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KR100697764B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

탄성 표면파 장치 Download PDF

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KR100697764B1
KR100697764B1 KR1020060039514A KR20060039514A KR100697764B1 KR 100697764 B1 KR100697764 B1 KR 100697764B1 KR 1020060039514 A KR1020060039514 A KR 1020060039514A KR 20060039514 A KR20060039514 A KR 20060039514A KR 100697764 B1 KR100697764 B1 KR 100697764B1
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KR
South Korea
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surface acoustic
acoustic wave
electrode
filter
output
Prior art date
Application number
KR1020060039514A
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English (en)
Inventor
도시오 니시자와
고이찌 하따노
Original Assignee
후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은 플립 칩 실장 시에도 저손실·고감쇠의 특성을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성된 탄성 표면파 필터를 갖고, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용의 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 빗형 전극 패턴은, 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극을 갖고, 상기 입력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극 중 어느 한쪽의 전극 단자가, 주회 배선에 의해, 접지 전극을 사이에 두고 다른쪽의 전극 단자와 반대측에 위치하도록 배치되어 있다.
압전 소자, 접지 단자, 입력 단자, 출력 단자, 세라믹 패키지, 메탈 캡, 범프, 송신 필터

Description

탄성 표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}
도 1은 종래의 다중 모드 SAW 필터의 빗형 전극(IDT:Interdigital Transducer) 패턴의 일례를 도시하는 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 IDT 패턴을 단위로 하여, 3병렬 캐스케이드 접속한 2중 모드 SAW 필터(DMS)의 평면도를 도시하는 도면.
도 3은 도 2에 도시하는 IDT 패턴의 2중 모드 SAW 필터(DMS)를 패키지에 수용하여 탄성 표면파(SAW) 장치를 형성했을 때의 단면도.
도 4는 도 2에 도시하는 IDT 패턴의 2중 모드 SAW 필터를, 플립 칩 접속에 의해 세라믹 패키지에 실장하는 경우의 상정되는 구성예의 단면도.
도 5는 와이어 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 특성과, 플립 칩 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 특성을 비교하여 도시하는 도면.
도 6은 IDT 패턴의 IN 단자와 OUT 단자 사이에 대응하도록, 세라믹 패키지의 표면층이나 내층에 한정하지 않고 GND 패턴을 설치하는 경우를 설명하는 도면.
도 7은 도 6의 IDT 패턴에 대응하는 세라믹 패키지측의 단자 패턴을 도시하는 도면.
도 8은 GND 패턴에 의한 입출력간 결합 용량 저감의 효과를 도시하는 통과 대역 특성도.
도 9a는 제1 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 9b는 제1 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 10a는 제2 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 10b는 제2 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 11a는 제3 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 11b는 제3 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 12a는 제4 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 12b는 제4 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 13a는 제5 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 13b는 제5 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 14a는 제6 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 14b는 제6 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 15a는 제7 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 15b는 제7 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도 시하는 도면.
도 16a는 제8 실시예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 16b는 제8 실시예의 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 17a는 도 14a, 도 14b에 도시한 제6 실시예에 대응하며, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)에 본 발명을 적용하고 있지 않는 종래 구성예의 IDT 패턴을 도시하는 도면.
도 17b는 도 14a, 도 14b에 도시한 제6 실시예에 대응하며, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)에 본 발명을 적용하고 있지 않는 종래 구성예의 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도면.
도 18a는 듀플렉서의 구성예를 도시하는 도면.
도 18b는 본 발명에 따른 제6 실시예와 도 17a, 도 17b의 비교예를 PCS 듀플렉서의 수신(Rx) 필터로서 사용했을 때의 송수신간 아이솔레이션 특성을 도시하는 도면.
도 19a는 PCS 수신 필터의 구성예 블록도.
도 19b는 도 14a, 도 14b에 도시하는 제6 실시예에서의 세라믹 패키지(10)의 접지 GND 인덕턴스 L1∼L5의 값을 변화시킨 특성(Korean PCS 수신 필터)을 도시하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
IN : 입력 단자
OUT : 출력 단자
GND : 접지 단자
5 : 주회 배선
10 : 압전 소자
11 : 세라믹 패키지
14 : 메탈 캡
15 : 범프
20 : 송신(Tx) 필터
30 : 수신(Rx) 필터
[특허 문헌 1] 일본 특개 2004-194269호 공보
본 발명은, 소형화를 가능하게 한 플립 칩 실장된 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화 등의 무선 장치가 급속한 소형화·고기능화가 진행되고 있다. 그 고주파 회로에는 필터가 사용되고 있고, 중요한 역활을 하고 있다. 이러한 필터는, 소형화를 위해 일반적으로 탄성 표면파(SAW:Surface Acoustic Wave) 장 치를 이용하여 구성되는 경우가 많다.
