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KR100807133B1 - 웨이퍼 면적 압력 제어 - Google Patents

웨이퍼 면적 압력 제어 Download PDF

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KR100807133B1
KR100807133B1 KR1020037001970A KR20037001970A KR100807133B1 KR 100807133 B1 KR100807133 B1 KR 100807133B1 KR 1020037001970 A KR1020037001970 A KR 1020037001970A KR 20037001970 A KR20037001970 A KR 20037001970A KR 100807133 B1 KR100807133 B1 KR 100807133B1
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confinement ring
confinement
ring
vacuum chamber
vertically adjustable
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KR1020037001970A
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팡글리 하오
에릭 렌즈
브루노 모렐
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

개선된 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공하는 플라즈마 공정 챔버가 제공된다. 이 플라즈마 공정 챔버는 플라즈마 발생 및 유지를 위해 연결된 장치를 구비한 진공 챔버이다. 이 장치의 일부는 에칭 가스 소스와 배기 포트이다. 한정링은 웨이퍼 위의 한 면적을 규정한다. 상기 웨이퍼 면적 압력은 한정링 간 압력 강하에 따라 좌우된다. 한정링은 40%보다 큰 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공하는 한정 장치의 일부이다. 이러한 한정 장치는 한정링에 추가하여 고정된 수직 제한링일 수 있으며, 이때 한정링은 조정가능하다. 대안으로, 세 개의 조정가능한 한정링이 사용되어 원하는 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공할 수 있다.

Description

웨이퍼 면적 압력 제어{WAFER AREA PRESSURE CONTROL}
본 발명은 반도체에 기반한 장치의 제작에 관한 것이다. 특히 본 발명은 플라즈마 공정 챔버의 압력을 제어하기 위한 개선된 기술에 관한 것이다.
반도체에 기반한 장치(가령, 집적 회로, 플랫 패널 디스플레이)의 제작에서, 물질층들이 교대로 기판 표면에 증착될 수 있고 기판 표면으로부터 에칭될 수 있다. 당 분야에 잘 알려진 바와 같이, 증착된 층의 에칭은 플라즈마 강화 에칭을 포함한 다양한 기술에 의해 달성될 수 있다. 플라즈마 강화 에칭에서는 기판의 실제 에칭이 플라즈마 공정 챔버 내에서 이루어진다. 에칭 중, 적절한 에칭 소스 가스로부터 플라즈마가 형성되어 마스크로 덮히지 않은 기판 면적들을 에칭하며, 원하는 패턴을 남기게 된다.
여러 다른 종류의 플라즈마 에칭 시스템 사이에서, 한정링(confinement ring)을 이용하는 시스템들이 효율적 제작 및 기판 위 축소 형태 형성에 매우 적절하다는 것이 증명되었다. 이러한 시스템의 예는 미국특허 5,534,751 호에서 발견될 수 있다. 한정링을 이용함으로서 플라즈마 처리 시스템의 성능이 크게 개선될 수 있으나, 현 구현들이 개선될 수 있다. 특히, 플라즈마 처리 시스템에서 압력이 제어되는 방식으로 개선이 이루어질 수 있다는 것이 실현된다.
설명을 돕기 위해, 도 1은 한정링(102)을 포함한 플라즈마 공정 챔버(100)를 도시한다. 플라즈마 공정 챔버(100) 내에는 에칭 중에 기판(106)을 지지하는 소재 홀더를 나타내는 척(104)이 도시된다. 척(104)은 정전력식, 기계적 조임식, 진공식 등과 같은 적절한 척고정 기술에 의해 구현될 수 있다. 에칭중, RF 전력공급 장치(110)는 약 2~27MHz의 주파수를 가지는 RF 전력을 척(104)에 공급할 수 있다. 기판(106) 위에는 반응기 상부(reactor top ; 112)가 배치되며, 반응기 상부(112)는 RF 전력공급 장치(126)를 가진 상부 전극(124)을 지지한다. 에칭 가스 소스(120)는 한정링(102) 내의 영역에 가스를 공급한다. 상부 전극(124)은 에칭 가스를 플라즈마로 여기시키고 플라즈마를 유지하는 데 사용된다. 가스 및 플라즈마는 한정링(102) 외부의 영역으로 배기 포트(122)를 통해 배출된다.
