KR100798317B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판이 백라이트 어셈블리의 도광판으로 기능할 수 있도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공한다. 따라서, 본 발명은 백라이트 어셈블리의 도광판을 별도로 제작하기 위한 재료비를 절감할 수 있는 효과가 있다. 그리고, 백라이트 어셈블리의 도광판에 의한 무게 및 두께 증가 요인을 없앨 수 있음에 따라 액정표시장치의 경량화 및 슬림화에 유리한 효과가 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 일반적인 액정표시장치의 단위 화소에 대한 평면도.

도2는 도1의 I-I'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면을 보인 예시도.

도3은 종래의 백라이트 어셈블리를 보인 예시도.

도4a는 일반적인 TN 액정의 노멀리 화이트 모드에서 액정에 전계가 인가되지 않은 상태를 보인 예시도.

도4b는 일반적인 TN 액정의 노멀리 화이트 모드에서 액정에 전계가 인가된 상태를 보인 예시도.

도5는 본 발명에 의한 액정 표시장치의 단면 구성을 보인 예시도.

도6a 내지 도6h는 도5에 있어서, 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정을 순차적인 단면으로 보인 예시도.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

200: 박막 트랜지스터 어레이 기판 201: 램프

202: 램프 하우징 203: 산란 패턴
204: 반사판 210: 편광 절연막

삭제

228: 드레인 콘택홀 229: 화소전극

TFT: 박막 트랜지스터 300: 컬러필터 기판

301: 편광판 400: 스페이서

500: 액정층

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 액정표시장치의 박막 트랜지스터(thin film transistor : TFT)가 형성되는 박막 트랜지스터 어레이 기판이 백라이트 어셈블리(back light assembly)에 구비되는 도광판(light guide panel : LGP)의 기능을 수행할 수 있도록 한 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 액정표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 액정 셀들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여, 그 액정 셀들의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다.

따라서, 액정표시장치는 화소 단위를 이루는 액정 셀들이 액티브(active) 매트릭스 형태로 배열되는 액정 패널과; 상기 액정 셀들을 구동하기 위한 드라이브 집적회로(integrated circuit: IC)가 구비된다.

이때, 상기 액정 패널은 서로 대향하는 컬러필터(color filter) 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판과, 그 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 이격 간격에 충진된 액정층으로 구성된다.

그리고, 상기 액정 패널의 박막 트랜지스터 어레이 기판상에는 데이터 드라이브 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 액정 셀들에 전송하기 위한 다수의 데이터 배선들과, 게이트 드라이브 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 액정 셀들에 전송하기 위한 다수의 게이트 배선들이 서로 직교하며, 이들 데이터 배선들과 게이트 배선들의 교차부마다 액정 셀들이 정의된다.

이때, 상기 게이트 드라이브 집적회로는 다수의 게이트 배선에 순차적으로 주사신호를 공급함으로써, 매트릭스 형태로 배열된 액정 셀들이 1개 배선씩 순차적으로 선택되도록 하고, 그 선택된 1개 배선의 액정 셀들에는 데이터 드라이브 집적회로로부터 데이터 신호가 공급된다.

한편, 상기 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 대향하는 내측 면에는 각각 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 전계를 인가한다. 이때, 화소전극은 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 액정 셀 별로 형성되는 반면에 공통전극은 컬러필터 기판의 전면에 일체화되어 형성된다. 따라서, 공통전극에 전압을 인가한 상태에서 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 액정 셀들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다.

이와같이 화소전극에 인가되는 전압을 액정 셀 별로 제어하기 위하여 각각의 액정 셀에는 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터가 형성된다.

상기한 바와 같은 액정표시장치의 구성요소들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도1은 일반적인 액정표시장치의 단위 화소에 대한 평면도이다.

도1을 참조하면, 게이트 배선(4)이 기판상에 일정하게 이격되어 행으로 배열되고, 데이터 배선(2)이 일정하게 이격되어 열로 배열된다. 따라서, 게이트 배선(4)과 데이터 배선(2)은 매트릭스 형태로 배열된다. 이때, 단위 액정 셀은 데이터 배선(2)과 게이트 배선(4)의 교차부마다 정의되며, 박막 트랜지스터(TFT)와 화소전극(14)을 구비한다.

상기 게이트 배선(4)의 소정의 위치에서 연장되어 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(10)이 형성되고, 상기 데이터 배선(2)으로부터 소스 전극(8)이 연장되어, 상기 게이트 전극(10)과 소정의 영역이 오버-랩(overlap)되어 있다.

그리고, 상기 게이트 전극(10)을 기준으로 소스 전극(8)과 대응하는 위치에 드레인 전극(12)이 형성되고, 그 드레인 전극(12)상에 형성된 드레인 콘택홀(16)을 통해 화소전극(14)이 드레인 전극(12)과 전기적으로 접촉된다.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 배선(4)을 통해 게이트 전극(10)에 공급되는 주사신호에 의해 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 도전 채널을 형성하기 위한 반도체층(도면상에 도시되지 않음)을 구비한다.

