KR100614797B1 - 반도체 제조공정용 척테이블 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정용 척테이블에 관한 것으로서, 이러한 척테이블은 척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하되, 상기 흡착패드는 상기 반도체 스트립의 형상에 따라 원활하게 형상 변형되도록 변형수용홈을 구비하여, 변형이 발생한 스트립을 확실하게 진공흡착할 수 있다.
반도체 스트립, 척테이블, 흡착패드
Description
도1은 종래의 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 평면도이며,
도2는 도1에 도시된 척테이블의 수직단면도이며,
도3은 도1에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도4는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도5는 도4에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도6은 도4에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도7은 도4에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도8은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도9는 도8에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도10은 도8에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도11은 도8에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도12는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도13은 도12에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도14는 도12에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도15는 도12에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도16은 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 부분평면도이며,
도17은 도16에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도18은 도16에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도19는 도16에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도20은 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도21은 도20에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도22는 도20에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나 타내는 수직단면도이며,
도23은 도20에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도24는 본 발명의 제6실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도25는 도24에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도26은 도24에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도27은 도24에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도28은 본 발명의 제7실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며,
도29는 도28에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며,
도30은 도28에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도31은 도28에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이며,
도32는 본 발명의 제8실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 수직단면도이며,
도32는 본 발명의 제9실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 수직단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 척바디 12 : 패드안착홈
14 : 진공연결공 20 : 흡착패드
22 : 흡착공간부 24 : 진공흡착공
26 : 밀폐부 27 : 절삭홈
28 : 테두리부 30 : 변형수용홈
본 발명은 반도체 제조공정용 척테이블에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 반도체 절삭 공정에서 반도체 스트립이 개개의 반도체 패키지로 절삭되도록 반도체 스트립을 진공흡착하여 지지하는 반도체 제조공정용 척테이블에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정은 크게 FAB(Fabrication)공정과 어셈블리(Assembly)공정으로 이루어지는데, FAB공정에서는 실리콘 웨이퍼 상에 집적회로를 설계하여 반도체 칩을 형성하고, 어셈블리공정에서는 반도체 칩에 리드프레임 부착, 상기 반도체 칩과 리드프레임간의 통전을 위한 와이어 본딩(Wire bonding) 혹은 솔더볼(Solder ball)을 형성하는 솔더링 공정, 그리고 에폭시 등의 레진(Resin) 등을 이용한 몰딩 공정 등을 차례로 진행하여 반도체 스트립(Strip)을 형성하게 된다.
이러한 반도체 스트립은 소정의 픽커수단에 의해 척테이블(Chuck table)에 안착된 상태에서 절단장치로 이송된 후 절삭날(회전 블레이드)에 의해 개별적인 패키지 형태로 절단된다. 이와 같이, 반도체 제조공정 시스템에는 반도체 스트립을 절단장치로 이송하며 절단공정 동안 반도체 스트립 및/또는 반도체 패키지를 지지하는 척테이블이 필수적으로 구비되어야 한다.
한편, 이러한 척테이블의 일반적인 구조가 도1 및 도2에 도시되어 있다.
도1은 종래의 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 평면도이며, 도2는 도1에 도시된 척테이블의 수직단면도이다.
도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 종래의 척테이블은 척바디(10)와 흡착패드(20)로 구성되어 있다. 상기 척바디(10)는 상기 흡착패드(20)를 지지하는 요소이다. 이러한 척바디(10)의 상부에는 상기 흡착패드(20)가 고정되는 패드안착홈(12)이 구비되어 있으며, 외부 진공원(미도시)에 연결된 다수의 진공연결공(14)이 관통 형성되어 있다. 상기 흡착패드(20)는 반도체 스트립(S)을 직접 진공 흡착하는 요소로서, 상기 척바디(10)의 패드안착홈(12)에 삽입 고정되어 있다. 이러한 흡착패드(20)는 통상 반도체 스트립의 손상을 방지하면서 반도체기판과의 기밀유지를 위해 고무재질로 형성된다. 이러한 흡착패드(20)의 상부에는 다수의 흡착공간부(22)가 형성되어 있으며, 상기 흡착공간부(22)를 에워싸는 밀폐부(26)가 형성되어 있고, 이 밀폐부(26)에는 절삭날을 도피하기 위한 절삭홈(27)이 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착공간부(22)에는 상기 진공연결공(14)과 연결된 진공흡착공(24)이 형성되어 있다. 한편, 도1 및 도2에 도시된 흡착패드(20)는 3개의 그룹으로 이루어진 예이다.
이와 같이 구성되어, 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 안착되면 상기 진공연결공(14) 및 진공흡착공(24)을 통해 상기 흡착공간부(22)로 진공력이 제공되어 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 진공흡착된다.
