[go: up one dir, main page]

KR102036325B1 - 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법 - Google Patents

방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102036325B1
KR102036325B1 KR1020130015535A KR20130015535A KR102036325B1 KR 102036325 B1 KR102036325 B1 KR 102036325B1 KR 1020130015535 A KR1020130015535 A KR 1020130015535A KR 20130015535 A KR20130015535 A KR 20130015535A KR 102036325 B1 KR102036325 B1 KR 102036325B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
adhesion
deposition
chamber
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130015535A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140102090A (ko
Inventor
허명수
김선호
조철래
주현우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130015535A priority Critical patent/KR102036325B1/ko
Priority to US13/924,456 priority patent/US20140227442A1/en
Priority to CN201310412327.5A priority patent/CN103981489B/zh
Priority to TW102132976A priority patent/TWI641713B/zh
Publication of KR20140102090A publication Critical patent/KR20140102090A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102036325B1 publication Critical patent/KR102036325B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법을 개시한다. 본 발명은 챔버 내에 적어도 하나의 방착 플레이트와, 방착 플레이트의 외면에 결합되는 변형 유니트를 가지는 방착 유니트를 장착하는 단계;와, 챔버 내에 설치된 증착 유니트로부터 증착용 원소재를 기판 상에 증착하는 단계;와, 방착 유니트를 챔버 내에서 분리하는 단계;와, 방착 플레이트에 형성된 성막층을 제거하는 단계;를 포함한다.