이와같이 박막 트랜지스터(TFT)가 게이트 배선(4)으로부터 공급되는 주사 신호에 응답하여 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 도전 채널을 형성함에 따라 데이터 배선(2)을 통해 소스 전극(8)으로 공급된 데이터 신호가 드레인 전극(12)에 전송되도록 한다.

한편, 드레인 콘택홀(16)을 통해 드레인 전극(12)에 접속된 화소전극(14)은 광투과율이 높은 투명 ITO(indium tin oxide) 물질로 형성된다. 이때, 상기 화소전극(14)은 드레인 전극(12)으로부터 공급되는 데이터 신호에 의해 컬러필터 기판에 형성되는 공통 투명전극(도면상에 도시되지 않음)과 함께 액정층에 전계를 발생시킨다.

이와같이 액정층에 전계가 인가되면, 액정은 유전 이방성에 의해 회전하여 백라이트로부터 발광되는 빛을 화소전극(14)을 통해 컬러필터 기판 쪽으로 투과시키며, 그 투과되는 빛의 양은 데이터 신호의 전압값에 의해 조절된다.

그리고, 스토리지 콘택홀(22)을 통해 화소전극(14)에 접속된 스토리지 전극(20)은 게이트 배선(4)상에 증착되어 스토리지 커패시터(18)를 형성하며, 스토리지 전극(20)과 게이트 배선(4) 사이에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 형성과정에서 증착되는 게이트 절연막(도면상에 도시되지 않음)이 삽입된다.

상기한 바와 같은 스토리지 커패시터(18)는 게이트 배선(4)에 주사신호가 인가되는 박막 트랜지스터의 턴-온(turn-on) 기간 동안 주사신호의 전압값이 충전된 후, 박막 트랜지스터의 턴-오프(turn-off) 기간 동안 그 충전된 전압을 상기 화소전극(14)에 공급함으로써, 액정의 구동이 유지되도록 한다.

도2는 도1의 I-I'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면을 보인 예시도로서, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 대향하여 합착되는 컬러필터 기판(60)과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 및 컬러필터 기판(60)을 일정하게 이격시키는 스페이서(70)와; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60) 사이의 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(80)으로 구성된다.

상기 도2의 예시도를 도1과 함께 참조하여 박막 트랜지스터(TFT)의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)상에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 크롬(Cr)과 같은 금속물질을 스퍼터링 방법으로 증착한 다음 제1마스크를 통해 패터닝하여 게이트 전 극(10)을 형성한다.

그리고, 상기 게이트 전극(10)이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)상에는 질화실리콘(SiNx) 등의 절연물질을 전면 증착하여 게이트 절연막(30)을 형성한다.

그리고, 상기 게이트 절연막(30)상에는 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 이루어진 반도체층(32)과, 인(P)이 고농도로 도핑된 n+ 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹접촉층(Ohmic contact layer, 34)을 연속 증착한 다음 제2마스크를 통해 패터닝하여 박막 트랜지스터(TFT)의 액티브층(36)을 형성한다.

그리고, 상기 게이트 절연막(30)과 오믹접촉층(34) 상에 금속물질을 증착한 다음 제3마스크를 통해 패터닝하여 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8) 및 드레인 전극(12)을 형성한다. 이때, 소스 전극(8) 및 드레인 전극(12)은 액티브층(36)의 상부에서 서로 이격되어 대향하도록 패터닝된다.

따라서, 상기 액티브층(36) 상부의 오믹접촉층(34)이 노출되는데, 이 노출된 오믹접촉층(34)이 제거되어, 그 하부의 반도체층(32)이 노출될 수 있도록 상기 소스 전극(8) 및 드레인 전극(12)의 패터닝을 수행하며, 이때 노출된 반도체층(32)은 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역으로 정의된다.

그리고, 상기 노출된 반도체층(32)을 포함하여 소스 전극(8) 및 드레인 전극(12) 등이 형성된 게이트 절연막(30) 상에 화학 기상 증착(chemical vapor deposition : CVD) 방식을 통해 SiNx 재질의 보호막(passivation film, 38)을 전면 증착한다. 이때, 보호막(38)의 재료로는 주로 SiNx 등의 무기물질이 적용되었으며, 최근 들어 액정 셀의 개구율을 향상시키기 위하여 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene: BCB), SOG(spin on glass) 또는 아크릴(Acryl) 등의 유전율이 낮은 유기물질이 사용되고 있다.

그리고, 상기 드레인 전극(12) 상의 보호막(38) 일부를 제4마스크를 통해 선택적으로 식각하여 드레인 전극(12)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(16)을 형성한다.

그리고, 상기 보호막(38) 상에 투명 전극물질을 스퍼터링 증착한 다음 제5마스크를 통해 패터닝하여 화소전극(14)을 형성하되, 그 화소전극(14)이 상기 드레인 콘택홀(16)을 통해 드레인 전극(12)에 접속되도록 패터닝한다.

