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KR100721182B1 - 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 - Google Patents

유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR100721182B1
KR100721182B1 KR1020000037274A KR20000037274A KR100721182B1 KR 100721182 B1 KR100721182 B1 KR 100721182B1 KR 1020000037274 A KR1020000037274 A KR 1020000037274A KR 20000037274 A KR20000037274 A KR 20000037274A KR 100721182 B1 KR100721182 B1 KR 100721182B1
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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 기본구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기반사 방지 중합체 및 그의 합성방법, 상기 유기 반사 방지 중합체를 함유하는 반사방지 조성물, 이를 이용한 반사방지막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르는 중합체를 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용하면, 웨이퍼상의 하부막층의 광학적성질 및 레지스트 두께의 변동으로 인한 정재파, 반사 및 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있을 뿐만 아니라, 성막 후 산도의 불균형으로 인한 언더컷팅을 방지할 수 있다.
(화학식 1)
Figure 112005047693323-pat00001
반사방지막

Description

유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법{ORGANIC ANTI-REFLECTIVE COATING MATERIAL AND PREPARATION THEREOF}
본 발명은 248 nm KrF 및 193 nm ArF를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 광 및 포토레지스트 자체의 두께변화에 의한 정재파(standing wave)를 제거할 수 있는 반사방지용 유기물질에 관한 것으로써 특히 64M, 256M, 1G, 4G DRAM의 초미세 패턴형성시 사용할 수 있는 유기반사방지 화합물 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 유기반사방지 화합물을 함유하는 반사방지 조성물, 이를 이용한 반사 방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서는 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막 두께의 변동에 의한 정재파(standing wave) 및 반사 나칭(reflective notching)과 하부막으로부터의 회절광 및 반사광에 의한 CD(critical dimension)의 변동이 불가피하게 일어난다. 따라서 노광원으로 사용하는 빛의 파장대에서 광흡수를 잘하는 유기물질을 도입하여 하부막층에서 반사를 막을 수 있도록 하는 반사방지막의 도입이 제안되어 왔다.
반사방지막은 사용되는 물질의 종류에 따라 무기계 반사방지막과 유기계 반사방지막으로 구분되거나, 기작(mechanism)에 따라 흡수계 반사방지막과 간섭계 반사방지막으로 나누어진다. I-선(I-line; 365nm 파장)을 이용한 미세패턴 형성공정에서는 주로 무기계 반사방지막을 사용하며, 흡수계로는 TiN 및 무정형카본(Amorphous C)을, 간섭계로서는 주로 SiON를 사용하여 왔다.
KrF 광을 이용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 주로 무기계로서 SiON을 사용하여 왔으나, 무기계 반사방지막의 경우에는 광원인 193nm 에서의 간섭현상을 제어할 물질이 아직 발표되고 있지 않아, 최근 유기계 화합물을 반사방지막으로 사용하려는 노력이 계속되고 있다.
유기계반사방지막은 다음과 같은 기본 조건을 갖추어야 한다.
(1) 공정 적용시 포토레지스트가 용매에 의해 용해되어 벗겨지는 현상이 없어야 한다. 이를 위해서는 성형막이 가교구조를 이룰 수 있게 설계되어야 하고, 이때 부산물로 화학물질이 발생해서는 안된다.
(2) 반사방지막으로부터의 산 또는 아민 등의 화학물질의 출입이 없어야 한다. 만약, 반사방지막으로부터 산이 이행(migration)되면 패턴의 밑부분에 언더커팅(undercutting)이 일어나고, 아민 등 염기가 이행하면서 푸팅(footing) 현상을 유발하는 경향이 있기 때문이다.
(3) 반사방지막은 상부의 감광막에 비해 상대적으로 빠른 에칭 속도를 가져야 에칭시 감광막을 마스크로 하여 원활한 에칭공정을 행할 수 있다.
(4) 따라서 반사방지막은 가능한한 얇은 두께로 충분한 반사방지 역할을 할 수 있어야 한다.
또한 기존의 유기반사방지막은 (1) 발색단을 함유한 중합체와 이들을 서로 가교시키는 가교제(단분자물) 및 첨가제(열변산화제) 또는 (2) 스스로 가교반응이 가능하며 발색단을 함유한 중합체 및 첨가제(열변산화제) 의 두가지의 형태로 크게 나눌 수 있는데, 상기 두가지 형태의 유기반사방지막은 중합반응시에 설계된 비율에 따라 발색단의 함량이 정해지므로 k값의 조절이 거의 불가능하여 k값을 변화시키기 위해서는 다시 합성해야만 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 신규한 반사방지막용 중합체 및 이의 제조방법과 상기 중합체를 이용한 반사방지막 및 그 제조방법을 제공하는데에 그 목적이 있다.
