[제 1 실시예]

도 2 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 기판 처리 장치인 플라즈마 처리 장치 (10A) 의 구성을 나타낸다. 단, 도면 중, 도 1 에 있어서 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

도 2 를 참조하면, 플라즈마 처리 장치 (10A) 에서는, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 과 상기 처리 용기 (11) 사이에는 상기 처리 용기 (11) 내에 플라즈마 가스를 도입하는 플라즈마 가스 공급 링 (14) 이 삽입되어 상기 처리 용기 (11) 의 외벽을 규정하고, 또한 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에는 대략 원통 형상의 내부 격벽 (15) 이 장착되어 있다. 상기 내부 격벽 (15) 은 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 격벽 장착부와, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 에 걸어맞춰 장착된다.

상기 처리 용기 (11) 내의 공간은 상기 내부 격벽 (15) 에 의해서, 상기 유 지대 (13) 를 포함하는 중심부의 공간인 11A 와, 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 처리 용기 (11) 의 외벽과의 사이에 형성되는 공간 (11B) 으로 분할된다.

상기 처리 용기 (11) 내를 형성하는 상기 공간 (11A 및 11B) 은 상기 11D 를 통해 진공 펌프 등의 배기 수단에 의해 배기·감압된다.

상기 마이크로파 투과 창 (17) 은 그 주연부에 단차 형상을 갖고, 당해 단차 형상부가 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 형성된 단차 형상과 걸어맞춰지고, 또한 시일 링 (16A) 에 의해서 상기 처리 용기 (11) 내의 기밀이 유지되는 구조로 되어 있다.

상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에는 플라즈마 가스 도입구 (14A) 로부터 플라즈마 가스가 도입되고, 대략 고리형으로 형성된 가스 홈 (14B) 속으로 확산된다. 상기 가스 홈 (14B) 내의 플라즈마 가스는 상기 가스 홈 (14B) 에 연통되는 복수의 플라즈마 가스 구멍 (14C) 으로부터, 다시 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 격벽 장착부에 장착된 상기 내부 격벽 (15) 에 형성된 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 을 통해 상기 공간 (11A) 에 공급된다.

상기 내부 격벽 (15) 은 대략 원통 형상의 도전체, 예를 들어 스테인리스 합금으로 이루어지고, 상기 내부 격벽 (15) 의 외측, 즉 상기 처리 용기 (11) 의 외벽에 면하는 측에는 히터 (15B) 가 설치되어 상기 내부 격벽 (15) 을 가열할 수 있게 되어 있다. 또한 상기 내부 격벽 (15) 은 전기적으로 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 접속되어 당해 플라즈마 가스 공급 링 (14) 을 통해 접지되는 구조로 되어 있다.

플라즈마 처리 장치 (10A) 에서도, 상기 플라즈마 처리 장치 (10) 와 마찬가지로 상기 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 에 외부의 마이크로파원 (도시하지 않음) 으로부터 주파수 2.45GHz 의 마이크로파가 공급됨으로써, 공급된 마이크로파가 상기 슬롯판 (18) 상의 슬롯으로부터 상기 마이크로파 투과 창 (17) 을 통해 상기 처리 용기 (11) 속에 방사되고, 상기 공간 (11A) 에 있어서, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 으로부터 공급된 플라즈마 가스 속에 플라즈마를 여기한다.

또한, 상기한 바와 같이 마이크로파 플라즈마를 여기함으로써, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에서는 예를 들어 플라즈마 산화 처리, 플라즈마 질화 처리, 플라즈마 산질화 처리, 플라즈마 CVD 처리 등을 할 수 있고, 또한 상기 유지대 (13) 에 고주파 전원 (13A) 으로부터 고주파 전압을 인가함으로써, 상기 피처리 기판 (12) 에 대하여 반응성 이온 에칭을 행할 수도 있다.

다음으로 상기 내부 격벽 (15) 의 구조에 대해 설명한다.