최종적으로, 상기한 바와같이 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 결과물의 전면에 배향막(51)을 형성한 다음 러빙(rubbing)을 실시하고, 그 배향막(51)과 대응하는 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)의 반대면에 제1편광판(52)을 형성함으로써, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)의 제작을 완료한다. 이때, 러빙은 천을 균일한 압력과 속도로 배향막(51) 표면과 마찰시킴으로써, 배향막(51) 표면의 고분자 사슬이 일정한 방향으로 정렬되도록 하여 액정의 초기 배향방향을 결정하는 공정을 말한다.

한편, 상기 도2의 예시도를 도1과 함께 참조하여 스토리지 커패시터 영역의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)상에 게이트 배선(4)을 패터닝하고, 그 상부에 게이트 절연막(30)을 형성한다. 이때, 게이트 배선(4)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(10)이 형성될 때, 패터닝된다.

그리고, 상기 게이트 절연막(30)의 상부에 스토리지 전극(20)을 패터닝한다. 이때, 스토리지 전극(20)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 및 드레인 전극(8,12)이 형성될 때, 패터닝된다.

상기 스토리지 전극(20)은 게이트 절연막(30)을 사이에 두고 게이트 배선(4)의 일부 영역과 오버-랩(overlap)되어 스토리지 커패시터(18)로 기능한다.

그리고, 상기 스토리지 전극(20)이 형성된 게이트 절연막(30) 상부에 보호막(38)을 형성한 다음 그 보호막(38)의 일부를 식각하여 스토리지 전극(20)의 일부를 노출시키는 스토리지 콘택홀(22)을 형성한다. 이때, 보호막(38)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 영역의 보호막(38)과 동시에 형성되고, 스토리지 콘택홀(22)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 콘택홀(16)을 형성할 때, 동시에 형성된다.

그리고, 상기 보호막(38)상에 화소전극(14)을 패터닝하며, 그 화소전극(14)이 상기 스토리지 콘택홀(22)을 통해 스토리지 전극(20)에 접속된다. 이때, 화소전극(14)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 영역에 형성되는 화소전극(14)을 패터닝할 때, 동시에 형성된다.

한편, 상기 도2의 예시도를 참조하여 컬러필터 기판(60)의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 컬러필터 기판(60) 상에 블랙 매트릭스(black matrix, 62)를 일정한 간격으로 이격 도포한다.

그리고, 상기 블랙 매트릭스(62)가 이격된 컬러필터기판(60)의 상부에 적(R), 녹(G), 청(B) 색상의 컬러필터(63)를 형성하되, 그 컬러필터(63)가 상기 블랙 매트릭스(62) 상부의 소정 영역까지 확장되도록 한다.

그리고, 상기 블랙 매트릭스(62)를 포함한 컬러필터(63)의 상부전면에 금속 물질을 형성한 다음 패터닝하여 공통전극(64)을 형성한다.

그리고, 상기 결과물의 상부전면에 배향막(65)을 형성한 다음 러빙을 실시하고, 그 배향막(65)과 대응하는 컬러필터 기판(60)의 반대면에 제2편광판(66)을 형성함으로써, 컬러필터 기판(60)의 제작을 완료한다.

상기한 바와 같이 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)의 제작이 완료되면, 그 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 실링재(도면상에 도시되지 않음)를 인쇄함과 아울러 상기 컬러필터 기판(60)상에는 스페이서(70)를 산포한다.

그리고, 상기 실링재 인쇄 및 스페이서(70) 산포가 완료되면, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)을 합착한다.

그리고, 상기 합착된 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)을 단위 액정 패널로 절단한다. 이때, 단위 액정 패널로 절단하는 공정은 대면적의 유리기판에 다수 개의 액정 패널을 동시에 형성하여 액정표시장치의 수율 향상을 도모하고 있기 때문에 요구된다.

그리고, 상기 절단된 단위 액정 패널에 액정을 주입하고, 그 주입구를 밀봉함으로써, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)의 배향막(51, 65)이 대향하여 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(80)을 형성한다. 이때, 초기 액정표시장치의 제조과정에서는 다수 개의 액정 패널에 액정을 주입한 다음 단위 액정 패널로 절단하였으나, 단위 액정 패널의 크기가 증가함에 따라 일률적인 액정 주입을 위한 공정 조절이 까다롭고, 액정 주입 불량으로 인한 제품의 생산성이 저하되어 단위 액정 패널로 절단한 다음 액정을 주입하는 방식이 사용되고 있다.

상기 단위 액정 패널은 수백 ㎠ 면적에 수 ㎛의 미세한 셀-갭(cell-gap)을 갖기 때문에 효과적으로 액정을 주입하기 위해서, 단위 액정 패널 내측과 외측의 압력차를 이용한 진공 주입법이 가장 일반적으로 사용된다.

