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KR100646786B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 Download PDF

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Publication number
KR100646786B1
KR100646786B1 KR1020000009817A KR20000009817A KR100646786B1 KR 100646786 B1 KR100646786 B1 KR 100646786B1 KR 1020000009817 A KR1020000009817 A KR 1020000009817A KR 20000009817 A KR20000009817 A KR 20000009817A KR 100646786 B1 KR100646786 B1 KR 100646786B1
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KR
South Korea
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common
electrode
pixel
line
signal line
Prior art date
Application number
KR1020000009817A
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English (en)
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KR20010084629A (ko
Inventor
박운용
이경남
송유리
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to KR1020000009817A priority Critical patent/KR100646786B1/ko
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Abstract

본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는 기판 위에 게이트선 및 게이트 패드, 게이트선과 나란한 상부 및 하부 공통 신호선이 형성되어 있으며, 두 공통 신호선은 공통 신호선 연결부로 연결되어 있다. 상부 및 하부 공통 신호선 사이에는 공통 신호선 연결부와 이어져 있는 제1 내지 제3 공통 전극이 형성되어 있다. 게이트 절연막이 이들을 덮고 있고, 게이트 전극 상부에는 반도체층과 접촉층 패턴이 형성되어 있다. 그 위에 보조 데이터선, 보조 데이터선과 이어져 있는 소스 전극 및 데이터 패드, 이들과 분리되어 있는 드레인 전극, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극부가 형성되어 있다. 화소 전극부는 상부 및 하부 공통 신호선과 중첩되어 있는 상부 및 하부 화소 신호선, 이들을 연결하는 화소 신호선 연결부, 화소 신호선 연결부와 이어져 있으며 공통 신호선과 공통 전극 또는 이웃한 공통 전극 사이에 일정한 간격으로 형성되어 있는 제1 내지 제4 화소 전극을 포함한다. 그 위에 접촉구를 가지는 보호 절연막이 형성되어 있고 보호 절연막 상부에는 보조 데이터선과 연결되어 있으며 세로 방향의 주 데이터선이 형성되어 있다. 본 발명에서는 화소 전극 및 공통 전극이 각을 가지고 가로 방향으로 형성되어 있으므로 개구율이 향상되며 색반전이나 빛샘과 같은 불량이 일어나지 않는다.
광시야각, 색반전, 평면 전계, 빛샘

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판{a thin film transistor array panel for a liquid crystal display}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 2는 도 1에서 Ⅱ-Ⅱ′선에 대한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ′선에 대한 단면도이고,
도 5는 도 4 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 6은 도 5에서 Ⅵ-Ⅵ′선에 대한 단면도이고,
도 7은 도 6 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이며,
도 8은 도 7에서 Ⅷ-Ⅷ′선에 대한 단면도이고,
도 9는 도 8 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 10은 도 9에서 Ⅹ-Ⅹ′선에 대한 단면도이고,
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 시야각이 넓은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지고, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 화상을 표시하는 장치이다.
액정 표시 장치는 시야각이 좁은 단점이 있는데, 이를 개선하기 위한 것 중의 하나로서 액정 표시 장치의 두 기판 중 하나의 기판에 서로 평행한 선형의 전극을 형성하고 전극에 전압을 인가하여 수평 전계를 형성함으로써 두 기판의 평면에 평행하게 배열되어 있는 액정 분자를 재배열시키는 액정 표시 장치가 있다.
이러한 수평 전계에 의한 액정 구동 방식은 미국 특허 제5,598,285호 및 제5,745,207호에 나타나 있다.
그러나, 미국 특허 제5,598,285호에서 제시된 액정 표시 장치는 수평 전계를 인가하기 위한 두 전극, 즉 공통 전극과 화소 전극의 단차에 의하여 전극 위에 형성되는 배향막을 러빙하는 공정에서 러빙이 불균일하여 단차부에서 빛이 새고, 미국 특허 제5,745,207호는 개구율이 떨어지며 특정 각도에서 색반전이 일어나는 문제점이 있다.
