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KR100731741B1 - 유기전계발광장치 - Google Patents

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KR100731741B1
KR100731741B1 KR1020050036394A KR20050036394A KR100731741B1 KR 100731741 B1 KR100731741 B1 KR 100731741B1 KR 1020050036394 A KR1020050036394 A KR 1020050036394A KR 20050036394 A KR20050036394 A KR 20050036394A KR 100731741 B1 KR100731741 B1 KR 100731741B1
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KR
South Korea
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light emitting
organic light
transistor
reverse bias
emitting diode
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코미야나오아끼
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

발광 동작을 수행하기 위해 구비되는 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하는 유기전계발광장치가 개시된다. 유기전계발광장치는 역바이어스 인가를 위해 별도의 역바이어스 트랜지스터를 구비한다. 역바이어스 트랜지스터는 유기전계발광소자의 애노드 전극와 역바이어스 전원 사이에 연결되거나, 유기전계발광소자의 애노드 전극와 양의 전원 전압을 공급하는 제1 전원 라인 사이에 연결되거나, 유기전계발광소자의 애노드 전극과 데이터 라인 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터는 초기화 라인과 유기전계발광소자의 애노드 전극 사이에 연결될 수도 있다. 영상이 디스플레이되기 이전 또는 수직 동기 신호의 비표시 구간 동안 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하여 유기전계발광소자의 불량 여부를 검출할 수 있다.

Description

유기전계발광장치{Organic Electroluminescent Display}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
101,301,501,701 : 화소 구동부 103, 303, 503 : 주사 라인
105,305,505,705 : 데이터 라인 107,307,507,707 : 제1 전원 라인
109,309,509,708 : 제2 전원 라인
709, 809, 819 : 초기화 라인
본 발명은 유기전계발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각각의 화소에 구비된 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 화소 회로에 관한 것이다.
유기전계발광장치는 자발광 동작을 수행하는 유기전계발광소자에 데이터 신호를 공급하여 소정의 영상을 디스플레이하는 디스플레이 장치이며, 구동 방식에 따라 능동(Passive Matrix)형과 수동(Active Matrix)형으로 나누어진다.
수동형은 화면표시영역에 양극과 음극을 매트릭스 방식으로 교차 배열하고, 양극과 음극이 교차되는 부위에 화소를 형성하는 방식이다.
이에 비해 능동형은 각 화소마다 박막트랜지스터를 배치하고 각각의 화소를 박막트랜지스터를 이용하여 제어한다.
상기 능동형과 수동형의 가장 큰 차이는 유기 전계 발광 장치의 발광 시간의 차이에 있다. 즉, 수동형의 경우, 순간적으로 유기 발광층을 높은 휘도로 발광시키나, 능동형의 경우, 유기 발광층을 낮은 휘도로 계속해서 발광시킨다.
수동형의 경우, 해상도가 높아지면 순간 발광 휘도가 높아져야 한다. 또한, 높은 휘도의 빛을 내기 때문에 유기 전계 발광 장치의 열화에 큰 영향을 미치게 된다. 이에 반해 능동형의 경우, 박막 트랜지스터를 이용하여 구동하고, 한 프레임동안 화소에서 계속적으로 빛을 발하므로 낮은 전류로 구동이 가능하다. 따라서, 능동형이 수동형에 비해 기생 커패시턴스가 적고, 전력의 소비량이 적은 장점을 가진다.
그러나, 능동형은 휘도 불균일의 단점을 가진다. 능동형은 능동 소자로 능동 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 박막 트랜지스터를 사용하는 경우가 대부분이다. LTPS 박막 트랜지스터는 저온 상태에서 형성된 비정질 실리콘을 레이저를 이용하여 결정화한다. 이때 결정화에 따라 트랜지스터의 특성이 달라진다. 즉, 트랜지스터의 문턱 전압 등이 화소별로 일정하지 않는 특성 불균일이 발생된다. 따라서 동일한 화면 신호에 대해 각각의 화소들은 다른 휘도를 보이게 되며, 이를 화면 전체적으로 보면 휘도의 불균일로 보이게 된다. 이러한 휘도 불균일 문제를 해결하기 위해 다양한 시도들이 이루어지고 있다.
상기 휘도 불균일 문제는 구동 트랜지스터의 특성을 보상하는 방법으로 해결한다. 구동 트랜지스터의 특성을 보상하는 방법은 구동 방식에 따라 크게 2가지로 나누어진다. 즉, 전압 기입 방식을 이용하는 방법, 전류 기입 방식을 이용하는 방법이 있다.
전압 기입 방식을 이용하는 방법은 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 커패시터에 저장하고, 저장된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 방법이다.
전류 기입 방식을 이용하는 방법은 영상 신호를 전류로 공급하고, 상기 영상 신호 전류에 상응하는 구동 트랜지스터의 소스-게이트간 전압차를 커패시터에 저장한다. 이후에 구동 트랜지스터를 전압원과 연결하여, 영상 신호 전류와 동일한 전류가 구동 트랜지스터에 흐르도록 한다. 즉, 구동 트랜지스터의 소자 특성 차이에 상관없이 유기 발광층에 인가되는 전류의 값은 영상 신호로 들어오는 전류의 값이 된다. 따라서, 휘도의 불균일성이 개선된다.
다만, 상술한 휘도의 불균일 현상을 개선하는 방법들은 유기 발광층을 가지는 유기전계발광소자가 정상적인 상황을 전제로 한 것이다. 제조 공정에서 유기 발광층이 핀 홀(Pin Hole) 등의 결함을 가지는 경우, 구동 트랜지스터의 특성 차이를 보상한다 하더라도, 유기전계발광장치는 정상적인 발광을 수행할 수 없게 된다.
유기전계발광소자가 결함을 가지는 경우, 이를 확인하는 방법은 유기전계발광장치를 정상 동작시켜서, 디스플레이되는 화면을 관찰하는 방법을 사용한다. 그러나, 이러한 방법은 유기전계발광소자가 가지는 진행성 불량을 감지할 수 없으며, 화소를 구성하는 다수의 트랜지스터들을 동작시켜야하는 부담을 가진다.
따라서, 유기전계발광장치에 화면을 디스플레이하지 않고, 전기적으로 유기전계발광소자의 정상 동작 유무를 확인할 수 있는 유기전계발광장치가 요구된다 할 것이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 유기전계발광장치를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 주사 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성된 유기전계발광장치에 있어서, 제1 전원 라인에 연결되며, 상기 주사 라인으로부터 주사 신호를 공급받고, 상기 데이터 라인으로부터 수신된 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부; 상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 역바이어스 전원 사이에 연결된 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1 전원 라인에 연결되고, 주사 라인을 통해 주사 신호를 공급받고, 데이터 라인으로부터 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부; 상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치를 제공한다.