예를 들면, PCS(Personal Communications System) 휴대 전화 등의 무선 장치에서, 송신(Tx:1850∼1910㎒) 신호 및 수신(Rx:1930∼1990㎒) 신호를 분리하는 역할을 갖는 안테나 듀플렉서의 기능을 구성하는 송신(Tx) 필터 및, 수신(Rx) 필터를 탄성 표면파 장치로 구성한다.
그리고, 이러한 송신(Tx) 필터 및, 수신(Rx) 필터는, 밴드 패스 필터로서, 예를 들면, 특허 문헌 1에 기재되어 바와 같이, 반사 전극 사이에 발생한 복수(2개)의 정재파를 이용하여 복수(2개)의 공진 모드를 갖는 다중(2중) 모드 SAW 필터(DMS)를 조합해서 구성된다.
2중 모드 SAW 필터는, 일례로서 특허 문헌 1에 개시되고, 도 1에 도시하는 바와 같은 빗형 전극(IDT:Interdigital Transducer) 패턴이, LiTa03, LiNb03, Li2B407, 수정 등의 도시하지 않은 압전 소자(압전 기판) 상에 형성되어 있다.
압전 소자에 형성된 IDT 패턴은, 도 1에 도시하는 예에서는, 1개의 입력(출력) IDT(1)와, 2개의 출력(입력) IDT(2a, 2b)가 교대로 배열되고, 또한 이들 양측에 탄성 표면파의 전파 방향에 위치하는 그레이팅형의 반사기(3a, 3b)를 갖고 있다.
도 1에 도시하는 IDT 패턴의 특징은, 입력(출력) IDT(1)의 단자 IN(OUT)과, 2개의 출력(입력) IDT(2a, 2b)의 공통 접속된 단자 OUT(IN)가 동일한 측에 배치되어 있는 것이다.
또한, 도 1에 도시하는 IDT 패턴을 단위로 하여, 목적으로 하는 원하는 필터 특성에 대응하여, 복수의 IDT 패턴을 병렬로 혹은, 또한 직렬(캐스케이드)로 접속하여 필터를 구성한다.
도 2는, 이러한 도 1에 도시하는 IDT 패턴을 단위로 하여, 3병렬 캐스케이드 접속한 2중 모드 SAW 필터(DMS)의 평면도로서, 압전 소자(10) 상에 도 1의 단위 IDT 패턴이 3병렬 캐스케이드로 접속되어 있다.
도 3은, 이러한 도 2에 도시하는 IDT 패턴의 2중 모드 SAW 필터(DMS)를 패키지에 수용하여 탄성 표면파(SAW) 장치를 형성했을 때의 단면도이다. 이 탄성 표면파(SAW) 장치에서는, 세라믹 패키지(11)의 내측 저면에 도전성 페이스트(12)에 의해 2중 모드 SAW 필터(DMS)를 접착하고 있다. 2중 모드 SAW 필터(DMS)는, 압전 소자(10) 상에 IDT 패턴이 형성되고, 입력 단자 IN, 출력 단자 OUT 및 GND 단자가, 본딩 와이어(13)에 의해, 세라믹 패키지(11)측의 단자에 접속되어 있다. 또한, 메탈 캡(14)이, IDT 패턴과 소정 이상의 공간 간격을 가지고, 세라믹 패키지(11)의 내측을 피복하도록 접착된다.
여기서, 탄성 표면파 장치는, 본딩 와이어(13)가, 메탈 캡(14) 및 IDT 패턴과 소정 이상의 공간 간격을 필요로 하기 때문에, 소형화에 한계를 갖는다. 따라서, 본딩 와이어(13)에 의해 2중 모드 SAW 필터(DMS)를 세라믹 패키지측의 단자에 접속하는 구성 대신에, 플립 칩 접속에 의해 세라믹 패키지의 단자에 접속하는 구성이 고려된다.
도 4는, 도 2에 도시하는 IDT 패턴의 2중 모드 SAW 필터를, 플립 칩 접속에 의해 세라믹 패키지에 실장하는 경우의 상정되는 구성예의 단면도이다.
세라믹 패키지(11)측에 접지 단자 GND, 입력 단자 IN 및 출력 단자 OUT가 형성되어 있다.