본 발명의 과제는 액정 표시 장치의 개구율을 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 액정 표시 장치의 빛이 새는 것을 방지하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 액정 표시 장치의 색반전을 제거하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는 공통 전극 및 화소 전극을 가로 방향을 가지며 일정 각도로 기울어지도록 형성하는데 화소 영역의 가운데 부분을 중심으로 상측과 하측이 서로 다른 방향으로 기울어지도록 한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는 투명 기판 위에 가로 방향을 가지는 다수의 게이트선, 게이트선과 나란한 공통 신호선, 공통 신호선과 연결되어 있는 세로 방향의 공통 신호선 연결부 및 공통 신호선 연결부와 연결되어 있고 게이트선에 대하여 3도 내지 45도의 각도로 기울어져 있는 공통 전극을 포함하는 공통 배선이 형성되어 있다. 게이트선 및 공통 배선과 절연되어 있으며 게이트선과 교차하여 화소 영역을 이루는 다수의 데이터선이 형성되어 있고, 게이트선의 일부인 게이트 전극, 데이터선과 이어진 소스 전극 및 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터는 게이트선으로부터 주사 신호를 받아 데이터선으로부터의 화상 신호를 스위칭한다. 또한, 드레인 전극과 연결되어 있으며 공통 신호선과 중첩되어 있는 가로 방향의 화소 신호선, 화소 신호선과 연결되어 있는 화소 신호선 연결부 및 화소 신호선 연결부와 연결되어 있으며 게이트선에 대하여 3도 내지 45도의 각도로 기울어져 있는 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 화소 영역의 가운데 부분을 지나는 가로 방향의 선을 중심으로 상측과 하측에 있는 공통 전극 및 화소 전극은 각각 다른 방향으로 기울어져 있다.
본 발명에 따른 기판은 배향막을 더 포함할 수 있는데 배향막의 러빙 방향은 게이트선과 나란한 방향일 수 있다.
또한, 화소 전극과 공통 전극은 서로 평행할 수 있으며, 화소 전극 및 공통 전극 사이의 거리는 5 내지 20 ㎛일 수 있다.
본 발명에서 화소 전극 및 공통 전극은 각각 화소 영역의 가운데 부분을 지나는 선을 중심으로 상하 대칭을 이룰 수 있다.
공통 신호선이 게이트선에 대해 사선으로 형성되어 있을 때, 박막 트랜지스터의 위치는 게이트선과 공통 신호선 사이의 거리가 가장 먼 곳에 위치하는 것이 바람직하다.
한편, 액정 표시 장치는 화소 단위로 이루어지는데 공통 전극의 기울어진 각의 크기가 이웃하는 화소 간에 다를 수도 있다.
본 발명에서 공통 전극과 공통 신호선 연결부를 연결하는 부분은 게이트선에 대하여 10 내지 50도의 각으로 기울어질 수 있으며, 화소 전극과 화소 신호선 연결부를 연결시키는 부분도 10 내지 50도의 각으로 기울어질 수 있다.
본 발명에서는 화소 전극 및 공통 전극을 전극 간의 거리가 같으며 일정 각도를 가지고 기울어지도록 형성하는데 가로 방향으로 형성하므로 개구율이 향상된다. 또한, 이러한 박막 트랜지스터 기판 위에 배향막을 형성한 다음 게이트선과 나란한 방향으로 러빙을 하면 공통 전극 및 화소 전극이 러빙 방향의 양쪽 방향에 형성되어 있으므로 색반전이나 빛샘과 같은 불량이 일어나지 않는다.
그러면 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터를 포함하는 기판을 도시한 것이며, 도 2는 도 1에서 Ⅱ-Ⅱ′선에 대한 단면도이다.