2000년 2월 1일자 미국특허 6,019,060 호,"Cam-Based Arrangement For Positioning Confinement Rings In a Plasma Processing Chamber"(Eric H. Lenz)는 한정링 사이의 압력 강하가 1/(x2+y2+z2)에 대략 비례한다는 것을 가르쳐준다. 이때 x, y, z는 한정링 간 거리이며(도 1), 여기서, Lenz는 이동가능한 한정링과 고정된 한정링을 제공하였다. 이동가능한 한정링을 움직임으로서 한정링(102)간 거리를 조정함으로서, 17~30%의 압력 조정 범위를 얻을 수 있다. 링 사이의 큰 간격 때문에 30% 이상의 압력 제어로는 플라즈마를 한정할 수 없다. 한정링간 압력 강하를 제어함으로서 한정링, 웨이퍼 면적 내 압력이 제어될 수 있다.
한정링간 압력 제어를 증가시키는 것이 바람직하다.
상술한 목적 및 다른 목적들을 달성하기 위해서, 및 본 발명의 목적에 따라서, 플라즈마 공정 장치가 제공된다. 진공 챔버와 유체로 연결된 배기 포트 및 진공 챔버와 유체로 연결된 가스 소스를 갖는 진공 챔버가 제공된다. 진공 챔버 내에는 40%보다 큰 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공하는 한정 장치가 위치한다.
본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징들을 하기 도면과 함께 본 발명의 상세한 설명에서 더 상세하게 설명한다.
본 발명은 첨부한 도면에서 예로서 설명하는 것이며, 이에 한정되지 않으며, 동일한 참조 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 종래 플라즈마 공정 챔버의 개략도.
도 2는 발명의 한 실시예에 따르는 플라즈마 공정 챔버의 개략도.
도 3은 도 2의 한정링과 수직 제한링의 단면 확대도.
도 4는 조정가능한 한정링이 최저 위치로 낮추어질 때 조정가능한 한정링과 수직 제한링의 단면 확대도.
도 5는 발명의 제 2 실시예에 따르는 플라즈마 공정 챔버의 개략도.
도 6은 도 5의 한정링과 외부 수직 제한 링의 단면 확대도.
도 7은 조정가능한 한정링이 그 최저 위치로 낮추어질 때 조정가능한 한정링과 외부 수직 제한링의 단면 확대도.
도 8은 발명의 제 3 실시예에 따르는 플라즈마 공정 챔버의 개략도.
도 9는 도 8의 한정링의 단면 확대도.
도 10은 거리가 최대화되는 한정링 배열의 예를 도시한 도면.
본 발명은 첨부한 도면에 예시한 몇몇 바람직한 실시형태를 상세하게 설명한다. 하기 상세한 설명에서, 많은 구체적인 상세사항들은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나 당업자는 본 발명이 이들 구체적인 상세사항의 일부 또는 전부 없이 수행될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 다른 예에서, 널리 공지된 공정 단계 및/또는 구조들은 불필요하게 본 발명을 불명료하게 하지 않도록 상세하게 설명하지 않았다.
