KR100355604B1 - 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 있어서의 난반사방지용 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더 상세하게는 193nm 레이저를 이용한 리소그라피용 감광막을 사용하는 초미세 패턴형성공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF광 및 감광막 자체의 두께변화에 있어서 정재파를 제거할 수 있도록 193nm 의 파장에서 흡광도가 큰 페닐기를 함유한 난반사방지용 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 중합체를 반도체 제조공정에 사용할 경우 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막의 두께변동으로 인한 정재파, 반사 및 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 1G 및 4G DRAM의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 공정에 있어서 난반사 방지막으로 사용할 수 있는 중합체와 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 제조공정 중, 193 nm ArF레이저를 이용한 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정재파를 제거할 수 있는 반사방지용 유기물질에 관한 것으로, 1G, 4G DRAM의 초미세 패턴형성시 사용할 수 있는 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 유기 난반사방지 중합체를 함유하는 난반사방지 조성물, 이를 이용한 반사 방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서는 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막 두께의 변동으로 인한 정재파(standing wave),반사(reflective notching)와 하부막으로부터의 회절광 및 반사광에 의한 CD(critical dimension)의 변동이 불가피하게 일어난다. 따라서 노광원으로 사용하는 빛의 파장대에서 광흡수를 잘하는 유기물질막층을 도입하여 하부막층에서 반사를 막을 수 있도록 하자는 제안이 있었으며, 이 막이 반사방지막이다.
이러한 반사방지막은 사용되는 물질의 종류에 따라 크게 무기계 반사방지막과 유기계 반사방지막으로 구분되거나, 기작(mechanism)에 따라 흡수계 반사방지막과 간섭계 반사방지막으로 나누어진다. 365nm 파장의 I-선(I-line)을 이용한 미세패턴 형성공정에서는 주로 무기계 반사방지막을 사용하여 왔으며, 흡수계 반사방지막으로는 주로 TiN 및 무정형카본(Amorphous C)을, 간섭계 반사방지막으로는 주로 SiON를 사용하여 왔다.
KrF 광을 이용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 주로 무기계 반사방지막으로서 SiON을 사용하여 왔으나, 최근 반사방지막에 유기계 화합물을 사용하려는 노력이 계속되고 있다. ArF광을 이용한 초미세 패턴의 형성에서도 유기반사방지막이 반사방지막의 유력한 대책으로 급부상하고 있다. 현재까지의 동향에 비추어볼 때 유기 반사방지막의 대부분은 다음과 같은 기본 조건을 갖추어야 한다.
(1) 공정 적용시 포토레지스트가 용매에 의해 용해되어 벗겨지는 현상이 없어야 한다. 이를 위해서는 성형막이 가교구조를 이룰 수 있게 설계되어야 하고, 이때 부산물로 화학물질이 발생해서는 안된다.
(2) 반사방지막으로부터의 산 또는 아민 등의 화학물질의 출입이 없어야 한다. 만약, 반사방지막으로부터 산이 이행(migration)되면 패턴의 밑부분에 언더커팅(undercutting)이 일어나고, 아민 등 염기가 이행하면서 푸팅(footing) 현상을 유발하는 경향이 있기 때문이다.
(3) 반사방지막은 상부의 감광막에 비해 상대적으로 빠른 에칭 속도를 가져야 하는데 이는 에칭시 감광막을 마스크로 하여 원활한 에칭공정을 행할 수 있도록 하기 위함이다.
(4) 따라서 반사방지막은 가능한한 얇은 두께로 충분한 반사방지막으로서의 역할을 할 수 있어야 한다.
한편, ArF 광을 사용하는 초미세패턴 형성 공정에서는 만족할 만한 반사방지막이 개발되지 못한 실정이다. 무기계 반사방지막의 경우에는 광원인 193nm에서의 간섭현상을 제어할 물질이 아직 발표되고 있지 않고 있어, 최근 유기계 반사방지막을 사용하고자 하는 노력이 계속되고 있다.
