KR100755598B1

KR100755598B1 - 질화물 반도체 발광소자 어레이

Info

Publication number: KR100755598B1
Application number: KR1020060060699A
Authority: KR
Inventors: 윤상호; 민경익
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-06-30
Filing date: 2006-06-30
Publication date: 2007-09-06
Anticipated expiration: 2026-06-30
Also published as: US20110198625A1; JP5052973B2; US20080012030A1; US8587005B2; JP2012238883A; JP2008016847A

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 어레이에 관한 것으로서, 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 배열된 유전체층와, 상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며, 상기 복수의 윈도우는 인접한 윈도우에서 성장될 육각 피라미드형 발광구조물의 측면이 서로 마주하도록 반복되는 정삼각형의 배열을 가지며, 또한, 서로 인접한 육각 피라미드형 발광구조물의 각 밑변 간의 거리는 그 윈도우의 중심간격의 0.3배보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이를 제공한다.

질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)

Description

질화물 반도체 발광소자 어레이{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE ARRAY}

도1은 종래의 육각 피라미드형 질화물 발광소자의 단면도이다.

도2는 종래의 육각 피라미드형 질화물 발광소자 어레이를 설명하기 위한 개략도이다.

도3은 본 발명의 일실시형태에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광소자 어레이의 개략적인 평면도이다.

도4는 구조간격에 따른 조건에 대한 측면 활용비의 관계를 나타내는 그래프이다.

도5는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광소자 어레이의 개략도이다.

도6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광소자 어레이의 개략도이다.

도7a 및 도7b는 본 발명에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광소자 어레이의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

70,80: 질화물 발광소자 어레이 71: 기판

72a,82a: 제1 도전형 하부 질화물 반도체층
72b,82b: 제1 도전형 상부 질화물 반도체층

74,84: 유전체층 75,85: 활성층

76,86: 제2 도전형 질화물 반도체층 77: 투명전극층

87: 반사전극층 87: 도전성 지지구조

88: 광투과성 도전층

본 발명은 질화물 반도체 발광소자 어레이에 관한 것으로서, 특히 선택성장법을 이용한 복수의 육각 피라미드형 발광구조를 갖는 발광소자 어레이에 관한 것이다.

최근에, 필라멘트를 사용한 벌브형 전구와 형광등을 대체할 새로운 조명원으로써 반도체 발광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, GaN과 같은 질화물 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드(LED)에 대한 연구가 주목되고 있다. 질화물 결정은 성장을 위한 적절한 기판이 없으므로, 많은 결정결함을 갖는 문제가 있다.

이러한 문제를 해결하여 선택적인 성장방법을 이용하여 육각 피라미드형의 발광구조를 형성함으로써 고품질 질화물 발광소자를 제공하는 방안이 개발되었다.

도1은 종래의 육각 피라미드형 발광소자의 단면도이다.

도1에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(11) 상에 형성된 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(12a) 상에 윈도우(W)를 갖는 유전체층(14)을 형성된다. 상기 유전체층(14)을 이용한 측방향 성장공정을 적용하여 윈도우영역(W)에 제1 도전형 상부 질화물 반도체층(12b)과 활성층(15) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(16)을 성장시킨다. 이 때에, 윈도우영역(W)에 성장되는 질화물 반도체층(12b,15,16)은 육각 피라미드형 발광구조로 형성된다. 상기 육각 피라미드형 발광구조의 제2 도전형 질화물 반도체층(16) 상에 투명전도박막(17) 및/또는 전극(19)을 형성하고, 상기 유전체층의 일부를 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(12a)이 노출되도록 에칭하여 다른 극성의 전극(18)을 형성한다.

선택적 성장방법에 의해 얻어진 질화물 단결정을 측방향으로 성장과정에서 수평방향으로 성장되던 많은 결함이 차단되거나 방향을 바꾸어 활성층에 거의 영향을 주지 않는 것으로 보고되고 있다. 또한, 기판과의 격자상수 불일치에 의한 영향도 작으므로, 결정성장의 결함을 크게 감소시킬 수 있다.