설명을 돕기 위해, 도 2는 발명의 한 실시예에 따르는, 조정가능한 한정링(202)과, 고정된 내부 수직 제한링(203)을 포함하는 플라즈마 공정 챔버(200)의 개략도이다. 내부 수직 제한링은 플라즈마 공정 챔버의 상부(212)에 연결된 고정 말단부와, 한정링(202)에 인접한 자유 말단부를 가진다. 본 명세서 및 청구범위에서, 조정가능한 한정링은 웨이퍼 면적 압력을 조정가능하게 제어할 수 있도록 플라즈마 공정 처리 중 축방향으로(위아래로) 이동하거나 조정될 수 있는 한정링으로 규정된다. 한정링(202)에 연결된 콘트롤러(252)는 플라즈마 공정 처리 중 한정링(202) 조정을 가능하게 한다. 플라즈마 공정 챔버(200) 내에는 척(204)이 존재하며, 척(204)은 에칭 중 기판(206)을 지지하는 소재 홀더를 나타낸다. 척(204)은 정전적 힘, 기계적 조임, 또는 진공식 등의 적절한 척고정 기술에 의해 구현될 수 있다. 에칭 가스 소스(220)와 배기 포트(222)가 공정 챔버(200)에 연결된다. 도 1에 예시되고 상술한 바와 같이, 다른 플라즈마 발생 장치가 플라즈마 공정 챔버에 제공되지만, 명확성을 위해 도시하지 않았다. 그러한 플라즈마 발생 장치는 도 1 에 도시한 것과 같은 용량형 또는 유도형일 수도 있으며, 또는 다른 타입의 플라즈마 발생 장치일 수도 있다.
에칭 동안, 에칭 가스 소스 (220) 는 가스를 한정링 (202) 내부의 영역에 공급한다. 가스는 한정링 (202) 의 외부 영역에서 배기 포트 (222) 로 배출된다. 기판(206) 위 면적의 압력은 에칭 가스 소스(220)로부터 에칭 가스를 한정링(202) 내 기판(206) 위의 면적에 불어넣는 속도에 의해, 가스가 한정링(202) 바깥의 배기 포트(222)를 통해 흐르는 속도에 의해, 그리고 한정링(202) 사이의 압력 강하에 의해 결정된다. 한정링(202)간 압력 강하는 한정링(202)을 지나는 유량에 따라 좌우된다.
도 3은 도 2의 한정링(202)과 수직 제한링(203)의 단면 확대도이다. 한정링(202)을 지나는 유량은 공정 챔버의 하부(228)와 한정링(202) 간을 흐르는 제 1 성분(302)과, 한정링(202)과 수직 제한링(203) 사이에 흐르는 제 2 성분을 포함한다. 한정링(202)과 공정 챔버 하부(228)간 거리는 x로 표시된다. 한정링(202)과 수직제한링(203)간 거리는 y로 표시되며, 본 실시예에서 y는 일정하다. 한정링 사이의 압력 강하는 대략 1/(x2+y2)에 비례한다. 조정가능한 한정링(202)이 최고 위치에 있을 때, 한정링(202)과 하부(228)간 거리 x는 최대이고, 따라서 1/(x2+y2)이 최소이다. 따라서, 한정링간 압력 강하가 최소이다. 이러한 설정에서, 제 1 성분(302)은 가스 흐름의 95%이고, 제 2 성분(304)은 가스 흐름의 5%일 수 있다.
도 4는 조정가능한 한정링(202)이 최저 위치로 낮추어질 때 조정가능한 한정링(202)과 수직 제한링(203)의 단면 확대도이다. 또한, 한정링 사이의 압력 강하는 1/(x2+y2)에 비례한다. 조정가능한 한정링(202)이 최저 위치에 있을 때, 한정링(202)과 하부(228)간 거리 x는 최소이고, 따라서 1/(x2+y2)는 최대이므로, 한정링간 압력 강하가 최대에 이른다. 이러한 설정에서, 제 1 성분(302)은 가스 흐름의 90%, 제 2 성분(304)은 가스 흐름의 10%일 수 있다. 조정가능한 한정링(202)이 도 2와 도 3의 최고 위치로부터 도 4의 최저 위치로 이동함에 따라 한정링간 압력 변화는 약 90%이며, 따라서 90%의 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공한다.