[제 2 실시예]

도 3 은 상기 내부 격벽 (15) 의 사시도이다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

상기 내부 격벽 (15) 은 대략 원통 형상의 도체, 예를 들어 스테인리스 합금으로 이루어지고, 그 상기 처리 용기 (11) 의 외벽에 면하는 측에는 히터 (15B) 가 설치되어 있고, 상기 내부 격벽 (15) 을 가열할 수 있는 구조로 되어 있다.

상기 내부 격벽 (15) 의 단부에는, 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C) 으로부터 공급되는 플라즈마 가스를 통과시켜 상기 공간 (11A) 에 공급하기 위한 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 이 형성되어 있다.

상기 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 은 상기 내부 격벽 (15) 을 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 장착하였을 때에, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 형성된 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C) 에 대응하는 구조로 되어 있고, 플라즈마 가스는 상기 가스 홈 (14B) 으로부터 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C), 다시 상기 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 을 통해 상기 공간 (11A) 에 공급된다.

또한, 상기 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 에 인접하도록, 나사 관통 구멍(15C) 이 형성되어 있다. 상기 나사 관통 구멍 (15) 에는 후술하는 바와 같이 나사가 삽입되어 상기 내부 격벽 (15) 이 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 고정되는 구조로 되어 있다.

다음으로, 상기 내부 격벽 (15) 이 고정되는 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 관해서 설명한다.

[제 3 실시예]

도 4(A), (B) 는 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 을 나타낸 것으로, 도 4(A) 는 평면도를, 도 4(B) 는 도 4(A) 중에 나타낸 A-A 단면도를 각각 나타낸다.

도 4(A), (B) 를 참조하면, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 은, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 설치되었을 때에 그 중심 공간 (14F) 이 상기 공간 (11A) 의 일부를 형성하도록 공간 (14F) 이 형성된 대략 원반 형상의 형상을 갖고 있다.

상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의, 상기 공간 (14F) 에 면하는 측으로부터 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 주연부로 향하여, 상기한 바와 같이 단차 형상이 형성되어, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 의 단차 형상과 걸어맞춰지는 구조로 되어 있다.

또한, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 단차 형상 부분에서, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 에 면하는 측에는 상기 시일 링 (16A) 을 삽입하기 위한 대략 링 형상의 링 홈 (14E) 이 형성되어 있고, 상기 링 홈 (14E) 에는 상기 시일 링 (16A) 이 삽입되어, 상기 처리 용기 (11) 내의 기밀성이 유지된다.

상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의, 상기 공간 (14F) 에 면하는 측, 즉 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 을 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 설치하였을 때에 상기 공간 (11A) 에 면하는 측에는, 상기 내부 격벽 (15) 에 걸어맞춰지는 가스 공급 블록 (14X) 및 고정 블록 (14Y) 이 형성되어 있다.

상기 가스 공급 블록 (14X) 에는 당해 가스 공급 블록 (14X) 의 상기 공간 (14F) 에 면한 측으로부터 상기 가스 홈 (14B) 에 연통되는 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C) 이 형성되어 있다. 상기 플라즈마 가스 공급구 (14A) 로부터 공급된 플라즈마 가스는 대략 고리형으로 형성된 상기 가스 홈 (14B) 속으로 확산되고, 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C) 으로부터, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 장착된 상기 내부 격벽 (15) 의 상기 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 을 통해, 상기 공간 (11A) 에 공급되는 구조로 되어 있다.

또한, 상기 고정 블록 (14Y) 에는 나사 구멍 (14D) 이 형성되고, 나사에 의해서 상기 내부 격벽 (15) 이 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 고정되는 구조로 되어 있다.

다음으로, 상기 내부 격벽 (15) 을 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 고정하는 장착 방법에 관하여 도 5 를 사용하여 설명한다.