본 발명의 상기 목적은, 제1 전원 라인에 연결되고, 주사 라인을 통해 주사 신호를 공급받고, 데이터 라인으로부터 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부; 상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 상기 유기전계발광소자의 애노드와 상기 데이터 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 제1 역바이어스 트랜지스터; 및 상기 데이터 라인과 역바이어스 전원 사이에 연결되고, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터에 상기 역바이어스를 공급하기 위한 제2 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치의 제공을 통해서도 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은, 제1 전원 라인에 연결되고, 이전 주사 신호의 제어에 따라 초기화 라인을 통해 초기화 신호를 공급받고, 현재 주사 신호에 따라 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 수신하며, 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부; 상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및 상기 초기화 라인과 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치의 제공을 통해서도 달성될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기전계발광장치는 화소 구동부(101), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(101)는 다수의 트랜지스터들 및 커패시터로 구성된다. 또한, 화소 구동부(101)는 주사 라인(103)과 데이터 라인(105)이 교차하는 영역에 형성된다. 주사 라인(103)으로부터 공급되는 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되면, 화소 구동부(101)는 선택되고, 선택된 화소 구동부(101)로 데이터 신호 DATA[m]이 인가된다. 상기 데이터 신호 DATA[m]은 데이터 라인(105)을 통해 화소 구동부(101)로 인가된다. 화소 구동부(101)로 인가된 데이터 신호 DATA[m]은 상기 화소 구동부(101)에 구비된 커패시터에 전압의 형태로 저장된다. 또한, 데이터 신호 DATA[m]은 전압의 형태로 화소 구동부(101)에 인가될 수 있으며, 전류의 형태로 화소 구동부(101)에 인가되거나, 소정의 전류를 화소 구동부(101)로부터 싱크(sink)하는 형태가 될 수 있다.
또한, 상기 화소 구동부(101)는 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(107)에 연결된다. 화소 구동부(101)는 제1 전원 라인(107)을 통해 구동 전류의 발생에 필요한 전력을 공급받는다.
또한, 상기 화소 구동부(101)는 발광 제어 신호를 수신하여 구동 전류가 유기전계발광소자 OLED에 인가되는 것을 제어할 수 있다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(101)와 음의 전원 전압 ELVSS를 공급 하는 제2 전원 라인(109) 사이에 연결된다. 상기 유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(101)에 공급된 데이터 신호 DATA[m]에 상응하는 구동 전류를 공급받아 소정의 휘도를 가지고 발광한다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 역바이어스 전원 Vr 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다.
유기전계발광장치에 데이터 신호 DATA[m]이 인가되어 상기 유기전계발광소자 OLED가 발광 동작을 개시하기 이전, 또는 이후에 유기전계발광소자 OLED에 역바이어스가 인가될 수 있다. 즉, 유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하는 시간 구간을 제외한 나머지 구간인 비표시 구간에서 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가될 수 있다. 즉, 비표시 구간에서 역바이어스 제어신호 Vctl이 로우 레벨로 활성화되면, 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온되고, 역바이어스 트랜지스터 MR을 통해 역바이어스가 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극에 인가된다. 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt가 유지되도록 한다. 바람직하게는, 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 약 -12 Volt이다.
또한, 역바이어스 전압은 유기전계발광장치의 정상적인 발광 동작이 개시되기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 여부를 사전에 검출하기 위해 인가될 수도 있다.
예컨대, 유기전계발광소자 OLED가 정상적인 특성을 가지는 경우, 역바이어스 전압이 인가되는 유기전계발광소자 OLED를 흐르는 누설전류는 실질적으로 0 A이다. 그러나, 유기전계발광소자 OLED가 결함을 가지고 있는 경우, 역바이어스 전압에 따라 누설전류가 발생하게 된다. 따라서, 역바이어스 전압이 인가되는 누설전류에 따라 유기전계발광소자 OLED의 정상 유무를 확인할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 2a를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(201), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(201)는 스위칭 트랜지스터 M11, 커패시터 C1 및 구동 트랜지스터 M12을 가진다.
스위칭 트랜지스터 M11의 제1 전극은 데이터 라인(205)에 연결되고, 제2 전극은 구동 트랜지스터 M12의 게이트에 연결된다. 또한, 스위칭 트랜지스터 M11의 게이트는 주사 라인(203)에 연결된다. 따라서, 주사 라인(203)을 통해 인가되는 주사 신호 SCAN[n]에 따라 스위칭 트랜지스터 M11은 온/오프 동작을 수행한다. 주사 신호 SCAN[n]에 의해 상기 스위칭 트랜지스터 M11이 턴온되는 경우, 데이터 라인(205)으로부터 데이터 전압 Vdata는 구동 트랜지스터 M12 및 커패시터 C1로 인가된다.
커패시터 C1은 스위칭 트랜지스터 M11의 제2 전극 및 제1 전원 라인(207) 사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 M11을 통해 인가되는 데이터 전압 Vdata는 상기 커패시터 C1에 저장되며, 저장된 데이터 전압 Vdata에 따라 구동 전류는 발생한다.
구동 트랜지스터 M12는 제1 전원 라인(207)과 유기전계발광소자 OLED 사이에 연결된다. 또한, 상기 구동 트랜지스터 M12의 게이트는 커패시터 C1 및 스위칭 트랜지스터 M11의 제2 전극에 연결된다. 즉, 구동 트랜지스터 M12의 제1 전극은 제1 전원 라인(207)에 연결되고, 구동 트랜지스터 M12의 제2 전극은 유기전계발광장치의 애노드 전극에 연결된다. 따라서, 구동 트랜지스터 M12의 소스-게이트 사이의 전압차 Vgs는 커패시터 C1 양단에 인가되는 전압차가 된다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(201)의 구동 트랜지스터 M12의 제2 전극 및 음의 전원 전압 ELVSS가 인가되는 제2 전원 라인(209) 사이에 연결된다. 상기 유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(201)의 구동 트랜지스터 M12에서 발생된 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행한다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 역바이어스 전원 Vr과 유기전계발광소자 OELD의 애노드 전극 사이에 연결된다. 상기 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 전극에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다. 상기 역바이어스 제어신호 Vctl은 유기전계발광소자 OLED가 발광 동작을 수행하지 않는 구간에서 역바이어스 트랜지스터 MR을 턴온시킬 수 있다. 즉, 유기전계발광장치가 정상적인 발광 동작을 개시하기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 확인하기 위해 역바이어스가 인가될 수 있으며, 수직 동기 신호의 비표시 구간 동안 역바이어스가 인가될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 전류 기입형 유기전계발광장치가 개시된다. 상기 도 2b에 도시된 유기전계발광장치는 데이터 드라이버로 싱크(sink)되는 데이터 전류 Idata에 상응하는 Vgs를 화소 구동부의 커패시터에서 저장하고, 유기전계발광소자 OLED 의 발광 동작시, 데이터 전류 Idata와 동일한 전류가 유기전계발광소자 OLED에 인가되는 동작 형태를 가진다.