투명 기판(10) 위에 게이트 배선(21, 22, 23)과 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29) 및 데이터 수리선(281)이 형성되어 있다. 게이트 배선(21, 22, 23)은 가로 방향으로 형성되어 있는 게이트선(21)과 게이트선(21)의 한쪽 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 신호를 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함하며 게이트선(21)의 일부는 게이트 전극(22)이 된다. 게이트선(21)의 아래쪽에는 게이트선(21)과 나란한 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)이 각각 형성되어 있고 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)은 공통 신호선 연결부(26)로 연결되어 있다. 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)의 안쪽변(241, 251)은 사선 형태로 형성되어 있어 공통 신호선 연결부(26)와 만나는 부분은 다른 부분보다 폭이 더 넓고 오른쪽으로 갈수록 폭이 좁아진다. 하부 공통 신호선(25)의 한쪽 끝에는 외부로부터의 신호를 전달하기 위한 공통 전극 패드(253)가 연결되어 있다. 두 공통 신호선(24, 25) 사이에는 공통 신호선 연결부(26)와 연결되어 있으며, 가로 방향으로 형성되어 있는 제1 내지 제3 공통 전극(27, 28, 29)이 배치되어 있다. 두 공통 신호선(24, 25) 사이의 중앙에 있는 제2 공통 전극(28)의 위변과 아래변은 공통 신호선 연결부(26)와 만나는 곳에서 오른쪽으로 갈수록 각각 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)의 안쪽변(241, 251)과 나란하게 즉, 같은 기울기로 형성되어 있으므로 제2 공통 전극(28)의 두께는 두꺼워진다. 한편, 상부 공통 신호선(24)과 제2 공통 전극(28)의 사이에 있는 제1 공통 전극(27)은 상부 공통 신호선(24)의 안쪽변(241)과 같은 기울기를 가지고 형성되어 있으며, 제2 공통 전극(28)과 하부 공통 신호선(25) 사이에 있는 제3 공통 전극(29)은 하부 공통 신호선(25)의 안쪽변(251)과 같은 기울기를 가진다. 제1 및 제3 공통 전극(27, 29)과 제2 공통 전극(28)의 위변 및 아래변이 공통 신호선 연결부(26)에 수직한 가상의 선과 이루는 각도는 3 내지 45도의 범위를 가진다. 한편, 공통 전극(27, 28, 29)의 양끝은 꺾여져 좀 더 많이 기울어져 있는데, 이는 액정 분자의 원활한 배열을 위한 것으로 이 부분의 각도는 10 내지 50도로 하는 것이 좋다. 여기서, 상부 공통 신호선(24)의 안쪽 부분(241)과 제1 공통 전극(27), 제1 공통 전극(27)과 제2 공통 전극(28) 사이의 간격이 같고, 이는 또한 제2 공통 전극(28)과 제3 공통 전극(29), 제3 공통 전극(29)과 하부 공통 신호선(25)의 안쪽 부분(251)과도 같은 간격을 가지며, 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29)은 제2 공통 전극(28)의 가운데 부분에 대하여 대칭이 된다. 여기서는 상부 공통 신호선(24)과 하부 공통 신호선(25) 사이에 세 개의 공통 전극(27, 28, 29)만을 도시하였으나 공통 전극(27, 28, 29)의 기울어진 각도 및 액정 분자의 성질 등에 따라 더 많은 수 또는 더 적은 수로 형성할 수도 있다. 또한, 데이터 수리선(281)은 제1 내지 제3 공통 전극(27, 28, 29) 오른쪽에 세로 방향으로 형성되어 있으며, 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29)과 중첩되지 않는다. 데이터 수리선(281)은 그 상부의 주 데이터선(81)이 단선될 경우 레이저를 사용하여 그 단선된 부분 양끝 을 데이터 수리선(281)과 단락시킴으로써 수리할 수 있도록 한다.