도 5 는 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에, 상기 내부 격벽 (15) 을 고정하는 장착 방법을 나타낸 것이고, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 및 상기 내부 격벽 (15) 의 사시도의 일부 단면도를 나타낸다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

도 5 를 참조하면, 상기 내부 격벽 (15) 을 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 장착할 때에는 나사 (15D) 가 상기 나사 관통 구멍 (15C) 을 통과하여 상기 나사 구멍 (14D) 에 삽입됨으로써 고정된다. 그 때에 상기 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 이 상기 플라즈마 가스 구멍 (14C) 에 연통되는 구조로 되어 있다.

또한, 상기 고정 블록 (14Y) 은 상기 가스 공급 블록 (14X) 과 인접하는 구성으로 되어 있다. 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 격벽 장착부에 형성된 복수의 상기 고정 블록 (14Y) 과 복수의 상기 가스 공급 블록 (14X) 이 접촉 블록이 되고, 상기 내부 격벽 (15) 은 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 격벽 장착부와, 상기 마이크로파 투과 창에 걸어맞춰져 장착되어 있다.

다음으로, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 상기 내부 격벽 (15) 을 고정하였을 때의 구조에 관하여 설명한다.

[제 4 실시예]

도 6 은 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 상기 내부 격벽 (15) 을, 상기 나사 (15D) 로 고정하였을 때의 상태를 나타내는 단면도이다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일의 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

도 6 을 참조하면, 상기 내부 격벽 (15) 이 상기 나사 (15D) 에 의해서 상기 고정 블록 (14Y) 에 가압되어 고정되어 있는 상태를 알 수 있다. 그 때에 상기 고정 블록 (14Y) 과 상기 가스 공급 블록 (14X) 이, 상기 내부 격벽 (15) 에 걸어맞춰져, 상기 내부 격벽 (15) 이 전기적으로 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 접속된다. 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 은 접지된 도체로 이루어지고, 상기 내부 격벽 (15) 은 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 을 통해 접지되는 구조로 되어 있다.

또한, 인접하는 상기 가스 공급 블록 (14X) 과 상기 고정 블록 (14Y) 사이에는 배기 통로 (11C) 가 형성된다. 상기 배기 통로 (11C) 는 상기 시일 링 (16A) 에 의해서 주위가 시일된, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 과 상기 마이크로파 투과 창 (17) 의 간극인 후술하는 공간 (11F) 에 연통되어 있다.

상기 시일 링 (16A) 으로부터 탈리된 가스는 상기 공간 (11F) 으로부터 상기 배기 통로 (11C) 를 통해 상기 공간 (11B), 나아가 상기 배기구 (11D) 로 배기되는 구조로 되어 있다.

그래서, 상기 시일 링 (16A) 에서 탈리된 가스가 상기 공간 (11F) 에 체류하지 않고, 상기 배기 공간 (11F) 으로부터 효율적으로 배기되어, 상기 탈리 가스에 의해서 기판 처리 중에 상기 피처리 기판 (12) 이 오염되지 않게 되어 있다.

다음으로, 상기한 바와 같은 상기 시일 링 (16A) 으로부터 탈리된 가스의 영 향을 배제한 구조를 상세하게 도 7 을 사용하여 설명한다.

[제 5 실시예]

도 7 은 도 2 에 나타낸 플라즈마 처리 장치 (10A) 의 단면도의 일부를 확대한 것이다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

도 7 을 참조하면, 상기 시일 링 (16A) 의 표면에 부착, 또는 내부에 존재하고 있는 수분, 유기물, 금속 화합물 등의 불순물이 상기 시일 링 (16A) 에서 탈리된 탈리 가스 (G2) 는, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 과 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 사이의 간극에 형성되고, 주위가 상기 시일 링 (16A) 에 의해 시일된 공간 (11F) 에 주로 존재하는 것으로 생각된다.

상기 공간 (11F) 은 상기한 바와 같이 상기 배기 통로 (11C) 로부터 상기 공간 (11B) 을 통해 배기구 (11D) 로부터 배기된다.