그러나, 도3에 도시된 바와 같이, 반도체 스트립(S)에 휘거나 뒤틀리는 등의 변형(warpage)이 발생한 경우에는 상기 스트립(S) 밀폐부(26) 사이에 틈새가 생겨 흡착공간부(22)를 효과적으로 진공시킬 수 없어서, 반도체 스트립(S)을 원활하게 진공흡착할 수 없다. 또한, 종래의 흡착패드(20)는 그 테두리부가 척바디(10)에 고정되고, 한정된 공간내에서 고무의 변형이 일어나므로 변형이 곤란하다. 따라서, 변형된 반도체 스트립(S)이 공급되는 경우 흡착패드(20)가 원활하게 변형되지 못하여 척테이블에 확실하게 진공흡착되지 못하며, 이로 인해 반도체 스트립(S)을 개별의 반도체 패키지로 정밀하게 절단할 수 없거나 스트립을 폐기해야 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 스트립 등의 피가공물에 변형(warpage)이 발생한 경우에도 원활하게 진공흡착할 수 있는 반도체 제조공정용 척테이블을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 척테이블은 척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하되, 상기 흡착패드는 상기 반도체 스트립의 형상에 따라 원활하게 형상 변형되도록 변형수용홈을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 척바디는 진공원과 연결된 다수의 진공연결공을 구비하며, 상기 흡착패드는 상기 진공연결공에 연결되며, 절삭홈이 형성된 밀폐부에 의해 둘러 쌓인 진공흡착공을 구비하며, 상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 절삭홈을 따라 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 변형수용홈은 상기 흡착패드를 독립적으로 형상 변형되는 적어도 2개 이상의 영역으로 구분하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 변형수용홈은 상하방향으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 내부에 수평방향으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 깊게 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 얕게 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 테두리부를 따라 더 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 제1실시예에 따른 흡착패드를 첨부된 도면을 참조하여 상세 히 설명한다.
본 발명에 따른 실시예들을 설명함에 있어, 이미 설명한 종래기술 및 실시예의 구성요소와 대응되는 구성요소에 대하여는 동일한 명칭 및 동일한 참조부호를 부여하기로 한다. 또한, 대칭적으로 배치되거나 복수개로 이루어진 구성요소에 대해서는 그 중 하나에 대해서만 참조부호를 부여하여 설명하기로 한다. 또한, 참조부호 S는 피가공물로서 반도체 스트립을 의미한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 도면으로 표현함에 있어, 편의상 하나의 그룹만을 도시하기로 한다.
도4는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 부분평면도이며, 도5는 도4에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이다.
도4 및 도5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 척테이블은 척바디(10)와 흡착패드(20)로 구성되어 있다. 상기 척바디(10)는 상기 흡착패드(20)를 지지하는 요소이다. 이러한 척바디(10)의 상부에는 상기 흡착패드(20)가 고정되는 패드안착홈(12)이 구비되어 있으며, 외부진공원(미도시)에 연결된 다수의 진공연결공(14)이 관통 형성되어 있다. 상기 흡착패드(20)는 반도체 스트립(S)을 직접 진공흡착하는 요소로서, 상기 척바디(10)의 패드안착홈(12)에 삽입 고정되어 있다. 이러한 흡착패드(20)는 통상 반도체 스트립의 손상을 방지하면서 반도체기판과의 기밀유지를 위해 고무재질로 형성된다. 이러한 흡착패드(20)의 상부에는 다수의 흡착공간부(22)가 형성되어 있으며, 상기 흡착공간부(22)에는 상기 진공연결공(14)과 연결된 진공흡착공(24)이 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착공간부(22)는 그 바닥면으로부터 돌출 형성된 밀폐부(26)에 의해 둘러 싸져 있으며 밀폐부(26)에는 절삭홈 (27)이 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착패드(20)의 가장자리를 따라 테두리부(28)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 흡착패드(20)에는 반도체 스트립의 형상에 따라 원활하게 형상 변형되도록 변형수용홈(30)이 형성되어 있다. 상기 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 각 그룹이 독립적으로 형상 변형되는 2개의 영역으로 분리되도록 상기 흡착패드(20)의 절삭홈(27)을 따라 사각 폐직선 형태로 형성되어 있다. 또한, 상기 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라서도 형성되어 있다. 이러한, 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 형상 변형을 원활하게 유도하므로, 척테이블이 변형이 생긴 반도체 스트립도 원활하게 진공흡착할 수 있게 한다. 또한, 이러한 변형수용홈(30)의 두께는 칩이 끼어들지 못할 정도로 형성되며, 바람직하게는 0.05mm정도가 적당하다.