상기 전류 기입형 유기전계발광장치는 화소 구동부(211), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(211)는 제1 스위칭 트랜지스터 M21, 커패시터 C2, 구동 트랜지스터 M22, 제2 스위칭 트랜지스터 M23 및 발광제어 트랜지스터 M24를 가진다.
제1 스위칭 트랜지스터 M21은 주사 라인(213)을 통해 전송되는 주사 신호 SCAN[n]의 제어에 따라 온오프 동작을 수행한다. 또한, 제1 스위칭 트랜지스터 M21의 제1 전극은 데이터 라인(215)에 연결되고, 제1 스위칭 트랜지스터 M21의 제2 전극은 커패시터 C2 및 구동 트랜지스터 M22에 연결된다.
커패시터 C2는 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(217)과 상기 제1 스위칭 트랜지스터 M21의 제2 전극 사이에 배치된다.
또한, 구동 트랜지스터 M22는 제1 전원 라인(217)과 발광제어 트랜지스터 M24 사이에 연결되며, 구동 트랜지스터 M22의 게이트는 제1 스위칭 트랜지스터 M21의 제2 전극 및 커패시터 C2에 연결된다. 구동 트랜지스터 M22의 제1 전극은 제1 전원 라인(217)에 연결되고, 구동 트랜지스터 M22의 제2 전극은 발광제어 트랜지스터 M24에 연결된다.
제2 스위칭 트랜지스터 M23은 주사 신호 SCAN[n]의 제어에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 또한, 제2 스위칭 트랜지스터 M23의 제1 전극은 구동 트랜지스터 M22의 제2 전극에 연결되고, 제2 스위칭 트랜지스터 M23의 제2 전극은 데이터 라인 (215)에 연결된다.
화소 구동부(211)에 데이터 전류 Idata가 기입되는 경우, 주사 신호 SCAN[n]에 의해 제1 스위칭 트랜지스터 M21 및 제2 스위칭 트랜지스터 M23은 턴온된다. 또한, 데이터 드라이버에 의해 데이터 전류 Idata는 싱크된다. 따라서, 제2 스위칭 트랜지스터 M23을 통해 데이터 라인(215)로 데이터 전류 Idata는 흐른다. 상기 데이터 전류 Idata는 제1 전원 라인(217) 및 구동 트랜지스터 M22를 통해 공급된다. 따라서, 커패시터 C2에는 데이터 전류 Idata에 상응하는 Vgs가 저장된다.
발광제어 트랜지스터 M24는 구동 트랜지스터 M22 및 유기전계발광소자 OLED 사이에 연결된다. 발광제어 트랜지스터 M24는 게이트에 인가되는 발광 제어 신호 EMI[n]에 따라 온/오프되며, 발광제어 트랜지스터 M24의 제1 전극은 구동 트랜지스터 M22 및 제2 스위칭 트랜지스터 M23에 연결되고, 발광제어 트랜지스터 M24의 제2 전극은 유기전계발광소자 OLED의 애노드 단자에 연결된다. 발광 제어 신호 EMI[n]에 따라 발광제어 트랜지스터 M24가 턴온되는 경우, 커패시터 C2에 전압의 형태로 저장된 데이터 신호 Idata는 유기전계발광소자 OLED로 흐르고, 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
유기전계발광소자 OLED는 발광제어 트랜지스터 M24의 제2 전극 및 음의 전원 전압 ELVSS를 공급하는 제2 전원 라인(219) 사이에 연결되고, 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행한다.
또한, 역바이어스 트랜지스터 MR은 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 및 역바이어스 전원 Vr 사이에 연결된다. 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에 는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가되며, 상기 역바이어스 제어신호 Vctl에 따라 역바이어스 트랜지스터 MR은 온/오프 동작을 수행한다.
유기전계발광장치가 정상적인 발광 동작을 수행하기 이전에 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온되고, 유기전계발광소자 OLED에 역바이어스가 인가되어 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 확인할 수 있다. 또한, 수직 동기 신호가 인가되는 기간 중에 비표시 구간에서도 역바이어스는 유기전계발광소자 OLED에 인가될 수 있다.
실시예 2
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기전계발광장치는 화소 구동부(301), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(301)는 다수의 트랜지스터들 및 커패시터로 구성된다. 또한, 화소 구동부(301)는 주사 라인(303)과 데이터 라인(305)이 교차하는 영역에 형성된다. 주사 라인(303)으로부터 공급되는 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되면, 화소 구동부(301)는 선택되고, 선택된 화소 구동부(301)로 데이터 신호 DATA[m]이 인가된다. 상기 데이터 신호 DATA[m]은 데이터 라인(305)을 통해 화소 구동부(301)로 인가된다. 화소 구동부(301)로 인가된 데이터 신호 DATA[m]은 상기 화소 구동부(301)에 구비된 커패시터에 전압의 형태로 저장된다. 또한, 데이터 신호 DATA[m]은 전압의 형태로 화소 구동부(301)에 인가될 수 있으며, 전류의 형태로 화소 구동부(301)에 인가되거나, 소정의 전류를 화소 구동부(301)로부터 싱크(sink)하는 형태가 될 수 있다.
또한, 상기 화소 구동부(301)는 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(307)에 연결된다. 화소 구동부(301)는 제1 전원 라인(307)을 통해 구동 전류의 발생에 필요한 전력을 공급받는다.
또한, 상기 화소 구동부(301)는 발광 제어 신호를 수신하여 구동 전류가 유기전계발광소자 OLED에 인가되는 것을 제어할 수 있다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(301)와 음의 전원 전압 ELVSS를 공급하는 제2 전원 라인(309) 사이에 연결된다. 상기 유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(301)에 공급된 데이터 신호 DATA[m]에 상응하는 구동 전류를 공급받아 소정의 휘도를 가지고 발광한다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 제1 전원 라인(307) 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다. 예컨대, 역바이어스 트랜지스터 MR이 역바이어스 제어신호 Vctl에 의해 턴온된 경우, 제1 전원 라인(307)에는 양의 전원 전압 ELVDD 대신에 낮은 레벨을 가지는 전압이 인가되며, 제2 전원 라인(309)에는 음의 전원 전압 ELVDD 대신에 높은 레벨을 가지는 전압이 인가된다. 따라서, 역바이어스 트랜지스터 MR이 턴온되는 경우, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다.