게이트 배선(21, 22, 23)과 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29) 및 데이터 수리선(281) 위에는 게이트 절연막(30)이 형성되어 이들을 덮고 있고, 게이트 전극(22)이 위치하는 부분의 게이트 절연막(30) 상부에는 반도체층(40) 및 저항성 접촉층 패턴(51, 52)이 형성되어 있다.
그 위에 보조 데이터선(61), 보조 데이터선(61)과 이어져 있는 소스 전극(62) 및 이들과 떨어져 있는 드레인 전극(63), 그리고 데이터 패드(64)로 이루어진 보조 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성되어 있고, 공통 전극 패드(253)를 제외한 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29)이 형성되어 있는 화소 영역에는 드레인 전극(63)과 이어져 있는 화소 전극부(651, 652, 653, 654, 655, 656, 657)가 형성되어 있다. 화소 전극부(651, 652, 653, 654, 655, 656, 657)는 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)과 완전히 중첩되는 상부 및 하부 화소 신호선(651, 652), 두 화소 신호선(651, 652)을 연결하는 화소 신호선 연결부(653), 그리고 상부 및 하부 화소 신호선(651, 652) 사이에 형성되어 있으며 화소 신호선 연결부(653)와 이어져 있고 제1 또는 제3 공통 전극(27, 29)과 나란한 제1 내지 제4 화소 전극(654, 655, 656, 657)으로 이루어진다. 제1 화소 전극(654)은 상부 공통 신호선(24)과 제1 공통 전극(26) 사이의 중앙에 형성되어 있으며, 제2 화소 전극(655)은 제1 공통 전극(27)과 제2 공통 전극(28) 사이의 중앙에, 제3 화소 전극(656)은 제2 공통 전극(28)과 제3 공통 전극(29) 사이의 중앙에, 그리고 제4 화소 전극(657)은 제3 공통 전극(29)과 하부 공통 신호선(25) 사이 의 중앙에 형성되어 있어 제2 공통 전극(28)을 중심으로 대칭을 이룬다. 화소 전극(654, 655, 656, 657)과 공통 전극(27, 28, 29) 간의 거리는 5 내지 20 ㎛로 형성할 수 있다.
공통 전극(27, 28, 29)과 마찬가지로 화소 전극(654, 655, 656, 657)도 양끝이 10도 내지 50도의 각을 가지고 기울어져 있다.
여기서, 제2 공통 전극(28)을 중심으로 상측과 하측에 있는 공통 전극(27, 28, 29) 및 화소 전극(654, 655, 656, 657)이 반드시 대칭을 이룰 필요는 없다.
한편, 소스 및 드레인 전극(62, 63)과 접촉층 패턴(51, 52)은 게이트 전극(22)을 중심으로 마주 대하고 있다.
본 발명에서는 상부 공통 신호선(24)의 위쪽을 수평으로 형성하였으나 박막 트랜지스터의 공간을 확보하기 위해 사선으로 형성하여 상부 공통 신호선(24)과 게이트선(21) 간의 거리가 가장 먼 곳에 박막 트랜지스터를 형성한다.
보조 데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 화소 전극부(651, 652, 653, 654, 655, 656, 657) 상부에는 보호 절연막(70)이 형성되어 이들을 덮고 있고 게이트 패드(23), 공통 전극 패드(253) 및 데이터 패드(64), 그리고 보조 데이터선(61) 상부에는 이들을 각각 드러내는 제1 내지 제6 접촉구(71, 72, 73, 74, 75, 76)가 형성되어 있다.
이어, 보조 데이터선(61) 및 데이터 수리선(281) 상부의 보호 절연막(70) 위에는 주 데이터선(81)이 형성되어 있어 제5 접촉구(75, 76)를 통해 보조 데이터선(61)과 연결되어 있고 제4 접촉구(74)를 통해 데이터 패드(64)와 연결되어 있다.