도 5는 발명의 제 2 실시예에 따르는, 조정가능한 한정링(502)과 고정된 외부 수직 제한링(503)을 포함한 플라즈마 공정 챔버(500)의 개략도이다. 고정된 외부 수직 제한링(503)은 플라즈마 공정 챔버(500) 상부(512)에 연결된 고정 말단부와, 한정링(502)에 인접한 자유 말단부를 가진다. 콘트롤러(552)가 한정링(502)에 연결되어, 플라즈마 공정 작업 중 한정링(502)을 조정할 수 있게 한다. 플라즈마 공정 챔버(500) 내에는 척(504)이 존재하며, 이 척(504)은 에칭 중 기판(506)을 지지하는 소재 홀더를 나타낸다. 척(504)은 정전력식, 기계적 조임식, 진공식 등 적절한 척고정 기술에 의해 구현될 수 있다. 에칭 가스 소스(520)와 배기 포트(522)가 공정 챔버(500)에 연결된다. 다른 플라즈마 발생 장비가 또한 플라즈마 공정 챔버에 제공되지만 도시되지는 않는다. 이러한 플라즈마 발생 장비는 도 1에서처럼 축전식일 수도 있고, 아니면 유도식일 수도 있으며, 또는 다른 종류의 플라즈마 발생 장치일 수도 있다.
에칭 중, 에칭 가스 소스(520)는 한정링(502) 내 영역에 가스를 공급한다. 가스는 배기 포트(522)를 통해 한정링(502) 외부의 영역으로 배출된다. 기판(506) 위 면적의 압력은 에칭 가스 소스(520)로부터 한정링(502) 내 기판(506) 위 면적으로 에칭 가스를 불어놓는 속도에 의해, 한정링(502) 외부의 배기 포트(522)를 통과하는 가스 흐름의 속도에 의해, 그리고 한정링(502) 사이 압력 강하에 의해 결정된다. 한정링(502) 사이의 압력 강하는 한정링(502)을 지나는 가스 흐름(유량)에 따라 좌우된다.
도 6은 도 5의 외부 수직 제한링(503)과 한정링(502)의 단면 확대도이다. 한정링(502)을 지나는 가스 흐름은 한정링(502)과 공정 챔버 하부(528) 사이에 흐르는 제 1 성분(602)과, 한정링(502)과 외부 수직제한링(503) 사이에 흐르는 제 2 성분(604)을 포함한다. 한정링(502)과 공정챔버 하부(528)간 거리는 x로 표시된다. 한정링(502)과 외부 수직 제한링(503)간 거리는 y로 표시되며, 이 값은 본 실시예에서 일정한다. 한정링간 압력 강하는 수식 1/(x2+y2)에 비례한다. 조정가능한 한정링(502)이 최고 위치에 있을 때, 한정링(502)과 하부(528)간 거리 x는 최대이고 따라서 1/(x2+y2)는 최소에 있게 되며, 따라서 한정링간 압력 강하가 최소에 놓인다. 이러한 설정에서, 제 1 성분(602)은 가스 흐름의 95%일 수 있고, 제 2 성분(604)은 가스 흐름의 5%일 수 있다.
도 7은 조정가능한 한정링(502)이 최저 위치로 낮춰질 때 조정가능한 한정링(502)과 외부의 수직 제한링(503)의 단면 확대도이다. 또한, 한정링(502)간 압력 강하는 수식 1/(x2+y2)에 대략 비례한다. 조정가능한 한정링(502)이 최저 위치에 있을 때, 한정링(502)과 하부(528)간 거래 x는 최소이고 따라서 1/(x2+y2)이 최대이며, 따라서 한정링간 압력 강하가 최대에 이른다. 이러한 설정에서, 제 1 성분(602)이 가스 흐름의 90%, 제 2 성분(604)이 가스 흐름의 10%일 수 있다. 조정가능한 한정링(502)이 도 5와 6의 최고 위치에서 도 7의 최저 위치로 이동함에 따라 한정링간 압력 변화는 약 100%이며, 따라서 100%의 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공한다.