상기한 바와 같은 과정을 통해 제작된 액정 패널의 광 투과과정을 도1 및 도2를 참조하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 컬러필터 기판(60)의 전면에 일체화되어 형성된 공통전극(64)에 공통전극전압이 공급된다.

그리고, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)에 형성된 게이트 드라이버 집적회로(도면상에 도시되지 않음)에서 주사신호가 순차적으로 게이트 배선(4)에 공급된다. 따라서, 매트릭스 형태로 배열된 액정 셀들이 게이트 배선(4) 단위로 순차적으로 선택된다.

상기 선택된 게이트 배선(4)의 액정 셀들에 공급된 주사신호는 액정 셀들에 각각 구비된 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(10)에 인가되어 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 도전채널을 형성한다.

한편, 상기 선택된 게이트 배선(4)의 액정 셀들에는 데이터 드라이브 집적회로(도면상에 도시되지 않음)에서 데이터 배선(2)을 통해 데이터신호가 공급되고, 그 데이터신호는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8)에 인가된다.

따라서, 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8)에 공급된 데이터신호는 주사신호가 인가되는 기간동안 도전채널을 통해 드레인 전극(12)에 공급되고, 그 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(12)에 공급된 데이터신호는 드레인 전극(12)과 접속된 화소전극(14)에 공급됨으로써, 상기 컬러필터 기판(60)의 공통전극(64)에 공급된 공통 전극전압과 함께 액정을 구동시킨다.

그리고, 상기 화소전극(14)은 스토리지 콘택홀(22)을 통해 스토리지 전극(20)에 접속되므로, 화소전극(14)에 공급된 데이터신호는 주사신호가 인가되는 기간 동안 스토리지 전극(20)에 공급되어 스토리지 커패시터(18)에 충전된다.

상기 스토리지 커패시터(18)에 충전된 전압은 주사신호가 인가되지 않는 박막 트랜지스터(TFT)의 턴-오프 기간 동안 화소전극(14)에 공급됨으로써, 액정의 구동이 유지되도록 한다.

상술한 바와 같이 컬러필터 기판(60)의 전면에 일체화되어 형성된 공통전극(64)에 공통전극전압이 인가되고, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)상에 게이트 배선(4) 단위로 선택된 액정 셀들의 화소전극(14)에 데이터신호의 전압이 인가되므로, 상기 공통전극(64)과 화소전극(14)의 사이에 형성된 액정층(80)에 전계가 인가된다.

상기 액정층(80)에 전계가 인가되면, 액정은 유전 이방성에 의해 회전되어 백라이트에서 발광되는 빛을 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)으로부터 화소전극(14), 액정층(80), 그리고 공통전극(64)을 통해 컬러필터 기판(60) 쪽으로 투과시킨다.

이때, 화소전극(14)에 인가되는 데이터신호의 전압 크기에 따라 전계의 강약이 조절되며, 액정층(80)의 광투과율이 그 전계의 강약에 의해 조절된다.

한편, 액정층(80)에 지속적으로 일정한 방향의 전계를 인가할 경우에는 액정이 열화되는 결과를 초래한다. 따라서, 액정의 열화를 방지하기 위해서 데이터신호 전압값을 공통전극(64)에 대해 양/음(positive/negative)이 반복되도록 인가하는데, 이와같은 구동방식을 반전 구동방식이라 한다.

상기한 바와 같이 액정표시장치는 자체적으로 발광하지 못하고, 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표시하는 특성을 갖기 때문에 액정 패널에 빛을 조사하기 위한 별도의 장치, 즉 백라이트 어셈블리가 요구된다.

상기 백라이트 어셈블리에 구비된 광원, 즉 램프는 액정 패널의 밑면에 배치되어 빛이 액정 패널의 상면으로 직접 투과되도록 하는 직하 방식과, 액정 패널의 측면에 배치되어, 빛이 도광판과 반사판에 의해 액정 패널의 상면으로 투과되도록 하는 에지(edge) 방식으로 나뉘어지며, 현재는 주로 에지 방식이 사용되고 있다.

상기한 바와 같은 종래의 백라이트 어셈블리를 첨부된 도3의 예시도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도3을 참조하면, 램프(101)로부터 발생된 빛을 안내하기 위한 도광판(102)과; 상기 램프(101)를 감싸는 형태로 도광판(102)의 측면에 설치되는 램프 하우징(103)을 구비한다. 여기서, 램프(101) 및 램프 하우징(103)은 액정표시장치의 휘도를 향상시키기 위하여 도광판(102)의 양측면 또는 도광판(102)의 둘레를 따라 모든 면에 형성될 수 있다.

상기 램프(101)에서 발생된 빛은 도광판(102)의 측면 쪽으로 입사되며, 상기 램프 하우징(103)의 내면 표면은 빛을 반사시킬 수 있도록 처리되어, 램프(101)로 부터 발생된 빛을 도광판(102)의 측면 쪽으로 반사시킴으로써, 빛의 이용률을 향상시키게 된다.