Description

방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법{Thin film deposition device having deposition preventing unit and method for removing deposits thereof}
본 발명은 방착 유니트에 증착된 증착물의 제거가 용이한 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 표시 장치(Organic light emitting display device, OLED)는 디지털 카메라, 비디오 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기, 초슬림 노트북, 스마트 폰, 플렉서블 표시 장치, 및 태블릿 퍼스널 컴퓨터 등의 모바일 기기용 표시 장치나, 초박형 텔레비전 등의 전자 전기 제품에 적용할 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 유기 발광층 등을 보호하기 위하여 봉지층을 형성하게 된다.
유기 발광층이나, 봉지층 등은 다양한 방법으로 형성가능하다. 예컨대, 박막 증착 장치를 이용한 증착법에 의하여 형성할 수 있다. 이때, 유기물과 같은 증착용 원소재는 챔버 내에서 유기 발광 표시 장치의 소망하는 영역 뿐만 아니라, 챔버 내의 다른 영역에도 증착된다.
이러한 것을 방지하기 위하여, 챔버 내부에는 필요한 공간에 방착판(deposition preventing plate)을 설치하게 된다. 그런데, 증착용 원소재를 이용하여 1000회 이상 성막시, 방착판 상에는 수 밀리미터 두께로 성막층이 형성된다. 따라서, 성막층을 제거하기 위하여 방착판을 새로 교체해야 하는 부담이 있다. 또한, 방착판에 형성된 성막층이 박리될 경우가 있는데, 이것이 증착 공정중에 파티클 발생원이 될 수 있다.
본 발명은 증착 공정 동안에 방착 유니트 상에 형성된 성막층의 제거가 용이한 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치는,
성막층이 형성되는 기판;
상기 기판을 향하여 증착용 원소재를 증착시키는 증착 유니트;
상기 기판 및 증착 유니트를 수용하는 챔버; 및
상기 챔버 내에 설치되며, 적어도 하나의 방착 플레이트와, 상기 방착 플레이트의 일면에 결합되는 변형 유니트를 가지는 방착 유니트;를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 플레이트는 금속 플레이트를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트는 형상 기억 합금을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트는 상기 방착 플레이트의 일면에 접촉하여 설치된 와이어 형상이다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 유니트는 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트를 포함하며, 상기 변형 유니트는 상기 제 1 방착 플레이트와 제 2 방착 플레이트가 서로 대향되는 면 사이에 개재된다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트는 와이어 형상이다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트의 외면은 상기 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트의 대향되는 면에 접촉한다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 유니트는, 상기 챔버와, 기판 상의 성막층이 형성되는 영역 사이에 설치된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 박막 증착 장치의 증착물을 제거하는 방법은,
챔버 내에 적어도 하나의 방착 플레이트와, 상기 방착 플레이트의 외면에 결합되는 변형 유니트를 가지는 방착 유니트를 장착하는 단계;
상기 챔버 내에 설치된 증착 유니트로부터 증착용 원소재를 기판 상에 증착하는 단계;
상기 방착 유니트를 챔버 내에서 분리하는 단계; 및
상기 방착 플레이트에 형성된 성막층을 제거하는 단계;를 포함하는 박막 증착 장치의 증착물을 제거한다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 유니트는 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트를 포함하며, 상기 변형 유니트는 상기 제 1 방착 플레이트와 제 2 방착 플레이트이 대향되는 면 사이에 개재된다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트는 형상 기억 합금을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트는 와이어 형상을 가지며, 상기 변형 유니트의 외면은 상기 제 1 방착 플레이트와 제 2 방착 플레이트가 대향되는 면에 접촉한다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 플레이트에 형성된 성막층을 제거하는 단계에서는, 상기 방착 유니트를 항온조에 장입하는 단계;와, 상기 방착 유니트와, 상기 방착 유니트의 표면에 부착된 증착용 원소재의 계면을 분리되는 단계;와, 가스 퍼지 공정을 통하여 방착 유니트 상에 흡착된 성막층을 제거하는 단계;와, 상기 방착 유니트를 항온조에서 취출하는 단계;를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 항온조는 상기 변형 유니트가 변형되는 온도 이상을 유지한다.