2중 모드 SAW 필터(DMS)의 압전 소자(10) 상에 형성된 IDT 패턴측을 하향으로 하여, IDT 패턴측의 IDT 패턴의 접지 단자 GND, 입력 단자 IN 및 출력 단자 OUT를 세라믹 패키지(11)측의 접지 단자 GND, 입력 단자 IN 및 출력 단자 OUT에 대응시켜 범프(15)에 의해 접속한다. 이에 의해, 세라믹 패키지(11)에 2중 모드 SAW 필터(DMS)를 수용할 때의 면적 및 높이 방향의 저감화가 도모된다.
그러나, 도 4에 도시하는 바와 같이 플립 칩 접속에 의해 세라믹 패키지에 2중 모드 SAW 필터를 수용하는 경우, 특성상의 열화가 인식되었다. 도 5는, 동일한 구성의, 즉 도 1에 도시하는 입력(출력) IDT(1)의 단자 IN(OUT)과 2개의 출력(입력) IDT(2a, 2b)의 공통 접속된 단자 OUT(IN)가 동일한 측에 배치되어 있는 IDT 패턴을 갖는 2중 모드 SAW 필터(DMS)를, 와이어 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 특성과, 플립 칩 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 특성을 비교하여 도시하는 도면이다.
즉, 도 5에서, 그래프 도 5의 (a)는, 듀플렉서에서의 수신 신호를 안테나로부터 수신 회로로 유도하기 위한 수신 필터의 통과 특성에 대하여 나타내고 있다. 또한, 그래프 도 5의 (b)는, 듀플렉서에서의 송신측으로부터 수신측으로의 아이솔레이션 특성을 나타내고 있다.
일반적으로, PCS 듀플렉서에서의 수신 안테나 필터로서는 송신 대역에서 50 ㏈ 이상의 감쇠량이 요구된다. 또한, 송신 대역의 아이솔레이션에 대한 규격값은 55㏈이 요구된다.
도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 플립 칩 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 수신 안테나 필터의 통과 대역 밖의 감쇠 특성 Ⅱ는, 와이어 본딩에 의한 경우 I과 비교하여 열화되어, 50㏈ 이상의 감쇠량을 만족시키지 않는 영역을 갖고 있다.
또한, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 플립 칩 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 수신 안테나 필터의 송신측으로부터 수신측으로의 아이솔레이션 특성 Ⅱ는, 와이어 본딩에 의한 경우 I과 비교하여, 아이솔레이션에 대한 규격값 55㏈을 만족시키지 않는 영역이 발생하고 있다.
이러한 플립 칩 본딩에 의한 경우의 특성 열화의 원인은, 플립 칩 본딩에 의해 세라믹 패키지에 수용했을 때의 세라믹 패키지에서의 입출력 단자 사이가 가까워지고, 이것에 의한 입출력간 용량이 커지게 되기 때문으로 추정된다.
이러한 추정에 기초하여, 본 발명자들은, 도 1에서의 IDT 패턴에 대하여, 도 6에 도시하는 바와 같이, IN(OUT) 단자와 OUT(IN) 단자 사이를 넓히고, IDT 패턴의 IN(OUT) 단자와 OUT(IN) 단자 사이에 대응하도록, 세라믹 패키지의 표면층이나 내층에 한하지 않고 GND 패턴(4)을 설치하여, 통과 대역 특성을 측정했다.
도 7은, 도 6의 IDT 패턴에 대응하는 세라믹 패키지측의 단자 패턴을 도시하는 도면이다. 접지 GND선(Line)이 형성 가능하도록 IN(OUT) 단자와 OUT(IN) 단자 사이가 넓혀져 있다.
이와 같이, 도 6의 구성에 의해, GND 패턴(4)에 의해 IN(OUT) 단자와 OUT(IN) 단자 사이가 분단되기 때문에, 대응하는 입출력간 결합 용량을 저감할 수 있다.
도 8은, 이러한 GND 패턴(4)에 의한 입출력간 결합 용량 저감의 효과를 나타내는 통과 대역 특성도이다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 입출력간 결합 용량 저감에 의해, 통과 대역 밖 감쇠량을 화살표 방향으로 크게 할 수 있다는 것을 이해할 수 있다.
그러나, 이러한 구성에서는 도 6, 도 7에 도시하는 바와 같이 GND 패턴(4)의 형성을 위해, 입출력 단자 사이를 넓힐 필요가 발생하고, 이 때문에, 평면상에 장치 구성이 확대되어, 소형화의 달성에 폐해로 된다.
