KR100930496B1

KR100930496B1 - 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR100930496B1
Application number: KR1020020064557A
Authority: KR
Inventors: 이청
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2002-10-22
Filing date: 2002-10-22
Publication date: 2009-12-09
Anticipated expiration: 2022-10-22
Also published as: KR20040035420A

Abstract

라인 리페어 성공률을 향상시키기 위한 어레이 기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 다수의 단위 화소가 형성된 기판 상에는 수리선이 형성되고, 수리선은 제1 절연막을 사이에 두고 상기 다수의 단위 화소에 구동신호를 제공하는 신호선과 교차된다. 신호선에 불량이 발생되면 수리선은 신호선고 전기적으로 연결되어 신호선의 역할을 대신 수행한다. 신호선이 형성된 제1 절연막 상에는 신호선과 수리선이 교차되는 구간을 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막이 형성된다. 따라서, 어레이 기판의 라인 리페어 성공률을 향상시킬 수 있다.

Description

어레이 기판 및 이의 제조 방법{ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판을 나타낸 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 어레이 기판을 절단한 단면도이다.

도 3은 특정 데이터 라인의 수선된 상태를 나타낸 평면도이다.

도 4는 도 3에 도시된 어레이 기판을 절단선 A-A`로 절단한 단면도이다.

도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 어레이 기판의 제조 공정을 나타낸 단면도들이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 어레이 기판 110 : 기판

120 : 단위 화소 121 : TFT

122 : 화소 전극 130 : 유기 절연막

133 : 개구부 DL : 데이터 라인

GL : 게이트 라인 RL : 수리선

본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 라인 리페어 성공률을 향상시킬 수 있는 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어 정보 처리 기기는 사용자가 정보처리 장치에서 처리된 정보를 육안으로 확인할 수 있도록 인터페이스 역할을 하는 디스플레이 장치를 필요로 한다. 액정표시장치는 디스플레이 장치의 대표적인 것으로써, 액정의 특정한 분자배열에 전압을 인가하여 다른 분자배열로 변환시키고, 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하는 것으로, 액정에 의한 빛의 변조를 이용한 디스플레이 장치이다.

이러한 원리로 구동되기 위하여 상기 액정표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT) 기판, 상기 TFT 기판에 대향하는 컬러필터기판 및 상기 TFT 기판과 컬러필터기판과의 사이에 개재된 액정층으로 이루어진다. 상기 TFT 기판은 주사 신호를 전달하는 게이트 라인, 화상 신호를 전달하는 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 연결된 TFT, 상기 TFT에 연결된 화소전극으로 이루어진 단위 화소가 매트릭스 형태로 형성된 기판이다. 상기 TFT는 상기 게이트 라인을 통해 인가되는 주사신호에 의해 구동되어 상기 데이터 라인을 통해 제공되는 화상 신호를 화소 전극으로 인가한다.

상기 게이트 라인과 데이터 라인 각각은 화소마다 형성되기 때문에 각 배선들은 마이크로 미터 단위 이하의 매우 미세한 크기로 형성된다. 따라서, 상기 TFT 기판의 제조 과정에서 배선의 단선 또는 배선들 사이의 단락 등으로 인하여 불량이 발생할 가능성이 상존한다.

이러한 불량을 수리하기 위하여 추가 배선(Redundancy) 구성 즉, 리페어할 경우를 고려한 보조 배선을 설치하는 수리선을 형성하는 기술이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 수리선은 정상시에는 절연막을 경계로 각 배선과 전기적으로 분리되어 있다. 예를 들어 특정 부위의 데이터 라인이 단선되면, 상기 수리선과 상기 단선된 데이터 라인이 교차되는 구간을 레이저로 용접시킨다. 따라서, 상기 수리선을 통하여 신호가 단선 부위의 반대편 배치되는 상기 단선된 데이터 라인에 도달한다. 따라서, 상기 데이터 라인이 단선되더라도 상기 데이터 라인에 연결된 단위 화소들이 정상적으로 동작된다.

이러한 구조는 본 출원인이 출원한 미국 특허 6,317,176호 및 미국 특허 6,014,191호에 상세하게 기재되어 있다.

그러나, 상기 데이터 라인 상에는 상기 단위 화소별로 화소전극을 형성하기 위하여 상기 화소전극과 상기 데이터 라인과의 사이에는 유기 절연막으로 형성된 보호막이 개재된다. 일반적으로, 상기 보호막은 2㎛ 내지 3㎛ 정도의 두께로 형성된다. 상기 보호막에 의해서 상기 데이터 라인과 상기 수리선을 용접 후 상기 데이터 라인과 상기 수리선이 정상적으로 접속되는 비율이 감소되어 불량률이 증가된다.