일 실시예에 있어서, 상기 방착 유니트를 취출한 다음에는 수세 공정 및 건조 공정을 더 수행한다.
이상과 같이, 본 발명의 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법은 변형 유니트를 가지는 다단의 방착 유니트 구조를 채용하여 방착 유니트에 형성되는 성막층을 용이하게 제거가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치를 도시한 개략적인 단면도,
도 2는 도 1의 평면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장치를 도시한 개략적인 단면도,
도 4a는 본 발명의 방착 유니트 상에 성막층이 형성된 것을 도시한 개략적인 단면도,
도 4b는 도 4a의 방착 유니트가 변형된 것을 도시한 개략적인 단면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치의 일 서브 픽셀을 도시한 단면도.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이를 이용한 증착물을 제거하는 방법의 일 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 박막 증착 장치(100)에는 챔버(110)가 마련되어 있다. 상기 챔버(110)는 외부 환경과 반응 공간을 격리하는 소정 공간을 제공하며, 챔버(110)의 일측에는 상기 챔버(110)의 외부로부터 챔버(110) 내부로 기판(120)을 이송하는 이송 장치(미도시)가 출입할 수 있는 문(130)이 설치될 수 있다. 여기서, 상기 문(130)의 위치나, 크기는 어느 하나의 위치에 한정되지 않음은 물론이다.
상기 챔버(110)의 상부 측에는 가스 주입부(140)가 배치되어 있고, 상기 챔버(110)의 하부 측에는 가스 배출부(150)가 상기 가스 주입부(140)에 대향하여 배치되어 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가스 주입부(140)는 가스 주입구(141)와, 상기 가스 주입구(141)에 연결된 샤워 헤드(142)를 구비한다. 증착용 원소재인 가스는 챔버(110)의 외부로부터 가스 주입구(141)를 통하여 챔버(110) 내부로 주입되고, 주입된 가스는 샤워 헤드(120)를 통하여 성막 영역(A)으로 균일하게 분사된다.
상기 샤워 헤드(142)는 하부 표면에 동일하게 이격되어 있는 복수의 분사 홀(143)을 구비하며, 상기 분사 홀(143)들은 가스를 성막 영역(A)으로 균일하게 분배함으로써, 기판(120)에 증착되는 박막층, 이를테면, 유기물층의 균일성을 향상시킨다. 상기 샤워 헤드(142)의 분사 홀(143)들이 반드시 동일한 간격으로 이격되지 않아도 적용될 수 있으며, 또한, 반드시, 샤워 헤드(142)를 구비하지 않아도 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 가스 주입부(140)에 대향되는 위치인 챔버(110)의 하부에는 가스 배출부(150)가 배치되어 있다. 상기 가스 배출부(150)는 가스를 챔버 외부로 배기시키는 배기구(151)와, 상기 배기구(151)에 연결되어 상기 챔버(110) 내부에 소정의 진공도를 유지하는 진공 펌프(152)를 포함한다.
상기와 같이, 챔버(110)의 상하부에 서로 대향 배치된 가스 주입부(140)와, 가스 배출부(150)의 위치로 인하여, 상기 챔버(110)의 내부에는 챔버(110)의 상부로부터 챔버(110)의 하부로의 미세한 기류가 형성된다.
본 실시예에 있어서, 상기 가스 주입부(140)와, 가스 배출부(150)가 서로 대향하여 배치되는 관계라면, 이들의 위치는 다양하게 배치될 수 있으며, 이때, 상기 챔버(110)의 내부에 형성되는 미세한 기류는 이들이 대향하는 방향으로 형성될 것이다.
상기 가스 주입부(140)와, 가스 배출부(150) 사이에는 기판(120)이 안착되는 척(chuck, 161) 및 오픈 마스크(162)를 포함하는 성막부(160)가 배치된다.
상기 척(161) 상에 배치된 기판(120) 상에는 상기 공급된 가스들이 반응하여 유기물층과 같은 박막층이 형성된다. 본 실시예에 있어서, 상기 기판(120) 상에 박막층의 균일한 증착 등을 위하여 기판(120)의 외곽부에 오픈 마스크(162)가 설치될 경우에는 상기 오픈 마스크(162)의 내측에 박막층이 형성되고, 상기 박막층이 형성된 영역이 성막 영역(A)이 된다.
본 실시예에 있어서, 상기 성막 영역(A)은 사각형의 형상으로 도시되어 있지만, 이것은 하나의 예시에 불과하며, 성막의 목적에 따라 다양한 형상의 성막 영역(A)을 형성할 수 있음은 물론이다.
상기 기판(120)이 안착되는 척(161)은 기판(120)에 열 에너지를 공급하는 히이터(미도시)를 더 구비할 수 있으며, 상기 척(161)의 하부에 배치된 승강부(163)는 기판(120)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 가스 주입부(140)와 기판(120) 사이의 공간을 조절하여 가스가 반응하는 공간을 조절할 수 있다.