따라서, 모든 감광막에서는 노광시 발생되는 정재파와 반사를 방지하고 하부층으로부터의 후면 회절 및 반사광의 영향을 제거하기 위해서 특정 파장에 대한 흡수도가 큰 유기 난반사 방지물질의 사용이 필수적이며 이러한 물질의 개발이 시급한 과제가 되고 있다.
이에 본 발명의 목적은 상기의 반사방지막으로서 갖추어야 할 조건을 모두 만족하는 동시에 반도체 소자 제조 공정중 193nm ArF광을 이용한 초미세 패턴형성공정에서 반사방지막으로 사용할 수 있는 신규한 유기화합물질과 그 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지용 화합물을 함유하는 난반사방지 조성물 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 이러한 난반사 방지 조성물을 사용하여 형성된 난반사 방지막 및 그 형성방법을 제공하는 데에 있다.
모든 감광막에서는 노광시 발생되는 정재파 및 반사 노칭과 하부막으로부터 후면 회절 및 반사에 의한 빛의 간섭을 제거하기 위한 난반사방지 물질의 사용이 필수적이며, 난반사방지막 물질은 반드시 특정파장에 대한 흡수도가 커야 반사방지막으로 사용될 수 있다. 본 발명에서는 193nm 파장에서 흡수가 일어나도록 중합체에 흡광도가 큰 페닐기를 함유하도록 설계하였으며, 유기 반사방지막의 성형성, 기밀성, 내용해성 등을 부여하기 위해 코팅 후 하드베이크시 가교반응이 일어날 수 있도록 수지내의 에폭시구조의 개환반응으로 가교시키는 메카니즘을 도입하였다. 특히, 본 발명의 반사방지막 수지는 하이드로 카본계의 모든 용매에 대하여 용해성이 우수하고 하드 베이크시에는 어떠한 용매에도 용해되지 않는 내용해성을 갖고 있다. 따라서, 감광막의 도포시 여하한 문제도 발생하지 않을 뿐만 아니라, 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않으며 특히 가교사슬들의 결합들이 C-O결합으로 이루어져 있음으로써 에칭시 ArF 감광막에 비해 우수한 에칭속도를 가짐으로써 에칭선택비가 현저히 향상되었다.
본 발명의 유기 반사방지막으로 쓰이는 수지의 기본 식은 하기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3 과 같다.
상기식에서,
Ra,Rb,Rc및 Rd는 각각 수소 또는 메틸기를,
R1내지 R4은 각각 수소, 또는 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬이거나 알콕시 알킬을, R5는 -H, -OH, -COCH3또는 탄소수 1 내지 4의 치환또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄 알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을, w,x,y,z는 각각 0.1 내지 0.9 의 몰분율을, l,m,n,p 는 각각 1 내지 3의 정수를 나타낸다.
본 발명에 따르는 상기 화학식 1 의 중합체는 하기 화학식 12의 구조를 갖는 4-(4-하이드록시페녹시)아세톡시알콜아크릴레이트계 단량체, 하이드록시 알킬아크릴레이트계 단량체, 알킬아크릴레이트계 단량체 및 글리시딜 아크릴레이트계 단량체를 용매하에 개시제와 함께 중합반응시켜 제조할 수 있으며, 이때 각 단량체는 0.1 내지 0.9 의 몰분율비를 갖는다.
상기 화학식 12 에서,
Ra는 수소 또는 메틸기를, R1내지 R4은 각각 수소, 또는 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬이거나 알콕시 알킬을, R5는 -H, -OH, -COCH3또는 탄소수 1 내지 4의 치환또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄 알킬, 시클로알킬이거나 알콕시알킬, 시클로알콕시알킬을, l,p 는 1 내지 3의 정수를 각각 나타낸다.