이러한 점으로부터, 본원 발명의 목적은, 양호한 필터 특성을 얻기 위한 상기 폐해를 회피하고, 또한 평면적으로도 장치 구성이 커지지 않는, 입출력 단자 배치의 레이아웃에 특징을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하는, 본 발명의 제1 측면은, 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성된 탄성 표면파 필터를 갖고, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용의 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 빗형 전극 패턴은, 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극을 갖고, 상기 입 력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극 중 어느 한쪽의 전극 단자가, 주회 배선에 의해, 접지 전극을 사이에 두고 다른쪽의 전극 단자와 반대측에 위치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터는, 상기 반사 전극 사이에 여진된 탄성 표면파를 사용하고, 상기 반사 전극 사이에 발생한 복수의 정상파를 이용하는 다중 모드 탄성 표면파 필터인 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하는, 본 발명의 제2 측면은, 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성되고, 캐스케이드 접속된 제1 및 제2 탄성 표면파 필터를 갖고, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용의 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 빗형 전극 패턴은, 각각 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극을 갖고, 상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 각각에 대하여, 상기 입력용 및 출력용의 빗형 전극의 전극 단자가 동일한 측으로부터 인출되고, 상기 제1 탄성 표면파 필터의 출력(또는 입력)용의 빗형 전극의 전극 단자가, 상기 제2 탄성 표면파 필터의 입력(또는 출력)용의 빗형 전극의 전극 단자와 주회 배선에 의해 접속되고, 또한 상기 제2 탄성 표면파 필터의 접지 단자를 사이에 두고, 상기 제1 탄성 표면파 필터의 입력용 및 출력용의 빗형 전극의 전극 단자가 상기 제2 탄성 표면파 필터에 대향하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명의 목적을 달성하는, 본 발명의 제3 측면은, 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성되고, 캐스케이드 접속된 제1 및 제2 탄성 표면파 필터를 갖고, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용의 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 빗형 전극 패턴은, 각각 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용의 빗형 전극과 출력용의 빗형 전극을 갖고, 상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 각각에 대하여, 상기 입력용 및 출력용의 빗형 전극의 전극 단자가 동일한 측으로부터 인출되고, 상기 제1 탄성 표면파 필터의 출력(또는 입력)용의 빗형 전극의 전극 단자가, 상기 제2 탄성 표면파 필터의 입력(또는 출력)용의 빗형 전극의 전극 단자와 주회 배선에 의해 접속되고, 또한 상기 제1 탄성 표면파 필터의 접지 단자와 상기 제2 탄성 표면파 필터의 접지 단자가 대향하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 측면에서, 상기 빗형 전극 패턴은, 원하는 합성 임피던스를 얻도록, 2분할된 필터를 직렬 접속하는 구성으로 해도 된다.
또한, 상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터 중 적어도 하나의 탄성 표면파 필터의 전극 패턴은, 원하는 합성 임피던스를 얻도록, 2분할된 필터를 직렬 접속하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터가, 복수 병렬 접속되는 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 탄성 표면파 필터가, 상기 입력(또는 출력) 단자가, 밸런스 입력(또는 출력)인 것으로 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 패키지의 전극 패턴을, 필터를 구성하는 인덕턴스 성분으로 해도 된다.
상기 본 발명의 목적을 달성하는, 본 발명의 제4 측면은 안테나 듀플렉서로서, 상기 탄성 표면파 장치가, 송신 및 또는 수신 필터로서 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 제4 측면에서, 패키지 내에서, 상기 송신 필터에 접속하는 송신(Tx) 신호용 전극 패턴과, 상기 수신 필터에 접속하는 수신(Rx) 신호용 전극 패턴 사이에 접지 패턴이 형성되어 있도록 해도 된다.
<실시예>
이하에, 도면에 따라, 본 발명의 실시 형태의 예를 설명한다.
도 9a, 도 9b는, 본 발명에 따른 2중 모드 SAW 필터의 기본 IDT 패턴의 제1 실시예를 도시하는 도면이다. 앞에서 설명한 바와 같이, 이러한 IDT 패턴이 압전 소자 상에 형성되어, 필터가 구성된다. 또한, 필터는, 세라믹 패키지 내에 수용되어 탄성 표면파 장치가 형성된다. 도 9a는 제1 실시예의 IDT 패턴을, 도 9b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
도 9a에 도시하는 2중 모드 SAW 필터의 기본 IDT 패턴의 특징은, 도 1의 IDT 패턴과 비교하여, 입력 IN(또는 출력 OUT) 단자와 출력 OUT(또는 입력) 단자가 접지 GND 단자를 사이에 두고, 반대측에 배치되어 있는 것이다. 이것에 대응하는 세라믹 패키지측의 단자 배치가 도 9b에 도시된다.