또한, 상기 탈리 가스 (G2) 가 상기 처리 용기 (11) 내를 통과하여 배기될 때에는, 상기 탈리 가스 (G2) 가 통과하는 상기 배기 통로 (11C) 및 상기 공간 (11B) 이, 상기 피처리 기판 (12) 이 처리되는 상기 공간 (11A) 으로부터, 상기 내부 격벽 (15) 에 의해서 분리되는 구조로 되어 있다.

그래서, 상기 시일 링 (16A) 에서 탈리된 탈리 가스 (G2) 가, 상기 피처리 기판 (12) 을 오염시키지 않고, 상기 피처리 기판을 처리할 수 있게 된다.

또한, 상기 탈리 가스 (G2) 에는 상기 시일 링 (16A) 을 투과한 상기 처리 용기 (11) 의 밖으로부터 진입하는 대기 성분이 포함되는 경우가 있지만, 본 실시 예에서 나타내는 바와 같이 이러한 대기 성분, 예를 들어 수분이나 질소 등의 불순물이 상기 공간 (11A) 에 진입하는 것을 방지하여, 상기 피처리 기판 (12) 이 오염되는 일이 없는 구조로 되어 있다.

이와 같이 피처리 기판의 오염이 적고, 보다 청정한 처리가 가능해지는 것은, 예를 들어 반도체 장치의 제조에 있어서, 특히 오염이 문제가 되는 M0S 트랜지스터의 게이트 산화막의 형성이나, 게이트 산화막의 질화, 게이트 산질화막의 형성 공정 등, 트랜지스터의 게이트 절연막 형성 공정에 있어서 특히 유효하다.

그런데, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 의 경우, 상기 처리 용기 (11) 에 마이크로파를 도입하는 경우에는 상기 마이크로파 투과 창 (17) 이 고온으로 되는 경우가 있다. 또, 후술하는 바와 같이, 막형성 처리시의 막의 부착량을 감소시키기 위해서, 또는 부착되는 막의 클리닝 속도를 향상시키기 위해서 상기 내부 격벽 (15) 등, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 의 각 장소의 온도를 상승시키는 경우가 있다.

그 경우, 시일 링 (16A) 의 온도가 높아져, 상기한 바와 같은 시일 링 표면이나 내부로부터 탈리된 가스의 영향이 커질 것으로 생각된다.

이러한 경우에도 본 실시예에 있어서는 상기 시일 링 (16A) 으로부터 탈리된 가스가 상기 피처리 기판 (12) 부근으로부터 격절된 공간을 통해 배기되는 구조로 되어 있기 때문에, 상기 피처리 기판 (12) 이 오염되는 일이 없다. 즉, 상기한 바와 같이, 시일 링 (16A) 이 고온에 노출되는 경우에, 상기 시일 링 (16A) 으로부터의 탈리 가스가 피처리 기판과 격절되어 배기되는 구조는 특히 유효하다.

또한, 상기 공간 (11A) 에는 플라즈마 가스 (G1) 가 도입되기 때문에, 당해 공간 (11A) 은 상기 공간 (11C 및 11B) 보다 압력이 높고, 상기 탈리 가스 (G2) 가 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 마이크로파 투과 창 (17) 의 걸어맞춤부의 미소한 간극으로부터 상기 공간 (11A) 으로 진입하는 일이 없는 구조로 되어 있다.

또한, 상기 래이디얼 라인 슬롯 안테나 (30) 로부터, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 을 통해 상기 처리 용기 (11) 내로 마이크로파가 도입된 경우에, 상기 내부 격벽 (15) 에 의해서, 상기 처리 용기 (11) 내의 이상 방전을 방지하는 효과가 있다.

상기 처리 용기 (11) 내에 도입되는 마이크로파는 상기 마이크로파 투과 창 (17) 으로부터 상기 처리 용기 (11) 내로 확산한다. 이와 같이 마이크로파의 전계가 강한 공간에, 예를 들어 돌기물이나 간극이 존재하면 전계가 집중되어 이상 방전의 원인이 되는 경우가 있다.