이러한 LED 구조는 육각형 피라미드 구조를 가지므로, 경사 측면에 의해 실질적인 발광면적이 넓어지는 동시에, 결정성장방향에 의해 압전효과(piezo-electric field effect)의 완화도 기대될 수 있다.

또한, 보다 우수한 휘도를 위해서 도1에 도시된 육각 피라미드형 발광구조가 복수개로 배열한 어레이 형태로 제공되고 있다. 하지만, 육각 피라미드형 발광소자는 윈도우 영역은 최적의 면적활용도를 갖고자 삼각형으로 배열되나, 도2에 도시된 바와 같이, 윈도우(W)가 정삼각형으로 배열된 구조에서 육각 피라미드형 발광구조(20)가 최대 면적을 점유하도록 성장하더라도, 결정층이 성장되기 어려우며, 실질적으로 발광면적으로 활용할 수 없는 소모영역(A)이 상대적으로 많이 존재하게 된다.

따라서, 발광면적을 최대화하기 위해서 공간의 소모를 억제할 수 있는 육각형 피라미드 발광구조의 적절한 배열방안이 고려될 필요가 있다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 육각 피라미드형 발광구조와 윈도우영역의 배열구조를 개선하여 복수의 육각 피라미드형 발광구조에 의한 발광면적이 최대화될 수 있는 질화물 반도체 발광소자 어레이를 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은

제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 배열된 유전체층와, 상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며, 상기 복수의 윈도우는 인접한 윈도우에서 성장될 육각 피라미드형 발광구조물의 측면이 서로 마주하도록 반복되는 정삼각형의 배열을 가지며, 또한, 서로 인접한 육각 피라미드형 발광구조물의 각 밑변 간의 거리는 그 윈도우의 중심간격의 0.3배보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이를 제공한다.

바람직하게, 상기 육각 피라미드형 발광구조물의 측면은 [11-20]방향일 수 있다. 상기 유전체층의 전체 성장면적에 대한 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물이 형성된 면적은 상기 육각 피라미드형 발광구조물 측면의 경사각의 코사인값보다 큰 것이 바람직하며, 다른 측면에서 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물의 측면적의 합은 상기 유전체층의 전체 성장면적보다 큰 것이 바람직하다.

최적화된 배열조건에서 실질적으로 최대의 발광면적이 확보되도록, 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 인접한 모든 육각 피라미드형 발광구조물의 밑변과 서로 접하도록 형성될 수 있다.

본 발명은 전극배열측면에서 수평구조뿐만 아니라, 수직구조 발광소자로도 구현될 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 따른 수평구조 발광소자는, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 상면을 갖는 기판과, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상면의 일 영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제2 전극을 더 포함한다. 여기서, 기판은 사파이어기판, SiC 또는 Si일 수 있다.

본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 발광소자는, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 반사전극층과, 상기 반사전극층 상에 형성되어 제2 전극구조로 작용하는 도전성 지지구조를 더 포함한다. 특히, 본 수직구조 발광소자는 육각 피라미드 발광구조 상면에 반사층이 형성되어 광이 집중되어 제1 도전형 하부 질화물 반도체층측으로 추출되므로, 그 광추출효율을 크게 개선시킬 수 있다는 장점이 있다.

본 발명의 다른 측면에서, 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 사각형의 배열로서 일정한 간격을 갖는 행과 열을 따라 배치된 유전체층과, 상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며, 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 상기 행과 열 중 일 방향을 따라 인접한 발광구조물의 밑변이 서로 마주하는 동시에, 상기 행과 열 중 다른 방향을 따라서는 인접한 발광구조물의 각부분이 서로 마주하도록 배열된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이를 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명한다.