상기 성막부(160)는 가스 주입부(140)와, 가스 배출부(150)의 대향하는 방향에 수직으로 배치되는 것이 박막층의 균일한 증착을 위하여 바람직하지만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에 있어서, 상기 성막부(160)가 가스 주입부(140)와, 가스 배출부(150)의 대향되는 방향에 수직으로 배치될 경우, 상기 샤워 헤드(142)에서 분사된 가스는 기판(120) 상에 균일하게 분사되고, 기판(120) 상에 분사된 가스의 일부는 반응에 참여하여 기판(120) 상에 증착되며, 증착되지 않은 가스는 챔버(110)의 하부에 배치된 배기구(150)를 통하여 챔버(110) 외부로 배출된다.
상기와 같은 증착 공정을 통하여 상기 기판(120) 상에는 소망하는 영역에 유기물층과 같은 박막층을 증착시킬 수 있다.
이때, 상기 챔버(110) 내에는 부유하는 가스가 상기 기판(120) 이외 상기 챔버(110) 내의 소망하지 않는 영역에 성막되는 것을 방지하기 위하여 방착 유니트(170)가 설치되어 있다.
본 실시예에 있어서, 수회의 성막 공정 이후에 상기 방착 유니트(170) 상에 형성되는 성막층을 제거하기 위하여, 상기 방착 유니트(170)는 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172)와, 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172) 사이에 개재되는 변형 유니트(173)를 포함한다.
상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172)는 소정의 탄성력을 가지는 소재, 이를테면, 박형의 금속 플레이트로 이루어지는 것이 바람직하다. 대안으로는, 상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172)는 탄성력을 가지는 소재라면, 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172)는 원통형의 구조이나, 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)가 챔버(110) 내에 배치되는 위치에 따라 다른 형상으로도 설치가능하다.
본 실시예에 있어서, 상기 방착 유니트(170)는 챔버(110)와, 상기 기판(120) 상의 성막되는 영역 사이에서 상기 기판(120)이 성막되는 영역을 감싸는 형상이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 방착 유니트(170)는 상기 챔버(110)의 내벽에 편평한 구조로 설치되는등 상기 챔버(110) 내의 공간에 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172) 사이에는 변형 유니트(173)가 설치된다. 상기 변형 유니트(173)는 외부로부터 응력 에너지가 공급되는 것에 의하여 변형이 되는 소재를 포함한다. 예컨대, 상기 변형 유니트(173)는 티타늄 합금같은 형상기억합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트(173)의 변형을 발생시키는 응력 에너지는 열원이다. 상기 변형 유니트(173)는 와이어 형상을 가지고 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트(173)는 상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172) 사이에 개재된 와이어 형상의 형상기억합금이나, 외부로부터 공급되는 응력 에너지에 의하여 변형이 발생되는 소재라면, 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장치(300)를 도시한 개략적인 단면도이다.
도면을 참조하면, 상기 박막 증착 장치(309)에는 챔버(310)가 마련되어 있다. 상기 챔버(310)의 일측에는 상기 챔버(310)의 외부로부터 챔버(310) 내부로 기판(320)을 이송하는 이송 장치(미도시)가 출입할 수 있는 문(330)이 설치될 수 있다.
상기 챔버(310)의 상부 측에는 척(361)이 배치되어 있다. 상기 척(361)의 일면에는 기판(320)이 장착되어 있다. 상기 척(361)에 기판(320)을 장착한 이후에 이를 고정하도록 고정 수단(미도시)이 이용될 수 있다. 고정 수단은 진공 흡착부, 클램프, 압력 수단, 접착 물질 등 다양한 종류가 될 수 있다.
상기 챔버(310)의 하부 측에는 증착 유니트(340)가 배치되어 있다. 상기 증착 유니트(340)는 도가니(341) 및 노즐(342)을 포함한다. 상기 도가니(341)에는 증착용 원소재, 예컨대, 유기물층 원소재가 수용된다. 상기 도가니(341) 주변에는 증착용 원소재를 가열하기 위한 히이터(미도시) 등의 가열 수단이 배치될 수 있다.
상기 노즐(342)은 도가니(341)와 연결되어서 증착용 원소재가 진행하는 통로를 제공하며, 증발된 증착용 원소재는 기판(320) 방향으로 진행하는 것에 의하여 기판(320) 상에 유기물층과 같은 박막층을 형성시킨다.
상기 증착 유니트(340)에는 구동부(350)가 연결된다. 상기 구동부(350)는 증착 유니트(340)를 이동시키는데, 상기 증착 유니트(340)를 제 1 방향(X1 방향)이나, 이와 반대인 제 2 방향(X2 방향)으로 이동시킬 수 있다.
대안으로는, 상기 구동부(350)가 상기 기판(320) 측에 연결되어서, 상기 척(361)을 제 1 방향(X1 방향)이나, 제 2 방향(X2 방향)으로 이동시킬 수 있을 것이다.