또한, 마이크로파 전계 중에 전기적으로 플로팅의 상태, 또는 접지가 불충분한 상태의 도전체가 존재하면, 국소적으로 전위차가 생겨 예를 들어 당해 도전체보다 전위가 낮은, 예를 들어 처리 용기 (11) 의 외벽이나 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 사이 등에 이상 방전이 생기는 경우가 있다. 이상 방전이 생기면 기판 처리가 불안정해지고, 또한 이상 방전 개소에서는 고온으로 인해 기화된 예를 들어 금속을 포함하는 오염 물질이 발생하여 피처리 기판을 오염시키는 경우가 있다.

본 실시예에 있어서는 상기 내부 격벽 (15) 이 마이크로파의 전계가 강한 영역을 덮도록 존재하고, 상기 처리 용기 (11) 내의 이상 방전의 원인이 되는 간극이 나 돌기물 등이 마이크로파가 강한 전계에 직접 노출되지 않는 구조로 되어 있다. 또한, 상기 내부 격벽 (15) 은 접지되어 있는 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 전기적으로 접속되어 있기 때문에 접지 전위가 되어 이상 방전이 생기는 경우가 없는 구조로 되어 있다.

상기한 바와 같이, 상기 내부 격벽 (15) 은, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 상기 가스 공급 블록 (14X) 및 고정 블록 (14Y) 에 전기적으로 접속되어 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 을 통해 접지된다. 특히 상기 고정 블록 (14Y) 에는 상기 나사 (15D) 에 의해서 가압되기 때문에, 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 고정 블록 (14Y) 을 확실하게 전기적으로 접속하여 접지되는 구조로 되어 있다.

따라서, 상기한 바와 같이 상기 처리 용기 (11) 내의 이상 방전을 억제하여 안정된 기판 처리를 가능하게 함과 함께, 이상 방전에 의해 생기는 오염 물질의 발생을 억제하여 청정한 기판 처리를 가능하게 하고 있다.

또, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 의 접지 방법으로서는 직접 접지선을 당해 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 접속해도 되고, 또한 상기 처리 용기 (11) 를 통해 접지하는 방법을 이용해도 된다.

[제 6 실시예]

또한, 상기 제 5 실시예는 도 8 에 나타내는 바와 같이 변경하여 실시할 수도 있다. 도 8 은 본 발명의 제 6 실시예인데, 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

본 실시예에 있어서는 플라즈마 처리 장치에 플라즈마 가스를 공급하기 위한 플라즈마 가스 공급 구조 (23) 를 설치하여 당해 플라즈마 가스 공급 구조 (23) 로부터 처리 용기 내로 플라즈마 가스를 도입하고 있다. 따라서, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 형성된 가스 홈 (14) 및 플라즈마 가스 구멍 (14C), 및 내부 격벽의 플라즈마 가스공급 구멍 (15A) 은 불필요해진다.

상기 플라즈마 가스 공급 구조 (23) 는 상기 처리 용기 내에 기립하도록 형성되고, 상기 마이크로파 투과 창 (17) 과 상기 피처리 기판 (12) 사이에 플라즈마 가스를 공급한다.

본 실시예에서는 제 5 실시예에서 상기 효과에 더하여 플라즈마 가스의 공급경로가, 상기 시일 링 (16A) 으로부터의 탈리 가스 (G2) 의 배기 경로와 더욱 이간되는 구조가 되기 때문에, 상기 처리 공간 (11A) 이 탈리 가스 (G2) 로 인한 오염 등의 영향을 더욱 받기 어려운 구조로 되어 있다.