본 발명에서의 유기반사방지막에 사용되는 화합물의 기본 구조식을 하기 화학식 1 및 화학식 2 에 나타내었다.
Figure 112000013664857-pat00002
Figure 112000013664857-pat00003
(상기 식에서, Ra 내지 Rd 는 수소 또는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, 또는 탄소수 1 내지 5 의 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 측쇄알킬 또는 알콕시 알킬을 나타내고, l, m, n 은 각각 1 내지 5 의 정수를 나타내고, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다. 또한, R19 및 R20 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알킬기를, R21 은 수소 또는 메틸기를 나타낸다.)
상기 화학식 2의 화합물은 (메트)아크롤레인을 중합시켜 폴리(메트)아크롤레 인을 제조한 후, 제조된 결과물을 측쇄 또는 주쇄치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬알코올과 반응시켜 제조한다.
좀 더 상세하게는, 우선 (메트)아크롤레인을 유기용매에 녹이고, 여기에 중합개시제를 첨가한 다음 진공상태하에서 60 내지 70℃의 온도하에 4 내지 6시간동안 중합반응시킨 후, 그 결과물에 측쇄 또는 주쇄치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬알코올을 트리플루오로메틸설폰산을 촉매로 하여 상온에서 20 내지 30 시간동안 반응시켜 제조한다.
상기 제조과정에 있어서의 유기용매는 테트라하이드로퓨란(THF), 사이클로헥사논, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 중합개시제는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 벤조일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디-t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬알코올은 메탄올 또는 에탄올을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 2의 화합물은 하기 화학식 3 내지 화학식 6의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
Figure 112000013664857-pat00004
Figure 112000013664857-pat00005
Figure 112000013664857-pat00006
Figure 112000013664857-pat00007
상기 화학식 3 내지 화학식 6 의 화합물은 알코올기를 갖는 다른 중합체와 산의 존재하에서 경화가 매우 잘 일어난다.
본 발명에 따르는 상기 화학식 1로 표기되는 화합물은 9-안트라센메틸이민알 킬아크릴레이트계 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계 단량체, 글리시딜알킬아크릴레이트계 단량체 및 9-안트라센알킬메타크릴레이트를 용매하에 반응시킨 후, 개시제를 넣고 중합반응시켜 제조하며, 이 때, 상기 용매로는 일반적인 용매를 사용할 수 있으나, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸커톤 및 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 개시제로는 일반적인 라디칼 개시제를 사용할 수 있으며, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 아세틸퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 상기 중합 반응은 50 내지 90℃에서 수행하는 것이 바람직하며, 각 단량체의 몰비는 0.01 내지 0.99로 한다.
본 발명은 상기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물; 상기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물을 포함하여 이루어진 반사방지막 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물; 상기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물; 및 안트라센, 9-안트라센메탄올, 9-안트라센카르보니트릴, 9-안트라센카르복시산, 디트라놀, 1,2,10-안트라센트리올, 안트라플라본산, 9-안트랄데히드옥심, 9-안트랄데히드, 2-아미노-7-메틸-5-옥소-5H-[1]벤조피라노[2,3-b]피리딘-3-카르보니트릴, 1-아미노안트라퀴논, 안트라퀴논-2-카르복시산, 1,5-디하이드록시안트라퀴논, 안트론, 9-안트릴 트리플루오로메틸케톤, 하기 화학식 7 의 9-알킬안트라센유도체, 하기 화학식 8 의 9-카르복실안트라센유도체 및 하기 화학식 9 의 1-카르복실안트라센유도체로 이루어진 그룹(이하 "안트라센 유도체 그룹"이라 한다.) 에서 선택된 하나 이상의 화합물;을 포함하여 이루어진 반사방지막용 조성물을 제공한다.
Figure 112000013664857-pat00008
Figure 112000013664857-pat00009