이와 같이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판 위에 배향막(도시하지 않음)을 형성한 다음 러빙을 하는데, 러빙 방향을 게이트선(21)과 나란한 방향으로 하면 공통 전극(27, 28, 29) 및 화소 전극(654, 655, 656, 657)이 러빙 방향의 양쪽 방향에 형성되어 있으므로 색반전이나 빛샘과 같은 불량이 일어나지 않는다.
또한, 본 발명에서는 공통 전극(27, 28, 29) 및 화소 전극(654, 655, 656, 657)을 가로 방향으로 형성하므로 전극 간의 거리를 일정하게 형성할 수 있어 개구율이 향상된다.
도 3 내지 도 10과 앞서의 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 3에 도시한 바와 같이 기판(10) 위에 크롬과 알루미늄을 각각 500Å, 2000Å 정도의 두께로 증착하고 패터닝하여 게이트 배선(21, 22, 23) 및 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29) 그리고 데이터 수리선(281)을 형성한다. 게이트 배선(21, 22, 23)은 게이트선(21)과 게이트 패드(23)를 포함하며, 게이트선(21)의 일부는 게이트 전극(22)으로 이용된다. 공통 전극 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29)은 게이트선(21) 아래쪽에 게이트선(21)과 나란한 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25), 이들을 잇는 공통 신호선 연결부(26), 공통 신호선 연결부(26)와 이어져 있으며 가로 방향으로 각각 일정한 기울기를 가지고 대칭으로 형성되어 있는 제1 내지 제3 공통 전극(27, 28, 29), 그리고 하부 공통 신호선(25)의 한쪽 끝에 형성되어 있는 공통 전극 패드(253)를 포함한다. 데이터 수 리선(281)은 공통 신호선(24, 25) 사이의 공통 전극(27, 28, 29) 오른쪽에 세로로 형성한다.
다음, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 게이트 배선(21, 22, 23)과 공통 배선(24, 25, 241, 251, 253, 26, 27, 28, 29) 및 데이터 수리선(281) 상부에 질화 규소와 같은 물질로 게이트 절연막(30)을 증착하고 반도체층(40) 및 접촉층(50)을 연속해서 증착한 후, 패터닝하여 게이트 전극(22) 상부에 반도체층(40) 및 접촉층(50)을 형성한다. 반도체층(40)은 비정질 규소와 같은 물질로 형성하며 접촉층(50)은 고농도로 도핑된 비정질 규소와 같은 물질로 형성한다.
다음, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이 크롬을 1000Å 정도 스퍼터링한 다음 패터닝하여 보조 데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 화소 전극부(651, 652, 653, 654, 655, 656, 657)를 형성한다. 보조 데이터 배선(61, 62, 63, 64)은 보조 데이터선(61), 보조 데이터선(61)과 이어져 있는 소스 전극(62), 그리고 이들과 분리되어 있는 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 포함한다. 화소 전극부(651, 652, 653, 654, 655, 656, 657)는 드레인 전극(63)과 이어져 있으며, 상부 및 하부 공통 신호선(24, 25)과 중첩되는 상부 및 하부 화소 신호선(651, 652), 이들을 연결하는 화소 신호선 연결부(653), 그리고 상부 및 하부 화소 신호선(651, 652) 사이에 형성되어 있으며 제1 또는 제3 공통 전극(27, 29)과 나란한 제1 내지 제4 화소 전극(654, 655, 656, 657)으로 이루어진다.
다음, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이 보호 절연막(70)을 증착하고 식각하여 데이터 패드(64) 및 보조 데이터선(61)을 각각 드러내는 접촉구(73, 74, 75, 76)를 형성한 후, 계속해서 게이트 절연막(30)을 식각하여 게이트 패드(23) 및 공통 전극 패드(253)를 각각 드러내는 접촉구(71, 72)를 형성한다.
이어, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 보조 데이터선(61) 및 데이터 수리선(281) 상부에 주 데이터선(81)을 1500 내지 2500Å의 두께로 형성한다. 주 데이터선(81)은 크롬 또는 알루미늄으로 형성할 수 있는데 알루미늄으로 형성할 경우에는 크롬으로 형성할 경우보다 더 두껍게 형성한다.