유기전계발광장치에 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되고, 데이터 신호 DATA[m] 이 인가되어 상기 유기전계발광소자 OLED가 발광 동작을 개시하기 이전, 또는 이후에 유기전계발광소자 OLED에 역바이어스가 인가될 수 있다. 즉, 유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하는 시간 구간을 제외한 나머지 구간인 비표시 구간에서 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가될 수 있다. 즉, 비표시 구간에서 역바이어스 제어신호 Vctl이 로우 레벨로 활성화되면, 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온되고, 역바이어스 트랜지스터 MR을 통해 역바이어스가 유기전계발광소자 OLED에 인가된다. 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt가 유지되도록 한다. 바람직하게는, 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 약 -12 Volt이다.
또한, 역바이어스 전압은 유기전계발광장치의 정상적인 발광 동작이 개시되기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 여부를 사전에 검출하기 위해 인가될 수도 있다.
예컨대, 유기전계발광소자 OLED가 정상적인 특성을 가지는 경우, 역바이어스 전압이 인가되는 유기전계발광소자 OLED를 흐르는 누설전류는 실질적으로 0 A이다. 그러나, 유기전계발광소자 OLED가 결함을 가지고 있는 경우, 역바이어스 전압에 따라 누설전류가 발생하게 된다. 따라서, 역바이어스 전압이 인가되는 누설전류에 따라 유기전계발광소자 OLED의 정상 유무를 확인할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 4a를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(401), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(401)는 스위칭 트랜지스터 M31, 캐패시터 C3 및 구동 트랜지스터 M32를 가진다. 상기 도 4a에서 개시된 화소 구동부(401)의 구성 및 동작은 상기 도 2a에서 설명된 바와 동일하다. 따라서, 주사 라인(403)을 통해 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되고, 데이터 라인(405)을 통해 데이터 전압 Vdata가 인가되면, 커패시터 C3에는 데이터 전압 Vdata가 저장된다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(401)의 구동 트랜지스터와 제2 전원 라인(409) 사이에 연결된다. 유기전계발광소자 OLED가 정상적인 발광 동작을 수행하는 경우, 제2 전원 라인(409)에는 음의 전원 전압 ELVSS가 인가되고, 상기 화소 구동부(401)에 저장된 데이터 전압 Vdata에 상응하는 구동 전류에 따라 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 제1 전원 라인(407) 및 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에 연결되고, 역바이어스 제어신호 Vctl에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 유기전계발광소자 OLED가 정상적인 발광 동작을 수행하는 경우, 제1 전원 라인(407)에는 양의 전원 전압 ELVDD가 인가되고, 제2 전원 라인(409)에는 음의 전원 전압 ELVSS가 인가된다. 그러나, 역바이어스 제어신호 Vctl의 활성화에 따라 역바이어스 트랜지스터 MR이 턴온되는 경우, 제1 전원 라인(407)에는 ELVDD보다 낮은 전압이 인가되고, 제2 전원 라인(409)에는 ELVSS보다 높은 전압이 인가되어 유기전계발광소자 OLED에 역바이어스 전압이 인가된다.
도 4b를 참조하면, 유기전계발광장치는 데이터 전류 Idata를 전압의 형태로 저장하고 이에 상응하는 구동 전류를 발생하기 위한 화소 구동부(411), 상기 화소 구동부(411)에 연결되고, 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자 OLED 및 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 제1 전원 라인(417) 사이에 연결된 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
화소 구동부(411)은 제1 스위칭 트랜지스터 M41, 커패시터 C4, 구동 트랜지스터 M42, 제2 스위칭 트랜지스터 M43 및 발광제어 트랜지스터 M44를 가진다. 상기 도 4b에 도시된 화소 구동부(411)의 구성 및 동작은 상기 도 2b에 도시된 화소 구동부(211)의 구성 및 동작과 동일하다. 따라서, 주사 라인(413)을 통해 인가되는 주사 신호 SCAN[n]에 따라 제1 스위칭 트랜지스터 M41 및 제2 스위칭 트랜지스터 M43은 턴온되고, 구동 트랜지스터 M42로부터 데이터 라인(415)을 통해 데이터 전류 Idata는 싱크된다. 따라서, 커패시터 C4에는 데이터 전류 Idata에 상응하는 Vgs가 저장된다. 발광 제어 신호 EMI[n]이 활성화되는 경우, 발광제어 트랜지스터 M44는 턴온되고, 데이터 전류 Idata와 실질적으로 동일한 구동 전류가 유기전계발광소자 OLED에 흐르게 된다.
발광 동작을 수행하는 유기전계발광소자 OLED는 발광제어 트랜지스터 M44 및 제2 전원 라인(419) 사이에 연결된다. 정상 동작의 경우, 유기전계발광소자 OLED의 캐소드 전극에는 제2 전원 라인(419)을 통해 음의 전원 전압 ELVSS가 인가되고, 구동 전류가 흘러 발광 동작을 수행한다. 유기전계발광장치가 정상 동작을 수행하기 이전 또는 비표시 기간 동안, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 제1 전 원 라인(417) 사이에 연결된다. 상기 역바이어스 트랜지스터 MR은 역바이어스 제어신호 Vctl에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 역바이어스 트랜지스터 MR이 오프 상태인 동안, 유기전계발광소자 OLED는 정상적인 발광 동작을 수행하며, 역바이어스 트랜지스터 MR이 턴온된 경우, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스 전압이 인가된다.
실시예 3
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기전계발광장치는 화소 구동부(501), 유기전계발광소자 OLED, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2를 가진다.
화소 구동부(501)는 주사 라인(503)을 통해 인가되는 주사 신호 SCAN[n]에 의해 선택되고, 데이터 라인(505)을 통해 인가되는 데이터 신호 DATA[m]을 수신한다. 상기 데이터 신호 DATA[m]은 데이터 전압 또는 데이터 전류이다. 또한, 상기 화소 구동부(501)는 제1 전원 라인(507)에 연결되어 유기전계발광소자 OLED가 발광 동작을 수행하는 경우, 상기 제1 전원 라인(507)으로부터 양의 전원 전압 ELVDD를 공급받아 유기전계발광소자 OLED의 발광에 요구되는 전력을 공급한다.
유기전계발광소자 OLED는 상기 화소구동부(501)과 제2 전원 라인(509)사이에 배치된다. 즉, 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극은 화소 구동부(501)에 연결되고, 유기전계발광소자 OLED의 캐소드 전극은 제2 전원 라인(509)에 연결된다. 유기 전계발광소자 OLED가 발광 동작을 수행하는 경우, 제2 전원 라인(509)를 통해 음의 전원 전압 ELVSS가 인가된다.
제1 역바이어스 트랜지스터 MR1은 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 데이터 라인(505) 사이에 연결된다. 또한, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다. 역바이어스 제어신호 Vctl이 로우 레벨로 활성화되는 경우, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1은 턴온되고, 데이터 라인(505)과 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극은 전기적으로 연결된다.