Figure 112000013664857-pat00010
(상기 식에서 R1 내지 R5 는 -H, -OH, -CH2OH 또는 탄소수 1 내지 5 의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬 또는 알콕시알킬이다.)
본 발명은 상기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물과 상기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물을 유기용매에 용해시킨 후, 이 용액을 단독으로 또는 상기 안트라센 유도체의 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 첨가한 용액을 여과하여 하부층에 도포한 후 하드베이크 하여 이루어짐을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법을 제공한다. 이 때, 상기 유기용매는 일반적인 유기용매를 사용할 수 있으나, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 용매는 반사방지막 수지에 대하여 200∼5,000 중량부의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 하드베이크시의 온도는 100∼300℃로 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 반사방지막용 조성물 중 어느 하나를 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제공한다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명은 우선 중합체 자체가 248nm 의 파장에서 흡수가 잘 일어나도록 흡광도가 큰 발색단을 가진 단량체를 2가지 (안트라센메틸에민알킬아크릴레이트계 단량체, 안트라센메틸메타크릴레이트)로 합성하여 이를 고분자 제 1 중합체 (화학식 1의 구조를 갖는 화합물)로 합성하였다. 발색단을 가진 단량체 중 하나는 약한 염기성을 가지고 있기 때문에 성막 후 산도의 불균형으로 인한 언더컷팅을 방지하도록 설계하였다. 또한 유기반사방지막의 성형성, 기밀성, 내용해성을 부여하기 위해 코팅 후 하드베이크시 가교반응이 일어날 수 있도록 수 지내의 알코올기와 반응하여 가교결합을 가질 수 있는 고분자인 제 2 중합체 (화학식 2 의 구조를 갖는 화합물)을 합성하여, 상기 제 1 중합체와 함께 혼합하여 열반응에 의해 가교물을 형성할 수 있도록 한 것이다.
특히 본 발명에 사용된 가교제들은 중합체의 형태로서 가교반응에 있어 효율성이 극대화되도록 설계되었다.
또한, 본발명의 반사방지막 수지는 하이드로 카본계의 모든 용매에 대하여 우수한 용해성을 갖고 하드베이크시에는 어떠한 용매에서도 용해되지 않는 내용해성을 지닌다. 또한 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않을 뿐만 아니라, 특히 아크릴레이트계의 고분자로 형성되어 있으므로 에칭시 감광막에 비해 우수한 에칭속도를 가짐으로써 에칭선택비를 증가시켰다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 상세히 설명하고자 한다.
(실시예 1) 폴리[9-안트라센메틸이민에틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민에틸아크릴레이트 단량체 0.1몰/ 2-하이드록시에틸아크릴레이트 0.3몰, 글리시딜메틸메타크릴레이트 0.3 몰 및 9-안트라센메틸메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로퓨란 300g을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣 은 후, 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 10으로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민 에틸아크릴레이트-(2-하이드록시에틸 아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]수지를 얻었다. (수율: 83%)
Figure 112005047693323-pat00019
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 2) 폴리[9-안트라센메틸이민에틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸메타크릴레이트)-글리시딜메틸아크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민에틸메타크릴레이트 단량체 0.1몰/ 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 0.3몰/ 글리시딜메틸아크릴레이트 0.3몰/ 9-안트라센메틸메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드 로퓨란 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 11로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민에틸메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸메타크릴레이트-글리시딜메틸아크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)] 수지를 얻었다. (수율: 84%)
Figure 112005047693323-pat00020