본 실시예에서, 한정링(502)은 한정링(502)의 외부 표면 주변으로 뻗어가는 립(lip)(704)에 리딩 변부(702)를 가진다. 마찬가지로, 외부 수직 제한링(503)은 외부 수직 제한링(503)의 내면 주변으로 뻗어가는 립(708) 상의 리딩 변부(706)를 가진다. 리딩 변부(702, 706)간 거리는 한정링(502)과 수직 제한링(503)간 거리 y를 결정한다. 이러한 리딩 변부(702, 706)는 한정링(502)과 수직 제한링(503)간에 보다 균일하고 정확한 거리를 제공하는 데 사용될 수 있다. 이러한 립과 리딩 변부 들은 이전의 실시예에서도 사용될 수 있다.
도 8은 발명의 제 3 실시예에 따르는, 세 개의 조정가능한 한정링(802)을 포함하는 플라즈마 공정 챔버(800)의 개략도이다. 콘트롤러(852)가 세 개의 조정가능한 한정링(802) 각각에 연결되어, 플라즈마 공정 과정 중 세 개의 조정가능한 한정링(802)을 조정할 수 있다. 콘트롤러(852)는 각각의 소형 콘트롤러가 단일 한정링을 제어하는 세 개의 소형 콘트롤러를 포함할 수도 있고, 또는 모두 3개의 한정링을 제어하는 단일 대형 콘트롤러를 포함할 수도 있다. 플라즈마 공정 챔버(800) 내에는 척(804)이 도시되며, 척(804)은 에칭 중 기판(806)을 지지하는 소재 홀더를 나타낸다. 척(804)은 정전력, 기계적 조임식, 진공식 등 여러 적절한 척고정 기술에 의해 구현될 수 있다. 이 공정 챔버(800)에 에칭 가스 소스(820)와 배기 포트(822)가 연결된다. 다른 플라즈마 발생 장비가 플라즈마 공정 챔버에 또한 제공되지만 더 이상 나타내지 않는다. 이러한 플라즈마 발생 장비는 도 1에서처럼 축전식일 수도 있고, 아니면 유도식일 수도 있으며, 또다른 종류의 플라즈마 발생 장치일 수도 있다.
에칭 중, 에칭 가스 소스(820)는 공정 챔버(800)의 상부(812) 근처 한정링(802) 내 영역에 가스를 공급한다. 이 가스는 한정링(802) 외부의 영역에 배기 포트(822)를 통해 도달한다. 기판(806) 위 면적의 압력은 에칭 가스 소스(820)로부터 에칭 가스를 한정링(802) 내 기판(806) 위 면적으로 불어넣는 속도에 의해, 한정링(802) 외부의 배기 포트(822)를 통과하는 가스 흐름의 속도에 의해, 그리고 한정링(802)간 압력 강하에 의해 결정된다. 한정링(802)간 압력 강하는 한정링(802)을 지나는 가스 흐름에 좌우된다.
도 9는 도 8의 한정링(802)의 단면 확대도이다. 한정링간 압력강하는 수식 1/(w2+x2+y2+z2)에 대략 비례하며, 이때 w, x, y, z는 도 9에 도시되는 한정링간 거리들이다. 본 예에서,
Figure 112006052669110-pct00001
이다. 이는 1/(w2+x2+y2+z2)를 최대값이 되도록 하며, 이로인해 압력 강하가 최대가 된다. 모든 세 한정링(802)이 독립적으로 조정가능하기 때문에, 한정링(802)은 거리 x, y, z, w 중 하나가 나머지 최소화된 거리들로 최대화될 수 있도록 이동한다. 도 10은 거리 z가 최대화되고 y가 최소화된 한정링 배열의 한 예를 보여준다. 그 결과, 한정링(802)간 압력강하는 1/(w2+x2+y2+z2)에 비례하여 최소화된다. 이 두 극값들 간의 압력 강하 차이는 40% 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공한다고 계산되었다.