본 발명에 따르는 상기 화학식 1의 중합체를 제조하기 위해서 사용하는 개시제로는 일반적인 라디칼 개시제를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있으며, 또한 중합체 반응시의 용매로는 일반적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 또는 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 따르는 상기 화학식 1의 중합체의 제조방법에 있어서 중합 반응의 온도는 50~80℃로 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1의 중합체를 유기용매에 용해시켜 반사방지막용 조성물을 제조하는 방법을 제공하며, 이 때, 유기용매는 통상적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 등을 사용할 수 있다. 이때 용매의 양은 200 내지 5000 중량 %로 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1의 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하는 단계를 포함하여 이루어진 반사방지막의 형성방법을 제공한다. 이 때 사용되는 유기 용매는 통상적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 특히 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하며 유기용매의 양은 사용된 반사방지막 수지의 200 내지 5000 중량%로 하는 것이 바람직하다.
또한 하드베이크는 100 내지 300℃의 온도에서 10 내지 1000 초간 행하는 것이 바람직하며, 하드베이크를 통하여 반사방지막 수지를 가교시켜 성막한다.
또한 상기 방법에 의하여 제조된 화학식 1의 중합체는 193nm ArF 및 157nm F2레이저를 사용하는 초미세패턴 형성공정의 유기반사방지막으로도 우수한 성능을 나타내는 것으로 확인되었다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1 의 구조를 갖는 화합물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반사방지막용 조성물을 제공하며, 상기 반사방지막용 조성물을 이용하여 제조된 반사방지막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이다
(실시예 1) 4-(4-하이드록시 페녹시)아세톡시 이소프로판올 메타크릴레이트 단량체의 합성
4-하이드록시페닐아세틱산 0.35 몰을 테트라하이드로퓨란(THF) 100g에 넣고 완전히 녹여 섞은 다음, p-톨루엔 술폰산 0.35 몰을 녹인 THF 100g을 넣은 후, 질소 분위기에서 글리시딜메타크릴레이트 (중합방지제로서 4-메톡시페놀 0.03몰 포함) 0.3몰을 천천히 넣고 24시간 반응시켰다. 반응 중 TLC로서 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 탈이온수로 세척을 하고 유기용매층의 반응물을 추출한 후 MgSO4로서 유기용매 내의 물을 제거하고 감압증류하여 하기 화학식 4의 단량체를 얻었다. 이 때 수율은 85 내지 90%였다.
(실시예 2) 4-(4-하이드록시 페닐)파이루빅이소프로판올 메타크릴레이트 단량체의 합성
4-하이드록시페닐파이루빅산 0.35 몰을 테트라하이드로퓨란(THF) 100g에 넣고 완전히 녹여 섞은 다음, p-톨루엔 술폰산 0.35 몰을 녹인 THF 100g을 넣은 후, 질소 분위기에서 글리시딜메타크릴레이트 (중합방지제로서 4-메톡시페놀 0.03몰 포함) 0.3몰을 천천히 넣고 10시간 이상 반응시켰다. 반응 중 TLC로서 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 탈이온수로 세척을 하고 유기용매층의 반응물을 추출한 후 MgSO4로서 유기용매 내의 물을 제거하고 감압증류하여 하기 화학식 5의 단량체를 얻었다. 이 때 수율은 80 내지 85%였다.
(실시예 3) 비닐 4-(2-부타논)벤조에이트 단량체의 합성
트리에틸아민 0.35몰에 4-(4-하이드록시페닐)-2-부타논 0.35몰을 넣고 완전히 녹여 섞은 다음, 질소분위기에서 아크릴로일클로라이드 0.33몰을 넣고 천천히 반응시켰다. 이 때, 열이 발생하므로 냉각시키며 반응을 24시간이상 지속시켰다. 반응 중에는 TLC로써 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 의 황산 수용액으로 중화시킨다음, 탈이온수로 세척을하고 유기용매층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매 내의 물을 제거하여 하기 화학식 6의 단량체를 얻었다. 수율은 90 내지95% 였다.