이와 같이, 입력 IN 단자와 출력 OUT 단자가 접지 GND 단자에 의해 분리됨으 로써, 앞서 도 8에 도시한 바와 같이 입출력간 결합 용량 저감에 의해, 통과 대역 밖 감쇠량의 개선이 가능하다. 또한, 입력 IN 단자와 출력 OUT 단자를 분리하는 접지 GND 단자는, 기본 IDT 패턴 자신의 GND 단자로서 추가의 GND 단자를 설치할 스페이스는 불필요하기 때문에 평면적으로 장치 구성이 커지는 것을 회피할 수 있다.
여기서, 도 9a, 도 9b에 도시되는 IDT 패턴에서는, 입력 IN 단자를, 접지 GND 단자를 사이에 두고 출력 OUT 단자와 반대측에 배치하기 위해, 주회 배선(5)의 형성이 필요하다. 이 때 주회 배선(5)의 길이에 의해, 신호 전송에서 저항값이 커지므로, 적어도 주회 배선(5)을 후막으로 형성하여 저항값을 저감하는 것이 바람직하다.
또한, 도 9a, 도 9b에 도시하는 2중 모드 SAW 필터의 기본 IDT 패턴을 이용하여, 확장된 2중 모드 SAW 필터를 이용하는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 실시예를 이하에 설명한다.
도 10a, 도 10b는, 제2 실시예이며, 도 10a는 IDT 패턴을, 도 10b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
도 10a, 도 10b에 도시하는 제2 실시예에서는, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)와 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)가, 캐스케이드 접속되어 있다. 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)의 출력 단자가, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 입력 단자에 주회 배선(5)에 의해 접속되어 있다. 이 때, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)에 대하여, 입력 단자와 출력 단자의 배치가, 도 9의 제1 실시예와 역의 관계로 되 어 있다.
이러한 제2 실시예에서는, 도 10b의 패키지에서의 전극 배치 패턴으로 나타내는 바와 같이, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)의 입력 IN 단자와 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 출력 OUT 단자 사이에, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 접지 GND 단자가 배치되기 때문에, 평면 스페이스를 확대하지 않고 탄성 표면파 장치에서의 입출력 단자 사이에 접지 GND 단자를 배치하는 것이 가능하다.
도 11a, 도 11b는, 제3 실시예이며, 도 11a는 IDT 패턴을, 도 11b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
도 11a, 도 11b에 도시하는 실시예는, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)와 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 IDT 패턴은, 각각 도 9의 실시예와 마찬가지이지만, 한쪽을 반전하여 접지 단자 GND1, GND2를 표리 관계로 배치하고, 주회 배선(5)에 의해 캐스케이드 접속되어 있다.
이에 따라, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)의 입력 IN 단자와 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 출력 OUT 단자가, 제1 접지 단자 GND1 및 제2 접지 단자 GND2에 의해 보다 강고하게 분리되기 때문에, 입출력간 용량에 의한 필터 특성의 열화를 충분히 회피하는 것이 가능하다.
도 12a, 도 12b는, 또한 제4 실시예이며, 도 12a는 IDT 패턴을, 도 12b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
이 실시예에서는, 원하는 임피던스(예를 들면 50Ω)가 제1 필터(Fa)와 제2 필터(Fb)의 합성 임피던스로 되도록, 다중 모드 SAW 필터 Fa와 Fb를 직렬 접속한 구성이다.
도 9a에 도시한 제1 실시예와 마찬가지로, 주회 배선(5)에 의해 출력 OUT 단자가 입력 IN 단자와 반대측에 배치되어 있다. 이것에 의해 탄성 표면파 장치의 입출력간 결합 용량을 감소시킬 수 있다.
또한 본 실시예에서는, 듀플렉서나 안테나 필터의 수신 필터로서 적용된 경우, 일본 특원 2004-252644나 일본 특원 2005-130988에 개시되어 있는 바와 같이 복수단의 직렬 접속에 의해 IDT에 걸리는 전압이 분산되어, IDT 면적의 확대에 의해 단위 면적당의 탄성 표면파의 여진 강도가 작아져, 혼변조 레벨의 억제가 가능하다. 또한 IDT에 걸리는 전압의 분산에 의해, 정전 내압(ESD)이나 내전력의 향상도 가능하다.