도3을 참조하면, 복수의 윈도우영역(W)이 배열된 유전체층(34) 상에 육각 피라미드형 질화물 발광구조(30)가 성장된 발광소자 어레이가 도시되어 있다. 상기 육각 피라미드형 질화물 발광구조(30)는 도1에서 설명된 바와 같이 윈도우영역(W)에 선택적으로 성장된 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층으로 이해될 수 있다.

본 발명에 따른 육각 피라미드형 질화물 발광구조(30)의 최적화된 배열을 얻기 위해서 우선적으로 복수개의 윈도우(W)는 정삼각형 배열단위가 규칙적으로 반복되도록 형성된다. 특히, 본 발명에 따른 윈도우(W)의 배열은 인접하는 육각 피라미드형 발광구조물(30)의 측면(30a)이 마주할 수 있도록 설정된다. 이는 인접한 육각 피라미드형 발광구조물(30)이 서로 측면(30a)이 마주할 수 있는 윈도우(W) 배열은 결정방향에 고려하여 윈도우(W)의 정삼각형 위치를 적절히 조정함으로써 얻어질 수 있다. 예를 들어, 상기 육각 피라미드형 발광구조물(30)의 측면(30a)은 [11-20]방향이며, 측면모서리는 [1-100]방향을 갖도록 윈도우(W)의 배열을 적절히 채택할 수 있다. 즉, 일 윈도우와의 배열관계에서 인접한 윈도우를 [11-20]결정성장방향으로 예측되는 위치에 배치한다. 이러한 결정성장방향은 성장되는 결정면으로부터 예측될 수 있다.

이와 같이, 인접한 육각 피라미드형 발광구조물(30)이 측면(30a)을 마주하는 경우에는 면적의 최대화가 실현될 수 있다. 또한, 이러한 윈도우(W)의 배열에서 발광면적을 증가시키기 위해서는 육각 피라미드형 발광구조물(30)의 점유면적을 최대화시키는 것이 바람직하다. 적어도 인접한 육각 피라미드형 발광구조물(30)의 각 밑변 간의 거리(x)는 그 윈도우의 중심간격(a)의 0.3배보다 작도록, 육각 피라미드형 발광구조물(30)을 충분한 크기로 형성함으로써 본 발명의 윈도우배열구조에 근거하여 발광면적의 증가를 효과적으로 실현할 수 있다.

이와 같이, 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물(30)의 점유면적은 적어도 상기 유전체층(34)의 전체 면적보다 큰 실질적인 발광면적, 즉 발광구조측면(30a)의 총면적을 갖도록 설계할 수 있다. 이러한 조건은 상기 육각 피라미드형 발광구조물 측면(30a)의 경사각의 코사인값을 근거하여 아래와 같은 측면활용도로부터 도출될 수 있다.

도4를 참조하면, 압전효과를 최적화할 수 있는 육각 피라미드형 발광구조물(30a)의 측면각도는 약 62°에서 인접한 윈도우의 중심간격(a)과 인접한 발광구 조의 측면 사이의 거리(x)의 비율에 따른 측면의 활용도를 나타낸다. 여기서, "측면의 활용비"라 함은 전체 육각 피라미드형 발광구조물의 측면적의 총합을 전체 기판 면적에 대비하여 나타낸 값으로서, 1인 경우에는 측면적의 전체 합이 기판 면적과 동일해지는 것으로 나타내고, 1보다 커지는 경우에는 실질적으로 발광면적이 기판면적보다 커지는 것을 나타낸다.

도4의 그래프에서, 윈도우중심간격에 대해 측면간격이 0.3에서 실질적인 발광면적(즉, 발광구조 측면의 총합)이 기판면적과 거의 같아지고, 0.3보다 작아질 때에 실질적인 발광면적이 기판 면적보다 커지는 것을 알 수 있다. 따라서, 앞서 설명한 바와 같이, 발광구조물의 측면이 서로 마주하는 정삼각형인 윈도우배열을 갖더라도, 실질적인 발광면적의 증가를 위해서는 윈도우중심간격에 대해 측면간격이 0.3배미만으로 발광구조물을 성장시키는 것이 요구된다. 이러한 특징은 다른 측면에서 복수의 육각 피라미드형 발광구조물의 측면적의 합은 상기 유전체층의 전체 성장면적보다 큰 조건으로 표현될 수 있다.