한편, 상기 도광판(102)은 경사진 하면과 수평한 상면(또는, 경사진 상면과 수평한 하면)의 패널 형태를 갖도록 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 플라스틱 계열의 투명한 물질로 형성된다.

그리고, 상기 도광판(102)의 하면에는 반사판(104)이 설치된다. 여기서, 반사판(104)은 도광판(102)으로부터 입사되는 빛을 반사시킴으로써, 빛의 손실을 줄이고, 도광판(102)의 상면으로 투과되는 빛의 균일도를 향상시키는데 기여한다.

따라서, 상기 도광판(102)은 반사판(104)과 함께 램프(101)로부터 발생된 빛을 상면으로 안내하게 된다.

그리고, 상기 도광판(102)의 상면에는 액정 패널(110)이 설치된다. 이때, 액정 패널(110)은 도2를 참조하여 이미 설명한 바와 같은 단면 구성을 갖지만, 설명의 편의를 위해 제1편광판(52)을 구비한 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과; 제2편광판(66)을 구비한 컬러필터 기판(60)과; 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 및 컬러필터 기판(60)의 사이에 액정이 충진된 액정층(80)만이 도시되어 있다.

한편, 액정표시장치의 휘도를 향상시키기 위하여 상기 도광판(102)과 액정 패널(110)의 사이에는 광학 시트들이 삽입될 수 있으며, 예를 들면 확산판과 프리즘 시트 등이 삽입된다.

상기 확산판은 도광판(102)으로부터 입사되는 빛을 분산시킴으로써, 빛의 부분적인 밀집으로 인한 얼룩이 발생되지 않도록 한다.

상기 프리즘 시트는 확산판을 통과하여 액정 패널(110)로 진행되는 빛이 수직하게 진행될 수 있도록 한다.

또한, 상기 광학 시트들과 액정 패널(110) 사이에는 보호 시트가 삽입될 수 있다. 이때, 보호 시트는 먼지나 긁힘(scratch)에 민감한 하부 시트들을 보호하고, 백라이트 어셈블리만을 운반하는 경우에 하부 시트들의 유동을 방지하는 역할을 하며, 그 외에 빛의 분포가 보다 균일해지도록 빛을 확산시키는 등의 기능을 한다.

상기한 바와같은 종래 백라이트 어셈블리의 작용을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 램프(101)에서 발생된 빛은 도광판(102)으로 직접 진행되거나 또는 램프 하우징(103)에 반사되어 도광판(102)으로 진행된다.

그리고, 상기 도광판(102)에 입사된 빛의 일부는 도광판(102)을 통과하여 액정 패널(110)로 진행되고, 나머지 일부는 도광판(102) 하면에 구비된 반사판(104)에 의해 반사된 후, 도광판(102)을 통과하여 액정 패널(110)로 진행된다.

상기 도광판(102)과 액정 패널(110) 사이에 광학 시트들이 삽입될 경우에는 도광판(102)을 통과하여 액정 패널(110)로 진행되는 빛의 균일도와 휘도 향상에 기여할 수 있게 된다.

상기한 바와 같이 백라이트 어셈블리로부터 액정 패널(110)로 진행되는 빛은 액정 패널(110)의 제1편광판(52), 박막 트랜지스터 어레이 기판(50), 액정층(80), 컬러필터 기판(60), 그리고 제2편광판(66)을 순차적으로 투과하게 된다.

이와 같은 과정을 첨부한 도4a 및 도4b의 예시도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도4a 및 도4b에 도시된 제1 및 제2편광판(52,66)은 투과축방향과 평행한 성분의 빛은 투과시키고, 직교성분의 빛은 차단하는 특성을 갖는다.

그리고, TN 액정층(80)은 전압이 인가되지 않을 경우에 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)에 대해 오른쪽 방향 또는 왼쪽 방향으로 소정의 각을 가지고 트위스트 배열되고, 전압이 인가될 경우에 액정분자의 장축방향이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)에 대해 수직하게 배열되는 정(+)특성을 갖는다.

도4a는 일반적인 TN(twisted nematic) 액정의 노멀리 화이트 모드(normally white mode : NW mode)에서 액정에 전계가 인가되지 않은 상태를 보인 예시도이다.

도4a를 참조하면, 백라이트 어셈블리로부터 입사된 빛은 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)의 하면에 구비된 제1편광판(52)을 투과하면서 제1편광판(52)의 투과축방향과 평행하게 선편광 된다.

상기 제1편광판(52)에 의해 선편광된 빛은 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)을 투과한 다음 TN 액정층(80)에 입사되고, 그 TN 액정층(80)을 투과하면서 트위스트 배열된 액정의 분자축을 따라 회전하여 원편광 또는 타원편광된다.

상기 TN 액정층(80)에 의해 원편광 또는 타원편광된 빛은 상기 컬러필터 기판(60)을 투과한 다음 제2편광판(66)을 투과하면서 제2편광판(66)의 투과축방향과 평행하게 선편광 되어 투과된다.