(실시예 4) 비닐 4-(3-메톡시)벤조에이트 아세톤 단량체의 합성
트리에틸아민 0.35몰에 4-하이드록시-3-메톡시페닐아세톤 0.35몰을 넣고 완전히 녹여 섞은 다음, 질소분위기에서 아크릴로일클로라이드 0.33몰을 넣고 천천히 반응시켰다. 이 때, 열이 발생하므로 냉각시키며 반응을 24시간이상 지속시켰다. 반응 중에는 TLC로써 반응도를 점검하고 반응이 완결되면 1N 의 황산 수용액으로 중화시킨다음, 탈이온수로 세척을 하고 유기용매층의 반응물을 추출하고 MgSO4로써 유기용매 내의 물을 제거하여 하기 화학식 7의 단량체를 얻었다. 수율은 90 내지 95% 였다.
(실시예 5)
폴리[4-(4-하이드록시페녹시)아세톡시이소프로판올메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]4원공중합체의 합성
4-(4-하이드록시페녹시)아세톡시이소프로판올메타크릴레이트 0.3몰, 하이드록시에틸아크릴레이트 0.25몰, 메틸메타크릴레이트 0.1 몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 THF 300g을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴(ABIN) 0.1 내지 3.0g 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃의 온도에서 5 내지 20 시간 반응시켰다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용액에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 8에 나타난 바와 같은 폴리[4-(4-하이드록시페녹시)아세톡시이소프로판올메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]수지를 얻었다. 이 때 수율은 65 - 70% 이었다.
(실시예 6)
폴리[4-(4-하이드록시페닐)파이루빅이소프로판올메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]4원공중합체의 합성
4-(4-하이드록시페닐)파이루빅이소프로판올메타크릴레이트 0.3몰, 하이드록시에틸메타크릴레이트 0.2몰, 메틸메타크릴레이트 0.15 몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 THF 300g을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴(ABIN) 0.1 내지 3.0g 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃의 온도에서 5 내지 20 시간 반응시켰다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 9에 나타난 바와 같은 폴리[4-(4-하이드록시페닐)파이루빅이소프로판올메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]수지를 얻었다. 이때 수율은 65 내지 70%이었다.
(실시예 7)
폴리[비닐4-(2-부타논)벤조에이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]4원공중합체의 합성
비닐4-(2-부타논)벤조에이트 0.3몰, 하이드록시프로필아크릴레이트 0.25몰, 메틸메타크릴레이트 0.1 몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 THF 300g을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴(ABIN) 0.1 내지 3.0g 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃의 온도에서 5 내지 20 시간 반응시켰다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 10과 같은 폴리[비닐4-(2-부타논)벤조에이트-하이드록시프로필아크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]수지를 얻었다. 이때 수율은 65 내지 70%이었다.
(실시예 8)
폴리[비닐4-(3-메톡시)벤조에이트아세톤-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]4원공중합체의 합성
비닐4-(3-메톡시)벤조에이트아세톤 0.3몰, 하이드록시프로필메타크릴레이트 0.23몰, 메틸메타크릴레이트 0.1 몰, 글리시딜메타크릴레이트 0.3몰을 500ml 둥근바닥 플라스크에 넣고 교반하면서 미리 준비된 THF 300g을 넣고 완전히 섞이면 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴(ABIN) 0.1 내지 3.0g 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 60℃ 내지 75℃의 온도에서 5 내지 20 시간 반응시켰다. 반응 완료 후 이 용액을 에틸에테르 혹은 노르말 핵산용매에 침전을 시킨 후 여과하여 건조시켜 하기 화학식 11과 같은 폴리[비닐4-(3-메톡시)벤조에이트아세톤-하이드록시프로필메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트]수지를 얻었다. 이때 수율은 65 내지 70%이었다.