제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 역바이어스 전원 Vr과 데이터 라인(505) 사이에 연결된다. 또한, 상기 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다. 따라서, 역바이어스 제어신호 Vctl이 로우 레벨로 활성화되는 경우, 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 턴온되고, 데이터 라인(505)과 역바이어스 전원 Vr은 전기적으로 연결된다. 즉, 역바이어스 제어신호 Vctl은 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2에 공통으로 연결된다.
유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하는 경우, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 오프 상태를 유지한다. 또한, 주사 라인(503)을 통해 주사 신호 SCAN[n]이 화소 구동부(501)에 인가되고, 데이터 신호 DATA[m]은 데이터 라인(505)을 통해 화소 구동부(501)에 인가된다. 상기 화소 구동부(501)는 인가된 데이터 신호 DATA[m]에 따라 구동 전류를 발생하고, 발생된 구동 전류는 유기전계발광소자 OLED로 흐르며, 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작 을 개시한다.
그러나, 유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 검출하고자 하거나, 비표시 기간 동안 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 검출하고자 하는 경우, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 턴온된다. 따라서, 턴온된 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2를 통해 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다. 즉, 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극에는 역바이어스 전원 Vr이 인가되며, 화소 구동부(501)는 구동 전류를 발생하지 않는다.
역바이어스가 인가되는 경우, 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt가 유지되도록 한다. 바람직하게는, 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 약 -12 Volt이다.
또한, 실시의 형태에 따라 상기 화소 구동부(501)는 발광 제어 신호가 입력되어 발광 제어 신호에 따라 구동 전류를 유기전계발광소자에 공급할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 6a를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(601), 유기전계발광소자 OLED, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2를 가진다.
화소 구동부(601)는 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(607)과 유기전계발광소자 OLED 사이에 연결되며, 스위칭 트랜지스터 M51, 커패시터 C5 및 구동 트랜지스터 M52를 가진다. 상기 도 6a에서 개시된 화소 구동부(601)의 구성 및 동작은 상기 도 2a에서 설명된 바와 동일하다. 따라서, 주사 라인(603)을 통해 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되고, 데이터 라인(605)을 통해 데이터 전압 Vdata가 인가되면, 커패시터 C5에는 데이터 전압 Vdata가 저장된다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(601)의 구동 트랜지스터 M52와 제2 전원 라인(609) 사이에 연결된다. 유기전계발광소자 OLED가 정상적인 발광 동작을 수행하는 경우, 제2 전원 라인(609)에는 음의 전원 전압 ELVSS가 인가되고, 상기 화소 구동부(601)에 저장된 데이터 전압 Vdata에 상응하는 구동 전류에 따라 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
제1 역바이어스 트랜지스터 MR1은 데이터 라인(605) 및 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에 연결되며, 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 데이터 라인(605)과 역바이어스 전원 Vr 사이에 연결된다.
유기전계발광소자 OLED가 정상적인 발광 동작을 수행하는 경우, 역바이어스 제어신호 Vctl은 하이 레벨을 유지하고, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 오프 상태를 유지한다. 따라서, 역바이어스 전원 Vr과 유기전계발광소자 OLED 사이의 전기적 연결은 차단되며, 주사신호 SCAN[n] 및 데이터 전압 Vdata에 따라 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 수행한다.
유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 검출하고자 하거나, 비표시 기간 동안 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 검출하고자 하는 경우, 역바이어스 제어신호 Vctl에 의해 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 턴온된다. 또한, 상기 화소 구동부(601)는 구동 전류를 발생하지 않는다. 역바이어스 트랜지스터들의 턴온에 의해 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극에는 역바이어스 전원 Vr이 인가되며, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다.
도 6b를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(611), 유기전계발광소자 OLED, 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2를 가진다.
상기 화소 구동부(611)은 상기 도 2b에 도시된 화소 구동부와 그 구성 및 동작이 동일하다. 따라서, 유기전계발광소자 OLED가 발광 동작을 수행하는 경우, 주사 라인(613)을 통해 주사 신호 SCAN[n]이 인가되고, 제1 스위칭 트랜지스터 M61 및 제2 스위칭 트랜지스터 M63은 턴온된다. 또한, 데이터 라인(615)를 흐르는 데이터 전류 Idata에 상응하는 구동 트랜지스터 M62의 Vgs는 커패시터 C6에 저장된다. 또한, 발광 제어 신호 EMI[n]의 활성화에 의해 발광제어 트랜지스터 M64는 턴온되어, 유기전계발광소자 OLED의 발광 동작이 수행된다.
유기전계발광장치가 발광 동작을 수행하기 이전에 유기전계발광소자 OLED의 불량 여부를 확인하거나, 비표시 기간 동안 유기전계발광소자 OLED의 불량 여부를 확인하고자 하는 경우, 상기 화소 구동부(611)은 구동 전류를 발생하지 않는다. 또한, 역바이어스 제어신호 Vctl에 의해 제1 역바이어스 트랜지스터 MR1 및 제2 역바이어스 트랜지스터 MR2는 턴온되고, 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극에는 역 바이어스 전원 Vr이 인가된다. 따라서, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다.
실시예 4
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기전계발광장치를 도시한 블록도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기전계발광장치는 초기화 동작을 수행하고 데이터 신호 DATA[m]에 상응하는 구동 전류를 발생하기 위한 화소 구동부(701), 상기 화소 구동부(701)에서 발생된 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자 OLED 및 초기화 라인(709)을 통해 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
상기 화소 구동부(701)는 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(707)과 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에 연결된다. 유기전계발광소자 OLED 가 발광 동작을 수행하는 경우, 상기 화소 구동부(701)에는 이전 주사 신호 SCAN[n-1]이 활성화되어 인가되고, 초기화 라인(709)를 통해 초기화 신호 Vinit가 인가된다. 또한, 현재 주사 라인(703)을 통해 현재 주사 신호 SCAN[n]이 화소 구동부(701)에 인가된다. 활성화된 현재 주사 신호 SCAN[n]에 의해 데이터 신호 DATA[m]은 화소 구동부에 입력되고, 데이터 라인(705)를 통해 입력된 데이터 신호 DATA[m]은 화소 구동부(701)의 커패시터에 저장된다. 계속해서, 발광 제어 신호 EMI[n]이 활성화되면, 화소 구동부(701)에서 발생된 구동 전류는 유기전계발광소자 OLED로 흐르고, 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
유기전계발광소자 OLED는 화소 구동부(701)와 음의 전원 전압 ELVSS를 공급하는 제2 전원 라인(708) 사이에 연결된다. 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극은 화소 구동부(701)에 연결되고, 유기전계발광소자 OLED의 캐소드 전극은 제2 전원 라인(708)에 연결된다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 초기화 라인(709)와 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다.