또한, 상기 데이터 라인과 상기 수리선이 접촉되는 부분에서 접촉 저항이 발생된다. 상기 접촉 저항은 접촉 면적에 따라서 결정되고, 상기 데이터 라인과 상기 수리선의 접촉 면적에 따라서 상기 라인들에 걸리는 부하가 결정된다. 상기 각 라인들에 걸리는 부하를 감소시키기 위해서 상기 데이터 라인과 상기 수리선의 접촉 면적을 증가시킬 수 있는 구조가 필요하다.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 라인 리페어 성공률을 향상시키기 위한 어레이 기판을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 제2 목적은 상기한 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어레이 기판은, 다수의 단위 화소가 형성된 기판 상에 형성된 수리선; 상기 수리선이 형성된 상기 기판 상에 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 상기 수리선과 교차되도록 형성되고, 상기 다수의 단위 화소에 구동 신호를 인가하는 신호선; 및 상기 신호선이 형성된 상기 제1 절연막 상에 형성되고, 상기 신호선과 수리선이 교차되는 구간에서 상기 신호선을 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막을 포함한다.

또한, 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어레이 기판의 제조 방법은, 다수의 단위 화소가 형성된 기판 상에 수리선을 형성하는 단계; 상기 수리선이 형성된 상기 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막 상에 상기 수리선과 교차되고 상기 다수의 단위 화소에 구동 신호를 제공하는 신호선을 형성하는 단계; 및 상기 신호선이 형성된 상기 제1 절연막 상에 상기 신호선과 수리선이 교차되는 구간에서 상기 신호선을 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.

이러한 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 따르면, 기판 상에는 수리선 및 제1 절연막을 사이에 두고 상기 수리선과 교차되는 신호선이 구비된다. 신호선이 형성된 제1 절연막 상에는 신호선과 수리선이 교차되는 구간을 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막이 형성된다. 따라서, 어레이 기판의 라인 리페어 성공률을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

일반적으로, poly-si 액정표시장치는 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 마주보는 컬러필터기판 및 상기 어레이 기판과 상기 컬러필터기판과의 사이에 개재된 액정층으로 이루어진다. 이하, 상기 poly-si 액정표시장치에 이용되는 어레이 기판을 예로 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판을 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 어레이 기판을 절단한 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판(100)은 다수의 단위 화소(120)가 형성된 표시영역(D) 및 상기 표시영역(D)의 주변에 형성된 주변영역(S)으로 이루어진다. 상기 표시영역(D)은 기판(110) 상에 상기 다수의 단위 화소(120)가 매트릭스 형태로 형성된 영역이고, 상기 주변영역(S)은 상기 다수의 단위 화소(120)를 구동하기 위한 구동신호를 외부로부터 받기 위한 패드들이 형성된 영역이다.

상기 표시영역(D)에는 제1 방향으로 연장된 게이트 라인(GL), 상기 제1 방향 과 직교하는 제2 방향으로 연장된 데이터 라인(DL)이 형성되고, TFT(121)는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)에 의해서 구획된 영역에서 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)에 각각 접속된다. 즉, 상기 TFT(121)의 게이트 전극(121c)은 상기 게이트 라인(GL)에 연결되고, 소오스 전극(121e)은 상기 데이터 라인(DL)에 연결된다. 또한, 상기 TFT(121)의 드레인 전극(121f)은 화소 전극(122)과 접속된다.

구체적으로, 상기 기판(110) 상에는 poly-si층(121a), 그 위에 형성된 게이트 절연막(121b) 및 상기 게이트 절연막(121b) 상에 형성된 게이트 전극(121c)이 구비된다. 이후, 상기 poly-si층(121a)을 붕소(B) 또는 인(P)을 이용하여 도핑하여 n 또는 p 채널을 형성한다. 또한, 상기 게이트 전극(121c)이 형성된 상기 게이트 절연막(121b) 상에는 상기 poly-si층(121a)의 일부분을 노출시키는 제1 및 제2 콘택홀이 형성된 층간 절연막(121d)이 적층된다. 상기 층간 절연막(121d) 상에는 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 poly-si층(121a)과 전기적으로 연결된 소오스 전극(121e)과 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 poly-si층(121a)과 전기적으로 연결된 드레인 전극(121f)이 형성된다.