상기한 바와 같이 빛이 투과되면, 상기 컬러필터 기판(60)에 구비된 컬러필터에 따라 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)을 표시하게 된다.

한편, 도4b는 일반적인 TN 액정의 노멀리 화이트 모드에서 액정에 전계가 인가된 상태를 보인 예시도이다.

도4b를 참조하면, 백라이트 어셈블리로부터 입사된 빛은 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)의 하면에 구비된 제1편광판(52)을 투과하면서 제1편광판(52)의 투과축방향과 평행하게 선편광 된다.

그런데, 전계가 인가되면, 액정층(80)의 액정분자는 장축방향이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)에 대해 수직배열 된다.

따라서, 상기 제1편광판(52)에 의해 선평광된 빛은 위상 변화없이 상기 액정층(80)의 수직배열된 액정을 통과하게 된다.

상기 액정층(80)을 통과한 선편광된 빛은 상기 컬러필터 기판(60)을 투과한 다음 제2편광판(66)에 입사되는데, 이때 제1편광판(52)에 의해 선편광된 빛은 제2편광판(66)의 투과축방향과 직교하기 때문에 차단되어 다크(dark) 상태가 된다.

그러나, 상술한 바와 같이 종래의 액정표시장치는 액정 패널에 빛을 조사하기 위한 백라이트 어셈블리가 요구됨에 따라 백라이트 어셈블리의 구성요소들을 제작하기 위한 재료비가 상승하는 문제점이 있다.

특히, 백라이트 어셈블리는 액정표시장치의 총 무게 및 두께를 증가시키는 요인으로 작용함에 따라 액정표시장치의 경량화 및 슬림(slim)화에 대한 걸림돌이 되고 있다.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판이 백라이트 어셈블리에 구비되는 도광판의 기능을 수행할 수 있도록 한 액정 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

먼저, 상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 액정 표시장치의 일실시예는 평탄한 상면과 경사진 하면을 갖는 박막 트랜지스터 어레이 기판과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 측면에 구비되는 램프 및 램프 하우징과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 형성되는 산란 패턴과; 상기 산란 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 구비되는 반사판과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 상면 일부 영역에 형성되는 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 형성하되, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지며, 빛에 대한 편광기능을 갖는 편광절연막; 및 상기 절연막의 상부에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉하는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

그리고, 상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 액정표시장치의 제조방법에 대한 일실시예는 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 편광절연막을 형성하는 단계와; 상기 편광절연막상에 드레인 전극의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 접촉하고, 상기 편광절연막의 상부로 연장되어 형성되는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면을 경사지게 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 경사진 하면에 산란 패턴을 형성하는 단계와; 상기 산란 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 반사판을 부착하는 단계; 및 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 측면에 램프 및 램프 하우징을 구비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명에 의한 액정표시장치 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

삭제

도5는 본 발명에 의한 액정표시장치의 단면 구성을 보인 예시도이다.

도5를 참조하면, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 대향하여 합착되는 컬러필터 기판(300)과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200) 및 컬러필터 기판(300)을 일정하게 이격시키는 스페이서(400)와; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 대향하지 않는 컬러필터 기판(300)의 외면에 구비된 편광판(301)과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300) 사이의 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(500)으로 구성된다.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)은 평탄한 상면과 경사진 하면이 구비되어 일측방향으로 갈수록 두께가 점차 얇아지는 형태를 갖는다.

그리고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 두께가 두꺼운 일측면에는 램프(201) 및 램프 하우징(202)이 구비된다. 따라서, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)은 측면에 구비된 램프(201) 및 램프 하우징(202)으로부터 멀어질수록 점차 두께가 얇아진다.

따라서, 상기한 바와 같은 본 발명에 의한 액정표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)은 백라이트 어셈블리의 도광판의 기능을 수행한다.

즉, 램프(201)로부터 발생된 빛은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면으로 입사된다. 이때, 램프 하우징(202)은 램프(201)를 감싸는 표면이 빛을 반사시킬 수 있도록 처리되어 빛의 이용률을 향상시킨다.

그리고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 하면에는 산란 패턴(203)이 구비된다. 이때, 산란 패턴(203)은 램프(201)와의 거리에 따라 적절한 크기 및 이격거리를 갖는다. 따라서, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 구비된 램프(201)로부터 입사된 빛이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 균일하게 산란되도록 한다.

그리고, 상기 산란 패턴(203)이 구비된 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 하면에는 반사판(204)이 형성된다. 이때, 반사판(204)은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 구비된 램프(201)로부터 입사된 빛이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 하면으로 진행될 경우에 이를 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 반사시킨다. 따라서, 빛의 손실을 줄이고, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 진행되는 빛의 균일도를 향상시키는데 기여한다.

즉, 산란 패턴(203)과 반사판(204)은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 구비된 램프(201)로부터 입사되는 빛이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 균일하게 진행되도록 한다.