따라서, 도5에 도시된 발광소자 어레이를 실현함으로써 최적화된 윈도우(W)의 배열조건에서 실질적으로 최대의 발광면적이 확보될 수 있다. 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물(50)은 인접한 모든 육각 피라미드형 발광구조물(50)의 측면(50a)이 서로 마주하는 동시에 나아가 서로 접할 수 있도록 충분한 크기로 성장됨으로써 기판면적대비 2배 이상의 발광면적을 확보할 수 있다.

이와 달리, 도6에 도시된 윈도우 배열구조를 통해서도 높은 측면활용비를 가질 수 있는 발광구조 배열을 얻을 수 있다.

도6에 도시된 바와 같이, 유전체층에 일정한 간격을 갖는 행(x)과 열(y)을 따라 복수의 윈도우영역(W)을 형성한다. 또한, 상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물(50)은 상기 행(x)과 열(y) 중 일 방향(y)을 따라서는 인접한 발광구조물의 측면(50a)이 서로 마주하는 동시에, 상기 행과 열 중 다른 방향(x)을 따라서는 인접한 발광구조물의 측면 모서리(50b) 부분이 서로 마주하도록 배열시킨다. 이와 같이 마주하는 위치를 측면(50a) 및 모서리(50b) 중 하나로 선택하는 것은 앞서 설명한 바와 같이, 성장될 질화물 반도체층의 결정방향에 근거하여 윈도우영역(W)을 배열함으로써 얻어질 수 있다.

이러한 조건에서, 본 실시예와 같이 x축으로 마주하는 측면 및 모서리의 밑변이 서로 접하도록 충분히 성장시킴으로써 면적효율을 최대화시킬 수 있다. 이 경우에, 측면의 경사각이 62°라 할 때에, 기판면적에 비해 약 1.60배로 큰 발광면적을 육각 피라미드의 측면으로부터 얻을 수 있다.

본 발명에 따라 발광면적을 최대화시킬 수 있는 방안은 수평구조뿐만 아니라, 수직구조 발광소자에서도 매우 유익하게 적용될 수 있다.

도7a를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 수평구조 발광소자(70)는, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(72)이 형성된 상면을 갖는 기판(71)을 포함한다. 여기서, 기판(71)은 사파이어기판, SiC 또는 Si일 수 있다.

상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(72) 상에는 복수의 윈도우가 배열된 유전체층(74)이 형성된다. 상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(72a) 영역에 제1 도전형 상부 질화물 반도체층(72b), 활성층(75) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(76)이 순차적으로 성장시켜 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 제공한다. 상기 복수의 윈도우 및 상기 육각 피라미드형 발광구조물의 배열은 유효한 발광면적이 최대화되도록 도3, 도5 및 도6에 도시된 배열을 가질 수 있다.

도7a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(72a) 상면의 일 영역에 제1 전극(78)이 형성된다. 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(76) 상에 광투과성 도전층(77)이 형성되며, 상기 광투과성 도전층(77)의 일영역에 제2 전극(79)이 형성된다.

이와 달리, 도7b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 수직구조 발광소자가 도시되어 있다.

도7b와 같이, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(82a) 상에는 복수의 윈도우가 배열된 유전체층(84)이 형성된다. 상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층(82a) 영역에 제1 도전형 상부 질화물 반도체층(82b), 활성층(85) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(86)이 순차적으로 성장시켜 복수의 육각 피라미드형 발광구조물이 제공된다.