이후, 소오스 및 드레인 전극(121e, 121f)이 형성된 상기 기판(110) 상에는 상기 드레인 전극(121f)의 일부분을 노출시키는 제3 콘택홀(131)이 형성된 보호막(130)이 형성된다. 상기 보호막(130)은 감광성 아크릴계 수지와 같은 유기 절연막으로 형성된다. 상기 보호막(130) 상에는 상기 제3 콘택홀(131)을 통해 상기 드레인 전극(121f)과 전기적으로 연결되는 투명 전극인 화소 전극(122)이 형성된 다. 여기서, 상기 화소 전극(122)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; 이하, ITO) 또는 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; 이하, IZO)로 이루어진다.

한편, 상기 주변영역(S)은 상기 게이트 라인(GL)의 일단으로부터 연장된 게이트 패드가 형성된 게이트 주변영역 및 상기 데이터 라인(DL)의 일단으로부터 연장된 데이터 패드가 형성된 데이터 주변영역으로 이루어진다.

상기 데이터 라인(DL)을 수리하기 위한 수리선(RL)은 상기 데이터 주변영역에서 상기 데이터 라인(DL)의 일단과 교차된다. 상기 수리선(RL)은 상기 표시영역(D)을 경유하여 연장되며, 상기 일단과 마주보는 상기 데이터 라인(DL)의 타단에서 교차된다. 도면 상에는 상기 데이터 라인(DL)을 수리하기 위한 수리선(RL)이 제시되지만, 상기 어레이 기판(100)은 상기 게이트 라인(GL)을 수리하기 위한 수리선을 더 구비할 수 있다.

구체적으로, 상기 수리선(RL)은 상기 게이트 절연막(121b) 상에서 상기 게이트 전극(121c)과 동일한 공정에 의해서 형성된다. 상기 수리선(RL)이 형성된 상기 기판(110) 상에는 상기 층간 절연막(121d)이 형성되고, 상기 층간 절연막(121d) 위로는 상기 소오스 및 드레인 전극(121e, 121f)과 동일한 공정에 의해서 형성된 상기 데이터 라인(DL)이 구비된다. 상기 데이터 라인(DL)이 형성된 상기 기판(110) 상에는 상기 보호막(130)이 형성된다.

상기 보호막(130)에는 상기 데이터 라인(DL)과 상기 리페이 라인(RL)이 교차되는 부분에서 상기 데이터 라인(DL)을 노출시키는 제4 콘택홀(133)이 형성된다. 상기 수리선(RL)은 상기 데이터 라인(DL)들 각각과 교차되기 때문에 상기 보호막(130)에는 상기 교차 구간에 대응하여 상기 제4 콘택홀(133)이 각각 형성된다. 상기 제4 콘택홀(133)은 상기 교차 구간보다 더 크게 형성되는 것이 바람직하다.

도 3은 특정 데이터 라인의 수선된 상태를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 어레이 기판을 절단선 A-A`로 절단한 단면도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 기판(110) 상에는 특정 방향으로 연장된 수리선(RL)이 배치되고, 상기 수리선(RL)은 층간 절연막(121d)을 사이에 두고 결함이 발생된 특정 데이터 라인(DL)과 직교한다. 상기 특정 데이터 라인(DL)이 형성된 상기 기판(110) 상에는 상기 보호막(130)이 배치되고, 상기 보호막(130)에는 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL)이 교차된 부분에서 상기 특정 데이터 라인을 노출시키는 제4 콘택홀(133)이 형성된다.

상기 특정 데이터 라인(DL)에 결함이 발생되면, 상기 특정 데이터 라인(DL)은 상기 수리선(RL)과 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 상기 특정 데이터 라인(DL)이 단선되는 경우, 단선된 지점 이후에서 상기 특정 데이터 라인(DL)에 연결된 다수의 단위 화소들(미도시)에 신호를 인가하지 못하게 된다. 이러한 경우 상기 특정 데이터 라인(DL)을 상기 수리선(RL)에 전기적으로 연결시킴으로써, 상기 특정 데이터 라인(DL)에 연결된 다수의 단위 화소들을 정상적으로 구동시킬 수 있다.

일반적으로, 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL)을 전기적으로 연결시키기 위하여, 제1 및 제2 지점(p1, p2)에 레이저 광을 조사하여 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL)을 용접시키는 방법이 이용된다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 지점에서 레이저 광을 조사하면, 상기 레이저 광에 의해서 상기 층간 절연막(121d)이 파괴된다. 파괴된 상기 층간 절연막(121d)을 통해서 상기 특정 데이터 라인(DL)이 스며들어 상기 수리선(RL)과 전기적으로 접속된다.