유기전계발광장치가 발광 동작을 수행하는 경우, 역바이어스 제어신호 Vctl은 하이 레벨을 유지하고, 역바이어스 트랜지스터 MR은 오프 상태를 유지한다. 따라서 초기화 라인(709)과 유기전계발광소자 OLED 사이의 전기적 연결은 차단된다. 또한, 이전 주사 신호 SCAN[n-1] 및 현재 주사 신호 SCAN[n]이 연속하여 입력되고, 화소 구동부(701)는 데이터 신호 DATA[m]을 저장하고, 화소 구동부(701)에서 발생된 구동 전류는 발광 제어 신호 EMI[n]에 의해 유기전계발광소자 OLED로 흐른다. 구동 전류에 의해 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 수행한다.
유기전계발광장치가 발광 동작을 수행하기 이전 또는 비표시 기간 동안 유기전계발광소자 OLED의 불량 유무를 확인하는 경우, 역바이어스 제어신호 Vctl은 로우 레벨로 활성화되고, 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온된다. 또한, 화소 구동부(701)은 구동 전류를 발생하지 않는다. 턴온된 역바이어스 트랜지스터 MR에 의해 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극은 초기화 라인(709)와 전기적으로 연결된다. 초기화 라인(709)을 통해 역바이어스가 인가되면, 유기전계발광소자 OLED에는 역바 이어스가 인가된다. 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt가 유지되도록 한다. 바람직하게는, 상기 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압차는 약 -12 Volt이다.
즉, 상기 유기전계발광소자 OLED가 소정의 원인에 의해 특성 불량을 일으킬 경우, 역바이어스가 인가된 유기전계발광소자 OLED에는 누설 전류가 흐르게 되므로 유기전계발광소자의 불량 유무가 검출된다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따라 유기전계발광장치를 도시한 회로도들이다.
도 8a를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(801), 유기전계발광소자 OLED, 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
상기 화소 구동부(801)는 초기화 트랜지스터 M71, 스위칭 트랜지스터 M72, 보상 트랜지스터 M73, 구동 트랜지스터 M74, 커패시터 C7 및 발광제어 트랜지스터 M75를 가진다.
초기화 트랜지스터 M71은 초기화 라인(809) 및 보상 트랜지스터 M73 사이에 연결된다. 상기 초기화 트랜지스터 M71은 이전 주사 신호 SCAN[n-1]에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 턴온된 경우, 초기화 라인(809)을 통해 수신되는 초기화 신호 Vinit를 커패시터 C7에 전달한다.
스위칭 트랜지스터 M72는 데이터 라인(805)와 보상 트랜지스터 M73 사이에 연결된다. 또한, 스위칭 트랜지스터 M72는 현재 주사 라인(803)을 통해 수신되는 현재 주사 신호 SCAN[n]에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 상기 스위칭 트랜지스터 M72가 턴온된 경우, 데이터 라인(805)을 통해 전송되는 데이터 전압 Vdata는 보상 트랜지스터 M73에 인가된다.
보상 트랜지스터 M73은 스위칭 트랜지스터 M72 및 초기화 트랜지스터 M71 사이에 연결된다. 상기 보상 트랜지스터 M73은 구동 트랜지스터 M74가 가지는 문턱 전압을 보상한다. 또한, 보상 트랜지스터 M73은 게이트 전극과 드레인 전극이 전기적으로 연결된 다이오드 구조를 가진다. 스위칭 트랜지스터 M72의 턴온에 의해 데이터 전압 Vdata가 보상 트랜지스터 M73에 인가되고, 보상 트랜지스터 M73의 문턱 전압을 Vth1이라 한다면, 다이오드 연결된 구조로 인해 상기 보상 트랜지스터 M73의 게이트 단자에 인가되는 전압은 Vdata-｜Vth1｜ 이다.
커패시터 C7은 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(807)과 보상 트랜지스터 M73의 게이트 단자 사이에 연결된다. 스위칭 트랜지스터 M71이 턴온된 경우, 보상 트랜지스터 M73의 게이트 단자에 인가되는 전압 Vdata-｜Vth1｜은 상기 커패시터 C7에 저장된다. 즉, 커패시터 C7은 ELVDD-(Vdata-｜Vth1｜)의 전압차를 저장한다.
구동 트랜지스터 M74는 제1 전원 라인(807)과 발광제어 트랜지스터 M75 사이에 연결되며, 구동 트랜지스터 M74의 게이트 단자는 보상 트랜지스터 M73의 게이트 단자 및 커패시터 C7의 일측 단자에 공통 연결된다. 상기 구동 트랜지스터 M74는 커패시터 C7의 양단에 인가된 전압차 ELVDD-(Vdata-｜Vth1｜)에 상응하는 구동 전류를 형성한다. 구동 트랜지스터 M74의 문턱 전압을 Vth2라 한다면, 구동 전류는 (Vsg-｜Vth2｜)2에 비례한다. 따라서 구동 전류 I는 다음의 수학식 1에 의해 구해진다.
I=K(ELVDD-Vdata+｜Vth1｜-｜Vth2｜)², K는 상수
발광제어 트랜지스터 M75는 구동 트랜지스터 M74와 유기전계발광소자 OLED 사이에 연결된다. 또한, 발광제어 트랜지스터 M75의 게이트 단자에는 발광 제어 신호 EMI[n]이 인가된다. 발광 제어 신호 EMI[n]이 로우 레벨로 활성화되는 경우, 구동 트랜지스터 M74에서 발생된 구동 전류는 유기전계발광소자 OLED로 흐르고, 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
유기전계발광소자 OLED는 발광제어 트랜지스터 M75와 음의 전원 전압 ELVSS를 공급하는 제2 전원 라인(808) 사이에 연결된다. 발광제어 트랜지스터 M75의 턴온에 의해 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 수행한다. 또한, 상기 역바이어스 트랜지스터 MR이 턴온되는 경우, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 초기화 라인(809) 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다.
유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하기 위해 발광 동작을 수행하는 경우, 상기 역바이어스 트랜지스터 MR은 역바이어스 제어신호 Vctl에 의해 오프 상태 를 유지한다.
그러나, 상기 유기전계발광장치가 발광 동작을 수행하기 이전, 또는 비표시 구간에서 유기전계발광소자 OLED의 불량 여부를 확인하는 경우, 역바이어스 제어신호 Vctl에 의해 상기 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온된다. 또한, 상기 화소 구동부(801)은 구동 전류를 발생하지 않는다. 역바이어스 트랜지스터 MR이 턴온된 경우, 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극과 초기화 라인(809) 사이에는 전기적 연결이 달성되며, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다. 역바이어스는 제2 전원 라인(808)에 음의 전원 전압 ELVSS보다 높은 전압을 인가하고, 초기화 라인(809)에 초기화 신호 Vinit보다 낮은 전압을 인가하여 달성한다.
도 8b를 참조하면, 유기전계발광장치는 화소 구동부(811), 유기전계발광소자 OLED 및 역바이어스 트랜지스터 MR을 가진다.