여러개의 한정링을 가지는 다른 실시예에서는 한정링이 더 많이 사용될 수 있고, 이때 그 중 두개 이상의 한정링이 조정가능하다. 한정링중 세 개 이상이 조정가능한 것이 선호된다. 내부 또는 외부 수직 제한링을 가지는 다른 실시예에서는 더 많은 한정링이 사용될 수 있고, 한정링 중 한개 이상이 조정가능하다.
모든 실시예들은 공지 기술에서보다 높은 웨이퍼 면적 압력 제어에서 한정을 제공할 수 있다.
내부 수직 제한링을 가진 실시예의 장점은 플라즈마가 더 작은 면적에 국한될 수 있고, 더 작은 표면적에 접촉할 수 있다는 점이다. 접촉 표면적이 작을수록 세척할 표면적이 줄어든다는 것을 의미한다. 내부 수직 제한링의 단점은 내부 수직 제한링의 증착물이 오염을 유발할 수 있다는 것이며, 그 이유는 내부 수직 제한링이 웨이퍼 공정 면적에 가깝기 때문이다. 본 실시예는 개선된 WAP 제어를 제공한다.
외부 수직 제한링을 가지는 실시예의 장점은 최적의 WAP 제어를 제공할 수 있다는 점이다. 게다가, 수직 제한링이 웨이퍼 면적에서 멀기 때문에, 수직 제한링은 더적은 오염을 제공하게 된다. 그러나 본 실시예는 플라즈마에 더 넓은 표면적을 노출시켜서, 세척해야할 필요가 있는 표면을 증가시킨다. 개선된 WAP 제어를 제공함에 부가하여 수직 제한링을 이용한 두 실시예 모두 보다 간단한 제어를 제공한다.
세 개의 조정가능한 한정링을 제공할 때의 장점은 한정 윈도가 확장된다는 점이다. 이러한 실시예는 제어 특성에 큰 변화가 있기 이전에 더 큰 정도의 부분적 마모에 견딜 수 있다.
본 발명을 몇몇 바람직한 실시형태로 설명하였지만, 다른 본 발명의 범위 내에서 균등한 개조, 교환 및 치환이 가능하다. 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 다른 방법이 있다. 따라서, 하기 첨부한 청구의 범위는 모든 그러한 본 발명의 범위 및 참 정신과 균등한 개조, 교환 및 치환을 포함하는 것으로 이해해야 한다.

Claims (28)

  1. 플라즈마 공정 장치로서,
    진공 챔버,
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 배기 포트,
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 가스 소스, 및
    40%보다 큰 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공하는 한정 장치를 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 장치는,
    상기 진공 챔버 내의 수직 제한링, 및
    상기 진공 챔버 내의 수직으로 조정가능한 한정링을 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 수직 제한링은 플라즈마 공정 장치에 연결된 제 1 말단부, 및 상기 수직으로 조정가능한 한정링에 인접하며, 자유 말단부인 제 2 말단부를 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  4. 제 2 항 또는 3 항에 있어서,
    플라즈마 공정 챔버의 플라즈마 처리 중 상기 한정링을 수직으로 조정하기 위해 상기 수직으로 조정가능한 한정링에 연결되는 콘트롤러를 더 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 수직 제한링이 상기 한정링 외부에 놓이는, 플라즈마 공정 장치.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 수직 제한링의 자유 말단부가 립(lip)을 가지는, 플라즈마 공정 장치.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 한정링이 립을 가지는, 플라즈마 공정 장치.
  8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 수직 제한링이 상기 한정링의 내부에 있는, 플라즈마 공정 장치.
  9. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 내에 기판을 유지하기 위해 상기 진공 챔버 내에 척을 더 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 한정 장치는,
    상기 진공 챔버 내의 제 1 수직으로 조정가능한 한정링, 및
    상기 진공 챔버 내의 제 2 수직으로 조정가능한 한정링을 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 수직으로 조정가능한 한정링과 상기 제 2 수직으로 조정가능한 한정링에 연결된 콘트롤러를 더 포함하며,
    상기 콘트롤러는 플라즈마 공정 장치의 플라즈마 공정 중 상기 제 1 수직으로 조정가능한 한정링과 상기 제 2 수직으로 조정가능한 한정링을 조정할 수 있는, 플라즈마 공정 장치.