도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 광이 조사되는 상기 제1 및 제2 지점(p1, p2)에서 상기 제4 콘택홀(133)을 의해서 상기 보호막(130)이 제거되어 있다. 따라서, 상기 레이저 광 조사시 상기 제1 및 제2 지점(p1, p2)에서 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL)을 전기적으로 접속시키는 리페어 공정의 성공률을 증가시킬 수 있다.

또한, 상기 특정 데이터 라인(DL)의 상면 및 측벽들은 상기 개구부(133)를 통해서 외부로 노출되어 있기 때문에, 레이저 광 조사시 상기 수리선(RL)과 상기 특정 데이터 라인(DL)이 접촉되는 면적이 증가된다. 접촉 면적이 향상되면, 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL) 사이의 접촉 저항이 감소된다. 이와 같이 상기 특정 데이터 라인(DL)과 상기 수리선(RL)의 접촉 면적이 증가됨에 따라서, 상기 특정 데이터 라인(DL)들에 걸리는 부하를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 수리선(RL)을 통해 인가되는 영상 신호의 지연 현상을 방지할 수 있다.

도 5a를 참조하면, 상기 기판(110)의 표시 영역(D)에는 a-si층을 저온 플라 즈마 화학기상증착(Low Plasma Chemical Vapor Deposition; LPCVD) 방법으로 540℃ 정도에서 증착한다. 이후, a-si층을 600℃ 정도에서 장시간 열처리하여 결정화하여 poly-si 층(121a)을 형성한다. 결정성을 높이기 위하여 결정화 전에 실리콘 이온 주입을 하기도 한다. 이후, 건식 식각(dry etching) 공정을 통해 상기 poly-si층(121a)을 패터닝한다.

다음, 상기 poly-si층(121a)을 산소와 반응시켜 상기 ploy-si층(121a) 상에 산화막을 형성한다. 상기 산화막은 게이트 절연막(121b)으로써 사용된다. 이후, 상기 게이트 절연막(121b) 상에 게이트 전극층(미도시)을 형성한 후, 상기 게이트 전극층을 패터닝한다. 따라서, 상기 표시영역(D)에는 게이트 전극(121c)이 형성되고, 상기 주변영역(S)에는 수리선(RL)이 형성된다.

도 5b를 참조하면, 상기 게이트 전극(123) 및 상기 수리선(RL)이 형성된 다음에는 상기 poly-si층(121a)을 도핑하기 위한 이온 주입 공정이 이루어진다. 즉, p형 TFT를 만들려면 붕소(B)으로 도핑하고, n형 TFT를 만들려면 인(P)으로 도핑한다. 붕소(B) 및 인(P) 중 어느 하나를 상기 poly-si층(121a)에 주입하여 n 채널 또는 p 채널을 결정한다.

이후, 상기 게이트 전극(123) 및 상기 수리선(RL)이 형성된 층간 절연막(126)이 증착된다. 상기 층간 절연막(126)에는 제1 및 제2 콘택홀이 각각 형성된다.

다음, 상기 층간 절연막(121d) 상에는 상기 표시영역(D)에 대응하여 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 poly-si층(121a)과 연결되는 소오스 전극(121e)이 형성되 고, 상기 제2 콘택홀을 통해 상기 poly-si층(121a)과 연결되는 드레인 전극(121f)이 형성된다. 이로써, 상기 표시영역(D)에 poly-si TFT(121)가 완성된다.

한편, 상기 주변영역(S)에 대응하여 상기 층간 절연막(121d) 상에는 상기 소오스 및 드레인 전극(121e, 121f)과 동일한 공정을 통해서 데이터 라인(DL)이 형성된다.

도 5c를 참조하면, 상기 poly-si TFT(120)가 형성된 상기 표시영역(D) 및 상기 주변영역(S)에는 전면에 걸쳐서 감광성 유기 절연막(135)이 형성된다.

도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 감광성 유기 절연막(135) 상에는 제1 및 제2 개구부(137a, 137b)가 형성된 마스크(137)가 배치된다. 구체적으로, 상기 제1 개구부(137a)는 상기 poly-si TFT(121)의 상기 드레인 전극(121f)을 노출시키는 제3 콘택홀(131)이 형성될 영역에 형성된다. 또한, 상기 제2 개구부(137b)는 상기 수리선(RL)과 상기 데이터 라인(DL)이 교차되는 부분에서 상기 데이터 라인(DL)을 노출시키는 제4 콘택홀(133)이 형성될 영역에 형성된다.