[제 7 실시예]

또한, 상기 제 5 실시예는 도 9 에 나타내는 바와 같이 변경하여 실시할 수도 있다. 도 9 는 본 발명의 제 7 실시예인데, 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

본 실시예에 있어서는 플라즈마 처리 장치에 플라즈마 가스를 공급하기 위해서 마이크로파 투과 창 (17) 에, 플라즈마 가스의 도입 경로가 되는 플라즈마 가스 통로 (17A) 와, 당해 플라즈마 가스 통로 (17A) 와 상기 공간 (11A) 에 연통되는 복수의 개구부 (17B) 를 형성하여 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 도입하고 있다. 그 때문에, 상기 플라즈마 가스 공급 링 (14) 에 형성된 가스 홈 (14) 및 플라즈마 가스 구멍 (14C), 및 내부 격벽의 플라즈마 가스 공급 구멍 (15A) 은 불필요해진다.

본 실시예에서는 제 6 실시예와 마찬가지로, 제 5 실시예에서 상기 효과에 더하여, 플라즈마 가스의 공급 경로가, 상기 시일 링 (16A) 으로부터의 탈리 가스 (G2) 의 배기 경로와 더욱 이간되는 구조가 되기 때문에, 상기 처리 공간 (11A) 이 탈리 가스 (G2) 로 인한 오염 등의 영향을 더욱 받기 어려운 구조로 되어 있다.

[제 8 실시예]

다음으로, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 있어서 플라즈마 CVD 처리 등의 막형성 처리를 한 경우에 관해서, 도 10 에 나타낸다.

도 10 은 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 있어서 막형성 처리를 한 경우의 단면도의 일부이다. 단, 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.

도 10 을 참조하면, 상기 내부 격벽 (15) 의 상기 피처리 기판 (12) 에 면하는 측, 즉 상기 공간 (11A) 에 면하는 측에는 퇴적물 (D) 이 퇴적되어 있다. 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 의해 플라즈마 CVD 등의 막형성 처리를 하면, 피처리 기판 (12) 에 막이 형성됨과 함께, 상기 처리 용기 (11) 내에도 퇴적물이 퇴적된다.

예를 들어, 불소 첨가 카본막을 막형성하는 플라즈마 CVD 처리의 경우, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 에 있어서, 플라즈마 가스에 Ar, H₂, C₄F₈ 을 공급하여, 마이크로파를 도입함으로써 피처리 기판에 불소 첨가 카본막 (CxFy 막) 을 형성할 수 있다. 형성되는 불소 첨가 카본막은 반도체 장치의 절연막, 예를 들어 층간 절연막 등에 사용할 수 있다.

또한, 상기한 바와 같이 피처리 기판 상에 막형성을 하는 막형성 처리에서는 처리 용기 (11) 내에 퇴적된 퇴적물이 축적되면, 퇴적물이 박리되어 파티클 등의 미립자가 되어, 상기 처리 용기 (11) 내를 체류하여, 상기 피처리 기판 (12) 을 오염시켜 상기 피처리 기판 (12) 의 수율을 저하시키는 원인이 된다. 그래서, 퇴적물을 정기적으로 제거하는, 이른바 클리닝 처리가 필요해진다.

예를 들어, 상기 불소 첨가 카본막의 막형성 처리를 하는 경우, 불소 첨가 카본막으로 이루어지는 퇴적물을 제거할 필요가 있다. 그 경우, 퇴적되는 불소 첨가 카본막의 퇴적량이 적으면, 클리닝 빈도가 적어도 되고, 또한 클리닝을 행한 경우의 클리닝 시간이 짧아, 기판 처리 효율이 좋아진다. 상기 불소 첨가 카본막의 경우, 온도가 높은 부분에 대한 퇴적량이 적어지는 경향이 있다.

또한, 퇴적된 불소 첨가 카본막의 클리닝 처리를 행하는 경우에는 예를 들어 클리닝 가스에 H₂ 및 O₂, 희석 가스에 Ar 을 사용하여 마이크로파를 도입한 클리닝을 행한다. 상기 클리닝을 행하는 경우, 제거되는 불소 첨가 카본막의 온도가 높은 경우에 당해 불소 첨가 카본막이 에칭되는 속도가 빨라, 클리닝 속도가 빠른 경향이 있다. 그래서, 막형성 처리 및 클리닝 처리시에는, 퇴적물이 퇴적되는 부분을 가열하는 것이 기판 처리의 효율상 유리하다.