상기와 같은 구조를 가지는 박막 증착 장치(300)는 상기 기판(320) 상에 박막층을 형성하기 위하여 노즐(342)을 통하여 증착용 원소재가 기판(320)에 안착된다. 예컨대, 유기물 모노머가 저장된 도가니(341)로부터 노즐(342)를 통하여 기판(420)에 도달한다. 이에 따라, 상기 기판(420) 상에 도달된 유기물 모노머가 경화되면서, 상기 기판(420) 상에는 박막층이 형성된다.
이때, 상기 챔버(110) 내에서 비산하는 증착용 원소재가 상기 기판(320) 이외의 챔버(310) 내의 다른 영역에 성막되는 것을 방지하기 위하여 방착 유니트(370)가 설치되어 있다. 상기 방착 유니트(370)는 상기 방착 유니트(370)의 표면에 형성되는 성막층, 즉, 유기물층을 제거하기 위하여 제 1 방착 플레이트(371)와, 제 2 방착 플레이트(372)와, 상기 제 1 방착 플레이트(371) 및 제 2 방착 플레이트(372) 사이에 개재되는 변형 유니트(373)를 포함한다.
상기 제 1 방착 플레이트(371)와, 제 2 방착 플레이트(372)는 탄성력을 가지는 금속 플레이트로 이루어지며, 상기 변형 유니트(373)는 외부로부터 공급되는 응력 에너지에 의하여 변형이 발생되는 형상기억합금으로 된 와이어 형상을 가지고 있다.
도 4a는 도 1의 방착 유니트(170) 상에 성막층이 형성된 것을 도시한 것이고, 도 4b는 도 4a의 방착 유니트(170)가 변형된 것을 도시한 것이다.
도 4a를 참조하면, 상기 방착 유니트(170)는 제 1 방착 플레이트(171)와, 상기 제 1 방착 플레이트(171)와 대향되게 배치된 제 2 방착 플레이트(172)를 포함한다.
상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174)은 성막이 되는 면으로서, 상기 제 1 면(174) 상에는 성막층(410)이 형성되어 있다. 상기 성막층(410)은 경화제가 포함된 액상의 유기물로서, 초기에는 액상의 유기물 상(phase)으로 제 1 면(174)에 성막이 되지만, 후 공정, 예컨대, 자외서 경화 공정에 의하여 경화되어 견고한 고체형으로 상이 변화되는 구조를 가지는 성막 물질을 예로 들 수 있다.
상기 제 2 방착 플레이트(172)의 제 2 면(175)은 상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174)의 반대되는 면으로서, 보호하고자 하는 구조면이나, 챔버 내부의 벽면에 연결되는 면이다.
상기 제 1 방착 플레이트(171)와, 제 2 방착 플레이트(172) 사이에는 변형 유니트(173)가 설치되어 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 변형 유니트(173)는 외부로부터 공급되는 응력 에너지, 열원에 의하여 변형이 용이한 티타늄 합금과 같은 형상기억합금이다.
상기 변형 유니트(173)는 와이어의 형상을 가지고 있다. 상기 변형 유니트(173)의 외주면은 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)에 직접적으로 접촉되어 있다.
이때, 상기 제 1 면(174) 상에 형성된 성막층(410)은 1000회 이상의 증착 공정동안 수 밀리미터 두께로 형성되는데, 상기한 두께에 이르면 상기 성막층(410)을 제거해야 한다. 이때, 상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174)은 금속면이고, 상기 성막층(410)은 유기물로 이루어지므로, 이들 계면에서의 큰 밀착력으로 인하여 외부로부터 응력 에너지를 공급해야만 상기 성막층(410)의 제거가 용이하다. .
도 4b를 참조하면, 본 실시예에 있어서, 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172) 사이에 개재되는 변형 유니트(173)에 외부로부터 응력 에너지를 공급하여 상기 제 1 플레이트(171)의 제 1 면(174)과, 제 2 플레이트(172)의 제 2 면(175)에 순간적인 구조 변형을 발생시켜서 상기 제 1 면(175) 상에 형성된 성막층(410)을 용이하게 제거할 수 있다.
즉, 상기 변형 유니트(473)에 응력 에너지를 공급함으로 인하여, 상기 변형 유니트(173)는 일 방향으로 휘어지게 된다. 이에 따라, 상기 변형 유니트(173)의 외주면에 각각 접촉하는 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)는 다같이 변형하게 되어서, 상기 성막층(410)에서는 크랙(C)이 발생하게 된다.
상기와 같이, 상기 변형 유니트(173)의 변형을 야기시키는 응력 에너지는 열원이다. 주변 열 에너지의 공급에 의한 상기 변형 유니트(173)의 내부 에너지 배열에 의하여 응력 에너지가 형성되며, 이로 인하여, 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)가 변형되는 메커니즘을 가진다.
상기한 반응이 완료된 후, 원래 상태로 복원되는 에너지는 열원을 제거하면 된다. 열원을 제거함에 따라, 상기 변형 유니트(173)의 응력 에너지가 소멸되고, 이로 인하여 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)는 원 상태로 회복하게 된다. 따라서, 상기 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)는 탄성 복원성이 중요하므로, 탄성력을 가지는 소재, 이를테면, 금속 플레이트가 바람직하다.
상기와 같이, 상기 방착 유니트(170)로부터 성막층(410)을 제거하는 과정을 도 1의 박막 증착 장치(100)에 적용하여 순차적으로 설명하면 도 5에 도시된 바와 같다.