  12. 제 10 항 또는 11 항에 있어서,
    제 3 한정링을 더 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 3 한정링은 수직으로 조정가능한, 플라즈마 공정 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 콘트롤러는 상기 제 3 한정링에 연결되는, 플라즈마 공정 장치.
  15. 플라즈마 공정 장치에서 웨이퍼 면적 압력을 제어하는 방법으로서,
    웨이퍼 면적 영역에 에칭 가스 소스를 제공하는 단계;
    상기 웨이퍼 면적 영역 내 에칭 가스 소스로부터 플라즈마를 발생시키는 단계;
    수직 제한링 내에 플라즈마를 한정시키는 단계; 및
    상기 수직 제한링의 자유 말단부에 인접한 한정링을 수직으로 조정하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 면적 압력의 제어 방법.
  16. 플라즈마 공정 장치에서 웨이퍼 면적 압력을 제어하는 방법으로서,
    웨이퍼 면적 영역에 에칭 가스 소스를 제공하는 단계;
    상기 웨이퍼 면적 영역에서 에칭 가스 소스로부터 플라즈마를 발생시키는 단계;
    2개 이상의 한정링 내에 플라즈마를 한정시키는 단계; 및
    상기 플라즈마 공정 동안 2개 이상의 한정링 중 2개 이상을 수직으로 조정하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 면적 압력의 제어 방법.
  17. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 배기 포트;
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 가스 소스; 및
    한정 장치를 포함하고,
    상기 한정 장치는,
    상기 진공 챔버 내의 수직 제한링; 및
    상기 진공 챔버 내에 수직으로 조정가능한 한정링을 구비하는, 플라즈마 공정 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 수직 제한링은 플라즈마 공정 장치에 연결된 제 1 말단부, 및 상기 수직으로 조정가능한 상기 한정링에 인접하고, 자유 말단부인 제 2 말단부를 갖는, 플라즈마 공정 장치.
  19. 제 17 항 또는 18 항에 있어서,
    플라즈마 공정 챔버의 플라즈마 공정 동안 상기 한정링을 수직으로 조정하기 위해 상기 수직으로 조정가능한 한정링에 연결되는 콘트롤러를 더 구비하는, 플라즈마 공정 장치.
  20. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 수직 제한링은 상기 한정링 외부에 위치하는, 플라즈마 공정 장치.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 수직 제한링의 자유 말단부는 립을 갖는, 플라즈마 공정 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 한정링은 립을 갖는, 플라즈마 공정 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 수직 제한링이 상기 한정링 내부에 위치하는, 플라즈마 공정 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 내에 기판을 유지하기 위해 상기 진공 챔버 내에 척을 더 구비하는, 플라즈마 공정 장치.
  25. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 배기 포트;
    상기 진공 챔버와 유체로 연결되는 가스 소스; 및
    상기 진공 챔버 내의 제 1 수직으로 조정가능한 한정링 및 상기 진공 챔버 내의 제 2 수직으로 조정가능한 한정링을 구비하는, 웨이퍼 면적 압력 제어를 제공하는 한정 장치를 포함하는, 플라즈마 공정 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 1 수직으로 조정가능한 한정링과 상기 제 2 수직으로 조정가능한 한정링에 연결되는 콘트롤러를 더 구비하고,
    상기 콘트롤러는 플라즈마 공정 장치에서의 플라즈마 공정 동안 상기 제 1 수직으로 조정가능한 한정링과 상기 제 2 수직으로 조정가능한 한정링을 조정할 수 있는, 플라즈마 공정 장치.
  27. 제 25 항 또는 26 항에 있어서,
    제 3 한정링을 더 구비하는, 플라즈마 공정 장치.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 제 3 한정링은 수직으로 조정가능한, 플라즈마 공정 장치.
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