그러나, 예를 들어 기판 처리 장치 (10A) 전체를 가열하여 온도를 상승시키더라도, 방열의 영향이 있기 때문에 한계가 있고, 또한, 시일 재료의 내열성 문제도 있어 100∼150℃ 정도가 한계이다.

또한, 기판 처리 장치 (10A) 전체를 가열하더라도, 예를 들어 처리 용기 (11) 의 구석이나 코너부 등 온도가 낮은 곳이 존재하여 퇴적물을 제거할 수 없어, 퇴적물이 축적되어 파티클이 발생하여, 피처리 기판을 오염시키는 원인으로 되고 있었다.

본 실시예의 경우에 있어서는, 상기 내부 격벽 (15) 에 의해서 처리 용기 (11) 의 외벽을 덮는 구조로 되어 있고, 온도를 올리기 어려운 처리 용기 (11) 의 코너부 등을 덮어서 가리는 구조로 되어 있다. 또, 상기 내부 격벽 (15) 에 상기 히터 (15B) 가 형성되어, 당해 내부 격벽 (15) 을 가열할 수 있게 되어 있다. 그래서, 상기한 바와 같이, 막형성 처리를 행하더라도 불소 첨가 카본막의 퇴적량이 적고, 또한 클리닝을 행한 경우의 불소 첨가 카본막의 에칭 속도가 빠르기 때문에 클리닝 시간을 짧게 할 수 있어, 기판 처리를 효율적으로 행할 수 있게 된다.

또한, 상기 내부 격벽 (15) 은 불소 첨가 카본막이 잔류하기 쉬운 처리 용기 (11) 의 코너부 등 온도를 높이기 어려운 개소를 덮어서 가리는 구조이기 때문에, 불소 첨가 카본막의 완전한 제거가 가능해지고, 퇴적물의 박리로부터 발생되는 파티클의 영향을 배제하고, 피처리 기판 (12) 의 파티클로 인한 오염의 영향을 배제하여 청정한 기판 처리가 가능해진다.

또한, 상기한 바와 같이 내부 격벽 (15) 의 온도를 높일수록, 퇴적물이 적고 또한 클리닝 속도를 높일 수 있어, 기판 처리의 효율상 유리하다. 본 실시예에서는 고온이 되는 상기 내부 격벽 (15) 이 접촉하는 면적을 최소한으로 함으로써, 상기 내부 격벽 (15) 의 단열성을 향상시켜 상기 내부 격벽 (15) 을 고온으로 하는 것을 가능하게 하고 있다.

즉, 본 실시예에서는 상기 고정 블록 (14Y) 및 상기 가스 공급 블록 (14X) 의 상기 공간 (14F) 에 면한 측만 상기 내부 격벽 (15) 과 접촉하고 있어, 접촉 면적을 최소한으로 억제하면서, 상기한 바와 같이 전기적으로 접지되는 구조로 하고있다.

이 때문에, 상기 내부 격벽 (15) 을 고온으로 하였을 때에 열이 전도되기 위한 접촉 면적이 작고, 또한 상기 처리 용기 (11) 안은 감압되어 있기 때문에 기체 분자에 의한 열전달이 적어 상기 내부 격벽 (15) 으로부터 확산되는 열량이 적다.

그 결과, 예를 들어 전기 히터를 상기 히터 (15B) 에 사용하는 경우, 적은 투입 전력으로 상기 내부 격벽 (15) 을, 예를 들어 200∼400℃ 정도의 고온으로 유지할 수 있다. 또한, 상기 내부 격벽 (15) 을 고온으로 유지하면서, 주변의 부재, 예를 들어 플라즈마 가스 공급 링 (14) 이나 처리 용기 (11) 등을 낮은 온도로 유지할 수 있어, 상기 플라즈마 처리 장치 (10A) 의 안전성이 확보된다.