한편, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면의 일부 영역에는 박막 트랜지스터(TFT)가 구비된다.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 이미 상세히 설명한 바와 같이 액정 표시장치의 스위칭 소자로 사용된다.

그리고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 구비된 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)상에는 빛에 대한 편광기능을 갖는 편광절연막(210)이 구비된다. 이때, 편광절연막(210)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(227) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(228)을 구비한다.

그리고, 상기 편광절연막(210)의 상부에는 상기 드레인 콘택홀(228)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(227)과 전기적으로 접촉되도록 패터닝된 화소전극(229)이 구비된다.

한편, 도면상에 도시되진 않았지만, 상기 편광절연막(210)의 상부 또는 하부에는 액정표시장치의 휘도를 향상시키기 위하여 광학 시트들이 삽입될 수 있으며, 예를 들면 확산판과 프리즘 시트등이 삽입된다.

상기 확산판은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)으로부터 입사되는 빛을 분산시킴으로써, 빛의 부분적인 밀집으로 인한 얼룩이 발생되지 않도록 한다.

상기 프리즘 시트는 확산판을 통과하여 진행되는 빛이 수직하게 진행될 수 있도록 한다.

또한, 도면상에 상세히 도시되진 않았지만, 상기 화소전극(229)의 상부에는 러빙 처리된 배향막이 구비된다.

한편, 상기 컬러필터 기판(300)은 도5에 상세한 구성요소들이 도시되어 있지 않지만, 종래의 기술로 도시된 도2의 구성요소들과 동일하며, 그 상세한 설명과 동일하게 제작된다.

상기한 바와 같이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)의 제작이 완료되면, 그 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)상에 실링재를 인쇄하고, 스페이서(400)를 산포한다. 이때, 공정 요건을 감안하여 실링재는 컬러필터 기판(300)에 인쇄하고, 스페이서(400)는 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)에 산포할 수도 있다.

그리고, 상기 실링재 인쇄 및 스페이서(400) 산포가 완료되면, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)을 합착한다. 이때, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)은 각 기판(200, 300)에 형성된 배향막(도면상에 도시되지 않음)이 스페이서(400)에 의해 이격되어 대향하도록 합착된다.

그리고, 상기 합착된 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)을 단위 액정 패널로 절단한다.

통상, 상기 단위 액정 패널의 절단은 유리기판에 비해 경도가 높은 다이아몬드 재질의 펜으로 기판 표면에 절단선을 형성하는 스크라이브(scribe) 공정과, 기 계적 힘을 가해 절단하는 브레이크(break) 공정으로 이루어진다.

그리고, 상기 절단된 단위 액정 패널에 액정을 주입하고, 그 주입구를 밀봉함으로써, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)과 컬러필터 기판(300)의 배향막이 대향하여 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(500)을 형성한다.

한편, 도6a 내지 도6h는 상기한 바와 같은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 제조과정을 순차적인 단면으로 보인 예시도로서, 이를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도6a에 도시한 바와같이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200) 상에 게이트 전극(221), 게이트 절연막(222), 반도체층(223)과 오믹접촉층(224)이 적층된 액티브층(225), 소스 전극(226), 그리고 드레인 전극(227)이 구비된 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.

상기 박막 트랜지스터(TFT)의 형성과정은 전술한 도2를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이 진행되고, 이에 대해서 통상적으로 잘 알려져 있으므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.

그리고, 도6b에 도시한 바와 같이 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)상에 빛에 대한 편광기능을 갖는 편광절연막(210)을 형성한 다음 일부 영역을 제거하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(227) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(228)을 형성한다.

그리고, 도6c에 도시한 바와 같이 상기 결과물의 상부에 투명 전극물질을 형성한 다음 패터닝하여 상기 드레인 콘택홀(228)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(227)과 전기적으로 접촉되며, 상기 편광절연막(210)의 상부로 연장되는 화소전극(229)을 형성한다.

그리고, 도6d에 도시한 바와 같이 상기 결과물의 상부에 배향막(230)을 형성한 다음 러빙을 실시한다. 이때, 러빙은 천을 균일한 압력과 속도로 배향막(230) 표면과 마찰시킴으로써, 배향막(230) 표면의 고분자 사슬이 일정한 방향으로 정렬되도록 하여 액정의 초기 배향방향을 결정하는 공정을 말한다.

그리고, 도6e에 도시한 바와 같이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 박막 트랜지스터가 형성되지 않은 면이 일정한 경사를 갖도록 연마(grinding) 또는 건식식각(dry etch)을 실시한다.

그리고, 도6f에 도시한 바와 같이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 면상에 산란 패턴(203)을 형성한다. 이때, 산란 패턴(203)은 후술할 램프(201)와의 거리에 따라 적절한 크기 및 이격거리를 갖도록 패터닝된다. 따라서, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 구비된 램프(201)로부터 입사된 빛이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 균일하게 산란되도록 한다.