상기 화소 구동부(811)는 초기화 트랜지스터 M81, 제1 스위칭 트랜지스터 M82, 제2 스위칭 트랜지스터 M83, 구동 트랜지스터 M84, 제3 스위칭 트랜지스터 M85, 커패시터 C8 및 발광제어 트랜지스터 M86을 가진다.
초기화 트랜지스터 M81은 초기화 라인(819) 및 커패시터 C8 사이에 연결된다. 상기 초기화 트랜지스터 M81은 이전 주사 신호 SCAN[n-1]에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 턴온된 경우, 초기화 라인(819)을 통해 수신되는 초기화 신호 Vinit를 커패시터 C8에 전달한다.
제1 스위칭 트랜지스터 M82는 데이터 라인(815)과 구동 트랜지스터 M84 사이에 연결된다. 현재 주사 라인(813)을 통해 현재 주사 신호 SCAN[n]이 로우 레벨로 활성화되면, 제1 스위칭 트랜지스터 M82는 턴온되고, 데이터 라인(815) 상의 데이터 전압 Vdata는 상기 구동 트랜지스터 M84에 인가된다.
제2 스위칭 트랜지스터 M83은 발광제어 트랜지스터 M86과 구동 트랜지스터 M84의 게이트 단자 사이에 연결된다. 상기 제2 스위칭 트랜지스터 M83은 현재 주사 신호 SCAN[n]에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 따라서, 현재 주사 신호 SCAN[n]에 의해 제2 스위칭 트랜지스터 M83이 턴온된 경우, 구동 트랜지스터 M84의 게이트 단자와 드레인 단자는 전기적으로 단락되는 구조를 가진다.
구동 트랜지스터 M84는 제1 스위칭 트랜지스터 M82와 발광제어 트랜지스터 M86 사이에 연결된다. 구동 트랜지스터 M84는 현재 주사 신호 SCAN[n]이 로우 레벨로 활성화되면, 제2 스위칭 트랜지스터 M83의 턴온에 의해 다이오드 연결된 트랜지스터가 된다. 또한, 제1 스위칭 소자를 통해 데이터 전압 Vdata가 인가되므로, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 단자 전압은 Vdata-｜Vth｜가 된다. 따라서 커패시터 C8의 일측 단자에는 Vdata-｜Vth｜의 전압이 인가된다.
제3 스위칭 트랜지스터 M85는 제1 스위칭 트랜지스터 M82 및 구동 트랜지스터 M84가 공통 연결된 노드와 양의 전원 전압 ELVDD를 공급하는 제1 전원 라인(817) 사이에 연결된다. 또한, 상기 제3 스위칭 트랜지스터 M85의 게이트 단자에는 발광 제어 신호 EMI[n]이 입력된다. 따라서, 제3 스위칭 트랜지스터 M85는 발광 제어 신호 EMI[n]에 따라 온/오프 동작을 수행한다. 제3 스위칭 트랜지스터 M85가 턴온된 경우, 제1 전원 라인(817)로부터 공급되는 양의 전원 전압 ELVDD는 구동 트랜지스터 M84에 인가되고, 구동 트랜지스터는 구동 전류를 발생한다.
커패시터 C8은 제1 전원 라인(817)과 초기화 트랜지스터 M81 사이에 연결된다. 또한 상기 커패시터 C8은 구동 트랜지스터 M84의 게이트 단자에도 연결된다. 현재 주사 신호 SCAN[n]이 로우 레벨로 활성화된 경우, 제2 스위칭 트랜지스터 M83의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터 M84는 다이오드 연결된 구조를 가지며, 제1 스위칭 트랜지스터 M82의 턴온 동작에 의해 데이터 라인(815)상의 데이터 전압 Vdata는 구동 트랜지스터 M84에 인가된다. 따라서, 구동 트랜지스터 M84의 게이트 단자 및 커패시터 C8의 일측 단자에는 Vdata-｜Vth｜가 인가된다. 즉, 현재 주사 신호 SCAN[n]이 인가되는 동안, 커패시터 C8은 ELVDD-(Vdata-｜Vth｜)의 전압차를 저장한다.
발광제어 트랜지스터 M86은 구동 트랜지스터 M84와 유기전계발광소자 OLED 사이에 연결된다. 또한, 발광제어 트랜지스터 M86의 게이트 단자에는 발광 제어 신호 EMI[n]이 인가된다. 즉, 발광 제어 신호 EMI[n]은 제3 스위칭 트랜지스터 M85와 발광제어 트랜지스터 M86의 게이트 단자들에 공통으로 인가된다. 발광 제어 신호 EMI[n]이 로우 레벨로 활성화되는 경우, 제3 스위칭 트랜지스터 M85 및 발광제어 트랜지스터 M86은 턴온된다. 제3 스위칭 트랜지스터 M85의 턴온에 의해 양의 전원 전압 ELVDD는 구동 트랜지스터 M84에 인가되고, 구동 트랜지스터 M84는 문턱 전압을 보상하면서, 데이터 전압 Vdata에 상응하는 구동 전류를 생성한다. 구동 트랜지스터 M84에서 발생된 구동 전류는 발광제어 트랜지스터 M86을 통해 유기전계발광소자 OLED로 흐르며, 상기 유기전계발광소자 OLED는 발광 동작을 개시한다.
유기전계발광소자 OLED는 발광제어 트랜지스터 M86과 음의 전원 전압 ELVSS 를 공급하는 제2 전원 라인(818) 사이에 연결된다. 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극은 발광제어 트랜지스터 M86 및 역바이어스 트랜지스터 MR에 연결되고, 유기전계발광소자 OLED의 캐소드 전극은 음의 전원 전압 ELVSS를 공급하는 제2 전원 라인(818)에 연결된다.
역바이어스 트랜지스터 MR은 초기화 라인(819)과 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에 연결된다. 또한, 역바이어스 트랜지스터 MR의 게이트 단자에는 역바이어스 제어신호 Vctl이 인가된다. 따라서, 상기 역바이어스 트랜지스터 MR은 역바이어스 제어신호 Vctl에 따라 온/오프 동작을 수행한다.
유기전계발광장치가 영상을 디스플레하는 경우, 상기 역바이어스 트랜지스터는 오프 상태를 유지한다. 따라서, 초기화 라인(819)과 유기전계발광소자 OLED 사이의 전기적 연결은 차단된 상태가 된다. 즉, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가되지 않으며, 유기전계발광장치는 커패시터의 초기화, 데이터 전압 Vdata의 저장 및 발광 동작을 순차적으로 수행한다.