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 3) 폴리[9-안트라센메틸이민프로필아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민프로필아크릴레이트 단량체 0.1몰/ 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰/ 글리시딜메틸메타크릴레이트 0.3몰/ 9-안트라센메틸메타크릴레 이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로퓨란 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 12 로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민프로필아크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)] 수지를 얻었다. (수율: 84%)
Figure 112005047693323-pat00021
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 4) 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸메타크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트 단량체 0.1몰/ 2-하이드록시에틸메 타크릴레이트 0.3몰/ 글리시딜메틸메타크릴레이트 0.3몰 / 9-안트라센메틸메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로퓨란 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 13으로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(2-하이드록시에틸메타크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸아크릴레이트)] 수지를 얻었다. (수율: 83%)
Figure 112005047693323-pat00022
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 5) 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트 단량체 0.1몰/ 3-하이드록시프로필아크릴레이트 0.3몰/ 글리시딜메틸메타크릴레이트 0.3몰/ 9-안트라센메틸메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로퓨란 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 14으로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(3-하이드록시프로필아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)] 수지를 얻었다. (수율: 83%)
Figure 112005047693323-pat00023
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 6) 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)]의 제조
9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트 단량체 0.1몰/ 4-하이드록시부틸아크릴레이트 0.3몰/ 글리시딜메틸메타크릴레이트 0.3몰/ 9-안트라센메틸메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 테트라하이드로퓨란 300g 을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴을 0.1-3.0g 넣은 후 질소 분위기 하에서 60 내지 75℃ 온도하에서 5 내지 20시간 반응시켰다. 반응완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 15로 표기되는 폴리[9-안트라센메틸이민프로필메타크릴레이트-(4-하이드록시부틸아크릴레이트)-글리시딜메틸메타크릴레이트-(9-안트라센메틸메타크릴레이트)] 수지를 얻었다. (수율: 80%)
Figure 112005047693323-pat00024
(상기 식에서, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
(실시예 7) 반사방지막의 제조
화학식 1 의 구조를 갖는 실시예 1 내지 6 에 의하여 제조된 중합체중의 하나와 상기 화학식 2 의 구조를 갖는 중합체 중 하나를 프로필렌글리콜메틸에테르 아세테이트에 녹인 후 이 용액을, (또는 상기 안트라센 유도체의 그룹에서 선택한 1종 이상의 첨가제를 0.1 ~ 30 중량% 첨가하여 완전히 녹인 후, 여과한 용액을) 웨이퍼에 도포하고 100 ~ 300 ℃에서 10 - 1000 초 동안 하드베이크를 행하였다. 이후 감광막을 도포하여 미세패턴 형성공정을 행하였다.
본 발명에 사용된 가교제들은 중합체의 형태로서 가교반응에 있어 효율성이 극대화되도록 설계되었다.
또한, 본 발명의 반사방지막 수지는 중합체 자체가 248nm 파장에서 흡수가 일어나도록 흡광도가 큰 발색단을 가진 2가지 단량체를 포함하고 있는데, 이중 하나의 발색단은 약한 염기성을 띠고 있기 때문에 성막 후 산도의 불균형으로 인한 언더컷팅을 방지하는 효과를 나타낸다.
또한, 본발명의 반사방지막 수지는 하이드로 카본계의 모든 용매에 대하여 우수한 용해성을 갖고 하드베이크시에는 어떠한 용매에서도 용해되지 않는 내용해성을 지닐 뿐만 아니라, 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않으며, 특히 아크릴레이트계의 고분자로 형성되어 있으므로 에칭시 감광막에 비해 우수한 에칭 속도를 가짐으로써 에칭선택비를 증가시켰다.