또, 전형적으로는 불소 고무를 주원료로 하는 상기 시일 링 (16A) 은 내열 온도가 100∼150℃ 정도인데, 상기 시일 링 (16A) 을, 내열 온도 이하인 100℃ 이하로 유지하는 것이 가능해진다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 의해 설명하였지만, 본 발명은 상기 특정한 실시예에 한정되지 않고, 특허청구의 범위에 기재된 요지 내에서 여러 가지 변형·변경이 가능하다.

본 발명에 의하면, 대면적 기판 상에도 균일한 플라즈마를 용이하게 여기할 수 있는 마이크로파 플라즈마를 사용한 기판 처리 장치에 있어서, 처리 용기 (11) 내를, 피처리 기판을 포함하는 공간 (11A) 과, 내부 격벽과 처리 용기의 외벽에 의해 규정되는 공간 (11B) 으로 분리되는 구조로 함으로써, 시일 재료로부터 탈리된 가스로 인한 피처리 기판의 오염의 영향을 배제한, 청정한 기판 처리를 가능하게 하는 기판 처리 장치가 얻어진다. 이러한 점에서, 대구경 반도체 기판을 사용한 반도체 장치의 제조 공정이나 대형 액정 표시 장치의 제조 공정에 사용하기에 적합하다.

Claims

외벽에 의해 규정되고, 피처리 기판을 유지하는 유지대를 구비한 처리 용기와,

상기 처리 용기 내를 배기하는 배기구와,

상기 처리 용기 상에, 상기 피처리 기판에 대면하도록 상기 외벽의 일부로서 형성된 마이크로파 투과 창과,

상기 마이크로파 투과 창 상에 형성된, 마이크로파 전원이 전기적으로 접속된 마이크로파 안테나와,

상기 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와,

상기 유지대를 둘러싸도록 형성되는 내부 격벽과,

상기 처리 용기와 상기 마이크로파 투과 창 사이에 삽입되어 상기 외벽의 일부를 규정하고, 상기 내부 격벽이 장착되는 격벽 장착부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,

상기 내부 격벽은 상기 처리 용기 내의 공간을 상기 유지대를 포함하는 제 1 공간과, 상기 외벽과 상기 내부 격벽에 의해서 규정되는 제 2 공간으로 분할하고, 상기 마이크로파 투과 창과 상기 격벽 장착부 사이의 간극은 상기 제 2 공간을 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 격벽 장착부는 상기 플라즈마 가스를 상기 제 1 공간에 공급하는 상기 플라즈마 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 격벽 장착부는 상기 내부 격벽에 걸어맞춰지는 복수의 접촉 블록을 포함하고, 상기 간극은 상기 복수의 접촉 블록 사이에 형성되는 제 3 공간을 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 복수의 접촉 블록 중 일부는 나사 구멍이 형성되어 나사가 삽입됨으로써, 상기 내부 격벽이 상기 격벽 장착부에 고정되는 구조로 한 고정 블록인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 복수의 접촉 블록 중 일부는 상기 플라즈마 가스의 유로인 플라즈마 가스 구멍이 형성된 가스 공급 블록인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 플라즈마 가스 구멍은 상기 제 1 공간에 연통되어, 상기 플라즈마 가스를 상기 제 1 공간에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 고정 블록과 상기 가스 공급 블록은 서로 인접하는 구조인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 내부 격벽은 상기 접촉 블록과 걸어맞춰짐으로써 상기 격벽 장착부와 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 8 항에 있어서,

상기 격벽 장착부는 접지된 도체로 이루어지고, 상기 내부 격벽은 상기 격벽 장착부를 통해 접지되는 구조인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 내부 격벽에, 당해 내부 격벽을 가열하는 가열 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 가열 기구는 상기 내부 격벽의 상기 외벽에 면하는 측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.