유기전계발광장치가 영상을 디스플레이하기 이전 또는 비표시 기간동안 유기전계발광소자 OLED의 불량유무를 검출하고자 하는 경우, 상기 역바이어스 트랜지스터 MR은 턴온된다. 또한, 화소 구동부(811)는 구동 전류를 발생한지 않는다. 역바이어스 트랜지스터 MR의 턴온에 의해 초기화 라인(819)과 유기전계발광소자 OLED의 애노드 전극 사이에는 전기적 경로가 형성되고, 유기전계발광소자 OLED에는 역바이어스가 인가된다. 역바이어스의 인가는 제2 전원 라인(818)에 음의 전원 전압 ELVSS보다 높은 전압을 인가하고, 초기화 라인(819)에 초기화 신호 Vinit보다 낮은 전압을 인가하여 달성된다.
따라서 상술한 실시예들에 따르면, 영상을 디스플레이하는 동작이 수행되기 이전 또는 비표시 기간동안 역바이어스 트랜지스터를 이용하여 유기전계발광소자 OLED에 역바이어스를 인가한다. 상기 유기전계발광소자 OLED가 소정의 원인에 의해 특성 불량을 일으킬 경우, 역바이어스가 인가된 유기전계발광소자 OLED에는 누설 전류가 흐르게 되므로 유기전계발광소자의 불량 유무가 검출된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 영상을 디스플레이하고, 디스플레이되는 영상 신호를 관찰하여 유기전계발광소자의 정상 동작 유무를 확인하는 것이 아니라, 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하여 역바이어스가 인가된 상태에서 유기전계발광소자에서 발생하는 누설 전류를 검출하여 유기전계발광소자의 정상 동작 유무를 확인할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (26)

  1. 주사 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성된 유기전계발광장치에 있어서,
    제1 전원 라인에 연결되며, 상기 주사 라인으로부터 주사 신호를 공급받고, 상기 데이터 라인으로부터 수신된 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부;
    상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및
    상기 화소 구동부와 연결된 유기전계발광소자의 전극과 역바이어스 전원 사이에 연결된 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터는 역바이어스 제어신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 화소 구동부는 구동 전류를 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 유기전계발광소자에는 역바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이 의 역바이어스 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 데이터 라인에 연결되고, 주사 신호에 응답하여 온/오프 동작을 수행하는 스위칭 트랜지스터;
    상기 스위칭 트랜지스터에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 상기 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터; 및
    상기 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 상응하는 상기 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 데이터 신호는 전압의 형태인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소 구동부는 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하는 발광제어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 데이터 라인과 연결되고, 상기 주사 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하는 제1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 데이터 전류에 상응하는 전압을 저장하기 위한 커패시터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 커패시터에 저장된 전압에 상응하는 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터와 상기 데이터 라인 사이에 연결되고, 상기 주사 신호에 따라 상기 데이터 전류를 상기 데이터 라인으로 공급하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 상기 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  9. 제1 전원 라인에 연결되고, 주사 라인을 통해 주사 신호를 공급받고, 데이터 라인으로부터 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부;
    상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및
    상기 화소 구동부와 연결된 유기전계발광소자의 전극과 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터는 역바이어스 제어신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 화소 구동부는 구동 전류를 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 유기전계발광소자에는 역바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 역바이어스 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  13. 제1 전원 라인에 연결되고, 주사 라인을 통해 주사 신호를 공급받고, 데이터 라인으로부터 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부;
    상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자;
    상기 화소 구동부와 연결된 유기전계발광소자의 전극과 상기 데이터 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 제1 역바이어스 트랜지스터; 및
    상기 데이터 라인과 역바이어스 전원 사이에 연결되고, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터에 상기 역바이어스를 공급하기 위한 제2 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터 및 상기 제2 역바이어스 트랜지스터는 역바이어스 제어신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터 및 상기 제2 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 화소 구동부는 구동 전류를 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 역바이어스 트랜지스터 및 상기 제2 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 역바이어스 전원으로부터 상기 유기전계발광소자로 역바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 역바이어스 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 데이터 라인에 연결되고, 주사 신호에 응답하여 온/오프 동작을 수행하 는 스위칭 트랜지스터;
    상기 스위칭 트랜지스터에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 상기 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터; 및
    상기 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 상응하는 상기 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 데이터 신호는 전압의 형태인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 화소 구동부는 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하는 발광제어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  20. 제16항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 데이터 라인과 연결되고, 상기 주사 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하는 제1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 데이터 전류에 상응하는 전압을 저장하기 위한 커패시터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 커패시 터에 저장된 전압에 상응하는 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터와 상기 데이터 라인 사이에 연결되고, 상기 주사 신호에 따라 상기 데이터 전류를 상기 데이터 라인으로 공급하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 상기 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  21. 제1 전원 라인에 연결되고, 이전 주사 신호의 제어에 따라 초기화 라인을 통해 초기화 신호를 공급받고, 현재 주사 신호에 따라 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 수신하며, 수신되는 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 형성하기 위한 화소 구동부;
    상기 화소 구동부와 제2 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및
    상기 초기화 라인과 상기 화소 구동부와 연결된 유기전계발광소자의 전극 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자에 역바이어스를 인가하기 위한 역바이어스 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터는 역바이어스 제어신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 화 소 구동부는 구동 전류를 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 역바이어스 트랜지스터가 턴온된 경우, 상기 유기전계발광소자에는 상기 초기화 라인을 통해 역바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 유기전계발광소자의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 역바이어스 전압차는 -14 Volt 내지 -10 Volt인 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 초기화 라인에 연결되고, 상기 이전 주사 신호에 따라 초기화 신호를 수신하기 위한 초기화 트랜지스터;
    상기 데이터 라인에 연결되고, 상기 현재 주사 신호에 따라 상기 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 수신하기 위한 제1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 초기화 트랜지스터 사이에 연결되고, 다이오드 연결된 구조를 가지며, 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 트랜지스터;
    상기 보상 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 상기 초기화 신호를 수신하여 초기화 동작을 수행하거나, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 보상 트랜지스터를 통해 전달되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터;
    상기 제1 전원 라인에 연결되고, 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 상응하는 상기 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 상기 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 화소 구동부는,
    상기 초기화 라인에 연결되고, 상기 이전 주사 신호에 따라 초기화 신호를 수신하기 위한 초기화 트랜지스터;
    상기 데이터 라인에 연결되고, 상기 현재 주사 신호에 따라 상기 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 수신하기 위한 제1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 스위칭 트랜지스터에 연결되고 상기 데이터 신호에 상응하는 구동 전류를 발생하기 위한 구동 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 단자와 드레인 단자 사이에 연결되고, 상기 현재 주사 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터와 상기 제1 전원 라인 사이에 연결되고, 발광 제어 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하기 위한 제3 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 전원 라인과 상기 초기화 트랜지스터 사이에 연결되고, 상기 초기화 신호에 따라 초기화 동작을 수행하고, 상기 구동 트랜지스터의 구동 전류 형성에 요구되는 상기 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터; 및
    상기 구동 트랜지스터와 상기 유기전계발광소자 사이에 연결되고, 상기 발광 제어 신호에 따라 상기 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치.
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