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1 의 구조를 갖는 화합물.
    (화학식 1)
    Figure 112000013664857-pat00017
    (상기 식에서, Ra 내지 Rd 는 수소 또는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, 또는 탄소수 1 내지 5 의 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 측쇄알킬 또는 알콕시 알킬을 나타내고, l, m, n 은 각각 1 내지 5 의 정수를 나타내고, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서, Ra, Rb는 수소, Rc, Rd는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 2인 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서, Ra, Rb, Rd 는 메틸기, Rc 는 수소이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 2인 화합물.
  4. 제 1 항에 있어서, Ra, Rb 는 수소, Rc, Rd 는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 3, 3, 2인 화합물.
  5. 제 1 항에 있어서, Ra, Rb, Rc, Rd 는 각각 수소, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 3, 2, 2인 화합물.
  6. 제 1 항에 있어서, Ra, Rc, Rd 는 각각 메틸기, Rb 는 수소, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 3, 3, 2인 화합물.
  7. 제 1 항에 있어서, Ra, Rc, Rd 는 각각 메틸기, Rb 는 수소, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 수소이고, l, m, n 은 각각 3, 4, 2인 화합물.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물; 및 하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지막용 조성물.
    (화학식 1)
    Figure 112007010283847-pat00025
    (상기 화학식 1에서, Ra 내지 Rd 는 수소 또는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, 또는 탄소수 1 내지 5 의 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 측쇄알킬 또는 알콕시 알킬을 나타내고, l, m, n 은 각각 1 내지 5 의 정수를 나타내고, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
    (화학식 2)
    Figure 112007010283847-pat00018
    (상기 화학식 2에서 R19 및 R20 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알콕시기를, R21 는 수소 또는 메틸기를 나타낸다.)
  13. 제 12 항에 있어서, 안트라센, 9-안트라센메탄올, 9-안트라센카르보니트릴, 9-안트라센카르복시산, 디트라놀, 1,2,10-안트라센트리올, 안트라플라본산, 9-안트랄데히드옥심, 9-안트랄데히드, 2-아미노-7-메틸-5-옥소-5H-[1]벤조피라노[2,3-b]피리딘-3-카르보니트릴, 1-아미노안트라퀴논, 안트라퀴논-2-카르복시산, 1,5-디하이드록시안트라퀴논, 안트론, 9-안트릴 트리플루오로메틸케톤, 9-알킬안트라센유도체, 9-카르복실안트라센유도체 및 1-카르복실안트라센유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함하여 이루어진 반사방지막용 조성물.
  14. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물과 하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물을 유기용매에 용해시킨 후, 이 용액을 단독으로 또는 안트라센, 9-안트라센메탄올, 9-안트라센카르보니트릴, 9-안트라센카르복시산, 디트라놀, 1,2,10-안트라센트리올, 안트라플라본산, 9-안트랄데히드옥심, 9-안트랄데히드, 2-아미노-7-메틸-5-옥소-5H-[1]벤조피라노[2,3-b]피리딘-3-카르보니트릴, 1-아미노안트라퀴논, 안트라퀴논-2-카르복시산, 1,5-디하이드록시안트라퀴논, 안트론, 9-안트릴 트리플루오로메틸케톤, 9-알킬안트라센유도체, 9-카르복실안트라센유도체 및 1-카르복실안트라센유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 첨가한 용액을 여과하여 하부층에 도포한 후 하드베이크 하여 이루어짐을 특징으로 하는 반사방지막의 제조방법.
    (화학식 1)
    Figure 112007010283847-pat00026
    (상기 화학식 1에서, Ra 내지 Rd 는 수소 또는 메틸기이며, Ra 내지 Rd, R1 내지 R18 는 각각 -H, -OH, -OCOCH3, -COOH, -CH2OH, 또는 탄소수 1 내지 5 의 치환 또는 비치환, 직쇄 또는 측쇄알킬 또는 알콕시 알킬을 나타내고, l, m, n 은 각각 1 내지 5 의 정수를 나타내고, w, x, y, z는 각각 0.01 내지 0.99의 몰분율을 나타낸다.)
    (화학식 2)
    Figure 112007010283847-pat00027
    (상기 화학식 2에서 R19 및 R20 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알콕시기를, R21 는 수소 또는 메틸기를 나타낸다.)
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸3-에톡시프로피오네이트, 메틸3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하며 상기 용매를 반사방지막 수지에 대하여 200∼5,000 중량부의 양으로 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 하드베이크시의 온도는 100∼300℃인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  17. 제 12 항 또는 제 13 항의 반사방지막용 조성물 중 어느 하나를 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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Patent event date: 20050627

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20050914

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20060207

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20050914

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

Patent event date: 20050627

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20060302

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20060207

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20061220

Appeal identifier: 2006101001847

Request date: 20060302

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060302

Effective date: 20061220

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20061220

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20060302

Decision date: 20061220

Appeal identifier: 2006101001847

PS0901 Examination by remand of revocation
S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20070104

Patent event code: PE09021S01D

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PS0701 Decision of registration after remand of revocation

Patent event date: 20070314

Patent event code: PS07012S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20061227

Patent event code: PS07011S01I

Comment text: Notice of Trial Decision (Remand of Revocation)

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Comment text: Registration of Establishment

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