도 13a, 도 13b는, 제5 실시예이며, 도 13a는 IDT 패턴을, 도 13b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
이 실시예는, 제2 실시예에서의 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)로서 제4 실시예를 적용한 것이다. 이 때 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)의 출력을, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 주회 배선(5)에 접속하고 있다.
이 실시예에서도, 도 13b에 도시하는 바와 같이, 입력 IN 단자와 출력 OUT 단자 사이에 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)의 접지 GND 단자를 배치하여, 입출력간 용량을 감소시킬 수 있다. 또한, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)에 관하여, 제4 실시예와 마찬가지이므로, IDT 면적의 확대에 의해 단위 면적당의 탄성 표면파의 여진 강도가 작아져, 혼변조 레벨의 억제가 가능하다는 효과가 얻어진다.
도 14a, 도 14b는, 제6 실시예이며, 도 14a는 IDT 패턴을, 도 14b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
이 실시예는, 제5 실시예에서 나타낸 구조를 병렬 접속한 구성이다. 다른 실시예와 마찬가지로, 탄성 표면파 장치의 입출력간 결합 용량을 감소시킬 수 있는 것 외에, 병렬 접속에 의해 전류의 분산이 가능하다. 이에 의해 내전력의 향상을 기대할 수 있다. 도 14a에는, 실시예로서 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)를 4병렬, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)를 3병렬로 서로 다르게 구성하고 있지만, 병렬 수는 동일해도 된다.
또한, 도 14b에 도시하는 바와 같이, 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도 14b는, 제5 실시예에서의 세라믹 패키지측의 전극 배치를 도시하는 도 13b와 마찬가지이다.
도 15a, 도 15b는, 제7 실시예이며, 도 15a는 IDT 패턴을, 도 15b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
이 실시예는, 다중 모드 SAW 필터(F1, F2)를 캐스케이드 접속한 구성의 일례이다. 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)를 미러 대칭으로 배치하고, 캐스케이드 접속해도 세라믹 패키지의 입력 IN 단자 및 출력 OUT 단자 패턴(도 15b 참조) 사이에 접지 GND 패턴(GND2)을 설치할 수 있다. 그러나, 상기한 특허 문헌 1(일본 특개 2004-194269호 공보)에서도 기재되어 있는 바와 같이, 삽입 손실이나 송신측 Tx 대역과 수신측 Rx 대역간의 상승의 급준성(각형)이 대폭적으로 열화되게 된다.
따라서 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)와 같이 입출력 IDT를 동일 방향으로 부터 인출하도록 구성한다. 이것에 의해, 삽입 손실과 각형의 열화를 방지하고, 또한 탄성 표면파 장치의 입출력간의 결합 용량을 저감할 수 있다.
또한, 다른 실시예로서, 도 16a, 도 16b는, 제8 실시예이며, 도 16a는 IDT 패턴을, 도 16b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
이 제8 실시예는, 제7 실시예에서, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)에 대하여, 밸런스 출력 OUT 단자를 갖도록 구성한 것이다. 이 밸런스 출력 OUT 단자와, 전단의 다중 모드 SAW 필터(F1)의 입력 IN 단자 사이에 접지 GND 단자 GND2가 배치되기 때문에, 탄성 표면파 장치의 입출력간 결합 용량을 감소시킬 수 있다.
다음으로 본 발명을 적용한 탄성 표면파 장치의 적용예에서의 효과를 종래 구성과 비교하여 설명한다.
도 17a, 도 17b는, 도 14a, 도 14b에 도시한 제6 실시예에 대응하며, 후단의 다중 모드 SAW 필터(F2)에 본 발명을 적용하고 있지 않는 종래 구성예이다. 그리고, 도 17a는 IDT 패턴을, 도 17b는 플립 칩 실장하는 세라믹 패키지측의 전극 배치를 나타낸다.
따라서, 도 14a, 도 14b에 도시한 제6 실시예와, 도 17a, 도 17b에 도시하는 본 발명을 적용하지 않는 구성과의 사이에서 특성을 비교한다.
도 18a에 듀플렉서의 구성예를 도시한다. 도 18b에, 본 발명에 따른 제6 실시예와 도 17a, 도 17b의 비교예를 PCS 듀플렉서의 수신(Rx) 필터로서 사용했을 때의 송수신간 아이솔레이션 특성을 나타낸다.