이하, 본 발명의 제1실시예에 따른 척테이블의 작동상태를 설명한다.
도6은 도4에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도7은 도4에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
도6에 도시된 바와 같이, 변형이 발생한 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 안착되면 상기 진공연결공(14) 및 진공흡착공(24)을 통해 상기 흡착공간부(22)로 진공력이 제공되어 반도체 스트립(S)이 상기 흡착패드(20)에 진공흡착된다.
이때, 도7에 도시된 바와 같이, 상기 흡착패드(20)가 변형이 발생한 반도체 스트립(S)의 형상에 대응되게 형상변형되어, 상기 반도체 스트립(S)을 상기 흡착패드(20)에 밀착시킨다. 따라서, 상기 흡착패드(20)의 흡착공간부(22)를 효과적으로 진공시켜, 반도체 스트립(S)을 원활하게 진공흡착할 수 있다. 즉, 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28) 및 밀폐부(26)를 따라 형성된 변형수용홈(30)이 상기 흡착패드(20)의 형상 변형을 수용하고 있다.
이하, 본 발명의 제2실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도8은 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며, 도9는 도8에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도10은 도8에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도11은 도8에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)을 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제2실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라 폐직선 형태로 형성되어 있다. 따라서, 변형이 생긴 반도체 스트립(S)이 공급되는 경우에도 흡착패드(20)가 원활하게 형상변형되어 반도체 스트립(S)을 진공흡착할 수 있다. 즉, 이러한 변형수용홈(30)이 형성되지 않은 경우에는 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)가 고정단과 같은 변형을 하는데 반해, 이러한 변형수용홈(30)이 형성된 경우에는 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)가 자유 단과 같은 변형을 하기 때문에 상기 흡착패드(20)의 변형이 원활하게 이루어진다.
이하, 본 발명의 제3실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도12는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며, 도13은 도12에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도14는 도12에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도15는 도12에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)의 위치을 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제3실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라 폐직선 형태로 형성됨과 동시에, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 맨 바깥쪽 절삭홈(27)을 따라 형성되어 있다.
이하, 본 발명의 제4실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도16은 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 부분평면도이며, 도17은 도16에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도18은 도16에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도19는 도16에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)의 위치 및 개수를 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제4실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라 폐직선 형태로 형성됨과 동시에, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 맨 바깥쪽 절삭홈(27)를 따라 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 내부에도 상기 변형수용홈(30)이 상기 절삭홈(27)을 따라 폐직선 형상으로 더 형성되어 있다.
이하, 본 발명의 제5실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도20은 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며, 도21은 도20에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도22는 도20에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도23은 도20에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제5실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)의 형상 및 위치를 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제5실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라 폐직선 형태로 형성됨과 동시에, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 맨 바깥쪽 절삭홈(27)를 따라 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 내부에도 상기 변형수용홈(30)이 상기 절삭홈(27)를 따라 폐 직선 형상으로 더 형성되어 있다. 여기서, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 내부에 형성된 변형수용홈(30)은 제4실시예의 그것과 달리 폐직선 내부를 제외한 모든 절삭홈(27)에 형성되어 있으며, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 얕게 형성되어 있다.
이러한 실시예는 흡착패드(20)의 테두리부(28)로 갈수록 많은 변형이 요구되는 설계조건에 적용될 수 있을 것이다.
이하, 본 발명의 제6실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도24는 본 발명의 제6실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 확대평면도이며, 도25는 도24에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도26은 도24에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도27은 도24에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제6실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)의 형상 및 위치를 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제6실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28)를 따라 폐직선 형태로 형성되어 있다. 또한, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 내부에 변형수용홈(30)이 상기 절삭홈(27)을 따라 폐직선 형상으로 더 형성되어 있다. 여기서, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 내부에 형성된 변형수용홈(30)은 제5실시예의 그것과 달리, 폐직선 내부의 모든 적삭홈(27)에 형성되어 있으며, 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 깊게 형성되어 있다.
이러한 실시예는 흡착패드(20)의 각 그룹의 중심부로 갈수록 많은 변형이 요구되는 설계조건에 적용될 수 있을 것이다.
이하, 본 발명의 제7실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도28은 본 발명의 제7실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 부분적으로 나타내는 부분평면도이며, 도29는 도28에서 A-A선을 따라 절단한 수직단면도이며, 도30은 도28에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 놓여진 상태를 나타내는 수직단면도이며, 도31은 도28에 도시된 척테이블에 변형된 반도체 스트립이 흡착된 상태를 나타내는 수직단면도이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제7실시예에 따른 척테이블은 변형수용홈(30)의 형상 및 위치를 제외하면 제1실시예에 따른 척테이블과 기본적으로 동일한 구성 및 작용효과를 가진다. 제7실시예에 따른 변형수용홈(30)은 상기 흡착패드(20)의 테두리부(28), 상기 흡착패드(20)의 각 그룹의 모든 절삭홈(27)에 형성되어 있다.