도7b에 도시된 수직구조 발광소자 어레이는, 제2 도전형 질화물 반도체층(86) 상에 형성된 반사전극(87)은 Ag와 같은 금속일 수 있다. 또한, 상기한 질화물 단결정 발광소자의 성장에 사용된 사파이어 기판과 같은 성장용 기판을 제거할 때에 잔류하는 발광소자를 지지하는 동시에 전기도통구조를 제공하기 위해서, 반사전극층(87) 상에 금속 도금법을 이용하여 도전성 지지구조(89)를 형성할 수 있다. 이러한 도전성 지지구조(89)는 주로 Ni, Cu 등을 사용하여 도금을 시행하면 피라미드 형의 발광소자 사이의 굴곡을 채워져 평탄한 면을 가질 수 있다. 이러한 도전성 지지구조(89)는 패키징 공정에서 하부 전극으로 사용될 수 있다.

다음으로, 사파이어와 같은 성장기판을 레이저 리프트 오프공정 또는 화학적 에칭공정 등에 의해 분리한다. 추가적으로, 물리화학적으로 손상된 버퍼층 등을 제거할 수 있다. 사파이어 기판이 제거된 면은 전류가 골고루 주입되어야 하므로 광투과성 전도층(88)을 을 증착하는 것이 바람직하다.

도7b에 도시된 수직구조 발광소자는 육각 피라미드 발광구조 상면에 반사층이 형성되어 광이 집중되어 제1 도전형 하부 질화물 반도체층측으로 추출되므로, 그 광추출효율을 크게 개선시킬 수 있다는 장점이 있으므로, 발광면적 증가에 따른 광효율개선효과를 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명 의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

본 발명에 따르면, 선택성장법에 의해 결정결함이 매우 적은 육각 피라미드형 발광구조를 면적점유가 높아지도록 배열함으로써 실질적인 발광면적을 넓히고, 나아가 이를 수직구조의 발광소자구조에 반영함으로써 높은 광추출효율을 갖는 질화물 발광소자 어레이를 제공할 수 있다.

Claims

제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 배열된 유전체층; 및

상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며,

상기 복수의 윈도우는 인접한 윈도우에서 성장될 육각 피라미드형 발광구조물의 측면이 서로 마주하도록 반복되는 정삼각형의 배열을 가지며,

서로 인접한 육각 피라미드형 발광구조물의 각 밑변 간의 거리는 그 윈도우의 중심간격의 0.3배보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제1항에 있어서,

상기 육각 피라미드형 발광구조물의 측면은 [11-20]방향인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
삭제
제1항에 있어서,

상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물의 측면적의 합은 상기 유전체층의 전체 성장면적보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제1항에 있어서,

상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 인접한 모든 육각 피라미드형 발광구조물의 밑변과 서로 접하도록 형성된 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제1항에 있어서,

상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 상면을 갖는 기판과, 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상면의 일 영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제6항에 있어서,

상기 기판은 사파이어기판, SiC 또는 Si인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제1항에 있어서,

상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층이 형성된 광투과성 도전층과, 상기 광투과성 도전층의 일영역에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 반사전극층과, 상기 반사전극층 상에 형성되어 제2 전극구조로 작용하는 도전성 지지구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.
제1 도전형 하부 질화물 반도체층 상에 형성되며, 복수의 윈도우가 사각형의 배열로서 일정한 간격을 갖는 행과 열을 따라 배치된 유전체층; 및

상기 각 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 도전형 하부 질화물 반도체층 영역으로부터 선택적으로 성장되어 상기 유전체층 상에 형성되며, 제1 도전형 상부 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 복수의 육각 피라미드형 발광구조물을 포함하며,

상기 복수의 육각 피라미드형 발광구조물은 상기 행과 열 중 일 방향을 따라 인접한 발광구조물의 밑변이 서로 마주하는 동시에, 상기 행과 열 중 다른 방향을 따라서는 인접한 발광구조물의 각부분이 서로 마주하도록 배열된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 어레이.