송신 필터(20)와 수신 필터(30)를 개별 패키지로 구성하는 안테나 필터의 경 우에는, 본 발명에 따른 수신 SAW 필터(Rx)의 CAR의 감소에 의해서, 수신 SAW 필터의 송신(Tx) 대역 감쇠량을 개선하는 것이, 송신(Tx) 대역 아이솔레이션 특성의 개선으로 이어진다.
송신 Tx 및 수신 Rx 필터(20, 30)를 동일 패키지 내에 구성하는 듀플렉서에서는, CAR의 억제 외에, CTR의 억제가 송신(Tx) 대역 아이솔레이션 특성에 효과가 있다. 이 때문에, 패키지 내의 송신 Tx-수신 Rx 사이에 접지 GND 패턴을 설치하는 것이 바람직하다.
이상의 점으로부터, 도 18b에 도시하는 바와 같이, 본 발명에 의해 PCS 듀플렉서의 송신 Tx 대역 아이솔레이션에 요구되는 55㏈을 만족시킬 수 있었다.
제6 실시예에서, CAR 감소에 효과가 있는 접지 GND 패턴은, 수신(Rx) 필터(30)용의 접지 GND 패턴으로서 이용하고 있다. 물론 송신(Tx) 필터(20)용으로서 이용하는 것도 가능하지만, 공용화는 시키고 있지 않다.
CTR의 감소에 효과가 있는 송신(Tx) 필터(20)용 패턴과 수신(Rx) 필터용 패턴 사이에 설치한 접지 GND 패턴은, 수신(Rx) 필터(30)용의 접지 GND 패턴과 송신(Tx) 필터(20)용의 접지 GND 패턴을 설치하고 있어, 이들도 또한 공유화는 하고 있지 않다.
단 접지 GND 인덕턴스의 조정 등을 위해서 공유화(도통)되는 경우도 있다. 도 19a는, PCS 수신 필터의 구성예 블록도이다. 도 19b는, 도 14a, 도 14b에 도시 하는 제6 실시예에서의 세라믹 패키지(10)의 접지 GND 인덕턴스 L1∼L5의 값을 변화시킨 특성(Korean PCS 수신 필터)이다. 접지 GND 인덕턴스를 변화시킴으로써, 감쇠 대역을 변화시킬 수 있기 때문에, 송신 Tx- 수신 Rx 간격이 변화되어도(시스템이 변경되어도), 감쇠량을 확보할 수 있다.
본 발명에 따라, 패키지의 표면층이나 내층에 한하지 않고, 입출력 패턴 사이에 접지 GND 패턴을 설치함으로써, 패키지의 입출력간 결합 용량을 감소, 즉 탄성 표면파 장치 자신의 입출력간 결합 용량을 감소시킬 수 있다.
이 효과에 의해, 플립 칩 실장에서의 특성 열화를 회피할 수 있어, 본 발명의 적용에 의해 플립 칩 실장 시에도 저손실·고감쇠의 특성을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성된 탄성 표면파 필터를 포함하고, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 빗형 전극 패턴은, 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용 빗형 전극과 출력용 빗형 전극을 갖고,
    상기 입력용 빗형 전극과 상기 출력용 빗형 전극 중 어느 한쪽의 전극 단자는, 주회 배선을 이용하여, 접지 전극을 사이에 두고 다른쪽의 빗형 전극의 전극 단자와 반대측에 위치하도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터는, 상기 반사 전극 사이에 여진된 탄성 표면파를 사용하고, 상기 반사 전극 사이에 발생한 복수의 정재파를 이용하는 다중 모드 탄성 표면파 필터인 탄성 표면파 장치.
  3. 압전 소자 상에 빗형 전극 패턴이 형성되고 상호간에 캐스케이드 접속된 제1 및 제2 탄성 표면파 필터를 포함하며, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용 전극 단자가, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 빗형 전극 패턴은, 각각 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용 빗형 전극과 출력용 빗형 전극을 갖고,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 각각에 대하여, 상기 입력용 및 출력용 빗형 전극의 전극 단자들이 동일한 측으로부터 인출되고,
    상기 제1 탄성 표면파 필터의 출력(또는 입력)용 빗형 전극의 전극 단자는, 주회 배선을 이용하여, 상기 제2 탄성 표면파 필터의 입력(또는 출력)용 빗형 전극의 전극 단자와 접속되고, 상기 제1 탄성 표면파 필터의 입력용 및 출력용 빗형 전극의 전극 단자는, 상기 제2 탄성 표면파 필터의 접지 단자를 사이에 두고 상기 제2 탄성 표면파 필터에 대향하도록 구성되어 있는 탄성 표면파 장치.