이러한 실시예는 흡착패드(20)에 많은 변형이 요구되는 설계조건에 적용될 수 있는 것으로, 비교적 큰 반도체 스트립을 진공흡착하는데 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 제8실시예 및 제9실시예에 따른 척테이블을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도32는 본 발명의 제8실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 수직단면도이며, 도32는 본 발명의 제9실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블을 나타내는 수직단면도이다.
도32에 도시된 바와 같이, 제8실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블에 형성된 변형수용홈(30)은 수직방향으로 일면 또는 양면이 소정각도로 경사지게 형성되어 있다. 도33에 도시된 바와 같이, 제9실시예에 따른 반도체 제조공정용 척테이블에 형성된 변형수용홈(30)은 흡착패드(20)의 내부에 수평방향으로 형성되어 있다.
한편, 상기 변형수용홈(30)은 다양한 방법에 의해 가공될 수 있으며, 출력이 적절히 조절된 레이저장치, 성형 또는 기계적 가공에 의해 정밀하게 가공될 수 있을 것이다.
한편, 상기의 실시예에서는 변형수용홈(30)이 절삭홈(27)을 따라 형성된 예들만 개시되어 있으나, 설계조건에 따라서는 밀폐부(26)를 따라 형성될 수도 있다.
한편, 상기 실시예들은 절삭홈(27)이 형성된 밀폐부(26)가 구비된 흡착패드(20)의 경우를 예를 들어 설명하였으나, 경우에 따라 밀폐부(26) 및 절삭홈(27)이 없이 진공흡착공만 형성된 흡착패드(20)에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다.
이상의 예에서와 같이, 본 발명은 상기 실시예들을 적절히 변형하여 동일한 원리를 이용하여 다양하게 응용될 수 있을 것이다. 즉, 상기 실시예들에서는 반도체 스트립이 피가공물인 경우만 설명되어 있으나, 이에 한정되지 않고 본 발명은 다양한 반도체 제품 및 반제품에도 적용될 수 있다. 또한, 상기 변형수용홈(30)의 깊이, 폭 및 위치는 이상의 실시예에서 설명된 것 이외에도 설계조건에 따라 다양한 형상으로 설계변경 가능할 것이다. 따라서, 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라고 해석돼야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 척테이블은 반도체 제조공정에서 반도체 스트립 등의 피가공물에 굽힘이나 휨 등의 변형(warpage)이 발생한 경우 원활하게 진공 흡착할 수 없는 문제점을 극복하였다. 즉, 흡착패드의 소정 위치에 변형수용홈을 형성시켜 흡착패드가 이에 대응되게 형상 변형되도록 구성되므로, 변형된 스트립이 흡착패드에 안착되더라도 흡착패드가 원활하게 변형된 반도체 스트립을 진공흡착할 수 있다. 또한, 상기 흡착패드의 분리된 부분이 변형수용홈에 의해 독립되어 주변으로 전달되지 않으므로 상기 흡착패드가 용이하게 변형되며, 작은 진공력으로도 쉽게 변형될 수 있는 것이다.
따라서, 종래와 달리 변형된 스트립을 정확하게 진공흡착하여 쏘잉장치로 이송한 후 절살공정동안 정확하게 지지되므로, 반도체 스트립의 절삭정밀도가 월등히 향상되었다.
Claims (8)
- 척바디와, 상기 척바디의 상부에 결합되며 반도체 스트립이 흡착되는 흡착패드를 포함하되,상기 흡착패드는 상기 반도체 스트립의 형상에 따라 원활하게 형상 변형되도록 변형수용홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제1항에 있어서,상기 척바디는 진공원과 연결된 다수의 진공연결공을 구비하며,상기 흡착패드는 상기 진공연결공에 연결되며, 절삭홈이 형성된 밀폐부에 의해 둘러 쌓인 진공흡착공을 구비하며,상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 절삭홈을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제1항에 있어서,상기 변형수용홈은 독립적으로 형상 변형되는 적어도 2개 이상의 영역으로 상기 흡착패드를 구분하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제3항에 있어서,상기 변형수용홈은 수직 방향으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제3항에 있어서,상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 내부에 수평방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제4항에 있어서,상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제4항에 있어서,상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 각 그룹의 중심부로 갈수록 점점 얕게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
- 제4항에 있어서,상기 변형수용홈은 상기 흡착패드의 테두리부를 따라 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 척테이블.
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