그리고, 도6g에 도시한 바와 같이 상기 산란 패턴(203)이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 면상에 반사판(204)을 형성한다. 이때, 반사판(204)은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 구비된 램프(201)로부터 입사된 빛이 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 경사진 하면으로 진행될 경우에 이를 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 반사시킴으로써, 빛의 손실을 줄이고, 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 평평한 상면 방향으로 진행되는 빛의 균일도를 향상시키는데 기여한다.

그리고, 도6h에 도시한 바와 같이 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 측면에 램프(201) 및 램프 하우징(202)을 설치한다.

한편, 도면상에 상세히 도시되지는 않았지만, 상기 편광절연막(210)을 형성하기 이전 또는 이후에 액정표시장치의 휘도를 향상시키기 위하여 광학 시트들을 형성할 수 있으며, 예를 들면 확산판과 프리즘 시트등을 형성한다.

상기 확산판은 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)으로부터 입사되는 빛을 분산시킴으로써, 빛의 부분적인 밀집으로 인한 얼룩이 발생되지 않도록 한다.

상기 프리즘 시트는 확산판을 통과하여 진행되는 빛이 수직하게 진행될 수 있도록 한다.

또한, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(200)의 하면에 형성된 반사판(204)상에는 보호막을 추가로 형성할 수 있다.

상기한 바와 같은 본 발명에 의한 액정표시장치 및 그 제조방법은 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판이 백라이트 어셈블리의 도광판으로 기능할 수 있도록 한다.

따라서, 백라이트 어셈블리의 도광판을 별도로 제작하기 위한 재료비를 절감할 수 있는 효과가 있다.

그리고, 백라이트 어셈블리의 도광판에 의한 무게 및 두께 증가 요인을 없앨 수 있음에 따라 액정표시장치의 경량화 및 슬림화에 유리한 효과가 있다.

그리고, 종래에는 램프로부터 입사되는 빛이 도광판과 박막 트랜지스터 어레이 기판을 투과하여야 하지만, 본 발명에서는 램프로부터 입사되는 빛이 도광판의 기능을 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 투과함에 따라 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

마지막으로, 종래에는 박막 트랜지스터 어레이 기판에 별도로 편광판을 제작하여야 하지만, 본 발명에서는 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 박막 트랜지스터의 형성과정에서 형성되는 보호막으로써, 편광절연막을 형성함에 따라 공정 단순화에 기여할 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

1. 평탄한 상면과 경사진 하면을 갖는 박막 트랜지스터 어레이 기판;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 측면에 구비되는 램프 및 램프 하우징;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 형성되는 산란 패턴;

   상기 산란 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 구비되는 반사판;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 상면에 형성되는 박막 트랜지스터;

   상기 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 절연막; 및

   상기 절연막의 상부에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 접속되는 화소전극을 포함하여 구성되는 액정표시장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 빛에 대한 편광기능을 갖는 편광절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 램프 하우징은 상기 램프를 감싸는 내면이 빛을 반사시킬 수 있도록 처리되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판은 측면에 구비된 램프로부터 거리가 멀어짐에 따라 두께가 얇아지는 경사진 하면을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 산란 패턴은 램프로부터 거리가 멀어짐에 따라 산란 패턴의 크기 및 산란 패턴간 이격거리가 증가하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막의 상부 또는 하부에 광학 시트들이 삽입되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
7. 평탄한 상면과 경사진 하면을 갖는 박막 트랜지스터 어레이 기판;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 측면에 구비되는 램프 및 램프 하우징;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 형성되는 산란 패턴;

   상기 산란 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 구비되는 반사판;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 상면에 형성되는 박막 트랜지스터;

   상기 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 절연막;

   상기 절연막의 상부에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 접속되는 화소전극;

   상기 화소전극의 상부에 러빙 처리된 배향막;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판과 대향해 이격되어 합착되는 컬러필터 기판;

   상기 두 기판 사이에 주입되어 액정이 충진되는 액정층; 및

   상기 컬러필터 기판의 외면에 구비되는 편광판을 포함하여 구성되는 액정표시장치.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 절연막은 빛에 대한 편광기능을 갖는 편광절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
9. 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;

   상기 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판상에 편광절연막을 형성하는 단계;

   상기 편광절연막상에 드레인 전극의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계;

   상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 접촉하고, 상기 편광절연막의 상부로 연장되어 형성되는 화소전극을 형성하는 단계;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면을 경사지게 형성하는 단계;

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 경사진 하면에 산란 패턴을 형성하는 단계;

   상기 산란 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면에 반사판을 부착하는 단계; 및

   상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 측면에 램프 및 램프 하우징을 구비하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시장치의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 화소전극을 형성한 다음 상부에 배향막을 형성하고, 러빙을 실시하는 단계를 추가적으로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
11. 제 9 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하면을 경사지게 형성하는 단계는 연마(grinding) 또는 건식식각(dry etch)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
12. 제 9 항에 있어서, 상기 산란 패턴은 상기 램프로부터 거리가 멀어짐에 따라 산란 패턴의 크기 및 산란 패턴간 이격거리가 증가되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.

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