먼저, 공정 챔버(110) 내에 제 1 방착 플레이트(171), 제2 방착 플레이트(172), 및 그 사이에 개재되는 변형 유니트(173)를 구비한 방착 유니트(170)를 장착하게 된다.(S10) 상기 챔버(110)의 일측에 마련된 문(130)을 통하여 증착시키고자 하는 기판(120)을 척(161) 상에 설치하고, 상기 기판(120) 상에 고속 유기물 증착 공정을 수행하게 된다. 필요할 경우에는 경화 공정을 더 수행할 수 있다.(S20)
상기한 증착 공정이 수백회 내지 수천회 반복 진행하게 되면, 상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174) 상에는 성막층(410)의 두께가 증가하게 된다. 상기 성막층(410)의 두께가 수 밀리미터가 되면, 상기 진공 챔버(110)를 대기압 상태로 유지시킨 후에 다단 구조의 방착 유니트(170)를 챔버(110)로부터 분리하게 된다.(S30)
이어서, 상기 성막층(410)이 형성된 방착 유니트(170)는 항온조에 장입하게 된다. 이때, 상기 항온조의 온도는 상기 변형 유니트(173)의 변형이 가능한 온도 이상을 유지한다. 본 실시예에 있어서, 상기 항온조의 온도는 120도를 유지하고 있다.(S40)
다음으로, 상기 항온조 내에서 상기 방착 유니트(170)의 온도가 100도 정도에 이르게 되면, 상기 변형 유니트(173)가 일방향으로 휘어지게 된다. 상기 변형 유니트(173)가 변형되면, 상기 변형 유니트(173)의 외주면에 접촉하고 있는 제 1 방착 플레이트(171) 및 제 2 방착 플레이트(172)는 동일한 방향으로 같이 휘어지게 된다.
변형이 발생되면서, 상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174) 상에 두껍게 형성된 성막층(410)에 크랙(C)이 발생하게 되고, 상기 성막층(410)과 제 1 방착 플레이트(171) 사이에는 계면 분리가 진행된다.(S50)
이어서, 상기 제 1 방착 플레이트(171)로부터 성막층(41)의 계면 분리가 된 이후에는 고압 가스 퍼지 공정을 통하여 상기 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174)에 형성된 성막층(410)을 제거하게 된다.(S60)
상기 성막층(410)이 제거된 다음에는 상기 항온조의 온도를 30도로 유지하고, 상기 방착 유니트(170)의 온도가 30도가 되면, 상기 항온조로부터 방착 유니트(170)를 취출하게 된다.(S70)
취출된 방착 유니트(170)는 제 1 방착 플레이트(171)의 제 1 면(174) 상에 반데르발스 힘에 의하여 흡착된 잔류하는 성막층(410)을 제거하기 위하여 수세 공정 및 건조 공정을 수행하는 것에 의하여 상기 방착 유니트(170)로부터 성막층(410)을 완전히 제거할 수 있다.(S80)
상기와 같이, 본 실시예에 있어서, 방착 유니트(170)의 표면에 두껍게 형성된 성막층은 화학적 세정과 물리적 표면 처리에 의한 방법을 적용하지 않고도, 용이하게 방착 유니트(170)로부터 성막층(410)을 제거할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(600)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
기판(601) 상에 애노우드 전극의 역할을 하는 제 1 전극(610)이 형성되고, 상기 제 1 전극(610) 상에 픽셀 정의막(619)이 형성된다. 상기 픽셀 정의막(619)은 상기 제 1 전극(610)의 윗면의 적어도 일 영역을 커버하지 않도록 형성된다.
상기 제 1 전극(610) 상에 유기 발광층(620)이 형성된다.
상기 유기 발광층(620) 상에 캐소우드 전극의 역할을 하는 제 2 전극(630)이 형성된다.
상기 제2 전극(630) 상에 제 1 무기 봉지층(651), 제 1 유기 봉지층(661), 제 2 무기 봉지층(652), 제 2 유기 봉지층(662), 제 3 무기 봉지층(653), 제 3 유기 봉지층(663), 및 제 4 무기 봉지층(654)이 형성된다. 도시되지 않으나, 제 2 전극(630)과, 제 1 무기 봉지층(651) 상에 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있음은 물론이다.
보다 상세하게는, 상기 제 2 전극(630) 상에 제 1 무기 봉지층(651)을 형성한다. 상기 제 1 무기 봉지층(651) 상에는 도 1 또는 도 2에 도시한 증착 장치(100, 200)를 이용하여 제 1 유기 봉지층(661)을 형성한다.
이를 통하여, 유기물 모노머로부터 유기 발광층(620), 특히, 유기 발광층(620)의 면중 제 2 전극(630) 및 제 1 무기 봉지층(651)으로 커버되지 않는 면으로 유기물 기타 불순 물질이 투입되는 것을 차단한다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치(600)는 제 2 전극(630) 상에 무기 봉지층과 유기 봉지층의 적층 구조를 통하여 유기 발광층(620), 제 1 전극(610), 및 제 2 전극(630)을 효과적으로 보호하게 된다.
100...박막 증착 장치 110...챔버
120...기판 140...가스 주입부
150...가스 배출부 160...성막부
161...척 162...오픈 마스크
170...방착 유니트 171...제 1 방착 플레이트
172...제 2 방착 플레이트 173...변형 유니트