본 발명에서는 보조 데이터 배선(61, 62, 63, 64)을 형성할 때 데이터 패드(64)를 형성하여 접촉구(74)를 통해 주 데이터선(81)과 연결하였으나, 도 11에 도시한 바와 같이 주 데이터선(81)을 형성할 때 데이터 패드(864)를 형성할 수도 있다. 이때에는 접촉구(74)를 형성하지 않아도 된다.
액정 표시 장치는 화소 단위로 이루어지는데 이러한 화소는 적, 녹, 청의 색 필터와 대응된다. 여기서 화소 영역에 형성되어 있는 공통 전극(27, 28, 29) 및 화소 전극(654, 655, 656, 657)의 기울기 각도를 서로 다르게 하여 각 영역의 응답속도를 조절할 수도 있다.
본 발명에서는 공통 전극 및 화소 전극이 일정한 기울기를 가지고 가로 방향으로 상하 대칭이 되도록 형성되어 있어 개구율이 향상되며 빛샘 및 색반전이 일어나지 않는다.

Claims (9)

  1. 투명 기판,
    상기 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있는 다수의 게이트선,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 나란한 공통 신호선, 상기 공통 신호선과 연결되어 있는 세로 방향의 공통 신호선 연결부 및 상기 공통 신호선 연결부와 연결되어 있고 상기 게이트선에 대하여 3도 내지 45도의 각도로 기울어져 있는 공통 전극을 포함하는 공통 배선,
    상기 게이트선 및 상기 공통 배선과 절연되어 있으며 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 이루는 다수의 데이터선,
    상기 게이트선의 일부인 게이트 전극, 상기 데이터선과 이어진 소스 전극 및 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극을 포함하며 상기 게이트선으로부터 주사 신호를 받아 상기 데이터선으로부터의 화상 신호를 스위칭하는 박막 트랜지스터,
    상기 드레인 전극과 연결되어 있으며 상기 공통 신호선과 중첩되어 가로 방향으로 형성되어 있는 화소 신호선, 상기 화소 신호선과 연결되어 있는 화소 신호선 연결부 및 상기 화소 신호선 연결부와 연결되어 있으며 상기 게이트선에 대하여 3도 내지 45도의 각도로 기울어져 있는 화소 전극
    을 포함하며,
    상기 화소 영역의 가운데 부분을 지나는 가로 방향의 선을 중심으로 상측과 하측에 있는 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극은 각각 다른 방향으로 기울어져 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 기판은 배향막을 더 포함하며 상기 배향막의 러빙 방향은 상기 게이트선과 나란한 방향인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제1항에서,
    상기 공통 전극과 상기 화소 전극은 평행한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 제1항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 각각 상기 화소 영역의 가운데 부분을 지나는 선을 중심으로 상하 대칭을 이루는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  5. 제1항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 사이의 거리는 5 내지 20 ㎛인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  6. 제1항에서,
    상기 공통 신호선이 상기 게이트선에 대해 사선으로 형성되어 있을 때, 상기 박막 트랜지스터의 위치는 상기 게이트선과 상기 공통 신호선 간의 거리가 가장 먼 곳에 위치하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  7. 제1항에서,
    액정 표시 장치는 화소 단위로 이루어지는데 상기 공통 전극이 기울어진 각의 크기가 상기 이웃하는 화소 간에 다른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  8. 제1항에서,
    상기 공통 전극과 상기 공통 신호선 연결부를 연결시키며 상기 게이트선에 대하여 10 내지 50도의 각으로 기울어져 있는 부분을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  9. 제8항에서,
    상기 화소 전극과 상기 화소 신호선 연결부를 연결시키며 상기 게이트선에 대하여 10 내지 50도의 각으로 기울어져 있는 부분을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
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