상기 마스크(137)가 배치된 상태에서 상기 감광성 유기 절연막(135)을 노광하면, 상기 제1 및 제2 개구부(137a, 137b)에 의해서 노출된 부분에서 상기 감광성 유기 절연막(135)이 풀-노광된다. 이후, 상기 어레이 기판(100)을 현상액에 반응시키면, 상기 마스크(137)가 제거되면서 상기 기판(110) 상에는 상기 제3 및 제4 콘택홀(131, 133)이 형성된 보호막(130)이 형성된다.

다음 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(130) 상에는 상기 제3 콘택홀(131)을 통해 상기 드레인 전극(122f)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(122)이 형성된다. 상기 화소전극(122)은 투명성 도전 물질인 ITO 또는 IZO 중 어느 하나로 이루어진다. 이로써, 상기 poly-si 액정표시장치에 이용되는 상기 어레이 기판(100)이 완성된다.

이상에서는 상기 poly-si 액정표시장치에 이용되는 어레이 기판(100)을 본 발명의 일 실시예로서 설명하였다. 그러나, 본 발명은 poly-si 액정표시장치에 한정되지 않으며, a-si 액정표시장치에 이용되는 어레이 기판에도 충분히 적용될 수 있는 구조이다.

이와 같은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 따르면, 기판 상에는 수리선 및 제1 절연막을 사이에 두고 상기 수리선과 교차되는 신호선이 구비된다. 신호선이 형성된 제1 절연막 상에는 신호선과 수리선이 교차되는 구간을 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막이 형성된다.

따라서, 상기 신호선과 수리선이 교차되는 부분에 형성된 제2 절연막이 오픈됨으로써 상기 신호선과 수리선의 용접이 용이해지고, 상기 어레이 기판의 라인 리페어 성공률을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 수리선과 신호선이 접촉되는 면적이 증가시킴으로써 상기 신호선과 수리선 사이의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 더 나아가서 상기 수리선에 걸리는 부하가 감소시켜 상기 수리선을 통해 인가되는 영상 신호가 지연되는 현상을 방지할 수 있다

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

다수의 단위 화소가 형성된 기판 상에 형성된 수리선;

상기 수리선이 형성된 상기 기판 상에 형성된 제1 절연막;

상기 제1 절연막 상에 상기 수리선과 교차되도록 형성되고, 상기 다수의 단위 화소에 구동 신호를 인가하는 신호선; 및

상기 신호선이 형성된 상기 제1 절연막 상에 형성되고, 상기 신호선과 수리선이 교차되는 구간에서 상기 신호선의 상부를 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막을 포함하는 어레이 기판.
제1항에 있어서, 상기 개구부는 상기 수리선과 신호선이 교차되는 영역 보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제1항에 있어서, 상기 수리선과 신호선이 교차되는 영역 중 상기 수리선과 신호선의 단부가 교차하는 지점을 레이저로 용접하여 상기 수리선과 신호선을 연결하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제1항에 있어서, 상기 단위 화소는 TFT 및 상기 TFT의 드레인 전극에 연결된 화소전극으로 이루어지고,

상기 신호선은 상기 TFT의 게이트 전극에 연결된 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 직교하고 상기 TFT의 소오스 전극에 연결된 데이터 라인으로 이루어진 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제4항에 있어서, 상기 TFT는 폴리 실리콘(poly-crystallize-silicon) TFT인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
다수의 단위 화소가 형성된 기판 상에 수리선을 형성하는 단계;

상기 수리선이 형성된 상기 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;

상기 제1 절연막 상에 상기 수리선과 교차되고 상기 다수의 단위 화소에 구동 신호를 제공하는 신호선을 형성하는 단계; 및

상기 신호선이 형성된 상기 제1 절연막 상에 상기 신호선과 수리선이 교차되는 구간에서 상기 신호선의 상부를 노출시키는 개구부가 형성된 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 제2 절연막을 형성하는 단계는,

상기 신호선이 형성된 상기 제1 절연막 상에 감광성 유기 절연막을 전체적으로 형성하는 단계;

상기 감광성 유기 절연막 상에 상기 교차 구간에 대응하는 패턴이 형성된 마스크를 배치하는 단계; 및

상기 감광성 유기 절연막을 노광 및 현상하여 상기 개구부가 형성된 상기 제2 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.