Claims (15)

  1. 성막층이 형성되는 기판;
    상기 기판을 향하여 증착용 원소재를 증착시키는 증착 유니트;
    상기 기판 및 증착 유니트를 수용하는 챔버; 및
    상기 챔버 내에 설치되며, 적어도 하나의 방착 플레이트와, 상기 방착 플레이트의 일면에 결합되는 변형 유니트를 가지는 방착 유니트;를 포함하며,
    상기 방착 유니트는 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트를 구비하고,
    상기 변형 유니트는 상기 제 1 방착 플레이트와 제 2 방착 플레이트가 서로 대향되는 면 사이에 개재된 박막 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방착 플레이트는 금속 플레이트를 포함하는 박막 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 변형 유니트는 형상 기억 합금을 포함하는 박막 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 변형 유니트는 상기 방착 플레이트의 일면에 접촉하여 설치된 와이어 형상인 박막 증착 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 변형 유니트는 와이어 형상인 박막 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 변형 유니트의 외면은 상기 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트의 대향되는 면에 접촉하는 박막 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 방착 유니트는, 상기 챔버와, 기판 상의 성막층이 형성되는 영역 사이에 설치된 박막 증착 장치.
  9. 챔버 내에 적어도 하나의 방착 플레이트와, 상기 방착 플레이트의 외면에 결합되는 변형 유니트를 가지는 방착 유니트를 장착하는 단계;
    상기 챔버 내에 설치된 증착 유니트로부터 증착용 원소재를 기판 상에 증착하는 단계;
    상기 방착 유니트를 챔버 내에서 분리하는 단계; 및
    상기 방착 플레이트에 형성된 성막층을 제거하는 단계;를 포함하며,
    상기 방착 유니트는 제 1 방착 플레이트와, 제 2 방착 플레이트를 구비하고,
    상기 변형 유니트는 상기 제 1 방착 플레이트와 제 2 방착 플레이트가 대향되는 면에 접촉하는 와이어 형상의 형상기억합금을 구비하는 박막 증착 장치의 증착물을 제거하는 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 방착 플레이트에 형성된 성막층을 제거하는 단계에서는,
    상기 방착 유니트를 항온조에 장입하는 단계;
    상기 방착 유니트와, 상기 방착 유니트의 표면에 부착된 증착용 원소재의 계면을 분리되는 단계;
    가스 퍼지 공정을 통하여 방착 유니트 상에 흡착된 성막층을 제거하는 단계; 및
    상기 방착 유니트를 항온조에서 취출하는 단계;를 포함하는 박막 증착 장치의 증착물을 제거하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 항온조는 상기 변형 유니트가 변형되는 온도 이상을 유지하는 박막 증착 장치의 증착물을 제거하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 방착 유니트를 취출한 다음에는 수세 공정 및 건조 공정을 더 수행하는 박막 증착 장치의 증착물을 제거하는 방법.
KR1020130015535A 2013-02-13 2013-02-13 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법 Active KR102036325B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015535A KR102036325B1 (ko) 2013-02-13 2013-02-13 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법
US13/924,456 US20140227442A1 (en) 2013-02-13 2013-06-21 Thin film deposition device including deposition-preventing unit and method of removing deposits thereof
CN201310412327.5A CN103981489B (zh) 2013-02-13 2013-09-11 包括防沉积单元的薄膜沉积装置及其去除沉积物的方法
TW102132976A TWI641713B (zh) 2013-02-13 2013-09-12 包含防止沉積單元之薄膜沉積裝置及移除其沉積物之方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015535A KR102036325B1 (ko) 2013-02-13 2013-02-13 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140102090A KR20140102090A (ko) 2014-08-21
KR102036325B1 true KR102036325B1 (ko) 2019-10-25