실시예 9) 반사방지막의 제조
상기 화학식 1을 기본 구조로 하는 실시예 5 내지 8과 같은 수지를 프로필렌글리콜메틸에틸아세테이트(PGMEA)에 녹인 후 여과한 용액을 웨이퍼에 도포하고 100 - 300℃에서 10 - 1000 초 동안 하드베이크를 실시하였다. 이후 감광막을 도포하고 미세패턴 형성공정을 행하였다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르는 상기 화학식 1을 기본 구조로 하는 중합체는 흡광도가 큰 페닐기를 수지자체에 함유하고 있을 뿐 아니라 본 발명에 따르는 반사방지막 수지는 하이드로카본계의 모든 용매에 대하여 용해성이 우수하고 하드 베이크시에는 어떠한 용매에도 용해되지 않는 내용해성을 갖고 있으므로 감광막의 도포시 여하한 문제도 발생하지 않을 뿐만 아니라, 패턴 형성시 언더커팅 및 푸팅이 일어나지 않는 뛰어난 효과를 나타낸다.
특히 가교사슬의 결합들이 C-O 결합으로 이루어져 있어 에칭시 ArF 감광막에 비해 우수한 에칭속도를 가짐으로써 에칭선택비가 뚜렷이 향상되는 효과가 있다.
따라서, 본 발명에 의한 중합체를 반도체 제조 공정 중 초미세 패턴형성공정에서의 반사방지막으로 사용함으로써, 반도체 제조공정의 리소그라피 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지할 뿐만 아니라, 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 의한 정재파를 제거함으로써 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.
Claims (20)
- 하기 화학식 1 의 화합물.(화학식 1)상기식에서,Ra,Rb,Rc및 Rd는 각각 수소 또는 메틸기를,R1내지 R4은 각각 수소, 또는 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬이거나 알콕시 알킬을. 또한 w,x,y,z는 각각 0.1 내지 0.9 의 몰분율을, l,m,n,p 는 각각 1 내지 3의 정수를 나타낸다.
- 제 1 항에 있어서, Ra, Rb, Rc및 Rd는 각각 메틸기이고, l,n,p 는 각각 1, m은 2 이며, R1, R2, R3및 R4는 각각 수소, w:x:y:z 는 0.3: 0.25: 0.1: 0.3 인 폴리[4-(4-하이드록시페녹시)아세톡시이소프로판올메타크릴레이트-하이드록시에틸메타크릴레이트-메틸메타크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트].
- 하기 화학식 12의 구조를 갖는 단량체, 하이드록시알킬아크릴레이트계단량체, 알킬아크릴레이트계단량체 및 글리시딜아크릴레이트계단량체를 용매하에 개시제와 함께 중합 반응시켜 상기 화학식 1의 화합물을 제조하는 방법.(화학식 12)상기식에서,Ra는 수소 또는 메틸기를, R1내지 R4은 각각 수소, 또는 탄소수 1 내지 5의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 측쇄알킬이거나 알콕시 알킬을, p 는 1 내지 3의 정수를 각각 나타낸다.
- 삭제
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- 제 3 항에 있어서, 상기 개시제는 2,2-아조비스이소부틸로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 및 t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 용매는 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 벤젠, 메틸에틸케톤 및 디옥산으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 중합 반응은 50 내지 80℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 각 단량체의 몰비는 각각 0.1 내지 0.9몰인 것을 특징으로 하는 방법.
- 상기 화학식 1의 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 웨이퍼에 도포하고 하드베이크하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반사방지막의 형성방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 유기용매의 양은 상기 화학식 1의 화합물 양의 200 내지 5000 중량%로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 하드베이크는 100 내지 300℃의 온도에서 10 내지 1000 초간 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 상기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조공정에 사용되는 반사방지막용 조성물.
- 상기 제 19 항의 반사방지막용 조성물을 함유한 반사방지막을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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