  4. 상호간에 캐스케이드 접속된 제1 및 제2 탄성 표면파 필터를 포함하며, 상기 탄성 표면파 필터의 입출력용 전극 단자는, 범프를 통하여 패키지의 대응하는 전극 패턴에 접속되어 있는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 빗형 전극 패턴은, 각각 1쌍의 반사 전극과, 상기 1쌍의 반사 전극 사이에 배치된 입력용 빗형 전극과 출력용 빗형 전극을 갖고,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터의 각각에 대하여, 상기 입력용 및 출력용 빗형 전극의 전극 단자가 동일한 측으로부터 인출되고,
    상기 제1 탄성 표면파 필터의 출력 또는 입력용 빗형 전극의 전극 단자는, 주회 배선을 이용하여, 상기 제2 탄성 표면파 필터의 입력 또는 출력용 빗형 전극의 전극 단자와 접속되고, 상기 제1 탄성 표면파 필터의 접지 단자와 상기 제2 탄성 표면파 필터의 접지 단자가 대향하도록 구성되어 있는 탄성 표면파 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 빗형 전극 패턴은, 원하는 임피던스를 얻을 수 있도록, 2분할된 필터들을 직렬 접속하여 구성되는 탄성 표면파 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터 중 적어도 하나의 탄성 표면파 필터의 전극 패턴은, 원하는 임피던스를 얻을 수 있도록, 2분할된 필터들을 직렬 접속하여 구성되는 탄성 표면파 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄성 표면파 필터 중 적어도 하나의 탄성 표면파 필터의 전극 패턴은, 원하는 임피던스를 얻을 수 있도록, 2분할된 필터들을 직렬 접속하여 구성되는 탄성 표면파 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    병렬로 접속된 복수의 탄성 표면파 필터를 더 포함하는 탄성 표면파 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    병렬로 접속된 복수의 탄성 표면파 필터를 더 포함하는 탄성 표면파 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    병렬로 접속된 복수의 탄성 표면파 필터를 더 포함하는 탄성 표면파 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 입력 (또는 출력) 단자는 밸런스 입력 (또는 출력)인 탄성 표면파 장치.
  12. 제3항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 입력 (또는 출력) 단자는 밸런스 입력 (또는 출력)인 탄성 표면파 장치.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 탄성 표면파 필터의 입력 (또는 출력) 단자는 밸런스 입력 (또는 출력)인 탄성 표면파 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 패키지의 전극 패턴은, 상기 필터를 구성하는 인덕턴스 성분인 탄성 표면파 장치.
  15. 제3항에 있어서,
    상기 패키지의 전극 패턴은, 상기 필터를 구성하는 인덕턴스 성분인 탄성 표면파 장치.
  16. 제4항에 있어서,
    상기 패키지의 전극 패턴은, 상기 필터를 구성하는 인덕턴스 성분인 탄성 표면파 장치.
  17. 송신 필터 및/또는 수신 필터로서 제1항의 탄성 표면파 장치를 포함하는 안테나 듀플렉서.
  18. 송신 필터 및/또는 수신 필터로서 제3항의 탄성 표면파 장치를 포함하는 안테나 듀플렉서.
  19. 송신 필터 및/또는 수신 필터로서 제4항의 탄성 표면파 장치를 포함하는 안테나 듀플렉서.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 패키지 내에서, 상기 송신 필터에 접속된 송신(Tx) 신호용 전극 패턴과 상기 수신 필터에 접속된 수신(Rx) 신호용 전극 패턴 사이에 접지 패턴이 형성되어 있는 안테나 듀플렉서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU205909U1 (ru) * 2021-03-18 2021-08-12 Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС" Дуплексерный фильтр на поверхностных акустических волнах

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
KR19980021095A (ko) * 1996-09-13 1998-06-25 이진주 표면탄성파 필터
JPH10261935A (ja) 1997-03-17 1998-09-29 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
KR20040034496A (ko) * 2002-10-18 2004-04-28 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 다중 모드 탄성 표면파 필터 및 분파기

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
KR19980021095A (ko) * 1996-09-13 1998-06-25 이진주 표면탄성파 필터
JPH10261935A (ja) 1997-03-17 1998-09-29 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
KR20040034496A (ko) * 2002-10-18 2004-04-28 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 다중 모드 탄성 표면파 필터 및 분파기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU205909U1 (ru) * 2021-03-18 2021-08-12 Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС" Дуплексерный фильтр на поверхностных акустических волнах

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