Family

ID=51273657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130015535A Active KR102036325B1 (ko) 2013-02-13 2013-02-13 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140227442A1 (ko)
KR (1) KR102036325B1 (ko)
CN (1) CN103981489B (ko)
TW (1) TWI641713B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102600564B1 (ko) 2016-03-25 2023-11-10 (주)선익시스템 방착쉴드가 구비된 증착장치
KR101834171B1 (ko) 2016-08-29 2018-03-05 에스에프씨주식회사 유기 박막 제조공정의 증착공정 평가 장치
WO2020068254A1 (en) * 2018-09-25 2020-04-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus to eliminate wafer bow for cvd and patterning hvm systems
CN114850003B (zh) * 2021-02-03 2023-06-27 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置
CN115044880B (zh) * 2022-07-27 2023-07-25 松山湖材料实验室 一种镀膜治具及镀膜方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090774A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 蒸着装置および回収装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960013062B1 (ko) * 1987-03-31 1996-09-30 스미도모쥬기가이고오교오 가부시기가이샤 사출성형기용 사출노즐
JPH04246169A (ja) * 1991-02-01 1992-09-02 Fujitsu Ltd スパッタ装置
US5541407A (en) * 1992-09-24 1996-07-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Arsenic atom source
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US6308654B1 (en) * 1996-10-18 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US20020015855A1 (en) * 2000-06-16 2002-02-07 Talex Sajoto System and method for depositing high dielectric constant materials and compatible conductive materials
JP3940095B2 (ja) * 2003-05-08 2007-07-04 忠弘 大見 基板処理装置
US7264679B2 (en) * 2004-02-11 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of chamber components
US7829815B2 (en) * 2006-09-22 2010-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Adjustable electrodes and coils for plasma density distribution control

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090774A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 蒸着装置および回収装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103981489A (zh) 2014-08-13
TW201432084A (zh) 2014-08-16
KR20140102090A (ko) 2014-08-21
TWI641713B (zh) 2018-11-21
CN103981489B (zh) 2018-09-21
US20140227442A1 (en) 2014-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102036325B1 (ko) 방착 유니트를 가지는 박막 증착 장치와, 이의 증착물을 제거하는 방법
JP5930579B2 (ja) 基板加工装置
US8771420B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5793241B1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP5793170B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TWI554640B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device
JP5971870B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
KR20060100302A (ko) 양극처리된 기판 지지부
US20220356573A1 (en) Atomic layer deposition tool and method
CN104752163A (zh) 半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置
CN107615459A (zh) 等离子体原子层生长装置
US20070254112A1 (en) Apparatus and method for high utilization of process chambers of a cluster system through staggered plasma cleaning
KR20180111917A (ko) 기화기 및 기판 처리 장치
US11174549B2 (en) Substrate processing methods
TWI681496B (zh) 減少製程腔室內基板滑動之設備及方法
CN105789482B (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
CN102017095B (zh) 真空处理装置
TW201805466A (zh) 基板支撐組件、具有其之處理腔室以及處理基板的方法
US20190226085A1 (en) Substrate supporting apparatus and manufacturing method thereof
US9721766B2 (en) Method for processing target object
US8147909B2 (en) Method of making and using alloy susceptor with improved properties for film deposition
KR102577000B1 (ko) 유기발광소자 제조 장치
CN113097378B (zh) 等离子体蚀刻的方法
CN110785829A (zh) 使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜
KR20150134723A (ko) 인라인 방식의 열증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130213

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180213

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130213

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190117

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20190722

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20191018

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20191021

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220923

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee